JP4235392B2 - 位置検出装置、面形状推測装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 - Google Patents
位置検出装置、面形状推測装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4235392B2 JP4235392B2 JP2002063705A JP2002063705A JP4235392B2 JP 4235392 B2 JP4235392 B2 JP 4235392B2 JP 2002063705 A JP2002063705 A JP 2002063705A JP 2002063705 A JP2002063705 A JP 2002063705A JP 4235392 B2 JP4235392 B2 JP 4235392B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- detection
- light
- pattern
- incident
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体素子、又は液晶表示素子等を製造するためのリソグラフィ工程でレチクルパターンをウエハ等の基板上に露光する際に使用される投影露光方法、及び投影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子等を製造する際に、ステッパーのような一括露光型の投影露光装置の他に、ステップ・アンド・スキャン方式のような走査型の投影露光装置(走査型露光装置)も使用されつつある。この種の投影露光装置の投影光学系においては、限界に近い解像力が求められているため,解像力に影響する要因(例えば大気圧、環境温度等)を測定して、測定結果に応じて結像特性を補正する機構が備えられている。また、解像力を高めるべく投影光学系の開口数が大きく設定され、その結果として焦点深度がかなり浅くなっているため,斜入射方式の焦点位置検出系により基板としてのウエハの表面の凹凸のフォーカス位置(投影光学系の光軸方向の位置)を計測し、この計測結果に基づいてウエハの表面を投影光学系の像面に合わせ込むオートフォーカス機構が備えられている。
【0003】
しかし、近年になって、マスクとしてのレチクルの変形による結像誤差も次第に無視できなくなってきている。即ち、仮にレチクルのパターン面がほぼ一様に投影光学系側に撓むと、結像位置もレチクルのパターン面が変位するのと同じ方向に変位するため、ウエハの位置が同じではデフォーカスが発生してしまう。また、レチクルのパターン面が変形するとパターンのパターン面内の位置(投影光学系の光軸に垂直な平面内方向の位置も変化することがあり、このようなパターンの横ずれはディストーション誤差の要因にもなる。
【0004】
そのようなレチクルの変形を要因別に分類すると、(a)自重変形(b)レチクルパターン面の平坦度(c)レチクルをレチクルホルダに吸着保持する際の接触面の平面度により発生する変形(塵の挟み込みを含む)が考えられる。これらの要因によって生じるレチクルの変形量は0.5μm程度であり、このようなレチクルを投影光学系(投影倍率1/4倍)で投影すると、結像面でのレチクルの変形方向に関する位置ずれが30nmとなり無視できないほど大きくなってしまう。そこで、レチクルのパターン面の変形を計測し、その計測結果に従って結像性能を補償することが考えられる。しかし、そのレチクルの計測は、かなり高精度に行わなければならず、レチクルパターン面の変形量は0.1μm程度の計測精度で計測する必要がある。また、このようなレチクルの変形の状態は、レチクル毎に、更には露光装置のレチクルホルダ毎に異なってくるため、レチクルの変形量を正確に測定するためには、レチクルを実際に投影露光装置のレチクルホルダに吸着保持した状態で測定する必要がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記の如く、投影露光装置においてより高い結像性能を得るためには、ウエハのみならず、レチクル側でもパターン面の形状を計測することが望ましい。そこでレチクルの面形状を計測するために、ウエハのフォーカス位置を検出するための斜入射方式のAFセンサーと同様の位置センサーをレチクルステージ側にも配置することが考えられる。
【0006】
この場合、レチクルのパターン面は下面、即ち投影光学系側にあることからパターン面形状を検出するセンサーの検出光も下面側から斜入射することになる。ところが、この検出光はレチクルのパターン面に直接入射するためにそのパターンの反射率の違い(クロムとガラスの反射率)により検出光が影響を受け、正確な面形状を検出できなくなるという不都合が生じる。
【0007】
また、レチクルにはパターン面に異物が付着しないように、金属枠を介して防塵膜(ペリクル)が張設されることがある。この場合、その金属枠に斜入射光が遮られないように制約もあるため、あまり浅い角度(大きな入射角)でレチクルのパターン面に検出光を照射することはできない。
【0008】
また、上記の金属枠があるため、斜入射方式の位置センサーの検出光入射方向によりパターン面の位置検出可能領域には制限が加わり、パターン面のショット領域全域の面形状を直接計測することは困難である。
【0009】
本発明は以上の点に着目したもので、マスクのパターンの投影を良好に行うことを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の一側面としての位置検出装置は、走査型露光を行うための所定のパターンが形成されたレチクル面上の複数の点の、前記レチクル面と垂直な方向の位置を検出する検出手段を有する位置検出装置であって、前記検出手段は、検出光を前記レチクル面に導く光照射部と前記レチクル面からの反射光を受光する受光部とを有し、走査方向に走査される前記レチクルを検出することにより前記複数の点の前記レチクル面と垂直な方向の位置を検出し、前記光照射部は、45度以上の入射角度で前記レチクル面に前記検出光が入射し、前記レチクル面と垂直な方向から見たときに前記走査方向に対して斜めに傾いて前記レチクル面に前記検出光が入射するように、構成されていることを特徴としている。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例の形態の一例につき図面を参照して説明する。本例は、ステップ・アンド・スキャン方式(走査型)の投影露光装置を用いて露光を行う場合に本発明を適用したものである。図1には、投影露光装置の主要部が示されている。同図において、レチクルRはパターン形成面を下にして紙面と直交方向に走査可能なレチクルホルダによって真空吸着により保持されている。レチクル上方には露光用の光を出力する光源1が設けられており、この光源とレチクルRとの間には照明光学系2が設けられている。レチクルを挟んで照明光学系2の反対側には投影光学系PLを挟んで露光対象であるウエハWが配置されている。このウエハWはウエハ全面の露光、スキャン露光、フォーカス補正が可能なようにXYZ方向および傾きが駆動可能なウエハステージWSTに載置されている。
【0017】
本実施例における投影露光の動作は、一般的な投影露光装置と同様である。すなわち、光源1から射出された露光光は、照明光学系2によってレチクルRに照射される。そして、レチクルに描画されているパターンの像は、露光光により、投影光学系PLを通じてウエハW上に投影される。レチクルRとウエハWは相対的に紙面と直交方向に走査されることによりワンショットの露光を行なうものである。
【0018】
本実施例では、図1に示すように、レチクルホルダの下側にレチクル面位置検出系が設けられている。このレチクル面位置検出系はウエハの露光面を投影光学系の結像面に合わせ込むための斜入射タイプのフォーカスセンサーと同様の構成、機能を備えており、光照射部と光検出部によって構成されている。すなわち、光照射部からレチクルのパターン形成面に検出光を照射し、その反射光を光検出部で検出することにより、レチクルの面位置を検出するものである。光照射部は、発光ダイオードなどの光源5と、投影マーク用スリット6、投影レンズ7を主要構成としている。光検出部は、受光レンズ8とCCDセンサーなどのディテクタ9を主要構成としている。ここで、レチクル走査方向(紙面と垂直な方向)とレチクル走査方向と直交する方向(紙面の左右方向)に複数の検出系を配置した上でこのレチクルを走査することによりレチクル面上の複数の点(検出点)において面位置を測定し、その測定結果からレチクル面の面形状を計測する構成としている。
【0019】
さらにこの面位置検出系で検出された面形状は形状記憶部10で記憶され、さらに演算部11でレチクル全面の近似面を算出する。
【0020】
ここで、上記のような方法で計測したレチクルのパターン面の撓みを補正する方法としては以下のような方法が考えられる。
【0021】
(1)物理的に撓みを補正する
圧電素子やその他のアクチュエータを用いて、レチクルに対して撓みを補正する方向に力を加えることにより、レチクルの撓みを物理的に補正する。ここでアクチュエータは圧電素子に限らないし、またボルトとナット等を用いてレチクルに力を加えるようにしても良い。また、レチクルの上面側及び/又は下面側に気圧を制御することができる密閉空間を設け、この空間内の圧力を制御してレチクルの撓みを補正するようにしても良い。
【0022】
(2)光学的に撓みを補正する
レチクル全面の走査方向の撓みは、ウエハステージを投影光学系の光軸方向(Z方向)に動かしつつ走査方向に駆動することにより、光学的に補正を行う。走査方向の撓みに関してはウエハステージを上下に動かすことにより、レチクルのパターン面とウエハ表面の共役関係を良好に保ちつつ走査露光を行い、走査方向と直交する方向の撓みに関しては投影光学系内の光学素子を動かすことにより像面湾曲を発生させ、撓んだレチクルのパターン面がウエハ表面に良好に結像されるように調整しつつ走査露光を行う。このウエハステージの調整と投影光学系の調整の両方をリアルタイムで行いつつ走査露光を行えれば最良であるが、両者をリアルタイムで実行するのが困難な場合、レチクルを走査方向に関して複数の領域に分割し、その複数の領域ごとにウエハステージの光軸方向(Z方向)に駆動するようにすると制御が簡単になる。また、走査方向と直交する方向のレチクルの撓みに関しては以下のように対処する。通常、撓んだレチクルを投影光学系で投影すると像面が湾曲してしまう。そこで、投影光学系の光学素子(レンズでもミラーでも可)を投影光学系の光軸方向に移動することによって、投影光学系の像面湾曲を変化させて、レチクルの湾曲に起因する像面の湾曲と、投影光学系の光学素子を移動することによって変化する像面湾曲とが相殺するように設定することによって、レチクルの撓みを光学的に補正している。
【0023】
また、投影光学系の光学素子を動かすことにより、レチクル全面において、レチクルの湾曲の影響を十分に低減することができれば、走査方向の撓みも走査方向と直交する方向の撓みも、光学素子を動かすことにより光学的に補正することができる。
【0024】
(3)レチクルを交換する
レチクルの面形状計測結果から、レチクルの撓みによる結像面の湾曲を許容範囲内に低減できず、露光の結像性能に支障があると判断した場合、制御系12を通じてレチクルステージRSTに信号を送り、レチクルの交換、再設置を促す機能を有している。
【0025】
以下に、さらに詳細に本発明の実施形態について説明する。
【0026】
図2、図3を参照しながら前記のレチクル面位置検出系の動作を説明する。光源5から射出された光は、投影マーク用スリット6を通過し投影レンズ7によってレチクルのパターン面付近で集光する。そして、レチクルのパターン面で反射された光は、受光レンズ8を通してディテクタ9上で再び集光する。このレチクル面付近で集光する位置を検出点とし、検出点をスキャン方向と直交する方向に複数設ける。この状態でレチクルを走査しつつ一定のピッチで検出点の面位置検出を行い、その結果からレチクル面の面形状を計測する。さらに具体的に面形状を検出する方法を説明する。面位置検出系においては図2のように光照射系5からの検出光が破線で描かれているレチクル面に斜入射され、反射された光が光受光部9に入射する。その検出光をCCDセンサー等で取り込むと図3(i)のような波形が検知でき、波形の重心位置を位置情報とすることでレチクル面上の検出点の位置を検出する。例えば図2の実線で描かれているようにレチクルパターン面が撓んでいたとするとそのレチクル面から反射されて光検出系に入射する検出光は図2の実線で描かれた矢印の方向にシフトすることになる。その際、検出系5,9で検知される検出波形(重心位置)は図3(ii)のようにパターン面形状に応じて、もとの波形位置からシフトすることになる。それぞれの波形の重心がシフトする量から、検出点のZ方向(レチクル面と垂直な方向)の位置を検出する。
【0027】
ところがレチクル(パターン)面を計測するときに、検出光がパターンが形成されている部分(クロムが塗布されている部分)とパターンが形成されていない部分(クロムが塗布されておらず、レチクル基板であるガラスが剥き出しになっている部分)との両方に照射される場合、検出光で取り込まれる波形が崩れてしまう現象が起きることが有る。このことにより検出点(パターン面)のZ方向の位置を誤計測してしまう。具体的には、図4に示す検出光照射部(図4の下側の図中の四角で囲った部分)に検出光が当たった場合、検出光はレチクル面に斜入射し、その光がパターン形成部とパターンが形成されていない部分の両方に照射されると、両者の反射率差(クロムとガラスの反射率差)により、レチクル面で反射されて光受光部に取り込まれる検出光の波形が崩れてしまう。その波形の崩れにより波形の重心が変化してしまい、レチクル面上の検出点の位置を誤計測する原因となる。具体的には、図4の下側の図において、四角で囲んだ領域に検出光が当たった場合、ガラスの方がクロムよりも反射率が低いため、図4の上側の図のように反射光の波形が崩れてしまい、波形の重心が(本来重心があるべき位置よりも)左側にずれてしまう。このような誤計測を防ぐ、もしくは計測誤差を小さくするための対応策が必要である。
【0028】
そこで、計測光の入射角度と計測誤差、またその原因となるパターンの反射率比(クロムの反射率/ガラスの反射率)の関係を示したのが図5である。図5から、入射角度を大きくしていくと、クロムとガラスの反射率比が小さくなり、計測誤差も小さくなることが分かる。露光装置のレチクルパターン面の検出において、各検出点の計測誤差は0.1μm程度以内に抑える必要がある。図5において、検出光のパターン面への入射角度を45°以上にすれば、クロムとガラスの反射率比を低く抑えることができ、計測誤差0.1μm以内という上記の性能を満足することができることがわかる。
【0029】
ここで、上述の実施例においてガラスと書いたが、このガラスは、石英、フッ素ドープ石英、蛍石等であっても構わない。また、ガラス、石英、フッ素ドープ石英、蛍石に反射防止膜等を塗布した上にクロムでパターンを形成したものをレチクルとしていても構わない。
【0030】
上記の結果から入射角度を大きくしていくと計測精度はよくなるが、実際の露光装置に用いるレチクルには図1に示すように金属枠4を介して塵付着防止膜(ペリクル)3が張設されることがあり、検出光のパターン面への入射角の設定範囲には制約があるのが実情である。例えば、図6はパターン面に入射する検出光をスキャン方向と直交する方向と平行にした場合である。この場合に、パターン面への検出光の入射角度をθ10、θ11、θ12と3種類想定した。それぞれの入射角度の検出光がそれぞれ所定のNAを持っていることを考え合わせると、図6のように入射角度が大きいほど、位置検出可能領域がペリクルから遠ざかっていることが分かる。
【0031】
図7に位置検出可能領域を示した。図7はレチクルのパターン面をパターン面に垂直な方向から見た図であり、金属枠とはペリクルの枠のことでありここでは金属としたが、金属以外で枠を形成していても構わない。また、ショット領域とは、レチクル上で投影するパターンが形成されている領域のことである。ここで、検出光のパターン面への入射角度がもっとも小さいθ12の場合、図7における検出領域1,2,3のすべての領域が検出可能である。次に2番目に入射角度が小さいθ11の場合、検出領域2,3の領域が検出可能である。最後にもっとも入射角度が大きいθ10の場合検出領域3の領域だけが検出可能である。
【0032】
つまり、前述のように、検出光のパターン面への入射角度は45度以上にしないと所望の計測精度が得られないが、入射角度が大きすぎると、パターン面内の検出可能領域が小さくなってしまい、ショット領域全域を位置検出することができなくなってしまうことが分かった。
【0033】
そこで、ショット領域全域の位置検出を行わずにショット領域全域の面形状を知るための方法として、検出領域内の複数の検出点における計測結果に基づいてショット領域内のレチクル面の形状を近似計測することが考えられる。
【0034】
そこでここでは、上記のレチクルパターン面の近似計測において重要な検討要素となる検出スパン(検出点間の間隔)、検出点数と、レチクルの撓み面を近似する際の精度との関連性について説明する。
【0035】
まず、図10(i)にあるように2次元的なレチクルの撓み面を想定する。そして、ここでは位置検出を行う点を3点とし、その3点の検出点における検出結果に基づいてレチクルパターン面の近似面を描いている。このとき、実際のレチクルの撓みのレンジをR真値、近似した撓み面のレンジをR計測とする。(ここではショット領域を撓み評価領域とし、ショット領域内での面位置の最大値、最小値のレンジをRと定義している。)。さらに図10(ii)には3点の検出点の検出スパンを図10(i)よりも大きくした場合を、図10(i)と同じように示している。この結果から、検出スパンが小さいときよりも、検出スパンが大きいときの方が、レチクルパターン面の近似面の形状が、実際のレチクルパターンの形状に近いことが分かる。つまり、検出点数が決まっている場合、検出スパンは大きい方が近似面の精度が上がることが分かった。
【0036】
さらに、図10(iii)は、図10(i)とほぼ同じ領域内に検出点を配置しているが、その検出点の数を増やした場合である。ここで、図10の(i)と図10(iii)とを比較すると、検出点検出点検出点数が少ないときよりも、検出点数が多い場合の方が、レチクルパターン面の近似面の形状が、実際のレチクルパターン面の形状に近いことが分かる。つまり、検出する領域(検出可能領域)が同じ場合、検出点数を増やした方が、レチクルパターン面の近似面の形状が実際のパターン面の形状に近いことが分かる。検出点検出点検出点以上のように実際のレチクル撓み面を精度よく計測するためには検出点数を増やす、もしくは検出スパンを大きくしてレチクル撓み面を近似計測することが必要である。そこで各検出点での計測誤差を0.1μm以内とし、検出点(3点以上)、検出スパン(検出光のパターン面への入射角度や入射方向により制限があるが、ここではショット領域内で設けることができる最大スパンとする)を設定してレチクル面形状を近似計測した。そのときの検出可能領域(対ショット領域)と前述したレチクル撓みのレンジ差(R計測−R真値)の関係を図11に示した。これによるとレチクル面形状を近似計測するときに検出領域がショット領域の80%以上であればレンジ差を0.1μm以下にできることが分かる。
【0037】
上記の結果をもとに有効なレチクル面形状計測システム構成例を以下に示す。実際のレチクル面形状検出においてレチクル面の非走査方向には検出装置の実装上の制約があり、多くの検出点を構成できない場合がある。逆にスキャン方向には検出点を増やすことは、計測ピッチを小さくすることにより可能である。そのため図12にあるようにレチクル面の検出領域の非走査方向は検出スパンを大きくし(検出点数に限りがあるため)、走査方向は検出点数を増やすことによりレチクルパターン面の面形状を精度良く近似することが考えられる。その際、それぞれの検出方向(スキャン方向、スキャン方向と直交する方向)において、適当な検出光の入射方向φ(レチクルのパターン面と垂直な方向から見たときの、スキャン方向とパターンに入射する検出光のなす角度)を設定することにより直接検出できる領域を広げるようにすれば、さらにパターン面の近似面の精度が上がるものと考えられる。そこで、入射方向φと検出可能領域との関連性について以下に検討した。
【0038】
図8,9は以下に設定したパラメータの説明図である。図8、9にあるように検出光の入射角度θ、入射方向φ、開口数θNA、金属枠の大きさ内枠(Pxin×Pyin)、外枠(Pxout×Pyout)、全ショット領域(Pxshot×Pyshot)、金属枠高さh、レチクルパターン面の最大検出領域(X×Y)とすると、X方向における金属枠の内枠から最大検出領域(検出可能領域)の端までの距離a、Y方向における金属枠の内枠から最大検出領域(検出可能領域)の端までの距離bは次の式で表される。
【0039】
a=h/tan(90−θ−θNA)×sinφ
b=h/tan(90−θ−θNA)×cosφ
また、最大検出領域のX,Yは
X=Pxin−2×a
Y=Pyin−2×b
と表せる。
【0040】
これらの関係から、検出光のパターン面への入射角度による検出可能領域を図示したのが図13である。ここでは、図6と同様θ10、θ11、θ12(θ10>θ11>θ12)という3種類の入射角度を想定し、それぞれの入射角度について検出可能領域を検討した。図13から、入射角度がθ12の時(入射角度がもっとも小さいとき)、検出領域1,2,3すべての領域(ショット領域全域)が検出可能であり、入射角度がθ11の時、検出領域2,3の領域(ショット領域の約80%)が検出可能であり、入射角度がθ10の時、検出領域3のみ(ショット領域の約50%)が検出可能である。つまり、θ10は入射角度が大きすぎるため、ショット領域のうちの約50%の領域にしか検出点を設けられないため、所望の近似面の精度(0.1μm以下)を得ることができないことが分かる。
【0041】
以上より、所望の精度でレチクルのパターン面の形状を推測(近似)するためには、検出光のパターン面への入射角度が45度以上(レチクルの基板がガラスで、そのガラス基板上にクロムでパターンを描いた場合)であり、尚且つ、レチクルのショット領域のうち80%以上の領域に検出点を設けることができるような入射角度、入射方向で検出光をレチクルのパターン面に入射させる必要がある。
【0042】
ここで、Pxinを120mm、Pyinを146mm、Pxoutを124mm、Pyoutを150mm、Pxshotを108mm、Pyshotを134mm、hを6.3mmとしたとき、ショット領域内の検出可能領域が80%以上になる場合について計算を行った。その結果が図14である。図中のIは、各々の検出点における検出誤差が0.1μm以下となるための条件、II及び斜線部は、ショット領域のうち80%以上が検出可能領域となるための条件である。尚、この結果は、入射方向45度の線に関して線対称な結果となるため、入射方向45度以上の領域に関してはここでは割愛した。この図14より、入射角度は45度以上80度以下にすると、所望の精度でパターン面の近似面を推測できることが分かる。この45度以上80度以下という入射角度は、ガラス基板上にクロムでパターンを形成した場合、及び金属枠やショット領域を上記のような数値に設定した場合に限らず、他の様々な状況において適用可能である。具体的には、レチクルの基板がガラスでなくても良いし、パターンを形成する材料がクロムでなくても良い。また、金属枠の高さ、内枠の大きさ及びショット領域の大きさが上記の設定した数値と異なるものであっても、レチクル及び金属枠(ペリクル)を用いる場合、上記のような入射角度を設定するのが好ましいと考えられる。これは下記の検出光の入射方向φに関しても同様のことが言える。
【0043】
また、計測精度の問題上ショット領域全域にわたって直接計測できない状況で、検出光の入射方向φを0度より大きく90度より小さい角度に設定することにより、スキャン方向においては直接検出できない領域が大きくなるものの、非スキャン方向はショット領域の全てにわたり直接計測できる(検出領域X:108〜120mm、Y:107〜108mm)。この検出領域において、レチクル面形状の近似計測精度が向上するように検出点数、検出スパンを適宜設定してもよい。
【0044】
さらに上記の入射方向φ(0度より大きく90度より小さい)に設定した場合においてショット領域とペリクル内枠までにあるパターン描画されていない領域に検出点を設けてもよい。
【0045】
また、ここで、検出光のパターン面への入射方向が、パターン面と垂直な方向から見たときに、スキャン方向に対して20度以上70度以下の角度をなすように構成すると、ショット領域内に対して検出可能領域の割合がさらに上がり、近似面の精度をさらに上げることが可能になる。
【0046】
さて、前記のような特徴をもつ検出系で検出された面位置情報は形状記憶系10で記憶される。そしてその面位置情報をもとに演算部11でレチクル全面での面形状を近似して算出する。そのとき、露光の結像性能を低下させるほどの面形状が算出された場合、走査方向の撓み情報はウエハステージに送られスキャン露光時のフォーカス駆動量が良好となるように補正が行なわれる。または、このレチクルの面形状計測結果から露光の結像性能に支障があると判断した場合、制御系12を通じてレチクルステージRSTに信号を送り、レチクルの交換、もしくはレチクルの再設置を促す機能を有している。
【0047】
実装上可能な場合、非スキャン方向に対して検出点は3点に限定する必要は無く、1点、2点でも構わないし、4点以上の検出点を設けても構わない。また、本実施例においては、レチクルの基板としてガラスを用い、そのガラス基板上にクロムを塗布してパターンを形成したが、レチクルの基板や塗布する材料は勿論別の材料を用いても構わない。
【0048】
また、本実施例では走査型露光装置に対して本発明を適用したが、走査型以外の露光装置に本発明を適用しても構わない。走査型露光装置以外の露光装置に適用した場合、上記の実施例において、スキャン方向と定義していた方向は、レチクルにおいてパターンが形成されている実質的に長方形のショット領域のいずれか一辺と置き換えれば良い。
【0049】
上述のように、本発明を走査型露光装置(所謂スキャナー)、或いは通常のステッパーと呼ばれる露光装置に適用することは可能である。さらに、そのような露光装置によりウエハを露光する工程と、公知の装置を用いて現像する工程等を有するデバイスの製造方法に適用することも可能である。
【0050】
また前述の面位置検出系においてレチクルパターン面による計測誤差を小さくするために検出光に偏光を用いてもよい。その際には、前述と同じように計測精度が小さくなるような検出光の入射角度、入射方向を決定するものとする。
【0051】
さらに、上記の実施例(もしくはそれを適用した露光装置)において、複数の検出点における位置検出の結果から及び/又は複数の検出点における位置検出の結果に基づいたパターン面形状(位置)の推測結果から、露光を行う際に結像性能に支障を及ぼすことが必至な場合は、レチクルの交換、レチクルの再設置等を促す警告機能を備えるようにすれば、パターン面の撓みや平面度の悪さによる露光性能の悪化に伴う歩留りの低下を未然に防ぐことができる。
【0052】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の面位置検出方法によれば、計測光の入射角度を45〜80°に設定することによりレチクル面上に描画されているパターンに起因する検出点ごとの検出誤差を抑えることが可能であり(例えば0.1μm以下)、また同時に検出光を斜め方向(スキャン方向に対して)から入射させることによりレチクル面形状を近似計測する際に必要な検出点設置可能領域をスキャン、非スキャン両方向において広範に確保することができ(ショット領域に対して80%以上)、レチクル面近似計測誤差も抑えることができる(0.1μm以下)。これにより露光すべきショット領域全面における面形状情報を高精度に得ることができる。
【0053】
また、上記のようなレチクル面位置検出方法により得られた結果から、ベストフォーカス,ディストーションが良好となるようにウエハステージ駆動量制御にフィードバックすることにより良好な結像性能が得られる。さらに、露光の結像性能に支障があると判断された場合、レチクルの交換、再設置を促す警告機能が備えられているため、たわみや平面度変化により発生する不良を未然に防止する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の投影露光装置の主要構成を示す図である。
【図2】レチクルの変形とレチクル面位置検出系の作用を示す図である。
【図3】検出光のCCDセンサー上での波形信号の様子(i)基準状態(ii)Z変位がありレチクルパターンに影響を受けていない状態(iii)Z変位がありレチクルパターンに影響を受けている状態
【図4】レチクル面上の描画パターンの反射率差による検出光波形の重心変化を示す図である。
【図5】検出光の入射角度、パターンによる反射率比(クロムの反射率/ガラスの反射率)、パターンに起因する計測誤差のそれぞれの関係を示す図である。
【図6】ペリクル金属枠により、検出光の入射角度が大きくなるにつれて(θ12<θ11<θ10)、検出領域が小さくなる様子を示す検出断面と検出面図である。
【図7】スキャン方向に直交する方向から検出光を入射角度θ12、θ11、θ10(θ12<θ11<θ10)で入射させたときの検出領域の違いを示す図である。
【図8】スキャン方向に対して角度φの方向から検出光を斜入射させた時の検出領域の違いを示す図である。
【図9】スキャン方向に対して角度φの方向から検出光を斜入射させたとき、非スキャン方向における金属枠の内枠から最大検出領域の端までの距離a、金属枠の内枠から最大検出領域の端までの距離bを示す図である。
【図10】理想レチクル撓み面(撓み量:R真値)を想定し、3点(or5点)でそのレチクル面を近似計測したときの近似レチクル撓み面(撓み量:R計測)との比較の様子を示す図である。(I)検出点数が3点の場合(II)3点の検出スパンを大きくした場合(III)検出点数を5点にした場合
【図11】レチクル面形状を近似計測したときの近似計測面と実際のレチクル面の撓みレンジ差(R計測−R真値)と、検出可能領域/ショット領域の関係を示した図である。
【図12】検出光を入射方向φの方向から斜入射させ、レチクル面上を計測するときの検出概略図である。
【図13】検出光を入射角度θ12、θ11、θ10(θ12<θ11<θ10)、スキャン方向に対して入射方向45°の方向から斜入射させたときの検出領域の違いを示す図である。
【図14】レチクルのパターン近似面の計測誤差が0.1μm以内である場合の入射角度、入射方向の範囲を示した図である。
【符号の説明】
R レチクル
PL 投影光学系
W ウエハ
RST レチクルステージ
WST ウエハステージ
3 塵付着防止膜(ペリクル)
4 金属枠
5 検出用光源
6 投影マーク用スリット
7 投影レンズ
8 受光レンズ
9 ディテクタ
10 形状記憶部
11 演算部
12 制御系
Claims (8)
- 所定のパターンが形成された前記レチクル面上の複数の点の、前記レチクル面と垂直な方向の位置を検出する検出手段を有する位置検出装置であって、
前記検出手段は、検出光を前記レチクル面に導く光照射部と前記レチクル面からの反射光を受光する受光部とを有し、走査方向に走査される前記レチクルを検出することにより前記複数の点の前記レチクル面と垂直な方向の位置を検出し、
前記光照射部は、45度以上の入射角度で前記レチクル面に前記検出光が入射し、前記レチクル面と垂直な方向から見たときに前記走査方向に対して斜めに傾いて前記レチクル面に前記検出光が入射するように、構成されていることを特徴とする位置検出装置。 - 前記レチクルには、前記レチクル面と垂直な方向に所定の高さを有する枠と塵付着防止膜とを有する塵付着防止手段が設けられており、
前記光照射部は、80度以下の入射角度で前記レチクル面に前記検出光が入射するように構成されていることを特徴とする請求項1記載の位置検出装置。 - 前記レチクル面と垂直な方向から見たときに、前記検出光と前記走査方向とのなす角度が20度以上70度以下であることを特徴とする請求項1記載の位置検出装置。
- 長方形の領域内に所定のパターンが形成されたレチクル面上の複数の検出点の、前記レチクル面と垂直な方向の位置を検出する検出手段を有する位置検出装置であって、
前記検出手段が、検出光を前記レチクル面に導く光照射部を有しており、
前記レチクル面に入射する前記検出光は、前記レチクル面と垂直な方向から見たときに、前記長方形のいずれかの一辺と20度以上70度以下の角度をなすことを特徴とする位置検出装置。 - 請求項1乃至4いずれか1項記載の位置検出装置の検出結果に基づいて、前記レチクル面の前記検出点以外の面形状を推測することを特徴とする面形状推測装置。
- 前記1乃至4いずれか1項記載の位置検出装置又は請求項5記載の面形状推測装置を備え、前記パターンを感光基板に投影露光することを特徴とする露光装置。
- 請求項1乃至4いずれか1項に記載の位置検出装置の検出結果又は請求項5に記載の面形状推測装置の推測結果に基づいて、前記レチクルの交換又は前記レチクルの再設置を警告する警告手段を有することを特徴とする請求項6記載の露光装置。
- 請求項6又は7記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002063705A JP4235392B2 (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 位置検出装置、面形状推測装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
TW092104838A TWI276922B (en) | 2002-03-08 | 2003-03-06 | Position detecting method, surface shape estimating method, and exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
KR1020047014052A KR100708770B1 (ko) | 2002-03-08 | 2003-03-07 | 위치검출장치, 표면형상 추정장치, 그리고, 노광장치 및 이것을 이용한 디바이스의 제조방법 |
DE60323341T DE60323341D1 (de) | 2002-03-08 | 2003-03-07 | Abtastbelichtungsapparat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung unter verwendung desselben |
US10/505,997 US20050161615A1 (en) | 2002-03-08 | 2003-03-07 | Position detecting method, surface shape estimating method, and exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
CNB038055465A CN100470380C (zh) | 2002-03-08 | 2003-03-07 | 位置检测方法和表面形状估算方法、曝光装置及采用该曝光装置的器件制造方法 |
EP03710285A EP1483627B1 (en) | 2002-03-08 | 2003-03-07 | Scanning exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
PCT/JP2003/002752 WO2003077030A2 (en) | 2002-03-08 | 2003-03-07 | Detection of position and estimation of surface shape |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002063705A JP4235392B2 (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 位置検出装置、面形状推測装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003264136A JP2003264136A (ja) | 2003-09-19 |
JP4235392B2 true JP4235392B2 (ja) | 2009-03-11 |
Family
ID=27800201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002063705A Expired - Fee Related JP4235392B2 (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 位置検出装置、面形状推測装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050161615A1 (ja) |
EP (1) | EP1483627B1 (ja) |
JP (1) | JP4235392B2 (ja) |
KR (1) | KR100708770B1 (ja) |
CN (1) | CN100470380C (ja) |
DE (1) | DE60323341D1 (ja) |
TW (1) | TWI276922B (ja) |
WO (1) | WO2003077030A2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4833211B2 (ja) | 2004-08-06 | 2011-12-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ |
US7663732B2 (en) | 2005-03-18 | 2010-02-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method for compensating position measuring system using temperature |
JP4724470B2 (ja) * | 2005-06-02 | 2011-07-13 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
JP2007035783A (ja) | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
JP2009031169A (ja) * | 2007-07-28 | 2009-02-12 | Nikon Corp | 位置検出装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
NL1036307A1 (nl) * | 2007-12-21 | 2009-06-23 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, method for levelling an object, and lithographic projection method. |
JP2010102130A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Canon Inc | 露光装置 |
JP5247375B2 (ja) * | 2008-11-25 | 2013-07-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP2434345B1 (en) * | 2010-09-27 | 2013-07-03 | Imec | Method and system for evaluating euv mask flatness |
CN104662480B (zh) * | 2012-09-28 | 2016-08-24 | Asml控股股份有限公司 | 掩模版变形定量测量*** |
CN103680078B (zh) * | 2013-12-11 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 预警***及光学设备 |
JP6310263B2 (ja) | 2014-01-30 | 2018-04-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査装置 |
TWI805034B (zh) * | 2021-10-20 | 2023-06-11 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 曝光裝置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05152186A (ja) * | 1991-05-01 | 1993-06-18 | Canon Inc | 測定装置及び露光装置及び露光装置の位置決め方法 |
JP3259331B2 (ja) * | 1992-05-29 | 2002-02-25 | キヤノン株式会社 | 表面状態検査装置 |
US5602399A (en) * | 1993-06-23 | 1997-02-11 | Nikon Corporation | Surface position detecting apparatus and method |
KR0132269B1 (ko) * | 1994-08-24 | 1998-04-11 | 이대원 | 노광장비에서의 자동초점과 자동수평 조절장치 및 조절방법 |
JPH09180989A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-11 | Toshiba Corp | 露光装置および露光方法 |
JPH1145846A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Nikon Corp | 走査型露光方法及び装置 |
US6549271B2 (en) * | 1997-01-28 | 2003-04-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method |
US6013872A (en) * | 1997-04-25 | 2000-01-11 | Bayer Ag | Directionally solidified, multicrystalline silicon, a process for the production thereof and its use, and solar cells containing this silicon and a process for the production thereof |
WO2002043123A1 (fr) * | 2000-11-22 | 2002-05-30 | Nikon Corporation | Dispositif et procede d'alignement et procede de fabrication de dispositif |
US6848876B2 (en) * | 2001-01-12 | 2005-02-01 | Asyst Technologies, Inc. | Workpiece sorter operating with modular bare workpiece stockers and/or closed container stockers |
-
2002
- 2002-03-08 JP JP2002063705A patent/JP4235392B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-06 TW TW092104838A patent/TWI276922B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-03-07 US US10/505,997 patent/US20050161615A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-07 EP EP03710285A patent/EP1483627B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-07 DE DE60323341T patent/DE60323341D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-07 WO PCT/JP2003/002752 patent/WO2003077030A2/en active IP Right Grant
- 2003-03-07 KR KR1020047014052A patent/KR100708770B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-03-07 CN CNB038055465A patent/CN100470380C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1483627A2 (en) | 2004-12-08 |
WO2003077030A2 (en) | 2003-09-18 |
KR20040094780A (ko) | 2004-11-10 |
KR100708770B1 (ko) | 2007-04-18 |
WO2003077030A3 (en) | 2004-06-17 |
CN100470380C (zh) | 2009-03-18 |
TW200305066A (en) | 2003-10-16 |
EP1483627B1 (en) | 2008-09-03 |
CN1695096A (zh) | 2005-11-09 |
US20050161615A1 (en) | 2005-07-28 |
TWI276922B (en) | 2007-03-21 |
JP2003264136A (ja) | 2003-09-19 |
DE60323341D1 (de) | 2008-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6333776B1 (en) | Projection exposure apparatus | |
US6549271B2 (en) | Exposure apparatus and method | |
US6081614A (en) | Surface position detecting method and scanning exposure method using the same | |
JP3634068B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
US6850327B2 (en) | Inspection method and apparatus for projection optical systems | |
JP4235392B2 (ja) | 位置検出装置、面形状推測装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 | |
JP3728613B2 (ja) | 走査型露光装置の調整方法及び該方法を使用する走査型露光装置 | |
JP2006339438A (ja) | 露光方法及び装置 | |
US20090284722A1 (en) | Method for monitoring focus on an integrated wafer | |
KR20070094543A (ko) | 노광장치 및 상면검출방법 | |
JPH1145846A (ja) | 走査型露光方法及び装置 | |
JPH0340934B2 (ja) | ||
TWI409595B (zh) | 測量設備,具有此測量設備之投影曝光設備以及裝置製造方法 | |
US6169602B1 (en) | Inspection method and apparatus for projection optical systems | |
JPH09223650A (ja) | 露光装置 | |
US11531276B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method | |
JP2008066543A (ja) | レチクル平坦度計測装置、およびレチクル平坦度計測装置を搭載した露光装置、並びにレチクル平坦度計測方法、およびレチクル平坦度計測方法を用いた露光方法、並びに露光装置を用いたデバイスの製造方法 | |
JPH0562882A (ja) | 結像位置測定方法 | |
US7046333B2 (en) | Exposure method | |
JPH08321457A (ja) | 露光装置 | |
JP3381740B2 (ja) | 露光方法及び投影露光装置 | |
JP4433609B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
JPH0246462A (ja) | 測定用パターンの形成方法 | |
JP2000252192A (ja) | 投影露光方法および投影露光装置 | |
JPH05251303A (ja) | 投影型露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050303 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080219 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080321 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081202 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081215 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131219 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |