JP4275269B2 - 圧電型三軸加速度センサ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電セラミックスを利用して加速度を検出する圧電型三軸加速度センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一方の面上に加速度検出用電極パターンを形成し、他方の面上に対向電極パターンを形成した圧電セラミックス基板に分極処理を施し、加速度を受けて圧電セラミックス基板の応力発生領域に生じる応力により加速度検出用電極に発生する自発分極電荷に基づいて加速度検出信号(電圧信号または電流信号)を各出力電極から出力する加速度センサが知られている。この種の加速度センサにおいて、相互に直交する三軸方向の加速度を検出する圧電型三軸加速センサでは、加速度検出用電極パターンを一対のX軸方向加速度検出用電極、一対のY軸方向加速度検出用電極及び複数のZ軸方向加速度検出用電極と、X軸出力電極、Y軸出力電極及びZ軸出力電極とがX軸接続線、Y軸接続線及びZ軸接続線を介してそれぞれ電気的に接続させて形成する。この圧電型三軸加速センサの基本原理及び基本技術は、国際公開WO93/02342(PCT/JP92/00882)に詳しく開示されている。
【0003】
しかしながら、圧電セラミックス基板は比誘電率が高いため、圧電型三軸加速度センサでは、接続線と対向電極パターンとの間にも当然にして静電容量が発生する。接続線と対向電極パターンとの間に発生した自発分極電荷は、この静電容量にも蓄積される。そのため、出力電極から取り出される加速度検出信号の出力がある程度低下するという問題が生じる。そこで、圧電セラミックス基板の表面全体に亘って接続線と圧電セラミックス基板との間に、圧電セラミックス基板の比誘電率よりも比誘電率が十分に小さい低誘電率層を形成することが提案された。なお、対向電極パターンが接続線と対向し難くなるように、対向電極パターンを加速度検出用電極の電極群に対応した円環状に形成することも提案されている。しかしながら、このように対向電極パターンを形成しても、対向電極パターンは接続線と斜めに対向するため、斜めに対向している部分の静電容量が無くなるわけではない。そのため、この場合にも低誘電率層が必要である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来のように、圧電セラミックス基板の表面全体に亘って低誘電率層を形成すると、圧電セラミックス基板の応力発生領域では、低誘電率層により圧電セラミックス基板の撓みが阻害されて、応力発生領域内の応力の発生量に偏りが生じる。そのため、出力電極から出力されるX軸加速度検出信号、Y軸加速度検出信号及びZ軸加速度検出信号のレベルにそれぞればらつきが生じる。そこで、従来では、センサに設けた信号増幅回路によりX軸、Y軸、Z軸加速度信号のレベルのばらつきを調整していた。しかしながら、信号増幅回路によりX軸、Y軸、Z軸加速度信号のレベルのばらつきを調整すると、圧電型三軸加速度センサの製造が繁雑になるという問題があった。
【0005】
本発明の目的は、信号増幅回路によりX軸、Y軸、Z軸加速度信号のレベルのばらつきを調整する必要のない圧電型三軸加速度センサを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明が改良の対象とする圧電型三軸加速度センサは、相互に直交するX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の三軸の加速度をそれぞれ検出するための一対のX軸加速度検出用電極、一対のY軸加速度検出用電極及び複数のZ軸加速度検出用電極と、X軸出力電極、Y軸出力電極及びZ軸出力電極とがX軸接続線、Y軸接続線及びZ軸接続線を介してそれぞれ電気的に接続された加速度検出電極パターンが表面上に形成され、裏面上に少なくとも一対のX軸加速度検出用電極、一対のY軸加速度検出用電極及び複数のZ軸加速度検出用電極と対向する対向電極パターンが形成され、各加速度検出用電極と対向電極パターンとの間の部分が分極処理されている圧電セラミックス基板と、表面に圧電セラミックス基板の裏面が接合されたダイアフラムと、ダイアフラムの中央部に設けられた重錘と、重錘に加速度が作用したときに重錘の周囲にある圧電セラミックス基板の部分に撓みが生じるようにダイアフラムを支持するべースとを具備している。