JP4165470B2 - 液晶装置の製造方法 - Google Patents
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Description
まず、本発明の液晶装置の実施形態につき、図1ないし図3を用いて説明する。
本実施形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下TFTという)素子を用いたアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置を例にして説明する。図1は、当該液晶装置の画像表示領域を構成すべくマトリクス状に配置された複数の画素の等価回路図である。また、図2はTFTアレイ基板に形成された複数の画素の平面図であり、図3は液晶装置の断面構成を模式的に示す図である。
本実施形態の液晶装置は、ガラスやプラスチック等の透明基板で構成される2枚の基板(素子基板10,対向基板20)を含んで構成され、該一対の基板10,20間に液晶層50が挟持されている。素子基板10の液晶層側にはITO等で構成された透明電極9がマトリクス状に形成されており、透明電極9の更に液晶層側には、液晶分子の配向規制を行う配向膜11が基板全面に形成されている。
まず、素子基板10は、ガラスや石英等の透光性の基板であって、画素電極9に対する電圧印加をスイッチング駆動するTFT素子30(図1参照)を備えている。画素電極9はITO(インジウム錫酸化物)等の透光性且つ導電性の酸化物材料にて構成されており、膜厚が50nm〜100nm程度(例えば85nm)とされている。
次に、上記液晶装置の製造方法について図4を参照して説明する。なお、図4は配向膜11,21の形成工程を説明するための図である。
まず、基板10上にTFT素子30を公知の方法により形成し、その後、これとコンタクトホールを介して接続されるITOをスパッタ法等により基板10上に形成する。そして、形成したITOをフォトリソグラフィ法によりパターニングして画素電極9を得る。
まず、直鎖アルコールとしてデカノール(図4中、R−Xで示す(R:アルキル基、X:OH基))を画素電極9上に塗布し、その後、350nmの光(10mW/cm2)をデカノールが塗布された画素電極9に対して、水蒸気存在下、20分間照射する(図4(a),(b))。該光照射によりITO中の酸素原子が活性化される(O−)。
その後、活性化された酸素原子が求核反応によりアルキル基と反応し、脱水(HX(X:OH基))を伴ってアルキル基とITOとが化学的に結合する。
さらに、基板全体を洗浄することで残存デカノールを除去する、
以上のような光触媒反応により、画素電極9上に配向膜11が化学的に結合された状態で形成されることとなる。
以下、液晶装置の変形例について図5及び図6を参照しつつ説明する。
図5は、第1の変形例に係る液晶装置の断面模式図であって、上記実施形態の液晶装置の図3に対応する図である。なお、図3の構成とは、素子基板10側の構成が異なるのみであるので、その他の構成については図3と同じ符号を付し、説明を省略する。
次に、本発明の電子機器の具体例である投射型表示装置につき、図7を用いて説明する。図7は、投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。この投射型表示装置は、上記液晶装置を光変調装置として備えたものである。
Claims (3)
- 一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、
基板上に酸化物層を形成する工程と、
該酸化物層上に有機物を塗布する工程と、
前記酸化物層上に前記有機物が塗布された状態で、これに光照射することにより前記酸化物層と前記有機物とを化学的に結合させる工程とを含み、
前記有機物として、液晶分子を配向規制可能で、且つ前記光照射により前記酸化物層から生成する活性基に対して反応可能な官能基を有するものを用いることを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 前記基板上に電極を形成し、該電極上に前記酸化物層を形成することを特徴とする請求項1記載の液晶装置の製造方法。
- 前記有機物として、一般式R−A若しくはR−B−A(但し、Rはアルキル基(但し、水素原子の少なくとも1つがフッ素原子で置換されていても良い)、Aは臭素、塩素、ヒドロキシル基のいずれか、Bはフェニレン−1,4−ジイル基、ビフェニレン−1,4’−ジイル基、シクロヘキサンベンゼン−1,4’−ジイル基(但し、これらの基のうち水素原子の少なくとも1つがフッ素原子で置換されていても良い))にて表される化合物を用いることを特徴とする請求項1または2記載の液晶装置の製造方法。
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