JP4207778B2 - カラーフィルタ、表示装置及び電子機器、及びこれらの製造方法、並びに表示装置の製造装置 - Google Patents

カラーフィルタ、表示装置及び電子機器、及びこれらの製造方法、並びに表示装置の製造装置 Download PDF

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Description

【発明の属する技術分野】
【0001】
本発明は、反射型カラー液晶表示装置などに用いられるカラーフィルタの製造方法及び製造装置に関する。また、上記カラーフィルタを備えた表示装置や電子機器の製造方法、及びカラーフィルタに関する。
【従来の技術】
【0002】
近年、バックライトが無くても周囲の光を有効に利用して画像表示可能な反射型ディスプレイ装置の技術が開発されており、薄型、軽量及び低消費電力化に優れている。この反射型ディスプレイは、基板上に反射層と色層が順次形成されたカラーフィルタを備えている。
【0003】
また、反射層を光透過性を有する半透過層として形成した半透過型ディスプレイ装置も開発されている。この半透過型ディスプレイ装置によれば、明るいところでは周囲の光を用いて反射型の装置として使用することができ、暗いところではバックライトを用いて透過型の表示装置として使用することができる。
【0004】
上記の反射層を形成する方法として、従来スパッタ法又は真空蒸着法などでアルミニウム合金や銀合金を成膜することが行なわれてきた。
【0005】
また、特開平7−191211号公報には、基板上に高反射性の導電膜と、透明な導電膜とを積層させ、導電膜と光導電膜を用いて、電子写真方式にて着色パターンを形成し、導電膜は反射層として利用することが開示されている。
【0006】
また、特開平10−96811号公報には、基板上に少なくとも3色の着色層を、反射層を問に挟む形で形成し、レーザー照射で上層部を蒸散させ、下層の着色層を露出させることにより、反射型カラーフィルタを形成することが開示されている。
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
従来のスパッタ法や真空蒸着法により反射層を形成する方法では、基板表面処理、着色層形成に至るまで少なくとも4回のフォトリソ工程を必要とするため、莫大な工数、時間がかかり、歩留まりの低下の原因にもなっていた。
【0008】
また、上記特開平7−191211号公報に記載の方法では、フォトリソと比較して着色層形成時の工数は少ないが、各着色層及びブラックマトリクスの形成時にフォトマスクを必要とし、真空蒸着装置やコロナ帯電器などの装置が別途必要となる。また、トナーとして電気絶縁性物質しか用いることができないため、条件が制約される。
【0009】
また、上記特開平10−96811号公報に記載の方法では、フォトマスクを必要としないが、上部着色層が下部着色層の影響を受ける可能性がある。更にレーザー光で蒸散させるため、微細なパターン加工が難しい。また、基板処理面に約3μmの段差ができるため、液晶層の厚さの差による輝度むらが生じ易い。
【0010】
本発明は、フォトリソ工程などの煩雑な工程を不要とし、短時間、低エネルギー、低コストで反射型カラーフィルタ及び表示装置の製造を可能にする方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
上記課題を解決するため、本発明は、基板上に反射層と色層とからなる複数の画素を備えたカラーフィルタの製造方法であって、前記画素が配置される各画素領域を仕切る仕切りを形成する工程と、前記各画素領域内に第1の液状材料を液滴吐出法により吐出して前記反射層を形成する工程と、前記各画素領域内に前記色層を形成する工程と、前記反射層と前記色層の間に散乱層を形成する工程と、を備え、前記色層は、赤、緑、または青のいずれか一つに着色されており、前記反射層における反射特性および前記散乱層における散乱特性を、前記色層の色ごとに変更することにより色バランスが調整されていることを特徴とする。
【0012】
上記製造方法において、前記色層を形成する工程は、第2の液状材料を液滴吐出法により吐出する工程を備えていることが望ましい。
【0013】
上記製造方法において、前記反射層は光透過性を有する半透過反射層としてもよい。上記製造方法において、前記第1の液状材料は光の散乱材を含むことが望ましい。
【0014】
上記製造方法において、アクティブマトリクス基板上に、前記仕切り、反射層および色層を一体的に形成してもよい。
【0015】
本発明の表示装置の製造方法は、上記の方法により製造されたカラーフィルタを用いることを特徴とする。
【0016】
本発明の電子機器の製造方法は、上記の方法により製造された表示装置を用いることを特徴とする。
【0017】
また本発明は、基板上に反射層を備えた表示装置の製造装置であって、前記反射層を形成するための液状材料を前記基板上に液滴吐出法により吐出する吐出部を備えたことを特徴とする。
【0018】
本発明のカラーフィルタは、基板上に反射層と色層とからなる複数:の画素を備え、前記各画素が配置される各画素領域を仕切る仕切りを備え、前記反射層および前記色層は、前記仕切りによって他の画素の反射層および色層と分離されている。
【0019】
本発明の表示装置は、上記のカラーフィルタを備えており、本発明の電子機器は、この表示装置を備えている。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
(1.製造装置の構成)
図1は、本発明の実施形態による製造装置の概略斜視図である。図に示すように、製造装置100は、インクジェットヘッド群1、X方向駆動軸4、Y方向ガイド軸5、制御装置6、載置台7、クリーニング機構部8、基台9を備えている。
【0021】
インクジェットヘッド群1は、所定色のインクをノズル(吐出口)から吐出してカラーフィルタ用基板101に付与するインクジェットヘッド(後述)を備えている。
【0022】
載置台7は、この製造装置によってインクを付与されるカラーフィルタ用基板101を載置させるもので、この基板101を基準位置に固定する機構を備える。
【0023】
X方向駆動軸4には、X方向駆動モータ2が接続されている。X方向駆動モータ2は、ステッピングモータ等であり、制御装置6からX軸方向の駆動信号が供給されると、X方向駆動軸4を回転させる。X方向駆動軸4が回転させられると、インクジェットヘッド群1がX軸方向に移動する。
【0024】
Y方向ガイド軸5は、基台9に対して動かないように固定されている。載置台7は、Y方向駆動モータ3を備えている。Y方向駆動モータ3は、ステッピングモータ等であり、制御装置6からY軸方向の駆動信号が供給されると、載置台7をY軸方向に移動させる。
【0025】
制御回路6は、インクジェットヘッド群1の各ヘッドにインク滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、X方向駆動モータ2にインクジェットヘッド群1のX軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Y方向駆動モータ3に載置台7のY軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
【0026】
クリーニング機構部8は、インクジェットヘッド群1をクリーニングする機構を備えている。クリーニング機構部8には、図示しないY方向の駆動モータが備えられる。このY方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構8は、Y方向ガイド軸5に沿って移動する。クリーニング機構8の移動も、制御装置6によって制御される。
【0027】
(2.カラーフィルタの構成)
図2は、本発明の実施形態による製造装置及び製造方法により製造されるカラーフィルタの部分断面図である。図2(a)は第1の実施形態であり、図2(b)は第2の実施形態を示す。
【0028】
カラーフィルタ200は、基板12上にマトリクス状に並んだ画素を備え、画素と画素の境目は、遮光性の仕切り14によって区切られている。画素の1つ1つには、赤(R)、緑(G)、青(B)のいずれかのインクが導入されている。
【0029】
赤、緑、青の配置はいわゆるモザイク配列でもよく、ストライプ配列、デルタ配列など、その他の配置でも構わない。
【0030】
図2(a)に示す第1の実施形態では、基板12上の仕切り14が形成されていない(除去された)部分に、反射層22、散乱層21、色層20が積層されている。反射層22は、銀、アルミニウムもしくは銀合金、アルミニウム合金などから構成される。反射層は光透過性を有しないものとしても良く、光透過性を有する半透過反射層としても良い。散乱層はTiO2などの金属酸化物をコートした雲母などからなり、光を散乱させ、散乱特性を高める機能を有する。反射層及び散乱層における反射特性ないし散乱特性は、R、G、Bの色ごとに変えて色バランスを調整しても良い。仕切り14及び色層20の上面には、図示しないオーバーコート層などが形成される。
【0031】
図2(b)に示す第2の実施形態では、基板12上の仕切り14が形成されていない部分に、反射層22及び色層20が積層されている。特にこの実施形態では、反射層22は、略球形のアルミナ又はチタニアなどからなるビーズ23を備えている。このビーズは反射層22の表面形状に凹凸を与え、光を散乱させ、反射層22の散乱特性を向上させるものである。ビーズの粒径はサブミクロンから数ミクロン程度が好ましい。
【0032】
(3.カラーフィルタの製造方法)
図3は、第1の実施形態によるカラーフィルタの製造方法を説明する製造工程断面図である。
(3−1.仕切り形成工程)
板厚0.7mm、たて47cm、横37cmの無アルカリガラスからなる透明基板12の表面を、熱濃硫酸に過酸化水素水を1重量%添加した洗浄液で洗浄し、純水でリンスした後、エア乾燥を行って清浄表面を得る。この表面に、スパッタ法によりクロム膜による金属層を平均0.2μmの膜厚で形成する。
【0033】
この基板をホットプレート上で、80℃で5分間乾燥させた後、金属層の表面に、スピンコートによりフォトレジスト層を形成する。この基板表面に、所要のマトリクスパターン形状を描画したマスクフィルムを密着させ、紫外線で露光をおこなう。次に、これを、水酸化カリウムを8重量%の割合で含むアルカリ現像液に浸漬して、未露光の部分のフォトレジストを除去し、レジスト層をパターニングする。続いて、露出した金属層を、塩酸を主成分とするエッチング液でエッチング除去する。このようにして所定のマトリクスパターンを有する遮光層(ブラックマトリクス)16を得ることができる(図3:S1)。
【0034】
この基板上に、さらにネガ型の透明アクリル系の感光性樹脂組成物をやはりスピンコート法で塗布する。これを100℃で20分間プレベークした後、所定のマトリクスパターン形状を描画したマスクフィルムを用いて紫外線露光を行なう。未露光部分の樹脂を、やはりアルカリ性の現像液で現像し、純水でリンスした後スピン乾燥する。最終乾燥としてのアフターべークを200℃で30分間行い、樹脂部を十分硬化させることにより、バンク層17が形成され、遮光層16及びバンク層17からなる仕切り14が形成される(図3:S2)。
