JP4286054B2

JP4286054B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP4286054B2
Application number: JP2003134288A
Authority: JP
Inventors: 茂宏後藤; 寛小林
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2003-05-13
Filing date: 2003-05-13
Publication date: 2009-06-24
Anticipated expiration: 2023-05-13
Also published as: JP2004337658A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板（以下、単に基板と称する）に対して基板処理を行う基板処理装置に係り、特に、吐出口から処理液を吐出して基板に供給する処理液供給ノズル内の処理液を温調する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、処理液供給ノズル内の処理液を温調する技術として、ノズルに接続される処理液配管を取り囲むように温調配管を配設した２重管構造のものがあり、処理液配管内の処理液は温調配管内の恒温水によって温調されてノズルから吐出するようにしている（例えば、特許文献１参照。）。
また、故障などによって処理液配管を交換することを鑑みて、処理液配管が掃抜可能に挿通される温調配管を温調室に備え、温調室の内壁と温調配管の外壁とで形成された密閉空間内に恒温水を流通しているものもある（例えば、特許文献２参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平６−２９１０２７号公報（第４−５頁、図３）
【０００４】
【特許文献２】
特開平７−２６３３２６号公報（第３頁、図１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような２重管構造を有する場合には、温調配管が大口径となり、ノズル移動時の処理液配管の曲率が大きくとれない。従って、基板の鉛直方向である上下方向の空間が必要になり、装置を上下方向に小型化することができないという問題がある。
【０００６】
かかる問題を解決するために、図１６に示すような技術が提案されている。すなわち、平板状の液だまり部１０１を有するノズル１０２を、２つの温調板１０３が水平方向から挟み込んでノズル１０２内の処理液を温調する。これによって装置の小型化を実現している。しかし、温調板１０３がノズル１０２を挟み込む際に、温調板１０３とノズル１０２の液だまり部１０１との接触面から発塵して、その塵埃が基板などに付着して、欠陥などの不具合を生じる場合がある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板処理を精度良く行う基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板の処理を行う基板処理装置であって、吐出口から処理液を吐出して基板に供給する処理液供給ノズルと、前記処理液供給ノズルを挟み込んで、ノズル内の処理液を温調する温調部とを備え、前記処理液供給ノズルと前記温調部との接触面で発塵した塵埃を受ける受け部を配設し、前記受け部を、前記処理液供給ノズルと前記温調部との鉛直方向に沿った前記接触面よりも少なくとも下方に配設し、かつ、前記受け部よりも下方に前記接触面は無いことを特徴とするものである。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記処理液供給ノズルまたは温調部と前記受け部とを一体に形成することを特徴とするものである。
【００１０】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記処理液供給ノズルまたは温調部と前記受け部とを互いに離間させて配設することを特徴とするものである。
【００１１】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理液供給ノズルの外周を囲むように前記受け部を構成することを特徴とするものである。
【００１２】
また、請求項５に記載の発明は、基板の処理を行う基板処理装置であって、吐出口から処理液を吐出して基板に供給する処理液供給ノズルと、前記処理液供給ノズルを挟み込んで、ノズル内の処理液を温調する温調部とを備え、前記処理液供給ノズルと前記温調部との接触面で発塵した塵埃を受ける受け部を配設し、前記処理液供給ノズルおよび前記温調部の少なくともいずれか一方に、前記処理液供給ノズルと前記温調部とにより形成された隙間の排気を行う排気部を備えることを特徴とするものである。
【００１３】
また、請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の基板処理装置において、前記排気部を、前記処理液供給ノズルと前記温調部との鉛直方向に沿った前記接触面よりも下方に配設することを特徴とするものである。
【００１５】
〔作用・効果〕
請求項１に記載の発明によれば、処理液供給ノズルと温調部との接触面から発塵した塵埃を受け部が受ける。塵埃を受け部が受けることで、基板などに付着する塵埃を低減させることができ、その塵埃の低減によって基板処理を精度良く行うことができる。また、処理液供給ノズルと温調部との接触面で発塵して下方に落下した塵埃が、処理液供給ノズルと温調部との鉛直方向に沿った接触面よりも少なくとも下方に配設された受け部により受けられる。従って、処理液供給ノズルと温調部との接触面で発塵した塵埃が落下して基板などに付着することをより一層確実に防止することができる。
【００１６】
処理液供給ノズル，温調部，および受け部の構成の一例は、処理液供給ノズルまたは温調部と受け部とを一体に形成すること（請求項２に記載の発明）や、処理液供給ノズルまたは温調部と受け部とを互いに離間させて配設すること（請求項３に記載の発明）が挙げられる。ここで、『一体に形成する』とは、処理液供給ノズルまたは温調部の一部を受け部で構成することを指す。
【００１７】
請求項４に記載の発明によれば、処理液供給ノズルと温調部との接触面で発塵した塵埃が下方以外の部分、例えば側方に飛散することを防止することができる。また、処理液供給ノズルの外周を囲むことにより、より確実に外部雰囲気と遮断することができるので、ノズル内の処理液を精度良く温調することができる。
【００１８】
請求項５に記載の発明によれば、処理液供給ノズルと温調部との接触面から発塵した塵埃を受け部が受ける。塵埃を受け部が受けることで、基板などに付着する塵埃を低減させることができ、その塵埃の低減によって基板処理を精度良く行うことができる。また、処理液供給ノズルと温調部との接触面で発塵して両者の隙間に存在する塵埃が、処理液供給ノズルおよび温調部の少なくともいずれか一方に備えた排気部により排気除去される。従って、処理液供給ノズルと温調部との接触面で発塵した塵埃が落下して基板などに付着することをより確実に防止することができる。
【００１９】
請求項６に記載の発明によれば、処理液供給ノズルと温調部との接触面で発塵して下方に落下した塵埃が、処理液供給ノズルと温調部との鉛直方向に沿った接触面よりも下方に配設された排気部により排気除去される。従って、処理液供給ノズルと温調部との接触面で発塵して下方に落下した塵埃をより効果的に排気除去することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。
＜第１実施例＞
図１は本発明の基板処理装置の第１実施例に係る回転式塗布装置の概略構成を示す平面図であり、図２は、その側面図である。
【００２２】
なお、この第１実施例では、基板処理装置としての回転式塗布装置、つまり、半導体ウエハ（以下、単に「基板」と呼ぶ）に処理液であるレジスト液を吐出して基板にレジスト処理を施す回転式塗布装置を例に採って説明する。
【００２３】
図１に示すように、この回転式塗布装置は、基板Ｗに処理液を供給して回転塗布する回転処理部１０と、処理液を吐出するノズル２０を把持するノズル把持部３０と、このノズル把持部３０を鉛直方向（Ｚ軸方向）に移動させる垂直移動部４０と、ノズル把持部３０をＹ軸方向に移動させるＹ軸水平移動部５０と、ノズル把持部３０をＸ軸方向に移動させるＸ軸水平移動部６０と、複数個（この第１実施例では、例えば６個）のノズル２０を収納する待機部７０とを備えている。
【００２４】
回転処理部１０は、基板Ｗを水平姿勢で保持して回転駆動する回転保持部１１と、この回転保持部１１の周囲を取り囲み、基板Ｗから飛散される処理液が外方へ拡散するのを防止する中空の飛散防止カップ１２とを備えている。飛散防止カップ１２は、図示しない昇降機構によって昇降可能に構成されていて、基板Ｗが回転駆動される際に上昇して、基板Ｗ上に吐出された処理液がこの飛散防止カップ１２の外側の周囲に飛散するのを防止する。このとき、飛散防止カップ１２内に飛び散った処理液は、この飛散防止カップ１２に設けられている図示しない廃液回収構造によって回収される。
【００２５】
図１，２に示すように、基板Ｗに異なる種類の処理液を吐出するための複数個（例えば６個）のノズル２０が、待機部７０にそれぞれ待機収納されている。使用時には、選択されたノズル２０が待機部７０から回転処理部１０内の基板Ｗ上の所定位置に移動され、ノズル２０の先端の吐出口から基板Ｗに向けて処理液を吐出するようになっている。
【００２６】
ここで、このノズル２０について、図３および図４を用いて詳細に説明する。なお、図３（ａ）はノズル２０の外観を示す概略斜視図であり、図３（ｂ）はノズル２０の温調面を示す概略斜視図である。図４（ａ）はノズル２０の縦断面図であり、図４（ｂ）はノズル２０の側面図であり、図４（ｃ）はノズル２０の底面図であり、図４（ｄ）は図４（ａ）に示したノズル２０のＢ−Ｂ線断面図である。
【００２７】
図３（ａ）に示すように、ノズル２０は、その先端部に、処理液配管２１を通じて供給されてきた処理液を所定量貯める処理液だまり部２２を備えている。処理液だまり部２２は、次期吐出相当量の処理液を少なくとも貯めることができる程度の大きさとなっている。つまり、これから基板Ｗに吐出すべきワンショット分（例えば、１〜１０ｃｍ³）の処理液が処理液だまり部２２に貯留されていて、処理液だまり部２２に貯留された処理液が先端の吐出口２５ａから基板Ｗに向けて吐出されるようになっている。
【００２８】
具体的には、図３（ｂ）に示すように、ノズル２０の処理液だまり部２２は、例えば、熱伝導部材と断熱部材とからなる平板型のハウジング２３を備えている。ハウジング２３の正面板２３ａおよび背面板２３ｂは熱伝導部材で形成されており、ハウジング２３の上面板２３ｃ、底面板２３ｄ、左側面板２３ｅおよび右側面板２３ｆは断熱部材で形成されている。熱伝導部材としては、例えば、アルミニウムや銅やカーボンなどが挙げられる。なお、熱伝導部材としてアルミニウムや銅を採用した場合には、このアルミニウムや銅の処理液との接液部分に、耐薬性の高い素材で被覆（フッ素樹脂コーティング）を施す。また、熱伝導部材としてカーボンを採用した場合には、このカーボンの処理液との接液部分に、耐薬性の高い素材で被覆（ダイヤモンドコーティング）を施す。
【００２９】
図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、ノズル２０の処理液だまり部２２は、上述の平板型のハウジング２３で覆われている。図４（ａ）に示すように、処理液だまり部２２は、体積当りの表面積が大きくなるようにするために、蛇行形状配管２４で構成されており、曲がりくねった処理液流路を形成している。この蛇行形状配管２４中に処理液を貯めることで、少なくとも次期吐出相当量の処理液が貯留されるようになっている。この処理液だまり部２２の下端には、蛇行形状配管２４に接続された突出部２５が形成されており、この突出部２５の先端には処理液を吐出するための吐出口２５ａが形成されている。また、図４（ｄ）に示すように、ハウジング２３と蛇行形状配管２４との間には、熱伝導性の高い材料である高熱伝導充填材２６が充填されている。ノズル２０は、本発明における処理液供給ノズルに相当する。