圧電セラミックス基板は、重錘と対向する重錘対向領域と、ベースと対向するベース対向領域と、重錘対向領域とベース対向領域の間に位置し各加速度検出用電極が配置される環状の応力発生領域とを有している。また、X軸接続線、Y軸接続線及びZ軸接続線と圧電セラミックス基板との間には、圧電セラミックス基板の比誘電率よりも比誘電率が十分に小さい低誘電率層が形成されている。本発明では、応力発生領域に位置する接続線の部分と圧電セラミックス基板との間に低誘電率層を形成しない。また、対向電極パターンは、接続線とできるだけ圧電セラミックス基板を介して対向しないようにその形状を定める。本発明のように、応力発生領域に位置する接続線の部分と圧電セラミックス基板との間に低誘電率層を形成しないと、従来のように、低誘電率層により圧電セラミックス基板の応力発生領域における撓みが阻害されることがないので、応力発生領域内の応力の発生量に偏りが生じるのを防ぐことができる。
【0007】
しかしながら、このように、応力発生領域に位置する接続線の部分と圧電セラミックス基板との間に低誘電率層を形成しないと、応力発生領域内では接続線と対向電極パターンとの間に自発分極電荷が発生するという問題が生じる。そこで、本発明では、接続線とできるだけ圧電セラミックス基板を介して対向しないように対向電極パターンの形状を定めて、応力発生領域内での接続線と対向電極パターンとの間の自発分極電荷の発生を防いだ。以上により、本発明によれば、出力電極から出力されるX軸加速度検出信号、Y軸加速度検出信号及びZ軸加速度検出信号のレベルにそれぞればらつきが生じるのを防ぐことができ、信号増幅回路により各加速度信号のレベルのばらつきを調整する必要がなくなる。
【0008】
対向電極パターンを接続線とできるだけ圧電セラミックス基板を介して対向しないようにするには、対向電極パターンを各加速度検出用電極により形成される電極群の輪郭に沿う形状に形成すればよい。
【0009】
応力発生領域は、重錘対向領域を囲む環状の第1の応力発生部と、第1の応力発生部を囲み第1の応力発生部に加わる応力と異なる種類の応力が発生する環状の第2の応力発生部と、第1の応力発生部及び第2の応力発生部の境界線からなる変曲線部とを有している。そこで、一対のX軸加速度検出用電極、一対のY軸加速度検出用電極及び複数のZ軸加速度検出用電極の少なくとも一つの電極は、重錘にX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向にそれぞれ同じ大きさの加速度が作用したときに、各出力電極から出力されるX軸加速度検出信号、Y軸加速度検出信号及びZ軸加速度検出信号のレベルが実質的に等しくなるように、変曲線部を越えて第1の応力発生部から第2の応力発生部上に延びる出力調整用延長電極部を有しているのが好ましい。
【0010】
このように一対のX軸加速度検出用電極、一対のY軸加速度検出用電極及び複数のZ軸加速度検出用電極の少なくとも一つの電極に、出力調整用延長電極部を設けると、出力調整用延長電極部が設けられた加速度検出用電極では、第1の応力発生部上の部分で発生した電荷の一部が出力調整用延長電極部で発生した逆極性の電荷により打ち消され、出力電極から出力する加速度検出信号のレベルが低下する。そのため、この低下量を適宜に定めることによりX軸加速度検出信号、Y軸加速度検出信号及びZ軸加速度検出信号のレベルが実質的に等しくなるように調整することができる。このようにして、X軸出力電極、Y軸出力電極及びZ軸出力電極から出力されるX軸加速度検出信号、Y軸加速度検出信号及びZ軸加速度検出信号のレベルが実質的に等しくすれば、信号増幅回路を用いなくても、加速度信号の出力レベルを一致させることができる圧電型三軸加速度センサを得ることができる。また、X軸加速度検出信号、Y軸加速度検出信号及びZ軸加速度検出信号の信号レベルを同じにできるので、増幅回路を用いるとしても、各方向の加速度検出信号に応じて増幅度を変える必要がなくなり、増幅回路の構成及び設計が簡単になる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図1〜4は、本発明の実施の形態の圧電型三軸加速度センサを一部破断した状態で示す正面図、平面図、側面図及び背面図である。図2及び図3に示すように、この加速度検出装置は、ダイアフラム1と、重錘3と、ベース5と、ダイアフラム1の重錘3が取り付けられた面側とは反対側の面上に固定された加速度センサ素子7とを備えている。これらの各部材は、絶縁樹脂製ケース9内に収納されており、この絶縁樹脂製ケース9には、内部に複数の端子金具11A〜11Hが配置されると共に金属製のカバー部材13が嵌合されている。
【0012】
ダイアフラム1、重錘3及びベース5は、真鍮からなる金属材料により一体に成形された単体ユニット10として構成されている。ダイアフラム1は、円板形状を有している。重錘3は、円柱形状を有しており、その軸線の延長部分がダイアフラム1の中心を通るように配置されている。ベース5は円筒形状を有しており、ダイアフラム1の外周部を支持している。また、ベース5の外周部には、周方向に連続するV字溝5aが形成されている。この単体ユニット10は、複数の端子金具11A〜11Hと共に絶縁樹脂製ケース9を成形するときにインサートとして用いられる。
【0013】
加速度センサ素子7は、図5の平面図及び図6の裏面図に示すように圧電セラミックス基板7aの表面に三軸加速度検出用の加速度検出用電極パターンE1が形成され、裏面に対向電極パターンE0が形成されて構成されている。圧電セラミックス基板7aの裏面及び対向電極パターンE0は、エポキシ等の合成樹脂材料からなる接着剤層によってダイアフラム1の表面に接合されている。圧電セラミックス基板7aは、輪郭形状がほぼ四角形をなしており、図1及び図3に示すように、ダイアフラム1上に位置する本体部7bと、絶縁樹脂製ケース9上を本体部7bから複数の端子金具11A〜11Hの近傍まで延びる延長部7cとを有している。圧電セラミックス基板7aの対向する2つの辺部に位置する延長部7cの縁部には、図1及び図5に示すように、4つの半円状の凹部7d〜7gと4つの半円状の凹部7h〜7kとがそれぞれ等間隔に形成されている。この圧電セラミックス基板7aは、内部に応力が加わると自発分極電荷が発生するように電極に対応した部分に分極処理が施されている。分極処理については後に説明する。圧電セラミックス基板7aは、重錘対向領域8Aと、ベース対向領域8Bと、重錘対向領域8Aとベース対向領域8Bとの間に位置する応力発生領域8Cとを有している。重錘対向領域8Aに対応する部分には重錘3が位置しており、ベース対向領域8Bに対応する部分にはベース5が位置している。応力発生領域8Cは、重錘対向領域8Aを囲む環状の第1の応力発生部8C1と、第1の応力発生部8C1を囲む環状の第2の応力発生部8C2とから構成されている。第1の応力発生部8C1は、重錘3に対して圧電セラミックス基板7aの基板面と平行な方向(X軸方向またはY軸方向)に加速度が作用すると、重錘3の重心を中心として点対称に異なった状態(引っ張り応力が加わった状態と、圧縮応力が加わった状態と)に変形する。また、重錘3に対して圧電セラミックス基板7aの基板面と直交する方向(Z軸方向)に加速度が作用すると、第1の応力発生部8C1の各部は同じ状態に変形する。第2の応力発生部8C2は、第1の応力発生部8C1に加わる応力と異なる種類の応力が極めて小さく発生する領域である。なお、図5において、8Dは第1の応力発生部8C1と第2の応力発生部8C2との境界線(変曲線部)である。
【0014】
圧電セラミックス基板7aの表面及び裏面に形成された加速度検出用電極パターンE1及び対向電極パターンE0は、いずれもスクリーン印刷により形成されている。加速度検出用電極パターンE1は、図5に示すように、X軸方向検知電極パターン15とY軸方向検知電極パターン17とZ軸方向検知電極パターン19とを有している。X軸方向検知電極パターン15は、一対のX軸方向加速度検出用電極EX1,EX2とX軸出力電極OXとがX軸接続線L1〜L3により直列に接続された構造を有している。一対のX軸方向加速度検出用電極EX1,EX2は、後に説明するY軸方向検知電極パターン17の一対のY軸方向加速度検出用電極EY1,EY2及びZ軸方向検知電極パターン19の4つのZ軸方向加速度検出用電極EZ1〜EZ4と共に、重錘対向領域8Aを囲む環状の列を形成している。一対のX軸方向加速度検出用電極のそれぞれの電極EX1,EX2は、X軸方向仮想線XLに対して線対称になり且つ重錘対向領域8Aと第1の応力発生部8C1とに跨がる矩形に近い形状を有している。
