JP4252896B2 - リソグラフィ処理のためのレーザスペクトルエンジニアリング - Google Patents
リソグラフィ処理のためのレーザスペクトルエンジニアリング Download PDFInfo
- Publication number
- JP4252896B2 JP4252896B2 JP2003516804A JP2003516804A JP4252896B2 JP 4252896 B2 JP4252896 B2 JP 4252896B2 JP 2003516804 A JP2003516804 A JP 2003516804A JP 2003516804 A JP2003516804 A JP 2003516804A JP 4252896 B2 JP4252896 B2 JP 4252896B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- spectrum
- pulse
- laser
- bandwidth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70325—Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
- G03F7/70333—Focus drilling, i.e. increase in depth of focus for exposure by modulating focus during exposure [FLEX]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/038—Electrodes, e.g. special shape, configuration or composition
- H01S3/0385—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/102—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
- H01S3/104—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/038—Electrodes, e.g. special shape, configuration or composition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/0404—Air- or gas cooling, e.g. by dry nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/041—Arrangements for thermal management for gas lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
- H01S3/08009—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08018—Mode suppression
- H01S3/08022—Longitudinal modes
- H01S3/08031—Single-mode emission
- H01S3/08036—Single-mode emission using intracavity dispersive, polarising or birefringent elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/0811—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
- H01S3/0812—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0971—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0975—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser using inductive or capacitive excitation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/102—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
- H01S3/1022—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation by controlling the optical pumping
- H01S3/1024—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation by controlling the optical pumping for pulse generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1055—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/1305—Feedback control systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
- H01S3/134—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/139—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/2207—Noble gas ions, e.g. Ar+>, Kr+>
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
- H01S3/2251—ArF, i.e. argon fluoride is comprised for lasing around 193 nm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
- H01S3/2256—KrF, i.e. krypton fluoride is comprised for lasing around 248 nm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
- H01S3/2258—F2, i.e. molecular fluoride is comprised for lasing around 157 nm
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lasers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
レーザは、多くの用途に使用されている。例えば、KrFエキシマレーザ及びArFエキシマレーザのようなレーザは、半導体ウェーハ製造工程においてフォトレジストを選択的に露光させるためのステッパ及びスキャナ機器で使用されている。このような製造工程において、ステッパ及びスキャナの光学器械は、レーザの特定の波長を対象にして設計される。レーザ波長は、経時的にドリフトすることがあり、従って、一般的に、フィードバックネットワークを使用してレーザの波長を検出し、必要に応じて波長を補正する。
ステップ及びスキャンの両方と、同じくステップ及び反復照射の実施によるこの「FLEX」法から幾つかの問題が生じている。多重通過照射は、付加的な重複(画像配置)誤差及び画像ぼけをもたらす。これには、多重照射が多重投影通過を必要とすることから、処理範囲、焦点反復性、及び、ウェーハ処理能力に関する更に別の意味合いがある。
波長及び帯域幅変化の影響のシミュレーションが本出願人により行われた。色補正のないレンズの場合の照射波長を変更する主な影響は、焦点面の位置の変化である。波長のかなり広い範囲に亘って、焦点のこの変化は、公称波長(照射スペクトルの中心波長)の変化についてはほぼ直線的である。レンズの波長応答は、レーザの中心波長を手で変更し、ステッパの撮像センサを使用して得られる焦点の移動をモニタすることにより実験的に判断することができる。図1Aは、このような測定の例を示す。
以下に詳細に説明する波長及び帯域幅モニタリング機器と波長同調機器とにより、レーザビームの帯域幅制御が可能になる。第1の実施形態において、同調ミラーは、狭すぎる帯域幅を所望の値を有する効果的な帯域幅に基本的に広げるために、所望の周波数及び振幅でディザリングされる。
この技術は、図5及び図6に示す波長計104による帯域幅のモニタリングを伴う。帯域幅が所望の帯域幅を下回る場合、パルスのウィンドウ上の平均積分スペクトルが、所望の波長を近似する帯域幅を有する一定のスペクトルをほぼシミュレートするように、波長制御機器を利用して図5に示すミラー14に頻繁な間隔でディザリングし、パルス間でスペクトルの非常に僅かな移動を生じさせる。
すなわち、スポットを照射するパルスの数が30パルスである場合、ディザ速度は、パルス繰返し率の少なくとも約1/4とすべきである。従って、パルス繰返し率が2000Hzの場合、ディザ速度は、好ましくは、少なくとも500Hzであろう。これは、先に言及した機器及びソフトウェアに関しては全く問題ではない。
図2Aは、約0.35pmのFWHM帯域幅を有するラインナロードKrF光源を使用する最新の0.6NAステッパ型リソグラフィに関する中心線波長による焦点変動を示す。また、図2Aは、正規化された強度対中心線波長からの偏りとしてプロットされたレーザスペクトルのプロットを含む。このシステムの焦点対中心線波長の勾配は、−0.23μm/pmである。
本出願人は、リソグラフィック投影の実質的な改良は、本出願人により開発されたスペクトルエンジニアリング技術を用いて行うことができることを示した。本出願人は、この技術を、「レーザスペクトル調節式照射による解像度強化」の頭文字を取って「RELAX」と称している。これらの技術において、ウェーハは、単一の照射期間中に2つ又はそれ以上の特定の狭帯域中心線波長で照射される。これにより、先に言及したディザ技術を凌ぐより良い結果が得られる。これらの結果は、本明細書の背景技術の節で論じた「FLEX」技術と似通っているが、本出願人の技術では、リソグラフィ機器の位置決めは1回しか行われないことから「FLEX」を凌ぐ大きな改良点となっている。従って、この機器の調節に付随する誤差が回避されている。
本出願人が行ったシミュレーションの結果は、フォトレジストフィルム内の解像度を改善させるための2重モード照射スペクトルの使用に関する概念を証明するものである。この2重モードシミュレーション作業において、本出願人は、200nm隔離、半濃密(1:2)、及び濃密(1:1)コンタクトホールパターンに対する処理パラメータをシミュレートした。バイナリ(ガラス上のクロム)レチクルパターン、及びKrF照射中心波長(λ0=248.385nm)での従来の照射(例えば、0.7の数値開口度NA及び0.75シグマを有するステッパシステム)をこのシミュレーションでモデリングした。フォトレジストは、投影パターンの得られた解像度強化を定量化するために、AR2底部反射防止被覆上のUV6、5200A成型厚みとしてモデリングされた。シミュレーション入力として使用された2重モードスペクトルを図2Bに示す。この場合、スペクトルは、単一モード(公称)スペクトル(帯域幅:FWHM=0.45pm、E95%=1.86pm)と、4pmの波長オフセットを有するそのコピーとの加え合わせにより発生される。S(λ)が公称(0.45pm/1.86pmFWHM/E95%)スペクトルのスペクトル密度関数を表す場合、2重ピーク「RELAX」スペクトル[SRELAX(λ)]のスペクトル密度は、SRELAX(λ)=S(λ)+S(λ+4pm)と表すことができる。このようなスペクトル特性を実際に発生させるための技術については、次の節で論じる。このモデルで使用された縦方向焦点面対中心波長の勾配は、図2Aに示す−0.225μm/pmである。
本出願人は、図2E及び図2Fに示すように、このスペクトルエンジニアリングに必要とされる波長制御の技術の実行可能性を実証した。図5Aに示すPZT駆動装置80は、各パルスを4.0pmのプラス又はマイナスの段階で調節するために、120Hzで作動するKrFレーザの波長を制御するようにプログラムされた。図6に示す波長計フォトダイオードアレー180に記録された積算強度値は、図2Eにプロットされている。このプロットは、4.0pmの中心線波長移動に対応するピクセル450及び618において鋭いピークを示している。
類似の結果を図2Fに示すが、PZT駆動装置は、120Hzのレーザパルス繰返し率の半分の周波数において波長を約2pmだけ変化させるために正弦波で駆動される。
スペクトルエンジニアリングの背景にある基本的な概念は、リソグラフィシミュレーションを用いて、所定のパラメータの最大限の改善をもたらすことになる最適スペクトル形状を判断することである。特定の例においては、リソグラフィシミュレーションは、図2G1、図2G2、及び図2G3に示す2つの2モード照射スペクトル及び3つの3モード照射スペクトルに対してもたらされる。これらの例において、最大化されるパラメータは、150nm濃密ラインに対する焦点深度である。図2H1から、2つの2重ピークスペクトル(3pm及び4pm分離)は、焦点ぼけに対する感応度が最も低く、従って最大焦点深度を有することが分る。焦点深度は変化するので、スペクトルの変更(単色から3モード又は2モード照射スペクトルへの変更)は、DOFの大幅な(最大2x)改善をもたらすように見える。このことだけから、3pm又は4pmのいずれかの2重モード照射は、これらの形態の投影に最適なようである。
パルスエネルギ、波長、及び帯域幅の制御
従来技術による装置においては、パルスエネルギのフィードバック制御は、パルス間ベースであり、即ち、得られたデータがすぐ次のパルスのエネルギを制御するために制御アルゴリズムで使用することができるように、各パルスのパルスエネルギが十分迅速に測定された。1,000Hzシステムの場合、これは、測定と次のパルスの制御との所要時間が、1/1000秒よりも短くなければならないことを意味する。4000Hzシステムの場合、その4倍の速さである必要がある。中心波長の制御と波長及び帯域幅測定とに対する技術は、「レーザビーム波長を制御するシステム及び方法」と題した米国特許第5,025,455号、及び、「エキシマレーザに対する波長及びシステム」と題した米国特許第5,978,394号で説明されている。これらの特許は、本明細書において引用により組み込まれる。
波長及び帯域幅は、パルス毎にパルス間ベースで測定されてきたが、一般的に、レーザのフィードバック制御は、中心波長を制御する従来技術の所要時間が数ミリ秒であるために約7ミリ秒掛かる。従って、より速い制御が必要である。
本発明の好ましい実施形態は、ArFレーザビームパラメータの超高速測定、及び、パルスエネルギ及び中心波長の超高速制御により4,000Hzから6,000Hzの範囲の作動が可能なエキシマレーザシステムである。このレーザのビームパラメータの測定及び制御について以下で説明する。
本実施形態で使用される波長計は、米国特許第5,978,394号で説明されているものと非常に類似のものであり、以下の説明の一部は、その特許から抜粋されている。
図6は、好ましい波長計ユニット104、絶対波長基準較正ユニット190、及び波長計プロセッサ197の配置を示す。
これらのユニット内の光学機器は、パルスエネルギ、波長、及び帯域幅を測定する。これらの測定は、パルスエネルギ及び波長を所望の限界値内に維持するために、フィードバック回路と共に使用される。この機器は、レーザシステム制御プロセッサからの指令で原子基準ソースを参照して自己較正する。図6に示すように、レーザ出力ビームは、出力ビーム33としてビームエネルギの約95.5%を通過し、パルスエネルギ、波長、及び帯域幅測定のために約4.5%を反射する部分反射ミラー170と交差する。
反射されたビームの約4%は、4,000パルス/秒の繰返し数で発生する個々のパルスのエネルギを測定することができる超高速フォトダイオード69を備えたエネルギ検出器172にミラー171によって反射される。典型的なArFエキシマレーザに対するパルスエネルギは、約5mJであり、検出器69の出力は、コンピュータコントローラに供給され、コンピュータコントローラは、レーザ充電電圧を調節する専用アルゴリズムを使用し、個々のパルスのエネルギとパルスのバーストの積算エネルギとの変動を制限するために、保存されたパルスエネルギデータに基づいてその後のパルスエネルギを正確に制御する。
フォトダイオードアレー180は、図6Aに示すように、1024個の個別のフォトダイオード集積回路、及び、付随するサンプル及びホールド読み出し回路を備えた集積回路チップである。フォトダイオードは、全長25.6mm(約1インチ)となるように、25マイクロメートルピッチで配置される。各フォトダイオードは、500マイクロメートル長である。
このようなフォトダイオードアレーは、幾つかの供給元から販売されている。好ましい供給業者は、ハママツである。好ましい実施形態においては、1024ピクセルの走査を漏れなく4,000Hz又はそれ以上の速度で読み取ることができるFIFO方式で最大4×106ピクセル/秒までの速度で読み取ることができる「モデルS3903−1024Q」を使用する。PDAは、2×106ピクセル/秒で作動するように設計されているが、本出願人は、はるかに高速、即ち、最大4×106ピクセル/秒で作動するようにオーバークロックすることができることを見出した。4,000Hzを上回るパルス繰返し数の場合、本出願人は、同じPDAを使用することができるが、通常は、毎回の走査で読み取られるピクセル数がそのうちの一部(60%など)だけである。
ミラー171を通るビームの約4%は、ミラー173により、スリット177を介してミラー174、ミラー175、及び再度ミラー174に、また、エシェル格子176に反射される。ビームは、458.4mmの焦点距離を有するレンズ178によって平行化される。格子176から反射した光は、レンズ178を通して戻され、再びミラー174及び175、及び再度174から反射され、その後、ミラー179から反射されて、図6Bの上部に示すように、ピクセル600からピクセル950の領域にある1024ピクセル線形フォトダイオードアレー180の左側上に集束される(ピクセル0から599は、精密波長測定及び帯域幅用に保留されている)。フォトダイオードアレー上でのビームの空間的位置は、出力ビームの相対的な公称波長のおおざっぱな目安である。例えば、図6Bに示すように、約193.350pmの波長範囲の光であれば、ピクセル750及び隣接するピクセル上に集束されるであろう。
波長計モジュール120の粗波長光学器械は、フォトダイオードアレー180の左側に約0.25mm×3mmの矩形の画像を生成する。10個又は11個のフォトダイオードに光が当った場合、受けた照明(図6Cに示すように)の強度に比例して信号が発生し、信号は、波長計コントローラ197内のプロセッサによって読み取られてデジタル化される。この情報及び補間アルゴリズムを使用して、コントローラ197は、画像の中心位置を算出する。
λ=(2.3pm/ピクセル)P+191,625pm
ここで、P=粗い画像中心位置である。
代替的に、必要に応じて、「+( )P2」のような2次項を追加することによって更なる精度を追加することができるであろう。
図6に示すミラー173を通るビームの約95%は、ミラー182から反射されてレンズ183を通り、エタロンアセンブリ184に対する入力部の拡散器(好ましくは「改良エタロン」と題した以下の区域で説明する回折拡散器)上に至る。エタロン184を出るビームは、エタロンアセンブリ内の458.4mm焦点距離レンズによって集束され、図6に示す2つのミラーから反射した後に線形フォトダイオードアレー180の中央及び右側で干渉縞を生成する。