【００３０】
ここで、ノズル把持部３０について、図５を用いて詳細に説明する。なお、図５はノズル把持部３０の概略構成を示す平面図である。ノズル把持部３０は、ノズル２０の処理液だまり部２２を把持する一対の把持アーム３１，３１を備えている。各把持アーム３１，３１は、ベース部材３２の上面に敷設されたレール３３，３３に沿ってＹ軸方向の互いに反対向きにスライド移動可能に取り付けられている。
【００３１】
一対の把持アーム３１，３１の基端側には、この一対の把持アーム３１，３１を互いに反対方向に水平移動させるリンク機構３４と、このリンク機構３４を駆動する駆動シリンダ３５とが備えられている。リンク機構３４は４節リンク構造を有し、リンク３４ａの一端とリンク３４ｂの一端とが回動自在に連結され、リンク３４ｃとリンク３４ｄとの連結部が駆動シリンダ３５のロッドに連結されている。さらに、リンク３４ｂとリンク３４ｄとの連結部およびリンク３４ａとリンク３４ｃとの連結部がそれぞれ把持アーム３１，３１に取り付けられている。そして、駆動シリンダ３５のロッドを伸長させると、一対の把持アーム３１，３１が互いに離反してノズル２０を開放し、駆動シリンダ３５のロッドを後退させると、一対の把持アーム３１，３１が互いに接近してノズル２０の処理液だまり部２２を把持する。
【００３２】
一対の把持アーム３１，３１には、処理液だまり部２２を挟み込んで処理液だまり部２２内の処理液を熱交換して温調する温調板３６をそれぞれ備えている。後述する理由から明らかなように、温調板３６を、処理液だまり部２２の熱交換部（正面板２３ａおよび背面板２３ｂ）よりも大きくしている。温調板３６は、本発明における温調部に相当する。
【００３３】
一対の温調板３６，３６の挟持面側には、処理液だまり部２２に当接される挟持板３６ａが取り付けられている。また、挟持板３６ａの挟持面側とは反対側の表面には、熱電冷却素子としてのペルチェ素子３６ｂが取り付けられている。ペルチェ素子３６ｂは、熱電冷却効果により、挟持板３６ａを短時間で所定の温度に設定することができる。また、ペルチェ素子３６ｂの挟持板３６ａとは反対側の表面には、ペルチェ素子３６ｂからの発熱分を除去する冷却水を供給する冷却水循環部材３６ｃが配設されている。冷却水循環部材３６ｃの一端には、内部に冷却水を送り込むための冷却水供給管３６Ａおよび冷却水を外方に取り出すための冷却水排出管３６Ｂが接続されている。この冷却水供給管３６Ａおよび冷却水排出管３６Ｂは外部に設けられた冷却水供給装置（図示省略）に接続されている。
【００３４】
ここで、第１実施例の特徴部分でもある温調板３６の構造について、図６を用いて詳細に説明する。一対の温調板３６，３６の互いに向かい合う挟持面側、すなわち挟持板３６ａの内側には、温度センサ３６ｅを備える接触部３６ｄおよび接触部３６ｄから張り出した受け部３７がそれぞれ設けられている。受け部３７は、接触部３６ｄの上方に位置する上方受け部３７ａ，接触部３６ｄの側方に位置する側方受け部３７ｂ，接触部３６ｄの下方に位置する下方受け部３７ｃにより構成されている。そして、一対の温調板３６，３６の狭持板３６ａが、ノズル２０の処理液だまり部２２を挟み込む。
【００３５】
より具体的には、一対の温調板３６，３６の接触部３６ｄ，３６ｄ内に処理液だまり部２２を挟み込むことで処理液だまり部２２と温調板３６の接触部３６ｄ，３６ｄとが接触し、鉛直方向に沿った接触面が形成される。このとき、図６の仮想線に示されているように、各受け部３７ａ，３７ｂ，３７ｃによりノズル２０の外周が囲まれるので、ノズル２０と接触部３６ｄとの接触面で発塵する塵埃が外部に飛散するのを防止することができ、基板上に塵埃が付着することを低減することができる。
【００３６】
より具体的には、上方受け部３７ａ，側方受け部３７ｂがノズル２０の上方および側方に塵埃が飛散するのを防止し、ノズル２０と接触部３６ｄとの接触面より下方に設けられた下方受け部３７ｃがノズル２０と接触部３６ｄとの接触面で発塵した塵埃がノズル２０の下方に落下するのを防止する。なお、図６の仮想線に示すように、一対の温調板３６，３６によりノズル２０を挟み込んで保持する際に、それぞれの受け部３７同士は接触することなく所定の間隔を隔てて近接されるのが好ましい。このような構成とすることにより、受け部３７同士が接触して発塵原因となるのを防止しつつ、ノズル２０と接触部３６ｄとの接触面で発塵する塵埃の外部への飛散を抑制することが可能となる。
【００３７】
また、図２に示すように、回転塗布処理装置の所定位置には、ペルチェ素子３６ｂを駆動制御するための制御部８８と、この制御部８８に電源電圧を供給するための電源部８９とが備えられている。処理液だまり部２２内の処理液の温度が温度センサ３６ｅから制御部８８に送られるようになっている。制御部８８は、処理液が所定の温度に温調されるように温調板３６のペルチェ素子３６ｂへの電源電圧の供給を制御する。
【００３８】
温調動作時には、ノズル２０が収納された状態で、このノズル２０の処理液だまり部２２を一対の温調板３６，３６で所定の押圧力で挟み込んで、つまり、処理液だまり部２２の正面板２３ａおよび背面板２３ｂと温調板３６の凹部３６ｄ，３６ｄとの接触圧を高めて当接させて、処理液だまり部２２内の処理液を熱交換して温調する。
【００３９】
また、ノズル２０と温調板３６とにより形成された隙間の排気を行う複数の円筒状の排気口３６ｈを一対の接触部３６ｄ，３６ｄに設け、処理液だまり部２２の正面板２３ａおよび背面板２３ｂと接触部３６ｄ，３６ｄとの接触面よりも下方に排気口３６ｈを配設する。なお、排気口３６ｈは、スリット状であってもよい。排気口３６ｈは、本発明における排気部に相当する。また、ノズル２０と温調板３６とにより形成されたあらゆる隙間は、処理液供給ノズルと温調部とにより形成された隙間に相当する。
【００４０】
続いて、垂直移動部４０，Ｙ軸水平移動部５０，およびＸ軸水平移動部６０について、図１および図２を用いて詳細に説明する。図１，図２に示すように、ノズル把持部３０は、このノズル把持部３０を鉛直方向（Ｚ軸方向）に移動させる垂直移動部４０に取り付けられている。垂直移動部４０は、ノズル把持部３０を支持する支持部材４１と、この支持部材４１を昇降移動させる昇降駆動部４２とを備えている。
【００４１】
また、昇降駆動部４２は、ノズル把持部３０をＹ軸方向に移動させるＹ軸水平移動部５０の水平移動部材５１に接続されている。水平移動部材５１の一端は、Ｙ軸方向に延びる回動ねじ５２に係合している。回動ねじ５２は駆動モータ（図示省略）により回動される。これにより、回動ねじ５２に係合した水平移動部材５１がＹ軸方向に往復移動し、それによって垂直移動部４０およびノズル把持部３０がＹ軸方向に往復移動する。
【００４２】
さらに、Ｙ軸水平移動部５０のスライド板６１の一端は、Ｘ軸方向に延びるＸ軸水平移動部６０の回動ねじ６２に係合している。回動ねじ６２は駆動モータ（図示省略）により回動される。回動ねじ６２の回動により、スライド板６１がガイド６３に沿ってＸ軸方向に往復移動し、それによってＹ軸水平移動部５０、垂直移動部４０およびノズル把持部３０がＸ軸方向に往復移動する。
【００４３】
図１に示すように、待機部７０には、例えば６個の後述する収納ポット７１がＹ軸方向に並設されており、異なる種類の処理液を供給する処理液供給源（図示省略）に処理液配管２１を介して接続された６個のノズル２０をそれぞれの収納ポット７１に収納している。なお、処理液配管２１の処理液供給源（図示省略）側には、電磁弁およびポンプ（図示省略）が接続されており、所定量の処理液が処理液配管２１を介してノズル２０に供給されるようになっている。
【００４４】
続いて、収納ポット７１について、図７および図８を用いて詳細に説明する。なお、図７は収納ポット７１の概略構成を示す概略斜視図である。図８（ａ）は図１に示した収納ポット７１のＡ−Ａ線断面図であり、図８（ｂ）はノズル２０の収納ポット７１への収納状態でこのノズル２０の突出部２５が待機ポット９０内に挿入されることを説明するための図である。
【００４５】
図７，図８（ａ）に示すように、収納ポット７１は、ノズル２０を立設して収納する立設ポット８０と、ノズル２０の突出部２５を溶剤雰囲気中に収納するための待機ポット９０とを備えている。収納ポット７１は、待機ポット９０上に立設ポット８０を積み上げた２段構造になっている。
【００４６】
まず、立設ポット８０について説明する。図７に示すように、立設ポット８０は、ノズル２０を収納するための立設容器本体８１を備えている。立設容器本体８１の天部および底部は開口されており、立設容器本体８１の天部の開口からノズル２０が挿入されるようになっている。
【００４７】
続いて、立設ポット８０の下側に位置する待機ポット９０について説明する。待機ポット９０は、ノズル２０の突出部２５が挿入される挿入孔９１を上面側に形成した待機容器本体９２を備え、待機中のノズル２０の突出部２５を溶剤雰囲気中に収納する。待機容器本体９２の中央下部には溶剤を保持する溶剤貯留部９３が形成され、その上方には溶剤空間９４が形成されている。溶剤空間９４には、溶剤を供給するための溶剤供給管９５が接続されている。また、待機容器本体９２におけるノズル２０の突出部２５の下方位置には、ノズル２０から滴下する処理液を外方へ排出するための排出管９６が接続されている。
【００４８】
なお、ノズル２０が収納ポット７１から取り出された状態において、待機ポット９０の挿入孔９１から立設ポット８０への溶剤雰囲気の流入を防止するために、この挿入孔９１を適宜に閉塞するようにしてもよい。よって、立設ポット８０の下側の待機ポット９０では、その挿入孔９１にノズル２０の突出部２５が挿入されており、ノズル２０の突出部２５を溶剤雰囲気中に収納している。
【００４９】
次に、この第１実施例の回転式塗布装置の動作について説明する。図１に示すように、待機部７０には、異なる種類の処理液を供給する処理液供給源（図示省略）に処理液配管２１を介して接続された複数個（第１実施例では６個）のノズル２０が収納ポット７１に収納された状態で収納され、各ノズル２０が待機状態にある。
【００５０】
図７に示すように、収納ポット７１に収納された各ノズル２０は、処理液供給源（図示省略）から処理液配管２１を通じて処理液が供給されており、所定量の処理液が処理液だまり部２２内に貯められた状態となっている。
【００５１】
回転式塗布装置は、予め定められた処理条件に従って基板Ｗに供給する処理液を選択し、これに対応したノズル２０を選択する。ノズル２０が選択されると、垂直移動部４０、Ｙ軸水平移動部５０およびＸ軸水平移動部６０が駆動され、ノズル把持部３０が一対の把持アーム３１，３１を開いた状態でノズル２０に接近する。一対の把持アーム３１，３１が開くことに伴って、それに備えられた一対の温調板３６，３６も開いた状態でノズル２０に接近する。
【００５２】
一対の把持アーム３１，３１を駆動してノズル２０を把持することで、処理液だまり部２２を一対の温調板３６，３６が挟み込む。そして、垂直移動部４０を駆動させて、把持したノズル２０を上方に持ち上げ、Ｙ軸水平移動部５０およびＸ軸水平移動部６０を駆動させて、ノズル２０を回転処理部１０の基板Ｗ上の所定位置、例えば基板Ｗの中央上方の位置に移動する。
【００５３】
制御部８８は、処理液だまり部２２内の処理液の温度を温度センサ３６ｅで測定し、この測定結果に応じて温調板３６のペルチェ素子３６ｂを駆動し、処理液だまり部２２の処理液を所定温度に温調する。温調のタイミングは、上述した移動に限らず、ノズル２０を把持して待機しているときであってもよい。
【００５４】
基板Ｗ上の所定位置に移動したノズル２０は、所定の温度に調整された処理液だまり部２２内の処理液を基板Ｗの表面に吐出する。その後、基板Ｗが回転され、これによって基板Ｗの表面に処理液が回転塗布される。処理液の温度は所定の値に調整されているため、不適当な処理液の温度による薄膜の膜厚ばらつきを抑制することができる。
【００５５】
上述したように第１実施例の回転式塗布装置によれば、ノズル２０と一対の温調板３６，３６とは、図６に示すように、鉛直方向に沿って接触された形で温調されている。この鉛直方向に沿った接触面から発塵した塵埃を受け部３７が受ける。塵埃を受け部３７が受けることで、基板Ｗや、さらにはノズル２０の移動中の下方に位置する飛散防止カップ１２などに付着する塵埃を低減させることができ、その塵埃の低減によって基板処理を精度良く行うことができる。
