JP4183546B2 - テラヘルツ波光学系 - Google Patents
テラヘルツ波光学系 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4183546B2 JP4183546B2 JP2003107885A JP2003107885A JP4183546B2 JP 4183546 B2 JP4183546 B2 JP 4183546B2 JP 2003107885 A JP2003107885 A JP 2003107885A JP 2003107885 A JP2003107885 A JP 2003107885A JP 4183546 B2 JP4183546 B2 JP 4183546B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terahertz
- light
- wave
- terahertz wave
- visible light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 57
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000006677 Appel reaction Methods 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004247 CaCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150059062 apln gene Proteins 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3581—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえば、テラヘルツ光をより容易により有効に活用可能とするテラヘルツ波光学系に関する。
【０００２】
【発明の背景】
【特許文献１】
特開２００２−３０３５７４号公報
【特許文献２】
特開２００２−２４６６６４号公報
【特許文献３】
特開２００２−２２３０１７号公報
従来、テラヘルツ帯電磁波は、通常状態において不可視光である。この様なテラヘルツ帯光は、波長３ｍｍ〜３０μｍ、周波数１００ＧＨｚ〜１０ＴＨｚのゾーンに存在する電磁波であり、物質の測定、検査、イメージ化及びその他の種々の分野において利用されている。
【０００３】
上述の通り、テラヘルツ光は人間の目で直接的に見ることはできない。図５は、超長波（ＶＬＦ）からγ線に至る波長の周波数分布を示している。この周波数帯域において、目に見える光（可視光線）は、赤外線と紫外線とに挟まれた極狭い周波数帯域の波長光であることが知れる。
【０００４】
図５からテラヘルツ電磁波は、ミリ波（ＥＨＦ）から遠赤外線とに挟まれた波長領域にあり、不可視光線であることが知れる。このテラヘルツ電磁波は、特に近年、実用化が進んでおり、テラヘルツ光の光軸を観察し調整し得る簡単な観察ツールの出現が要望されている。これらの要望に基き、観察ツールとして以下の技術が提案されている。
特許文献１において、テラヘルツ光学系のアライメントの調整は、ダイポールアンテナ等のテラヘルツ光源をピンホール等に置き換え、ピンホールに可視光又は近赤外光（多くの場合、ポンプ光そのもの）を通し、その透過光の様子を観察しながら行われている。即ち、ピンホールの透過光の光路がテラヘルツ光の光路と同一であると見なすことにより行われている。
【０００５】
なお、可視光の場合は、その照射位置等を肉眼で直接的に観察することが可能である。近赤外光等の場合は、近赤外光に感応して可視光を発光する材料をシート部材に塗布したカード式赤外センサ（例えば、シグマ光機株式会社から市販されている「ＳＩＲＣ−（１）」（商品名））等の簡便な観察ツールを用いることにより、容易に観察することができる。
【０００６】
特許文献２の技術は、テラヘルツ信号系と固有ジョセフソン接合位置とを確実に結合させることができる単結晶固有ジョセフソン接合テラヘルツ検出器である。その構成は、単結晶固有ジョセフソン接合テラヘルツ検出器であって、基板とこの基板上に搭載される両面加工プロセスで作製された全超伝導Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８単結晶固有のジョセフソン接合装置と、このジョセフソン接合装置に集積化されるアンテナを具備するものである。
【０００７】
特許文献３には、テラヘルツ光素子と、該テラヘルツ光素子の所定個所に基材と反対側からフェムト秒パルス光を照射する照射部と、２つの導電膜間に流れる電流を検出する電流検出部とを備えたテラヘルツ光検出装置が開示されている。
【０００８】
テラヘルツ光素子は、基材と、この基材の平面上に形成された光伝導膜と、光伝導膜上に形成された互いに分離された２つの導電膜とを備える。導電膜の一部同士が、基材の平面に沿った方向に所定間隔ｄを開けるように配置される。基材は、基材から光伝導膜と反対側へ出射するか、あるいは基材に光伝導膜と反対側から入射するテラヘルツ光に対してレンズ作用を為すように形成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、テラヘルツ帯の電磁波は、可視光領域の光線と比較して減衰率が高い。本特性は、図４からも知れる。図４において、グラフ（ｂ）は、従来の板厚２ｍｍのポリエチレンへテラヘルツ帯の電磁波を透過させた場合の波長（ＴＨｚ）に対する減衰率特性を示している。本グラフ（ｂ）から、周波数が高くなるに従い急峻に透過特性が低下することが知れる。また、テラヘルツ帯は、不可視光であり、その取り扱いが可視光と比較して困難である問題点を有する。
【００１０】
また、開示された上記従来技術において、特許文献１では、テラヘルツ光源をピンホールと同じ位置に正確に置き換えることは非常に困難である。このため、ピンホールの透過光を基準にしてテラヘルツ光学系のアライメントを調整した後に、ピンホールをテラヘルツ光源に置き換えるだけでは、そのアライメントを正確に調整することはできない。
【００１１】
そのため本テラヘルツ光学系のアライメントを調整する従来の調整方法では、実際には、ピンホールの光源に置き換えた後にテラヘルツ光の検出信号の強度を測定しつつその強度が高まるように、テラヘルツ光学系のアライメントを再調整して最適化している。 この最適化の作業には、テラヘルツ光の検出信号の強度を頼りにテラヘルツ光学系のアライメントを少しずつ変えていく、試行錯誤の繰り返しが不可欠である。よって、本従来の調整方法では、テラヘルツ光学系のアライメントを正確に行うためには、前述した試行錯誤の繰り返しが必要である。このため、著しく手数を要する問題点を伴う。
【００１２】
特許文献２の技術においては、超伝導材料を用いる必要があり、コストが高く、また、製造が困難である問題点を有する。
【００１３】
特許文献３の技術は、その製造が複雑である問題点を有する。
【００１４】
また、一般的にテラヘルツ波の確認には、液体ヘリウムを用いたボロメータが知られている。しかし、この技術は、大掛かりな測定系が必要になる問題点を有する。
【００１５】
