JP4231177B2 - High frequency circuit - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、異なる２つの送受信周波数帯の送受信を行う受信回路、送信回路、アンテナに、所定周波数帯の送受信信号を切り換えるスイッチング回路を具備する高周波回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
高周波回路は、デジタル携帯電話などにおいて、受信信号をアンテナから受信回路に供給し、また、送信信号を送信回路からアンテナに供給するように切り換えるスイッチング回路を具備している。
【０００３】
しかし、通信システムの複雑化に伴い、２つの通信システムに対応したデュアルバンド対応が希求されている。また、それら通信機器に使用される部品には小型化、軽量化が同時に要求される。
【０００４】
図４には、アンテナに接続するアンテナ端子をＡＮＴ、送信回路と接続する送信端子をＴＸ及び受信回路に接続する受信端子をＲＸに示したシングルバンドに対応した高周波回路を示している。
【０００５】
送信回路に接続する送信端子ＴＸは、コンデンサ３６、第１のダイオード３５及びコンデンサ３１を介して、アンテナ端子ＡＮＴに接続されている。即ち、送信回路に形成された所定周波数帯の送信信号（Ｆｔ）は、この送信ラインを介してアンテナに導出される。
【０００６】
また、アンテナに接続するアンテナ端子ＡＮＴは、ストリップライン３２、コンデンサ３３を介して、受信回路に接続された受信端子ＲＸに接続されている。
【０００７】
即ち、受信回路によって処理されるべき所定周波数帯の送信信号（Ｆｒ）は、この受信ラインを介して受信回路に供給される。
【０００８】
また、送信ライン側において、コンデンサ３６と第１のダイオード３５のアノードとの中間点には、抵抗３７を介して制御端子Ｖｔが接続されている。尚、第１のダイオード３５のアノードと抵抗３７の中間点はコンデンサ３８を介して接地されている。
【０００９】
また、受信ライン側において、ストリップライン３２とコンデンサ３３の中間点、即ちストリップライン３２の受信端子ＴＸ側には、第２のダイオード３４が接続されている。尚、第２のダイオード３４のアノードがストリップライン３２の受信端子側に接続されており、カソードがグランド電位に接地されている。
【００１０】
ここでコンデンサ３１、３３、３６、３８は、直流成分カットのコンデンサであり、制御端子Ｖｔから供給された制御電流（送受信切り換え信号）が、送信端子ＴＸ、受信端子ＲＸ、アンテナ端子ＡＮＴ及び接地に漏れることを防止するものである。
【００１１】
前述のスイッチング回路において、送信周波数Ｆｔを送信する場合、制御端子Ｖｔに正の電圧（バイアス電流）が与えられる。この電圧によって第１のダイオード３５および第２のダイオード３４がＯＮ状態になる。
【００１２】
第１のダイオード３５がＯＮ状態になることにより、送信回路ＴＸからの送信信号Ｆｔがアンテナ端子ＡＮＴに送信されることになる。同時に、第２のダイオード３４がＯＮ状態になることによりストリップライン３２の一端が第２のダイオード３４を介して接地される。ここで、ストリップライン３２の長さを所定送信信号の中心的な周波数、例えばＦｔに対して１／４波長の長さに設定しておくことにより、送信信号Ｆｔの周波数帯に対してインピーダンスが無限大となるため、受信端子ＲＸには伝達されない。
【００１３】
受信周波数Ｆｔを受信する場合は制御端子Ｖｔに負の電圧または０Ｖが与えられる。これにより、第１のダイオード３５および第２のダイオード３４にバイアス電流は供給されず、その結果、ＯＦＦ状態となる。これによりアンテナ端子ＡＮＴから受信信号Ｆｒは受信端子ＲＸに伝達され、送信端子ＴＸには伝達されない。この場合、ストリップライン３２は単なる伝送線路として働く。
【００１４】
以上の構成は、１つの周波数帯に対応したシングルモードのスイッチング回路の動作である。
【００１５】
このようなシングルモードのスイッチング回路をベースに、異なる送受信周波数帯の２つの通信システムを、１つの通信機器に対応させる、所謂デュアルバンド対応させる時には、図５のブロック図に示すように、２つのスイッチング回路ＳＷ１、ＳＷ２を、ダイプレクサＤで接続して高周波回路を構成していた。
【００１６】
ダイプレクサＤは、異なる送受信周波数帯の送受信信号を２つのスイッチング回路ＳＷ１、ＳＷ２のいずれかに分けて供給するものである。そして、ダイプレクサＤは、アンテナに接続される第１の端子Ｄ１、スイッチング回路ＳＷ１のアンテナ端子ＡＮＴに接続される第２の端子Ｄ２、スイッチング回路ＳＷ２のアンテナ端子ＡＮＴに接続される第３の端子Ｄ３を有している。
【００１７】
そして、このような２つのスイッチング回路ＳＷ１、ＳＷ２及びダイプレクサＤからなる高周波回路は、通信機器などの小型化に伴って、１つのモジュールとして取り扱われるようにして、通信機器全体の小型化を図っていた。即ち、この高周波回路を多層構造の回路基板に一体的に配置していた。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
このように２つのスイッチング回路ＳＷ１、ＳＷ２、ダイプレクサＤを多層構造の回路基板に配置すると、２つのスイッチング回路ＳＷ１、ＳＷ２に必要なストリップライン、ダイオードやコンデンサなどの部品を実装し、また、多層構造の回路基板にビアホール導体、内部配線導体を配置しなくてはならない。
【００１９】
さらに、回路基板の形状を物理的に小型化しようとすると、２つのスイッチング回路の間隔が狭くなる。その結果、アイソレーションが充分に取れないという問題があった。
【００２０】
例えば、２つのスイッチング回路一方がＧＳＭ通信システム（送受信信号の周波数帯域が約９００ＭＨｚ）に、他方がＤＣＳ通信システム（送受信信号の周波数帯域が１．８ＧＨｚ）に対応する高周波回路では、特にＧＳＭ通信システムでの送受信時、ＧＳＭ通信システム（９００ＭＨｚ）以外の信号、例えば、約２倍の周波数であるＤＣＳ通信システムの受信信号Ｆｒ２（周波数 Ｆｒ１×２）が通過してしまうという問題があった。
【００２１】
即ち、一方のスイッチング回路ＳＷ１で処理する通信システムの送受信周波数帯（Ｆｔ１、Ｆｒ１）と、他方のスイッチング回路ＳＷ２で処理する通信システムの送受信周波数帯（Ｆｔ２、Ｆｒ２）との関係が２倍程度の関係である場合、ストリップライン３２の漏れが発生してしまい、減衰特性等を悪化させるという問題が生じた。
【００２２】
このような問題を解決するためには、アンテナＡＮＴとスイッチング回路ＳＷ１、２との間や、各送受信端子ＴＸ、ＲＸと送受信回路との間に周波数選別のフィルタ装置を設けることが考えられる。
【００２３】
しかし、フィルタ装置を回路基板に実装する場合もあれば、外側からフィルタを接続する場合もある。いずれにしても、フィルタ装置を付加すると部品点数が増大してしまい、その結果として、高周波回路が大型化してしまうという問題があった。
【００２４】
本発明は上述の問題点に鑑みて案出したものであり、その目的は受信時の通過特性を悪化させることなく、小型で、且つ他の通信システムに用いる周波数帯による漏れを防止することができ、高い品質の送受信が可能な高周波回路を提供するものである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、アンテナと送受信回路との接続を切り換えるスイッチング回路を２つ準備するとともに、各々のスイッチング回路をダイプレクサを介してアンテナに接続して成り、前記各々スイッチング回路の送受信周波数帯が異なる高周波回路であって、
前記各スイッチング回路は、送信回路に接続される送信端子と、受信回路に接続される受信端子と、ダイプレクサに接続されるアンテナ端子とを有するとともに、
前記送信端子とアンテナ端子との間に配置され、且つアノードが送信端子側に接続される第１のダイオードと、
前記アンテナ端子と前記受信端子との間に配置されたストリップラインと、アノードが前記ストリップラインの前記受信端子側に接続され、且つカソードがグランド電位に接続される第２のダイオードと、
前記第１及び第２のダイオードのＯＮ−ＯＦＦ制御を行う制御電圧を供給する制御端子とから成り、
且つ前記低い送受信周波数帯の送受信信号の切り換える一方のスイッチング回路の前記ストリップラインに、その長さの全部または一部部分に、容量素子を並列接続させたことを特徴とする高周波回路である。
【００２６】
また、前記一方のスイッチング回路のストリップ線路及び該ストリップ線路に並列接続された容量素子は、その所定送受信周波数帯よりも高い周波数帯域に減衰極を形成するように設定した高周波回路である。
【００２７】
【作用】
本発明の高周波回路では、一方のスイッチング回路を構成するストリップラインに容量素子を並列に接続している。これより、ストリップラインの伝送特性に減衰極を形成している。尚、容量素子の接続点はストリップラインの両端部との間、該ストリップラインのある２点の間、一方端部とある中間点との間などに接続される。
【００２８】
また、この一方のスイッチング回路は、この回路側で処理する送信信号の中心的な周波数Ｆｔ１に応じて、その波長の１／４相当の長さを有している。同時に、このストリップラインに並列接続する容量素子は、この回路側で処理される受信信号の周波数Ｆｒ１の伝送特性をそのまま（良好）にして、その周波数Ｆｒ１よりも高い周波数でラインを介して供給される信号を減衰させるような容量成分を有するものを用いる。
【００２９】
尚、このストリップ線路に容量素子を並列接続する高周波回路は、２つの通信システムのうち、低い周波数帯の通信システムを処理するスイッチング回路に用いられることが望ましい。
【００３０】
これにより、容量素子を並列接続したストリップラインの伝送特性は、伝送特性に対して、ある周波数帯に減衰極を形成している。即ち、受信信号の周波数帯Ｆｒ１よりも高い周波数帯域でラインを介して供給される信号を減衰させることができる。
【００３１】
即ち、一方のスイッチング回路で受信ラインに、他方のスイッチング回路で処理される送信信号や受信信号などがノイズ（ノイズ信号）としてのったとしても、このストリップラインの伝送特性上、ノイズ信号が充分に減衰されることにより、ノイズ信号が一方のスイッチング回路の受信端子に現れることがない。これより、高い品質の送受信が可能な高周波回路となる。
【００３２】
また、一方のスイッチング回路のストリップラインに容量素子を並列配置されるだけなので、部品点数が大幅に増えることがなく、また、フィルタ装置を付加する必要もなく、高周波回路を内装した回路基板の形状が大型化することなく、また、両スイッチング回路を近接配置しても、充分なアイソレーションが得られ高周波回路となる。
【００３３】
その作用を図で説明すると、図６に従来のストリップラインの構成及びその伝送特性を示す。即ち、従来においてストリップラインは、受信処理の周波数帯Ｆｒ１を含む広い周波数範囲帯で減衰量が約０である（通過損失が約０である）。
【００３４】
これにより、アンテナ端子から供給される受信信号は、ストリップラインを介して、損失なく受信端子に供給されることになる。この時、他方のスイッチング回路で送受信処理をおこなうべき送信信号や受信信号がノイズとして、この受信ラインにのると、受信端子に導出され、通信混線などが発生してしまう。
【００３５】
これに対して、図２のように、ストリップライン１２に並列となる容量素子１９を配置する。これにより、このスイッチング回路の受信処理の周波数帯Ｆｒ１の近傍及びそれよりも低い周波数帯域では減衰量が約０である（通過損失が約０である）。そして、周波数帯Ｆｒ１よりも高い周波数領域で、減衰極が形成され，周波数帯Ｆｒ１よりも高い周波数の信号（ノイズ）では、所定減衰量で減衰する。例えば、減衰量が−２０ｄＢ以上とできる。
【００３６】
以上のように、本発明によれば、同じ回路基板で取り扱う周波数帯の異なる２つ以上のスイッチング回路を内層化する場合でも、受信時の通過特性を悪化させることなく、送信周波数の２倍の周波数帯域の減衰特性を改善し、部品を基板に内層化して小型化しても高い品質の送受信が可能な高周波回路を提供することができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の高周波回路を図面に基づいて詳説する。尚、実施例には、２つの通信システム、例えばＧＳＭ通信システム（送受信周波数帯９００ＭＨｚ）、ＤＣＳ通信システム（送受信周波数帯１．８ＧＨｚ）に対応する２つのスイッチング回路を具備した高周波回路を例に説明する。なお従来例と同一の部分については、同じ符号を付してその説明を省略する。
【００３８】
図１は、本発明の高周波回路の回路図を示す。
【００３９】
図において、高周波回路は、アンテナに接続されるダイプレクサＤ、ダイプレクサＤを介してアンテナと受信回路または送信回路との接続状態を切り換える２つのスイッチング回路ＳＷ１、ＳＷ２とから構成されている。