【００５６】
受け部３７のうち、接触部３６ｄの下方に位置する下方受け部３７ｃは、上述した接触面で発塵して下方に落下した塵埃を受ける。従って、ノズル２０と温調板３６の接触部３６ｄとの接触面で発塵した塵埃が落下して、基板Ｗなどに付着することを確実に防止することができる。
【００５７】
また、第１実施例では、ノズル２０の処理液だまり部２２と温調板３６の接触部３６ｄとの接触面よりも下方に受け部３７を設けるだけでなく、各温調板３６，３６の接触部３６ｄ，３６ｄ内に処理液だまり部２２を収容しつつ挟み込むことでノズル２０を狭持しているので、上述した接触面で発塵した塵埃が下方以外の部分、例えば側方に飛散するのを防止することができる。また、ノズル２０の処理液だまり部２２をより広範囲にわたって囲い込むことにより、より確実に外部雰囲気と遮断することができるので、ノズル２０内の処理液を精度良く温調することができる。
【００５８】
また、複数の排気口３６ｈを設けることで、ノズル２０と温調板３６との接触面から発塵し、ノズル２０と温調板３６とにより形成された隙間に存在する塵埃が排気口３６ｈにより、ノズル２０と温調板３６とにより形成された隙間の外部に排気除去される。従って、ノズル２０と温調板３６との接触面で発塵した塵埃が落下して基板Ｗや飛散防止カップ１２などに付着することをより確実に防止することができる。さらに、複数の排気口３６ｈを処理液だまり部２２の正面板２３ａおよび背面板２３ｂと接触部３６ｄ，３６ｄとの接触面よりも下方に設けることにより、ノズル２０と温調板３６との接触面で発塵して下方に落下した塵埃をより効果的に排気除去することができる。
【００５９】
＜第２実施例＞
図９，図１０を参照して第２実施例について説明する。図９は、本発明の基板処理装置の第２実施例に係るノズル２０の外観を示す概略斜視図であり、図１０は、第２実施例に係る収納ポット７１の概略構成を示す概略斜視図である。
【００６０】
なお、上述した第１実施例では、図６に示す温調板３６をノズル把持部３０の一対の把持アーム３１，３１にそれぞれ備え、把持アーム３１，３１でノズル２０を挟み込んで移動しながら温調を行っているが、第２実施例では、図７，図８に示す立設ポット８０内に、第１実施例と同じ構造をもつ一対の温調板８２，８２を設けて、収納ポット７１で収納されている間に温調を行う。以下、この第２実施例および後述する第３実施例では、この立設ポット８０を「温調ポット８０」として説明を行う。また、上述した第１実施例と同じ構成には同じ符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【００６１】
なお、第２実施例の場合には、収納ポット７１で収納されている間に温調を行うので、一対の把持アーム３１，３１でノズル２０を挟み込んで移動しながら温調を行う必要はない。従って、一対の把持アーム３１，３１は、第１実施例のようにノズル２０の処理液だまり部２２を把持するのでなく、図９に示すように、ノズル２０の基端部、つまり、処理液だまり部２２の上方位置に備えられた被把持部２７を一対の把持アーム３１，３１が把持する。ノズル２０の被把持部２７は、断熱部材で形成されている。ノズル把持部３０がノズル２０の被把持部２７を把持して移動することにより、ノズル２０が移動される。
【００６２】
第２実施例の温調ポット８０は、第１実施例の立設ポット８０と相違し、温調する機能を備えている。すなわち、図１０に示すように、収納ポット７１は、ノズル２０の処理液だまり部２２を温調するための温調ポット８０と、第１実施例と同様の待機ポット９０とを備えている。
【００６３】
温調ポット８０は、ノズル２０を収納するための温調容器本体８１と、この温調容器本体８１内に配設された、ノズル２０の処理液だまり部２２を挟み込む一対の温調板８２，８２とを備えている。温調容器本体８１の天部および底部は開口されており、温調容器本体８１の天部の開口からノズル２０が挿入されるようになっている。一対の温調板８２，８２は、温調動作時には、処理液だまり部２２を挟み込むように互いに接近移動し、ノズル２０の挿抜時などには、処理液だまり部２２の挟み込みを解除するように互いに離反移動するようになっている。温調板８２は、第１実施例の温調板３６と同じ構造を有している。
【００６４】
上述したように、収納ポット７１で収納されている間に温調を行うので、一対の把持アーム３１，３１でノズル２０を挟み込んで移動しながら温調を行う必要はないが、移動中においても温調を行うように一対の把持アーム３１，３１にも温調板３６をそれぞれ備えてもよい。
【００６５】
第２実施例に係る回転塗布処理装置によれば、第１実施例と同様に、ノズル２０と温調板８２との接触面から発塵した塵埃を受け部が受けるので、第２実施例の場合には待機ポット９０の挿入孔９１や溶剤空間９４などに付着した塵埃を低減させることができ、その塵埃の低減によって基板処理を精度良く行うことができる。
【００６６】
＜第３実施例＞
図１１を参照して第３実施例について説明する。図１１は、本発明の基板処理装置の第３実施例に係る回転式塗布装置の概略構成を示す平面図である。
【００６７】
なお、上述した第２実施例では、温調ポット８０と待機ポット９０とを上下２段に構成した６個の収納ポット７１を待機部７０に設けているが、第３実施例では、待機部７０に６個の待機ポット９０のみを設け、この待機ポット９０とは別の位置に、単一の温調ポット８０を設ける。また、上述した第１，第２実施例と同じ構成には同じ符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【００６８】
この第３実施例の回転式塗布装置では、６個の待機ポット９０と、単一の温調ポット８０とを分離独立して配置しているところに１つの特徴点がある。
【００６９】
次に、この第３実施例の回転式塗布装置の動作について説明する。待機部７０には、異なる種類の処理液を供給する処理液供給源（図示省略）に処理液配管２１を介して接続された６個のノズル２０の突出部２５がそれぞれの待機ポット９０の挿入孔９１に挿入された状態で収納され、各ノズル２０が待機状態にある。
【００７０】
図１１に示すように、待機部７０の待機状態にある６個のノズル２０の中から選択された１個のノズル２０をノズル把持部３０で把持して単一の温調ポット８０に移動させて収納する。温調ポット８０は、収納されたノズル２０の処理液だまり部２２内の処理液を温調する。温調ポット８０による処理液だまり部２２内の処理液の温調後、温調ポット８０に収納されたノズル２０をノズル把持部３０で把持して回転処理部１０の基板Ｗ上の所定位置に移動し、温調された処理液を基板Ｗに吐出する。温調された処理液を基板Ｗに吐出した後にノズル２０はノズル把持部３０で待機部７０の対応する待機ポット９０に移動され、基板Ｗは温調された処理液により所定の処理が施される。
【００７１】
上述したように第３実施例の回転式塗布装置によれば、待機ポット９０にてノズル２０の吐出口２５ａを所定雰囲気中で待機させることができ、これから使用すべきノズル２０を待機ポット９０から温調ポット８０に移動させて収納し、温調ポット８０で処理液だまり部２２内の処理液を温調することができるので、待機ポット９０の数だけ温調ポット８０を設ける必要がなく、少なくとも１個の温調ポット８０があればよいことから、待機ポット９０と同数の温調ポット８０を設けることに伴う装置の複雑化が低減できる。
【００７２】
なお、本発明は以下のように変形実施することも可能である。
【００７３】
（１）上述した各実施例装置では、温調板と受け部とを一体に形成、すなわち温調板の一部を受け部で構成したが、図１２（ａ），図１２（ｂ）に示すように、ノズル２０および温調板３６と受け部３７（この場合には下方受け部３７ｃ）とを互いに離間させて配設してもよい。移動しながら温調を行う場合にはノズルおよび温調板３６の移動に追従して下方受け部３７ｃを移動させるようにする。なお、離間させるのは下方受け部３７ｃに限定されず、例えば上方受け部３７ａであってもよい。また、温調板３６と受け部３７とをそれぞれ別の部材で構成して、互いに接触させて配設してもよい。
【００７４】
（２）上述した各実施例装置では、ノズルの外周を囲むように受け部を構成したが、上述した図１２（ｂ）に示すように、ノズル２０の外周全体を囲まずに受け部３７を構成してもよい。その他に、図１２（ｃ）に示すように、一方の温調板３６を『Ｌ字形』に屈曲させて、屈曲された下方位置の水平部分を受け部３７として構成してもよい。
【００７５】
（３）上述した各実施例装置では、温調板と受け部とを一体に形成したが、図１２（ｄ）に示すように、ノズル２０と受け部３７とを一体に形成してもよい。
【００７６】
（４）上述した各実施例装置では、図６に示すように受け部３７ａ、３７ｂ、３７ｃによりノズル２０の処理液だまり部２２の外周が囲まれる構成について説明したが、本発明の実施の形態はこのような構成に限定されない。例えば、接触部３６ｄに少なくとも下方受け部３７ｃを備えた構成であればよい。あるいは、少なくともノズル２０と温調板３６の接触部３６ｄとの接触面より下方に設けられた受け部３７ｃを備えていればよく、例えば図１２（ａ）〜図１２（ｅ）の構成のいずれであってもよい。
【００７７】
（５）上述した各実施例装置では、排気口を備えたが、排気口を必ずしも備える必要はない。受け部が受ける塵埃をも低減させて、基板Ｗなどに付着した塵埃を依り確実に低減させることを鑑みれば、排気口を備えるのが好ましい。
【００７８】
（６）上述した各実施例装置では、複数の排気口３６ｈを設けたが、排気口は単一であってもよい。また、上述した各実施の形態においては、排気口３６ｈを温調板３６の接触部３６ｄに設ける例について説明したが、本発明の実施の形態としてはこれに限定されるものではなく、ノズル２０と温調板３６とにより形成された隙間の排気を行うものであれば温調板３６のどの位置に設けてもよい。さらに、ノズル２０と温調板３６とにより形成された隙間の排気を行うものであれば、温調板３６でなくノズル２０側に排気口を備えた構成としてもよい。また、温調板３６およびノズル２０の双方に排気口を備えた構成としてもよい。
【００７９】
また、ノズル２０と温調板３６とより形成された隙間の排気は、例えば、排気配管中に開閉弁を配設して開閉制御部により開閉弁の開閉を制御することにより、排気のオン／オフ制御を行う構成とするのが好ましい。具体的には、ノズル２０の移動動作時のみ排気したり、定期的に排気するように開閉制御部により開閉弁を開閉制御するのがよい。
【００８０】
（７）上述した各実施例装置では、基板Ｗが固定位置でノズル２０が移動する構成であったが、逆に基板Ｗが移動する構成であっても本発明を適用可能である。また、ノズル２０および基板Ｗがともに移動する構成であっても本発明を適用可能である。
【００８１】
（８）上述した各実施例装置では、待機部７０に６個の待機ポット９０を備え、ノズル２０を６個としているが、１個または６個以外の複数個のノズル２０を設けるようにしてもよい。
【００８２】
（９）上述した各実施例装置では、図４に示すように、ノズル２０の処理液だまり部２２として平板型のものを採用しているが、図１３（ａ），（ｂ）に示すように、円管型の処理液だまり部２２Ａを採用してもよい。この処理液だまり部２２Ａは円筒形状となっている。さらに、図１３（ｃ），（ｄ）に示すように、二重円管型の処理液だまり部２２Ｂを採用してもよい。この処理液だまり部２２Ｂは、内部に入子２８を配設し、体積当りの表面積を大きくするとともに、外側に近い位置に処理液を貯めるようにしている。こうすることで、処理液だまり部２２Ｂの処理液をより効果的に熱交換できる。また、図１３（ｅ），（ｆ）に示すように、コイル型の処理液だまり部２２Ｃを採用してもよい。この処理液だまり部２２Ｃは、螺旋形状配管２９を有しており、体積当りの表面積が大きくなっており、処理液だまり部２２Ｃの処理液を効果的に熱交換できる。
【００８３】
（１０）上述した各実施例装置の処理液だまり部２２では、図４（ａ），（ｄ）に示すように、ハウジング２３と、断面が円形である蛇行形状配管２４との間に高熱伝導充填材２６を充填しているが、図１４に示すように、断面が四角形である蛇行形状配管２４Ａを採用することで、ハウジング２３と内部配管との間のスペース、つまり、高熱伝導充填材２６を充填するスペースを無くすようにしてもよい。
