JP4269559B2 - 半導体装置及びその設計方法 - Google Patents
半導体装置及びその設計方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4269559B2 JP4269559B2 JP2002043962A JP2002043962A JP4269559B2 JP 4269559 B2 JP4269559 B2 JP 4269559B2 JP 2002043962 A JP2002043962 A JP 2002043962A JP 2002043962 A JP2002043962 A JP 2002043962A JP 4269559 B2 JP4269559 B2 JP 4269559B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dummy
- semiconductor device
- block
- dummy cell
- dummy pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に半導体装置に関し、特に、受注先の仕様に合わせて種々のセルを用いて設計されるゲートアレイ、エンベデッドアレイ、スタンダードセル等の半導体装置に関する。さらに、本発明は、そのような半導体装置の設計方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ゲートアレイ等の半導体装置においては、所望の機能を実現する回路ブロックを構成する幾つかのセルを配置して接続することにより、レイアウト設計が行われる。各セルは、半導体基板内に形成される不純物拡散層と、半導体基板上に形成されるゲート絶縁膜及びゲート電極と、層間絶縁膜を介して形成させる少なくとも1層の配線層とによって構成される。
【0003】
サブミクロンオーダー(特に、0.25μm以下)のプロセスを用いるような半導体基板においては、セルが密集して配置されている密の領域とセルがあまり配置されていない疎の領域とが存在すると、半導体基板上に形成される層の厚さに偏りが生じてしまう。このような層の厚さの偏りを解消してするため、CMP(科学的機械研磨)工程により層の厚さを均一にすることも考えられるが、研磨時間が数時間にも及んでしまう。そこで、コンピュータを用いて自動配置配線を行う際に、セルが疎の領域にダミーセルを自動発生させることが一般的に行われている。ダミーセルは、回路動作に関係しない配線パターン等(ダミーパターン)を含んでおり、これにより、半導体基板上に形成される層の厚さを均一にすることができる。
【0004】
上記のようなダミーセルを自動的に発生させる自動配置配線において、回路ブロックが配置されない領域にマスクの名称を入れたり、ダミーパターンによってアナログ回路の特性が変化することを防止するために、ダミーパターン発生禁止領域を設定することが行われている。ダミーパターン発生禁止領域が設定されると、ダミーパターン発生禁止領域と重なるダミーパターンのデータは発生されない。その際に、ダミーパターンの外周がダミーパターン発生禁止領域の外周と一致する場合、即ち、ダミーパターンとダミーパターン発生禁止領域とが重なる領域の面積がゼロである場合においても、ダミーパターンのデータは発生されなかった。また、ダミーパターンの一部がダミーパターン発生禁止領域と重なる場合においても、ダミーパターンのデータは発生されなかった。そのため、ダミーパターンの配置されない領域が必要以上に広くなってしまい、半導体基板上に形成される層の厚さを十分に均一にすることができないという問題があった。
【0005】
また、システムLSI等は、IPブロックと呼ばれる大規模な機能ブロックを用いて設計が行われることが多い。しかしながら、既に評価が行われたIPブロックを配置した後にIPブロックの内部にダミーパターンを配置すると、特にIPブロックに含まれるアナログ回路の特性が評価時における特性と異なってしまうおそれがある。一方、IPブロック全体にダミーパターン発生禁止領域を設定すると、ダミーパターンが配置されない領域が広くなってしまい、半導体基板上に形成される層の厚さを十分に均一にすることができないという問題があった。
【0006】
ところで、日本国特許出願公開(特開)平8−6231号公報(以下、「文献1」ともいう)には、半導体デバイスの多層金属配線の自動配線設計を行う際、所望のデバイス特性を得るために設計された全配線パターンに対して、多層金属配線の各層の配線パターンの相互比較を行い、第2層配線パターンで最接近パターンがある時、その直下の第1層配線パターン間隔を、配線中心間の間隔をグリッドと定義する時、グリッド/2で定義される量の4倍以上間隔が空いている場合に、ダミーパターンを発生させ、比較した該第1層配線パターンと合成したフォトリソグラフィマスクを使用することを特徴とする半導体装置の製造方法が掲載されている。
【0007】
しかしながら、文献1に掲載された半導体装置の製造方法は、グリッドの全面にダミーを発生させることなく、必要最小限に限って効率良くダミーパターンを発生させるものであり、ダミーパターン発生禁止領域を設けることやIPブロック内にダミーパターンを配置することを考慮したものではない。