1)PDA180が2.5MHzで作動するようにクロック調節された状態で、PDA180は、4,000Hzの走査速度で1ピクセルから600ピクセルでデータを収集し、100Hzの速度で1ピクセルから1028ピクセルを読み取るようにプロセッサ400によって指令される。
2)PDA180によって生成されたアナログピクセル輝度データは、アナログ/デジタル変換器410によってアナログ輝度値からデジタル8ビット値(0から255)に変換され、デジタルデータは、フォトダイオードアレー180の各ピクセルにおける輝度を表す8ビット値としてRAMバッファ408に一時的に記憶される。
3)プログラム可能論理装置402は、ほとんどリアルタイムでRAMバッファ408を通って連続的に出てくるデータを分析して縞を捜し、全てのデータをRAMメモリ406に記憶し、各パルスについて全ての縞を識別し、各パルスについて縞表を生成してRAM406に全ての表を記憶し、更なる分析のために、各パルスについて2つの縞からなる1つの最良の組を識別する。論理装置402によって使用される技術は、以下の通りである。
B)PLD402は、その後、後続のピクセル輝度をモニタして縞のピークを捜す。これは、輝度が閾値輝度を下回るまで最高輝度値を追跡することによりこれを行う。
C)閾値を下回る値を有するピクセルが見つかると、PLDは、それを立下りピクセル数と識別して最大値を保存する。その後、PLDは、立下りピクセル数から立上りピクセル数を引くことによって縞の「幅」を計算する。
D)立上りピクセル数、最大縞輝度、最小縞輝度、及び縞の幅という4つの値は、RAMメモリバンク406の縞区域の円形表に記憶される。大半のパルスは、2つのウィンドウに2つから5つの縞を生成するにすぎないが、各パルスについて最大15個までの縞を表すデータを記憶することができる。
E)PLD402はまた、各パルスについて、各パルスの「最良の」2つの縞を識別するようにプログラムされる。それは、完全に0から199のウィンドウ内で最終縞を、また、完全に400から599のウィンドウ内で第1の縞を識別することによってこれを行う。
すなわち、縞最大値から縞最小値を引き、その差を2で割ってその結果を縞最小値に加えることにより、最大値の半値を求める。2つの縞の各立上り及び各立下りに対して、2つのピクセルは、最大値の半値を上回る最も近い値、及び最大値の半値を下回る最も近い値を有する。次に、マイクロプロセッサは、各場合において2つのピクセル値間で外挿し、図6Dに示すように、1/32ピクセルの正確さでD1及びD2という終点を形成する。これらの値から、円形縞の内径D1及び外径D2が判断される。
精密な波長計算は、粗波長測定値とD1及びD2の測定値とを使用して行われる。
波長の基本方程式は、以下の通りである。
λ=(2*n*d/m)cos(R/f) (1)
ただし、
λは、ピコメートル単位の波長であり、
nは、エタロンの内部屈折率で約1.0003であり、
dは、エタロン間隔で、KrFレーザの場合は約1542um、ArFレーザの場合は約934μmであって、±1umに制御され、
mは、次数であって縞ピークでの波長の整数、約12440であり、
Rは、縞半径で、1ピクセルを25ミクロンとすると、130から280PDAピクセルであり、
fは、レンズからPDA面までの焦点距離である。
cos項を展開して無視できるほど小さい高次の項を捨てると、以下を得る。
λ=(2*n*d/m)[1−(1/2)(R/f)2] (2)
直径D=2*Rを用いて方程式を書き直すと、
λ=(2*n*d/m)[1−(1/8)(D/f)2] (3)
FRAC=[1−(1/8)(D/FD)2] (4)
内部的には、FRACは、基数点が最上位ビットの左にある符号なしの32ビット値として表される。FRACは、常に1をほんのわずかだけ下回るので、そこで最大の精度が得られる。FRACは、{560〜260}ピクセルのD範囲については、[1−120E−6]から[1−25E−6]の範囲である。
FWL=FRAC*2ND/m (5)
m=最も近い整数(FRAC*2ND/CWL) (6)
最も近い整数を取ることは、古い方法で粗波長に最も近い精密な波長に到達するまでFSRを加算又は減算することと同等のことである。方程式(4)、次に方程式(6)、及びその後に方程式(5)を解くことによって波長を計算する。内径及び外径については、個別にWLを計算する。平均値がライン中心波長、また、その差がライン幅である。
レーザの帯域幅は、(λ2−λ1)/2として計算される。真のレーザ帯域幅に追加されるエタロンピークの固有幅を説明するために、固定補正係数が適用される。数学的には、逆重畳アルゴリズムが、エタロン固有幅を測定された幅から除外する形式的な方法であるが、これは、あまりも計算負荷が大きいと考えられるので、固定補正Δλεを差し引くことになり、これは十分な精度をもたらす。従って、帯域幅は、以下のようになる。
Δλ=((D2−D1)/2)−Δλε
Δλεは、エタロン仕様及び真のレーザ帯域幅の両方に依然する。それは、一般的に、本明細書で説明する用途では、0.1〜1pmの範囲内である。
この実施形態は、改良エタロンを利用する。従来のエタロン装着法では、一般的に、光学要素を周囲構造体に取り付け、光学要素の位置を制限するが光学要素に掛かる力を最小限に抑えるためにエラストマーが使用される。このために一般的に使用される合成物は、室温加硫シリコーン(RTV)である。しかし、これらのエラストマーから放出される様々な有機蒸気は、光学面上に堆積し、その結果、その性能が落ちる可能性がある。エタロン性能寿命を長引かせるために、いかなるエラストマー合成物も含まない密封筐体にエタロンを取り付けることが望ましい。
図6Hは、エタロンを貫通する光の強度をより一層低減させる好ましい実施形態の特徴を示す。この実施形態は、先に論じた実施形態と類似のものである。ミラー182からサンプルビーム182(約15mm×3mm)は、集光レンズ400を上方に通過し、次に、レンズ402によって再平行化される。ここで平行化されて寸法的に約5mm×1mmに低減されたサンプルビームは、エタロンハウジングウィンドウ404を通過し、次に、この場合(ArFレーザに対して)、米国アラバマ州ハンツビル所在のメムズ・オプティカル・インコーポレーテッドによって供給される回折拡散要素である回折拡散要素406を通過する。回折拡散要素は、部品番号D023−193であり、任意の断面構成を有するいかなる到来平行化ビーム内の実質的に全ての193nmの光を、2°の第1の方向で、また、第1の方向に垂直な4°の第2の方向で拡大するビームに変換する。次に、レンズ410は、拡大しているビームを図6に示すフォトダイオードアレー180を覆う矩形のパターン上に「集束させる」。フォトダイオードアレーの活性区域は、約0.5mm幅×25.6mm長であり、レンズ410によって形成されたスポットパターンは、約15mm×30mmである。回折拡散要素は、ビームの空間成分を十分に混合させるが、エタロンを貫通する光を実質的に低減させて効率的に利用することができるように、ビームエネルギの実質的に全てを2°及び4°の限界値内に維持する。エタロンを貫通するビームエネルギの更なる低減は、フォトダイオードアレーの短い寸法方向のスポットパターンを低減すれば実現できることが認識されるべきである。しかし、15mmよりも小さくなる低減ば、光学的位置合わせが更に難しいものになる。従って、設計担当者は、スポットパターンの大きさは、妥協点の問題であると考えるべきである。
他の好ましい実施形態において、ビームは、レンズ400及び402の間に集束させることができるであろう。適切なレンズは、この場合、公知の光学的技術を用いて選択されると考えられる。
上述の通り、各パルスのパルスエネルギの測定結果に基づいて、その後のパルスのパルスエネルギは、本明細書において引用により組み込まれる、「エキシマレーザのパルスエネルギ制御」と題した米国特許第6,005,879号で全て説明されているように、所望のパルスエネルギと、特定数のパルスの所望の総積算線量も維持するように制御される。
レーザの波長は、波長の測定値と、本明細書において引用により組み込まれる、「エキシマレーザに対する波長システム」と題した米国特許第5,978,394号で説明されている技術などの従来技術における公知の技術とを用いてフィードバック構成で制御することができる。本出願人は、近年、同調ミラーの超高速運動をもたらすために圧電ドライバを利用する波長同調用の種々の技術を開発した。これらの技術の一部は、本明細書において引用により組み込まれる、2000年6月30日出願の「レーザ用帯域幅制御技術」と題した米国特許出願一連番号第608,543号で説明されている。図8A及び図8Bは、その出願から抜粋されたものであり、この技術の主要要素を示す。超高速ミラー調節には圧電スタックが使用され、より大きくよりゆっくりとした調節は、レバーアームを作動させる従来技術によるステッパモータによって行われる。この圧電スタックは、レバーアームの支点の位置を調節するものである。
圧電ドライブを使用した詳細設計
図5は、出力レーザビームの波長及びパルスエネルギを制御するために重要なレーザシステムの特徴を示すブロック図である。示されているのは、3点プリズムビーム拡大器と、同調ミラー14と、回折格子とを含むラインナローイングモジュール15Kである。波長計104は、出力ビーム波長をモニタし、以下に説明するステッパモータ及びPZTスタックの作動によって同調ミラー14の位置を制御するLNPプロセッサ106にフィードバック信号を供給する。作動波長は、レーザコントローラ102によって選択することができる。また、パルスエネルギは、波長計104において測定され、波長計は、先に説明したフィードバック構成でパルスエネルギを制御するためにコントローラ102によって使用される信号を供給する。図5Aは、PZTスタック80、ステッパモータ82、ミラー14、及びミラーマウント86を示すブロック図である。
図8B2は、図8B1に示すものとは若干異なる好ましい実施形態である。この実施形態は、圧電ドライブをLNP内の環境から隔離するためにベローズ87を含む。この隔離によって、圧電要素の紫外線による損傷が防止され、圧電材料からの気体放出によって引き起こされる汚染の可能性が回避される。