【００８４】
（１１）上述した各実施例装置では、図４（ａ）に示すように、処理液だまり部２２の蛇行形状配管２４として、蛇行しながら上から下に向かう処理液流路を採用しているが、図１５に示すように、処理液だまり部２２は、処理液を下方位置に導いた後にこの下方位置よりも高い上方位置に導いてから再び下方に導いて吐出口から吐出させる流路２４Ａを備えたものとしてもよい。
【００８５】
（１２）上述した各実施例では回転式塗布装置を例に採って説明したが、本発明はこのような装置に限定されるものではなく、非回転式塗布装置にも適用可能であるし、基板の処理面に適宜の処理液（例えば、現像液、リンス液等）を吐出して、基板に処理（現像処理、洗浄処理等）を行う種々の基板処理装置に広く適用することができる。
【００８６】
（１３）上述した各実施例では、ペルチェ素子を用いて温調板を構成していたが、例えばそれに代えて温調水を温調板に引き回すように構成することもできる。
【００８７】
（１４）また、第３実施例においては、ノズル２０の処理液だまり部２２を温調ポット８０に移動させる構成を採用していたが、逆に、温調ポット８０を次に使用するノズル２０の処理液だまり部２２が待機する場所まで移動して温調を行うようにしてもよい。
【００８８】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、処理液供給ノズルと温調部との接触面から発塵した塵埃を受け部が受けるので、基板などに付着する塵埃を低減させることができ、その塵埃の低減によって基板処理を精度良く行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板処理装置の第１実施例に係る回転式塗布装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１に示した基板処理装置の側面図である。
【図３】（ａ）はノズルの外観を示す概略斜視図であり、（ｂ）はノズルの温調面を示す概略斜視図である。
【図４】（ａ）はノズルの縦断面図であり、（ｂ）はその側面図であり、（ｃ）はその底面図であり、（ｄ）は（ａ）に示したノズルのＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】ノズル把持部の概略構成を示す平面図である。
【図６】温調板の具体的構造を示す斜視図である。
【図７】収納ポットの概略構成を示す概略斜視図である。
【図８】（ａ）は図１に示した収納ポットのＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）はノズルの収納ポットへの収納状態でこのノズルの突出部が待機ポット内に挿入されることを説明するための図である。
【図９】本発明の基板処理装置の第２実施例に係るノズルの外観を示す概略斜視図である。
【図１０】第２実施例に係る収納ポットの概略構成を示す概略斜視図である。
【図１１】本発明の基板処理装置の第３実施例に係る回転式塗布装置の概略構成を示す平面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｅ）は本実施例とは別の実施例のノズル，温調板，および受け部を示す断面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｆ）は本実施例とは別の実施例のノズルの処理液だまり部を示す断面図並びに底面図である。
【図１４】本実施例とは別の実施例の処理液だまり部を示す断面図である。
【図１５】本実施例とは別の実施例の処理液だまり部を示す断面図である。
【図１６】従来のノズルおよび温調板の概略構成を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
２０ … ノズル
３６ … 温調板
３６ｈ … 排気口
３７ … 受け部
Ｗ … 基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs substrate processing on a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, and a substrate for an optical disk (hereinafter simply referred to as a substrate). The present invention relates to a technique for controlling the temperature of a processing liquid in a processing liquid supply nozzle that discharges the processing liquid from the substrate and supplies the processing liquid to a substrate.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a technique for controlling the temperature of the processing liquid in the processing liquid supply nozzle, there is a double pipe structure in which the temperature control piping is arranged so as to surround the processing liquid piping connected to the nozzle. The treatment liquid is temperature-controlled by constant temperature water in the temperature control pipe and discharged from the nozzle (for example, refer to Patent Document 1).
In addition, considering the replacement of the processing liquid piping due to failure, etc., the temperature control chamber is provided with a temperature control pipe through which the processing liquid pipe can be swept, and the inner wall of the temperature control chamber and the outer wall of the temperature control pipe There is one in which constant temperature water is circulated in the formed sealed space (see, for example, Patent Document 2).
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-6-291027 (page 4-5, FIG. 3)
[0004]
[Patent Document 2]
JP-A-7-263326 (page 3, FIG. 1)
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the case of such a double pipe structure, the temperature control pipe has a large diameter, and the curvature of the processing liquid pipe at the time of nozzle movement cannot be increased. Therefore, a vertical space that is the vertical direction of the substrate is required, and there is a problem that the apparatus cannot be downsized in the vertical direction.
[0006]
In order to solve such a problem, a technique as shown in FIG. 16 has been proposed. That is, the temperature of the processing liquid in the nozzle 102 is controlled by sandwiching the nozzle 102 having the flat liquid pool portion 101 between the two temperature control plates 103 from the horizontal direction. This achieves downsizing of the device. However, when the temperature control plate 103 sandwiches the nozzle 102, dust is generated from the contact surface between the temperature control plate 103 and the liquid pool portion 101 of the nozzle 102, and the dust adheres to the substrate or the like, causing defects such as defects. May occur.
[0007]
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that performs substrate processing with high accuracy.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
  In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
  That is, the invention described in claim 1 is a substrate processing apparatus for processing a substrate, and sandwiches the processing liquid supply nozzle that discharges the processing liquid from a discharge port and supplies the processing liquid to the substrate. And a temperature control part for controlling the temperature of the processing liquid in the nozzle, and a receiving part for receiving dust generated on the contact surface between the processing liquid supply nozzle and the temperature control part is provided.The receiving portion is disposed at least below the contact surface along the vertical direction of the processing liquid supply nozzle and the temperature control portion, and there is no contact surface below the receiving portion. thingIt is characterized by.
[0009]
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, the processing liquid supply nozzle or the temperature adjusting unit and the receiving unit are integrally formed.
[0010]
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, the processing liquid supply nozzle or the temperature control unit and the receiving unit are arranged apart from each other. It is.
[0011]
According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, the receiving portion is configured to surround an outer periphery of the processing liquid supply nozzle. To do.
[0012]
  The invention according to claim 5A substrate processing apparatus for processing a substrate, wherein a processing liquid supply nozzle that discharges a processing liquid from a discharge port and supplies the processing liquid to the substrate, and a temperature at which the temperature of the processing liquid in the nozzle is controlled by sandwiching the processing liquid supply nozzle And a receiving portion for receiving dust generated on the contact surface between the treatment liquid supply nozzle and the temperature adjusting portion,At least one of the processing liquid supply nozzle and the temperature control unit is provided with an exhaust unit that exhausts a gap formed by the processing liquid supply nozzle and the temperature control unit.
[0013]
Further, the invention according to claim 6 is the substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the exhaust part is located below the contact surface along the vertical direction of the processing liquid supply nozzle and the temperature control part. It is characterized by being arranged in the above.
[0015]
  [Action / Effect]
  According to the first aspect of the present invention, the dust receiving part receives dust generated from the contact surface between the processing liquid supply nozzle and the temperature control part. By receiving the dust at the receiving portion, the dust attached to the substrate or the like can be reduced, and the substrate processing can be performed with high accuracy by reducing the dust.In addition, dust that has been generated at the contact surface between the treatment liquid supply nozzle and the temperature control unit and dropped downward is disposed at least below the contact surface along the vertical direction between the treatment liquid supply nozzle and the temperature control unit. Received by the receiving part. Accordingly, it is possible to more reliably prevent dust generated at the contact surface between the treatment liquid supply nozzle and the temperature control unit from dropping and adhering to the substrate or the like.
[0016]
As an example of the configuration of the processing liquid supply nozzle, the temperature control unit, and the receiving unit, the processing liquid supply nozzle or the temperature control unit and the receiving unit are integrally formed (the invention according to claim 2), or the processing liquid supply For example, the nozzle or the temperature control part and the receiving part may be spaced apart from each other (the invention according to claim 3). Here, “integrally forming” means that the processing liquid supply nozzle or a part of the temperature control unit is configured by the receiving unit.
[0017]
According to the fourth aspect of the present invention, it is possible to prevent the dust generated on the contact surface between the processing liquid supply nozzle and the temperature control unit from scattering to a portion other than the lower side, for example, to the side. Further, by surrounding the outer periphery of the processing liquid supply nozzle, it is possible to more reliably cut off the external atmosphere, so that the temperature of the processing liquid in the nozzle can be accurately controlled.
[0018]
  According to the invention of claim 5,The receiving part receives the dust generated from the contact surface between the treatment liquid supply nozzle and the temperature control part. By receiving the dust at the receiving portion, the dust attached to the substrate or the like can be reduced, and the substrate processing can be performed with high accuracy by reducing the dust. Also,Dust generated at the contact surface between the treatment liquid supply nozzle and the temperature control unit and existing in the gap between them is exhausted and removed by an exhaust unit provided in at least one of the treatment liquid supply nozzle and the temperature control unit. Accordingly, it is possible to more reliably prevent dust generated at the contact surface between the treatment liquid supply nozzle and the temperature control unit from dropping and adhering to the substrate or the like.
[0019]
According to the sixth aspect of the present invention, the dust that is generated at the contact surface between the processing liquid supply nozzle and the temperature control unit and falls downward is along the vertical direction of the processing liquid supply nozzle and the temperature control unit. Exhaust gas is removed by an exhaust unit disposed below the contact surface. Therefore, the dust generated at the contact surface between the treatment liquid supply nozzle and the temperature control unit and falling downward can be more effectively exhausted and removed.
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
<First embodiment>
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a rotary coating apparatus according to a first embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention, and FIG. 2 is a side view thereof.
[0022]
In the first embodiment, a rotary coating apparatus as a substrate processing apparatus, that is, a resist solution as a processing liquid is discharged onto a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “substrate”) to perform resist processing on the substrate. A description will be given taking a rotary coating apparatus as an example.
[0023]
As shown in FIG. 1, the rotary coating apparatus includes a rotation processing unit 10 that supplies a processing liquid to a substrate W and spin-coats, a nozzle holding unit 30 that holds a nozzle 20 that discharges the processing liquid, and the nozzle A vertical moving unit 40 that moves the gripping unit 30 in the vertical direction (Z-axis direction), a Y-axis horizontal moving unit 50 that moves the nozzle gripping unit 30 in the Y-axis direction, and a nozzle gripping unit 30 that moves in the X-axis direction. An X-axis horizontal movement unit 60 and a standby unit 70 that houses a plurality of (for example, six in the first embodiment) nozzles 20 are provided.
[0024]
The rotation processing unit 10 holds the substrate W in a horizontal posture and rotates, and the rotation holding unit 11 surrounds the periphery of the rotation holding unit 11 so that the processing liquid scattered from the substrate W is diffused outward. And a hollow anti-scattering cup 12 for prevention. The anti-scattering cup 12 is configured to be movable up and down by an elevating mechanism (not shown). The anti-scattering cup 12 rises when the substrate W is rotationally driven, and the processing liquid discharged onto the substrate W is outside the anti-scattering cup 12. Prevent splashing around. At this time, the processing liquid splashed into the splash prevention cup 12 is recovered by a waste liquid recovery structure (not shown) provided in the splash prevention cup 12.
[0025]
As shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of (for example, six) nozzles 20 for discharging different types of processing liquids to the substrate W are respectively stored in the standby unit 70. In use, the selected nozzle 20 is moved from the standby unit 70 to a predetermined position on the substrate W in the rotation processing unit 10, and the processing liquid is discharged from the discharge port at the tip of the nozzle 20 toward the substrate W. ing.
[0026]
Here, the nozzle 20 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4. 3A is a schematic perspective view showing the appearance of the nozzle 20, and FIG. 3B is a schematic perspective view showing the temperature control surface of the nozzle 20. 4A is a longitudinal sectional view of the nozzle 20, FIG. 4B is a side view of the nozzle 20, FIG. 4C is a bottom view of the nozzle 20, and FIG. It is the BB sectional view taken on the line of the nozzle 20 shown to 4 (a).
[0027]
As shown in FIG. 3A, the nozzle 20 is provided with a processing liquid pool part 22 for storing a predetermined amount of processing liquid supplied through the processing liquid pipe 21 at the tip thereof. The treatment liquid pool portion 22 is large enough to store at least the amount of treatment liquid equivalent to the next discharge. That is, one shot (for example, 1 to 10 cm) to be discharged onto the substrate W from now on^Three) Is stored in the processing liquid pool part 22, and the processing liquid stored in the processing liquid pool part 22 is discharged toward the substrate W from the discharge port 25a at the tip.
[0028]
Specifically, as illustrated in FIG. 3B, the treatment liquid pool portion 22 of the nozzle 20 includes a flat-plate housing 23 including a heat conducting member and a heat insulating member, for example. The front plate 23a and the back plate 23b of the housing 23 are formed of a heat conducting member, and the top plate 23c, the bottom plate 23d, the left side plate 23e and the right side plate 23f of the housing 23 are formed of a heat insulating member. Examples of the heat conductive member include aluminum, copper, and carbon. When aluminum or copper is employed as the heat conducting member, the liquid contact portion with the aluminum or copper treatment liquid is coated with a highly chemical resistant material (fluorine resin coating). Further, when carbon is employed as the heat conducting member, a coating (diamond coating) is applied with a material having high chemical resistance to a portion in contact with the carbon treatment liquid.
[0029]
As shown in FIGS. 4A to 4C, the treatment liquid pool portion 22 of the nozzle 20 is covered with the above-described flat plate housing 23. As shown in FIG. 4 (a), the treatment liquid reservoir 22 is composed of meandering pipes 24 so as to increase the surface area per volume, forming a meandering treatment liquid flow path. Yes. By storing the processing liquid in the meandering-shaped pipe 24, at least an amount corresponding to the next discharge is stored. A protrusion 25 connected to the meandering pipe 24 is formed at the lower end of the treatment liquid reservoir 22, and a discharge port 25 a for discharging the treatment liquid is formed at the tip of the protrusion 25. Yes. Moreover, as shown in FIG.4 (d), between the housing 23 and the meander-shaped piping 24 is filled with the high heat conductive filler 26 which is a material with high heat conductivity. The nozzle 20 corresponds to the processing liquid supply nozzle in the present invention.
[0030]
Here, the nozzle grip 30 will be described in detail with reference to FIG. FIG. 5 is a plan view showing a schematic configuration of the nozzle grip 30. The nozzle gripping portion 30 includes a pair of gripping arms 31 and 31 that grip the processing liquid pool portion 22 of the nozzle 20. The grip arms 31 and 31 are attached so as to be slidable in opposite directions in the Y-axis direction along rails 33 and 33 laid on the upper surface of the base member 32.
[0031]
A link mechanism 34 that horizontally moves the pair of gripping arms 31 and 31 in directions opposite to each other and a drive cylinder 35 that drives the link mechanism 34 are provided on the base end side of the pair of gripping arms 31 and 31. Yes. The link mechanism 34 has a four-joint link structure, one end of the link 34a and one end of the link 34b are rotatably connected, and a connecting portion of the link 34c and the link 34d is connected to a rod of the drive cylinder 35. . Further, a connecting portion between the link 34b and the link 34d and a connecting portion between the link 34a and the link 34c are attached to the gripping arms 31 and 31, respectively. When the rod of the drive cylinder 35 is extended, the pair of gripping arms 31, 31 are separated from each other to open the nozzle 20, and when the rod of the drive cylinder 35 is retracted, the pair of gripping arms 31, 31 approach each other. Then, the processing liquid pool part 22 of the nozzle 20 is gripped.
[0032]
Each of the pair of gripping arms 31 and 31 is provided with a temperature control plate 36 that controls the temperature by exchanging the processing liquid in the processing liquid pool part 22 with the processing liquid pool part 22 interposed therebetween. As will be apparent from the reason described later, the temperature adjustment plate 36 is made larger than the heat exchange portion (front plate 23a and back plate 23b) of the treatment liquid pool portion 22. The temperature adjustment plate 36 corresponds to the temperature adjustment unit in the present invention.
