JP4210862B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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Description
基板にフッ素原子又は珪素原子をベースポリマーに含むレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成し、その後該レジスト膜を180nm以下の露光波長にて露光、ポストエクスポジュアーベークし、次いで、カルボン酸又はスルホン酸のアミン塩を親水性基として有するフッ素系界面活性剤を含み、25℃における表面張力が25dyne/cm以下であり、25℃におけるpHが7以下である水溶液からなるレジスト表面処理剤組成物でプリウエット処理した後、現像を行うことを特徴とするパターン形成方法。
請求項2:
フッ素系界面活性剤が、下記一般式(1)〜(18)で示されるものから選ばれる1種又は2種以上である請求項1記載のパターン形成方法。
本発明のレジスト表面処理剤組成物(プリウエット剤)は、基板にフッ素原子又は珪素原子をベースポリマーに含むレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成し、その後該レジスト膜を露光、ポストエクスポジュアーベーク(PEB)し、次いで現像を行うに際し、ポストエクスポジュアーベーク後、現像前にプリウエット処理するために用いるもので、25℃における表面張力が25dyne/cm以下、好ましくは24dyne/cm以下、更に好ましくは12〜23dyne/cmである。また、25℃におけるpHが7以下、好ましくは1〜7、より好ましくは1〜6、更に好ましくは2〜5である。
下記に表されるF1〜F17のフッ素化合物1g、フッ素化合物のカルボン酸あるいはスルホン酸1モルに対して0.7モルのエタノールアミンを添加し、純水200gに十分に溶解させ、0.1μmサイズのフィルターで濾過してプリウエット水溶液を作成した。25℃の環境下において、pHメーターでプリウエット水溶液のpH値を測定し、表面張力計で表面張力を測定した。結果を表1に示す。
比較例として、実施例と同じレジスト膜を形成し、全くプリウエットをしないで現像した場合、C−1に示す炭化水素系界面活性剤(スルホン酸1モルに対するエタノールアミンの添加量を0.7モルに調整)を含むプリウエット水溶液で処理、現像した場合、F−1、F−2のフッ素化合物を用いて、カルボン酸1モルに対するエタノールアミンの添加量を2モルにしたプリウエット水溶液で処理、現像した場合の結果を表2示す。なお、プリウエット水溶液の作成、pH、表面張力の測定は実施例と同様である。
Claims (2)
- 基板にフッ素原子又は珪素原子をベースポリマーに含むレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成し、その後該レジスト膜を180nm以下の露光波長にて露光、ポストエクスポジュアーベークし、次いで、カルボン酸又はスルホン酸のアミン塩を親水性基として有するフッ素系界面活性剤を含み、25℃における表面張力が25dyne/cm以下であり、25℃におけるpHが7以下である水溶液からなるレジスト表面処理剤組成物でプリウエット処理した後、現像を行うことを特徴とするパターン形成方法。
- フッ素系界面活性剤が、下記一般式(1)〜(18)で示されるものから選ばれる1種又は2種以上である請求項1記載のパターン形成方法。
(式中、a,bは1〜20の整数、c,d,e,f,g,h,i,j,k,l,m,nは0〜15の整数、o,tは0〜100、p,uは1〜100、q,r,sは0〜15の整数である。v,wは0<v<1、0<w<1、v+w=1である。R1は、互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基もしくはフッ素化されたアルキル基を示す。R2は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であり、分子中に少なくとも1個以上のフッ素原子を含む。R3は水素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基、R4は炭素数1〜8の2価のアルキレン基、Mはアミン化合物である。)
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