本発明は、コストが低く、また、製造が簡単なテラヘルツ波光学系を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明のテラヘルツ光学系は、テラヘルツ波発生源と、該テラヘルツ発生源から発生したテラヘルツ波の光軸上に配置されたシクロオレフィンの重合体のゼオネックス（登録商標）からなる光学部品と、可視光源とを備え、該可視光源からの可視光が前記テラヘルツ波の光軸上に乗るようにしたことを特徴とする。
【００１７】
本発明の好ましい実施形態によれば、前記テラヘルツ波の周波数は１００ＧＨｚ〜１０ＴＨｚである。
【００１８】
【作用】
以下に本発明の作用を本発明をなすに際して得た知見とともに説明する。
従来、シクロオレフィンは光学系部品の材料として用いられていた。しかるに、本発明者は、シクロオレフィンからなる光学部品の特性をより詳細に調べたところ、該部品は、テラヘルツ波に対して優れた透過特性を有していることを見出した。
のみならず、該部品は可視光に対しても優れた透過性を有していることをも見出した。さらに、可視光に対するとテラヘルツ光とに対する屈折率の差が０．０１以下であるという事項をも見出した。そのため、両者の波長が非常に離れているにもかかわらず、屈折率の差が非常に小さいのでレンズなどの光学部品を通した場合でも同じ場所で集光されるため可視光をパイロット光として使用することができる。結局、例えば、テラヘルツ波の光軸と可視光の光軸とを絶えず一致させてやれば可視光を見ることによりテラヘルツ波の光軸を知ることが可能となる。
【００１９】
本発明は上記のようにシクロオレフィンからなる光学部品の新たな特性を発見することによりその用途の拡大を図ったものである。
ここで、シクロオレフィンとしては、高分子体が好適に用いられる。重合体（シクロオレフィンポリマー）あるいは共重合体（シクロオレフィンコポリマー）が好適に用いられる。シクロオレフィンポリマーは商品名ゼオネックス（登録商標）、シクロオレフィンコポリマーは商品名アペル（三井化学株式会社製）として入手可能である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明によるテラヘルツ波光学系の実施の形態を詳細に説明する。図１から図４を参照すると、本発明に関連するテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法の一実施形態が示されている。
図１から図３は、テラヘルツ波の同軸にパイロットビーム（可視光）を重ねる処理手順例を示している。実施形態の処理手順は、図１〜図３に示すステップ１〜ステップ３の対応処理を基に構成される。本アライメント手順例を以下に示す。
【００２１】
（ステップ１）
図１は、ステップ１が適用されるテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法の構成例を示すシステム図である。本図１において、ステップ１が適用されるテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法は、パラメトリック発振器型のテラヘルツ波発生装置１０、アパーチャー１、シクロオレフィン板４、Ｓｉボロメーター（検出器）５を有して構成される。テラヘルツ波発生装置１０からは、テラヘルツ波１１が出力される。この出力されるテラヘルツ波１１の光軸にアパーチャー１の透過光軸を設定する。シクロオレフィン板４を、板前後においてテラヘルツ波１１を透過状態に設定する。さらに、Ｓｉボロメーター５の位置と方向を、テラヘルツ波の光軸に対し垂直方向に合わせる。
【００２２】
（ステップ２）
図２は、テラヘルツ波の同軸にパイロットビーム（可視光）１２を重ねる第２の処理手順例を示した図であり、ステップ２が適用されるテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法の構成例を示すシステム図である。本図２では、図１の示すステップ１が適用されるテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法に加え、さらに、アパーチャー２とアパーチャー３とが追加される。本ステップ２では、シクロオレフィン板４とＳｉボロメーター５との間に、新たに、アパーチャー２とアパーチャー３とを追加設定する。この追加設定において、Ｓｉボロメーター５のテラヘルツ波信号の検出測定値が下がらない位置に、アパーチャー２とアパーチャー３を設定する。本設定では、追加されるアパーチャー２とアパーチャー３の透過孔の光軸を、テラヘルツ波１１の光軸に一致させることが要件とされる。
【００２３】
（ステップ３）
図３は、第３の処理手順例を示し、ステップ３が適用されるテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法の構成例を示すシステム図である。本図３では、図２の示すステップ２が適用されるテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法に加え、さらに、パイロット光導入ミラー２１とパイロット光導入ミラー２２とが追加設定される。本ステップ３では、これらのパイロット光導入ミラー２１とパイロット光導入ミラー２２との追加処理後に、例えば、可視光レーザのパイロット光１２をテラヘルツ波１１へ重畳させる。
【００２４】
パイロット光導入ミラー２１とパイロット光導入ミラー２２とを追加し、可視光レーザのパイロット光１２を、パイロット光導入ミラー２１とパイロット光導入ミラー２２の設定角度調整により、テラヘルツ波１１の同軸上へ重畳させる。本処理において、シクロオレフィン板４へのテラヘルツ波１１の軸上へ、パイロット光１２の光軸が重畳するようにパイロット光導入ミラー２１とパイロット光導入ミラー２２の設定位置、設定角度等を調整する。この位置設定および角度調整により、テラヘルツ波１１の光軸上へパイロット光１２の光軸を重畳させる。
【００２５】
パイロット光１２の光軸調整は、Ｓｉボロメーター５の出力信号を確認しながらの他に、可視光であるため黙視で確認しながらの調整も可能である。本調整により、パイロット光１２の光軸とテラヘルツ光１１の光軸とを、同一軸とすることができる。パイロット光１２とテラヘルツ光１１とを同軸に重ねた後のテラヘルツ光の光軸は、模擬的・擬似的に可視状態となる。
【００２６】
上記構成のテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法の実施の形態において、シクロオレフィン板４として、テラヘルツ光１１に対して減衰特性をより小さくし、パイロット光１２に対して反射特性をより高くする必要がある。このシクロオレフィン板４の具体例として、高機能樹脂（商品名；ＺＥＯＮＥＸ／日本ゼオン（株））がある。図４は、この商品名；ゼオネックス（ＺＥＯＮＥＸ）とポリエチレンとを比較した、光透過率の特性例を示している。
【００２７】
図４において、横軸を周波数［ＴＨｚ／テラヘルツ］、縦軸を透過率［Ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ］としている。図４中の二つのグラフにおいて、上方の（ａ）がゼオネックス、下方の（ｂ）がポリエチレンのそれぞれの特性グラフである。本図４によれば、ゼオネックスの方が透過特性に優れていることが知れる。なお、両測定には、同一厚の試験試料を用いている。
【００２８】
高機能樹脂のシクロオレフィン板４としての適用において、テラヘルツ波用のＡＲコート（無反射コート）材料に使用が可能と判定される。テラヘルツ用各種オプティクス光学面に、波長に応じた厚さを形成することにより、反射を減らすことができる。高機能樹脂の各種の適用例を以下に列挙する。
【００２９】
（テラヘルツ波用の各種レンズ材料）
平凸、凸凸、凹、ロッド、シリンドリカル、等光学で用いる各種レンズと同じ形態のレンズをテラヘルツ用に作ることができる。且つ、可視光とテラヘルツ波に対して同時にシクロオレフィン板４としての機能を満たすことができる。
【００３０】
（テラヘルツ用の各種プリズム用材料）
４５°直角、ダハ、ダブ、等光学で用いる各種レンズと同じ形態のレンズをテラヘルツ用に作ることができる。且つ、可視光とテラヘルツ波に対して同時にシクロオレフィン板４としての機能を満たすことができる。
【００３１】
（テラヘルツ波用のビームサプライヤー、ビームスプリッターへ適用）
板状に加工して、一つのテラヘルツ波を表面反射波と透過波に分ける、ビームサプライヤーやビームスプリッターを作ることができる。且つ、可視光とテラヘルツ波に対して、同時にシクロオレフィン板４としての機能を満たすことができる。
【００３２】
（テラヘルツ波用のファイバー材料）
ファイバーにすることにより、空気中を伝搬することに不利なテラヘルツ波を、容易にハンドリングできる。且つ、可視光とテラヘルツ波に対して、同時にシクロオレフィン板４としての機能を満たすことができる。
【００３３】
（テラヘルツ波用の導波路材料）
導波路形状にすることにより、空気中を伝搬することに不利なテラヘルツ波を高効率に伝播させることができる。且つ、可視光とテラヘルツ波に対して、同時にシクロオレフィン板４としての機能を満たすことができる。
【００３４】
（テラヘルツ波用の実験に用いる）
テラヘルツ波の高透過性を用いることにより、プレパラート（板状）、サンプル（柱状）入れ等に加工し、試料を載せたり入れたりし、分光等の実験に用いることができる。且つ、可視光とテラヘルツ波に対して同時にシクロオレフィン板４としての機能を満たすことができる。
【００３５】
（テラヘルツ波用のミラー材料その１）
テラヘルツ波を透過する特性を生かし、ダイクロイックミラーの基板材料となる。
【００３６】
（テラヘルツ波用のミラー材料その２）
テラヘルツ波を透過する特性を生かし、表面又は内部に線状の金属を存在させることにより、高精度で高効率なテラヘルツ波用ハーフミラーを作ることができる。
【００３７】
（テラヘルツ波用のポラライザー）
テラヘルツ波を透過する特性を生かし、表面又は内部に線状の金属を存在させることにより、高精度で高効率なテラヘルツ波用ポラライザーを作ることができる。
【００３８】
（テラヘルツ波用のウィンドウ材料）
テラヘルツ波を透過する特性を生かし、テラヘルツ波装置のウィンドウ材料となる。且つ、可視光とテラヘルツ波に対して同時に本機能を満たすことが出きる。又、テラヘルツ波に対してブリュースター角に、ウィンドウを配置することにより、本材料の持っている透過率に限りなく近い値で、テラヘルツ波を透過させることができる。
【００３９】
（シリコン等の低屈折率分散半導体材料の代替え材料）
テラヘルツ帯において、低屈折分散材料として一般的に使用されているシリコン、ゲルマニューム、ガリュームヒ素、等の半導体は、可視光と共に用いると可視光を吸収して、テラヘルツ波の透過率を減少させる。例として、テラヘルツ波と可視光を、同時に照射している実験系やテラヘルツ波発生装置の上記半導体部と置き換えることにより、高効率化が図れる。
【００４０】
なお、上述の実施形態は本発明の好適な実施の一例である。ただし、これに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
多様化の構成例およびそれに付随する効果例を以下に列挙する。
図６にシクロオレフィンとして、三井化学株式会社製の商品名アペルを用いてテラヘルツ波の透過試験を行った結果を示す。なお、該試験は、厚さ３．５ｍｍのレンズを用い、入射角０度で行った。本例のおいても良好な透過率が得られた。
なお、本発明に関連する光学部品の厚さは特に限定されない。また、テラヘルツ波の入射角も特に限定されず広い範囲で有効である。
【００４１】
【発明の効果】
以上の説明より明らかなように、本発明のテラヘルツ波光学系は、所定のテラヘルツ波を発生し、この発生されたテラヘルツ波の進行方向の前面に高機能樹脂により構成されたオプティクス光学面を設けられて構成している。本構成により、テラヘルツ帯波の透過特性に優れた装置を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に関連するテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法の実施形態が適用される、第１の処理手順例を示している。
【図２】ステップ２が適用されるテラヘルツ帯波処理装置の構成例を示すシステム図である。
【図３】ステップ３が適用されるテラヘルツ帯波処理装置の構成例を示すシステム図である。
【図４】シクロオレフィンポリマーとポリエチレンとを比較した、光透過率の特性例を示したグラフである。
【図５】超長波（ＶＬＦ）からγ線に至る波長の周波数分布を示している。
【図６】シクロオレフィンコポリマーの場合における光透過率を示したグラフである。
【符号の説明】
１、２、３ アパーチャー
４ シクロオレフィン板
５ Ｓｉボロメーター（検出器）
１０ テラヘルツ波発生装置
１１ テラヘルツ波
１２ パイロット光
２１、２２ パイロット光導入ミラー
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえば、テラヘルツ光をより容易により有効に活用可能とするテラヘルツ波光学系に関する。
【０００２】
【発明の背景】
【特許文献１】
特開２００２−３０３５７４号公報
【特許文献２】
特開２００２−２４６６６４号公報
【特許文献３】
特開２００２−２２３０１７号公報
従来、テラヘルツ帯電磁波は、通常状態において不可視光である。この様なテラヘルツ帯光は、波長３ｍｍ〜３０μｍ、周波数１００ＧＨｚ〜１０ＴＨｚのゾーンに存在する電磁波であり、物質の測定、検査、イメージ化及びその他の種々の分野において利用されている。
【０００３】
上述の通り、テラヘルツ光は人間の目で直接的に見ることはできない。図５は、超長波（ＶＬＦ）からγ線に至る波長の周波数分布を示している。この周波数帯域において、目に見える光（可視光線）は、赤外線と紫外線とに挟まれた極狭い周波数帯域の波長光であることが知れる。
【０００４】
図５からテラヘルツ電磁波は、ミリ波（ＥＨＦ）から遠赤外線とに挟まれた波長領域にあり、不可視光線であることが知れる。このテラヘルツ電磁波は、特に近年、実用化が進んでおり、テラヘルツ光の光軸を観察し調整し得る簡単な観察ツールの出現が要望されている。これらの要望に基き、観察ツールとして以下の技術が提案されている。
特許文献１において、テラヘルツ光学系のアライメントの調整は、ダイポールアンテナ等のテラヘルツ光源をピンホール等に置き換え、ピンホールに可視光又は近赤外光（多くの場合、ポンプ光そのもの）を通し、その透過光の様子を観察しながら行われている。即ち、ピンホールの透過光の光路がテラヘルツ光の光路と同一であると見なすことにより行われている。
【０００５】
なお、可視光の場合は、その照射位置等を肉眼で直接的に観察することが可能である。近赤外光等の場合は、近赤外光に感応して可視光を発光する材料をシート部材に塗布したカード式赤外センサ（例えば、シグマ光機株式会社から市販されている「ＳＩＲＣ−（１）」（商品名））等の簡便な観察ツールを用いることにより、容易に観察することができる。