[0033]
A clamping plate 36 a that is in contact with the treatment liquid pool portion 22 is attached to the clamping surface side of the pair of temperature control plates 36 and 36. A Peltier element 36b as a thermoelectric cooling element is attached to the surface of the clamping plate 36a opposite to the clamping surface. The Peltier element 36b can set the holding plate 36a to a predetermined temperature in a short time due to the thermoelectric cooling effect. A cooling water circulating member 36c for supplying cooling water for removing heat generated from the Peltier element 36b is disposed on the surface of the Peltier element 36b opposite to the sandwiching plate 36a. One end of the cooling water circulation member 36c is connected to a cooling water supply pipe 36A for sending the cooling water into the inside and a cooling water discharge pipe 36B for taking out the cooling water to the outside. The cooling water supply pipe 36A and the cooling water discharge pipe 36B are connected to a cooling water supply device (not shown) provided outside.
[0034]
Here, the structure of the temperature control plate 36 which is also a characteristic part of the first embodiment will be described in detail with reference to FIG. A contact portion 36d provided with a temperature sensor 36e and a receiving portion 37 protruding from the contact portion 36d are provided on the sandwiching surface side of the pair of temperature control plates 36, 36 facing each other, that is, inside the sandwiching plate 36a. The receiving portion 37 includes an upper receiving portion 37a positioned above the contact portion 36d, a side receiving portion 37b positioned beside the contact portion 36d, and a lower receiving portion 37c positioned below the contacting portion 36d. . The sandwiching plate 36 a of the pair of temperature control plates 36, 36 sandwiches the processing liquid pool portion 22 of the nozzle 20.
[0035]
More specifically, the treatment liquid pool part 22 and the contact parts 36d, 36d of the temperature control plate 36 are brought into contact with each other by sandwiching the treatment liquid pool part 22 in the contact parts 36d, 36d of the pair of temperature control plates 36, 36. Thus, a contact surface along the vertical direction is formed. At this time, as shown by the phantom lines in FIG. 6, the outer periphery of the nozzle 20 is surrounded by the receiving portions 37a, 37b, and 37c, so that dust generated on the contact surface between the nozzle 20 and the contact portion 36d is generated. Scattering to the outside can be prevented, and the adhesion of dust on the substrate can be reduced.
[0036]
More specifically, the upper receiving portion 37a and the side receiving portion 37b are provided below the contact surface between the nozzle 20 and the contact portion 36d to prevent dust from scattering above and to the side of the nozzle 20. The lower receiving portion 37c prevents dust generated on the contact surface between the nozzle 20 and the contact portion 36d from dropping below the nozzle 20. As indicated by the phantom line in FIG. 6, when the nozzle 20 is sandwiched and held by the pair of temperature adjusting plates 36, 36, the receiving portions 37 are brought close to each other with a predetermined interval without contacting each other. It is preferable. By adopting such a configuration, it is possible to prevent dust from being generated on the contact surface between the nozzle 20 and the contact portion 36d while preventing the receiving portions 37 from contacting each other and causing dust generation. It becomes possible to do.
[0037]
  Further, as shown in FIG. 2, a control unit 88 for driving and controlling the Peltier element 36b and a power supply unit 89 for supplying a power supply voltage to the control unit 88 are provided at predetermined positions of the spin coating apparatus. Is provided. The temperature of the processing liquid in the processing liquid reservoir 22 is sent from the temperature sensor 36e to the control unit 88. The controller 88 controls the Peltier element 36 of the temperature adjustment plate 36 so that the temperature of the processing liquid is adjusted to a predetermined temperature.bControls the supply of power supply voltage to
[0038]
During the temperature control operation, with the nozzle 20 being housed, the processing liquid pool portion 22 of the nozzle 20 is sandwiched between the pair of temperature control plates 36 and 36 with a predetermined pressing force. The contact pressure between the face plate 23a and the back plate 23b and the recesses 36d and 36d of the temperature adjusting plate 36 is increased and brought into contact with each other, and the processing liquid in the processing liquid reservoir 22 is heat-exchanged to adjust the temperature.
[0039]
In addition, a plurality of cylindrical exhaust ports 36h for exhausting the gap formed by the nozzle 20 and the temperature control plate 36 are provided in the pair of contact portions 36d and 36d, and the front plate 23a and the back plate of the processing liquid pool portion 22 are provided. An exhaust port 36h is disposed below the contact surface between 23b and the contact portions 36d, 36d. The exhaust port 36h may have a slit shape. The exhaust port 36h corresponds to an exhaust part in the present invention. Further, every gap formed by the nozzle 20 and the temperature control plate 36 corresponds to a gap formed by the processing liquid supply nozzle and the temperature control unit.
[0040]
Next, the vertical movement unit 40, the Y-axis horizontal movement unit 50, and the X-axis horizontal movement unit 60 will be described in detail with reference to FIGS. As shown in FIGS. 1 and 2, the nozzle grip 30 is attached to a vertical moving unit 40 that moves the nozzle grip 30 in the vertical direction (Z-axis direction). The vertical moving unit 40 includes a support member 41 that supports the nozzle gripping unit 30, and a lift drive unit 42 that moves the support member 41 up and down.
[0041]
Moreover, the raising / lowering drive part 42 is connected to the horizontal movement member 51 of the Y-axis horizontal movement part 50 which moves the nozzle holding part 30 to a Y-axis direction. One end of the horizontal moving member 51 is engaged with a rotating screw 52 extending in the Y-axis direction. The rotation screw 52 is rotated by a drive motor (not shown). As a result, the horizontal movement member 51 engaged with the rotating screw 52 reciprocates in the Y-axis direction, whereby the vertical movement unit 40 and the nozzle gripping unit 30 reciprocate in the Y-axis direction.
[0042]
Furthermore, one end of the slide plate 61 of the Y-axis horizontal movement unit 50 is engaged with a rotation screw 62 of the X-axis horizontal movement unit 60 extending in the X-axis direction. The rotation screw 62 is rotated by a drive motor (not shown). As the rotary screw 62 rotates, the slide plate 61 reciprocates in the X-axis direction along the guide 63, whereby the Y-axis horizontal moving unit 50, the vertical moving unit 40, and the nozzle gripping unit 30 reciprocate in the X-axis direction. Moving.
[0043]
As shown in FIG. 1, the standby unit 70 includes, for example, six storage pots 71 to be described later in parallel in the Y-axis direction, and serves as a processing liquid supply source (not shown) that supplies different types of processing liquids. Six nozzles 20 connected via the treatment liquid pipe 21 are stored in the respective storage pots 71. Note that a solenoid valve and a pump (not shown) are connected to the processing liquid supply source (not shown) side of the processing liquid pipe 21, and a predetermined amount of processing liquid is supplied to the nozzle 20 via the processing liquid pipe 21. It has come to be.
[0044]
Subsequently, the storage pot 71 will be described in detail with reference to FIGS. 7 and 8. FIG. 7 is a schematic perspective view showing a schematic configuration of the storage pot 71. 8A is a cross-sectional view taken along line AA of the storage pot 71 shown in FIG. 1, and FIG. 8B is a state where the nozzle 20 is stored in the storage pot 71 and the protruding portion 25 of the nozzle 20 is on standby. It is a figure for demonstrating being inserted in the pot 90. FIG.
[0045]
As shown in FIGS. 7 and 8 (a), the storage pot 71 includes a standing pot 80 for standing and storing the nozzle 20, and a standby pot for storing the protruding portion 25 of the nozzle 20 in a solvent atmosphere. 90. The storage pot 71 has a two-stage structure in which standing pots 80 are stacked on the standby pot 90.
[0046]
First, the standing pot 80 will be described. As shown in FIG. 7, the standing pot 80 includes a standing container main body 81 for storing the nozzle 20. The top and bottom of the standing container body 81 are opened, and the nozzle 20 is inserted from the top opening of the standing container body 81.
[0047]
Next, the standby pot 90 positioned below the standing pot 80 will be described. The standby pot 90 includes a standby container main body 92 in which an insertion hole 91 into which the protruding portion 25 of the nozzle 20 is inserted is formed on the upper surface side, and stores the protruding portion 25 of the standby nozzle 20 in a solvent atmosphere. A solvent storage section 93 that holds the solvent is formed at the lower center of the standby container main body 92, and a solvent space 94 is formed above it. A solvent supply pipe 95 for supplying a solvent is connected to the solvent space 94. Further, a discharge pipe 96 for discharging the processing liquid dripped from the nozzle 20 to the outside is connected to a position below the protruding portion 25 of the nozzle 20 in the standby container main body 92.
[0048]
In the state where the nozzle 20 is removed from the storage pot 71, the insertion hole 91 is appropriately closed in order to prevent the solvent atmosphere from flowing into the standing pot 80 from the insertion hole 91 of the standby pot 90. May be. Therefore, in the standby pot 90 below the standing pot 80, the protruding portion 25 of the nozzle 20 is inserted into the insertion hole 91, and the protruding portion 25 of the nozzle 20 is accommodated in the solvent atmosphere.
[0049]
Next, the operation of the rotary coating apparatus of the first embodiment will be described. As shown in FIG. 1, the standby unit 70 includes a plurality (six in the first embodiment) connected to a processing liquid supply source (not shown) for supplying different types of processing liquids via a processing liquid pipe 21. ) Are stored in the storage pot 71 and each nozzle 20 is in a standby state.
[0050]
As shown in FIG. 7, each nozzle 20 stored in the storage pot 71 is supplied with a processing liquid from a processing liquid supply source (not shown) through a processing liquid pipe 21, and a predetermined amount of processing liquid is accumulated in the processing liquid. The state is stored in the portion 22.
[0051]
The rotary coating apparatus selects a processing liquid to be supplied to the substrate W according to a predetermined processing condition, and selects a nozzle 20 corresponding to the processing liquid. When the nozzle 20 is selected, the vertical moving unit 40, the Y-axis horizontal moving unit 50, and the X-axis horizontal moving unit 60 are driven, and the nozzle gripping unit 30 opens the pair of gripping arms 31 and 31 to the nozzle 20. approach. As the pair of gripping arms 31 and 31 are opened, the pair of temperature control plates 36 and 36 provided therein approaches the nozzle 20 in an opened state.
[0052]
By driving the pair of gripping arms 31, 31 to grip the nozzle 20, the pair of temperature control plates 36, 36 sandwich the processing liquid pool portion 22. Then, the vertical moving unit 40 is driven to lift the gripped nozzle 20 upward, and the Y-axis horizontal moving unit 50 and the X-axis horizontal moving unit 60 are driven to move the nozzle 20 on the substrate W of the rotation processing unit 10. It moves to a predetermined position, for example, a position above the center of the substrate W.