【0015】
Y軸方向加速度検出用電極パターン17は、一対のY軸方向加速度検出用電極EY1,EY2とY軸出力電極OYとがY軸接続線L4により直列に接続された構造を有している。一対のY軸方向加速度検出用電極のそれぞれの電極EY1,EY2は、Y軸方向仮想線YLに対して線対称になり且つ重錘対向領域8Aと第1の応力発生部8C1と第2の応力発生部8C2とに跨がる矩形に近い形状を有している。これらの電極EY1,EY2は、いずれも重錘対向領域8A及び第1の応力発生部8C1上に位置する電荷発生電極部EY1a,EY2aと、変曲線部8Dを越えて第1の応力発生部8C1から第2の応力発生部8C2上に延びる出力調整用延長電極部EY1b,EY2bとをそれぞれ有している。前述したように、第2の応力発生部8C2は、僅かな量ではあるが、第1の応力発生部8C1に加わる応力とは異なる種類の応力が発生する。そのため、第2の応力発生部8C2上に位置する出力調整用延長電極部EY1b,EY2bには、電荷発生電極部EY1a,EY2aとは逆極性の電荷が発生する。その結果、電荷発生電極部EY1a,EY2aで発生した電荷の一部が出力調整用延長電極部EY1b,EY2bで発生した逆極性の電荷により打ち消され、Y軸出力電極OYから出力するY軸加速度検出信号のレベルは低下する。
【0016】
Z軸方向加速度検出用電極パターン19は、4つのZ軸方向加速度検出用電極EZ1〜EZ4及びZ軸出力電極OZが、これらの順にZ軸接続線L5によって直列に接続された構造を有している。Z軸方向加速度検出用電極EZ1〜EZ4は、それぞれが矩形に近い形状を有しており、一対のX軸方向加速度検出用電極EX1,EX2及び一対のY軸方向加速度検出用電極EY1,EY2の各電極の間に配置された状態で重錘対向領域8Aと第1の応力発生部8C1とに跨がって形成されている。また、Z軸方向加速度検出用電極EZ1〜EZ4の形状及び寸法は、重錘3にX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向にそれぞれ同じ大きさの加速度が作用したときに、出力電極OZから出力されるZ軸加速度検出信号のレベルが出力電極OY及びOZから出力されるY軸加速度検出信号及びZ軸加速度検出信号のレベルと実質的に等しくなるように設定されている。
【0017】
本例の加速度センサにおいて、仮にY軸方向加速度検出用電極EY1,EY2の形状及び寸法がX軸方向加速度検出用電極EX1,EX2と同じだとすると、重錘3にX軸方向,Y軸方向及びZ軸方向にそれぞれ同じ大きさの加速度が作用したときに、出力電極OYから出力されるY軸加速度検出信号は、出力電極OXから出力されるX軸加速度検出信号、または出力電極OZから出力されるZ軸加速度検出信号より大きいものになる。これは、X軸接続線L1〜L3とY軸接続線L4との長さ寸法の違いによるものと考えられる。本例によれば、Y軸方向加速度検出電極EY1,EY2に出力調整用延長電極部EY1b,EY2bを設けることにより、Y軸出力電極OYから出力するY軸加速度検出信号のレベルを低下させ、重錘3にX軸方向,Y軸方向及びZ軸方向にそれぞれ同じ大きさの加速度が作用したときに、各出力電極OX〜OZから出力されるX軸加速度検出信号、Y軸加速度検出信号及びZ軸加速度検出信号のレベルを実質的に等しくできる。
【0018】
X軸出力電極OX、Y軸出力電極OY及びZ軸出力電極OZは、圧電セラミックス基板7aの3つの角部において、凹部7d,7h,7kをそれぞれ囲むように形成されている。また、圧電セラミックス基板7aの残りの角部には、凹部7gを囲むようにアース電極OEが形成されている。アース電極OEには、X軸方向加速度検出用電極EX1に隣接する圧電セラミックス基板7aの縁部まで延びる延長部分21が接続されている。また、アース電極OEは、圧電セラミックス基板7aの側部及び裏面上に形成された図示しない導電性接着剤層を介してベース5と電気的に接続されている。
【0019】