【０００６】
特許文献２の技術は、テラヘルツ信号系と固有ジョセフソン接合位置とを確実に結合させることができる単結晶固有ジョセフソン接合テラヘルツ検出器である。その構成は、単結晶固有ジョセフソン接合テラヘルツ検出器であって、基板とこの基板上に搭載される両面加工プロセスで作製された全超伝導Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８単結晶固有のジョセフソン接合装置と、このジョセフソン接合装置に集積化されるアンテナを具備するものである。
【０００７】
特許文献３には、テラヘルツ光素子と、該テラヘルツ光素子の所定個所に基材と反対側からフェムト秒パルス光を照射する照射部と、２つの導電膜間に流れる電流を検出する電流検出部とを備えたテラヘルツ光検出装置が開示されている。
【０００８】
テラヘルツ光素子は、基材と、この基材の平面上に形成された光伝導膜と、光伝導膜上に形成された互いに分離された２つの導電膜とを備える。導電膜の一部同士が、基材の平面に沿った方向に所定間隔ｄを開けるように配置される。基材は、基材から光伝導膜と反対側へ出射するか、あるいは基材に光伝導膜と反対側から入射するテラヘルツ光に対してレンズ作用を為すように形成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、テラヘルツ帯の電磁波は、可視光領域の光線と比較して減衰率が高い。本特性は、図４からも知れる。図４において、グラフ（ｂ）は、従来の板厚２ｍｍのポリエチレンへテラヘルツ帯の電磁波を透過させた場合の波長（ＴＨｚ）に対する減衰率特性を示している。本グラフ（ｂ）から、周波数が高くなるに従い急峻に透過特性が低下することが知れる。また、テラヘルツ帯は、不可視光であり、その取り扱いが可視光と比較して困難である問題点を有する。
【００１０】
また、開示された上記従来技術において、特許文献１では、テラヘルツ光源をピンホールと同じ位置に正確に置き換えることは非常に困難である。このため、ピンホールの透過光を基準にしてテラヘルツ光学系のアライメントを調整した後に、ピンホールをテラヘルツ光源に置き換えるだけでは、そのアライメントを正確に調整することはできない。
【００１１】
そのため本テラヘルツ光学系のアライメントを調整する従来の調整方法では、実際には、ピンホールの光源に置き換えた後にテラヘルツ光の検出信号の強度を測定しつつその強度が高まるように、テラヘルツ光学系のアライメントを再調整して最適化している。 この最適化の作業には、テラヘルツ光の検出信号の強度を頼りにテラヘルツ光学系のアライメントを少しずつ変えていく、試行錯誤の繰り返しが不可欠である。よって、本従来の調整方法では、テラヘルツ光学系のアライメントを正確に行うためには、前述した試行錯誤の繰り返しが必要である。このため、著しく手数を要する問題点を伴う。
【００１２】
特許文献２の技術においては、超伝導材料を用いる必要があり、コストが高く、また、製造が困難である問題点を有する。
【００１３】
特許文献３の技術は、その製造が複雑である問題点を有する。
【００１４】
また、一般的にテラヘルツ波の確認には、液体ヘリウムを用いたボロメータが知られている。しかし、この技術は、大掛かりな測定系が必要になる問題点を有する。
【００１５】
本発明は、コストが低く、また、製造が簡単なテラヘルツ波光学系を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明のテラヘルツ光学系は、テラヘルツ波発生源と、該テラヘルツ発生源から発生したテラヘルツ波の光軸上に配置されたシクロオレフィンの重合体のゼオネックス（登録商標）からなる光学部品と、可視光源とを備え、該可視光源からの可視光が前記テラヘルツ波の光軸上に乗るようにしたことを特徴とする。
【００１７】
本発明の好ましい実施形態によれば、前記テラヘルツ波の周波数は１００ＧＨｚ〜１０ＴＨｚである。
【００１８】
【作用】
以下に本発明の作用を本発明をなすに際して得た知見とともに説明する。
従来、シクロオレフィンは光学系部品の材料として用いられていた。しかるに、本発明者は、シクロオレフィンからなる光学部品の特性をより詳細に調べたところ、該部品は、テラヘルツ波に対して優れた透過特性を有していることを見出した。
のみならず、該部品は可視光に対しても優れた透過性を有していることをも見出した。さらに、可視光に対するとテラヘルツ光とに対する屈折率の差が０．０１以下であるという事項をも見出した。そのため、両者の波長が非常に離れているにもかかわらず、屈折率の差が非常に小さいのでレンズなどの光学部品を通した場合でも同じ場所で集光されるため可視光をパイロット光として使用することができる。結局、例えば、テラヘルツ波の光軸と可視光の光軸とを絶えず一致させてやれば可視光を見ることによりテラヘルツ波の光軸を知ることが可能となる。
【００１９】
本発明は上記のようにシクロオレフィンからなる光学部品の新たな特性を発見することによりその用途の拡大を図ったものである。
ここで、シクロオレフィンとしては、高分子体が好適に用いられる。重合体（シクロオレフィンポリマー）あるいは共重合体（シクロオレフィンコポリマー）が好適に用いられる。シクロオレフィンポリマーは商品名ゼオネックス（登録商標）、シクロオレフィンコポリマーは商品名アペル（三井化学株式会社製）として入手可能である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明によるテラヘルツ波光学系の実施の形態を詳細に説明する。図１から図４を参照すると、本発明に関連するテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法の一実施形態が示されている。
図１から図３は、テラヘルツ波の同軸にパイロットビーム（可視光）を重ねる処理手順例を示している。実施形態の処理手順は、図１〜図３に示すステップ１〜ステップ３の対応処理を基に構成される。本アライメント手順例を以下に示す。
【００２１】
（ステップ１）
図１は、ステップ１が適用されるテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法の構成例を示すシステム図である。本図１において、ステップ１が適用されるテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法は、パラメトリック発振器型のテラヘルツ波発生装置１０、アパーチャー１、シクロオレフィン板４、Ｓｉボロメーター（検出器）５を有して構成される。テラヘルツ波発生装置１０からは、テラヘルツ波１１が出力される。この出力されるテラヘルツ波１１の光軸にアパーチャー１の透過光軸を設定する。シクロオレフィン板４を、板前後においてテラヘルツ波１１を透過状態に設定する。さらに、Ｓｉボロメーター５の位置と方向を、テラヘルツ波の光軸に対し垂直方向に合わせる。
【００２２】
（ステップ２）
図２は、テラヘルツ波の同軸にパイロットビーム（可視光）１２を重ねる第２の処理手順例を示した図であり、ステップ２が適用されるテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法の構成例を示すシステム図である。本図２では、図１の示すステップ１が適用されるテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法に加え、さらに、アパーチャー２とアパーチャー３とが追加される。本ステップ２では、シクロオレフィン板４とＳｉボロメーター５との間に、新たに、アパーチャー２とアパーチャー３とを追加設定する。この追加設定において、Ｓｉボロメーター５のテラヘルツ波信号の検出測定値が下がらない位置に、アパーチャー２とアパーチャー３を設定する。本設定では、追加されるアパーチャー２とアパーチャー３の透過孔の光軸を、テラヘルツ波１１の光軸に一致させることが要件とされる。
【００２３】
（ステップ３）
図３は、第３の処理手順例を示し、ステップ３が適用されるテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法の構成例を示すシステム図である。本図３では、図２の示すステップ２が適用されるテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法に加え、さらに、パイロット光導入ミラー２１とパイロット光導入ミラー２２とが追加設定される。本ステップ３では、これらのパイロット光導入ミラー２１とパイロット光導入ミラー２２との追加処理後に、例えば、可視光レーザのパイロット光１２をテラヘルツ波１１へ重畳させる。
【００２４】
パイロット光導入ミラー２１とパイロット光導入ミラー２２とを追加し、可視光レーザのパイロット光１２を、パイロット光導入ミラー２１とパイロット光導入ミラー２２の設定角度調整により、テラヘルツ波１１の同軸上へ重畳させる。本処理において、シクロオレフィン板４へのテラヘルツ波１１の軸上へ、パイロット光１２の光軸が重畳するようにパイロット光導入ミラー２１とパイロット光導入ミラー２２の設定位置、設定角度等を調整する。この位置設定および角度調整により、テラヘルツ波１１の光軸上へパイロット光１２の光軸を重畳させる。
【００２５】
パイロット光１２の光軸調整は、Ｓｉボロメーター５の出力信号を確認しながらの他に、可視光であるため黙視で確認しながらの調整も可能である。本調整により、パイロット光１２の光軸とテラヘルツ光１１の光軸とを、同一軸とすることができる。パイロット光１２とテラヘルツ光１１とを同軸に重ねた後のテラヘルツ光の光軸は、模擬的・擬似的に可視状態となる。
【００２６】
上記構成のテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法の実施の形態において、シクロオレフィン板４として、テラヘルツ光１１に対して減衰特性をより小さくし、パイロット光１２に対して反射特性をより高くする必要がある。このシクロオレフィン板４の具体例として、高機能樹脂（商品名；ＺＥＯＮＥＸ／日本ゼオン（株））がある。図４は、この商品名；ゼオネックス（ＺＥＯＮＥＸ）とポリエチレンとを比較した、光透過率の特性例を示している。
【００２７】
図４において、横軸を周波数［ＴＨｚ／テラヘルツ］、縦軸を透過率［Ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ］としている。図４中の二つのグラフにおいて、上方の（ａ）がゼオネックス、下方の（ｂ）がポリエチレンのそれぞれの特性グラフである。本図４によれば、ゼオネックスの方が透過特性に優れていることが知れる。なお、両測定には、同一厚の試験試料を用いている。
【００２８】
高機能樹脂のシクロオレフィン板４としての適用において、テラヘルツ波用のＡＲコート（無反射コート）材料に使用が可能と判定される。テラヘルツ用各種オプティクス光学面に、波長に応じた厚さを形成することにより、反射を減らすことができる。高機能樹脂の各種の適用例を以下に列挙する。
【００２９】
（テラヘルツ波用の各種レンズ材料）
平凸、凸凸、凹、ロッド、シリンドリカル、等光学で用いる各種レンズと同じ形態のレンズをテラヘルツ用に作ることができる。且つ、可視光とテラヘルツ波に対して同時にシクロオレフィン板４としての機能を満たすことができる。
【００３０】
（テラヘルツ用の各種プリズム用材料）
４５°直角、ダハ、ダブ、等光学で用いる各種レンズと同じ形態のレンズをテラヘルツ用に作ることができる。且つ、可視光とテラヘルツ波に対して同時にシクロオレフィン板４としての機能を満たすことができる。
【００３１】
（テラヘルツ波用のビームサプライヤー、ビームスプリッターへ適用）
板状に加工して、一つのテラヘルツ波を表面反射波と透過波に分ける、ビームサプライヤーやビームスプリッターを作ることができる。且つ、可視光とテラヘルツ波に対して、同時にシクロオレフィン板４としての機能を満たすことができる。
【００３２】
（テラヘルツ波用のファイバー材料）
ファイバーにすることにより、空気中を伝搬することに不利なテラヘルツ波を、容易にハンドリングできる。且つ、可視光とテラヘルツ波に対して、同時にシクロオレフィン板４としての機能を満たすことができる。
【００３３】
（テラヘルツ波用の導波路材料）
導波路形状にすることにより、空気中を伝搬することに不利なテラヘルツ波を高効率に伝播させることができる。且つ、可視光とテラヘルツ波に対して、同時にシクロオレフィン板４としての機能を満たすことができる。
【００３４】
（テラヘルツ波用の実験に用いる）
テラヘルツ波の高透過性を用いることにより、プレパラート（板状）、サンプル（柱状）入れ等に加工し、試料を載せたり入れたりし、分光等の実験に用いることができる。且つ、可視光とテラヘルツ波に対して同時にシクロオレフィン板４としての機能を満たすことができる。
【００３５】
（テラヘルツ波用のミラー材料その１）
テラヘルツ波を透過する特性を生かし、ダイクロイックミラーの基板材料となる。
【００３６】
（テラヘルツ波用のミラー材料その２）
テラヘルツ波を透過する特性を生かし、表面又は内部に線状の金属を存在させることにより、高精度で高効率なテラヘルツ波用ハーフミラーを作ることができる。
【００３７】
（テラヘルツ波用のポラライザー）
テラヘルツ波を透過する特性を生かし、表面又は内部に線状の金属を存在させることにより、高精度で高効率なテラヘルツ波用ポラライザーを作ることができる。
【００３８】
（テラヘルツ波用のウィンドウ材料）
テラヘルツ波を透過する特性を生かし、テラヘルツ波装置のウィンドウ材料となる。且つ、可視光とテラヘルツ波に対して同時に本機能を満たすことが出きる。又、テラヘルツ波に対してブリュースター角に、ウィンドウを配置することにより、本材料の持っている透過率に限りなく近い値で、テラヘルツ波を透過させることができる。
【００３９】
（シリコン等の低屈折率分散半導体材料の代替え材料）
テラヘルツ帯において、低屈折分散材料として一般的に使用されているシリコン、ゲルマニューム、ガリュームヒ素、等の半導体は、可視光と共に用いると可視光を吸収して、テラヘルツ波の透過率を減少させる。例として、テラヘルツ波と可視光を、同時に照射している実験系やテラヘルツ波発生装置の上記半導体部と置き換えることにより、高効率化が図れる。
【００４０】
なお、上述の実施形態は本発明の好適な実施の一例である。ただし、これに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
多様化の構成例およびそれに付随する効果例を以下に列挙する。
図６にシクロオレフィンとして、三井化学株式会社製の商品名アペルを用いてテラヘルツ波の透過試験を行った結果を示す。なお、該試験は、厚さ３．５ｍｍのレンズを用い、入射角０度で行った。本例のおいても良好な透過率が得られた。
なお、本発明に関連する光学部品の厚さは特に限定されない。また、テラヘルツ波の入射角も特に限定されず広い範囲で有効である。
【００４１】
【発明の効果】
以上の説明より明らかなように、本発明のテラヘルツ波光学系は、所定のテラヘルツ波を発生し、この発生されたテラヘルツ波の進行方向の前面に高機能樹脂により構成されたオプティクス光学面を設けられて構成している。本構成により、テラヘルツ帯波の透過特性に優れた装置を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に関連するテラヘルツ波用光学部品、テラヘルツ帯波処理装置および同方法の実施形態が適用される、第１の処理手順例を示している。
【図２】ステップ２が適用されるテラヘルツ帯波処理装置の構成例を示すシステム図である。
【図３】ステップ３が適用されるテラヘルツ帯波処理装置の構成例を示すシステム図である。
【図４】シクロオレフィンポリマーとポリエチレンとを比較した、光透過率の特性例を示したグラフである。
【図５】超長波（ＶＬＦ）からγ線に至る波長の周波数分布を示している。
【図６】シクロオレフィンコポリマーの場合における光透過率を示したグラフである。
【符号の説明】
１、２、３ アパーチャー
４ シクロオレフィン板
５ Ｓｉボロメーター（検出器）
１０ テラヘルツ波発生装置
１１ テラヘルツ波
１２ パイロット光
２１、２２ パイロット光導入ミラー
Claims (2)
- テラヘルツ波発生源と、該テラヘルツ発生源から発生したテラヘルツ波の光軸上に配置されたシクロオレフィンの重合体のゼオネックス（登録商標）からなる光学部品と、可視光源とを備え、該可視光源からの可視光が前記テラヘルツ波の光軸上に乗るようにしたことを特徴とするテラヘルツ波光学系。
- 前記テラヘルツ波の周波数は１００ＧＨｚ〜１０ＴＨｚであることを特徴とする請求項１記載のテラヘルツ波光学系。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003107885A JP4183546B2 (ja) | 2003-04-11 | 2003-04-11 | テラヘルツ波光学系 |
| US10/553,004 US20060268945A1 (en) | 2003-04-11 | 2004-04-09 | Tera-hertz wave transmitting optical component, tera-hertz wave optical system, tera-hertz band wave processing device and method |
| EP04726802.4A EP1621902B1 (en) | 2003-04-11 | 2004-04-09 | Tera-hertz wave transmitting optical component, tera-hertz wave optical system, tera-hertz band wave processing device and method |
| PCT/JP2004/005137 WO2004092788A1 (ja) | 2003-04-11 | 2004-04-09 | テラヘルツ波透過用光学部品、テラヘルツ波光学系、テラヘルツ帯波処理装置および同方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003107885A JP4183546B2 (ja) | 2003-04-11 | 2003-04-11 | テラヘルツ波光学系 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008178764A Division JP4729603B2 (ja) | 2008-07-09 | 2008-07-09 | テラヘルツ帯波処理装置および同方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004317573A JP2004317573A (ja) | 2004-11-11 |
| JP4183546B2 true JP4183546B2 (ja) | 2008-11-19 |
Family
ID=33295872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003107885A Expired - Lifetime JP4183546B2 (ja) | 2003-04-11 | 2003-04-11 | テラヘルツ波光学系 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060268945A1 (ja) |
| EP (1) | EP1621902B1 (ja) |
| JP (1) | JP4183546B2 (ja) |
| WO (1) | WO2004092788A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013121686A1 (ja) | 2012-02-15 | 2013-08-22 | 国立大学法人茨城大学 | 人工誘電体レンズ |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004286716A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Institute Of Physical & Chemical Research | テラヘルツ波分光計測によるターゲット判別方法及び装置 |
| US8759778B2 (en) * | 2007-09-27 | 2014-06-24 | Anis Rahman | Terahertz time domain and frequency domain spectroscopy |
| US9909986B2 (en) | 2003-10-15 | 2018-03-06 | Applied Research And Photonics, Inc. | Thickness determination and layer characterization using terahertz scanning reflectometry |
| US8620132B2 (en) | 2006-09-27 | 2013-12-31 | Anis Rahman | Terahertz scanning reflectometer |
| JP4609993B2 (ja) | 2004-12-08 | 2011-01-12 | 独立行政法人理化学研究所 | テラヘルツ波発生方法及び装置 |
| JP4154388B2 (ja) | 2004-12-27 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 被対象物を透過した電磁波の状態を検出するための検出装置 |
| JP4878180B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2012-02-15 | キヤノン株式会社 | 電磁波を用いる検査装置 |
| JP4861663B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2012-01-25 | 株式会社アドバンテスト | 測定装置、方法、プログラムおよび記録媒体 |