[0053]
  The controller 88 measures the temperature of the processing liquid in the processing liquid reservoir 22 with the temperature sensor 36e, and the Peltier element 36 of the temperature adjustment plate 36 according to the measurement result.bAnd the temperature of the processing liquid in the processing liquid reservoir 22 is adjusted to a predetermined temperature. The timing of temperature adjustment is not limited to the movement described above, and may be when the nozzle 20 is held and is on standby.
[0054]
The nozzle 20 moved to a predetermined position on the substrate W discharges the processing liquid in the processing liquid pool part 22 adjusted to a predetermined temperature onto the surface of the substrate W. Thereafter, the substrate W is rotated, whereby the processing liquid is spin-coated on the surface of the substrate W. Since the temperature of the treatment liquid is adjusted to a predetermined value, it is possible to suppress variations in the thickness of the thin film due to an inappropriate temperature of the treatment liquid.
[0055]
As described above, according to the rotary coating apparatus of the first embodiment, the nozzle 20 and the pair of temperature control plates 36 and 36 are temperature-controlled in the form of contacting along the vertical direction as shown in FIG. Has been. Dust receiving part 37 receives dust generated from the contact surface along the vertical direction. When the dust receiving portion 37 receives the dust, it is possible to reduce the dust adhering to the substrate W or the anti-scattering cup 12 positioned under the movement of the nozzle 20, and the substrate processing can be performed by reducing the dust. It can be performed with high accuracy.
[0056]
Of the receiving portion 37, the lower receiving portion 37c positioned below the contact portion 36d receives the dust that has been generated on the contact surface and dropped downward. Accordingly, it is possible to reliably prevent dust generated at the contact surface between the nozzle 20 and the contact portion 36d of the temperature control plate 36 from dropping and adhering to the substrate W or the like.
[0057]
Further, in the first embodiment, not only the receiving portion 37 is provided below the contact surface between the treatment liquid pool portion 22 of the nozzle 20 and the contact portion 36d of the temperature adjustment plate 36, but also the temperature adjustment plates 36, 36 are provided. Since the nozzle 20 is held by sandwiching the processing liquid reservoir portion 22 in the contact portions 36d and 36d, the dust generated on the contact surface is scattered to a portion other than the lower side, for example, to the side. Can be prevented. Further, by enclosing the processing liquid reservoir 22 of the nozzle 20 over a wider range, it is possible to more reliably cut off the external atmosphere, so that the temperature of the processing liquid in the nozzle 20 can be accurately controlled.
[0058]
Also, by providing a plurality of exhaust ports 36h, dust is generated from the contact surface between the nozzle 20 and the temperature control plate 36, and dust present in the gap formed by the nozzle 20 and the temperature control plate 36 is generated by the exhaust port 36h. The exhaust gas is removed outside the gap formed by the nozzle 20 and the temperature control plate 36. Therefore, it is possible to more reliably prevent dust generated on the contact surface between the nozzle 20 and the temperature control plate 36 from dropping and adhering to the substrate W, the anti-scattering cup 12 or the like. Furthermore, the contact surface between the nozzle 20 and the temperature control plate 36 is provided by providing a plurality of exhaust ports 36h below the contact surface between the front plate 23a and the back plate 23b of the processing liquid pool portion 22 and the contact portions 36d, 36d. It is possible to more effectively exhaust and remove the dust that has been generated and dropped downward.
[0059]
<Second embodiment>
The second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a schematic perspective view showing the appearance of the nozzle 20 according to the second embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention, and FIG. 10 is a schematic perspective view showing the schematic configuration of the storage pot 71 according to the second embodiment. It is.
[0060]
In the first embodiment described above, the temperature adjusting plate 36 shown in FIG. 6 is provided in each of the pair of gripping arms 31, 31 of the nozzle gripping portion 30, and the nozzle 20 is sandwiched and moved by the gripping arms 31, 31. In the second embodiment, a pair of temperature control plates 82 and 82 having the same structure as in the first embodiment are provided in the standing pot 80 shown in FIGS. The temperature is controlled while being stored at 71. Hereinafter, in the second embodiment and a third embodiment to be described later, the standing pot 80 will be described as a “temperature control pot 80”. Further, the same components as those in the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
[0061]
In the case of the second embodiment, since the temperature is adjusted while being stored in the storage pot 71, it is not necessary to adjust the temperature while sandwiching and moving the nozzle 20 between the pair of gripping arms 31, 31. . Accordingly, the pair of gripping arms 31 and 31 do not grip the processing liquid pool part 22 of the nozzle 20 as in the first embodiment, but as shown in FIG. 9, the base end part of the nozzle 20, that is, the processing liquid. The pair of gripping arms 31 and 31 grips the gripped portion 27 provided above the pool portion 22. The gripped portion 27 of the nozzle 20 is formed of a heat insulating member. The nozzle 20 is moved when the nozzle gripping portion 30 grips and moves the gripped portion 27 of the nozzle 20.
[0062]
Unlike the standing pot 80 of the first embodiment, the temperature control pot 80 of the second embodiment has a function of adjusting the temperature. That is, as shown in FIG. 10, the storage pot 71 includes a temperature adjustment pot 80 for adjusting the temperature of the processing liquid reservoir 22 of the nozzle 20 and a standby pot 90 similar to the first embodiment.
[0063]
The temperature control pot 80 includes a temperature control container main body 81 for housing the nozzle 20 and a pair of temperature control plates 82 that are disposed in the temperature control container main body 81 and sandwich the processing liquid reservoir portion 22 of the nozzle 20. 82. The top and bottom of the temperature control container body 81 are opened, and the nozzle 20 is inserted from the top opening of the temperature control container body 81. The pair of temperature control plates 82, 82 move close to each other so as to sandwich the processing liquid pool portion 22 during the temperature control operation, and release the processing liquid pool portion 22 when the nozzle 20 is inserted or removed. They move away from each other. The temperature control plate 82 has the same structure as the temperature control plate 36 of the first embodiment.
[0064]
As described above, since the temperature is adjusted while being stored in the storage pot 71, it is not necessary to adjust the temperature while sandwiching the nozzle 20 between the pair of gripping arms 31 and 31, but during the movement, The pair of gripping arms 31 and 31 may be provided with a temperature control plate 36 so as to perform temperature control.
[0065]
According to the spin coating apparatus according to the second embodiment, the dust receiving part receives dust generated from the contact surface between the nozzle 20 and the temperature control plate 82 as in the first embodiment. In this case, dust adhering to the insertion hole 91 and the solvent space 94 of the standby pot 90 can be reduced, and substrate processing can be performed with high accuracy by reducing the dust.
[0066]
<Third embodiment>
A third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a plan view showing a schematic configuration of a rotary coating apparatus according to a third embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
[0067]
In the second embodiment described above, the six storage pots 71 having the temperature control pot 80 and the standby pot 90 configured in two upper and lower stages are provided in the standby section 70, but in the third embodiment, the standby section Only six standby pots 90 are provided in 70, and a single temperature control pot 80 is provided at a position different from the standby pot 90. Further, the same components as those in the first and second embodiments described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
[0068]
The rotary coating apparatus according to the third embodiment has one characteristic point in that six standby pots 90 and a single temperature control pot 80 are arranged separately and independently.
[0069]
Next, the operation of the rotary coating apparatus of the third embodiment will be described. In the standby unit 70, the projections 25 of the six nozzles 20 connected to the processing liquid supply sources (not shown) for supplying different types of processing liquids via the processing liquid pipes 21 are inserted into the standby pots 90. The nozzles 20 are accommodated while being inserted into the holes 91, and each nozzle 20 is in a standby state.
[0070]
As shown in FIG. 11, one nozzle 20 selected from the six nozzles 20 in the standby state of the standby unit 70 is held by the nozzle holding unit 30 and moved to a single temperature control pot 80. And store. The temperature control pot 80 controls the temperature of the processing liquid in the processing liquid pool part 22 of the stored nozzle 20. After the temperature of the processing liquid in the processing liquid pool part 22 is controlled by the temperature control pot 80, the nozzle 20 stored in the temperature control pot 80 is gripped by the nozzle gripping part 30 and placed at a predetermined position on the substrate W of the rotation processing part 10. The moved and temperature-controlled processing liquid is discharged onto the substrate W. After the temperature-controlled processing liquid is discharged onto the substrate W, the nozzle 20 is moved to the corresponding standby pot 90 of the standby unit 70 by the nozzle gripping unit 30, and the substrate W is subjected to a predetermined process by the temperature-controlled processing liquid. The
[0071]
As described above, according to the rotary coating apparatus of the third embodiment, the standby port 90 can make the discharge port 25a of the nozzle 20 stand by in a predetermined atmosphere, and the nozzle 20 to be used can be moved from the standby pot 90. Since the processing liquid in the processing liquid pool part 22 can be temperature-controlled by moving to the temperature control pot 80 and stored, there is no need to provide the temperature control pots 80 by the number of standby pots 90. Since at least one temperature control pot 80 is sufficient, the complexity of the apparatus associated with providing the same number of temperature control pots 80 as the standby pot 90 can be reduced.
[0072]
The present invention can be modified as follows.
[0073]
(1) In each of the above-described embodiments, the temperature adjusting plate and the receiving portion are integrally formed, that is, a part of the temperature adjusting plate is configured by the receiving portion. FIG. 12 (a) and FIG. As shown, the nozzle 20 and the temperature control plate 36 and the receiving portion 37 (in this case, the lower receiving portion 37c) may be disposed apart from each other. When temperature adjustment is performed while moving, the lower receiving portion 37 c is moved following the movement of the nozzle and the temperature adjustment plate 36. In addition, it is not limited to the lower receiving part 37c, but the upper receiving part 37a may be used, for example. Further, the temperature control plate 36 and the receiving portion 37 may be formed of different members and arranged in contact with each other.
[0074]
(2) In each of the above-described embodiments, the receiving portion is configured to surround the outer periphery of the nozzle. However, as illustrated in FIG. 12B described above, the receiving portion 37 is not surrounded by the entire outer periphery of the nozzle 20. It may be configured. In addition, as shown in FIG. 12C, one of the temperature control plates 36 may be bent into an “L shape”, and the bent horizontal portion at the lower position may be configured as a receiving portion 37.
[0075]
(3) In each of the above-described embodiments, the temperature control plate and the receiving portion are integrally formed. However, as shown in FIG. 12 (d), the nozzle 20 and the receiving portion 37 may be formed integrally. .