重錘対向領域8A及びベース対向領域8Bの一部分には、低誘電率層27〜31が接続線L1〜L5と圧電セラミックス基板7aとの間に位置するように所定のパターンで形成されている。低誘電率層27〜31は、いずれも圧電セラミックス基板7aよりも比誘電率が十分に小さいレジン(エポキシ)ペーストからなる熱硬化性樹脂(比誘電率:10)を用いてスクリーン印刷により形成されており、20μmの厚みを有している。低誘電率層は、圧電セラミックス基板7aの1/100以下の比誘電率を有する誘電物質を用いるのが好ましい。誘電物質としては、圧電セラミックス基板7aよりも比誘電率が十分に小さいものであればよく、ガラス及び熱硬化性樹脂を用いることができる。低誘電率層27は、重錘固定領域8A内において、接続線L4及びL5と、圧電セラミックス基板7aとの間に位置するように形成されており、円形の形状を有している。低誘電率層29は、ベース対向領域8Bの一方の側において、接続線L1,L2,L3,L5及び延長部分21と圧電セラミックス基板7aとの間に位置するように形成されている。低誘電率層31は、ベース対向領域8Bの他方の側において、接続線L4及びL5と圧電セラミックス基板7aとの間に位置するように形成されている。このように、低誘電率層27〜31は、応力発生領域8Cに位置する各接続線L1,L2,L4,L5の部分と圧電セラミックス基板7aとの間には形成されていない。本例のように、低誘電率層27〜31を構成すると、低誘電率層により圧電セラミックス基板7aの応力発生領域8Cにおける撓みが阻害されることがないので、応力発生領域8C内の応力の発生量に偏りが生じるのを防ぐことができる。
【0020】
圧電セラミックス基板7aの裏面上に形成された対向電極パターンE0は、図6に示すように、加速度検出用電極パターンE1の加速度検出用電極EX1〜EZ4と対向する環状の対向電極E0aと、対向電極E0aから圧電セラミックス基板7aの縁部に延びる延伸部E0bと、圧電セラミックス基板7aの4角に形成された裏面電極部E0c〜E0fとを有している。対向電極E0aは、接続線L1〜L5とできるだけ圧電セラミックス基板7aを介して対向しないように、加速度検出用電極EX1〜EZ4が形成する電極群の輪郭に沿う形状を有している。前述したように、本例では、応力発生領域8Cに低誘電率層を形成しないので、応力発生領域内8Cの応力の発生量に偏りが生じるのを防ぐことができる。しかしながら、応力発生領域8C内では低誘電率層が形成されていないため、接続線L1,L2,L3,L5と対向電極E0aとの間に自発分極電荷が発生するという問題が生じる。そこで、本例では、接続線L1〜L5とできるだけ圧電セラミックス基板7aを介して対向しないように対向電極E0aの形状を定めて、応力発生領域8C内での接続線L1,L2,L3,L5と対向電極E0aとの間の自発分極電荷の発生を防いだ。延伸部E0bの一部は、加速度検出用電極パターンE1の延長部分21の端部21aと対向しており、圧電セラミックス基板7aの側部を延びる接続部23を介して延長部分21の端部21aと電気的に接続されている。これにより、対向電極パターンE0に含まれる対向電極E0aはアース電極OEと電気的に接続されることになる。裏面電極部E0c〜E0fは、アース電極OE、X軸出力電極OX、Z軸出力電極OZ及びY軸出力電極OYと対向しており、圧電セラミックス基板7aの側部を延びる接続部を介してそれぞれ対向する各電極と電気的に接続されている。
【0021】
X軸方向加速度検出用電極EX1,EX2に対応する圧電セラミックス基板7aの各部分には、重錘3にZ軸方向の加速度が作用して各部分に同種類の応力が発生したときに重錘対向領域8Aの一方の側に位置する加速度検出用電極EX1と他方の側に位置する加速度検出用電極EX2とにそれぞれ逆極性の自発分極電荷が現れるように分極処理が施されている。また、Y軸方向加速度検出用電極EY1,EY2に対応する圧電セラミックス基板7aの各部分もX軸方向加速度検出用電極EX1,EX2に対応する圧電セラミックス基板7aの各部分と同様に、重錘3にZ軸方向の加速度が作用して各部分に同種類の応力が発生したときに重錘対向領域8Aの一方の側に位置するY軸方向加速度検出用電極EY1と他方の側に位置するY軸方向加速度検出用電極EY2とにそれぞれ逆極性の自発分極電荷が現れるように分極処理が施されている。また、Z軸方向加速度検出用電極EZ1〜EZ4に対応する圧電セラミックス基板7aの各部分は、重錘3にZ軸方向の加速度が作用して各部分に同種類の応力が発生したときにすべてのZ軸方向加速度検出用電極EZ1〜EZ4に同じ極性の自発分極電荷が現れるように分極処理が施されている。このため、重錘3に作用する加速度に基づいてダイアフラム1が変形すると圧電セラミックス基板7aが撓んで加速度検出用電極パターンE1 と対向電極パターンE0 との間に発生する自発分極電荷が変化して、重錘3に加わった三軸(X軸,Y軸,Z軸)方向の加速度が電流または電圧の変化として測定される。