【0008】
また、特開平9−115905号公報(以下、「文献2」ともいう)には、多層配線構造を有する半導体集積回路装置の下層に形成するダミー配線パターンの設計方法であって、所定の寸法及び所定の間隔で規則的に配置された補助パターン群を作成する工程と、補助パターン群と下層に形成される配線パターンを所定の寸法だけ伸長した領域とが重なる領域を補助パターンから消去したパターン群をダミー配線パターンとする工程とを有することを特徴とするダミーパターンの設計方法が掲載されている。
【0009】
しかしながら、文献2に掲載されたダミーパターンの設計方法は、仮想グリッドを用いずに、多層配線構造を有する半導体集積回路装置に対してダミーパターンを配置するものであり、ダミーパターン発生禁止領域を設けることやIPブロック内にダミーパターンを配置することを考慮したものではない。
【0010】
また、特開平10−256255号公報(以下、「文献3」ともいう)には、正規のパターンのレイアウトデータを取込み、該パターンを適量拡大する第1工程と、第1工程で拡大されたパターンの反転パターンを発生して、該反転パターンをごく僅か拡大する第2工程と、第2工程で拡大された反転パターンに所定幅の格子状メッシュパターンを重ねて、メッシュパターンからはみ出した反転パターンをダミーパターンとする第3工程と、ダミーパターンと正規のパターンとを合成して、チップ又はレチクル露光用のパターンを作成する第4工程と、を含む半導体集積回路装置のパターン発生方法において、第4工程でダミーパターンと正規のパターンとを合成する際に、正規のパターンに隣接するダミーパターンの中で、一辺の大きさが設計規則上の最小許容幅を満たさない微小なダミーパターンが存在している場合は、該微小なダミーパターンと正規のパターンの間を接続することを特徴とする半導体集積回路装置のパターン発生方法が掲載されている。
【0011】
しかしながら、文献3に掲載された半導体集積回路装置のパターン発生方法は、微小なダミーパターンと正規のパターンの間を接続することにより、パターン抜けやパターン剥がれを抑制するものであり、ダミーパターン発生禁止領域を設けることやIPブロック内にダミーパターンを配置することを考慮したものではない。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、従来よりも広い領域にダミーパターンを配置することにより、基板上に形成される層の厚さを均一に近付けた半導体装置を提供することを目的とする。さらに、本発明は、そのような半導体装置の設計方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明の第1の観点に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に形成された複数の回路ブロックと、半導体基板において、複数の回路ブロックが形成された第1の領域とダミーパターンの発生が禁止された第2の領域とを除く第3の領域内に形成された複数のダミーパターンであって、第2の領域の境界を画定する直線に接するように形成されたダミーパターンを含む複数のダミーパターンとを具備する。
【0014】
また、本発明の第2の観点に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の所定の領域内に形成されたダミーパターンを含む機能ブロックと、前記所定の領域の領域外に形成されたダミーパターンとを具備する。
【0015】
さらに、本発明の第3の観点に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の所定の領域内に形成された機能ブロックと、所定の領域の境界を画定する直線を跨いで形成された複数のダミーパターンとを具備する。
【0016】
本発明の第1の観点に係る半導体装置の設計方法は、コンピュータを用いて半導体装置のレイアウトを設計する方法であって、ダミーパターン発生禁止領域を設定するステップ(a)と、複数の回路ブロックを含む半導体装置の配置・配線を行うステップ(b)と、回路ブロックが配置されなかった領域において、複数のダミーパターンを含むダミーセルを配置するステップ(c)と、ステップ(c)において配置されたダミーセルとダミーパターン発生禁止領域とが重なる領域の面積がゼロより大きい場合に、ダミーセルを削除するステップ(d)とを具備する。
【0017】
また、本発明の第2の観点に係る半導体装置の設計方法は、コンピュータを用いて半導体装置のレイアウトを設計する方法であって、ダミーパターン発生禁止領域を設定するステップ(a)と、複数の回路ブロックを含む半導体装置の配置・配線を行うステップ(b)と、回路ブロックが配置されなかった領域において、ダミーパターン発生禁止領域を除いて、ダミーパターン発生禁止領域に接しても良いという条件下で複数のダミーパターンを含むダミーセルを配置するステップ(c)とを具備する。
【0018】