[0076]
(4) In each of the above-described embodiments, the configuration in which the outer periphery of the treatment liquid pool portion 22 of the nozzle 20 is surrounded by the receiving portions 37a, 37b, and 37c as shown in FIG. 6 has been described. Is not limited to such a configuration. For example, what is necessary is just the structure provided with the downward receiving part 37c at least in the contact part 36d. Or what is necessary is just to provide the receiving part 37c provided below from the contact surface of the contact part 36d of the nozzle 20 and the temperature control board 36 at least, for example, any of the structure of Fig.12 (a)-FIG.12 (e) It may be.
[0077]
(5) In each of the above-described embodiments, the exhaust port is provided, but the exhaust port is not necessarily provided. In view of reducing dust received by the receiving portion and reliably reducing dust attached to the substrate W or the like, it is preferable to provide an exhaust port.
[0078]
(6) In each of the above-described embodiments, the plurality of exhaust ports 36h are provided, but a single exhaust port may be provided. In each of the above-described embodiments, the example in which the exhaust port 36h is provided in the contact portion 36d of the temperature adjusting plate 36 has been described. However, the embodiment of the present invention is not limited to this, and the nozzle 20 As long as it exhausts the gap formed by the temperature control plate 36, the temperature control plate 36 may be provided at any position. Further, as long as the gap formed by the nozzle 20 and the temperature control plate 36 is exhausted, an exhaust port may be provided on the nozzle 20 side instead of the temperature control plate 36. Moreover, it is good also as a structure provided with the exhaust port in both the temperature control board 36 and the nozzle 20. FIG.
[0079]
Further, the exhaust of the gap formed by the nozzle 20 and the temperature control plate 36 can be performed by, for example, disposing an on / off valve in the exhaust pipe and controlling the opening / closing of the on / off valve by the on / off control unit. It is preferable that the off control be performed. Specifically, the on / off valve may be controlled to be opened / closed by the on / off controller so that the nozzle 20 is exhausted only during the moving operation of the nozzle 20 or is periodically exhausted.
[0080]
(7) In each of the embodiments described above, the nozzle 20 is moved when the substrate W is at a fixed position. However, the present invention can be applied even when the substrate W is moved. Further, the present invention can be applied even when the nozzle 20 and the substrate W are both moved.
[0081]
(8) In each of the above-described embodiments, the standby unit 70 includes six standby pots 90 and the number of nozzles 20 is six. However, a plurality of nozzles 20 other than one or six may be provided. Also good.
[0082]
(9) In each of the embodiments described above, as shown in FIG. 4, a flat plate type is used as the treatment liquid reservoir 22 of the nozzle 20, but as shown in FIGS. 13 (a) and 13 (b). Alternatively, a tube-shaped treatment liquid reservoir 22A may be employed. The treatment liquid reservoir 22A has a cylindrical shape. Furthermore, as shown in FIGS. 13C and 13D, a double circular tube type treatment liquid reservoir 22 </ b> B may be employed. The treatment liquid pool portion 22B has an insert 28 disposed therein to increase the surface area per volume and store the treatment liquid at a position close to the outside. By carrying out like this, the process liquid of the process liquid pool part 22B can be heat-exchanged more effectively. Further, as shown in FIGS. 13E and 13F, a coil-type treatment liquid reservoir 22C may be employed. The treatment liquid pool part 22C has a spiral pipe 29, and has a large surface area per volume, so that the treatment liquid in the treatment liquid pool part 22C can be effectively heat-exchanged.
[0083]
(10) As shown in FIGS. 4A and 4D, in the treatment liquid reservoir 22 of each of the above-described embodiments, high heat conduction is provided between the housing 23 and the meandering pipe 24 having a circular cross section. Although the filler 26 is filled, as shown in FIG. 14, the space between the housing 23 and the internal pipe, that is, the high thermal conductive filler 26 is adopted by adopting a meandering pipe 24 </ b> A having a square cross section. You may make it eliminate the space filled.
[0084]
(11) In each of the above-described embodiments, as shown in FIG. 4A, a treatment liquid flow path from the top to the bottom while meandering is adopted as the meandering-shaped pipe 24 of the treatment liquid reservoir 22. However, as shown in FIG. 15, the processing liquid pool part 22 guides the processing liquid to the lower position, then guides the processing liquid to an upper position higher than the lower position, and then guides the processing liquid downward and discharges it from the discharge port. It is good also as a thing provided.
[0085]
(12) In each of the embodiments described above, the rotary coating apparatus has been described as an example. However, the present invention is not limited to such an apparatus, and can be applied to a non-rotating coating apparatus. The present invention can be widely applied to various substrate processing apparatuses that perform processing (development processing, cleaning processing, etc.) on a substrate by discharging an appropriate processing solution (for example, a developing solution, a rinsing solution, etc.) to the processing surface of the substrate.
[0086]
(13) In each of the above-described embodiments, the temperature control plate is configured using a Peltier element. However, for example, temperature control water may be routed around the temperature control plate instead.
[0087]
(14) Further, in the third embodiment, the configuration in which the processing liquid reservoir 22 of the nozzle 20 is moved to the temperature control pot 80 is adopted, but conversely, the nozzle 20 that uses the temperature control pot 80 next. Alternatively, the temperature may be adjusted by moving to the place where the processing liquid reservoir 22 is waiting.
[0088]
【The invention's effect】
As is apparent from the above description, according to the present invention, since the dust receiving part receives dust generated from the contact surface between the processing liquid supply nozzle and the temperature control part, it is possible to reduce the dust adhering to the substrate or the like. The substrate processing can be performed with high accuracy by reducing the dust.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a rotary coating apparatus according to a first embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a side view of the substrate processing apparatus shown in FIG.
3A is a schematic perspective view showing an appearance of a nozzle, and FIG. 3B is a schematic perspective view showing a temperature control surface of the nozzle.
4A is a longitudinal sectional view of a nozzle, FIG. 4B is a side view thereof, FIG. 4C is a bottom view thereof, and FIG. 4D is a B- of the nozzle shown in FIG. It is B line sectional drawing.
FIG. 5 is a plan view showing a schematic configuration of a nozzle gripping portion.
FIG. 6 is a perspective view showing a specific structure of a temperature control plate.
FIG. 7 is a schematic perspective view showing a schematic configuration of a storage pot.
8A is a cross-sectional view taken along line AA of the storage pot shown in FIG. 1, and FIG. 8B is a state in which the nozzle is inserted into the standby pot when the nozzle is stored in the storage pot. It is a figure for explaining that.
FIG. 9 is a schematic perspective view showing an appearance of a nozzle according to a second embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
FIG. 10 is a schematic perspective view showing a schematic configuration of a storage pot according to a second embodiment.
FIG. 11 is a plan view showing a schematic configuration of a rotary coating apparatus according to a third embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
FIGS. 12A to 12E are cross-sectional views showing a nozzle, a temperature adjusting plate, and a receiving portion of an embodiment different from the present embodiment.
FIGS. 13A to 13F are a cross-sectional view and a bottom view showing a processing liquid pool portion of a nozzle according to an embodiment different from the present embodiment.
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a processing liquid pool portion of an embodiment different from the present embodiment.
FIG. 15 is a cross-sectional view showing a processing liquid pool portion of an embodiment different from the present embodiment.
FIG. 16 is a schematic perspective view showing a schematic configuration of a conventional nozzle and a temperature control plate.
[Explanation of symbols]
20… Nozzle
36 ... Temperature control board
36h… exhaust port
37… Receiver
W ... Substrate

Claims

基板の処理を行う基板処理装置であって、
吐出口から処理液を吐出して基板に供給する処理液供給ノズルと、
前記処理液供給ノズルを挟み込んで、ノズル内の処理液を温調する温調部とを備え、
前記処理液供給ノズルと前記温調部との接触面で発塵した塵埃を受ける受け部を配設し、
前記受け部を、前記処理液供給ノズルと前記温調部との鉛直方向に沿った前記接触面よりも少なくとも下方に配設し、かつ、前記受け部よりも下方に前記接触面は無いことを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A processing liquid supply nozzle that discharges the processing liquid from the discharge port and supplies the processing liquid to the substrate;
A temperature control unit that sandwiches the processing liquid supply nozzle and adjusts the temperature of the processing liquid in the nozzle;
A receiving portion for receiving dust generated on the contact surface between the treatment liquid supply nozzle and the temperature control portion is disposed ,
The receiving portion is disposed at least below the contact surface along the vertical direction of the processing liquid supply nozzle and the temperature control portion, and there is no contact surface below the receiving portion. A substrate processing apparatus.

請求項１に記載の基板処理装置において、
前記処理液供給ノズルまたは温調部と前記受け部とを一体に形成することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the processing liquid supply nozzle or temperature control unit and the receiving unit are integrally formed.

請求項１に記載の基板処理装置において、
前記処理液供給ノズルまたは温調部と前記受け部とを互いに離間させて配設することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the processing liquid supply nozzle or the temperature control unit and the receiving unit are disposed apart from each other.

請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理液供給ノズルの外周を囲むように前記受け部を構成することを特徴とする基板処理装置。In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-3,
The substrate processing apparatus, wherein the receiving portion is configured to surround an outer periphery of the processing liquid supply nozzle.

基板の処理を行う基板処理装置であって、
吐出口から処理液を吐出して基板に供給する処理液供給ノズルと、
前記処理液供給ノズルを挟み込んで、ノズル内の処理液を温調する温調部とを備え、
前記処理液供給ノズルと前記温調部との接触面で発塵した塵埃を受ける受け部を配設し、
前記処理液供給ノズルおよび前記温調部の少なくともいずれか一方に、前記処理液供給ノズルと前記温調部とにより形成された隙間の排気を行う排気部を備えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A processing liquid supply nozzle that discharges the processing liquid from the discharge port and supplies the processing liquid to the substrate;
A temperature control unit that sandwiches the processing liquid supply nozzle and adjusts the temperature of the processing liquid in the nozzle;
A receiving portion for receiving dust generated on the contact surface between the treatment liquid supply nozzle and the temperature control portion is disposed,
At least one of the process liquid supply nozzle and the temperature control unit includes an exhaust unit that exhausts a gap formed by the process liquid supply nozzle and the temperature control unit.

請求項５に記載の基板処理装置において、
前記排気部を、前記処理液供給ノズルと前記温調部との鉛直方向に沿った前記接触面よりも下方に配設することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 5,
The substrate processing apparatus, wherein the exhaust unit is disposed below the contact surface along a vertical direction of the processing liquid supply nozzle and the temperature control unit.