【0035】
(3−2.反射層及び散乱層形成工程)
次に、仕切り14で区切られて形成されたすべての画素領域に、Agコロイド分散液を液滴吐出法、特にここではインクジェット方式により塗布する。インクジェットヘッドには、ピエゾ圧電効果を応用した精密ヘッドを使用し、微小な液滴を各画素領域に例えば10滴ずつ吐出する。塗布後、ベークして乾燥させることにより、反射層22が形成される(図3:S3)。
【0036】
ここで、第1実施形態によるカラーフィルタ(図2(a))の製造方法においては、Agコロイド分散液の塗布、乾燥及びベークの後、TiO2やFe23などの金属酸化物をコーティングした白雲母を分散質とした分散液をインクジェットによりすべての画素領域に塗布する。塗布後、ベークして乾燥させることにより、散乱層21が形成される(図3:S4)。
【0037】
なお、第2実施形態によるカラーフィルタ(図2(b))の製造方法においては、反射層を形成するためのAgコロイド分散液の塗布に先立ち、アルミナ又はチタニアなどのビーズを各画素領域にインクジェット法などにより導入しておく。
【0038】
これにより、Agコロイド分散液をインクジェット吐出し、ベークした際にビーズの影響により凹凸を有することにより散乱作用を備えた反射層22が形成される。また、あらかじめビーズをAgコロイド分散液に含有させ、インクジェット吐出しても構わない。また、Agコロイド分散液をインクジェット吐出した後に上記ビーズを画素領域内に入れることとしても良い。この第2実施形態では、散乱層21の形成(S4)は行なわない。
【0039】
(3−3.インク導入工程)
次に、反射層22又は散乱層21上に、上記第1(赤)、第2(緑)、第3(青)の各インクを液滴吐出法、特にここではインクジェット方式により導入する。赤、緑、青の3色のインクは、あらかじめ条件設定されたプログラムに従って同時に塗布して所定の配色パターンを形成する。
【0040】
インクとしては、例えばポリウレタン樹脂オリゴマーに無機顔料を分散させた後、低沸点溶剤としてシクロヘキサノンおよび酢酸ブチルを、高沸点溶剤としてブチルカルビトールアセテートを加え、さらに非イオン系界面活性剤0.01重量%を分散剤として添加し、粘度6〜8センチポアズとしたものを用いる。
【0041】
次に、塗布したインクを乾燥させる。まず、自然雰囲気中で3時間放置してインク層のセッティングを行った後、80℃のホットプレート上で40分間加熱し、最後にオーブン中で200℃で30分間加熱してインクの硬化処理を行って、色層20が得られる(図3:S5)。
【0042】
(4.表示装置の構成)
図4は、本発明の製造方法により製造されるカラーフィルタを用いて製造される表示装置であるカラー液晶表示装置の断面図である。このカラー液晶表示装置300は、上記各実施形態の方法により製造されたカラーフィルタ200を用いて製造するので、フォトリソ工程などの複雑な工程が不要で、短時間、低エネルギー、低コストで製造することができる。
【0043】
このカラー液晶表示装置300は、カラーフィルタ200と対向基板338とを組み合わせ、両者の問に液晶組成物337を封入することにより構成されている。表示装置の周囲には液晶封入シール材34が形成されている。カラーフィルタの色層20上には、オーバーコート層328が形成され、オーバーコート層328上には、カラーフィルタの各色層に対応して画素電極322が形成されている。また、対向基板338のカラーフィルタに対向する面には共通電極332が形成され、形態に応じて、TFTなどのスイッチング素子が形成されている。
【0044】
カラーフィルタ200と対向基板338の対向するそれぞれの面には、配向膜326、336が形成されている。これらの配向膜326、336はラビング処理されており、液晶分子を一定方向に配列させることができる。また、対向基板338の外側の面には、偏光板339が接着されている。反射層22が半透過性を有する半透過層として形成される場合には、カラーフィルタの基板12側にも偏光板(図示しない)を接着させる。
【0045】
こうして形成された反射型液晶表示装置300は、対向基板338側から入射した光の透過量を液晶337に印加される電圧により制御し、所望の画像を表示する。反射層22が光透過性を有する半透過型液晶表示装置においては、明るい場所では対向基板338側から入射した光を利用し、暗い場所ではカラーフィルタ200側に設けられたバックライトによる光を利用し、液晶337により光の透過量を制御して所望の画像を表示する。
【0046】
なお、本発明の表示装置は、上記のカラー液晶表示装置に限定されず、光の透過量を制御する他の素子、例えばフォトクロミック素子やエレクトロクロミック素子などを用いた表示装置でもよい。
【0047】
(5.アクティブマトリクス基板上のカラーフィルタ)
図5は、カラーフィルタの変形例を示す要部断面図である。このカラーフィルタ500は、基板512上にマトリクス状に形成されたTFT(薄膜トランジスタ)530などのアクティブ素子を備えている。また、このようにアクティブ素子がマトリクス状に形成された基板をアクティブマトリクス基板という。このTFT530の上には絶縁膜540が形成され、絶縁膜540上に、仕切り514、反射層522及び色層520が一体的に形成されている。このようにTFT上に色層などを形成して一体のカラーフィルタとしたものを、CFonTFT(TFT上のカラーフィルタ)と称する。なお、アクティブ素子はTFTに限らずTFD(薄膜ダイオード)等でも良い。
【0048】
TFT530は、ゲート絶縁膜532に信号電圧を印加するゲート電極531と、ゲート絶縁膜532上に形成されたシリコン膜533と、上記信号電圧によりシリコン膜533に形成されるチャネルを通じ、電流を流すソース電極534及びドレイン電極535とを備えている。このTFT530はいわゆる逆スタガ型の構造を有しているが、他の構造でも構わない。
【0049】
絶縁膜540上には、画素を区切るための仕切り514が直接形成されている。各画素内には、絶縁膜540上に反射層522が直接形成されており、反射層522上に色層520、画素電極550が順次積層されている。画素電極550はITOなどの透明材料で形成する。TFT530のドレイン電極535と画素電極550との導通をとるため、絶縁膜540および色層520を貫通するスルーホールが形成され、このスルーホール内に導電性物質551が充填される。
【0050】
次に、このカラーフィルタ500の製造方法の例を簡単に説明する。まず、ガラス等の基板512の上面に、ゲート電極531及びこれに接続される図示しない信号線を金属などの導電性材料でパターン形成する。これらゲート電極531等の導電性材料が形成された基板512の上面全体に、窒化シリコンなどのゲート絶縁膜532を形成する。そして、ゲート絶縁膜532上に、アモルファスシリコン層を形成してこれを所定形状にパターニングすることにより、シリコン膜533を形成する。最後に、シリコン膜533及びゲート絶縁膜532上の所定位置にソース電極534及びドレイン電極535を形成することにより、TFT530を形成することができる。
【0051】
次に、TFT530全体を覆うように絶縁膜540を例えばポリイミド樹脂などにより形成する。絶縁膜540の上面は、後に形成する反射層522の品質を向上するため、できるだけ平坦であることが望ましい。
【0052】
絶縁膜540上に、画素を区切る仕切り514を所定形状に形成する。仕切り514の材料には例えばフッ素系樹脂が用いられる。更に、絶縁膜540に、ドレイン電極535と通じるスルーホールを例えばフォトリソグラフィにより形成する。
【0053】
次に、反射層522となる材料を含有した液体、例えば銀コロイド液を、仕切り514によって区切られた各画素領域に、液滴吐出法、特にここではインクジェット法により吐出する。各画素領域に導入された液体は、乾燥、べークを経て反射層522となる。この反射層522には、光を散乱させる特性を持たせても
良い。反射層522上に図示しない散乱層を設けても良い。
【0054】
次に、色層520となる材料を含有した液体、特にここではインクを、各画素領域内に、液滴吐出法、特にここではインクジェット法により吐出する。更に乾燥及びべークを行なうことにより色層を形成する。
【0055】
更に、絶縁膜540にスルーホールを設けたときと同じフォトマスクを用いて色層520のエッチングを行ない、絶縁膜540に設けたスルーホールと同じ位置に色層520のスルーホールを形成する。そして、これらスルーホール内に導電性物質551を充填する。色層520及び導電性物質551が形成された画素内に透明材料からなる画素電極550を形成することにより、本実施形態のカラーフィルタが完成する。
【0056】
なお、色層520、反射層522及び絶縁膜540のエッチングがすべて一工程で可能である場合には、これら各層を形成してから、ドレイン電極に通じるスルーホールを一気に形成してもよい。
【0057】
また、本実施形態では反射層522が導電性材料である銀で構成されている。従って、ドレイン電極535と反射層522との導通および反射層522と画素電極550の導通をとるためには、絶縁膜540及び色層520に形成されるスルーホールが同じ位置でなくても良い。
【0058】
(6.EL表示装置)
図6には、本発明の表示装置のうちエレクトロルミネセンス表示装置の要部断面図を示す。この図6には3つの画素が図示されている。表示装置301は、基体302上にTFTなどの回路等が形成された回路素子部314と、機能層410が形成された発光素子部311とが順次積層されて構成されている。
【0059】
この表示装置はいわゆるトップエミッション型に構成されている。すなわち、機能層410から陰極312側に発した光が、陰極312を透過して陰極312の上側に出射される。また、機能層410から基体302側に発した光が、画素電極411により反射されて、陰極312を透過して陰極312の上側に出射される。
【0060】
(6−1.回路素子部)
回路素子部314には、基体302上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜302cが形成される。この下地保護膜302c上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜441が形成されている。なお、半導体膜441には、ソース領域441a及びドレイン領域441bが高濃度Pイオン打ち込みにより形成されている。なお、Pが導入されなかった部分がチャネル領域441cとなっている。
【0061】
更に回路素子部314には、下地保護膜302c及び半導体膜441を覆う透明なゲート絶縁膜442が形成され、ゲート絶縁膜442上にはゲート電極443(走査線)が形成される。ゲート電極443及びゲート絶縁膜442上には透明な第1層間絶縁膜444aと第2層間絶縁膜444bが形成されている。ゲート電極443は半導体膜441のチャネル領域441cに対応する位置に設けられている。
また、第1、第2層間絶縁膜444a、444bを貫通して、半導体膜441のソース、ドレイン領域441a、441bにそれぞれ接続されるコンタクトホール445、446が形成されている。
【0062】
そして、第2層間絶縁膜444b上には、高反射材料からなる画素電極411が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール445がこの画素電極411に接続されている。
また、もう一方のコンタクトホール446が電源線403に接続されている。
このようにして、回路素子部314には、各画素電極411に接続された同様の薄膜トランジスタ423が形成されている。
【0063】
(6−2.発光素子部)
発光素子部311は、複数の画素電極411上の各々に積層された機能層410と、各画素電極411及び機能層410を隣接する画素電極411及び機能層410から区画する仕切り412と、機能層410上に形成された陰極312とを主体として構成されている。これら画素電極(第1電極)411、機能層410及び陰極312(対向電極)によっで発光素子が構成されている。
【0064】
ここで、画素電極411は、平面視略矩形に形成されている。この画素電極411の長さは、50〜200nmの範囲が好ましく、特に150nm程度がよい。
【0065】
画素電極411は、ここでは陽極として用いるため、例えばCr、Fe、Co、Ni、Cu、Ta、W、Au等のように仕事関数が大きく、反射率の高い金属材料が用いられる。各画素電極411は仕切り412によって区切られた各画素領域内に、上記反射率の高い金属材料を含有する液体を液滴吐出法、特にここではインクジェット法により吐出し、乾燥及びべークして得ることができる。
【0066】
仕切り412は、基体302側に位置する無機物バンク層412a(第1バンク層)と基体302から離れて位置する有機物バンク層412b(第2バンク層)とが積層されて構成されている。
【0067】
無機物バンク層412aは、例えば、SiO2、TiO2等の無機材料からなることが好ましい。この無機物バンク層412aの膜厚は、50〜200nmの範囲が好ましく、特に150nm程度が良い。
【0068】
更に、有機物バンク層412bは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のある材料から形成されている。この有機物バンク層412bの厚さは、0.1〜3.5μmの範囲が好ましく、特に2μm程度がよい。
【0069】
(6−3.機能層)
機能層410は、画素電極411上に積層された正孔注入/輸送層410aと、正孔注入/輸送層410a上に隣接して形成された発光層410bとから構成されている。
【0070】
正孔注入/輸送層410aは、正孔を発光層410bに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入/輸送層410a内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入/輸送層410aを画素電極411と発光層410bの間に設けることにより、発光層410bの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層410bでは、正孔注入/輸送層410aから注入された正孔と、陰極312から注入される電子が発光層で再結合し、発光が得られる。また、正孔注入/輸送層410aは、画素電極411上の平坦部410a1のほか、仕切り412に沿って形成される周縁部410a2を有していてもよい。
【0071】
発光層410bは、赤色に発光する赤色発光層410b1、緑色に発光する緑色発光層410b2、及び青色に発光する青色発光層410b3の3種類を有し、これらが例えばストライプ配列されている。
【0072】
(6−4.陰極)
陰極312は、発光素子部311の全面に形成されており、画素電極411と対になって機能層410に電流を流す役割を果たす。この陰極312は、例えば、ITOなどの透明な導電体で構成されている。このとき、発光層に近い側には仕事関数が低い材料を設けることが好ましい。
【0073】
陰極312の上には保護膜が形成される。保護膜の上面が平坦に形成されることが発光特性の均一性のために好ましい。
【0074】
(7.電子機器の構成)
次に、上記表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。これら電子機器は、上記実施形態の表示装置を表示部として用いて製造するので、フォトリソ工程などの複雑な工程が不要で、短時間、低エネルギー、低コストで製造することができる。
【0075】
図7(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。符号600は携帯電話本体を示し、符号601は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図7(b)は、ワープロ、ノート型パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。
【0076】
図に示すように、上記の表示装置を用いた表示部702が情報処理装置700に設けられている。また、情報処理装置700は、キーボードなどの入力部701を備えている。
この情報処理装置700は、表示情報処理回路、クロック発生回路などの様々な回路や、それらの回路に電力を供給する電源回路などからなる表示信号生成部を含む情報処理装置本体703を備えている。表示装置には、例えば入力部701から入力された情報等に基き表示信号生成部によって生成された表示信号が供給されることによって表示画像が形成される。
【0077】
図7(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。符号800は時計本体を示し、符号801は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
【0078】
これらの電子機器を製造するには、駆動IC(駆動回路)を備えた表示装置を構成し、この表示装置を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器に組み込めばよい。
【0079】
本実施形態に係る表示装置が組み込まれる電子機器としては、パーソナルコンピュータに限らず、携帯型電話機、電子手帳、ページャ、POS端末、ICカード、ミニディスクプレーヤ、液晶プロジェクタ、およびエンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、タッチパネルを備えた装置、時計、ゲーム機器など様々な電子機器が挙げられる。
【発明の効果】
【0080】
本発明によれば、フォトリソ工程などの煩雑な工程を不要とし、短時間、低エネルギー、低コストでカラーフィルタの製造を可能にする方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0081】
【図1】 本発明の実施形態による製造装置の概略斜視図である。
【図2】 本発明の実施形態による製造装置及び製造方法により製造されるカラーフィルタの部分断面図である。
【図3】 第1の実施形態によるカラーフィルタの製造方法を説明する製造工程断面図である。
【図4】 本発明の製造方法により製造されるカラーフィルタを用いて製造されるカラー液晶表示装置の断面図である。
【図5】 カラーフィルタの変形例を示す要部断面図である。
【図6】 本発明の表示装置のうちエレクトロルミネセンス表示装置の要部断面図である。
【図7】 本発明に係る電子機器の例を示す斜視図である。なお、図中、符号100は製造装置、200及び500はカラーフィルタ、300はカラー液晶表示装置(表示装置)である。

Claims (10)

  1. 基板上に反射層と色層とからなる複数の画素を備えたカラーフィルタの製造方法であって、
    前記画素が配置される各画素領域を仕切る仕切りを形成する工程と、
    前記各画素領域内に第1の液状材料を液滴吐出法により吐出して前記反射層を形成する工程と、
    前記各画素領域内に前記色層を形成する工程と、
    前記反射層と前記色層の間に散乱層を形成する工程と、を備え、
    前記色層は、赤、緑、または青のいずれか一つに着色されており、
    前記反射層における反射特性および前記散乱層における散乱特性を、前記色層の色ごとに変更することにより色バランスが調整されている、
    カラーフィルタの製造方法。
  2. 請求項1において、
    前記色層を形成する工程は、第2の液状材料を液滴吐出法により吐出する工程を備えた、カラーフィルタの製造方法。
  3. 請求項1において、
    前記反射層は光透過性を有する半透過反射層とするカラーフィルタの製造方法。
  4. 請求項1において、
    前記第1の液状材料は光の散乱材を含むカラーフィルタの製造方法。
  5. 請求項1において、
    アクティブマトリクス基板上に、前記仕切り、反射層および色層を一体的に形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
  6. 請求項1に記載の方法により製造されたカラーフィルタを用いることを特徴とする表示装置の製造方法。
  7. 請求項に記載の方法により製造された表示装置を用いることを特徴とする電子機器の製造方法。
  8. 基板上に反射層と色層とからなる複数の画素を備えたカラーフィルタであって、
    前記反射層と前記色層の間に散乱層を備え、
    前記各画素が配置される各画素領域を仕切る仕切りを備え、
    前記反射層、前記散乱層、および前記色層は前記仕切りによって他の画素の反射層、散乱層、および色層と分離されており、
    前記色層は、赤、緑、または青のいずれか一つに着色されており、
    前記反射層における反射特性および前記散乱層における散乱特性は、前記色層の色ごとに変更されていることによって色バランスが調整されている、
    カラーフィルタ。
  9. 請求項に記載のカラーフィルタを備えたことを特徴とする表示装置。
  10. 請求項に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6998656B2 (en) * 2003-02-07 2006-02-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transparent double-injection field-effect transistor
JP2003005168A (ja) * 2001-06-18 2003-01-08 Nec Corp 液晶表示装置の製造方法
US7897979B2 (en) 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP3882794B2 (ja) * 2002-08-07 2007-02-21 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ基板、電気光学装置、電子機器、およびカラーフィルタ基板の製造方法、ならびに電気光学装置の製造方法
US7652359B2 (en) * 2002-12-27 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Article having display device
EP1437683B1 (en) * 2002-12-27 2017-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card and booking account system using the IC card
KR100543478B1 (ko) * 2002-12-31 2006-01-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
JP3966283B2 (ja) 2003-01-28 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 発光体とその製造方法及び製造装置、電気光学装置並びに電子機器
JP4595946B2 (ja) * 2003-01-28 2010-12-08 セイコーエプソン株式会社 発光体とその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
KR100509763B1 (ko) * 2003-03-11 2005-08-25 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 전면필터
JP2005044613A (ja) * 2003-07-28 2005-02-17 Seiko Epson Corp 発光装置の製造方法および発光装置
US7566001B2 (en) * 2003-08-29 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card
JP2005084515A (ja) * 2003-09-10 2005-03-31 Seiko Epson Corp カラーフィルタ基板及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
JP4689159B2 (ja) * 2003-10-28 2011-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 液滴吐出システム
JP2005227684A (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Seiko Epson Corp カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ製造装置、電気光学装置、並びに電子機器
US7957379B2 (en) * 2004-10-19 2011-06-07 Nvidia Corporation System and method for processing RX packets in high speed network applications using an RX FIFO buffer
JP2006124582A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 半透過・半反射膜形成用塗料と半透過・半反射膜およびそれを備えた物品
JP2006134624A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Seiko Epson Corp 電気光学装置、及び、それを用いた電子機器
KR101122234B1 (ko) 2005-04-13 2012-06-12 삼성전자주식회사 색필터 표시판, 이를 포함하는 액정 표시 장치 및 그 제조방법
JP4738936B2 (ja) * 2005-08-05 2011-08-03 ティーピーオー、ホンコン、ホールディング、リミテッド カラーフィルタ構造体及びこれを用いた表示装置並びにその製造方法
KR20070042615A (ko) * 2005-10-19 2007-04-24 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
US8094271B2 (en) * 2006-02-03 2012-01-10 Fujifilm Corporation Liquid crystal display device and color film plate, and processes for producing the same
KR101236515B1 (ko) * 2006-04-14 2013-02-21 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 및 그의 제조 방법
JP4325643B2 (ja) * 2006-06-08 2009-09-02 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置
TWI349117B (en) * 2007-01-03 2011-09-21 Au Optronics Corp Color filter and manufacturing method thereof
JP5006102B2 (ja) * 2007-05-18 2012-08-22 株式会社東芝 発光装置およびその製造方法
JP4636080B2 (ja) * 2007-12-25 2011-02-23 セイコーエプソン株式会社 発色構造体とその製造方法
JP4998412B2 (ja) * 2008-09-03 2012-08-15 カシオ計算機株式会社 エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
WO2010095189A1 (ja) * 2009-02-20 2010-08-26 シャープ株式会社 タッチパネル付き表示装置
KR20110009582A (ko) * 2009-07-22 2011-01-28 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
US20110059232A1 (en) * 2009-09-07 2011-03-10 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method for forming transparent organic electrode
KR20140064328A (ko) 2012-11-20 2014-05-28 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
DE102015102447A1 (de) * 2015-02-20 2016-08-25 Osram Oled Gmbh Organische Leuchtdiode
CN112074894B (zh) * 2018-05-11 2023-05-12 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示模块及电子设备
JP2020031070A (ja) * 2019-12-02 2020-02-27 パイオニア株式会社 発光装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06230364A (ja) * 1993-02-02 1994-08-19 Toppan Printing Co Ltd 反射型液晶表示装置用カラーフィルター
KR950001354A (ko) 1993-06-15 1995-01-03 이헌조 액정표시소자의 칼라필터
JPH07191211A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ及びカラーフィルタの製造方法
DE69722664T2 (de) * 1996-09-18 2003-12-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Herstellungsverfahren einer Plasmaanzeigetafel, geeignet für winzige Zellstrukturen, und Plasmaanzeigetafel
JPH1096811A (ja) 1996-09-25 1998-04-14 Sekisui Chem Co Ltd 反射型カラーフィルタ及びその製造方法
JPH10186349A (ja) * 1996-12-27 1998-07-14 Sharp Corp 液晶表示素子及びその製造方法
JPH11194212A (ja) 1998-01-07 1999-07-21 Canon Inc カラーフィルタ基板とその製造方法、該基板を用いた液晶素子
DE69917388T2 (de) * 1998-02-18 2005-05-25 Seiko Epson Corp. Verfahren zur herstellung eines vielschichtspiegels mit verteilter reflektion
US6135841A (en) * 1998-08-24 2000-10-24 Candescent Technologies Corporation Use of printer head techniques to form pixel assemblies in field-emission displays
JP4504482B2 (ja) * 1998-10-05 2010-07-14 大日本印刷株式会社 カラーフィルタ
JP2000180841A (ja) 1998-12-16 2000-06-30 Asahi Glass Co Ltd 液晶表示素子の製造方法
JP2000250027A (ja) * 1999-03-02 2000-09-14 Nec Corp 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP4494552B2 (ja) 1999-06-03 2010-06-30 大日本印刷株式会社 透過型液晶表示装置
JP3714044B2 (ja) * 1999-07-15 2005-11-09 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置およびその製造方法ならびに電子機器
JP2001056650A (ja) * 1999-08-20 2001-02-27 Sony Corp 表示装置の製造方法及び表示装置
JP4590663B2 (ja) 1999-10-29 2010-12-01 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタの製造方法
GB2356713A (en) * 1999-11-26 2001-05-30 Seiko Epson Corp Distributed Bragg reflector
JP2005084515A (ja) * 2003-09-10 2005-03-31 Seiko Epson Corp カラーフィルタ基板及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器

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