JP4231190B2

JP4231190B2 - ファイバスタブ型光デバイス及びそれを用いた光モジュール

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Publication number: JP4231190B2
Application number: JP2000131333A
Authority: JP
Inventors: 恭史佐藤
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-04-28
Filing date: 2000-04-28
Publication date: 2009-02-25
Anticipated expiration: 2020-04-28
Also published as: JP2001311851A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信機器、センサー等に好適に使用される光モジュールに関する。また、この光モジュールに搭載され、光モジュール外部からの反射戻り光を遮断する光アイソレータを内蔵した、ファイバスタブ型光デバイス及びそれを用いた光モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信の光源に用いられるレーザーダイオード（以下、ＬＤともいう）は、出射した光がある箇所で反射し、再びＬＤの活性層に戻ると発振状態が乱れ、出射パワーの変動や波長ずれ等が生じ、これにより信号が劣化する。
【０００３】
このような反射戻り光の問題を防止するために、通常、ＬＤは光を一方向のみに透過させる光アイソレータと同じパッケージ内に搭載され、光モジュールの一種であるＬＤモジュールを構成している。
【０００４】
特に、アナログ信号は上記反射戻り光によって劣化し易く、また、高密度な信号ほど反射戻り光の影響を受け易いため、ＣＡＴＶ等のアナログ伝送データの増加、大容量化、高速化に伴い、光アイソレータは不可欠な構成要素となってきている。
【０００５】
以下に、光アイソレータの一般的な動作について簡単に説明する。図５に示すように、光アイソレータ２は偏光方向の互いに異なる２つの偏光子１９Ａ、１９Ｂでファラデー回転子２０を挟むようにして構成されている。このような構成において、順方向光２２はそのまま透過し、逆方向光２５は遮断される。なお、ファラデー回転子２０は外部から磁界を印加することでファラデー効果を得るものと、自発磁化により外部磁界なしでファラデー効果を持つものがあるが、ここでは簡単のため特に磁界を印加するための磁石は図示しないものとする。なお、以降は、周囲の電子デバイス等で発生して環境に存在する磁界を不要な外部磁界、ファラデー回転を得るために印加されている磁界を特にバイアス磁界と称するものとする。
【０００６】
次に、従来のＬＤモジュールの一例について説明する。図７に示すように、ＬＤモジュールＪ１は、パッケージ１８内に少なくともＬＤ１５、レンズ６Ａ、６Ｂ、光アイソレータ２、伝送用シングルモード光ファイバ４の一端部等が収納されている。なお、図中、１６は受光素子であるフォトダイオード（以下、ＰＤともいう）、１７はペルティエクーラー、３２は光ファイバ余長部を保護するためのラバーブーツである。また、１２は気密窓であり、パッケージの気密を損なうことなく光線を通す機能を有している。高い信頼性の要求されるモジュールでは、温度調節の必要上、あるいはＬＤを劣化させる水分、様々な気体から守るためモジュール内部を外界から遮断している。
【０００７】
ＬＤ１５から出射された光は、レンズ６Ａでコリメートされ、気密窓１２、光アイソレータ２を通過し、レンズ６Ｂで集光され伝送用シングルモードファイバ４に入射される。全体は外部の環境から遮断するためパッケージ１８に内蔵される。レンズ６Ａ、６Ｂにはボールレンズ、両凸レンズ、非球面レンズ、グレイデッドインデックスレンズ（以下ＧＲＩＮレンズという）等が用いられる。