| JP4878157B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2012-02-15 | キヤノン株式会社 | センサ及びその製造方法 |
| JPWO2008026523A1 (ja) * | 2006-08-28 | 2010-01-21 | 国立大学法人東北大学 | 近接場光計測法および近接場光計測装置 |
| JPWO2009050993A1 (ja) * | 2007-10-16 | 2011-03-03 | アイシン精機株式会社 | 非接触膜厚測定方法及び装置 |
| US8378703B2 (en) * | 2009-04-23 | 2013-02-19 | Advantest Corporation | Container, a method for disposing the same, and a measurement method |
| DE102010028913A1 (de) * | 2010-05-12 | 2011-11-17 | Robert Bosch Gmbh | Mikroskop und Verfahren zur Hautuntersuchung |
| JP5967867B2 (ja) * | 2010-06-03 | 2016-08-10 | キヤノン株式会社 | テラヘルツ波発生素子、テラヘルツ波検出素子、及びテラヘルツ時間領域分光装置 |
| KR101919417B1 (ko) * | 2012-02-07 | 2018-11-19 | 삼성전자주식회사 | 다중 터널을 갖는 전자기파 발진기 및 상기 전자기파 발진기를 포함하는 전자기파 발생 장치 |
| CN104345040A (zh) * | 2013-07-31 | 2015-02-11 | 天津智易时代科技发展有限公司 | 太赫兹光谱分析*** |
| EP3206014B1 (en) | 2014-10-08 | 2020-02-26 | Riken | Optical response measuring device and optical response measuring method |
| CN109891216A (zh) * | 2016-04-12 | 2019-06-14 | 镜元科技股份有限公司 | 大光圈太赫兹-吉赫兹镜片*** |
| JP6742527B2 (ja) * | 2017-08-22 | 2020-08-19 | 株式会社日立ハイテク | 遠赤外分光装置、および遠赤外分光方法 |
| US10254219B1 (en) * | 2017-10-27 | 2019-04-09 | Ford Motor Company | System and method for visually aligning terahertz light beam |
| CN113126176B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-06-10 | 清华大学 | 太赫兹波安检***及方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4406526A (en) * | 1980-05-19 | 1983-09-27 | Vickers Limited | Focusing of optical viewing apparatus |
| CA1340928C (en) * | 1987-05-01 | 2000-03-21 | Syuji Minami | Cycloolefin type random copolymer compositions and uses thereof |
| US6214951B1 (en) * | 1993-02-12 | 2001-04-10 | Hoechst Aktiengesellschaft | Cycloolefin copolymers having high tear strength and low optical attenuation |
| JPH0926501A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Konica Corp | 反射防止膜を有する合成樹脂光学部品 |
| US5789750A (en) * | 1996-09-09 | 1998-08-04 | Lucent Technologies Inc. | Optical system employing terahertz radiation |
| JP2000214506A (ja) * | 1998-11-03 | 2000-08-04 | Toshiba Research Europe Ltd | 放射光線源及び撮像システム |
| JP2000321134A (ja) | 1999-05-17 | 2000-11-24 | Hiromasa Ito | テラヘルツ分光光度計 |
| JP2002072269A (ja) | 2000-08-30 | 2002-03-12 | Inst Of Physical & Chemical Res | テラヘルツ波発生方法及び装置 |
| JP2002223017A (ja) | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Tochigi Nikon Corp | テラヘルツ光素子、並びに、これを用いたテラヘルツ光発生装置及びテラヘルツ光検出装置 |
| JP2002246664A (ja) | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Japan Science & Technology Corp | 単結晶固有ジョセフソン接合テラヘルツ検出器 |
| JP2002303574A (ja) | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Tochigi Nikon Corp | テラヘルツ光装置及びこれの調整方法 |
| US6951898B2 (en) * | 2001-12-10 | 2005-10-04 | Ticona Llc | Cycloolefin copolymer resins having improved optical properties |
| EP1505382A1 (en) * | 2003-08-08 | 2005-02-09 | Albert-Ludwigs-Universität Freiburg | Use of the plastic materials topas and zeonex for biotechnological applications in the terahertz range |
-
2003
- 2003-04-11 JP JP2003107885A patent/JP4183546B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-04-09 EP EP04726802.4A patent/EP1621902B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-09 WO PCT/JP2004/005137 patent/WO2004092788A1/ja active Search and Examination
- 2004-04-09 US US10/553,004 patent/US20060268945A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013121686A1 (ja) | 2012-02-15 | 2013-08-22 | 国立大学法人茨城大学 | 人工誘電体レンズ |
| JP2013168782A (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Ibaraki Univ | 人工誘電体レンズ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004317573A (ja) | 2004-11-11 |
| WO2004092788A1 (ja) | 2004-10-28 |
| EP1621902A4 (en) | 2006-08-16 |
| US20060268945A1 (en) | 2006-11-30 |
| EP1621902B1 (en) | 2016-02-03 |
| EP1621902A1 (en) | 2006-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4183546B2 (ja) | テラヘルツ波光学系 | |
| EP2171430B1 (en) | Optical property sensor | |
| JP6220128B2 (ja) | テラヘルツ波発生装置及びテラヘルツ波測定方法 | |
| CN107132029B (zh) | 一种同时测量高反射/高透射光学元件的反射率、透过率、散射损耗和吸收损耗的方法 | |
| US20090225313A1 (en) | Terahertz spectrometer | |
| US11079275B2 (en) | Far-infrared spectroscopy device | |
| EP3125019B1 (en) | Imaging system with controllable linear polarisation | |
| JP2009300108A (ja) | テラヘルツ分光装置 | |
| CN105548722B (zh) | 一种铁磁材料太赫兹介电常数的测量*** | |
| US11644418B2 (en) | Far-infrared light source and far-infrared spectrometer | |
| KR101689468B1 (ko) | 라이다식 운고계 장치 및 라이다식 운고계 장치 구현 방법 | |
| TW201728967A (zh) | 偏振器配置、極紫外線輻射產生裝置及用於雷射光束之線性偏振之方法 | |
| Ha¨ llstig et al. | Retrocommunication utilizing electroabsorption modulators and nonmechanical beam steering | |
| JP4729603B2 (ja) | テラヘルツ帯波処理装置および同方法 | |
| Gan et al. | 3.9 THz spatial filter based on a back-to-back Si-lens system | |
| JP2002303574A (ja) | テラヘルツ光装置及びこれの調整方法 | |
| KR20120059314A (ko) | 하나의 송수신모듈만을 이용하는 테라헤르츠파 발생 및 검출 시스템 | |
| CN109405971A (zh) | 一种显微偏振光谱分析***及方法 | |
| Wu et al. | Demonstration of time-of-flight technique with all-optical modulation and MCT detection in SWIR/MWIR range | |
| CN102636830B (zh) | 条形相位光阑及采用该光阑的4f相位相干非线性成像***及该***对非线性折射率测量方法 | |
| GB2350673A (en) | Three dimensional imaging using terahertz or Far IR radiation | |
| JP6549448B2 (ja) | 自己相関測定装置 | |
| JP5873742B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP2005195382A (ja) | テラヘルツ電磁波発生照射方法及び装置 | |
| EP0818670B1 (en) | Optical pulse autocorrelator |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040827 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040827 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060214 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060417 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080130 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080225 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080226 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080328 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080331 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080522 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080709 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080729 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080902 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080902 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4183546 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120912 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120912 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150912 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |