JP4246482B2 - Microwave dielectric ceramic composition and dielectric resonator - Google Patents

Microwave dielectric ceramic composition and dielectric resonator Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特定の結晶構造を有するCa、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物と、Na成分と、Zr成分とを含有し、緻密な焼結体からなるマイクロ波誘電体磁器組成物(以下、「誘電体磁器組成物」という。)、及びこの誘電体磁器組成物からなる誘電体共振器に関する。本発明の誘電体磁器組成物は、マイクロ波領域における誘電体共振器、フィルタの他、マイクロ波集積回路基板、各種マイクロ波回路のインピーダンス整合部材等として使用することができる。また、本発明の誘電体共振器は、移動無線、衛星放送、衛星通信及びCATV等に組み込まれた各種のマイクロ波回路素子において利用することができる。
【0002】
【従来の技術】
CaTiO系組成物からなり、ペロブスカイト型の結晶構造を有する主成分に、Al、MnO等の酸化物を含有させることにより、マイクロ波領域で、実用上、十分な比誘電率(以下、「ε」と表す。)及び無負荷品質係数(以下、「Qu」と表す。)を有し、共振周波数の温度係数(以下、「τ」と表す。)の絶対値が小さい誘電体磁器組成物が得られることが開示されている(例えば、特許文献1参照。)。この誘電体磁器組成物では、Quは3500〜4200であり、且つτは0〜+8.0ppm/℃であって、優れた誘電特性を有している。また、上記公報に開示された誘電体磁器組成物において、Alの一部を希土類元素に置換することにより、同様に優れた誘電特性を有する誘電体磁器組成物が得られることも知られている(例えば、特許文献2参照。)。
【0003】
【特許文献1】
特開平11−199320号公報
【特許文献2】
特願平11−295563号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記特許文献1及び特許文献2に記載された誘電体磁器組成物では、特に大型の誘電体共振器等とした場合に、全体が十分に緻密化された製品とすることが容易ではなく、Quが低下する等の問題もある。
本発明は、上記の状況に鑑みなされたものであり、実用上、十分なε及びQuを有し、τの絶対値も小さく、且つ緻密な誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、この優れた誘電特性を有する誘電体磁器組成物からなり、特に大型であっても、高いQuを有する誘電体共振器を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は以下のとおりである。
1.組成式xCaTi−(1−x)LnAl(但し、0.54≦x≦0.82である。)で表され、上記LnがY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Er及びYbのうちの少なくとも1種であり、且つa/b及びc/dがいずれも0.8〜1.2であるCa、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物と、Na成分と、Zr成分とを含有する波誘電体磁器組成物であって、該Ca、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物を100質量部とした場合に、該Na成分はNaO換算で0.02〜0.5質量部であり、該Zr成分はZrO換算で0.02〜0.2質量部であることを特徴とするマイクロ波誘電体磁器組成物。
2.上記Ca、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物を100質量部とした場合に、更にTa換算で0.3〜5質量部のTa成分を含有する上記1.に記載のマイクロ
波誘電体磁器組成物。
3.上記Lnの少なくとも一部がLaである上記1.又は2.に記載のマイクロ波誘電体磁器組成物。
4.上記Ca、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物を100質量部とした場合に、更にMnO換算で0.5質量部以下のMn成分を含有する上記1.乃至3.のうちのいずれかに記載のマイクロ波誘電体磁器組成物。
5.Ca酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるCa化合物、Ti酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるTi化合物、Ln酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるLn化合物(Lnは、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Er及びYbのうちの少なくとも1種である。)、Al酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるAl化合物、Na酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるNa化合物、並びにZr酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるZr化合物の各々を、Ca元素、Ti元素、Ln元素及びAl元素のモル比がx:x:(1−x):(1−x)[但し、0.54≦x≦0.82の範囲の値を採用する。]となり、且つ上記Ca酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるCa化合物、上記Ti酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるTi化合物、上記Ln酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるLn化合物、及び上記Al酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるAl化合物の合計を100質量部とした場合に、Na酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるNa化合物が、NaO換算で0.02〜0.5質量部となり、Zr酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるZr化合物が、ZrO換算で0.02〜0.2質量部となるように混合して原料混合物を調製し、その後、該原料混合物を焼成して得られたものであることを特徴とするマイクロ波誘電体磁器組成物。
6.共振周波数800MHzにおける無負荷品質係数が30000以上である上記1.乃至5.のうちのいずれかに記載のマイクロ波誘電体磁器組成物。
7.共振周波数の温度係数が−10〜+10ppm/℃である上記1.乃至6.のうちのいずれかに記載のマイクロ波誘電体磁器組成物。
8.上記1.乃至7.のうちのいずれかに記載の誘電体磁器組成物からなることを特徴とする誘電体共振器。
9.共振周波数800MHzにおける無負荷品質係数が30000以上である上記8.に記載の誘電体共振器。
尚、上記5.の「Ca酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるCa化合物」という記載は、換言すれば、「Ca酸化物及び加熱によって酸化物となるCa化合物からなるグルーブから選択される少なくとも一方」という意味である。以下、本明細書中における「及び/又は」の記載は同じ意味である。
【0006】
【発明の効果】
本発明の誘電体磁器組成物は、実用上、十分な誘電特性を有し、且つ緻密である。
また、Ta換算で0.3〜5質量部のTa成分を含有する場合は、誘電体磁器組成物のQuをより向上させることができる。
更に、Lnの少なくとも一部がLaである場合は、誘電体磁器組成物のε、Qu及びτを向上させることができる。
また、MnO換算で0.5質量部以下のMn成分を含有する場合は、誘電体磁器組成物のQuをより向上させることができる。
本発明の誘電体共振器は、特に大型であっても、高いQuを有し、その内部まで十分に緻密化されている。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳しく説明する。
本発明の誘電体磁器組成物は、組成式xCaTi−(1−x)LnAlで表されるCa、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物を含有する。この組成式において、上記「x」は0.54≦x≦0.82である。このxが0.54未満では、εrが低下し、τの絶対値が負の側において大きくなる。一方、xが0.82を越える場合は、特に誘電体共振器のQuが低下し、τの絶対値が正の側において大きくなる。xは0.65≦x≦0.70であることが好ましい。xがこの範囲であれば、εrが39以上、特に44以上であり、且つQuが3600以上、特に4000以上であって、より優れた誘電特性を有する誘電体磁器組成物とすることができる。更に、この誘電体磁器組成物を用いた場合は、Quが30000以上、特に33000以上の誘電体共振器とすることができる。
尚、CaTiとLnAlの量比を表すxと(1−x)はモル比である。
【0008】
また、上記組成式において、CaとTiとのモル比を表す上記「a/b」及びLnとAlとのモル比を表す上記「c/d」は、0.8〜1.2である。このa/b及びc/dが0.8未満、又は1.2を越えると、焼結不良となり、特に誘電体共振器のQuが低下する。a/b及びc/dは0.85〜1.2、特に0.90〜1.2、更にはa/b及びc/dが1.0、即ち、上記組成式がxCaTiO−(1−x)LnAlO〔但し、0.54≦x≦0.82である。〕となる主成分であることが好ましい。a/b及びc/dが0.85〜1.2であれば、より優れた誘電特性を有する誘電体磁器組成物及び誘電体共振器等とすることができる。
【0009】
更に、上記組成式において、上記「Ln」は、前記の元素のうちのいずれであってもよいが、その少なくとも一部がLaであることが好ましく、Lnの全てがLaであってもよい。このLaを含有させることにより、εが43以上と大きく、τが−10〜+10ppm/℃、特に−5〜+5ppm/℃である誘電体磁器組成物とすることができる。また、Lnの少なくとも一部がLaである場合は、誘電体共振器のQuを30000以上とすることができ、LaにTa成分を併含させることによって、よりQuの高い誘電体共振器等とすることもできる。
【0010】
Lnの一部がLaである場合、Nd及び/又はSmを併含させることができる。LnがLaとNd又はSmであるとき、これらのモル比は、La/Nd又はSm=0.3/0.7〜0.7/0.3であり、特にLa/Nd又はSm=0.4/0.6〜0.6/0.4(La+Nd又はSm=1とする。)であることが好ましい。更に、LnがLaとNd及びSmであるときは、これらのモル比は、0.4≦La<1、0<Nd+Sm≦0.6であり、且つ0<Nd≦0.2、0<Sm≦0.5(La+Nd+Sm=1とする。)であることが好ましい。Laのモル比が範囲外であると、εが低下し易い。一方、Nd及び/又はSmが範囲外であると、εが低下し、τが負の側で大きくなる傾向にある。
【0011】
この誘電体磁器組成物は、上記「Na成分」を含有する。このNa成分は、通常、NaOとして含有され、Naを含む複合酸化物等として含有されていてもよい。Ca、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物を100質量部(以下、単に「部」という。)とした場合に、Na成分の含有量はNaO換算で0.02〜0.5部である。この含有量が0.02部未満では、誘電体磁器組成物のQuが十分に向上せず、特に誘電体共振器のQuが低下する。一方、0.5部を越える場合は、却ってQuが低下する。Na成分の含有量は0.05〜0.15部であることが好ましい。この範囲の含有量であれば、より安定して高いQuを有する誘電体磁器組成物とすることができる。Na成分は焼結助剤として有効に作用し、特に大型の共振器等を作製する場合に、成形体の内外部が均一に焼成される。そのため、均質な焼結体が得られ、特に高いQuを有する誘電体共振器とすることができる。
【0012】
更に、この誘電体磁器組成物は、上記「Zr成分」を含有する。このZr成分は、通常、ZrOとして含有され、Zrを含む複合酸化物等として含有されていてもよい。これにより安定に焼成することができ、緻密度の高い焼結体が得られる温度域を広くすることができる。また、特に寸法の大きい共振器等であっても焼結むらがなく、Quの高い製品とすることができる。Zr成分の含有量は、Ca、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物を100部とした場合に、ZrO換算で0.02〜0.2部である。この含有量が0.02部未満では、焼結性が低下し、安定に焼成することができる温度域が狭くなる。また、特に寸法の大きい共振器等ではQuも低下する。一方、含有量が0.2部を越える場合は、誘電体磁器組成物のQuが低下する。Zr成分の含有量は0.02〜0.15部であることが好ましい。この範囲の含有量であれば、より安定に焼成することができ、特に誘電体共振器のQuを向上させることができる。
【0013】
尚、この誘電体磁器組成物には、必須成分であるCa、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物、Na成分、Zr成分、並びに必要に応じて含有されるTa成分及びMn成分以外に、その誘電特性及び焼結性が低下しない範囲で他の成分が含有されていてもよい。この他の成分は、必須成分を100部とした場合に、0.5部以下、特に0.02部以下であることが好ましい。
【0014】
この誘電体磁器組成物には、上記「Ta成分」を含有させることが好ましい。このTa成分は、通常、Taとして含有させることができ、Taを含む複合酸化物等として含有されていてもよい。Ta成分の含有量は、Ca、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物を100部とした場合に、Ta換算で0.3〜5部とすることができる。この含有量が0.3部未満では、誘電体磁器組成物及び誘電体共振器等のQuが十分に向上しない。一方、含有量が5部を越える場合は、誘電体磁器組成物などのQuがより低下することがある。Ta成分の含有量は0.5〜2部であることが好ましい。この範囲の含有量であれば、Quがより十分に向上する。
【0015】
この誘電体磁器組成物には、上記「Mn成分」を含有させることもできる。このMn成分は、通常、MnOとして含有させることができ、Mnを含む複合酸化物として含有されていてもよい。Mn成分の含有量は、Ca、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物を100部とした場合に、MnO換算で0.5部以下、特に0.02〜0.5部とすることができる。この含有量が0.02部未満では、誘電体磁器組成物及び誘電体共振器等のQuが十分に向上しない傾向にある。一方、含有量が0.5部を越える場合は、却ってQuが低下することがある。
【0016】
このようにxCaTi−(1−x)LnAlにより表わされる化合物と、特定量のTa成分、更にはMn成分を含有させることにより、優れた誘電特性を有する誘電体磁器組成物及び誘電体共振器等とすることができる。しかし、この誘電体磁器組成物を用いて大型の誘電体共振器等を作製した場合は、その内部を外部と同様に十分に焼結させることができず、Qu等の誘電特性が低下することがある。そこで、更にNa成分及びZr成分を含有させると、内部、外部ともに十分に緻密化され、且つ均質な焼結体とすることができる。それによって誘電体磁器組成物のQuを向上させることができ、特に大型であっても高いQuを有する誘電体共振器等とすることができる。
【0017】
この誘電体磁器組成物では、Ca、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物、Na成分及びZr成分、又はこれに更にTa成分を含有させることにより、εを39以上、好ましくは40以上とすることができる。また、更にMn成分を含有する場合は、εを43以上、組成によっては45以上とすることができる。一方、Ca、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物、Na成分及びZr成分、又はこれにTa成分を含有させ、更にMn成分を同時に含有させることにより、Quを3600以上、組成によっては4000以上とすることができる。更に、τを−35〜+35ppm/℃、組成によっては−10〜+10ppm/℃、更には−5〜+5ppm/℃とすることができる。このように、実用上、十分に優れた誘電特性を有する誘電体磁器組成物とすることができる。
【0018】
また、本発明の誘電体磁器組成物では、共振周波数800MHzにおけるQuを30000以上、特に32000以上とより高くすることができる。これによって、マイクロ波領域としては比較的低い周波数域においても使用することができる。更に、τは−10〜+10ppm/℃、特に−5〜+5ppm/℃、更には0〜+3ppm/℃とすることができる。このように、0ppm/℃に近い極めて狭い範囲のτを有する誘電体磁器組成物とすることもできる。
【0019】
本発明の誘電体磁器組成物は、以下のようにして製造することができる。
xCaTi−(1−x)LnAlで表される化合物、Na成分及びZr成分は、Ca、Ti、Ln、Al、Na及びZrの各々の元素の酸化物及び/又はそれぞれの元素の炭酸塩、炭酸水素塩、水酸化物、塩化物、硝酸塩、硫酸塩等の加熱によって酸化物となる化合物の粉末、更には各々の元素を含む有機金属化合物等の液状物を混合して原料混合物を調製し、この原料混合物を焼成することにより生成させることができる。また、必要に応じて含有されるTa成分及びMn成分も、Ta又はMnの酸化物及び/又は炭酸塩、炭酸水素塩、水酸化物、塩化物、硝酸塩、硫酸塩等の加熱によって酸化物となる化合物の粉末、更には各々の元素を含む有機金属化合物等の液状物を上記原料混合物に混合し、これを焼成することによって生成させ、含有させることができる。尚、それぞれの元素の化合物は特に限定されないが炭酸塩及び水酸化物が好ましい。
【0020】
より具体的には、Ca元素、Ti元素、Ln元素及びAl元素のモル比がx:x:(1−x):(1−x)[但し、0.54≦x≦0.82の範囲の値を採用する。]となり、且つNa酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるNa化合物、並びにZr酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるZr化合物の各々が、Ca酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるCa化合物、Ti酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるTi化合物、Ln酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるLn化合物、及びAl酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるAl化合物の合計を100部とした場合に、それぞれNaO換算で0.02〜0.5部、ZrO換算で0.02〜0.2部となるように、それぞれの粉末、更には各々の元素を含む有機金属化合物等の液状物を混合して原料混合物を調製し、必要に応じて含有されるTa成分及びMn成分も、Ta又はMnの酸化物及び/又は加熱によって酸化物となる化合物の粉末、更には各々の元素を含む有機金属化合物等の液状物の所定量を、それぞれ原料混合物に混合し、次いで、この原料混合物を焼成することによって誘電体磁器組成物を製造することができる。
【0021】
前記のようにZr成分が含有されることにより安定に焼成することができる温度域を広くすることができる。焼成温度は特に限定されないが、1430〜1580℃、特に1450〜1550℃とすることができる。Zr成分が含有されている場合、焼成温度にかかわらず十分に緻密化され、均質な焼結体とすることができ、且つ高いQuを有する誘電体磁器組成物等とすることができる。一方、Zr成分が含有されていない場合、焼成温度が高いときは十分なQuを有する誘電体磁器組成物等とすることができる。しかし、焼成温度が低いときはQuが低下し、特に大型の誘電体共振器ではQuが大きく低下する。
【0022】
本発明の誘電体共振器は、上記の誘電体磁器組成物からなることを特徴とする。この誘電体共振器の形状は特に限定されないが、通常、円筒形である。大きさも特に限定されず、寸法にかかわらず、十分に緻密化され、より高いQuを有する。また、円筒形である場合に、外径が50〜100mm、高さが25〜50mmと大型であっても、内部まで十分に緻密化され、且つ高いQuを有する誘電体共振器とすることができる。更に、この誘電体共振器では、共振周波数800MHzにおけるQuを、30000以上、特に32000以上とすることができ、マイクロ波領域としては比較的低い周波数域において使用することができる。
【0023】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例1〜4及び比較例1〜2
(1)誘電特性を評価するための試験片及び誘電体共振器の作製
CaCO粉末(純度;99.9%)、TiO粉末(純度;99.95%)、Al粉末(純度;99.95%)、表1に記載のLnの酸化物粉末(各々の純度;99.9%)、NaCO粉末(純度;99.5%)、ZrO粉末(純度;99.9%)、Ta粉末(純度;99.95%)及びMnO粉末(純度;99.9%)を原料粉末とし、x、Lnのモル比、a/b及びc/d、並びにNaO、ZrO、Ta及びMnOの含有量(単位;部、但し、上記CaCO粉末、上記TiO粉末、上記Al粉末及び上記Lnの酸化物粉末の合計を100部とした場合の、上記NaCO粉末、上記ZrO粉末、上記Ta粉末及び上記MnO粉末の各々の質量である。)が表1のようになる配合で、ミキサにより20〜30分間乾式混合した後、振動ミルにより一次粉砕した。玉石としてはアルミナボールを使用し、粉砕時間は4時間とした。
【0024】
得られた混合粉末を、大気雰囲気下、1100〜1300℃で2時間仮焼し、この仮焼粉末に適量の有機バインダと水とを加え、トロンメル粉砕機を用いて10〜15時間2次粉砕した。次いで、凍結乾燥により乾燥させ、造粒し、造粒後、ふるいによって40〜200メッシュの粒度の粉末を得、プレス機によって、直径19mm、高さ11mmの試験片用の成形体を作製した。また、同様にして、外径75mm、内径37mm、高さ45mmの誘電体共振器用の成形体を作製した。成形圧力は1トン/cmとした。
【0025】
その後、これらの成形体を500℃で4時間脱脂し、大気雰囲気下、1400〜1700℃で2〜6時間保持し、焼成した。次いで、得られた焼結体の外側面及び両端面を研磨加工し、直径16mm、高さ8mmの円柱状の試験片、及び図1に示す円筒形の誘電体共振器を作製した。尚、この誘電体共振器の寸法は、共振周波数が800MHzになるように図1に記載の範囲内で調整した。
【0026】
【表1】

Figure 0004246482
【0027】
(2)比重の測定
(1)で作製した各々の試験片についてアルキメデス法により比重を測定した。
(3)誘電特性の評価
(1)で作製した各々の試験片について平行導体板型誘電体円柱共振器法(TE011MODE)等により、εr、Qu及びτを測定した。尚、τは25〜80℃の温度領域で測定し、τ=(f80−f25)/(f25×ΔT)、ΔT=80−25=55℃によって算出した。また、測定時の共振周波数は3〜5GHzである。尚、Quは、測定時の共振周波数(f)とQuの測定値との積(Qu×f)で表した。
比重並びにε、Qu×f及びτfの結果を表2に記載する。また、τfの温度変化に対する直線性を表す2次係数を表2に併記する。
【0028】
更に、(1)で作製した誘電体共振器を、図1に示すように、金属製ケースの内面底部に接合されたアルミナ製支持台に固定し、TE01δMODEによってQuを測定した。この測定結果を表2に併記する。
【0029】
【表2】
Figure 0004246482
【0030】
表2の結果によれば、LnとしてLaを含むCa、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物、Na成分、Zr成分、Ta成分並びにMn成分を含有してはいるものの、Zr成分の含有量が上限値より多い比較例1では、比重が大きく、十分に焼結されているものの、特に誘電体共振器とした場合のQuが小さく劣っている。また、Zr成分を含有していない比較例2では、比重がやや小さく、誘電体共振器とした場合のQuがより小さく、劣っていることが分かる。更に、比較例1、2ともにτの絶対値は小さいものの、Zr成分を含有していない比較例2では2次係数が大きく、τfの温度変化に対する直線性に劣ることが分かる。
【0031】
一方、LnとしてLaを含むCa、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物、所定量のNa成分、Zr成分、Ta成分及びMn成分を含有する実施例1〜4では、比重が4.68〜4.77で、いずれも十分に焼結されている。また、εは44.7〜46.0、Q×fは15200〜16400GHz、τは1.0〜1.6ppm/℃であり、特にτの絶対値は非常に小さく、優れた誘電特性を有していることが分かる。更に、2次係数も小さく、τfの温度変化に対する直線性が高く、これらの誘電体磁器組成物を使用すれば実用温度域において高品質の共振器を得ることができる。また、実施例2では、焼成温度が1470〜1510℃の間で変化しているが、焼成温度の影響をほとんど受けることなく、十分に焼結されており、且つ安定して優れた誘電特性を有する誘電体磁器組成物が得られている。更に、誘電体共振器とした場合のQuも34700〜36800GHzと大きく、優れた品質の共振器が得られていることが分かる。
【0032】
尚、本発明においては、前記の具体的な実施例に記載のものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した実施例とすることができる。例えば、Ca成分、Na成分となる原料として前記のCaCO、NaCO以外にも、Ca、Naの硝酸塩、硫酸塩等を用いることができる。同様に他の元素についても、加熱により酸化物となる種々の化合物を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】金属ケース内に配置された誘電体共振器の形状及び寸法を示す模式図である。
【符号の説明】
1;誘電体共振器、2;アルミナ製支持台、3;金属製ケース。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a microwave dielectric porcelain composition comprising a dense sintered body containing a compound comprising Ca, Ti, Ln, Al and O having a specific crystal structure, an Na component, and a Zr component ( Hereinafter, the present invention relates to a “dielectric ceramic composition”) and a dielectric resonator made of the dielectric ceramic composition. The dielectric ceramic composition of the present invention can be used as a dielectric resonator in a microwave region, a filter, a microwave integrated circuit substrate, an impedance matching member for various microwave circuits, and the like. The dielectric resonator of the present invention can be used in various microwave circuit elements incorporated in mobile radio, satellite broadcasting, satellite communication, CATV, and the like.
[0002]
[Prior art]
By including an oxide such as Al 2 O 3 or MnO 2 in a main component comprising a CaTiO 3 composition and having a perovskite crystal structure, a practically sufficient dielectric constant (in the microwave region) Hereinafter, it is expressed as “ε r ”) and a no-load quality factor (hereinafter referred to as “Qu”), and the temperature coefficient of the resonance frequency (hereinafter referred to as “τ f ”) is small. It is disclosed that a dielectric ceramic composition can be obtained (see, for example, Patent Document 1). In this dielectric ceramic composition, Qu is 3500 to 4200, and τ f is 0 to +8.0 ppm / ° C. and has excellent dielectric properties. In addition, in the dielectric ceramic composition disclosed in the above publication, it is also known that a dielectric ceramic composition having excellent dielectric characteristics can be obtained by replacing a part of Al with a rare earth element. (For example, refer to Patent Document 2).
[0003]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 11-199320 [Patent Document 2]
Japanese Patent Application No. 11-295563
[Problems to be solved by the invention]
However, in the dielectric ceramic compositions described in Patent Document 1 and Patent Document 2, it is not easy to obtain a fully densified product as a whole, particularly when a large-sized dielectric resonator is used. There is also a problem that Qu is lowered.
The present invention has been made in view of the above situation, and an object thereof is to provide a dense dielectric ceramic composition having practically sufficient ε r and Qu, a small absolute value of τ f , and a high density. And It is another object of the present invention to provide a dielectric resonator having a high Qu even if it is made of a dielectric ceramic composition having excellent dielectric properties and is particularly large.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is as follows.
1. It is represented by a composition formula xCa a Ti b O 3 — (1-x) Ln c Al d O 3 (where 0.54 ≦ x ≦ 0.82), and the above Ln is Y, La, Ce, Pr. , Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Er, and Yb, and a / b and c / d are all 0.8 to 1.2, Ca, Ti, Ln, Al And a compound composed of O, a Na component, and a Zr component, and when the compound composed of Ca, Ti, Ln, Al, and O is 100 parts by mass, Na component is 0.02 to 0.5 parts by mass in terms of Na 2 O, the Zr ingredient microwave dielectric ceramic composition, characterized in that 0.02 to 0.2 parts by terms of ZrO 2 object.
2. When the compound composed of Ca, Ti, Ln, Al, and O is 100 parts by mass, it further contains 0.3 to 5 parts by mass of Ta component in terms of Ta 2 O 5 . A microwave dielectric ceramic composition as described in 1. above.
3. 1. The above 1. wherein at least part of the Ln is La. Or 2. The microwave dielectric ceramic composition as described in 1.
4). When the compound consisting of Ca, Ti, Ln, Al, and O is 100 parts by mass, it further contains 0.5 parts by mass or less of Mn component in terms of MnO 2 . To 3. The microwave dielectric ceramic composition according to any one of the above.
5. Ca oxide and / or Ca compound that becomes oxide by heating, Ti oxide and / or Ti compound that becomes oxide by heating, Ln oxide and / or Ln compound that becomes oxide by heating (Ln is Y, At least one of La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Er, and Yb.), Al oxide and / or Al compound that becomes oxide by heating, Na oxide, and / or Alternatively, a Na compound that becomes an oxide by heating and a Zr oxide that becomes an oxide by heating and / or a Zr compound that becomes an oxide by heating have a molar ratio of Ca element, Ti element, Ln element, and Al element of x: x: (1 -X): (1-x) [However, a value in the range of 0.54 ≦ x ≦ 0.82 is adopted. And the Ca compound and / or Ca compound that becomes an oxide by heating, the Ti oxide and / or the Ti compound that becomes an oxide by heating, the Ln oxide and / or the Ln that becomes an oxide by heating When the total of the compound and the Al oxide and / or Al compound that becomes an oxide by heating is 100 parts by mass, the Na oxide and / or the Na compound that becomes an oxide by heating becomes Na 2 O equivalent. 0.02 to 0.5 parts by mass, the Zr oxide and / or the Zr compound that becomes an oxide by heating is mixed so that the ZrO 2 conversion is 0.02 to 0.2 parts by mass. A microwave dielectric ceramic composition characterized by being prepared and then fired from the raw material mixture.
6). 1. The no-load quality factor at a resonance frequency of 800 MHz is 30000 or more. To 5. The microwave dielectric ceramic composition according to any one of the above.
7). 1. The temperature coefficient of resonance frequency is −10 to +10 ppm / ° C. To 6. The microwave dielectric ceramic composition according to any one of the above.
8). Above 1. To 7. A dielectric resonator comprising the dielectric ceramic composition according to any one of the above.
9. 8. The no-load quality factor at a resonance frequency of 800 MHz is 30000 or more. 2. A dielectric resonator according to 1.
The above 5. The description “Ca oxide and / or Ca compound that becomes oxide by heating” in other words means “at least one selected from a groove that consists of Ca oxide and Ca compound that becomes oxide by heating”. It is. Hereinafter, the description of “and / or” in the present specification has the same meaning.
[0006]
【The invention's effect】
The dielectric ceramic composition of the present invention has practically sufficient dielectric properties and is dense.
Further, when containing Ta component of 0.3 to 5 parts by mass Ta 2 O 5 in terms it can be further improved Qu of the dielectric ceramic composition.
Furthermore, when at least part of Ln is La, ε r , Qu and τ f of the dielectric ceramic composition can be improved.
Moreover, when the Mn component is 0.5 parts by mass or less in terms of MnO 2 , the Qu of the dielectric ceramic composition can be further improved.
The dielectric resonator of the present invention has a high Qu even if it is particularly large, and is sufficiently densified to the inside.
[0007]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The dielectric ceramic composition of the present invention contains a compound composed of Ca, Ti, Ln, Al, and O represented by the composition formula xCa a Ti b O 3- (1-x) Ln c Al d O 3 . In the composition formula, “x” is 0.54 ≦ x ≦ 0.82. When x is less than 0.54, ε r decreases and the absolute value of τ f increases on the negative side. On the other hand, when x exceeds 0.82, in particular reduces the Qu of the dielectric resonator, the absolute value of tau f is increased in the positive side. x is preferably 0.65 ≦ x ≦ 0.70. When x is within this range, ε r is 39 or more, particularly 44 or more, and Qu is 3600 or more, particularly 4000 or more, and a dielectric ceramic composition having more excellent dielectric properties can be obtained. . Furthermore, when this dielectric ceramic composition is used, a dielectric resonator having a Qu of 30000 or more, particularly 33000 or more can be obtained.
Incidentally, Ca a Ti b O 3 and Ln c Al d x representing the ratio of O 3 and (1-x) are molar ratios.
[0008]
Moreover, in the said compositional formula, said "a / b" showing the molar ratio of Ca and Ti and said "c / d" showing the molar ratio of Ln and Al are 0.8-1.2. When the a / b and c / d are less than 0.8 or more than 1.2, sintering failure occurs, and in particular, the Qu of the dielectric resonator decreases. a / b and c / d are 0.85 to 1.2, particularly 0.90 to 1.2, and a / b and c / d are 1.0, that is, the composition formula is xCaTiO 3- (1 -x) LnAlO 3 [provided that 0.54 ≦ x ≦ 0.82. It is preferable that the main component is When a / b and c / d are 0.85 to 1.2, a dielectric ceramic composition, a dielectric resonator, and the like having more excellent dielectric characteristics can be obtained.
[0009]
Furthermore, in the above composition formula, “Ln” may be any of the above-mentioned elements, but at least a part thereof is preferably La, and all of Ln may be La. By containing La, epsilon r is as large as 43 or more, tau f is -10~ + 10ppm / ℃, can be a dielectric ceramic composition is particularly -5~ + 5ppm / ℃. In addition, when at least a part of Ln is La, the dielectric resonator can have a Qu of 30000 or more. By including a Ta component in La, a dielectric resonator having a higher Qu can be obtained. You can also
[0010]
When a part of Ln is La, Nd and / or Sm can be included. When Ln is La and Nd or Sm, their molar ratio is La / Nd or Sm = 0.3 / 0.7 to 0.7 / 0.3, in particular La / Nd or Sm = 0. It is preferably 4 / 0.6 to 0.6 / 0.4 (La + Nd or Sm = 1). Further, when Ln is La, Nd, and Sm, these molar ratios are 0.4 ≦ La <1, 0 <Nd + Sm ≦ 0.6, and 0 <Nd ≦ 0.2, 0 <Sm. It is preferable that ≦ 0.5 (La + Nd + Sm = 1). When the molar ratio of La is out of range, epsilon r decreases easily. On the other hand, when the Nd and / or Sm is out of range, epsilon r decreases, there is a tendency that tau f becomes large in the negative side.
[0011]
This dielectric ceramic composition contains the “Na component”. This Na component is usually contained as Na 2 O, and may be contained as a complex oxide containing Na. When the compound consisting of Ca, Ti, Ln, Al and O is 100 parts by mass (hereinafter simply referred to as “parts”), the content of the Na component is 0.02 to 0.5 parts in terms of Na 2 O. It is. When the content is less than 0.02 part, the Qu of the dielectric ceramic composition is not sufficiently improved, and in particular, the Qu of the dielectric resonator is lowered. On the other hand, when it exceeds 0.5 part, Qu falls on the contrary. The content of the Na component is preferably 0.05 to 0.15 part. If it is content of this range, it can be set as the dielectric ceramic composition which has high Qu more stably. The Na component effectively acts as a sintering aid, and particularly when a large resonator or the like is produced, the inside and outside of the molded body are uniformly fired. Therefore, a homogeneous sintered body can be obtained, and a dielectric resonator having a particularly high Qu can be obtained.
[0012]
Further, the dielectric ceramic composition contains the “Zr component”. This Zr component is usually contained as ZrO 2 and may be contained as a complex oxide containing Zr. Thereby, it can be fired stably and the temperature range in which a sintered body with high density can be obtained can be widened. Further, even a resonator having a particularly large size can be made into a product with high Qu without sintering unevenness. The content of the Zr component is 0.02 to 0.2 part in terms of ZrO 2 when the compound composed of Ca, Ti, Ln, Al and O is taken as 100 parts. When the content is less than 0.02 part, the sinterability is lowered, and the temperature range in which stable firing can be performed becomes narrow. In addition, Qu is also lowered particularly in a resonator having a large dimension. On the other hand, when the content exceeds 0.2 parts, the Qu of the dielectric ceramic composition is lowered. The content of the Zr component is preferably 0.02 to 0.15 part. If the content is in this range, firing can be performed more stably, and in particular, the Qu of the dielectric resonator can be improved.
[0013]
The dielectric ceramic composition includes essential components Ca, Ti, Ln, Al and O, a Na component, a Zr component, and a Ta component and a Mn component that are contained as necessary. Other components may be contained as long as the dielectric properties and sinterability do not deteriorate. The other components are preferably 0.5 parts or less, particularly 0.02 parts or less when the essential component is 100 parts.
[0014]
The dielectric ceramic composition preferably contains the “Ta component”. This Ta component can be usually contained as Ta 2 O 5 and may be contained as a complex oxide containing Ta. The content of Ta component, Ca, Ti, Ln, in the case where the compound of Al and O and 100 parts can be a 0.3 to 5 parts by Ta 2 O 5 basis. If the content is less than 0.3 part, the Qu of the dielectric ceramic composition, dielectric resonator, etc. is not sufficiently improved. On the other hand, when the content exceeds 5 parts, Qu of the dielectric ceramic composition or the like may be further lowered. The content of the Ta component is preferably 0.5 to 2 parts. If the content falls within this range, Qu is more sufficiently improved.
[0015]
The dielectric ceramic composition may contain the “Mn component”. This Mn component can be normally contained as MnO 2 and may be contained as a complex oxide containing Mn. The content of the Mn component should be 0.5 parts or less, particularly 0.02 to 0.5 parts in terms of MnO 2 , when the compound consisting of Ca, Ti, Ln, Al and O is taken as 100 parts. it can. If the content is less than 0.02 part, the Qu of the dielectric ceramic composition, the dielectric resonator and the like tends not to be sufficiently improved. On the other hand, when the content exceeds 0.5 parts, Qu may decrease.
[0016]
Thus xCa a Ti b O 3 - and compounds represented by (1-x) Ln c Al d O 3, a specific amount of Ta component, even by the inclusion of Mn component, a dielectric having excellent dielectric properties A body ceramic composition and a dielectric resonator can be used. However, when a large dielectric resonator or the like is produced using this dielectric ceramic composition, the inside cannot be sintered as well as the outside, and the dielectric characteristics such as Qu are deteriorated. There is. Therefore, when a Na component and a Zr component are further contained, both the inside and the outside can be sufficiently densified and a homogeneous sintered body can be obtained. As a result, the Qu of the dielectric ceramic composition can be improved, and a dielectric resonator having a high Qu can be obtained even if it is particularly large.
[0017]
In this dielectric ceramic composition, Ca, Ti, Ln, a compound of Al and O, Na component and Zr components, or by further contain a Ta component thereto, the epsilon r 39 or more, and preferably 40 or more can do. Moreover, further case of containing Mn component, an epsilon r 43 or more, depending on the composition may be 45 or more. On the other hand, a compound consisting of Ca, Ti, Ln, Al and O, a Na component and a Zr component, or a Ta component in this compound, and a Mn component at the same time, the Qu is 3600 or more, and depending on the composition, 4000 or more. It can be. Further, -35 and τ f + 35ppm / ℃, -10~ + 10ppm / ℃ depending on the composition, more can be -5~ + 5ppm / ℃. Thus, it can be set as the dielectric ceramic composition which has the practically sufficient dielectric characteristic.
[0018]
In the dielectric ceramic composition of the present invention, the Qu at the resonance frequency of 800 MHz can be made higher than 30000, particularly 32000 or higher. As a result, the microwave region can be used even in a relatively low frequency region. Furthermore, τ f can be −10 to +10 ppm / ° C., in particular −5 to +5 ppm / ° C., more preferably 0 to +3 ppm / ° C. Thus, a dielectric ceramic composition having a very narrow range τ f close to 0 ppm / ° C. can be obtained.
[0019]
The dielectric ceramic composition of the present invention can be manufactured as follows.
xCa a Ti b O 3 — (1-x) Ln c Al d O 3 , the Na component and the Zr component are the oxides of the elements Ca, Ti, Ln, Al, Na and Zr, and / Or powders of compounds that become oxides upon heating, such as carbonates, bicarbonates, hydroxides, chlorides, nitrates and sulfates of the respective elements, and liquids such as organometallic compounds containing the respective elements Are mixed to prepare a raw material mixture, and this raw material mixture can be produced by firing. In addition, the Ta component and Mn component that are contained as necessary are also oxides of Ta or Mn and / or oxides by heating such as carbonates, bicarbonates, hydroxides, chlorides, nitrates, sulfates, etc. The resulting compound powder, and further, a liquid material such as an organometallic compound containing each element is mixed with the raw material mixture, and this is fired to be produced and contained. In addition, although the compound of each element is not specifically limited, A carbonate and a hydroxide are preferable.
[0020]
More specifically, the molar ratio of Ca element, Ti element, Ln element, and Al element is x: x: (1-x) :( 1-x) [provided that 0.54 ≦ x ≦ 0.82 The value of is adopted. Each of the Na oxide and / or Na compound that becomes an oxide by heating, and the Zr oxide and / or the Zr compound that becomes an oxide by heating become an oxide by Ca oxide and / or heating. Total of Ca compound, Ti oxide and / or Ti compound that becomes oxide by heating, Ln oxide and / or Ln compound that becomes oxide by heating, and Al oxide and / or Al compound that becomes oxide by heating In the case of 100 parts by weight, the respective powders and further the respective elements are added so that 0.02 to 0.5 parts in terms of Na 2 O and 0.02 to 0.2 parts in terms of ZrO 2 respectively. A raw material mixture is prepared by mixing a liquid material such as an organometallic compound, and the Ta component and Mn component contained as necessary are also produced by oxides of Ta or Mn and / or heating. A dielectric porcelain composition is manufactured by mixing a predetermined amount of a powder of a compound to be a chemical compound and a liquid material such as an organometallic compound containing each element into a raw material mixture, and then firing the raw material mixture. can do.
[0021]
By containing the Zr component as described above, the temperature range in which stable firing can be performed can be widened. Although a calcination temperature is not specifically limited, It can be set as 1430-1580 degreeC, especially 1450-1550 degreeC. When the Zr component is contained, it can be sufficiently densified regardless of the firing temperature, and can be a homogeneous sintered body, and can be a dielectric ceramic composition having a high Qu. On the other hand, when no Zr component is contained, a dielectric ceramic composition having sufficient Qu can be obtained when the firing temperature is high. However, when the firing temperature is low, Qu is lowered, and Qu is greatly lowered particularly in a large dielectric resonator.
[0022]
The dielectric resonator of the present invention is characterized by comprising the above dielectric ceramic composition. The shape of the dielectric resonator is not particularly limited, but is usually cylindrical. The size is also not particularly limited, and is sufficiently densified and has a higher Qu regardless of size. Further, in the case of a cylindrical shape, even if the outer diameter is 50 to 100 mm and the height is 25 to 50 mm, the dielectric resonator is sufficiently densified to the inside and has a high Qu. it can. Further, in this dielectric resonator, the Qu at a resonance frequency of 800 MHz can be set to 30000 or more, particularly 32000 or more, and can be used in a relatively low frequency range as a microwave region.
[0023]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described specifically by way of examples.
Examples 1-4 and Comparative Examples 1-2
(1) Preparation of test piece and dielectric resonator for evaluating dielectric properties CaCO 3 powder (purity; 99.9%), TiO 2 powder (purity; 99.95%), Al 2 O 3 powder (purity) 99.95%), oxide powders of Ln described in Table 1 (each purity: 99.9%), Na 2 CO 3 powder (purity: 99.5%), ZrO 2 powder (purity: 99.95). 9%), Ta 2 O 5 powder (purity; 99.95%) and MnO 2 powder (purity; 99.9%) as raw material powders, x, Ln molar ratio, a / b and c / d, and Content of Na 2 O, ZrO 2 , Ta 2 O 5 and MnO 2 (unit: part, where the total of the CaCO 3 powder, the TiO 2 powder, the Al 2 O 3 powder and the oxide powder of Ln is in the case of 100 parts, the Na 2 CO 3 powder, the ZrO 2 powder, upper Ta 2 O 5 powder and are each of the mass of the MnO 2 powder.) Is in a blend is shown in Table 1 was dry-mixed for 20-30 minutes by the mixer, and a primary ground by a vibration mill. As cobblestones, alumina balls were used, and the grinding time was 4 hours.
[0024]
The obtained mixed powder was calcined at 1100 to 1300 ° C. for 2 hours in an air atmosphere, an appropriate amount of an organic binder and water were added to the calcined powder, and secondary pulverization was performed for 10 to 15 hours using a trommel grinder. did. Subsequently, it was dried by freeze drying, granulated, and after granulation, a powder having a particle size of 40 to 200 mesh was obtained by sieving, and a compact for a test piece having a diameter of 19 mm and a height of 11 mm was produced by a press machine. Similarly, a molded article for a dielectric resonator having an outer diameter of 75 mm, an inner diameter of 37 mm, and a height of 45 mm was produced. The molding pressure was 1 ton / cm 2 .
[0025]
Then, these compacts were degreased at 500 ° C. for 4 hours, held at 1400 to 1700 ° C. for 2 to 6 hours in an air atmosphere, and fired. Next, the outer surface and both end surfaces of the obtained sintered body were polished to prepare a cylindrical test piece having a diameter of 16 mm and a height of 8 mm, and a cylindrical dielectric resonator shown in FIG. The dimensions of the dielectric resonator were adjusted within the range shown in FIG. 1 so that the resonance frequency was 800 MHz.
[0026]
[Table 1]
Figure 0004246482
[0027]
(2) Measurement of specific gravity The specific gravity of each test piece prepared in (1) was measured by the Archimedes method.
(3) Evaluation of dielectric characteristics For each test piece prepared in (1), ε r , Qu and τ f were measured by a parallel conductor plate type dielectric cylindrical resonator method (TE 011 MODE) or the like. Note that tau f measured in the temperature range of 25~80 ℃, τ f = (f 80 -f 25) / (f 25 × ΔT), it was calculated by ΔT = 80-25 = 55 ℃. Further, the resonance frequency at the time of measurement is 3 to 5 GHz. In addition, Qu was represented by the product (Qu × f) of the resonance frequency (f) at the time of measurement and the measured value of Qu.
Table 2 shows the specific gravity and the results of ε r , Qu × f, and τ f . In addition, Table 2 shows secondary coefficients representing linearity with respect to the temperature change of τ f .
[0028]
Furthermore, as shown in FIG. 1, the dielectric resonator manufactured in (1) was fixed to an alumina support base joined to the bottom of the inner surface of the metal case, and Qu was measured by TE 01δ MODE. The measurement results are also shown in Table 2.
[0029]
[Table 2]
Figure 0004246482
[0030]
According to the results in Table 2, the content of the Zr component is contained although the compound is composed of Ca, Ti, Ln, Al and O containing La as Ln, Na component, Zr component, Ta component and Mn component. In Comparative Example 1 in which the specific gravity is larger than the upper limit value, although the specific gravity is large and it is sufficiently sintered, the Qu in the case of the dielectric resonator is small and inferior. Further, it can be seen that Comparative Example 2 containing no Zr component has a slightly lower specific gravity and a lower Qu when a dielectric resonator is used. Furthermore, although the absolute values of Comparative Examples 1 and 2 both tau f is small, in Comparative Example 2 containing no Zr component secondary coefficient is large, inferior in linearity with respect to the temperature change of the tau f.
[0031]
On the other hand, in Examples 1 to 4 containing a compound composed of Ca, Ti, Ln, Al and O containing La as Ln, and a predetermined amount of Na component, Zr component, Ta component and Mn component, the specific gravity is 4.68 to All are fully sintered at 4.77. Furthermore, epsilon r is 44.7 to 46.0, the Q × f 15200~16400GHz, τ f is 1.0~1.6ppm / ℃, the absolute value is very small, particularly tau f, excellent dielectric It can be seen that it has characteristics. Further, the secondary coefficient is small, and the linearity with respect to the temperature change of τ f is high. If these dielectric ceramic compositions are used, a high-quality resonator can be obtained in a practical temperature range. Further, in Example 2, the firing temperature varies between 1470 and 1510 ° C., but it is sufficiently sintered without being substantially affected by the firing temperature, and has stable and excellent dielectric properties. A dielectric ceramic composition is obtained. Furthermore, when the dielectric resonator is used, the Qu is as large as 34700 to 36800 GHz, and it can be seen that an excellent quality resonator is obtained.
[0032]
The present invention is not limited to the specific examples described above, and various modifications can be made within the scope of the present invention depending on the purpose and application. For example, in addition to the above-mentioned CaCO 3 and Na 2 CO 3 , Ca, Na nitrates, sulfates, and the like can be used as raw materials to become Ca components and Na components. Similarly, for other elements, various compounds that become oxides upon heating can be used.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram showing the shape and dimensions of a dielectric resonator disposed in a metal case.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Dielectric resonator, 2; Alumina support stand, 3; Metal case.

Claims (9)

組成式xCaTi−(1−x)LnAl(但し、0.54≦x≦0.82である。)で表され、上記LnがY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Er及びYbのうちの少なくとも1種であり、且つa/b及びc/dがいずれも0.8〜1.2であるCa、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物と、Na成分と、Zr成分とを含有するマイクロ波誘電体磁器組成物であって、該Ca、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物を100質量部とした場合に、該Na成分はNaO換算で0.02〜0.5質量部であり、該Zr成分はZrO換算で0.02〜0.2質量部であることを特徴とするマイクロ波誘電体磁器組成物。It is represented by a composition formula xCa a Ti b O 3 — (1-x) Ln c Al d O 3 (where 0.54 ≦ x ≦ 0.82), and the above Ln is Y, La, Ce, Pr. , Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Er, and Yb, and a / b and c / d are all 0.8 to 1.2, Ca, Ti, Ln, Al And a dielectric ceramic composition containing a Na component and a Zr component, wherein the compound consisting of Ca, Ti, Ln, Al and O is 100 parts by mass, The microwave dielectric ceramic, wherein the Na component is 0.02 to 0.5 parts by mass in terms of Na 2 O, and the Zr component is 0.02 to 0.2 parts by mass in terms of ZrO 2 Composition. 上記Ca、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物を100質量部とした場合に、更にTa換算で0.3〜5質量部のTa成分を含有する請求項1に記載のマイクロ波誘電体磁器組成物。The microwave according to claim 1, further comprising 0.3 to 5 parts by mass of a Ta component in terms of Ta 2 O 5 when the compound consisting of Ca, Ti, Ln, Al, and O is 100 parts by mass. Dielectric ceramic composition. 上記Lnの少なくとも一部がLaである請求項1又は2に記載のマイクロ波誘電体磁器組成物。  The microwave dielectric ceramic composition according to claim 1 or 2, wherein at least a part of the Ln is La. 上記Ca、Ti、Ln、Al及びOからなる化合物を100質量部とした場合に、更にMnO換算で0.5質量部以下のMn成分を含有する請求項1乃至3のうちのいずれか1項に記載のマイクロ波誘電体磁器組成物。The Ca, Ti, Ln, in the case where the compound of Al and O is 100 parts by mass, further any of claims 1 to 3 containing 0.5 parts by mass or less of Mn components MnO 2 in terms of 1 The microwave dielectric ceramic composition as described in the item. Ca酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるCa化合物、Ti酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるTi化合物、Ln酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるLn化合物(Lnは、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Er及びYbのうちの少なくとも1種である。)、Al酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるAl化合物、Na酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるNa化合物、並びにZr酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるZr化合物の各々を、Ca元素、Ti元素、Ln元素及びAl元素のモル比がx:x:(1−x):(1−x)[但し、0.54≦x≦0.82の範囲の値を採用する。]となり、且つ上記Ca酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるCa化合物、上記Ti酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるTi化合物、上記Ln酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるLn化合物、及び上記Al酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるAl化合物の合計を100質量部とした場合に、Na酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるNa化合物が、NaO換算で0.02〜0.5質量部となり、Zr酸化物及び/又は加熱によって酸化物となるZr化合物が、ZrO換算で0.02〜0.2質量部となるように混合して原料混合物を調製し、その後、該原料混合物を焼成して得られたものであることを特徴とするマイクロ波誘電体磁器組成物。Ca oxide and / or Ca compound that becomes oxide by heating, Ti oxide and / or Ti compound that becomes oxide by heating, Ln oxide and / or Ln compound that becomes oxide by heating (Ln is Y, At least one of La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Er, and Yb.), Al oxide and / or Al compound that becomes oxide by heating, Na oxide, and / or Alternatively, a Na compound that becomes an oxide by heating and a Zr oxide that becomes an oxide by heating and / or a Zr compound that becomes an oxide by heating have a molar ratio of Ca element, Ti element, Ln element, and Al element of x: x: (1 -X): (1-x) [However, a value in the range of 0.54 ≦ x ≦ 0.82 is adopted. And the Ca compound and / or Ca compound that becomes an oxide by heating, the Ti oxide and / or the Ti compound that becomes an oxide by heating, the Ln oxide and / or the Ln that becomes an oxide by heating When the total of the compound and the Al oxide and / or Al compound that becomes an oxide by heating is 100 parts by mass, the Na oxide and / or the Na compound that becomes an oxide by heating becomes Na 2 O equivalent. 0.02 to 0.5 parts by mass, the Zr oxide and / or the Zr compound that becomes an oxide by heating is mixed so that the ZrO 2 conversion is 0.02 to 0.2 parts by mass. A microwave dielectric ceramic composition characterized by being prepared and then fired from the raw material mixture. 共振周波数800MHzにおける無負荷品質係数が30000以上である請求項1乃至5のうちのいずれか1項に記載のマイクロ波誘電体磁器組成物。  The microwave dielectric ceramic composition according to any one of claims 1 to 5, wherein a no-load quality factor at a resonance frequency of 800 MHz is 30000 or more. 共振周波数の温度係数が−10〜+10ppm/℃である請求項1乃至6のうちのいずれか1項に記載のマイクロ波誘電体磁器組成物。  The microwave dielectric ceramic composition according to any one of claims 1 to 6, wherein a temperature coefficient of a resonance frequency is -10 to +10 ppm / ° C. 請求項1乃至7のうちのいずれか1項に記載のマイクロ波誘電体磁器組成物からなることを特徴とする誘電体共振器。  A dielectric resonator comprising the microwave dielectric ceramic composition according to any one of claims 1 to 7. 共振周波数800MHzにおける無負荷品質係数が30000以上である請求項8に記載の誘電体共振器。  The dielectric resonator according to claim 8, wherein a no-load quality factor at a resonance frequency of 800 MHz is 30000 or more.
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WO2006003745A1 (en) * 2004-07-05 2006-01-12 Murata Manufacturing Co., Ltd High frequency dielectric porcelain composition and dielectric element
GB2429011B (en) 2005-08-10 2007-05-30 Filtronic Comtek Microwave Dielectric Ceramic
CN100429174C (en) * 2006-05-15 2008-10-29 中国科学院上海硅酸盐研究所 Method for preparing pure-phase barium-titanium series ceramic material
GB0700265D0 (en) * 2007-01-08 2007-02-14 Powerwave Uk Ltd Microwave dielectric ceramic
JP4678022B2 (en) * 2007-11-26 2011-04-27 Tdk株式会社 Method for producing dielectric ceramic composition
CN111377710A (en) * 2018-12-31 2020-07-07 深圳市大富科技股份有限公司 Microwave dielectric ceramic material and preparation method of dielectric ceramic block
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