図8Cは、図8B2の実施形態が装備されたレーザからの実際の試験データを示す。グラフは、平均30個のパルスウィンドウの目標波長からの移動をプロットしたものである。この移動は、約0.05pmから約0.005pmに低減される。
この実施形態は、先に説明したステッパモータ駆動システムと比較すると、大きなスピードアップであるが、パルス間の調節に対して十分な速さであるというわけではない。ミラー位置決めの以前の方法では、ミラー14を移動させるのに約7msが必要であり、2000Hzでのパルス間の波長補正を問題外にする。この以前の技術においては、レバーアームは、ステッパ位置の動きと比較してミラーの動きを1:26.5に低減させるためにピボット軸回りに回転していた。従来技術によるステッパは、1/2インチ(12.7mm)の総移動量と6000ステップとを有し、そのために、各ステップは、約2ミクロンの距離であった。1−26.5の低減を用いると、1つのステップで、ミラーは約75nm移動し、これによって、一般的にレーザ波長の波長が約0.1pm変化する。図12Aに示す速く作用する技術においては、圧電スタック80が、レバーアームのピボット位置に追加されている。好ましい圧電スタックは、ドイツのワルドブロン所在のフィジク・インストルメンテ・GmbHによって供給される「モデルP−840.10」である。このスタックであれば、20ボルトの駆動電圧の変化で約3.0ミクロンの直線的な調節を生み出すことになる。この範囲は、ステッパモータの約±20ステップと同等である。
本出願人は、所望のより広い帯域幅を達成するために「PZT」を制御する方法を調査した。以下は、これらの結果を達成するために本出願人により行われた解析の一例である。問題は、同調ミラーシステムの動特性によって濾過された時に所望の値を有する帯域幅をもたらす周期的電圧を「PZT」80に印加することである。
所望の波長値と実際の波長値との間の誤差をモニタしてリアルタイムで印加電圧を調節する方法が必要とされる。このような方法は、システムの非線形性又はモデルの不完全性により引き起こされる誤差を検出し、それらを補正することができるであろう。それはまた、いかなるドリフト動特性にも追随して、最適な周期的指令追随性を維持すると考えられる。
リアルタイムで所望の波長パターンrを発生させるために印加電圧uを判断して調節するいくつかの異なる方法を以下で説明する。
e=r−y (1)
実際の波長yは、以下の方程式により周期的入力uと関係付けられる。
図9Dは、図9Cの伝達関数を使用したシミュレーションを示す。上述と同様に、細線は、所望のパターンを表し、太線はレーザの実際の波長を表す。尚、相殺はもはや完全ではないが、収束は、全てのオーダーを含む場合に対して84%の減少である、わずか40msで達成される。
先の節で論じた理由から、中心線波長を変えて一連のパルスに対するより広い帯域幅をシミュレートするために「PZT」を制御する際には注意しなければならない。これは、周期的信号入力については、「PZT」制御式同調ミラーシステムの応答が線形ではないからである。「PZT」装置の見掛けの利得は、電圧入力が高くなるほど増加する。更に、たとえシステムが完全に線形であっても、その動特性は経時的に変わる可能性がある。初めに所望の波長及び帯域幅値を生成するシステムは、動特性が設計時点からドリフトするので、最終的に歪みの有る値を生み出すであろう。実際に、高周波数入力信号において、かなりの共鳴が一般的システムに存在している。図9A及び図9Cは、約50Hzよりも高い周波数での共鳴を相殺するために必要とされる減衰関数の一般的な形状を示す。
「PZT」ドライバは、実質的に任意の所望のスペクトルをシミュレートするようにプログラムすることができる。同調ミラー14を駆動する「PZT」で波長を正確に制御する技術のいくつかは、本明細書において引用により組み込まれる、2001年12月21日出願の「圧電ドライバによるレーザ波長制御」という名称の米国特許出願一連番号第10/027,210号で説明されている。例えば、図10Aは、「FWHM」3.3pmの所望のガウス分布スペクトルと、「FWHM」0.8pmを有する30パルスウィンドウのパルスに対するシミュレーションによる当てはめを示す。図10Bは、中心線波長がほぼ正弦波のパターンに追随する30パルスウィンドウに対する提案されたパルスシーケンスを示す。図10Cは、図10Bのような滑らかな波長シーケンスの周波数の内容をランダムシーケンスと比較したものである。図10D及び図10Eは、133Hz正弦パターン及び30パルスウィンドウ、及び、40Hz正弦波及び100パルスウィンドウの効果を示す。図10F及び図10Gは、扁平スペクトルを生成する方法を示す。
ミラーの位置が急激に変化すると実質的に非線形になることを理解すべきである。1つの解決法は、図10H及び図10Iに示すように、ミラーの動きをパルス繰返し率と同期させることであろう。
Claims (16)
- ラインナロードガス放電レーザを利用してリソグラフィ照射を準備する方法であって、
高速応答同調機構を使用して、パルスバースト内の実質的にすべてのレーザパルスの中心波長をパルス間ベースで調節し、一つの照射期間中に二以上の狭帯域中心波長を有する所望のレーザスペクトルを近似するパルスバーストに対する積分スペクトルを得る、というステップを有することを特徴とする方法。 - 前記パルスバーストは、約20パルス乃至400パルスの範囲の複数のパルスからなるものである請求項1に記載の方法。
- 前記パルスバーストは毎秒1000パルスを超える繰返し率として生成される、請求項1に記載の方法。
- 波長スペクトルを各パルスについて測定することを含む、請求項3に記載の方法。
- 各パルスについて測定された波長を、その後の1つ又はそれ以上のパルスの波長を制御するのに使用することを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記所望のレーザスペクトルは、2つ又はそれ以上の別々のピークを含むものである、請求項1に記載の方法。
- 前記2つ又はそれ以上のピークは少なくとも0.5ピコメートル分離されているものである、請求項6に記載の方法。
- 前記所望のスペクトルは、3つの別々のピークを含むものである、請求項6に記載の方法。
- ガス放電レーザと、
パルスバーストにおけるレーザパルスの中心波長を調節するよう動作して多重モード照射スペクトルを得て、これにより単一の照射期間中に2つ又はそれ以上の狭帯域中心波長で光源から届く光が照射される高速応答同調機構と、
を具備することを特徴とする微細リソグラフィ用光源装置。 - 前記高速応答同調機構は、圧電アクチュエータによって制御される同調ミラーを含んでいる、請求項9に記載の装置。
- 前記多重モード照射スペクトルは、選ばれた波長差だけ分離した二つの中心線波長を含むものである、請求項10に記載の装置。
- 前記多重モード照射スペクトルは、フォトレジストにおいて複数の焦点面を照射するよう選択されたものである、請求項11に記載の装置。
- 前記多重モード照射スペクトルは、複数の焦点面における空間画像の合計である空間画像を生成するよう選択されたものである、請求項12に記載の装置。
- 前記多重モード照射スペクトルは、選択された帯域幅を有する第一の単一モードスペクトルと、4pmの波長オフセットを伴う選択された帯域幅を有する第二の単一モードスペクトルとの加え合わせである、請求項13に記載の装置。
- 圧電アクチュエータに電圧を印加するよう動作する制御機構を更に備え、
所望の値を有する帯域幅の多重モードスペクトルとなるよう前記電圧が選択されている、請求項14に記載の装置。 - 前記圧電アクチュエータに印加されている電圧は変調されているものである、請求項15に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/918,773 US6671294B2 (en) | 1997-07-22 | 2001-07-27 | Laser spectral engineering for lithographic process |
US10/036,925 US6853653B2 (en) | 1997-07-22 | 2001-12-21 | Laser spectral engineering for lithographic process |
PCT/US2002/022190 WO2003011595A2 (en) | 2001-07-27 | 2002-07-11 | Laser spectral engineering for lithographic process |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004537176A JP2004537176A (ja) | 2004-12-09 |
JP2004537176A5 JP2004537176A5 (ja) | 2006-01-05 |
JP4252896B2 true JP4252896B2 (ja) | 2009-04-08 |
Family
ID=26713631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003516804A Expired - Lifetime JP4252896B2 (ja) | 2001-07-27 | 2002-07-11 | リソグラフィ処理のためのレーザスペクトルエンジニアリング |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6853653B2 (ja) |
EP (1) | EP1412182A4 (ja) |
JP (1) | JP4252896B2 (ja) |
AU (1) | AU2002355718A1 (ja) |
WO (1) | WO2003011595A2 (ja) |
Families Citing this family (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6853653B2 (en) * | 1997-07-22 | 2005-02-08 | Cymer, Inc. | Laser spectral engineering for lithographic process |