さらに、本発明の第3の観点に係る半導体装置の設計方法は、コンピュータを用いて半導体装置のレイアウトを設計する方法であって、複数のダミーパターンを含むダミーセルを有する機能ブロックの設計データを作成するステップ(a)と、ステップ(a)において作成された設計データに基づいて、機能ブロックの評価を行うステップ(b)と、ステップ(a)において作成された設計データを用いて、機能ブロックを含む半導体装置の配置・配線を行うステップ(c)とを具備する。
【0019】
加えて、本発明の第4の観点に係る半導体装置の設計方法は、コンピュータを用いて半導体装置のレイアウトを設計する方法であって、境界線を跨いで形成され複数のダミーパターンを含むダミーセルを有する機能ブロックの設計データを作成するステップ(a)と、ステップ(a)において作成された設計データにおいて、機能ブロックの境界線からはみ出たダミーセルの部分を削除するステップ(b)と、ステップ(b)において得られた設計データに基づいて、機能ブロックの評価を行うステップ(c)と、ステップ(b)において得られた設計データを用いて、機能ブロックを含む半導体装置の配置・配線を行うステップ(d)と、機能ブロックの境界線からはみ出た部分が削除された不完全なダミーセルを完全なダミーセルに修正するステップ(e)とを具備する。
【0020】
なお、本発明の第4の観点に係る半導体装置の設計方法において、ステップ(e)が、不完全なダミーセルの上に完全なダミーセルを配置することを含んでも良いし、あるいは、ステップ(e)が、不完全なダミーセルの削除された部分を補うダミーセルを配置することを含んでも良い。
【0021】
以上のように構成した本発明によれば、従来よりも広い領域にダミーパターンを配置することにより、基板上に形成される層の厚さを均一に近付けることができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。なお、同一の構成要素については、同一の参照番号で示している。
図1に、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の一部を示す。図1において、半導体装置は、第1層目の配線層が形成された状態となっている。半導体基板10(ウエハやチップ)に、所望の機能を実現する回路ブロックを構成する複数のセル11が配置されている。各セル11は、半導体基板内に形成される不純物拡散層と、半導体基板上に形成されるゲート絶縁膜及びゲート電極と、層間絶縁膜を介して形成させる少なくとも1層の配線層とによって構成される。
【0023】
回路ブロックが配置されない領域にマスクの名称を入れたり、ダミーパターンによってアナログ回路の特性が変化することを防止するために、半導体基板10には、ダミーパターンの発生を禁止するダミーパターン発生禁止領域20が設定されている。複数のセル11が配置された領域及びダミーパターン発生禁止領域20を除いて、複数のダミーセル12a〜12dが自動的に配置される。ダミーセル12a〜12dは、回路動作に関係しない配線パターン等(ダミーパターン)を含んでいる。本実施形態において、配線層に形成するダミーパターンは、1辺が2μmの正方形の形状を有しており、1μm間隔で縦横に並べられている。これにより、半導体基板10上に形成される層の厚さを均一にすることができる。
【0024】
本実施形態に係る半導体装置は、ダミーパターン発生禁止領域20から離れて配置されているダミーセル12a及び12bのダミーパターンのみならず、ダミーパターン発生禁止領域20の境界を画定する直線に接するように配置されているダミーセル12c及び12dのダミーパターンも含んでいる。これにより、従来よりも広い領域にダミーパターンを配置し、半導体基板10上に形成される層の厚さを均一に近付けることができる。
【0025】
図2は、図1に示す半導体装置のレイアウトを設計するための、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の設計方法を示すフローチャートである。このような半導体装置のレイアウト設計は、コンピュータを用いた自動配置配線により行われる。
【0026】
まず、ステップS11において、ダミーパターン発生禁止領域を設定する。ダミーパターン発生禁止領域の設定は、例えば、配置配線プログラムにおいて用いられるパターンデータの所定の層に、ダミーパターン発生禁止領域枠を入力することにより行う。
【0027】
次に、ステップS12において、ダミーパターン発生禁止領域を除いて、複数の回路ブロックを含む半導体装置の配置・配線を行う。
次に、ステップS13において、回路ブロックが配置されなかった領域において、複数のダミーセルを仮配置する。
【0028】
次に、ステップS14において、ダミーパターン発生禁止領域と仮配置されたダミーセルとのANDを取り、両者が重なる領域の面積を求める。
次に、ステップS15において、ダミーパターン発生禁止領域とダミーセルとが重なる領域の面積がゼロか否かをチェックし、重なる領域の面積がゼロでなければ処理をステップS16に移し、重なる領域の面積がゼロであれば処理を終了する。
【0029】
ステップS16において、ダミーパターン発生禁止領域と重なる領域の面積がゼロより大きいダミーセルを削除し、処理を終了する。その結果、ダミーパターン発生禁止領域の境界を画定する直線に接するように形成されたダミーパターンを、削除しないで残すことができる。
【0030】
次に、図1に示す半導体装置のレイアウトを設計するための、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の設計方法について説明する。図3は、この設計方法を示すフローチャートである。
【0031】
まず、ステップS21において、ダミーパターン発生禁止領域を設定する。
次に、ステップS22において、複数の回路ブロックを含む半導体装置の配置・配線を行う。
【0032】
次に、ステップS23において、回路ブロックが配置されなかった領域において、ダミーパターン発生禁止領域を除いて、複数のダミーセルを配置する。その際、ダミーパターン発生禁止領域に接しても良いという条件下で、複数のダミーセルを配置する。その結果、ダミーパターン発生禁止領域の境界を画定する直線に接するように形成されたダミーパターンを、削除しないで残すことができる。
【0033】
次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置について説明する。図4は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の一部を示す図である。図4において、半導体装置は、第1層目の配線層が形成された状態となっている。半導体基板10には、IPブロック30が配置されている。なお、IPブロックとは、知的財産権(Intellectual Property)が語源であるが、半導体装置の分野においては、電子回路の機能ブロック(コアともいう)を指す。より詳細には、IPブロックとは、プロセッサ、DSP(Digital Signal Processor)、メモリ、入出力回路といった電子回路を含む機能ブロックである。近年において、半導体装置(特に、システムLSI)を設計するには、このようなIPブロックの設計データをライブラリ化して社内で再利用したり、IPプロバイダと呼ばれる供給業者から購入したりすることが行われている。
【0034】
IPブロック30内には、所望の機能を実現する回路ブロックを構成する複数のセル11が配置されている。従来は、IPブロック30内にダミーパターンは配置されなかったが、本実施形態においては、IPブロック30内に複数のダミーセル12a〜12cのダミーパターンが配置されている。
【0035】
ここで、既に評価が行われたIPブロックを配置した後にIPブロックの内部にダミーパターンを配置すると、特にIPブロックに含まれるアナログ回路の特性が評価時における特性と異なってしまうおそれがある。そこで、本実施形態においては、ダミーセル12a〜12cのダミーパターンが配置された後に評価が行われたIPブロックを予め登録しておき、これを用いることにより半導体装置の配置・配線が行われている。これにより、従来よりも広い領域にダミーパターンを配置し、半導体基板10上に形成される層の厚さを均一に近付けることができる。
【0036】
次に、図4に示す半導体装置のレイアウトを設計するための、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置の設計方法について説明する。図5は、この設計方法を示すフローチャートである。
【0037】
まず、ステップS31において、ダミーセルを有するIPブロックの設計データを作成する。
次に、ステップS32において、ダミーセルを有するIPブロックの評価を行う。IPブロックの評価には、機能評価やアナログ回路の特性評価等が含まれる。
【0038】
次に、ステップS33において、ダミーセルを有するIPブロックの設計データをライブラリに登録する。
次に、ステップS34において、ライブラリに登録されたIPブロックの設計データを用いて、半導体装置の配置・配線を行う。
【0039】
このように、本実施形態においては、予めダミーセルを有するIPブロックの設計データを作成し、IPブロックの評価を行って登録しておく。ダミーセルを有しないIPブロックを配置した後でIPブロック内にダミーパターンを配置すると、アナログ回路等の特性が変化してしまうことがあるが、本実施形態によれば、このような心配なく、IPブロック内にダミーパターンを設けることができる。なお、本実施形態において、複数のIPブロックを配置すると共に、複数のIPブロック間の領域にダミーセルを配置するようにしても良い。
【0040】
次に、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置について説明する。図6は、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置の一部を示す図である。図6において、半導体装置は、第1層目の配線層が形成された状態となっている。半導体基板10には、IPブロック40が配置されている。
【0041】
IPブロック40内には、所望の機能を実現する回路ブロックを構成する複数のセル11が配置されている。また、IPブロック40内には、複数のダミーセル12a〜12cのダミーパターンが配置されており、さらに、IPブロック40の境界を画定する直線を跨いで、ダミーセル12d及び12eのダミーパターンが配置されている。
【0042】
このように、本実施形態に係る半導体装置においては、IPブロック40内にダミーセル12a〜12cのダミーパターンを配置するとともに、IPブロック40の枠上にダミーセル12d及び12eのダミーパターンを配置することより、図4に示す半導体装置と比較して、半導体基板10上に形成される層の厚さをより均一にすることができる。
【0043】
次に、図6に示す半導体装置のレイアウトを設計するための、本発明の第4の実施形態に係る半導体装置の設計方法について説明する。図7は、この設計方法を示すフローチャートである。
【0044】
まず、ステップS41において、ダミーセルを有するIPブロックの設計データを作成する。ここでは、IPブロックの枠上に配置しても良いという条件下で、ダミーセルを配置したIPブロックの設計データを作成する。図8は、このようにして作成されたIPブロック40のレイアウトの一例を示す図である。図8に示すように、IPブロック40内には、ダミーセル12a〜12cが配置され、さらに、IPブロック40の枠上に、ダミーセル12f及び12gが配置されている。
【0045】
次に、ステップS42において、IPブロックの枠上に配置されたダミーセルのIPブロックの枠の外側の部分を削除する。図9は、IPブロック40の枠上に配置されたダミーセル12f及び12gのIPブロック40の枠の外側の部分を削除した不完全なダミーセルを示す図である。
【0046】
次に、ステップS43において、図9に示すような不完全なダミーセルを有するIPブロックの評価を行う。また、ステップS44において、図9に示すような不完全なダミーセルを有するIPブロックの設計データをライブラリに登録する。
次に、ステップS45において、ライブラリに登録されたIPブロックの設計データを用いて、半導体装置の配置・配線を行う。
【0047】
次に、ステップS46において、IPブロックの枠の外側の部分を削除された不完全なダミーセルを完全なダミーセルに修正する。ここで、不完全なダミーセルの完全なダミーセルへの修正は、不完全なダミーセル上に完全なダミーセルを重ねて配置することにより行うことができる。図10は、IPブロック40を配置し、さらに、不完全なダミーセル12f及び12g上に完全なダミーセル12d及び12eを重ねて配置した半導体装置のレイアウトの一部を示す図である。
【0048】
あるいは、不完全なダミーセルの完全なダミーセルへの修正は、不完全なダミーセルの削除された部分を補うダミーセルを補充することにより行っても良い。図11は、IPブロック40を配置し、さらに、不完全なダミーセル12f及び12gの削除された部分を補うダミーセル12h及び12iを配置することにより完全なダミーセルを形成した半導体装置のレイアウトの一部を示す図である。
【0049】
このように、本実施形態に係る半導体装置の設計方法によれば、IPブロックの境界を画定する直線を跨いで、ダミーセルを配置することができる。
【0050】
なお、本実施形態において、複数のIPブロックを配置し、さらに、複数のIPブロック間の領域にダミーセルを配置するようにしても良い。その際に、複数のIPブロック間の領域に配置されたダミーセルとIPブロックの枠上に配置されたダミーセルとが重なる場合には、例えば、複数のIPブロック間の領域に配置されたダミーセルを削除するようにすれば良い。
【0051】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、従来よりも広い領域にダミーパターンを配置することにより、基板上に形成される層の厚さを均一に近付けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の一部を示す平面図である。
【図2】 本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の設計方法を示すフローチャートである。
【図3】 本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の設計方法を示すフローチャートである。
【図4】 本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の一部を示す平面図である。
【図5】 本発明の第3の実施形態に係る半導体装置の設計方法を示すフローチャートである。
【図6】 本発明の第3の実施形態に係る半導体装置の一部を示す平面図である。
【図7】 本発明の第4の実施形態に係る半導体装置の設計方法を示すフローチャートである。
【図8】 本発明の第4の実施形態に係る半導体装置の設計方法により作成途中のIPブロックのレイアウトを示す図である。
【図9】 本発明の第4の実施形態に係る半導体装置の設計方法により作成されたIPブロックのレイアウトを示す図である。
【図10】 本発明の第4の実施形態に係る半導体装置の設計方法により作成されたIPブロックを用いた半導体装置のレイアウトの一例を示す図である。
【図11】 本発明の第4の実施形態に係る半導体装置の設計方法により作成されたIPブロックを用いた半導体装置のレイアウトの他の例を示す図である。
【符号の説明】
10 半導体基板
11 セル
12a、12b、12c、・・・ ダミーセル
20 ダミーパターン発生禁止領域
30、40 IPブロック
Claims (5)
- コンピュータを用いて半導体装置のレイアウトを設計する方法であって、
ダミーパターンを含む機能ブロックの設計データを作成するステップ(a)と、
ステップ(a)において作成された前記設計データに基づいて、前記機能ブロックの評価を行うステップ(b)と、
ステップ(a)において作成された前記設計データを用いて、前記機能ブロックを含む前記半導体装置の配置・配線を行うステップ(c)と、
前記半導体装置のレイアウトにダミーパターン発生禁止領域を設定し、前記ダミーパターン発生禁止領域を除く領域にダミーセルを配置するステップ(d)と、
を具備し、
前記ダミーパターン発生禁止領域が前記機能ブロックの配置される領域を含むことを特徴とする設計方法。 - 前記ステップ(d)が、前記ダミーセルが前記ダミーパターンを含む機能ブロックと重なる領域の面積がゼロより大きい場合に、該当する前記ダミーセルを削除することを含む、請求項1に記載の設計方法。
- コンピュータを用いて半導体装置のレイアウトを設計する方法であって、
境界線を跨いで形成され複数のダミーパターンを含むダミーセルを有する機能ブロックの設計データを作成するステップ(a)と、
ステップ(a)において作成された前記設計データにおいて、前記ダミーセルとして形成された完全なダミーセルから前記機能ブロックの境界線からはみ出た前記ダミーセルの部分を削除するステップ(b)と、
ステップ(b)において得られた前記設計データに基づいて、前記機能ブロックの評価を行うステップ(c)と、
ステップ(b)において得られた前記設計データを用いて、前記機能ブロックを含む前記半導体装置の配置・配線を行うステップ(d)と、
前記機能ブロックの境界線からはみ出た部分が削除された不完全なダミーセルを前記完全なダミーセルに修正するステップ(e)と、
を具備する設計方法。 - 前記ステップ(e)が、前記不完全なダミーセルの上に前記完全なダミーセルを配置することを含む、請求項3記載の設計方法。
- 前記ステップ(e)が、前記不完全なダミーセルの削除された部分を補うダミーセルを配置することを含む、請求項3記載の設計方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002043962A JP4269559B2 (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 半導体装置及びその設計方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002043962A JP4269559B2 (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 半導体装置及びその設計方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009003291A Division JP4947064B2 (ja) | 2009-01-09 | 2009-01-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003243510A JP2003243510A (ja) | 2003-08-29 |
JP4269559B2 true JP4269559B2 (ja) | 2009-05-27 |
Family
ID=27783548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002043962A Expired - Fee Related JP4269559B2 (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 半導体装置及びその設計方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4269559B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4488837B2 (ja) | 2004-08-20 | 2010-06-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置並びにそのパターン設計方法及びパターン設計用プログラム |
JP4747845B2 (ja) * | 2006-01-11 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | パターン生成方法 |
JP5100405B2 (ja) | 2008-01-16 | 2012-12-19 | 株式会社東芝 | データベースの作成方法およびデータベース装置 |
-
2002
- 2002-02-20 JP JP2002043962A patent/JP4269559B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003243510A (ja) | 2003-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3311244B2 (ja) | 基本セルライブラリ及びその形成方法 | |
JP3916462B2 (ja) | 集積回路の位相シフトおよびトリム・マスクを決定する方法および装置 | |
US8327301B2 (en) | Routing method for double patterning design | |
JP3993545B2 (ja) | パターンの作製方法、半導体装置の製造方法、パターンの作製システム、セルライブラリ、フォトマスクの製造方法 | |
US7353492B2 (en) | Method of IC fabrication, IC mask fabrication and program product therefor | |
US7784015B2 (en) | Method for generating a mask layout and constructing an integrated circuit | |
US7859111B2 (en) | Computer implemented method for designing a semiconductor device, an automated design system and a semiconductor device | |
US8739078B2 (en) | Near-neighbor trimming of dummy fill shapes with built-in optical proximity corrections for semiconductor applications | |
CN105488244B (zh) | 用于设计半导体装置的方法和*** | |
US8875067B2 (en) | Reusable cut mask for multiple layers | |
JP5058003B2 (ja) | フォトマスクデータ検証用半導体セル、半導体チップ、及びフォトマスクデータ検証方法 | |
JP2008078467A (ja) | 特定用途向け半導体集積回路及びその製造方法 | |
JP4269559B2 (ja) | 半導体装置及びその設計方法 | |
JP4469539B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
KR20020065851A (ko) | 광 근접 효과 보정 방법 | |
JP4947064B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100295869B1 (ko) | 마스크 제조방법 | |
JP4402225B2 (ja) | パタンデータの作成方法および付加パタン付きフォトマスクの描画方法 | |
JP2575458B2 (ja) | 露光用マスクの作成方法 | |
JP2006049782A (ja) | 半導体集積回路装置のレイアウト方法 | |
JP2007036290A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR100541550B1 (ko) | 배선 포토 마스크들 및 그를 이용한 반도체 장치의제조방법들 | |
JP2008299259A (ja) | フォトマスク欠陥判定方法 | |
JP2008153306A (ja) | 半導体集積回路、ならびにその設計方法および設計プログラム | |
JP3133718B2 (ja) | レイアウト方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040909 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070130 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080115 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080314 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080805 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080922 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20081016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081111 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090203 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090216 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130306 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140306 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |