JP4117856B2 - 狭帯域発振エキシマレーザ及びフッ化物プリズム - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エキシマレーザ用の、光に対する耐久性が強く、光品位低下の少ない光学部品に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体製造装置用の縮小投影露光装置(以下ステッパと言う)の光源として、エキシマレーザの実用化が進められている。これは、エキシマレーザの波長が紫外線領域にあって短いことから、加工の際にレンズなどの外部光学素子によって光を小さく集光できるので、非常に精密な加工が可能であることによる。
【0003】
このエキシマレーザから発振する光はさまざまな波長成分を持ち、しかも中心波長が変動しているので、そのままではレンズなどの外部光学素子を通過する際に収差が生じて加工の精度が低下する。そのため、エキシマレーザにグレーティングなどの波長選択素子を搭載して、線幅と呼ばれるレーザの発振波長のスペクトル幅を狭くし、かつ発振波長の中心値である中心波長を安定化する狭帯域化という技術が広く用いられている。
【0004】
図8は、特開平3−214680号公報に開示された技術の一例であり、以下同図に基づいて従来技術を説明する。図において、チャンバ1にはレーザガスが封止されており、放電電極2によって放電によってエネルギーを供給され、レーザ光3を発振させる。上記発振したレーザ光3は後部ウィンドウ5から出射し、第1のプリズム7及び第2のプリズム8を通過する間にその径を広げられ、グレーティング10に入射する。グレーティング10は、図示しないアクチュエータによってレーザ光3の光路に対する角度を制御されており、選択された所定の波長だけを発振させることで前記狭帯域化を行なっている。第1のプリズム7、第2のプリズム8、及びグレーティング10の光学部品群を狭帯域化光学部品12と総称する。この狭帯域化光学部品12によって波長を制御されたレーザ光3は、前部ウィンドウ13を透過し、部分反射ミラーであるフロントミラー14を透過して一部が図中右方向へ出射する。
【0005】
ここで、以上で説明したエキシマレーザの光学部品としては、前記公報に開示されているように、一般に合成石英(SiO2)が材料として用いられている。これは、合成石英がエキシマレーザから出射する紫外線光に対して吸収率が低く、また加工が容易であるという理由による。KrFエキシマレーザの波長である248nmやArFエキシマレーザの波長である193nmの紫外光に対し、高い透過率を有する材料は限られており、現在では前記合成石英以外には、CaF2,MgF2,LiF2等のフッ化物が知られている。
【0006】
しかしながら、現状ではこれらフッ化物の製造や加工の技術は合成石英ほど成熟しておらず、製造できる光学材料のサイズや数量、光学特性において合成石英と同等のものを製作するのが困難であるため、光学材料としては合成石英が使用されることが多い。特に、前記KrFエキシマレーザは比較的発振波長が長いために光学部品を劣化させることが少なく、合成石英製の光学部品でも長期の使用に耐えうるとされている。このため、KrFエキシマレーザの光学部品として、従来は合成石英が使用されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、合成石英をエキシマレーザの光学部品の材料として使用するには、次に述べるような問題点がある。
【0008】
近年、半導体をより大量にかつ能率的に生産するためにステッパのスループットを上げなければならず、レーザの単位時間あたりの発振パルス数である繰り返し周波数を増やしてレーザを高出力化することが求められている。
【0009】
しかしながら、レーザの共振器内ではエネルギー密度が高く、しかもレーザ光が共振器内を往復して光学部品を何度も透過する。このため、前記レーザの高出力化に伴って、KrFエキシマレーザに従来使われている前記合成石英の光学部品が、材料内部のわずかな歪みや不均一性などの理由によって劣化するということが起きている。そして、光学材料のわずかな劣化でさえも、発振するレーザ光の品位に大きな影響を及ぼすので、前記ステッパの光源として使用することが困難となってしまう。
【0010】
このようにエキシマレーザの高出力化に伴って、従来合成石英の光学部品は耐久性が不十分であり、これを使用していると前記エキシマレーザの波長を高精度で制御することが困難であるということがわかってきている。
【0011】
図9,10に、レーザ発振によって、光学部品に前記光学部品の劣化が起きる様子を示す。図9は第1のプリズム7とそれを通過するレーザ光3の正常な状態である。前記繰り返し周波数を上げていくに従って、図10に示したようにレーザ光のエネルギーによってプリズムの内部が歪んだり、それが大きくなるとプリズムの表面が収縮して表面に歪み15が発生するようなことが起きる。これにより、レーザ光3の径や断面形状が変化したり、レーザ光3の波面が乱れてその波長や偏光状態が狂うという問題が起きる。また、この歪み15によって光学部品の表面に施した無反射コーティングが剥がれてレーザ光がそこに集中し、光学部品が破損したりすることもある。
【0012】
図11,12に、それぞれ前記光学部品の劣化が起きる前と起きた後の狭帯域化されたレーザの発振波長分布を示す。図12に示すように、光学部品に劣化が起きると中心波長λcが例えばλcとλc'との間で変動したり、前記線幅Δλが
広がってステッパの光源として使用することが困難になる。
【0013】
本発明は、上記の問題点に着目してなされたものであり、高出力化されたエキシマレーザにおいても紫外線光に対する耐久性が強く、光品位を良好に保ち、かつ波長制御に好適なエキシマレーザの光学部品を提供することを目的としている。
【0014】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
上記の目的を達成するために、請求項1記載の発明は、
狭帯域発振エキシマレーザの光学部品において、
光学材料としてフッ化物を使用し、前記フッ化物の結晶の劈開面20が、この光学部品に入射する光の入射側の面又は光学部品から出射する光の出射側の面の少なくともいずれか一方に対して概平行であるように形成されている。
【0015】
請求項1に記載の発明によれば、光学部品の材料としてフッ化物を使用し、この光学部品の入射側の面もしくは出射側の面に対してフッ化物の結晶の劈開面を概平行に構成している。こうすることによって、この劈開面を通過する際に、エキシマレーザ光の偏光状態の変化や波面の不均一化等を低減でき、良質な光品位を得ることができる。
【0016】
また、請求項2に記載の発明は、
請求項1記載のエキシマレーザの光学部品において、
前記フッ化物の結晶の劈開面20の向きを示す可視マーク27をつけている。
【0017】
請求項2に記載の発明によれば、光学部品に、前記劈開面の向きを示す可視マークをつけたことによって、これをエキシマレーザに設置する際にその向きを容易に判断でき、またその向きを間違えて設置するということがなくなる。
【0018】
また、請求項3に記載の発明は、
請求項1又は2に記載のエキシマレーザの光学部品において、
光学部品が、前記狭帯域化のための狭帯域化部品である。
【0019】
請求項3に記載の発明によれば、前記狭帯域化のための光学部品に、前記フッ化物を使用している。精密に狭帯域化を行なうためには、狭帯域化部品は特に精度良く製作されている必要があり、光学部品の劣化は、微少であってもレーザの波長制御に悪影響を与える。狭帯域化のための光学部品をフッ化物で製作するので、光学部品の劣化を少なくすることができ、前記中心波長が安定で線幅が細い、光品位の良質なレーザ光を得ることができる。
【0020】
また、請求項4記載の発明は、
狭帯域発振エキシマレーザにおいて、
エキシマレーザに用いられるフッ化物を材料とした光学部品を、フッ化物の結晶の劈開面20が光学部品中を光が通過する際の光路に対して概垂直になるように配置している。
【0021】
請求項4に記載の発明によれば、劈開面が光路に対して概垂直になるように光学部品を配置することによって、光学部品内部の屈折率の不均一性や光学歪み等の影響を最小限に抑えることができる。これにより、レーザ光がこの光学部品を通過する際に生ずるエキシマレーザ光の偏光状態の変化や波面の不均一化等を低減でき、良質な光品位を得ることができる。また、各部品の結晶材料を常に劈開面に対して同一の方向に使用することにより、各部品における前記屈折率の不均一等が最小限に抑えられるので、光学部品の個体差が減少して安定な光学性能を得られ、結果としてエキシマレーザの光品位を安定させることができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照しながら、本発明に係わる実施形態を詳細に説明する。なお、図において同一の符号を付したものは同一の構成を表すものとする。
【0023】
図1に基づいて、第1の実施形態を説明する。図1は、本発明に係わるエキシマレーザ装置の構成図を示している。同図において、前記狭帯域化光学部品12は狭帯域化ボックス11内に収納されており、前記前部ウィンドウ13及び後部ウィンドウ5は損失を少なくするためにレーザ光3に対してブリュースター角φをなしている。本実施形態においては、第1のプリズム7、第2のプリズム8及びフロントミラー14を、従来の合成石英に代えてCaF2等のフッ化物の光学材料で製作している。
【0024】
これにより、紫外線光による光学部品の劣化がなく、エキシマレーザの波長の狭帯域化を効果的に行なうことができる。プリズム7,8は狭帯域化のために正確な形状が求められるので、ここに光学部品の劣化が起きると波長制御が困難になり、材料をフッ化物にする効果は大きい。また、フロントミラー14は強度の強い光がここを透過するので光学部品の劣化の影響を受けやすく、これも材料をフッ化物にすることの効果が大きい。
【0025】
このように本実施形態によれば、エキシマレーザにおいて、従来合成石英を使っていた光学部品に代えてCaF2やMgF2などのフッ化物を使用するようにしたことで、レーザ光3による光学部品の劣化が起きにくくなり、波長の狭帯域化を精密に行なうことができるとともに、エキシマレーザの信頼性を向上させることができる。
【0026】
次に図2に基づいて、第2の実施形態を説明する。同図は、一般にリトロー型と呼ばれるエキシマレーザの狭帯域化光学部品12の構成図であり、図において、グレーティング10で図中上方に反射したレーザ光3はリアミラー16によって全反射され、元の光路を戻って出射する。このとき、前述したプリズム7,8及びフロントミラー14の他に、前記リアミラー16を例えばMgF2などのフッ化物で製作している。
【0027】
リアミラー16はエキシマレーザの出力を反射するために従来は損傷が大きく、これをフッ化物にすることで、狭帯域化光学部品12の耐光性を増すことができる。これにより、前記実施形態と同様の理由で、波長の狭帯域化を精密に行なうことができるとともに、エキシマレーザの信頼性を向上させることができる。
【0028】
なお、図1,2の構成において、エキシマレーザのチャンバ1に近いほうの第1のプリズム7のみをフッ化物とし、チャンバ1から遠い第2のプリズム8のみを合成石英製とすることも可能である。当該プリズム7,8は、チャンバ1から出射するレーザ光3を拡大するものであるため、チャンバ1に近い前記第1のプリズム7を通過するレーザ光3の光密度が高く、光学部品の劣化を引き起こしやすいため、プリズムをフッ化物とすることの効果はチャンバ1に近い第1のプリズム7において大だからである。
【0029】
次に図3〜図6に基づいて、第3の実施形態を説明する。図3に示すように、フッ化物でできた光学部品19はその結晶構造に応じて劈開面20を持つ。劈開面20の一例としては、例えば結晶の111面がある。レーザ光22がこの光学部品19を通過する際に、レーザ光22の光軸24に対して劈開面20のなす角θが概垂直以外の角度を持って通過する場合には、波面が乱れてその偏光状態や波長が変化したり、光の一部が吸収されて出力が低下したりする。
【0030】
そこで、本実施形態では前記光軸24に対して劈開面20のなす角θが概垂直になるように、前記光学部品19を製作し、かつこれを光路内に配置している。本実施形態による光学部品19の一例として、図4にフロントミラー14を示す。フロントミラー14は、一般的に表面と裏面の間での反射による寄生発振を避けるため、入射側の面23と反対側の面とが非平行になっている。同図における劈開面20がレーザ光22の入射側の面23と概平行になるようにフロントミラー14を製作し、この入射側の面23をチャンバ1の側に向け、劈開面20がその内部を通過するレーザ光22の光軸24に概垂直になるように配置する。フロントミラー14の別の例としては、入射側の面23と反対側の面とを平行に製作し、一方の面に無反射コーティングを施して寄生発振を防止する場合もある。
【0031】
本実施形態による光学部品19の他の例として、図5にプリズム26を示す。プリズム26を前記劈開面20が光の入射側の面23に概平行になるように製作し、このプリズム26を、劈開面20が内部を通過するレーザ光22の光軸24に対して概垂直になるように配置している。
【0032】
図6に、これらの光学部品を使ったエキシマレーザの配置図を示す。同図において、第1のプリズム7、第2のプリズム8及び後部ウィンドウ5は、例えばCaF2等のフッ化物からなる光学部品である。
【0033】
第1のプリズム7及び第2のプリズム8は、図5に示したようにレーザ光22の入射側の面23に対して劈開面20のなす角θが概垂直になるように製作され、この劈開面20がその内部を通過する光軸24に概垂直になるように配置されている。また、図6に示したように後部ウィンドウ5がレーザ光3に対してブリュースター角φをなしているとすれば、その劈開面20がブリュースター角φだけ傾いた状態で光軸24に対して概垂直をなすように製作され、光路内に配置されるようにすればよい。図示されていない前部ウィンドウ13も同様である。さらに、図示されていないフロントミラー14は、図4に示したように、レーザ光3の光軸24に対して劈開面20が概垂直になるように配置されている。
【0034】
このとき、図7に示すように、例えばプリズム7,8などの上面に点線で示した劈開面20を示すマーク27をつければ、たとえ二等辺三角形のプリズム7,8を使用したとしても、光軸24に対して劈開面20が概垂直になるように容易にプリズム7,8を設置することができる。
【0035】
このように本実施形態によれば、エキシマレーザの光学部品をフッ化物で製作し、しかもその劈開面20が光軸24に対して概垂直になるように配置している。これにより、エキシマレーザの高出力化に対しても、レーザ光3が光学部品を通過する際に波長や偏光状態が変化したりすることがなく、光品位の良質なレーザ光3を得ることができる。
【0036】
以上説明したように、本発明によれば、エキシマレーザの光学部品において、従来合成石英に代えてCaF2やMgF2などのフッ化物を材料としたことで、レーザ光3による光学部品の劣化が起きにくくなり、波長の狭帯域化を精密に行なうことができるとともに、エキシマレーザの信頼性を向上させることができる。
【0037】
また、フッ化物の劈開面をレーザの光軸に対して概垂直に配置したことで、エキシマレーザ光がこの光学部品を通過する際に起きる、エキシマレーザ光の偏光状態の変化や波面の不均一さ等の問題点を低減でき、エキシマレーザの性能を低下させずに良質な光品位を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係わるエキシマレーザの構成図。
【図2】第2の実施形態に係わるエキシマレーザの構成図。
【図3】フッ化物の劈開面を示す説明図。
【図4】フッ化物の劈開面を示す説明図。
【図5】フッ化物の劈開面を示す説明図。
【図6】第3の実施形態に係わるエキシマレーザの構成図。
【図7】劈開面の向きにマークをつけた光学部品の説明図。
【図8】従来のエキシマレーザの構成図。
【図9】プリズムと光路の説明図。
【図10】プリズムの光学部品の劣化の説明図。
【図11】光学部品の劣化が起きる前のレーザ光の波長を示す説明図。
【図12】光学部品の劣化が起きた後のレーザ光の波長を示す説明図。
【符号の説明】
1…チャンバ、2…放電電極、3…レーザ光、5…後部ウィンドウ、7…第1のプリズム、8…第2のプリズム、10…グレーティング、11…狭帯域化ボックス、12…狭帯域化光学部品、13…前部ウィンドウ、14…フロントミラー、15…歪み、16…リアミラー、19…フッ化物、20…劈開面、22…レーザ光、23…入射側の面、24…光軸、26…プリズム。

Claims (5)

  1. 半導体露光装置用光源として用いられる狭帯域発振エキシマレーザにおいて、
    共振器内に、フッ化物を材料とするフッ化物光学部品を少なくとも1つ備え、
    前記フッ化物光学部品は、その結晶の劈開面が、フッ化物光学部品の内部を通過するレーザ光の光路に対して概垂直になるように配置されることを特徴とする狭帯域発振エキシマレーザ。
  2. 半導体露光装置用光源として用いられる狭帯域発振エキシマレーザにおいて、
    共振器内に、レーザ光が非垂直に入射又は出射する面を1つ有する、フッ化物を材料としたフッ化物光学部品を少なくとも1つ備え、
    前記フッ化物光学部品は、その結晶の劈開面が、フッ化物光学部品の内部を通過するレーザ光の光路に対して概垂直になるように配置されることを特徴とする狭帯域発振エキシマレーザ。
  3. 請求項2記載の狭帯域発振エキシマレーザにおいて、
    前記フッ化物光学部品がプリズムであり、
    前記プリズムは、レーザ光が非垂直に入射又は出射する面とレーザ光が概垂直に入射又は出射する面とを備え、その劈開面は、レーザ光が概垂直に入射又は出射する面に平行となっていることを特徴とする狭帯域発振エキシマレーザ。
  4. 半導体露光装置用光源として用いられる狭帯域発振エキシマレーザにおいて、
    共振器内にフッ化物を材料としたフッ化物光学部品を少なくとも1つ備え、
    前記フッ化物光学部品は、
    レーザ光が入射する側の面に対するレーザ光の入射角度、及びレーザ光が出射する側の面に対するレーザ光の出射角度のうち少なくとも一方が非垂直となるように配置されるとともに、
    その結晶の劈開面が、フッ化物光学部品の内部を通過するレーザ光の光路に対して概垂直になるように配置されることを特徴とする狭帯域発振エキシマレーザ。
  5. 請求項4に記載の狭帯域発振エキシマレーザにおいて、
    前記フッ化物光学部品が、レーザガスを封止するチャンバの前後部に配置されたウィンドウであり、
    前記ウィンドウは、レーザ光が入射する側の面及び出射する側の面のうち少なくとも一方が、入射又は出射するレーザ光に対して略ブリュースタ角をなしていることを特徴とする狭帯域発振エキシマレーザ。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6853653B2 (en) * 1997-07-22 2005-02-08 Cymer, Inc. Laser spectral engineering for lithographic process
US6556612B2 (en) * 1999-05-10 2003-04-29 Cymer, Inc. Line narrowed laser with spatial filter
DE19961908C2 (de) * 1999-12-20 2002-03-28 Ges Zur Foerderung Angewandter Optik Optoelektronik Quantenelektronik & Spektroskopie Ev Hochauflösendes Littrow-Spektrometer und Verfahren zur quasi-simultanen Bestimmung einer Wellenlänge und eines Linienprofils
US7203217B2 (en) * 2000-01-25 2007-04-10 Cymer, Inc. Narrow band electric discharge gas laser having improved beam direction stability
WO2002029492A1 (en) * 2000-10-03 2002-04-11 Corning Incorporated Photolithography methods and systems
US6594301B2 (en) * 2001-03-21 2003-07-15 Coherent, Inc. Tunable modelocked ultrafast laser
WO2002093201A2 (en) * 2001-05-16 2002-11-21 Corning Incorporated Preferred crystal orientation optical elements from cubic materials
JP3831798B2 (ja) 2001-11-02 2006-10-11 ギガフォトン株式会社 プリズムユニット及びレーザ装置
KR101024559B1 (ko) * 2002-05-07 2011-03-31 사이머 인코포레이티드 수명이 긴 광학기구를 갖춘 고 전력 딥 자외선 레이저
JP2003347627A (ja) * 2002-05-29 2003-12-05 Gigaphoton Inc 紫外線レーザ装置
JP2006073921A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Komatsu Ltd 紫外線ガスレーザ用光学素子及び紫外線ガスレーザ装置
JP5358142B2 (ja) * 2007-11-30 2013-12-04 ギガフォトン株式会社 ガスレーザ用光学素子及びそれを用いたガスレーザ装置
JP2010107611A (ja) 2008-10-29 2010-05-13 Olympus Imaging Corp 結像光学系及びそれを用いた撮像装置
JP5352321B2 (ja) * 2009-04-06 2013-11-27 ギガフォトン株式会社 露光用ガスレーザ装置
WO2016046871A1 (ja) * 2014-09-22 2016-03-31 ギガフォトン株式会社 レーザ装置
WO2018229854A1 (ja) * 2017-06-13 2018-12-20 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及び光学素子の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD222426B5 (de) * 1984-03-01 1996-06-13 Jenoptik Jena Gmbh Optisches System
US4759616A (en) * 1985-08-26 1988-07-26 Eastman Kodak Company Method and apparatus for anamorphically shaping and deflecting electromagnetic beams
US5031977A (en) * 1989-12-27 1991-07-16 General Signal Corporation Deep ultraviolet (UV) lens for use in a photolighography system
JPH03214680A (ja) 1990-01-19 1991-09-19 Mitsubishi Electric Corp エキシマレーザ装置
DE19639586A1 (de) * 1996-09-26 1998-04-02 Zeiss Carl Fa Katadioptrisches Mikrolithographie-Reduktionsobjektiv
US5835520A (en) * 1997-04-23 1998-11-10 Cymer, Inc. Very narrow band KrF laser

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