US6882674B2 (en) | 1999-12-27 | 2005-04-19 | Cymer, Inc. | Four KHz gas discharge laser system |
US6914919B2 (en) * | 2000-06-19 | 2005-07-05 | Cymer, Inc. | Six to ten KHz, or greater gas discharge laser system |
US7039086B2 (en) * | 2001-04-09 | 2006-05-02 | Cymer, Inc. | Control system for a two chamber gas discharge laser |
US7079564B2 (en) * | 2001-04-09 | 2006-07-18 | Cymer, Inc. | Control system for a two chamber gas discharge laser |
US7009140B2 (en) * | 2001-04-18 | 2006-03-07 | Cymer, Inc. | Laser thin film poly-silicon annealing optical system |
US7061959B2 (en) * | 2001-04-18 | 2006-06-13 | Tcz Gmbh | Laser thin film poly-silicon annealing system |
US20050259709A1 (en) | 2002-05-07 | 2005-11-24 | Cymer, Inc. | Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate |
US7088758B2 (en) * | 2001-07-27 | 2006-08-08 | Cymer, Inc. | Relax gas discharge laser lithography light source |
US7154928B2 (en) * | 2004-06-23 | 2006-12-26 | Cymer Inc. | Laser output beam wavefront splitter for bandwidth spectrum control |
US7830934B2 (en) * | 2001-08-29 | 2010-11-09 | Cymer, Inc. | Multi-chamber gas discharge laser bandwidth control through discharge timing |
US20050100072A1 (en) * | 2001-11-14 | 2005-05-12 | Rao Rajasekhar M. | High power laser output beam energy density reduction |
US7741639B2 (en) * | 2003-01-31 | 2010-06-22 | Cymer, Inc. | Multi-chambered excimer or molecular fluorine gas discharge laser fluorine injection control |
US7277188B2 (en) * | 2003-04-29 | 2007-10-02 | Cymer, Inc. | Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate |
US6829040B1 (en) | 2003-11-07 | 2004-12-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Lithography contrast enhancement technique by varying focus with wavelength modulation |
US7352791B2 (en) * | 2004-07-27 | 2008-04-01 | Corning Incorporated | Optical systems including wavefront correcting optical surfaces |
US20060114956A1 (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-01 | Sandstrom Richard L | High power high pulse repetition rate gas discharge laser system bandwidth management |
US7643522B2 (en) * | 2004-11-30 | 2010-01-05 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for gas discharge laser bandwidth and center wavelength control |
US7366219B2 (en) * | 2004-11-30 | 2008-04-29 | Cymer, Inc. | Line narrowing module |
JP4580338B2 (ja) * | 2004-12-23 | 2010-11-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、エキシマ・レーザ、およびデバイス製造方法 |
US7256870B2 (en) * | 2005-02-01 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for controlling iso-dense bias in lithography |
US20060222034A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Cymer, Inc. | 6 Khz and above gas discharge laser system |
US7653095B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-01-26 | Cymer, Inc. | Active bandwidth control for a laser |
US8379687B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-02-19 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser line narrowing module |
CN100526992C (zh) * | 2005-07-01 | 2009-08-12 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法及设备制造方法 |
US20070013889A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby having an increase in depth of focus |
US20070071047A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Cymer, Inc. | 6K pulse repetition rate and above gas discharge laser system solid state pulse power system improvements |
US7706424B2 (en) * | 2005-09-29 | 2010-04-27 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser system electrodes and power supply for delivering electrical energy to same |
US7317179B2 (en) * | 2005-10-28 | 2008-01-08 | Cymer, Inc. | Systems and methods to shape laser light as a homogeneous line beam for interaction with a film deposited on a substrate |
US7679029B2 (en) * | 2005-10-28 | 2010-03-16 | Cymer, Inc. | Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations |
US7321607B2 (en) * | 2005-11-01 | 2008-01-22 | Cymer, Inc. | External optics and chamber support system |
JP2007250947A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Canon Inc | 露光装置および像面検出方法 |
EP1850427A1 (de) * | 2006-04-29 | 2007-10-31 | Technomedica AG | Injektionssynchronisierung eines Gaslasers mit inkohärentem Licht zur Frequenzstabilisierung |
JP2007329432A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Canon Inc | 露光装置 |