【００４０】
ダイプレクサＤは、その第１の端子Ｄ１を介して、アンテナに接続されている。また、一方のスイッチング回路ＳＷ１（例えばＧＳＭ通信システムに対応したスイッチング回路）のアンテナ側端子は、ダイプレクサＤの第２の端子Ｄ２に接続され、他方のスイッチング回路ＳＷ２（例えばＤＣＳ通信システムに対応したスイッチング回路）のアンテナ側端子は、ダイプレクサＤの第３の端子Ｄ３に接続される。また、一方のスイッチング回路ＳＷ１及び他方のスイッチング回路ＳＷ２の構成は、従来のスイッチング回路ＳＷの構成をベースにしており、一方のスイッチング回路ＳＷ１は、コンデンサ１１、ストリップライン１２、コンデンサ１３、第２のダイオード１４、第１のダイオード１５、コンデンサ１６、抵抗１７、コンデンサ１８から構成されている。そして、受信端子ＲＸ１は受信回路に接続されて、送信端子ＴＸ１は送信回路に接続されている。また、制御端子Ｖｔ１は、一方のスイッチング回路ＳＷ１内において、送受信を切り換えるための制御電圧が供給される。
【００４１】
また、他方のスイッチング回路ＳＷ２は、コンデンサ２１、ストリップライン２２、コンデンサ２３、第２のダイオード２４、第１のダイオード２５、コンデンサ２６、抵抗２７、コンデンサ２８から構成されている。そして、受信端子ＲＸ２は受信回路に接続されて、送信端子ＴＸ２は送信回路に接続されている。また、制御端子Ｖｔ２は、一方のスイッチング回路ＳＷ２内において、送受信を切り換えるための制御電圧が供給される。尚、受信端子ＲＸ１、ＲＸ２は両者の受信信号の周波数帯が相違するため、受信端子ＲＸ１と受信回路ＲＸとの間には、例えば９００ＭＨｚ帯の受信信号を受信回路ＲＸで処理可能な周波数に変換する周波数変換回路（ミキサーやフィルタなど）を具備しており、受信端子ＲＸ２と受信回路ＲＸとの間にも、例えば１．８ＧＨｚ帯の受信信号を受信回路ＲＸで処理可能な周波数に変換する周波数変換回路が具備されている。
【００４２】
また、一方のスイッチング回路ＳＷ１においては、ストリップライン１２の線路長は、このスイッチング回路ＳＷ１で処理される送信信号Ｆｔ１の中心的な周波数の１／４波長に相当する長さとなっている。他方のスイッチング回路ＳＷ２のストリップライン２２の線路長は、このスイッチング回路ＳＷ２で処理される送信信号Ｆｔ２の中心的な周波数の１／４波長に相当する長さとなっている。また、低い周波数（Ｆｒ１、Ｆｔ１（総じて、Ｆ１という）、例えば約９００ＭＨｚ）の処理を行うスイッチング回路ＳＷ１のストリップライン１２は、スイッチング回路ＳＷ１よりも高い周波数（Ｆｒ２、Ｆｔ２（総じて、Ｆ２という）約１．８ＧＨｚ）の処理を行うスイッチング回路ＳＷ２のストリップライン２２の長さの２倍となっている。
【００４３】
また、本発明では、低い周波数帯Ｆ１の処理を行うスイッチング回路ＳＷ１側のストリップライン１２に、容量素子１９が並列接続されている。
【００４４】
これより、伝送路として動作するストリップライン１２には、容量素子１９が並列接続されるため、周波数帯Ｆ１よりも高い周波数帯域で２つの減衰極を形成することができ、全体としてローパスフィルタとして動作させることができる。
【００４５】
このような構成の高周波回路において、ＧＳＭ通信システムにおける送信処理を行う場合には、スイッチング回路ＳＷ１の制御端子Ｖｔ１に正の電圧（第１のダイオード１５、第２のダイオード１４に順バイアス電流を与える信号）を供給する。そして、スイッチング回路ＳＷ１の第１のダイオード１５及び第２のダイオード１４はＯＮ状態となる。
【００４６】
ここで、第２のダイオード１４がＯＮ状態となるため、ストリップライン１２の受信端子ＲＸ１側の端部はＧＮＤ電位に接地されることになる。そしてストリップライン１２を送信信号Ｆｔ１（実際の送信周波数としてはＦ１は８８０〜９１５ＭＨｚ）に対して、ショートスタブ（インピーダンス無限大）となり、送信信号がストリップライン１２で遮断され、受信端子ＲＸ１に漏れることなく、ダイプレクサＤに導出されることになる。
【００４７】
また、ＧＳＭ通信システムにおける受信処理に行う場合には、スイッチング回路ＳＷ１の制御端子Ｖｔ１に０または負の電圧（第１のダイオード１５、第２のダイオード１４には無印加）を供給する。このため、第１のダイオード１５及び第２のダイオード１４はＯＦＦ状態となる。
【００４８】
ここで、第１のダイオード１5 がＯＦＦ状態となるため、ダイプレクサＤと送信回路ＴＸ１との間が遮断されて、受信信号Ｆｒ１が送信端子ＲＸ１に漏れることがない。これにより、ダイプレクサＤから分離された受信信号Ｆｒ１は、ストリップライン１２を介して受信端子Ｒｘ１に導出されることになる。この時、ストリップライン１２は単に伝送路として動作し、且つ容量素子１９とにより、ローパスフィルタとして動作するものの、所定受信信号Ｒｘ１を含む約９００ＭＨｚの周波数帯よりも高い周波数帯域で減衰極が形成されているので、この所定受信信号Ｒｘ１が減衰することない。
【００４９】
また、ＤＣＳ通信システムにおいては、他方のスイッチング回路ＳＷ２において同様の動作をおこなう。
【００５０】
ここで、２つのスイッチング回路ＳＷ１、スイッチング回路ＳＷ２を有するデュアルバンド対応の高周波回路において、特に、スイッチング回路ＳＷ１のストリップライン１２に、周波数帯Ｆ１の信号のみを通過させて、その２倍の周波数２×Ｆ１の信号、即ち、スイッチング回路ＳＷ２で送受信処理する周波数帯を、減衰させるようになっている。これは、この高周波回路を、小型、高密度化のために同一基板内にスイッチング回路ＳＷ１とＳＷ２とを近接配置すると、スイッチング回路ＳＷ２からスイッチング回路ＳＷ１側に、スイッチング回路ＳＷ２で処理する送受信信号Ｆｔ２、Ｆｒ２が、ノイズとしてのってくることがあるからである。
【００５１】
即ち、スイッチング回路ＳＷ１が動作していない時や、スイッチング回路ＳＷ１のストリップライン１２が単なる伝送路として機能する時において、ラインを介して供給される高い周波数の不要なノイズを除去することが重要となる。
【００５２】
本発明では、低い周波数処理を行うスイッチング回路ＳＷ１のストリップライン１２に対して、容量素子（コンデンサ）１９を接続している。このため、ストリップライン１２は、単体ではローパスフィルタのような特性を示す。これより、スイッチング回路ＳＷ２で処理する送受信信号（送受信周波数Ｆ２：１７１０〜１９１０ＭＨｚで、Ｆ２と２×Ｆ１は近い周波数帯）が、不要なノイズとしてスイッチング回路ＳＷ１の受信ラインにのったとしても、この高い周波数の信号（ノイズ）を充分に減衰させることができ、結果として、スイッチング回路ＳＷ１の受信端子ＲＸ１に導出されないことになる。
【００５３】
これにより、高品質の送受信信号の処理が可能となる。
【００５４】
同時に、この２つのスイッチング回路ＳＷ１、ＳＷ２を、同一の多層基板に内装して、しかも、両スイッチング回路を近接しても、そこから漏れる信号成分（ノイズ）はストリップライン１２自身で充分減衰され、周波数帯２×Ｆ１の減衰特性を悪化させることがない。
【００５５】
以上、図２（ａ）に示すように、ストリップライン１２に容量素子１９を並列配置させることにより、全般として図２（ｂ）に示すように、所定周波数帯Ｆ１よりも高い周波数帯域に減衰極が形成される。その結果、ストリップライン１２の伝送特性上の周波数帯Ｆ１よりも高い周波数帯域で通過損失が大きくなる。これより、例えば、一方のスイッチング回路ＳＷ１で処理する送受信信号の周波数帯Ｆ１よりも高い周波数帯に存在する他方のスイッチング回路ＳＷ２で処理する送受信周波数Ｆ２の信号（スイッチング回路ＳＷ１ではノイズとなる）が、スイッチング回路ＳＷ１の受信端子ＲＸ１に導出されることがない。
【００５６】
減衰極の制御は、容量素子１９の容量値、この容量素子１９が並列接続されるストリップライン１２の所定接続長さ（インダクタンス）によって行うことができる。
【００５７】
例えば、容量素子１９の容量を小さくすると、２つの減衰極の間隔が狭くなるようになり、逆に、容量素子１９の容量を大きくすると、２つの減衰極の間隔が拡がるようになる。
【００５８】
例えば、２つの減衰極の間隔が狭くなりすぎると、減衰極間の減衰量が充分に得られず、ノイズ信号の損失が小さくなってしまう。
【００５９】
また、２つの減衰極が広く成り過ぎると、通過すべき受信信号Ｆｒ１の近傍での周波数に対する減衰量が減少してしまう。
【００６０】
また、本発明者は、ストリップライン１２の減衰極（極位置）と２倍のＦ１（Ｆ１を８８０〜９１５ＭＨｚ）における減衰特性の関係を調べた。
【００６１】
その結果を図３に示す。図３から理解できるように、ストリップライン１２の減衰極位置と２×Ｆ１における減衰特性には関係があり、この周波数帯域（実際には、スイッチング回路ＳＷ２で送受信処理される周波数帯）に対応する減衰特性を−３０ｄＢ以下に確保するためには、マージンも考えて減衰極位置を２３００ＭＨｚ以下にしておく必要がある。
【００６２】
その極位置に設定するためには、コンデンサ１９の容量値をたとえば２ｐＦとすれば、ストリップライン１２とコンデンサ１９の接続点同士の距離は６〜７ｍｍにすれば良い。ストリップライン１２の線路長は、スイッチング回路ＳＷ１で処理される送信信号Ｆ１の中心的な周波数の１／４波長に相当する長さとなるように設定すれば良い。この場合は約１８ｍｍである。
【００６３】
尚、上述の実施例では、ストリップライン１２に対して容量素子１９を並列接続している。そして、図２（ａ）に示す回路図では、ストリップライン１１の両端に容量素子１９が接続されているが、容量素子１９が接続されるストリップライン１２の２点を、ストリップライン１２の一方端部と所定位置の中間点部分としたり、また、２点をストリップライン１２の所定の２つの中間点部分としても構わない。
【００６４】
また、上述の実施例では、一方のスイッチング回路ＳＷ１（スイッチング回路ＳＷ２で処理される送受信信号の周波数帯Ｆ２よりも、低い側の周波数の送受信処理を行う側のスイッチング回路）のストリップライン１２に、容量素子１９を形成したが、例えば、他方のストリップライン２２の側にも同様の容量素子を用いても構わない。この場合、特定周波数以上の外来高周波ノイズ成分を、他方のスイッチング回路ＳＷ２の受信ラインに伝送されることがないため、その安定性が向上する。
【００６５】
【発明の効果】
以上のように、本発明では、同じ基板に２つのスイッチング回路ＳＷ、ダイプレクサを具備する高周波回路を形成しても、一方の受信信号の周波数Ｆｒ１を伝送するストリップラインに、その周波数Ｆｒ１よりも高い周波数でラインを介して供給される信号がノイズとしてのったとしても、高い周波数の信号は、ストリップラインによって十分減衰されるため、スイッチング回路全体としての減衰特性を悪化させず、同時に、受信時の通過特性は良いままに保たれ、高い品質のスイッチング処理ができる。
【００６６】
また、２つのスイッチング回路を同じ基板に内層化し小型化しても受信時の通過特性を悪化させることなく、送信時の送信周波数の２倍の周波数帯域の減衰特性を改善し、高い品質の送受信を可能にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波回路の回路図である。
【図２】本発明のストリップラインに容量素子を並列接続した場合の通過特性を示すものであり（ａ）はその接続図、（ｂ）は特性図である。
【図３】容量素子を並列接続したストリップラインの減衰極位置と２倍の周波数帯における減衰特性の関係を示す図である。
【図４】従来のシングルモードのスイッチング回路の回路図である。
【図５】従来のデュアルモードのスイッチング回路（高周波回路）のブロック図である。
【図６】従来のストリップラインの通過特性を示すものであり（ａ）はその形状（ｂ）は特性図である。
【符号の説明】
２、１２、２２・・ストリップライン
４、１４、２４・・第２のダイオード
５、１５、２５・・第１のダイオード
ＲＸ、ＲＸ１、ＲＸ２・・受信端子
ＴＸ、ＴＸ１、ＴＸ２・・送信端子
ＡＮＴ・・アンテナ端子[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a high-frequency circuit including a receiving circuit that performs transmission / reception in two different transmission / reception frequency bands, a transmission circuit, and a switching circuit that switches transmission / reception signals in a predetermined frequency band to an antenna.
[0002]
[Prior art]
In a digital cellular phone or the like, the high-frequency circuit includes a switching circuit that switches a reception signal to be supplied from the antenna to the reception circuit and a transmission signal to be supplied from the transmission circuit to the antenna.
[0003]
However, with the complication of communication systems, there is a demand for dual-band support that supports two communication systems. In addition, parts used in such communication devices are required to be reduced in size and weight at the same time.
[0004]
FIG. 4 shows a high-frequency circuit corresponding to a single band in which the antenna terminal connected to the antenna is ANT, the transmission terminal connected to the transmission circuit is TX, and the reception terminal connected to the reception circuit is RX.
[0005]
The transmission terminal TX connected to the transmission circuit is connected to the antenna terminal ANT via the capacitor 36, the first diode 35, and the capacitor 31. That is, a transmission signal (Ft) of a predetermined frequency band formed in the transmission circuit is derived to the antenna through this transmission line.
[0006]
The antenna terminal ANT connected to the antenna is connected to the reception terminal RX connected to the reception circuit via the strip line 32 and the capacitor 33.
[0007]
That is, a transmission signal (Fr) of a predetermined frequency band to be processed by the receiving circuit is supplied to the receiving circuit via this receiving line.
[0008]
On the transmission line side, a control terminal Vt is connected via a resistor 37 to an intermediate point between the capacitor 36 and the anode of the first diode 35. An intermediate point between the anode of the first diode 35 and the resistor 37 is grounded via a capacitor 38.
[0009]
On the reception line side, a second diode 34 is connected to an intermediate point between the strip line 32 and the capacitor 33, that is, the reception terminal TX side of the strip line 32. The anode of the second diode 34 is connected to the receiving terminal side of the strip line 32, and the cathode is grounded to the ground potential.
[0010]
Here, the capacitors 31, 33, 36, and 38 are DC component cut capacitors, and the control current (transmission / reception switching signal) supplied from the control terminal Vt is transmitted to the transmission terminal TX, the reception terminal RX, the antenna terminal ANT, and the ground. This is to prevent leakage.
[0011]
In the above switching circuit, when transmitting the transmission frequency Ft, a positive voltage (bias current) is applied to the control terminal Vt. With this voltage, the first diode 35 and the second diode 34 are turned on.
[0012]
When the first diode 35 is turned on, the transmission signal Ft from the transmission circuit TX is transmitted to the antenna terminal ANT. At the same time, when the second diode 34 is turned on, one end of the strip line 32 is grounded via the second diode 34. Here, by setting the length of the strip line 32 to a central frequency of a predetermined transmission signal, for example, a length of ¼ wavelength with respect to Ft, the impedance is reduced with respect to the frequency band of the transmission signal Ft. Since it becomes infinite, it is not transmitted to the receiving terminal RX.
[0013]
When receiving the reception frequency Ft, a negative voltage or 0 V is applied to the control terminal Vt. Thereby, the bias current is not supplied to the first diode 35 and the second diode 34, and as a result, the first diode 35 and the second diode 34 are turned off. As a result, the reception signal Fr is transmitted from the antenna terminal ANT to the reception terminal RX and is not transmitted to the transmission terminal TX. In this case, the strip line 32 functions as a simple transmission line.
[0014]
The above configuration is the operation of a single mode switching circuit corresponding to one frequency band.
[0015]
Based on such a single mode switching circuit, when two communication systems of different transmission / reception frequency bands are made to correspond to one communication device, so-called dual band, as shown in the block diagram of FIG. The switching circuits SW1 and SW2 are connected by a diplexer D to constitute a high frequency circuit.
[0016]
The diplexer D supplies transmission / reception signals of different transmission / reception frequency bands separately to one of the two switching circuits SW1 and SW2. The diplexer D includes a first terminal D1 connected to the antenna, a second terminal D2 connected to the antenna terminal ANT of the switching circuit SW1, and a third terminal D3 connected to the antenna terminal ANT of the switching circuit SW2. have.
[0017]
The high-frequency circuit composed of the two switching circuits SW1 and SW2 and the diplexer D is handled as one module along with the downsizing of the communication device and the like, thereby reducing the size of the entire communication device. It was. That is, the high-frequency circuit is integrally disposed on a multilayer circuit board.
[0018]
[Problems to be solved by the invention]
When the two switching circuits SW1 and SW2 and the diplexer D are arranged on the multilayer circuit board in this way, components such as strip lines, diodes and capacitors necessary for the two switching circuits SW1 and SW2 are mounted. Via hole conductors and internal wiring conductors must be placed on the circuit board.
[0019]
Furthermore, when the size of the circuit board is physically reduced, the interval between the two switching circuits is narrowed. As a result, there is a problem that A iso configuration can not be sufficiently achieved.
[0020]
For example, in a high-frequency circuit in which one of two switching circuits corresponds to a GSM communication system (frequency band of transmission / reception signals is about 900 MHz) and the other corresponds to a DCS communication system (frequency band of transmission / reception signals is 1.8 GHz), the GSM communication system During transmission / reception, a signal other than the GSM communication system (900 MHz), for example, a reception signal Fr2 (frequency Fr1 × 2) of the DCS communication system having a frequency about twice as high is passed.
[0021]
That is, the relationship between the transmission / reception frequency band (Ft1, Fr1) of the communication system processed by one switching circuit SW1 and the transmission / reception frequency band (Ft2, Fr2) of the communication system processed by the other switching circuit SW2 is about double. In the case of the relationship, the leakage of the strip line 32 occurs, causing a problem of deteriorating the attenuation characteristic and the like.
[0022]
In order to solve such a problem, it is conceivable to provide a frequency selecting filter device between the antenna ANT and the switching circuits SW1 and SW2 and between the transmission / reception terminals TX and RX and the transmission / reception circuit.
[0023]
However, the filter device may be mounted on the circuit board, or the filter may be connected from the outside. In any case, when the filter device is added, the number of parts increases, and as a result, there is a problem that the high-frequency circuit becomes large.
[0024]
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and its purpose is to prevent leakage due to a frequency band used in other communication systems without reducing the passing characteristics at the time of reception. It is possible to provide a high-frequency circuit that can transmit and receive high quality.
[0025]
[Means for Solving the Problems]
The present invention provides two switching circuits for switching the connection between an antenna and a transmission / reception circuit, and connects each switching circuit to an antenna via a diplexer, and the switching circuits have different transmission / reception frequency bands. Because
Each of the switching circuits has a transmission terminal connected to the transmission circuit, a reception terminal connected to the reception circuit, and an antenna terminal connected to the diplexer,
A first diode disposed between the transmission terminal and the antenna terminal and having an anode connected to the transmission terminal side;
A strip line disposed between the antenna terminal and the receiving terminal; a second diode having an anode connected to the receiving terminal side of the strip line and a cathode connected to a ground potential;
A control terminal for supplying a control voltage for performing on-off control of the first and second diodes;
In addition, the high-frequency circuit is characterized in that a capacitive element is connected in parallel to all or part of the length of the strip line of one switching circuit for switching transmission / reception signals in the low transmission / reception frequency band.
[0026]
The strip line of the one switching circuit and the capacitive element connected in parallel to the strip line are high-frequency circuits set so as to form an attenuation pole in a frequency band higher than the predetermined transmission / reception frequency band.
[0027]
[Action]
In the high-frequency circuit of the present invention, the capacitive element is connected in parallel to the strip line constituting one of the switching circuits. Thus, an attenuation pole is formed in the transmission characteristic of the strip line. The connection point of the capacitive element is connected between both ends of the strip line, between two points on the strip line, between one end and a certain intermediate point, and the like.
[0028]
The switching circuit of this one, depending on the central frequency F t1 of the transmission signal to be processed by this circuit side has a 1/4 length equivalent of the wavelength. At the same time, the capacitor connected in parallel to the strip line, and the transmission characteristics of the frequency F r1 of the reception signal processed by the circuit side as it (good), a line at a higher frequency than the frequency F r1 through use of one having a capacitive component that attenuates the signal supplied.
[0029]
Note that the high-frequency circuit in which the capacitive element is connected in parallel to the strip line is preferably used for a switching circuit that processes a communication system in a low frequency band of the two communication systems.
[0030]
More thereto, the transmission characteristics of the strip line connected in parallel a capacitor, to the heat transmission characteristics, and forms an attenuation pole at a certain frequency band. That is, it is possible to attenuate the signal supplied via the line in a frequency band higher than the frequency band Fr1 of the received signal.
[0031]
That is, even if a transmission signal or reception signal processed by the other switching circuit is received as noise (noise signal) in one switching circuit, the noise signal is sufficient due to the transmission characteristics of the strip line. As a result, the noise signal does not appear at the receiving terminal of one of the switching circuits. Thus, a high-frequency circuit capable of high quality transmission / reception is obtained.
[0032]
In addition, since the capacitive element is simply arranged in parallel on the strip line of one switching circuit, the number of parts does not increase significantly, and it is not necessary to add a filter device. Even if both switching circuits are arranged close to each other without increasing the size, sufficient isolation is obtained and a high-frequency circuit is obtained.
[0033]
The operation will be described with reference to the drawings. FIG. 6 shows the configuration of a conventional strip line and its transmission characteristics. That is, in the conventional strip line, the attenuation amount is about 0 (pass loss is about 0) in a wide frequency range band including the frequency band Fr1 of reception processing.
[0034]
As a result, the reception signal supplied from the antenna terminal is supplied to the reception terminal without loss through the strip line. At this time, if a transmission signal or a reception signal to be transmitted / received by the other switching circuit is placed on this reception line as noise, it is led to the reception terminal and communication crosstalk or the like occurs.
[0035]
On the other hand, as shown in FIG. 2, a capacitive element 19 is arranged in parallel with the strip line 12. As a result, the attenuation amount is about 0 (pass loss is about 0) in the vicinity of the frequency band Fr1 of reception processing of this switching circuit and in a frequency band lower than that. An attenuation pole is formed in a frequency region higher than the frequency band Fr1, and a signal (noise) having a frequency higher than the frequency band Fr1 is attenuated by a predetermined attenuation amount. For example, the attenuation can be set to −20 dB or more.
[0036]
As described above, according to the present invention, even when two or more switching circuits having different frequency bands handled by the same circuit board are used as an inner layer, the transmission frequency is doubled without deteriorating the passing characteristics at the time of reception. It is possible to provide a high-frequency circuit capable of improving the attenuation characteristics in the frequency band and capable of high-quality transmission / reception even when the component is made smaller by downsizing the component on the substrate.
[0037]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the high-frequency circuit of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the embodiment, a high frequency circuit including two switching circuits corresponding to two communication systems, for example, a GSM communication system (transmission / reception frequency band 900 MHz) and a DCS communication system (transmission / reception frequency band 1.8 GHz) will be described as an example. To do. In addition, about the part same as a prior art example, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted.
[0038]
FIG. 1 shows a circuit diagram of a high-frequency circuit according to the present invention.
[0039]
In the figure, the high frequency circuit includes a diplexer D connected to the antenna, and two switching circuits SW1 and SW2 for switching the connection state between the antenna and the receiving circuit or the transmitting circuit via the diplexer D.
[0040]
The diplexer D is connected to the antenna via the first terminal D1. The antenna side terminal of one switching circuit SW1 (for example, a switching circuit corresponding to a GSM communication system) is connected to the second terminal D2 of the diplexer D, and the other switching circuit SW2 (for example, a switching corresponding to a DCS communication system). The antenna side terminal of the circuit) is connected to the third terminal D3 of the diplexer D. The configuration of one of the switching circuits SW1 and the other switching circuit SW2 is a configuration of a conventional switching circuit SW to the base, one of the switching circuit SW1, the capacitor 11, the strip line 12, capacitor 13, the second It comprises a diode 14, a first diode 15, a capacitor 16, a resistor 17, and a capacitor 18. The reception terminal RX1 is connected to the reception circuit, and the transmission terminal TX1 is connected to the transmission circuit. The control terminal Vt1 is supplied with a control voltage for switching between transmission and reception in one switching circuit SW1.
[0041]
The other switching circuit SW2, and a capacitor 21, the strip line 22, capacitor 23, a second diode 24, first diode 25, capacitor 26, resistor 27, capacitor 28. The reception terminal RX2 is connected to the reception circuit, and the transmission terminal TX2 is connected to the transmission circuit. The control terminal Vt2 is supplied with a control voltage for switching between transmission and reception in one switching circuit SW2. Since the reception terminals RX1 and RX2 have different frequency bands of the reception signals, between the reception terminal RX1 and the reception circuit RX, for example, a reception signal in the 900 MHz band is converted to a frequency that can be processed by the reception circuit RX. A frequency conversion circuit (mixer, filter, etc.) that converts the received signal in the 1.8 GHz band into a frequency that can be processed by the reception circuit RX, for example, between the reception terminal RX2 and the reception circuit RX. A conversion circuit is provided.
[0042]
In the one switching circuit SW1, a line length of the strip line 12 has a length corresponding to the central quarter wavelength of frequency of the transmission signal Ft1 processed by the switching circuit SW1. Line length of the strip line 22 of the other switching circuit SW2 has a length corresponding to the central quarter wavelength of frequency of the transmission signal Ft2 processed by the switching circuit SW2. Further, the strip line 12 of the switching circuit SW1 for processing low frequency (Fr1, Ft1 (collectively referred to F1), for example, about 900 MHz) is higher frequency than the switching circuits SW1 (Fr2, Ft2 (generally, F2 It is twice the length of the strip line 22 of the switching circuit SW2 for processing of) approximately 1.8G Hz).
[0043]
In the present invention, the capacitive element 19 is connected in parallel to the strip line 12 on the switching circuit SW1 side that performs processing in the low frequency band F1.
[0044]
As a result, since the capacitive element 19 is connected in parallel to the strip line 12 operating as a transmission line, two attenuation poles can be formed in a frequency band higher than the frequency band F1, and operate as a low-pass filter as a whole. Can be made.
[0045]
In the high-frequency circuit having such a configuration, when performing transmission processing in the GSM communication system, a positive voltage (a forward bias current is applied to the first diode 15 and the second diode 14 to the control terminal Vt1 of the switching circuit SW1). Signal). Then, the first diode 15 and the second diode 14 of the switching circuit SW1 are turned on.
[0046]
Here, since the second diode 14 is turned on, the end of the strip line 12 on the receiving terminal RX1 side is grounded to the GND potential. Then, the strip line 12 becomes a short stub (impedance infinite) with respect to the transmission signal Ft1 (F1 is 880 to 915 MHz as an actual transmission frequency), and the transmission signal is cut off by the strip line 12 and leaks to the reception terminal RX1. Instead, it is derived to the diplexer D.
[0047]
In the case of performing reception processing in the GSM communication system, 0 or a negative voltage (no voltage is applied to the first diode 15 and the second diode 14) is supplied to the control terminal Vt1 of the switching circuit SW1. For this reason, the 1st diode 15 and the 2nd diode 14 will be in an OFF state.
[0048]
Here, since the first diode 15 is turned off, the connection between the diplexer D and the transmission circuit TX1 is cut off, and the reception signal Fr1 does not leak to the transmission terminal RX1. As a result, the reception signal Fr1 separated from the diplexer D is led to the reception terminal Rx1 via the strip line 12. At this time, the strip line 12 simply operates as a transmission line and operates as a low-pass filter by the capacitive element 19, but an attenuation pole is formed in a frequency band higher than the frequency band of about 900 MHz including the predetermined reception signal Rx1. Therefore, the predetermined reception signal Rx1 is not attenuated.
[0049]
In the DCS communication system, the same operation is performed in the other switching circuit SW2.
[0050]
Here, in the dual-band high-frequency circuit having the two switching circuits SW1 and SW2, in particular, only the signal in the frequency band F1 is passed through the strip line 12 of the switching circuit SW1, and the frequency 2 is doubled. The signal of × F1, that is, the frequency band to be transmitted / received by the switching circuit SW2, is attenuated. This is because when the switching circuits SW1 and SW2 are arranged close to each other on the same substrate in order to reduce the size and increase the density, the transmission / reception signal Ft2 processed by the switching circuit SW2 from the switching circuit SW2 to the switching circuit SW1 side. This is because Fr2 sometimes comes as noise.
[0051]
That is, when the switching circuit SW1 is not operating or when the strip line 12 of the switching circuit SW1 functions as a simple transmission line, it is important to remove unnecessary high-frequency noise supplied through the line. Become.
[0052]
In the present invention, a capacitive element (capacitor) 19 is connected to the strip line 12 of the switching circuit SW1 that performs low frequency processing. For this reason, the strip line 12 exhibits characteristics like a low-pass filter by itself. From this, even if the transmission / reception signal (transmission / reception frequency F2: 1710 to 1910 MHz, F2 and 2 × F1 are close to each other) processed by the switching circuit SW2 is placed on the reception line of the switching circuit SW1 as unnecessary noise, This high frequency signal (noise) can be sufficiently attenuated, and as a result, it is not derived to the reception terminal RX1 of the switching circuit SW1.
[0053]
As a result, high-quality transmission / reception signals can be processed.
[0054]
At the same time, the two switching circuits SW1 and SW2 are built in the same multilayer substrate, and even if both switching circuits are close to each other, the signal component (noise) leaking from the switching circuit SW1 is sufficiently attenuated by the stripline 12 itself. The attenuation characteristics of the frequency band 2 × F1 are not deteriorated.
[0055]
As described above, as shown in FIG. 2A, by disposing the capacitive element 19 in parallel in the strip line 12, as shown in FIG. 2B as a whole, an attenuation pole is generated in a frequency band higher than the predetermined frequency band F1. Is formed. As a result, the passage loss increases in a frequency band higher than the frequency band F1 on the transmission characteristics of the stripline 12. Accordingly, for example, a signal of the transmission / reception frequency F2 processed by the other switching circuit SW2 existing in a frequency band higher than the frequency band F1 of the transmission / reception signal processed by one switching circuit SW1 (becomes noise in the switching circuit SW1). , The signal is not derived to the reception terminal RX1 of the switching circuit SW1.
[0056]
The attenuation pole can be controlled by the capacitance value of the capacitive element 19 and the predetermined connection length (inductance) of the strip line 12 to which the capacitive element 19 is connected in parallel.
[0057]
For example, reducing the capacitance of the capacitor 19, now the distance between the two attenuation poles becomes narrow, conversely, the larger the capacitance of the capacitor 19, interval of two attenuation poles is by Uni spreads.
[0058]
For example, if the distance between the two attenuation poles is too narrow, a sufficient amount of attenuation between the attenuation poles cannot be obtained, and the loss of the noise signal becomes small.
[0059]
Further, if the two attenuation poles become too wide, the amount of attenuation with respect to the frequency in the vicinity of the reception signal Fr1 to be passed decreases.
[0060]
In addition, the inventor examined the relationship between the attenuation pole (pole position) of the stripline 12 and the attenuation characteristic at twice F1 (F1 is 880 to 915 MHz).
[0061]
The result is shown in FIG. As can be understood from FIG. 3, there is a relationship between the attenuation pole position of the stripline 12 and the attenuation characteristic at 2 × F1, and this frequency band (actually, the frequency band transmitted and received by the switching circuit SW2) corresponds to this frequency band. In order to secure the attenuation characteristic to −30 dB or less, it is necessary to set the attenuation pole position to 2300 MHz or less in consideration of the margin.
[0062]
In order to set the pole position, if the capacitance value of the capacitor 19 is set to 2 pF, for example, the distance between the connection points of the stripline 12 and the capacitor 19 may be set to 6 to 7 mm . The line length of the strip line 12 may be set to be a length corresponding to a quarter wavelength of the central frequency of the transmission signal F1 processed by the switching circuit SW1 . In this case, it is about 18 mm.
[0063]
In the above-described embodiment, the capacitive element 19 is connected in parallel to the strip line 12. In the circuit diagram shown in FIG. 2A, the capacitive element 19 is connected to both ends of the strip line 11. Two points on the strip line 12 to which the capacitive element 19 is connected are connected to one end of the strip line 12. It is also possible to use an intermediate point portion between the portion and a predetermined position, or two points as predetermined two intermediate point portions of the strip line 12.
[0064]
In the above-described embodiment, the strip line 12 of one switching circuit SW1 (the switching circuit that performs transmission / reception processing at a frequency lower than the frequency band F2 of the transmission / reception signal processed by the switching circuit SW2) Although the capacitive element 19 is formed, for example, a similar capacitive element may be used on the other strip line 22 side. In this case, the external high-frequency noise component of a specific frequency or higher is not transmitted to the reception line of the other switching circuit SW2, so that the stability is improved.
[0065]
【The invention's effect】
As described above, in the present invention, even if a high-frequency circuit including two switching circuits SW and a diplexer is formed on the same substrate, the strip line transmitting the frequency Fr1 of one received signal is higher than the frequency Fr1. even signal supplied through the line at a frequency is superimposed on the noise signal of higher frequency, because thus are sufficiently attenuated to the strip line, without deteriorating the damping characteristics of the entire switching circuit, at the same time, The pass characteristic at the time of reception is kept good, and high-quality switching processing can be performed.
[0066]
In addition, even if the two switching circuits are layered on the same board and miniaturized, the attenuation characteristics in the frequency band twice the transmission frequency at the time of transmission are improved without deteriorating the transmission characteristics at the time of transmission, and high quality transmission / reception is achieved. Can be possible.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram of a high-frequency circuit according to the present invention.
FIGS. 2A and 2B show pass characteristics when capacitive elements are connected in parallel to the strip line of the present invention, wherein FIG. 2A is a connection diagram and FIG. 2B is a characteristic diagram;
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between an attenuation pole position of a strip line in which capacitive elements are connected in parallel and an attenuation characteristic in a double frequency band.
FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional single mode switching circuit.
FIG. 5 is a block diagram of a conventional dual mode switching circuit (high frequency circuit).
6A and 6B show the passage characteristics of a conventional strip line, and FIG. 6A is a characteristic diagram of the shape (b).
[Explanation of symbols]
2, 12, 22 ··· Striplines 4, 14, 24 ··· Second diodes 5, 15, 25 ··· First diodes RX, RX1, RX2 ··· Receive terminals TX, TX1, TX2 ··· Transmitter terminals ANT ..Antenna terminals

Claims (1)

アンテナと送受信回路との接続を切り換えるスイッチング回路２つを、各々ダイプレクサを介してアンテナに接続して成り、各スイッチング回路の送受信周波数帯が異なる高周波回路であって、
前記各スイッチング回路は、送信回路に接続される送信端子と、受信回路に接続される受信端子と、前記ダイプレクサに接続されるアンテナ端子とを有するとともに、
前記送信端子と前記アンテナ端子との間に配置され、且つアノードが前記送信端子側に接続される第１のダイオードと、
前記アンテナ端子と前記受信端子との間に配置されたストリップラインと、アノードが前記ストリップラインの前記受信端子側に接続され、且つカソードがグランド電位に接続される第２のダイオードと、
前記第１及び第２のダイオードのＯＮ−ＯＦＦ制御を行う制御電圧を供給する制御端子とから成り、
且つ低い前記送受信周波数帯の処理を行う一方のスイッチング回路の前記ストリップラインに、その長さの全部または一部に、容量素子を並列接続し、前記ストリップラインの伝送特性に、前記一方のスイッチング回路の送受信周波数帯よりも高い周波数帯域に減衰極を形成するように設定したことを特徴とする高周波回路。The two switching circuits for switching the connection between the antenna and the transceiver circuit, made to connect to the antenna via each da Ipurekusa, a high-frequency circuit receiving frequency band is different for each switching circuit,
Wherein each switching circuit includes a transmission terminal connected to a transmission circuit, a reception terminal that is connected to the receiving circuit, which has an antenna terminal connected to the diplexer,
Wherein disposed between the transmission terminal and the antenna terminal, and a and a first diode having an anode connected to the transmission terminal side,
A strip line disposed between the antenna terminal and the receiving terminal; a second diode having an anode connected to the receiving terminal side of the strip line and a cathode connected to a ground potential;
A control terminal for supplying a control voltage for performing on-off control of the first and second diodes;
And the lower the said strip line processing one switching circuit for performing transmission and reception frequency band, the whole or part of its length, connected in parallel a capacitor, on the transmission characteristics of the strip line, wherein one of the switching circuit A high frequency circuit characterized in that an attenuation pole is formed in a frequency band higher than the transmission / reception frequency band .

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