【0022】
本例では、加速度検出用電極EX1〜EZ4及び対向電極パターンE0をガラス−銀ペーストを用いてスクリーン印刷した後にこれを焼成して5μmの厚みに形成した後に、対向する各電極間に直流電圧を印加することにより圧電セラミックス基板7aに分極処理を行った。次に、低誘電率層27〜31をレジン(エポキシ)ペーストによりスクリーン印刷してから、接続線L1〜L9を銀ペーストによりスクリーン印刷して加速度検出用電極パターンE1 を形成した。
【0023】
絶縁樹脂製ケース9は、図1〜図3に示すように、その輪郭がほぼ直方体を呈しており、中央空洞部9aと、この中央空洞部9aと外部とに連通する側方空洞部9bとが内部に形成されている。中央空洞部9aは、図2及び図3において紙面の上下方向に絶縁樹脂製ケース9を貫通しており、ほぼ円柱形の単体ユニット収納部9cと、絶縁樹脂製ケース9の内周面に段部9dを形成するように、単体ユニット収納部9cより小さい径を有するほぼ円柱形の空隙部9eとを有している。単体ユニット10は、単体ユニット10のベース5の底面と段部9dとが当接するように単体ユニット収納部9c内に収納されている。また、単体ユニット収納部9cの内部には、単体ユニット10のベース5のV字溝5aに樹脂が入り込んで突起部9fが形成されている。本例では、単体ユニット10をインサートとして射出成形により絶縁樹脂製ケース9を一体成形しているため、段部9d及び突起部9fは、単体ユニット10の絶縁樹脂製ケース9からの抜け止めとして機能している。また、このように単体ユニット10をインサートとして絶縁樹脂製ケース9が成形されることにより、ベース5の外周面の一部5bは、絶縁樹脂製ケース9の側方空洞部9b内に露出される。また、絶縁樹脂製ケース9は、ダイアフラム1の表面と同じ側に位置してダイアフラム1の表面と面一に形成された表面9gと、表面9gの反対側に位置する裏面9hとを有している。表面9gには、前述した圧電セラミックス基板7aの延長部7cが載置されている。裏面9hには、後述する複数の端子金具11A〜11Hの他方の端部11f…が絶縁樹脂製ケース9の裏面9hから突出する方向と同じ方向に突出する複数個(この例では3個)のスペーサ9i…が形成されている。このようなスペーサ9i…を形成すれば、加速度検出装置を回路基板に取付ける際に絶縁樹脂製ケース9の裏面9hと回路基板との間にスペーサ9i…によって空隙部を形成することができる。そのため、加速度検出装置の端子金具11A〜11Hを回路基板に半田付けする際に半田に含まれるフラックスが絶縁樹脂製ケース9等を伝わって加速度検出装置の内部に侵入するのを防ぐことができる。また、図2に示すように、絶縁樹脂製ケース9の外周部には、側方空洞部9bが開口する側面9kの下方部に外側に向って開口するほぼ矩形の凹部9jが形成されている。
【0024】
複数の端子金具11A〜11Hは、図3に示すように、いずれも同じほぼ円柱形状を有しており、絶縁樹脂製ケース9内において圧電セラミックス基板7aの凹部7d〜7kと対応する位置にそれぞれ配置されている。端子金具11A〜11Hの一つの端子金具は、一方の端部11aと長手方向中央部とにそれぞれ長手方向と直交する方向に突出する円環状の鍔部11c,11dを有している。これにより、一方の端部11aの端面11eの面積は、長手方向と直交する端子金具の断面積よりも大きくなる。また、長手方向中央部の鍔部11dは、端子金具11A〜11Fの絶縁樹脂製ケース9からの抜け止めとして機能している。これら複数の端子金具11A〜11Hは、一方の端部11aの端面11eが絶縁樹脂製ケース9の表面9g上に露出し他方の端部11fが絶縁樹脂製ケース9の裏面から突出するように絶縁樹脂製ケース9内に配置されている。複数の端子金具11A〜11Hの各端面11eのほぼ半部(半円部分)は、圧電セラミックス基板7aの凹部7d〜7k内から外側に露出している。そして、図1及び図3に示すように、複数の端子金具11A〜11Hの内、圧電セラミックス基板7aの角部に位置する4つの端子金具11A,11D,11E,11Hの各一方の端面11e…は、圧電セラミックス基板7aの延長部7cに形成された電極OX,OY,OZ,OEと導電性接着剤からなる導電部25…によって電気的に接続されている。また、この例では、複数の端子金具11A〜11Hの内、他の4つの端子金具11B,11C,11F,11Gの各一方の端面11e…は、圧電セラミックス基板7aの縁部と単に接触しているが、これらの端面11e…は、接着剤によって圧電セラミックス基板7aの縁部と接続してもよい。なお、これらの端子金具11B,11C,11F,11Gは、ダミー端子を構成している。
【0025】
カバー部材13は、ほぼ矩形の上壁部13aとほぼ矩形の4つの側壁部13b〜13eとを有する一面開口の箱形状を有しており、ステンレスにより一体に形成されている。このカバー部材13は、上壁部13aが加速度センサ素子7の上方に位置し、側壁部13b〜13eが絶縁樹脂製ケース9の側面と当接するように、絶縁樹脂製ケース9に対して嵌合された状態で加速度センサ素子7を覆っている。図2及び図3に示すように、絶縁樹脂製ケース9の側面9k(絶縁樹脂製ケース9の側方空洞部9bが形成された側面)と当接するカバー部材13の側壁部13bには、接触片13f及び凸部13gがプレス加工により一体に形成されている。接触片13fは、側壁部13bの一部が開口部13hを形成してベース5側に起立するように絶縁樹脂製ケース9の側方空洞部9b内を延びており、側壁部13bの面と直交する方向に伸びる起立部13f1と、起立部13f1の端部で円弧状に曲げられた接触部13f2とを有している。接触部13f2は、ベース5のV字溝5aの一部(側方空洞部9b内に露出する部分)により構成される嵌合凹部に嵌合されており、これにより、カバー部材13は、ベース5に電気的に接続されている。前述したように、アース電極OEは、図示しない導電性接着剤層を介してベース5と電気的に接続されているので、カバー部材13は、ベース5と共にアース電極OEと電気的に接続されて接地されることになる。特に本例では、カバー部材13が絶縁樹脂製ケース9に嵌合された状態で接触部13f2が起立部13f1のバネ性でベース5に押し付けられるので、カバー部材13の取付と同時にカバー部材13とベース5との電気的な接続を完了することができ、しかもベース5とカバー部材13の接触片13fとの接触が確実になる。
【0026】
凸部13gは、カバー部材13の側壁部13bの一部が折り曲げられて形成されている。この凸部13gは、絶縁樹脂製ケース9の側面9kに形成された凹部9jに嵌合されて、カバー部材13を絶縁樹脂製ケース9に固定する役割を果たしている。このような固定方法によれば、絶縁樹脂製ケース9にバネ性を持ってカバー部材13の凸部13gを嵌合するので、カバー部材13の取付によりカバー部材13を絶縁樹脂製ケース9に簡単に固定することができる。
【0027】
なお、本例では、一対のY軸加速度検出用電極EY1,EY2のみに、出力調整用延長電極部EY1b,EY2bを設けたが、加速度センサ素子の設計に応じて他の電極に出力調整用延長電極部を設けても構わない。その場合、出力調整用延長電極部の形状、寸法を適宜に設定することにより、X軸方向,Y軸方向及びZ軸方向にそれぞれ同じ大きさの加速度が作用したときに、各出力電極から出力されるX軸加速度検出信号、Y軸加速度検出信号及びZ軸加速度検出信号のレベルが実質的に等しくなるようにすればよい。
【0028】
【発明の効果】
本発明によれば、応力発生領域に位置する接続線の部分と圧電セラミックス基板との間に低誘電率層を形成しないので、応力発生領域内の応力の発生量に偏りが生じるのを防ぐことができる。しかしながら、応力発生領域内では低誘電率層が形成されていないため、接続線と対向電極パターンとの間に自発分極電荷が発生するという問題が生じる。そこで、本発明では、各接続線とできるだけ圧電セラミックス基板を介して対向しないように対向電極パターンの形状を定めた。以上により、本発明によれば、出力電極から出力されるX軸加速度検出信号、Y軸加速度検出信号及びZ軸加速度検出信号のレベルにそれぞればらつきが生じるのを防ぐことができ、信号増幅回路により各加速度信号のレベルのばらつきを調整する必要がなくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態の圧電型三軸加速度センサを一部破断した状態で示す正面図である。
【図2】 本発明の実施の形態の圧電型三軸加速度センサを一部破断した状態で示す平面図である。
【図3】 本発明の実施の形態の圧電型三軸加速度センサを一部破断した状態で示す側面図である。
【図4】 本発明の実施の形態の圧電型三軸加速度センサの背面図である。
【図5】 本発明の実施の形態の圧電型三軸加速度センサに用いる加速度センサ素子の平面図である。
【図6】 本発明の実施の形態の圧電型三軸加速度センサに用いる加速度センサ素子の裏面図である。
【符号の説明】
1 ダイアフラム
3 重錘
5 ベース
7 加速度センサ素子
8A 重錘対向領域
8B ベース対向領域
8C 応力発生領域
8C1 第1の応力発生部
8C2 第2の応力発生部
27〜31 低誘電率層
EX1,EX2 一対のX軸方向加速度検出用電極
EY1,EY2 一対のY軸方向加速度検出用電極
EZ1〜EZ4 Z軸方向加速度検出用電極
E0 対向電極パターン
E0a 対向電極
Claims (2)
- 相互に直交するX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の三軸の加速度をそれぞれ検出するための一対のX軸加速度検出用電極、一対のY軸加速度検出用電極及び複数のZ軸加速度検出用電極と、X軸出力電極、Y軸出力電極及びZ軸出力電極とがX軸接続線、Y軸接続線及びZ軸接続線を介してそれぞれ電気的に接続された加速度検出電極パターンが表面上に形成され、裏面上に少なくとも前記一対のX軸加速度検出用電極、前記一対のY軸加速度検出用電極及び前記複数のZ軸加速度検出用電極と対向する対向電極パターンが形成され、前記各加速度検出用電極と前記対向電極パターンとの間の部分が分極処理されている圧電セラミックス基板と、
表面に前記圧電セラミックス基板の前記裏面が接合されたダイアフラムと、
前記ダイアフラムの中央部に設けられた重錘と、
前記重錘に前記加速度が作用したときに前記重錘の周囲にある前記圧電セラミックス基板の部分に撓みが生じるように前記ダイアフラムを支持するべースとを具備し、
前記圧電セラミックス基板は、前記重錘と対向する重錘対向領域と、前記ベースと対向するベース対向領域と、前記重錘対向領域と前記ベース対向領域の間に位置し前記各加速度検出用電極が配置される環状の応力発生領域とを有しており、
前記X軸接続線、前記Y軸接続線及び前記Z軸接続線と前記圧電セラミックス基板との間に、前記圧電セラミックス基板の比誘電率よりも比誘電率が小さい低誘電率層が形成されている圧電型三軸加速度センサであって、
前記応力発生領域に位置する前記各接続線の部分と前記圧電セラミックス基板との間には、前記低誘電率層は形成されておらず、
前記対向電極パターンは、前記各加速度検出用電極により形成される電極群の輪郭に沿う形状を有していることを特徴とする圧電型三軸加速度センサ。 - 前記応力発生領域は、前記重錘対向領域を囲む環状の第1の応力発生部と、前記第1の応力発生部を囲み前記第1の応力発生部に加わる応力と異なる種類の応力が発生する環状の第2の応力発生部と、前記第1の応力発生部及び前記第2の応力発生部の境界線からなる変曲線部とを有しており、
前記一対のX軸加速度検出用電極、前記一対のY軸加速度検出用電極及び前記複数のZ軸加速度検出用電極の少なくとも一つの電極は、前記重錘に前記X軸方向、前記Y軸方向及び前記Z軸方向にそれぞれ同じ大きさの加速度が作用したときに、前記各出力電極から出力される前記X軸加速度検出信号、前記Y軸加速度検出信号及び前記Z軸加速度検出信号のレベルが等しくなるように、前記変曲線部を越えて前記第1の応力発生部から前記第2の応力発生部上に延びる出力調整用延長電極部を有していることを特徴とする請求項1に記載の圧電型三軸加速度センサ。
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