JP5157004B2 (ja) * | 2006-07-04 | 2013-03-06 | 株式会社小松製作所 | 狭帯域化レーザのスペクトル幅調整方法 |
JP2008140956A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2009010231A (ja) | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US9766131B2 (en) * | 2008-02-21 | 2017-09-19 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | High accuracy, high precision, low drift, and concurrent wavelength measurement of a sweeping tunable laser |
US7756171B2 (en) * | 2008-10-21 | 2010-07-13 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser |
US7751453B2 (en) * | 2008-10-21 | 2010-07-06 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser |
US7720120B2 (en) * | 2008-10-21 | 2010-05-18 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser |
US8520186B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-08-27 | Cymer, Llc | Active spectral control of optical source |
JP5410396B2 (ja) | 2010-03-23 | 2014-02-05 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
US8837536B2 (en) | 2010-04-07 | 2014-09-16 | Cymer, Llc | Method and apparatus for controlling light bandwidth |
US9207119B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-12-08 | Cymer, Llc | Active spectral control during spectrum synthesis |
US9715180B2 (en) | 2013-06-11 | 2017-07-25 | Cymer, Llc | Wafer-based light source parameter control |
US10416471B2 (en) | 2016-10-17 | 2019-09-17 | Cymer, Llc | Spectral feature control apparatus |
US9997888B2 (en) | 2016-10-17 | 2018-06-12 | Cymer, Llc | Control of a spectral feature of a pulsed light beam |
US9835959B1 (en) | 2016-10-17 | 2017-12-05 | Cymer, Llc | Controlling for wafer stage vibration |
US9989866B2 (en) | 2016-10-17 | 2018-06-05 | Cymer, Llc | Wafer-based light source parameter control |
KR102428750B1 (ko) | 2017-10-19 | 2022-08-02 | 사이머 엘엘씨 | 단일의 리소그래피 노광 패스로 복수의 에어리얼 이미지를 형성하는 방법 |
DE102017126293A1 (de) * | 2017-11-09 | 2019-05-09 | Compact Laser Solutions Gmbh | Vorrichtung zur Verstellung eines optischen Bauelements |
US11287743B2 (en) | 2018-03-12 | 2022-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Control system and method |
JP7044894B2 (ja) | 2018-03-30 | 2022-03-30 | サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー | パルス光ビームのスペクトル特性選択及びパルスタイミング制御 |
US11803126B2 (en) | 2019-07-23 | 2023-10-31 | Cymer, Llc | Method of compensating wavelength error induced by repetition rate deviation |
CN115485625A (zh) * | 2020-05-20 | 2022-12-16 | 极光先进雷射株式会社 | 窄带化气体激光装置、波长控制方法和电子器件的制造方法 |
KR20230122610A (ko) * | 2020-12-24 | 2023-08-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 방법 |
EP4050416A1 (en) * | 2021-02-25 | 2022-08-31 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic method |
CN116982005A (zh) * | 2021-04-12 | 2023-10-31 | 极光先进雷射株式会社 | 谱波形的控制方法、激光装置、曝光装置和电子器件的制造方法 |
Family Cites Families (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4223279A (en) | 1977-07-18 | 1980-09-16 | Mathematical Sciences Northwest, Inc. | Pulsed electric discharge laser utilizing water dielectric blumlein transmission line |
US4455658A (en) | 1982-04-20 | 1984-06-19 | Sutter Jr Leroy V | Coupling circuit for use with a transversely excited gas laser |
US4883352A (en) | 1984-06-21 | 1989-11-28 | American Telephone And Telegraph Company | Deep-uv lithography |
US4785192A (en) * | 1984-06-21 | 1988-11-15 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Maintaining optical signals in prescribed alignment with respect to workpiece in movable equipment |
US4869999A (en) | 1986-08-08 | 1989-09-26 | Hitachi, Ltd. | Method of forming pattern and projection aligner for carrying out the same |
US4937619A (en) | 1986-08-08 | 1990-06-26 | Hitachi, Ltd. | Projection aligner and exposure method |
US4697270A (en) | 1986-08-27 | 1987-09-29 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Copper vapor laser acoustic thermometry system |
US4940331A (en) | 1986-09-24 | 1990-07-10 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Heterodyne laser instantaneous frequency measurement system |
US4798467A (en) | 1986-09-24 | 1989-01-17 | The United States Department Of Energy | Heterodyne laser instantaneous frequency measurement system |
US5315611A (en) | 1986-09-25 | 1994-05-24 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | High average power magnetic modulator for metal vapor lasers |
US5189678A (en) | 1986-09-29 | 1993-02-23 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Coupling apparatus for a metal vapor laser |
US4817101A (en) | 1986-09-26 | 1989-03-28 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Heterodyne laser spectroscopy system |
WO1989000779A1 (en) | 1987-07-17 | 1989-01-26 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Apparatus for controlling laser wavelength |
US4823354A (en) | 1987-12-15 | 1989-04-18 | Lumonics Inc. | Excimer lasers |
US5023884A (en) | 1988-01-15 | 1991-06-11 | Cymer Laser Technologies | Compact excimer laser |
US4959840A (en) | 1988-01-15 | 1990-09-25 | Cymer Laser Technologies | Compact excimer laser including an electrode mounted in insulating relationship to wall of the laser |
US5025446A (en) | 1988-04-01 | 1991-06-18 | Laserscope | Intra-cavity beam relay for optical harmonic generation |
US4881231A (en) | 1988-11-28 | 1989-11-14 | Kantilal Jain | Frequency-stabilized line-narrowed excimer laser source system for high resolution lithography |
JPH036011A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置製造用ウェーハ露光装置 |
IL91240A (en) | 1989-08-07 | 1994-07-31 | Quick Tech Ltd | Pulsed laser apparatus and systems and techniques for its operation |
US5025445A (en) | 1989-11-22 | 1991-06-18 | Cymer Laser Technologies | System for, and method of, regulating the wavelength of a light beam |
JPH0473926A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Fujitsu Ltd | 縮小投影露光装置 |
US5095492A (en) | 1990-07-17 | 1992-03-10 | Cymer Laser Technologies | Spectral narrowing technique |
US5471965A (en) | 1990-12-24 | 1995-12-05 | Kapich; Davorin D. | Very high speed radial inflow hydraulic turbine |
US5691989A (en) | 1991-07-26 | 1997-11-25 | Accuwave Corporation | Wavelength stabilized laser sources using feedback from volume holograms |
US5371587A (en) | 1992-05-06 | 1994-12-06 | The Boeing Company | Chirped synthetic wavelength laser radar |
JP3155837B2 (ja) | 1992-09-14 | 2001-04-16 | 株式会社東芝 | 光伝送装置 |
US5303002A (en) | 1993-03-31 | 1994-04-12 | Intel Corporation | Method and apparatus for enhancing the focus latitude in lithography |
US5420877A (en) | 1993-07-16 | 1995-05-30 | Cymer Laser Technologies | Temperature compensation method and apparatus for wave meters and tunable lasers controlled thereby |
US5440578B1 (en) * | 1993-07-16 | 2000-10-24 | Cymer Inc | Gas replenishment method ad apparatus for excimer lasers |
JP3325350B2 (ja) * | 1993-08-16 | 2002-09-17 | 株式会社東芝 | レーザ露光装置及び半導体装置の製造方法 |
JPH07142805A (ja) * | 1993-11-16 | 1995-06-02 | Sony Corp | 半導体露光装置及び露光方法 |
US5448580A (en) | 1994-07-05 | 1995-09-05 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Air and water cooled modulator |
JPH08172233A (ja) | 1994-12-15 | 1996-07-02 | Anritsu Corp | 可変波長光源装置 |
JP3175515B2 (ja) | 1994-12-26 | 2001-06-11 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
GB9514558D0 (en) * | 1995-07-17 | 1995-09-13 | Gersan Ets | Marking diamond |
US5706301A (en) | 1995-08-16 | 1998-01-06 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson | Laser wavelength control system |
WO1997034171A2 (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-18 | Johnson Kenneth C | Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy |
US5867514A (en) * | 1997-01-09 | 1999-02-02 | Cymer, Inc. | Laser wavelength control circuit having automatic DC offset and gain adjustment |
US6128323A (en) | 1997-04-23 | 2000-10-03 | Cymer, Inc. | Reliable modular production quality narrow-band high REP rate excimer laser |
US5982800A (en) | 1997-04-23 | 1999-11-09 | Cymer, Inc. | Narrow band excimer laser |
US5991324A (en) | 1998-03-11 | 1999-11-23 | Cymer, Inc. | Reliable. modular, production quality narrow-band KRF excimer laser |
US5848089A (en) * | 1997-07-11 | 1998-12-08 | Cymer, Inc. | Excimer laser with magnetic bearings supporting fan |
US5901163A (en) * | 1997-06-04 | 1999-05-04 | Cymer, Inc. | Narrow band laser with etalon based output coupler |
US5856991A (en) | 1997-06-04 | 1999-01-05 | Cymer, Inc. | Very narrow band laser |
US6018537A (en) | 1997-07-18 | 2000-01-25 | Cymer, Inc. | Reliable, modular, production quality narrow-band high rep rate F2 laser |
US5852621A (en) | 1997-07-21 | 1998-12-22 | Cymer, Inc. | Pulse laser with pulse energy trimmer |
US6529531B1 (en) * | 1997-07-22 | 2003-03-04 | Cymer, Inc. | Fast wavelength correction technique for a laser |
US6078599A (en) * | 1997-07-22 | 2000-06-20 | Cymer, Inc. | Wavelength shift correction technique for a laser |
US6853653B2 (en) * | 1997-07-22 | 2005-02-08 | Cymer, Inc. | Laser spectral engineering for lithographic process |
