JP4238194B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 - Google Patents
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Description
Appl.Phys.Lett.51(12),21 September 1987,p.913 Appl.Phys.Lett.71(1),7 July 1997,p.34 Nature 357,477 1992
ただし、化学式(1)において、R1〜R3は、水素原子、メチル基、エチル基、n―プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、2−エチルブチル基、3,3−ジメチルブチル基、シクロヘキシル基、n−へプチル基、シクロヘキシルメチル基、n−オクチル基、tert−オクチル基、2−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル基等の炭素数1−18の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、2−エチルブトキシ基、3,3−ジメチルブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n−へプチルオキシ基、シクロヘキシルメチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルへキシルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基等の炭素数1−18の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基である。
前記化学式(1)に示される化合物において、R1及びR2が水素原子、R3が炭素数3−8の直鎖アルキル基であることが好ましい。さらに前記高分子化合物が、後述する化3〜化9に示されるいずれかであることが好ましい。
具体的には、一般的に低分子材料はアモルファス状に形成されるため、各層においては等方的に分子が配列しており、その結果、キャリア移動度も各層において等方的となっている。そして、キャリア移動度が良好にバランスするように、積層構造を構成する各層の膜厚が決定されていた。ここで、低分子材料を積層形成するには、蒸着法が一般的に用いられているが、該蒸着法によって形成された積層膜の界面は、各層の材料が混ざることなく均一な面接触状態となっている。従って、このような積層構造においては、積層によってキャリア移動度のバランスを取っているために、例えば、ホール輸送材料の膜厚が厚くなる場合には電圧を高く設定し、より多くのホールを輸送しなければ発光層で発光しなかったり、また、発光箇所が不均一になったりしていた。そして、各層の界面が均一な接合面であるために、駆動電圧量が若干上昇することにより、一斉に正孔と電子が励起され、結合し、発光していた。
これに対して、本発明のような高分子材料からなる発光機能層においては、第1機能部と第2機能部との間に中間部を形成しており、低分子材料を用いたときのような界面(面接触状態)が形成されていないため、発光効率を向上させることができ、ひいては発光寿命を向上させることが可能となるのである。そして、駆動電圧量を大きくしても一斉に正孔と電子が励起、結合することがないので、発光強度が急峻に上昇することがなく、駆動電圧量に応じて輝度を緩やかに上昇させることができ、有機EL装置の発光効率のコントロールや、低輝度の諧調コントロールを容易に行うことができるようになる。また、駆動電圧の変化量を細かく制御するための複雑な周辺回路が不要になるという利点がある。
ただし、化学式(1)において、R1〜R3は、水素原子、メチル基、エチル基、n―プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、2−エチルブチル基、3,3−ジメチルブチル基、シクロヘキシル基、n−へプチル基、シクロヘキシルメチル基、n−オクチル基、tert−オクチル基、2−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル基等の炭素数1−18の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、2−エチルブトキシ基、3,3−ジメチルブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n−へプチルオキシ基、シクロヘキシルメチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルへキシルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基等の炭素数1−18の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基である。
まず、本発明の一実施形態に相当する有機EL装置について説明する。
本実施形態の有機EL装置はカラー発光型の有機EL装置であり、図1に示すような断面構成を有している。具体的には、ガラス等の透光性基板1の上に、回路素子としての薄膜トランジスタ(TFT)2、層間絶縁膜(絶縁層)3、画素電極(陽極)4、発光機能部7、陰極8,9等を順次積層した構造からなる。
図7は、有機EL装置の発光特性の実験結果を示す図であって、横軸に駆動電圧(V-drive)、縦軸に発光効率(Efficiency)をそれぞれ示している。この図において、符号Aに示す曲線は、本実施形態の有機EL装置(実施例)の発光特性を示しており、符号Bに示す曲線は、中間部7cを有しない有機EL装置(従来例)の発光特性を示している。
次に、有機EL装置の製造方法について説明する。
先ず、図2に示すように、ガラス基板1の上に、各画素の薄膜トランジスタ2を形成した後、絶縁層3を形成する。次に、この絶縁層3に、各薄膜トランジスタ2と画素電極4とを接続するためのコンタクト24を形成する。そして、各画素に対応してITO(In2O3 −SnO2)からなる画素電極4を形成する。具体的には、ITO薄膜形成工程、フォトリソグラフィ工程、およびエッチング工程により行う。
ここで、当該発光部形成材料61の塗布方法としては、公知の液相法(ウエットプロセス、湿式塗布法)が採用され、例えば、スピンコート法、インクジェット(液滴吐出)法、スリットコート法、ディップコート法、スプレー成膜法、印刷法、等が用いられる。このような液相法は高分子材料を成膜するには好適な方法であり、気相法と比較して真空装置等の高価な設備を用いることなく安価に有機EL装置を製造することができる。
本実施形態においては、スピンコート法(例えば2000rpm/30sec)を用いることが好ましい。このように液相法を用いることにより、発光機能部形成材料61が各開口部5内の各画素電極4上に形成される。
化学式(1)において、置換基R1、R2及びR3としては、上記の定義に該当すれば特に限定するものではないが、具体的には、水素原子、メチル基、エチル基、n―プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、2−エチルブチル基、3,3−ジメチルブチル基、シクロヘキシル基、n−へプチル基、シクロヘキシルメチル基、n−オクチル基、tert−オクチル基、2−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル基等の炭素数1−18の直鎖、直鎖、分岐又は環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、2−エチルブトキシ基、3,3−ジメチルブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n−へプチルオキシ基、シクロヘキシルメチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルへキシルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基等の炭素数1−18の直鎖、直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基が挙げられる。中でも、化学式(1)の好ましい例としては、R1及びR2が水素原子であり、且つR3が炭素数3−8の直鎖、直鎖、分岐又は環状のアルキル基を有するものである。
なお、各陰極8,9の形成は、従来から公知の真空蒸着法にて形成することもできる。
そして、駆動回路等を有する本体に当該有機EL装置を取り付けることで、有機EL装置を備えた有機EL表示パネルが完成となる。
次に、本発明の有機EL装置を備えた各種電子機器について、図8を参照して説明する。図8(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図8(a)において、符号600は携帯電話本体を示し、符号601は前記有機EL装置を用いた表示部を示している。図8(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図8(b)において、符号700は情報処理装置、符号701はキーボードなどの入力部、符号703は情報処理装置本体、符号702は前記有機EL装置を用いた表示部を示している。図8(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図8(c)において、符号800は時計本体を示し、符号801は前記有機EL装置を用いた表示部を示している。
Claims (9)
- 電極間に発光機能部を有する有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記発光機能部は、発光機能を有する高分子化合物からなる第1機能部と、化学式(1)にて示される化合物からなる第2機能部と、これら第1機能部と第2機能部との間に発光機能を有する高分子化合物及び化学式(1)にて示される化合物が混在する中間部とを有してなり、
前記中間部は、前記第1機能部と前記第2機能部とを液相法により形成する過程で前記第1及び第2機能部が相分離することにより形成された界面を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記化学式(1)に示される化合物において、R1及びR2が水素原子、R3が炭素数3−8の直鎖アルキル基であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記中間部は、当該発光機能部の厚さ方向に前記発光機能を有する高分子化合物と前記化学式(1)にて示される化合物とが不均一に分布する領域であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記中間部は、当該発光機能部の厚さ方向に前記発光機能を有する高分子化合物と前記化学式(1)にて示される化合物とが混在する領域であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記発光機能を有する高分子化合物は発光主体をなす発光部を構成し、前記化学式(1)にて示される化合物は前記電極から前記発光部にホールを輸送するホール輸送部を構成することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 電極間に発光機能部を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
基板上に電極を形成する工程と、
該電極上に、発光機能を有する高分子化合物と、化学式(1)にて示される化合物とを混合した混合溶液を塗布する工程と、
塗布した前記混合溶液を乾燥させるとともに、乾燥させる過程で前記混合溶液に含まれる前記高分子化合物と前記化合物とを相分離させて前記高分子化合物からなる層と前記化合物からなる層とが積層された前記発光機能部を形成する工程とを具備することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記混合溶液は、前記発光機能を有する高分子化合物と、前記化学式(1)にて示される化合物との混合比が、1:2〜1:5であることを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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