【０００８】
このような光モジュールＪ１では、光アイソレータ２、レンズ６Ａ、６Ｂ等は独立した部品として、それぞれが別々にホルダーに固定された後にアライメントされるため、部品点数が多く調整も煩雑で、大型化してしまうといった問題があった。
【０００９】
また、光モジュール全体を小型化し、アライメントを容易にするために、図８に示すように、レンズを用いずコア拡大ファイバを使ってファイバスタブに光アイソレータを実装した光デバイスＪ２も提案されている（特開平１０−６８９０９号公報等を参照）。
【００１０】
この光デバイスＪ２は、光の結合を向上させるために光ファイバのコアを拡大したコア拡大ファイバ５を用い、反射を防ぐために光軸に対し光アイソレータ２を斜めに挿入している。また、先球９を中心に保持したフェルール３に光アイソレータ２と、光アイソレータ２を取り囲む形で円筒形の磁石２６が配設され、全体がスリーブ１３内に固定されている。光デバイスＪ２では、フェルール３は同軸の精度が高いので軸ずれが生じない。また、光アイソレータ付きのモジュールが光アイソレータの無いモジュールと同等の工数で組み立てが可能で非常に簡便である。
【００１１】
このような光デバイスＪ２に用いられるコア拡大ファイバは、一般的なシングルモード光ファイバを局所的に加熱して作られる。シングルモード光ファイバを加熱し、コアにドープされているＧｅ等のドーパントを拡散させ、ドーパントの拡散領域を広くするとともに比屈折率差を小さくしている。
【００１２】
光ファイバのコアとクラッドの比屈折率差が変らないままコア径が大きくなると、シングルモード条件が崩れマルチモードが励振されてしまう。コア拡大ファイバの場合は、熱によるドーパントの拡散のため、コアの拡大と比屈折率差の低下が同時に起こり、自動的にｒ×（Ｄ）^1/2が一定に保たれる。ここで、ｒは光ファイバのコアの半径、Ｄはコアとクラッドの比屈折率差、ｒ×（Ｄ）^1/2は規格化周波数に比例する量であり、これが一定ならばシングルモード条件は保たれる。
【００１３】
図６にコア拡大ファイバを用いた光結合の特性を示す。横軸にファイバ間の距離（＝コア拡大部に形成する溝の幅）、縦軸に光の結合損失を示す。ｗはそれぞれのモードフィールド径を示し、各曲線に対応する。なお、光の波長は光通信で一般に使われる１．３１μｍとし、溝（ファイバ間）は空気（屈折率ｎ＝１）で満たされていることとした。
【００１４】
モードフィールド径が１０μｍでコアを拡大していない場合、ファイバ間距離が５０μｍでは３ｄＢ以上の損失があるのに対し、モードフィールド径が４０μｍの場合は、ファイバ間が８００μｍでも損失が１ｄＢ以下であることが判り、明らかに結合特性が改善されることがわかる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
先に述べたように、図７に示すような従来の光モジュールＪ１では、部品点数が多く、大型化してしまい、組立も煩雑であった。但し、パッケージは気密溶接が可能で、光路も気密窓を通しているため信頼性を高めることが可能になる。
【００１６】
一方、図８に示すような従来の光デバイスＪ２は、モジュールに用いる場合はモジュール内外の境界に位置することになる。したがって、パッケージの気密が完全であっても光デバイスＪ２の気密性が不十分であると、光モジュールＪ２を介して外界から水分や様々なガスがモジュール内に侵入する可能性がある。
【００１７】
光モジュールＪ２はフェルール内に光ファイバを挿入、固定しており、これには一般にはエポキシ系の熱硬化型接着剤を用いてきた。従って気密封止を完全に保証することが困難であった。接着剤を用いる理由としては、石英の光ファイバとセラミックのフェルールは溶接できず、さらに、ハンダや低融点ガラスは溶融されるまでは固体であり、フェルールの穴とファイバとの隙間に予め充填しておくといった処理が困難であるからである。
【００１８】
また、光モジュールＪ２は小型である反面、フェルールは１．２５ｍｍ〜２．５ｍｍ程度であり、このように微小であるため磁石の大きさが制限され、光アイソレータを構成するファラデー回転子に対して十分な磁界が印加されない場合がある。その意味では磁石が不要な自発磁化型のファラデー回転子を用いた光アイソレータが好適であるが、大きな外部磁界で自発磁化型ファラデー回転子を減磁するおそれがあった。小型の部品ではなるべく磁石の体積が確保できた方が良く、体積効率を考慮すれば部材どうしの隙間が極小にする必要があるが、別個に成形した磁石では限界がある。
【００１９】
そこで本発明では、気密性と信頼性に優れ、小型でありながら十分な磁界を確保できる優れたファイバスタブ型光デバイス及びそれを用いた光モジュールを提案することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のファイバスタブ型光デバイスは、フェルールに貫通孔と該貫通孔を横切る溝を形成し、前記溝により分断された２つの貫通孔のそれぞれに光ファイバを配設し、各光ファイバの一端部どうしを前記溝内に配設した光アイソレータを介して光接続させるように成し、前記溝に耐湿性の樹脂を充填して、該樹脂で前記アイソレータを包囲したことを特徴とする。
【００２１】
また特に、前記樹脂に強磁性粉体を分散させていることを特徴とする。
【００２２】
より具体的には、フェルール前後端部に凹部と、中心軸に貫通孔と、該貫通孔を横切る溝を形成し、溝により分断された２つの貫通孔のぞれぞれに伝送用シングルモードファイバよりモードフィールド径の大きい光ファイバを配設し、光ファイバとフェルールを低融点ガラス若しくはハンダで固定する。この伝送用シングルモードファイバよりモードフィールド径の大きい光ファイバの一端部どうしを前記溝内に配設した光アイソレータを介して光接続させるようにし、さらにフェルールに形成された溝を吸水率が１％以下の耐湿性樹脂により被覆する。フェルール前後端に設けた凹部には低融点ガラス、若しくはハンダが溜まることにより安定した接合が可能となる。
【００２３】
また、フェルール前後端部に凹部と、中心軸に貫通孔と、該貫通孔を横切る溝を形成し、溝により分断された２つの貫通孔のぞれぞれに伝送用シングルモードファイバよりモードフィールド径の大きい光ファイバを配設し、光ファイバとフェルールを低融点ガラス若しくはハンダで固定する。この伝送用シングルモードファイバよりモードフィールド径の大きい光ファイバの一端部どうしを前記溝内に配設した光アイソレータを介して光接続させるようにし、さらにフェルールに形成された溝を吸水率１％以下の樹脂に磁性粉体を分散させた磁性微粒子分散磁石で被覆充填し、溝部に隙間無くこの磁石が充填される構造を持つようにする。
【００２４】
また、本発明の光モジュールは、基板上に、上記のファイバスタブ型光デバイスと、該ファイバスタブ型光デバイスに光接続させるための受光または発光する光素子を、それぞれ配設して成るものとする。
【００２５】
これにより、ファイバスタブ内に光アイソレータ等の光素子をほぼアライメントフリーで実装したコンパクトな構成とすることができ、気密性、信頼性に優れ、不要な外部磁界が有っても安定して動作する光モジュールを容易に構成できる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る実施形態について図面に基づき詳細に説明する。なお、各図において同一部材については、同一符号を付し説明を省略するものとする。
【００２７】
図１に示すように、ファイバスタブ型光デバイスＳ１は、ジルコニア製のフェルール３内に、モードフィールド径を例えば４０μｍ以上にしたコア拡大ファイバ（光ファイバ）５、このモードフィールド径を１０μｍに変換するＧＩ（グレイデッドインデックス）ファイバ８、及びモードフィールド径１０μｍを有する伝送用シングルモードファイバ４を縦列に接続し収容して成る。
【００２８】
フェルール３には、溶融した低融点ガラス、またはハンダの封止材３１を溜めるための凹部３０が形成されている。
【００２９】
ここで、溝１０により分断された２つの貫通孔（貫通路）３ａのそれぞれにコア拡大ファイバ５、５を配設し、各コア拡大ファイバの一端部を溝１０内に突出させている。そして、各コア拡大ファイバの一端部側面を、各コア拡大ファイバを構成するクラッド部より屈折率の高い保護部材１１で覆い、各コア拡大ファイバの一端部どうしを、溝１０内に配設した光アイソレータ２を介して光接続させるようにしている。なお、上記のようにモードフィールド径を４０μｍ以上に拡大する理由は、光ファイバ間（溝）に挿入する光学素子として最も薄い光アイソレータを想定した場合、溝幅は最低でも６００〜８００μｍは必要であり、１ｄＢ以下の損失で接合するためには、モードフィールド径は４０μｍ必要であるためである。
【００３０】
また、本発明では貫通孔３ａ内に収容されているコア拡大ファイバ５の少なくとも一方が、モードフィールド径を変換するためのＧＩファイバ８と伝送用シングルモードファイバ４とに縦列に接続されているものとする。
【００３１】
上記コア拡大ファイバ５をフェルール３内に挿入する前に、予め貫通孔３ａを横切る溝１０を形成した後に、貫通孔３ａに挿入固定する。そして、コア拡大ファイバ５の溝１０内の露出部（ファイバ側面）をコア拡大ファイバのクラッド部より屈折率の高い保護部材１１で覆った後に、溝１０の部分で一端部に上記保護部材１１を設けたコア拡大ファイバ５を分断し、溝１０内に形成された溝１０に光アイソレータ２を配設する。
【００３２】
具体的には、例えば直径１．２５ｍｍ、長さ１２ｍｍ程度のフェルール３の中央部に、フェルール３の先端面３ｂに対し２度の角度で、貫通孔３ａを横切るように幅１．５ｍｍ程度の溝１０を形成する。
【００３３】
次に、モードフィールド径が例えば４０μｍで、モードフィールド径が変化しないコア拡大ファイバ５と、レンズ効果を持つＧＩファイバ８を放電により融着接続し、ＧＩファイバの長さが２１０７μｍになるよう切断する。なお、ＧＩファイバは長さ２１０７μｍで１０μｍのビームをほぼ４０μｍに拡大するものとする。更にモードフィールド径１０μｍの伝送用シングルモードファイバ４を融着接続する。
【００３４】
次に、コア拡大ファイバ５とＧＩファイバ８と伝送用シングルモードファイバ４を融着したものを貫通孔３ａから挿入し、フェルール前後端部の凹部３０に低融点ガラス、若しくはハンダを充填し加熱溶融し伝送用シングルモードファイバ４がフェルール３の後端面３ｃから突出するように固定する。
【００３５】
さらに、コア拡大ファイバ５のフェルール３の先端面３ｂから突出した部分を切断後、放電や研磨により先球部９を形成する。またフェルール３の後端面３ｃから突出した伝送用シングルモードファイバ４を後端面３ｃと一致するよう切断、研磨する。
【００３６】
さらに、先にフェルール３に形成した溝１０においてこの端面と平行に（約２度の角度）、幅８００μｍでコア拡大ファイバ５を分断する溝を形成する。そして、この溝内に光アイソレータ２を設置するとともに、光アイソレータ２と光入出射面とコア拡大ファイバ５の一端部との間に透光性の接着材２１を設ける。最後に吸湿率１％以下の耐湿性樹脂２８を溝１０全体を覆うように充填する。ここで、耐湿性樹脂とは例えばエポキシ系樹脂などの各種熱硬化性、光硬化性の樹脂を用いるものとする。
【００３７】
このファイバスタブ型デバイスＳ１は以下のように動作する。コア拡大ファイバ５Ａの先球部９から入った光は、溝１０で光アイソレータ２を通過し、再びコア拡大ファイバ５Ｂ内を伝搬し、ＧＩファイバ８によりビーム径を１０μｍに収束させられ伝送用シングルモード４に結合し後端面３ｃから出射する。このファイバスタブ型光デバイスＳ１は、後端面３ｃにおいてフェルール３と同一形状で、中心部に伝送用のシングルモード光ファイバを保持したフェルールをもつコネクタ（図示せず）と接続される。
【００３８】
なお、本実施形態ではファイバスタブ型光デバイスと、これにに光接続させるための発光素子（ＬＤ）を設けた光モジュールについて説明したが、発光素子の代わりに受光素子を設けるようにしてもよく、また、発光素子と受光素子とファイバスタブ型光デバイスを同一基板上に配設するようにした光モジュールにも適用可能であることはもちろんである。
【００３９】
【実施例】
以下により具体的な実施例を説明する。
【００４０】
〔例１〕
図２（ａ）〜（ｈ）を用いて説明する。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、直径１．２５ｍｍ、長さ１２ｍｍのジルコニア製のフェルール３は、その前後端部に凹部３０を設け、フェルール３の中央部にフェルール端面に対し２度の角度で、貫通孔３ａを横切るように幅１．５ｍｍの溝１０を形成した。なお、この加工にはＤＩＳＣＯ製ダイサーブレードＳＤＣ３２０Ｒ１０ＭＢ０１を用いた。
【００４１】
次に、図２（ｃ）に示すように、モードフィールド径が４０μｍでコアがストレートの（テーパ部がない）コア拡大ファイバ５とレンズ効果を持つＧＩファイバ８を放電により融着接続し、ＧＩファイバは長さが２１０７μｍに成る位置で切断した。ＧＩファイバ８は長さが２１０７μｍで１０μｍのビームをほぼ４０μｍに拡大するものである。さらに、ＧＩファイバ８に伝送用シングルモードファイバ４を融着接続した。
【００４２】
次に、図２（ｄ）に示すように、コア拡大ファイバ５とＧＩファイバ８と伝送用シングルモードファイバ４を融着したものを貫通孔３ａから挿入し、伝送用シングルモードファイバ４がフェルール３の後端面３ｃより僅かに突出するように調整し、凹部３０に低融点ガラスのペースト（低融点ガラスの微粉末を溶剤に分散したもの）である封止材３１を充填し加熱溶融することで固定した。
【００４３】
さらに、コア拡大ファイバ５のフェルール３の先端面３ｂから突出した部分を切断後、放電や研磨により先球部９を形成し、フェルール後端部３ｃから突出した部分は３ｃと同一面となるよう研磨した。
【００４４】
そして、図２（ｅ）に示すように、コア拡大ファイバ５の溝１０内の露出部（光ファイバの露出側面）にエポキシ系の紫外線硬化型光学接着剤などの接着材である保護部材１１で覆い、図２（ｆ）に示すように、溝１０と平行に（２度の角度）、幅８００μｍでコア拡大ファイバ５を分断する溝を形成した。ここではＤＩＳＣＯ製のダイサーブレードＮＢＣ−Ｚ２０５０を用いた。
【００４５】
そして、図２（ｇ）に示すように、溝１０内において、偏光子１９Ａ、１９Ｂ、ファラデー回転子２０を一体成形後、切断して作製した光アイソレータ２を設置した。ここで、コア拡大ファイバ５と屈折率を整合させた紫外線硬化型接着剤や熱硬化型の接着材２１で固定した。さらに、図２（ｈ）に示すように、吸湿率が１％以下の熱硬化性エポキシ系樹脂（ＥＰＯ−ＴＥＫＥ３１１６）である耐湿性樹脂２８で光アイソレータの外周部を被覆し、８０℃３０分で加熱硬化させた。
【００４６】
光アイソレータ２は、偏光子１９Ａ、１９Ｂ（厚さ２００μｍ、屈折率１．５１）、ファラデー回転子２０（米国ルーセント社製、自発磁化型ガーネットｘＬ２２、厚さ３８０μｍ、屈折率２．３５６）から成り、各々の光透過面は反射防止膜を形成した後に、エポキシ系の透光性の接着剤で接合されている。なお、光アイソレータ２は１０ｍｍ角以上の大型の素子で一括アライメントを行い接着した後に、３００μｍ角に切断されている。厚さは７８０μｍとなる。また、ここでは自発磁化型のガーネットを用いるため磁石は不要である。
なお、本発明のファイバスタブ型光デバイスにおいては、ＬＤモジュールに実装する際に、ＬＤ側のコア拡大ファイバの端面は、反射を防ぎ結合効率も同時に向上させるため半径２５μｍの先球部９としている。
【００４７】
〔例２〕
上記例１のファイバスタブ型光デバイスにおいて、光アイソレータを配設した後に補償磁界を印加するため、あるいは自発磁化型以外の一般のガーネットも使用可能でかつ信頼性も高めるために、図３に示すように、光アイソレータ２を耐湿性樹脂２８に強磁性の磁性微粒子２９を分散させて充填被覆した後、８０℃３０分で加熱硬化させた。最後に、ファイバスタブ型デバイスＳ２全体に磁界を印加し樹脂中に強磁性の磁性微粒子２９を分散させて成る磁性微粒子分散磁石とした。ここで、樹脂は吸湿性１％以下の例１と同様な材料を用い、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系の磁性微粒子を分散させた。
【００４８】
これにより、光アイソレータ２を構成するファラデー回転子が自発磁化型の場合は、外部磁界の変化からファラデー回転子を保護する補償磁気回路と成すことができる。また、自発磁化を持たないファラデー回転子の場合はバイアス磁気回路と成すことができる。樹脂に分散させた磁性微粒子を充填する方法なので、全く隙間無く磁石を設置することが可能になる。
【００４９】
具体的な作製方法を以下に説明する。まず、実施例１と同様に、コア拡大ファイバ５とＧＩファイバ８と伝送用シングルモードファイバ４を融着したものを、予め幅１．５ｍｍでフェルール３の端面に対し２度の角度をもつ溝１０を形成し、前後端部に凹部３０をもつフェルール３の貫通孔３に挿入し、伝送用シングルモードファイバ４の端面とフェルール３の後端面３ｃが一致するように固定した。そして、上記例１と同様にしてさらにコア拡大ファイバ５を分断する溝１０を幅８００μｍに形成し、偏光子１９Ａ、１９Ｂ、ファラデー回転子２０を一体化した光アイソレータ２を溝１０に例１と同様にして設置固定した。その後、耐湿性樹脂に磁性微粒子を分散させた磁性微粒子分散磁石で充填被覆した後、８０℃３０分で加熱硬化させた。最後に、ファイバスタブ型デバイス全体に磁界を印加し磁性微粒子分散磁石を磁化した。
【００５０】
なお、例１と同様にＬＤとの結合効率を高めるため、コア拡大ファイバ５の端部は半径２５μｍの先球９に放電または研磨により形成した。
【００５１】
このファイバスタブ型光デバイスＳ２は、後端面３ｃにおいてフェルール３と同一形状で、中心部に伝送用のシングルモード光ファイバを保持したフェルールをもつコネクタ（図示せず）と接続される。
【００５２】
〔例３〕
上記例１〜２で形成したファイバスタブ型光デバイスを用いてＬＤモジュールＭを構成した例を図４に示す。基板であるＳｉプラットフォーム１４のＶ型の溝に、ＬＤ側端面を先球ファイバにしたファイバスタブ型光デバイスＳを固定した。Ｓｉプラットフォーム１４をペルティエクーラー１７に載置することにより、ＬＤ１５は一定の温度に保持され安定した状態で動作した。ＰＤ１６は光強度を安定化するためにＬＤ１５の光をモニターする。スリーブ１３は外部からコネクタ（図示せず）を嵌合し光結合させる。全体はパッケージ１８内に気密封止した。
【００５３】
以上のような構成により、ＬＤ１５と先球ファイバをアライメントするだけで、ＬＤモジュールの光学的調整は全て完了した。また、光学系の全てがフェルール３内にあるため、小型化を図ることができ、フェルール３とコア拡大ファイバ５、伝送用シングルモードファイバ４は低融点ガラスで気密が保証されているため高信頼性のＬＤモジュールが提供できた。
【００５４】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明のファイバスタブ型光デバイス及び光モジュールによれば、以下の顕著な効果を奏することができる。
【００５５】
・ファイバスタブ型光デバイス自体の作製は、ＧＩファイバとコア拡大ファイバの接続部の調整のみでよく、後の光アイソレータの挿入はほぼアライメントフリーで行うことができる。さらに、光アイソレータを挿入する前に光結合系のみを組み立てておくことが可能であり、大幅な工程の低減が可能である。
【００５６】
・光学系の組立が先で、光アイソレータの挿入が後のため、低融点ガラスやハンダといった高温の気密プロセスを行うことが可能である。
【００５７】
・フェルールと光ファイバを低融点ガラス、若しくはハンダで固定することにより、気密性に優れ信頼性の高いデバイスとすることが出来る。
【００５８】
・耐湿性の樹脂で光アイソレータを被覆したため、光アイソレータの劣化のない信頼性の高いデバイスとすることが出来る。
【００５９】
・磁性微粒子を分散させた樹脂を充填、着磁したので、全く隙間無く結合強度の強い磁石を得ることができる。微細デバイスなので隙間の無い体積効率が高い構造は極めて有効性が高い。
【００６０】
・磁石を配置したため、光アイソレータに自発磁化型ファラデー回転子を用いた場合は補償磁界として劣化を抑え信頼性を高めることが可能で、自発磁化を持たないファラデー回転子を用いることも可能になる。同時に気密性も得られる。
【００６１】
・小型で作製容易、安価で経時変化の少なく信頼性の高い光モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るファイバスタブ型光デバイスを模式的に説明する断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｈ）は本発明に係るファイバスタブ型光デバイスの作製工程を模式的に説明する断面図である。
【図３】本発明に係るファイバスタブ型光デバイスの実施例を示す断面図である。
【図４】本発明に係る光モジュールを模式的に説明するための断面図である。
【図５】光アイソレータの動作を模式的に説明する斜視図である。
【図６】コア拡大ファイバの対向間隔と回折損失の関係を示すグラフである。
【図７】従来の光モジュールを説明する一部断面図である。
【図８】従来のコア拡大ファイバに光アイソレータを実装したデバイスを説明する断面図である。
【符号の説明】
２：光アイソレータ
３：フェルール
３ａ：貫通孔
４：シングルモードファイバ
５：コア拡大ファイバ（光ファイバ）
６Ａ、６Ｂ、６Ｃ：レンズ
１０：溝
８：ＧＩ（グレイデッドインデックス）ファイバ
９：先球
１１：保護部材
１２：気密窓
１３：スリーブ
１４：Ｓｉプラットフォーム（基板）
１５：ＬＤ（発光素子）
１６：ＰＤ（受光素子）
１７：ペルティエクーラー
１８：パッケージ
１９Ａ、１９Ｂ：偏光子
２０：ファラデー回転子
２１：接着材
２２：順方向入射光
２３：コア
２４：クラッド
２５：逆方向入射光
２６：磁石
２７：光吸収性部材
２８：耐湿性樹脂
２９：磁性微粒子分散磁石
３０：凹部
３１：封止材
３２：ラバーブーツＭ：ＬＤモジュール（光モジュール）
Ｊ１：光モジュール
Ｊ２：光デバイスＳ１、Ｓ２：ファイバスタブ型光デバイス

Claims

フェルールに貫通孔と該貫通孔を横切る溝を形成し、前記溝により分断された２つの貫通孔のそれぞれに光ファイバを配設し、各光ファイバの一端部どうしを前記溝内に配設した光アイソレータを介して光接続させるように成したファイバスタッブ型光デバイスであって、
前記溝に耐湿性の樹脂を充填して、該樹脂で前記アイソレータを包囲し、
前記樹脂に強磁性粉体を分散させていることを特徴とするファイバスタブ型光デバイス。
基板上に、請求項１に記載のファイバスタブ型光デバイスと、該ファイバスタブ型光デバイスに光接続させる受光または発光する光半導体素子を、それぞれ配設して成る光モジュール。