US6721340B1 (en) * | 1997-07-22 | 2004-04-13 | Cymer, Inc. | Bandwidth control technique for a laser |
US6671294B2 (en) * | 1997-07-22 | 2003-12-30 | Cymer, Inc. | Laser spectral engineering for lithographic process |
US5870420A (en) | 1997-08-18 | 1999-02-09 | Cymer, Inc. | Cross-flow blower with braces |
US6263002B1 (en) | 1997-09-05 | 2001-07-17 | Micron Optics, Inc. | Tunable fiber Fabry-Perot surface-emitting lasers |
US5953360A (en) | 1997-10-24 | 1999-09-14 | Synrad, Inc. | All metal electrode sealed gas laser |
JP4117856B2 (ja) * | 1997-12-12 | 2008-07-16 | 株式会社小松製作所 | 狭帯域発振エキシマレーザ及びフッ化物プリズム |
JPH11204856A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Komatsu Ltd | 波長検出制御装置 |
US5978405A (en) | 1998-03-06 | 1999-11-02 | Cymer, Inc. | Laser chamber with minimized acoustic and shock wave disturbances |
US6477193B2 (en) | 1998-07-18 | 2002-11-05 | Cymer, Inc. | Extreme repetition rate gas discharge laser with improved blower motor |
US6208675B1 (en) | 1998-08-27 | 2001-03-27 | Cymer, Inc. | Blower assembly for a pulsed laser system incorporating ceramic bearings |
US6067311A (en) | 1998-09-04 | 2000-05-23 | Cymer, Inc. | Excimer laser with pulse multiplier |
US6208674B1 (en) | 1998-09-18 | 2001-03-27 | Cymer, Inc. | Laser chamber with fully integrated electrode feedthrough main insulator |
EP1147582A4 (en) * | 1998-12-15 | 2006-03-15 | Cymer Inc | ARF LASER WITH LOW PULSE ENERGY AND HIGH REPLAY RATE |
US6678291B2 (en) * | 1999-12-15 | 2004-01-13 | Lambda Physik Ag | Molecular fluorine laser |
US6154470A (en) | 1999-02-10 | 2000-11-28 | Lamba Physik Gmbh | Molecular fluorine (F2) laser with narrow spectral linewidth |
US6219368B1 (en) | 1999-02-12 | 2001-04-17 | Lambda Physik Gmbh | Beam delivery system for molecular fluorine (F2) laser |
US6104735A (en) | 1999-04-13 | 2000-08-15 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser with magnetic bearings and magnetic reluctance centering for fan drive assembly |
US6164116A (en) | 1999-05-06 | 2000-12-26 | Cymer, Inc. | Gas module valve automated test fixture |
JP4139015B2 (ja) * | 1999-09-21 | 2008-08-27 | 株式会社小松製作所 | パルスレーザ制御システム |
-
2001
- 2001-12-21 US US10/036,925 patent/US6853653B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-07-11 JP JP2003516804A patent/JP4252896B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-11 AU AU2002355718A patent/AU2002355718A1/en not_active Abandoned
- 2002-07-11 WO PCT/US2002/022190 patent/WO2003011595A2/en not_active Application Discontinuation
- 2002-07-11 EP EP02752300A patent/EP1412182A4/en not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-08-05 US US10/912,933 patent/US7298770B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-09 US US10/915,517 patent/US7382815B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2003011595A3 (en) | 2003-11-27 |
AU2002355718A1 (en) | 2003-02-17 |
JP2004537176A (ja) | 2004-12-09 |
US20050041701A1 (en) | 2005-02-24 |
US20050068997A1 (en) | 2005-03-31 |
US7382815B2 (en) | 2008-06-03 |
EP1412182A2 (en) | 2004-04-28 |
US20020167975A1 (en) | 2002-11-14 |
US7298770B2 (en) | 2007-11-20 |
US6853653B2 (en) | 2005-02-08 |
WO2003011595A2 (en) | 2003-02-13 |
EP1412182A4 (en) | 2006-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4252896B2 (ja) | リソグラフィ処理のためのレーザスペクトルエンジニアリング | |
JP4437006B2 (ja) | リソグラフィ処理のためのレーザスペクトルエンジニアリング | |
US7653095B2 (en) | Active bandwidth control for a laser | |
US6721340B1 (en) | Bandwidth control technique for a laser | |
US6529531B1 (en) | Fast wavelength correction technique for a laser | |
US5978394A (en) | Wavelength system for an excimer laser | |
US8520186B2 (en) | Active spectral control of optical source | |
JP3247659B2 (ja) | エキシマレーザに関する波長システム | |
EP1258059B1 (en) | Bandwidth control technique for a laser |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050602 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060703 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20061003 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20061011 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070604 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070904 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090119 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090122 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4252896 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120130 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130130 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |