JP4200150B2 - リードフレームの製造方法 - Google Patents
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Description
折り曲げ加工により上曲部及び下曲部を屈曲させて前記段差部を形成する段差形成工程と、前記段差形成工程により形成された前記下曲部から延びる露出面に対して稜線を介して当該露出面と所定の偏角を持つように連続して配置された平面からなる斜面部を前記下曲部に形成すると同時に、パンチの凸部により下曲部のエッジ部と反対の面から押圧し、凹部を形成するとともに前記露出面にリード延在方向と直交するエッジ部を露出面端部に設けるエッジ形成工程とを備えたことを要旨とする。
請求項4に記載のリードフレームの製造方法では、請求項1〜3のいずれかに記載のリードフレームの製造方法前記段差形成工程に先立って、曲げ部となる位置にアウターリード延在方向と直交し、かつ露出面と平行な方向に設けられ、露出面側に突出する凸部により直線溝状の凹部であるノッチを形成するノッチ形成工程をさらに含み、前記段差形成工程は、前記ノッチに沿ってノッチが形成された面側に屈曲させて曲げ部を設けることを要旨とする。
請求項6に記載のリードフレームの製造方法では、請求項1〜5のいずれか1項に記載のリードフレームの製造方法において、前記露出面と前記斜面部との前記所定の偏角をαとし、溶融したモールド樹脂が進入可能な間隙をd、許容される露出面のリード延在方向の長さの公差をeとしたとき、前記偏角αを、e・tanα≧dとなるように形成したことを要旨とする。
以下、本発明を具体化したリードフレームとこのリードフレームを用いた半導体パッケージの一実施形態を図1〜図4及び図6を参照して説明する。
一方、偏角αが15°の場合では、半導体パッケージ1における斜面部Cに接するモールド樹脂7の先端部の厚みが確保され、実用上先端部におけるモールド樹脂7が薄バリになったり、脱落したりすることがない。
まず、打ち抜き工程において、ロール状のブランクの金属条材を精密プレスでスタンピングし、数回に分けて応力が残留しないように所定の形状に打ち抜きパターンを形成する。
図2は、エッジ形成工程を示す図である。ダイDは、斜面部Cを形成するような形状となっている。一方、パンチPは、アウタリード延在方向と直交する方向に突出するリブ条に構成された凸部Paを備えている。このように形成されたパンチPとダイDにより、図2に実線で示した段差形成工程で屈曲されたリードフレーム2をプレス加工する。
上記実施形態のリードフレーム2によれば、以下のような効果を得ることができる。
(2) また、端子9の長さLの精度を向上させることができるという効果がある。特に、[e・tanα>d…式(1)]によれば、最終製品の精度予測が容易になり製品管理が容易になるという効果がある。
(5) 本実施形態では、斜面部Cを精密プレスによる潰し加工により成型しているため、従来技術で示したような引っ張りによるクラックが生じることなく、潰されることで強度が向上する。
(第2の実施形態)
以下、本発明を具体化した別のリードフレームと、このリードフレームを用いた半導体パッケージの実施形態を図5を参照して説明する。
(8)放熱面309の内部リード305側の段差部321のない部分も斜面部Cが形成され、エッジ部Eが形成できるという効果がある。
○ 凹部Hは、必ずしも必要なく、凹部Hがなくても、リードフレーム2、302の材料がエッジ部Eを確実に形成できる場合は、斜面部Cのみで構成してもよい。
○ 偏角αは、[e・tanα≧d…式(1)]を満たすように設定されているが、モールド樹脂と金型、リードフレーム2との濡れ性や、金型への圧入圧力、離型剤、温度変動等、種々な条件により修正できることは言うまでもない。これらは本発明に沿って実施されるが、トライアンドエラーで最適な修正条件が求められる。
○ 本実施形態では材質がCu系の材料であったが、例えばFe系の合金、例えばSUSなどを用いて構成してもよい。
○ 適用されるリードフレームのタイプが第1の実施形態ではSONタイプであり、第2の実施形態ではパワーデバイスやリニアICであるが、その他のタイプ、例えばQFNタイプでもよい。また、ダイパッド3は外部に露出したものでも内部に樹脂封止されたいずれのタイプでもよい。また、ICチップ4は、図6においてダイパッド3の下側に配置されるようなものでもよい。さらに、ここに記載のない同様の課題を有する他のタイプのリードフレームにおいても適用可能できる。
○ リードフレーム2の種類や大きさに応じて、端子9の長さを始め、段差部21、インナリード5等各構成要素の形状や寸法は適宜当業者により変更できる。
Claims (9)
- 内部リードから段差部を介して連なる露出部を備え、当該露出部の一面にモールド樹脂の外面に沿って露出させる露出面を備えた半導体パッケージに用いるプレス加工によるリードフレームの製造方法であって、
所定形状に打ち抜く打ち抜き工程と、
折り曲げ加工により上曲部及び下曲部を屈曲させて前記段差部を形成する段差形成工程と、
前記段差形成工程により形成された前記下曲部から延びる露出面に対して稜線を介して当該露出面と所定の偏角を持つように連続して配置された平面からなる斜面部を前記下曲部に形成すると同時に、パンチの凸部により下曲部のエッジ部と反対の面から押圧し、凹部を形成するとともに前記露出面にリード延在方向と直交するエッジ部を露出面端部に設けるエッジ形成工程と
を備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 前記エッジ形成工程が、リード延在方向と直交しかつ露出面と平行な方向に連続し、かつ露出面側に突出するリブ状の凸部を備えた金型により、
前記露出部の露出面と反対の面に、前記曲げ部から露出部に延びる溝状の凹部を形成するように押圧することで前記エッジ部を形成することを特徴とする請求項1に記載のリードフレームの製造方法。 - 前記溝状の凹部の容積は、前記エッジ部を充填するための容積と対応した容積を備えたことを特徴とする請求項2に記載のリードフレームの製造方法。
- 前記段差形成工程に先立って、曲げ部となる位置にアウターリード延在方向と直交し、かつ露出面と平行な方向に設けられ、露出面側に突出する凸部により直線溝状の凹部であるノッチを形成するノッチ形成工程をさらに含み、
前記段差形成工程は、前記ノッチに沿ってノッチが形成された面側に屈曲させて曲げ部を設けることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。 - 前記直線溝状の凹部は、その断面形状がV字状の溝であることを特徴とする請求項4に記載のリードフレームの製造方法。
- 前記露出面と前記斜面部との前記所定の偏角をαとし、溶融したモールド樹脂が進入可能な間隙をd、許容される露出面のリード延在方向の長さの公差をeとしたとき、前記偏角αを、e・tanα≧dとなるように形成したことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のリードフレームの製造方法。
- 前記偏角αが、15°≦α≦90°となるように形成したことを特徴とする請求項6に記載のリードフレームの製造方法。
- 前記半導体パッケージは表面実装型の半導体装置であって、前記露出部は、アウターリードであり、前記露出面は、基板に実装するための外部接続端子として構成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。
- 前記半導体は放熱板を備えた半導体装置であって、
前記露出部が放熱板として構成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。
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