JP4176067B2 - チップタイプled - Google Patents

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本発明はLED素子(ベアチップ)をセラミックスパッケージに納めたチップタイプLEDに係り、特に、基板にフリップチップ実装したチップタイプLEDに関する。
看板、広告塔等の平面型ディスプレイにはLEDが使用されている。現在量産化されているLEDディスプレイに使用されているLEDは、砲弾型リードタイプLEDと、基板に直接LED素子(ベアチップ)を実装するダイレクトボンディングタイプの2種類ある。砲弾型リードタイプLEDを使用したものは、かなりの高輝度化が実現できるため、屋外用途として主に採用されている。しかし、LEDそのものが大きいため、小型サイズのディスプレイが作りにくい。一方、ダイレクトボンディングタイプは、LEDそのものが小さいため小型サイズのディスプレイは作りやすい。しかし、基板に直接LED素子を実装するので、1つずつLEDの輝度を管理することが難しく、ディスプレイとしての明るさの均一性を保つのが困難とされている。
これに対し、従来、図2に示すようなチップタイプLEDがあった。これは、導体層を形成した絶縁性のセラミックス支持部材21の上にLED素子23を載置し、LED素子23の電極24と電極端子22をワイヤーボンディングし、キャビティー内に封止樹脂26を満たして固化した構造である。このチップタイプLEDを1平面の上に表面実装することで高密度表示LEDディスプレイが実現できる。しかも、実装する前にLEDの輝度を確認できるので、ディスプレイとしての明るさの均一性を損なう問題がない。
ところが、このチップタイプLEDは、LED素子23からの発光をワイヤーが遮ることによる輝度低下の問題がある。特に、ワイヤーに金線を使用した場合、青色域に吸収があるため、輝度低下と発光色調変化の問題があった。
また、ワイヤーを保護するために、LED素子23とワイヤーを覆う隔壁でキャビティーを形成してやる必要がある。
さらに、LED素子23をキャビティー内に固定するためには、キャビティー内に封止樹脂26を満たす構造をとることになり、これはLED素子23に通電した時に発生する熱により封止樹脂が膨張し、ワイヤー及びLED素子23の剥がれの原因になり、また、LED素子からの発光の一部の紫外線により、封止樹脂26の劣化を引き起こし、樹脂の透過性が低下することによりチップタイプLEDの輝度低下を引き起こす問題がある。
さらにまた、チップタイプLEDの製法上、基板の上にLED素子を載置し、ワイヤーボンディング、封止樹脂を注入した後に各セラミック支持部材(パッケージ)単位に割り出すことで、チップタイプLEDを得ている。この割り出し時にセラミックス支持部材21に歪みが生じ、LED素子23が脱落する不良が生じる。
従って、本発明はこのような事情に鑑みて成されたものであり、第一の目的は、さらに高密度な表示が可能なLEDディスプレイを実現するチップタイプLEDを提供すること。
第2の目的は、LED素子からの発光をワイヤーにより遮断されない構造とすることで輝度を向上することである。
第3の目的は、ワイヤー保護のためのキャビティーを必要としない構造とすることである。
第4の目的はセラミックス支持部材単位に割り出すときに歪みを生じることが原因で、LED素子が脱落しない構造とすることである。
本発明者は上述した課題に対し鋭意検討した結果、同一面側に一対の電極を有するLED素子をセラミックスLEDパッケージにフリップチップ実装することで課題を解決することを見いだし本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明は、(a)同一面側に一対の電極を有するLED素子と、LED素子を固定しているセラミックスの支持部材を備え、(b)セラミックス支持部材には互いに接近して固定されている一対の電極端子を有し、電極端子は導体ペーストを印刷して導体印刷を施した後、セラミックスグリーンシートの厚み方向に刃でプレスしてセラミックスグリーンシートにハーフカットの割り溝を入れる工程を経て形成されており、(c)LED素子の電極は、セラミックスの支持部材の電極端子に導電性ろう材を介してフリップチップ接続され、(d)LED素子が載置されている平面に対して垂直な方向にあるセラミックス支持部材の外縁は、LED素子が実装されているセラミックス基板を、ハーフカットラインに沿って割り出すことにより形成されており、(e)前記セラミックス支持部材はセラミックスの厚み方向にハーフカットされた部分とハーフカットされずに割れた跡が残った部分とを有するチップタイプLEDに関する。
特に、セラミックス基板上のハーフカットライン上に中心が位置するように補助孔が形成されていることでさらに分割が容易になり、ハーフカットラインの交差点に中心が位置するように補助孔が形成されていることが最も好ましい。
また、チップタイプLEDの製造方法は、以下に示す各工程を備えることを特徴とする。
(p)セラミックスグリーンシートに、チップタイプLEDとして割り出すことで形成される電極を作製するための導体印刷を施す工程、(q)導体印刷を施されたセラミックスグリーンシートにチップタイプLEDとして割り出すためのハーフカットラインを作製する工程、(r)導体印刷とハーフカットラインを作製したグリーンシートを脱脂し、次に焼結する工程、(s)焼結されたセラミックス基板にLED素子をフリップチップ接続する工程、(t)LED素子がフリップチップ接続されたセラミックス基板をハーフカットラインに沿って割り出す工程。
グリーンシートのハーフカットライン上に中心が位置するように補助孔を形成することで、焼結されたセラミックス基板の分割がさらに容易になり好ましく、グリーンシートのハーフカットラインの交差点に中心が位置するように補助孔を形成することが最も好ましい。
本発明は、以上説明したように構成されているので、以下に記載されるような効果を奏する。
本発明に係る構成とすることで、LED素子に給電するためのワイヤーを使用しないフリップチップ接続となり、LED素子からの発光をワイヤーが遮ることがなくなり、そのことによる輝度低下の問題がなくなった。
また、ワイヤーを保護するキャビティーは必要としない。その結果、チップタイプLEDはコンパクトになり、高密度実装が可能となり、そのことで例えば、高密度表示が可能なLEDディスプレイを実現できる。
さらに、従来の構造ではLED素子をキャビティー内に固定するため、封止樹脂をキャビティー内に満たす構造をとることを余儀なくされた。その結果、LED素子に通電した時に発生する熱により封止樹脂が膨張し、樹脂及びLED素子の剥がれの原因になったり、LED素子からの発光の一部の紫外線により、樹脂の劣化を引き起こし、樹脂の透過性が低下することによりLEDの輝度低下を引き起こした。これに対し、本発明の構造では、キャビティーがないために膨張による剥がれ問題はなく、しかも、LEDからの発光が封止樹脂により遮られることもない。
LED素子をセラミックスの支持部材の電極端子とフリップチップ接続されて、しかも外縁がハーフカットされていることで、セラミックス特有の脆さに加え、精度良く分割でき、しかも、歪みを受けにくくなり、そのためにLED素子の剥がれの問題は最小限に抑えられる。
また、上記構成とすることにより、割り出し時にLED素子に歪みのかかりにくい、剥がれの歩留まり低下の少ないチップタイプLEDを得ることができる。
さらに、上記構成とすることにより、割り出し時にさらにLED素子に歪みのかかりにくい、剥がれによる歩留まり低下の少ないチップタイプLEDを得ることができる。
図面を参照して本発明のチップタイプLEDを説明する。図1は、本発明のチップタイプLEDの模式断面図を示す。図3は、割り出し工程前のセラミックス基板の平面図を示す。図4は、本発明のチップタイプLEDの平面図を示す。セラミックスの支持部材11に一対の電極端子12が形成されており、LED素子13の表面の一対の電極14は導電性のろう材15によりフリップチップ接続されている。LED素子13はセラミックス支持部材と強固に接着させるためにLED素子と支持体の隙間に封止樹脂16が注入されている。
セラミックスの支持部材とは、LED素子を載置して電気的に接続できる構造であれば良く、セラミックスの材料にはアルミナ、窒化アルミニウム、ムライトが好ましく使用できる。支持部材としてセラミックスを選択することで絶縁性があり、その上に印刷法等により導体配線を直接形成することができる。
接近して固定されている一対の電極端子とは、LED素子13を載置して導電性のろう剤15で固定する場合に、電極端子12が同一面側のLED素子13の電極14にショートすることなく給電できる程度接近している状態である。
フリップチップ接続とは、セラミックス支持部材11の上に設けられた一対の電極端子にLED素子13の一対の電極14を向かい合わせて接続する方式である。この方式により、ワイヤーボンディング接続により発生していた諸問題を解消することができる。
LED素子が載置されている平面に対して垂直な方向にあるセラミックス支持部材の外縁とは、セラミックス支持部材を作製する製造工程において、セラミックス基板31に予めLED素子33を接続したものを図中の点線のハーフカットライン38に沿って割り出すことで得られる。このハーフカットライン38によりセラミックス基板の割り出しは極めて容易に行うことができる。この割り出しにより、チップタイプLEDを得る。この割り出し工程を経て作製された外縁47は、ハーフカットラインに沿って形成されているため割れた跡が残るという特徴がある。
セラミックス基板のハーフカットライン上に中心が位置するように補助孔が形成されていることで、割り出しは更に容易になる。
ハーフカットラインの交差点に中心が位置するように補助孔が形成されていることで、角の部分の不規則な割れを防止することができ、さらに容易にチップタイプLEDに分割することができる。その結果、歪みがないため、LED素子の脱落の不良が起こらない。ハーフカットラインの交差点に補助孔の中心が位置するように正方形の補助孔39が形成された例である。
また、本発明のチップタイプLEDの製造方法について、以下に説明する。図5は、グリーンシートのハーフカットを説明する模式断面図である。
セラミックスグリーンシートとは、セラミックス基板を作製するのに用いる、例えば、アルミナ等を主成分とし、これに有機バインダー、溶剤、分散剤を加えてシート状にしたものである。これに、例えばタングステンを主成分とする導体ペーストを印刷することで導体印刷ができる。
ハーフカットとは、グリーンシートの厚み方向に刃でプレスすることによりグリーンシートに割溝を入れることである。すなわち完全に切り取るのではなく、一部を残してカットする。
グリーンシートの脱脂は、グリーンシートのバインダー、溶剤を燃焼分解して除去することであり、その後の焼結工程により、セラミックスの粉は焼結してセラミックス基板を形成する。又、導体印刷は導体配線を形成する。ここで、セラミックス基板とは導体配線を持ったLEDを複数個実装できる基板のことを指し、セラミックス支持部材は、セラミックス基板をこれをハーフカットラインに沿って分割したことで得られる。また、セラミックス支持部材11の上にある電極端子は、セラミックス基板の導体配線がこのハーフカットラインで分割することにより形成される。
グリーンシートのハーフカットライン上に中心が位置するように補助孔を形成することで、焼結されたセラミックス基板の分割がさらに容易になり好ましく、グリーンシートのハーフカットラインの交差点に中心が位置するように補助孔を形成することが最も好ましい。
図3は、割り出し工程前のセラミックス基板の平面図を示す。図4は、本発明のチップタイプLEDの平面図を示す。図6は、導体印刷を形成したグリーンシートの平面図である。図7は、補助孔を開けたグリーンシートの平面図である。
アルミナ粉末に溶剤、分散剤、バインダー、および可塑剤を加えてスラリー状として、ドクターブレード法により、該アルミナスラリーを流出させ、乾燥し、グリーンシートを得た。
これに常法に従い、グリーンシートの両面の導体印刷をつなぐ目的でスルーホールを開け、スクリーン印刷法によりタングステンペーストを両面に印刷し、導体印刷62を施したグリーンシートを得た。
次に、プレス機を用いて正方形の補助孔を貫通し、その後に補助孔に中心が位置するように切断機を用い、ハーフカットラインを形成した。
補助孔とハーフカット加工したグリーンシートを常法に従い、乾燥、脱脂、焼結することで、タングステン導体配線が形成されたセラミックス基板を得た。タングステン導体配線に貴金属メッキを施した。
LED素子13は、下面に一対の電極を有し、電極に通電すると上方に光を放射する構造をしている。LED素子には、例えば、サファイアの基板の上に窒化物半導体を成長させ、活性層が一般式InxAlyGa1-x-yNで表現できる窒化物系のLEDが使用できる。この種のLEDはxの値に応じて発光ピーク波長が自在に変化できる。例えば、x=0.3に設定すればピーク波長が450nmの青色発光を得、x=0.53に設定すればピーク波長が520nmの緑色発光を得、x=0.95に設定すればピーク波長は630nmの赤色発光を得ることができる。しかし、本発明に利用できるLEDは窒化物系に限らず、このようなフリップチップ実装できる、同一面側に一対の電極がある構造のLEDならば全て使用することができる。
セラミックス基板11の上に配線された導体配線12に、導電性のろう材15を介してLED素子の一対の電極14を電気的に接続した。導電性ろう剤は、例えば半田などの低融点金属、導電剤と接着剤とを混練りした金属ペーストが使用できる。LED素子13をセラミックス基板の上に強固に固定するために封止樹脂16がLED素子とセラミックス基板の隙間に注入されている。
ハーフカットライン38に沿って割り出すことにより、セラミックス支持部材11の上に電極端子12を形成され、その上にLED素子がフリップチップ接続され、外縁17がハーフカット加工されているチップタイプLEDを得た。
本発明のチップタイプLEDは、ディスプレイ、照明装置等に利用することができる。
本発明のチップタイプLEDの模式断面図を示す。 比較のためのチップタイプLEDの模式断面図を示す。 割り出し工程前のセラミックス基板の平面図を示す。 本発明のチップタイプLEDの平面図を示す。 グリーンシートのハーフカットを説明する模式断面図である。 導体印刷を形成したグリーンシートの平面図である。 補助孔を開けたグリーンシートの平面図である。
符号の説明
11、21 セラミックス支持部材
12、22 電極端子
13、23、33 LED素子
14、24 電極
15 ろう剤
16、26 封止樹脂
17 外縁
31 セラミックス基板
32 導体配線
38 ハーフカットライン
39 補助孔
61 グリーンシート
62 導体印刷

Claims (4)

  1. (a)同一面側に一対の電極を有するLED素子と、LED素子を固定しているセラミックスの支持部材を備え、(b)セラミックス支持部材には互いに接近して固定されている一対の電極端子を有し、電極端子は導体ペーストを印刷して導体印刷を施した後、セラミックスグリーンシートの厚み方向に刃でプレスしてセラミックスグリーンシートにハーフカットの割り溝を入れる工程を経て形成されており、(c)LED素子の電極は、セラミックスの支持部材の電極端子に導電性ろう材を介してフリップチップ接続され、(d)LED素子が載置されている平面に対して垂直な方向にあるセラミックス支持部材の外縁は、LED素子が実装されているセラミックス基板を、ハーフカットラインに沿って割り出すことにより形成されており、(e)前記セラミックス支持部材はセラミックスの厚み方向にハーフカットされた部分とハーフカットされずに割れた跡が残った部分とを有するチップタイプLED。
  2. (p)セラミックスグリーンシートに、チップタイプLEDとして割り出すことで形成される電極を作製するための導体印刷を施す工程、(q)導体印刷を施されたセラミックスグリーンシートにチップタイプLEDとして割り出すためセラミックスグリーンシートの厚み方向に刃でプレスしてセラミックスグリーンシートにハーフカットの割り溝を入れ、ハーフカットラインを作製する工程、(r)導体印刷とハーフカットラインを作製したセラミックスグリーンシートを脱脂し、次に焼結する工程、(s)焼結されたセラミックス基板に、同一面側に一対の電極を有するLED素子をフリップチップ接続する工程、(t)LED素子がフリップチップ接続されたセラミックス基板をハーフカットラインに沿って割り出す工程、とを備えることを特徴とするチップタイプLEDの製造方法。
  3. セラミックスグリーンシートのハーフカットライン上に中心が位置するように補助孔を形成することを特徴とする請求項2に記載のチップタイプLEDの製造方法。
  4. セラミックスグリーンシートのハーフカットラインの交差点に中心が位置するように補助孔を形成することを特徴とする請求項2に記載のチップタイプLEDの製造方法。
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