JP4163393B2 - Focus adjustment method in particle beam apparatus - Google Patents

Focus adjustment method in particle beam apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP4163393B2
JP4163393B2 JP2001114711A JP2001114711A JP4163393B2 JP 4163393 B2 JP4163393 B2 JP 4163393B2 JP 2001114711 A JP2001114711 A JP 2001114711A JP 2001114711 A JP2001114711 A JP 2001114711A JP 4163393 B2 JP4163393 B2 JP 4163393B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
particle beam
focus adjustment
probe
focus
probe diameter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001114711A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2002313272A (en
Inventor
幸 松谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jeol Ltd filed Critical Jeol Ltd
Priority to JP2001114711A priority Critical patent/JP4163393B2/en
Publication of JP2002313272A publication Critical patent/JP2002313272A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4163393B2 publication Critical patent/JP4163393B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、粒子線装置におけるフォーカス調整方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、粒子線装置、とりわけ荷電粒子線を試料面上で走査して試料から発生するX線や2次的な電子などの2次線を検出し、試料表面形状の観察、組成分析、状態分析などを行う、走査型透過電子顕微鏡、走査型電子顕微鏡、電子プローブマイクロアナライザ、オージェ電子分光装置、イオンマイクロプローブなどの粒子線装置においては、試料表面の上下位置に対応して粒子線を集束するレンズ系の焦点距離を調整し、粒子線が試料面上で最小になるようにして微小域の観察や分析を行っている。
【0003】
ところで、与えられた条件下で試料面における荷電粒子線(粒子プローブ)を最小にするなど、プローブのフォーカス状態を変化させる場合には、荷電粒子線を試料面上で走査して得られる走査像を観察したり、得られる走査像信号を自動処理したりして、電子やイオンなどの粒子線を収束するレンズ又は補助レンズの焦点距離を、手動又は自動的に変えることにより、調整操作が実施されている。
【0004】
従来の粒子線装置においては、フォーカス状態を変化させる場合、観察倍率が低い場合には1回の調整操作におけるフォーカスの調整量が大きくなるように、すなわちレンズの焦点距離の変化が大きくなるように、また観察倍率が高い場合には1回の調整操作でフォーカス調整量が小さくなるように、(1) 観察倍率に応じて、フォーカス調整量に粗調や微調の専用つまみなどを設け、それらを使い分けたり、粗調や微調機構を切り換えて使用する手法、あるいは、(2) 観察倍率と連動して、自動的に1回の調整操作におけるフォーカス調整量を変化させる手法が用いられている。
【0005】
これらの手法は、自動的に焦点を合わせる機能を有する場合でも、1回あたりのフォーカス調整量を最適に保つために有用である。なお、前記(2) の手法を自動焦点合わせ機能を備えた粒子線装置に適用した先行技術は、特願平11−144321号において提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記(1) の手法により、1回の調整操作に対するフォーカス調整量の異なるつまみ等を配置する場合には、操作つまみの数が増え、画像を観察しているときには、どのつまみがどのフォーカス調整量に対応しているかなどを確認する必要があり、操作が煩雑になるという問題点がある。また、フォーカスつまみは一つであるが、一回のフォーカス調整操作に対するフォーカス調整量をボタンスイッチや操作継続時間などの自動認識等で切り換える場合にも、切り換えの回数は通常は2段階から多くても数段階が限度であるため、フォーカス調整の操作量を最小にすることは不可能である。
【0007】
一方、(2) の手法を用いた場合には、1回の調整操作に対するフォーカス調整量が同じでも、加速電圧やプローブ電流の違いにより最小プローブ径が異なるため、観察倍率が比較的高い状態で、最小プローブ径が大きいような状態の場合には、フォーカス調整操作が多い割にはフォーカスの変化が少なく観察される。すなわち、プローブ径が細い場合には、僅かなフォーカス調整量でも認識できたフォーカスの変化が、プローブ径が大きくなるとフォーカスの変化は認識できなくなり、合焦位置を確認しにくいという問題があった。
【0008】
本発明は、従来の粒子線位置のフォーカス調整方法における上記問題点を解消するためになされたもので、最小の操作量で最適なフォーカス状態が容易に得られるようにした粒子線位置におけるフォーカス調整方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため、請求項1に係る発明は、細く絞った電子やイオンの粒子線を試料に照射して試料から発生する2次線を検出する粒子線装置であって、試料面上に照射される粒子線のプローブ径を調整するフォーカス調整手段を備えた粒子線装置におけるフォーカス調整方法において、該粒子線プローブの使用条件によって定まる粒子線プローブの最小プローブ径を算出し、該最小プローブ径に基づいて、所定のフォーカス調整操作に対する該粒子線のプローブ径の変化幅を算出し、該プローブ径の変化幅に基づいて、該粒子線プローブにおけるフォーカス位置の変化幅を算出し、該フォーカス位置の変化幅に基づいて、フォーカス調整手段によるフォーカス調整操作のフォーカス調整量を変化させることを特徴とするものである。
【0010】
このように、粒子線プローブの使用条件によって定まる最小プローブ径に応じて、フォーカス調整手段の1回の操作に対するフォーカス調整量を自動的に変えるようにしているので、任意の粒子線プローブの使用条件に対して、最小の操作量で最適なフォーカス状態を容易に得ることが可能となる。
【0011】
また請求項2に係る発明は、細く絞った電子やイオンの粒子線を試料に照射して試料から発生する2次線を検出する粒子線装置であって、試料面上に照射される粒子線のプローブ径を調整するフォーカス調整手段を備えた粒子線装置におけるフォーカス調整方法において、該粒子線プローブの使用条件によって定まる粒子線プローブの最小プローブ径を算出し、該粒子線による走査像の表示倍率と該最小プローブ径とに基づいて、所定のフォーカス調整操作に対する該粒子線のプローブ径の変化幅を算出し、該プローブ径の変化幅に基づいて、該粒子線プローブにおけるフォーカス位置の変化幅を算出し、該フォーカス位置の変化幅に基づいて、フォーカス調整手段によるフォーカス調整操作のフォーカス調整量を変化させることを特徴とするものである。
【0012】
このように、走査像の表示倍率と粒子線プローブの使用条件によって定まる最小プローブ径に応じて、フォーカス調整手段の一回の操作に対するフォーカス調整量を自動的に変えるようにしているので、任意の表示倍率と任意の粒子線プローブの使用条件に対して、最小の操作量で最適なフォーカス状態を容易に得ることが可能となる。
【0013】
また請求項3に係る発明は、請求項1又は2に係る粒子線装置におけるフォーカス調整方法において、前記粒子線の最小プローブ径は、粒子線の加速電圧に応じて変化するように構成されていることを特徴とするものであり、また請求項4に係る発明は、同じく請求項1又は2に係る粒子線装置におけるフォーカス調整方法において、前記粒子線の最小プローブ径は、粒子線のプローブ電流に応じて変化するように構成されていることを特徴とするものであり、また請求項5に係る発明は、同じく請求項1又は2に係る粒子線装置におけるフォーカス調整方法において、前記粒子線の最小プローブ径は、粒子線源の種類、エミッション電流及び温度に基づき算出された粒子線源の輝度及び粒子線のエネルギー幅に応じて変化するように構成されていることを特徴とするものである。
【0014】
このように、粒子線のプローブ径を、荷電粒子線の加速電圧、あるいは荷電粒子のプローブ電流に応じて、更には荷電粒子線源の種類、エミッション電流及び温度に基づき算出された粒子線源の輝度及び粒子線のエネルギー幅に応じて変化するようにしているので、最小プローブ径の値を指定する必要もなく、フォーカス合わせ操作を簡単に行うことが可能となる。
【0015】
また請求項6に係る発明は、請求項1〜5に係る粒子線装置におけるフォーカス調整方法において、前記フォーカス調整手段によるフォーカス調整量に基づき、フォーカス合わせの作動距離範囲又はフォーカス合わせに要する時間設定、該時間内で自動的にフォーカス合わせことを特徴とするものであり、また請求項7に係る発明は、請求項1〜6に係る粒子線装置におけるフォーカス調整方法において、前記フォーカス調整手段は、集束レンズ系及び又は対物レンズ系の制御手段、又は試料ステージの制御手段であることを特徴とするものである。
【0016】
上記のように構成することにより、一定時間内の合焦位置探査では最も広い範囲を探査でき、また一定の探査範囲の合焦位置探査では最小の時間で実施可能となる。
【0017】
【発明の実施の形態】
次に、実施の形態について説明する。図1は、本発明に係る粒子線装置におけるフォーカス調整方法を実施するための粒子線装置におけるフォーカス調整装置の構成例を示す概略構成図で、粒子線装置の主たる分析・観察部分は省略して示している。図1において、1は操作表示部、2は演算処理部、3は制御プログラムによって各部の制御を行う制御部、4は熱電子放出型電子銃(粒子線源)の陰極、5は抑制電極、6は陰極より放出される電子(粒子)ビーム、7は陽極、8は集束レンズ系、9は対物絞り、10は電子(粒子)プローブの走査・偏向量を制御するための走査・偏向系、11は非点収差補正系、12は電子プローブを細く収束するための対物レンズ系、13は電子プローブの照射された試料14から放出される2次電子(2次粒子)を検出するための2次電子(2次粒子)検出器、15は2次電子検出器13からの検出信号を処理し、試料走査像を生成する信号処理部、16は試料ステージで試料ステージ制御部17によって駆動されるようになっており、そして試料ステージ16の位置の認識は試料ステージ制御部17でなされるが、認識位置の表示や移動命令は操作表示部1からなされるようになっている。
【0018】
また、18は加速電圧電源、19は陰極加熱電源、20は抑制電圧電源、21は集束レンズ電源、22は走査偏向系電源、23は非点収差補正系電源、24は対物レンズ系電源である。
【0019】
上記図1に示した構成例においては、熱電子放出型の電子銃(粒子線源)を用いたものを示したが、電界放出型又はショットキー放出型などの電子銃(粒子線源)を用いた場合は、図2に示すような構成となる。図2において、31は抑制電極、32は引出電極、33は抑制電圧電源、34は引出電圧電源である。
【0020】
次に、まず上記構成例の動作に基づいて本発明の概要について説明する。操作表示部1には、図3に示すように、加速電圧電源18の加速電圧Va の設定手段、抑制電圧電源20(又は引出電圧電源34)によるエミッション電流Ie の設定手段、集束レンズ電源21によるプローブ電流Ip の設定手段、走査・偏向系10及び走査偏向系電源22による表示倍率MR の設定手段、対物レンズ系12及び対物レンズ系電源24によるフォーカス調整手段、及び自動焦点実行開始ボタン等が配置されている。なお、図3において、1aは試料面の高低の指標に用いられる試料と対物レンズ間の距離を示す作動距離(WD)の値を表す表示である。
【0021】
そして、上記操作表示部1において、各設定手段で所定条件値を設定し、自動焦点実行の指示がなされると、演算処理部2において、上記操作表示部1において各設定手段で設定された条件の一部又は全部を考慮して、最小プローブ径dp を算出し、これに基づいて1回のフォーカス調整操作に対するプローブ径の変化幅dc を算出し、フォーカス位置の変化幅Δw を最終的に決定する。そして、この情報に基づいて、制御部3によりレンズ系及び走査系が制御され、従来の適当なフォーカス探査法を利用してフォーカス探査が実行される。
【0022】
次に、上記演算処理部2における動作について、更に詳細に説明する。電子銃の種類(熱電子放出型、電界放出型、ショットキー放出型など)が決まり、電子銃の加速電圧(陰極4と陽極7との間の電圧)Va ,陰極温度Te ,エミッション電流Ie などの電子銃の動作条件が決まると、電子銃の輝度βや電子銃から放出される電子ビームのエネルギー幅ΔEも決まる。この電子銃の輝度β及び電子ビームのエネルギー幅ΔEから、装置に固有な常数を用いて、指定した加速電圧Va とプローブ電流(試料に照射される電子の電流)Ip に対する最小プローブ径dp を求めることができる。この算出法は周知のものであるが、例えば特開平1−236563号公報などに開示されている。
【0023】
このようにして求められた最小プローブ径dp に対して、走査像(2次電子像)を表示するディスプレイ(操作表示部1)上の表示倍率をMR ,人間の目の分解能をδe (約0.2mm とされている)とすると、フォーカス調整時にディスプレイ上で許容される画像のぼけの幅δD は、次式(1)のように定義される。
δD ={δe2+(dp ・MR 21/2 ・・・・・・・・・・・・(1)
つまり、最小プローブ径dp によって、この表示倍率MR では、これ以上鮮明な像はフォーカスを調整しても得られないので、このぼけの幅δD を許容値とすることができる。
【0024】
次に、ディスプレイ上のぼけ幅δD を、試料面上のプローブ径の許容値dに換算すると、次式(2)で表される。
d=δD /MR ={(δe /MR 2 +(dp )21/2 ・・・・(2)
フォーカス調整時には、試料面上で、このプローブ径の許容値dよりも充分小さな値でプローブ径が変化すれば、δe /MR に相当する値で変化しない場合でも、実質的にはプローブ径の許容値が得られることになる。したがって、1以下の値をもつ適当な係数C(0<C≦1)を用いて、次式(3)に示すプローブ径の変化dc でプローブ径が変化するようにすればよい。ここで、実用的にはC=0.1 〜0.5 などが選ばれる。
dc ={(δe /MR 2 +(C・dp )21/2 ・・・・・・・・(3)
【0025】
図4は、プローブ径変化の態様を本発明と従来例の場合を比較して示す図で、プローブ径が零に近くプローブ径を無視できる状態の場合は、フォーカスを僅かずらすだけでプローブ径が広がって行くので、フォーカスの変化がよくわかる。しかし、プローブ径が、ある程度の大きさがあり無視できない状態の場合は、従来の手法では、フォーカスの操作量を多くしても、ある径のプローブ径から変化して行くので、殆どプローブ径の変化が認識できないが、本発明においては、最小プローブ径に応じてフォーカス調整量を変化させるようにしているので、少ない操作量で短時間で合焦状態が得られる。
【0026】
上記のようにして得られたプローブ径の変化dc を、フォーカス位置の変化幅(作動距離の幅)Δw に換算するには、試料面に入射するプローブの開き角(半項角)αを用いて、次式(4)で求められる。
Δw =dc /2α ・・・・・・・・・・・・・(4)
【0027】
すなわち、最小プローブ径dp を考慮するときは、次式(5)で示すこれを考慮しないときのフォーカス位置の変化幅(作動距離の幅)δw の代わりに、前記フォーカス位置の変化幅をΔw を用いればよいことがわかる。
δw =(δe /MR )/2α ・・・・・・・・(5)
【0028】
このような作動距離の幅Δw からレンズ系の焦点距離fの変化を設定するには、次のようにして行えばよい。すなわち、フォーカス探査を行うレンズが対物レンズの場合、対物レンズ系としての物体距離をa,像距離をbとすると、その時点で設定されている対物レンズの焦点距離fは、次式(6)で表される。
f=ab/(a+b) ・・・・・・・・・・・(6)
したがって、作動距離をΔw だけを変化させた場合の焦点距離f1 は、次式(7)で求められる。
1 =a(b+Δw )/{a(b+Δw )} ・・・・・・・・・・(7)
よって、この焦点距離f1 に対応させて磁界型の対物レンズの場合には、励磁電流を調整させればよいことになる。
【0029】
上記焦点距離f,f1 に対応する励磁電流をそれぞれI,I1 〔A〕とすると、次式(8)で示すそれらの差分δIの範囲内で励磁電流がずれても、フォーカスのずれは認識できないことになる。
δI=|I1 −I| ・・・・・・・・・・・・(8)
【0030】
次に、焦点距離の調整のため対物レンズの励磁電流を調整した場合、応答の遅れにより理想的な磁場の応答から遅れて磁場が変化する。レンズの応答の遅れ時間をτ〔s〕とすると、この応答遅れ時間τの間に変化する対物レンズの励磁電流が、前記励磁電流の差分±δI程度又はそれ以下であれば、すなわち全体として2δI以下であれば、応答の遅れの補正は必要ないことがわかる。すなわち、励磁電流の変化の速度Sは、次式(9)で示される程度か、又はそれ以下にすればよい。
S=2δI/τ〔A/s〕 ・・・・・・・・・(9)
したがって、フォーカス探査時間をt〔s〕に設定すると、フォーカス探査範囲に対応する励磁電流の可変範囲ΔIを次式(10)で示す値又はそれ以下に設定すれば、応答の遅れの補正なしに合焦位置を検出できることになる。
ΔI=St〔A〕 ・・・・・・・・・・・・・(10)
この励磁電流の可変範囲ΔIに対応して、対物レンズの焦点距離の可変範囲Δfが定まり、また焦点距離の可変範囲Δfが合焦位置の探査範囲に対応する作動距離の幅ΔWDに対応することになる。
【0031】
上記動作説明では、フォーカス位置の変化幅(作動距離の幅)Δw を、プローブを集束するレンズ系を用いて段階的に設定するようにしたものを示したが、本発明はこれに限らず、作動距離の幅Δw の変化を、試料ステージ16の試料ステージ制御部17による上下方向の位置の変化によって実現するように構成してもよく、同様の効果が得られる。
【0032】
また、上記動作説明では、プローブ径の変化幅すなわち作動距離の幅Δw は、電子(粒子)プローブの開き角αを用いて求めるようにしたものを示したが、電子(粒子)プローブの開き角αを決める絞り径dAPに応じて、プローブ径の変化幅すなわち作動距離の幅Δw を求めるようにしてもよい。
【0033】
また、上記動作説明では、粒子源として電子銃を用い、電子銃の種類及び電子銃の動作条件により、電子銃の輝度βや電子銃から放される電子ビームのエネルギー幅ΔEを決めるようにしたものを示したが、電子銃の陰極の材質(W,La B6 など)をも考慮して電子銃の輝度βや電子ビームのエネルギー幅ΔEを算出するようにしてもよい。また更には、粒子源としてイオン源を用い、イオン源のタイプ(プラズマトロン型、電界脱離型、電界電離型)、イオン源の温度Tなどに応じて粒子源(イオン源)の輝度βやエネルギー幅ΔEを算出し設定するようにしてもよい。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、粒子線プローブの使用条件によって定まる最小プローブ径に応じて、フォーカス調整量を自動的に変えるようにしているので、任意の粒子線プローブの使用条件に対して、最小の操作量で最適なフォーカス状態を容易に得ることが可能となる。また本発明は、粒子線による走査像の表示倍率と粒子線の最小プローブ径に応じてフォーカス調整量を自動的に変えるようにしているので、任意の表示倍率と任意の粒子線プローブの使用条件に対して、最小の操作量で最適なフォーカス状態を容易に得ることが可能となる。また本発明によれば、荷電粒子線の加速電圧、あるいは荷電粒子線のプローブ電流に応じて、更には荷電粒子線源の種類、エミッション電流及び動作温度に基づき算出された粒子線源の輝度及び粒子線源のエネルギー幅に応じて、粒子線の最小プローブ径を算出するようにしているので、最小プローブ径の値を指定する必要もなく、フォーカス合わせ操作を簡単に行うことが可能となる。また本発明によれば、フォーカス調整量に基づき、フォーカス合わせの作動距離範囲又はフォーカス合わせに要する時間設定、該時間内で自動的にフォーカス合わせようにしているので、一定の時間内の合焦位置探査では最も広い範囲を探査でき、また一定の探査範囲の合焦位置探査では最小の時間で探査を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る粒子線装置におけるフォーカス調整方法を実施するための粒子線装置におけるフォーカス調整装置の構成例を示す概略ブロック構成図である。
【図2】 図1に示した構成例の電子銃部分の他の構成例を示す図である。
【図3】 図1に示した構成例における操作表示部、演算処理部の動作を説明するための説明図である。
【図4】 本発明と従来例におけるプローブ径の変化の態様を示す図である。
【符号の説明】
1 操作表示部
2 演算処理部
3 制御部
4 陰極
5 抑制電極
6 電子ビーム
7 陽極
8 集束レンズ系
9 対物絞り
10 走査・偏向系
11 非点収差補正系
12 対物レンズ系
13 2次電子検出器
14 試料
15 信号処理部
16 試料ステージ
17 試料ステージ制御部
18 加速電圧電源
19 陰極加熱電源
20 抑制電圧電源
21 集束レンズ電源
22 走査偏向系電源
23 非点収差補正系電源
24 対物レンズ系電源
31 抑制電極
32 引出電極
33 抑制電圧電源
34 引出電圧電源
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a focus adjustment method in a particle beam apparatus.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a particle beam device, especially a charged particle beam, is scanned over the sample surface to detect secondary rays such as X-rays and secondary electrons generated from the sample, observation of the sample surface shape, composition analysis, and state analysis. In particle beam devices such as scanning transmission electron microscopes, scanning electron microscopes, electron probe microanalyzers, Auger electron spectrometers, and ion microprobes, the particle beam is focused according to the vertical position of the sample surface. The focal length of the lens system is adjusted so that the particle beam is minimized on the sample surface to observe and analyze the micro area.
[0003]
By the way, when changing the focus state of the probe, such as minimizing the charged particle beam (particle probe) on the sample surface under a given condition, a scanning image obtained by scanning the charged particle beam on the sample surface. Adjustment is performed by changing the focal length of the lens or auxiliary lens that converges the electron beam or ion particle beam manually or automatically by observing the image or automatically processing the obtained scanning image signal. Has been.
[0004]
In the conventional particle beam apparatus, when the focus state is changed, when the observation magnification is low, the focus adjustment amount in one adjustment operation is increased, that is, the change in the focal length of the lens is increased. In addition, when the observation magnification is high, the focus adjustment amount is reduced by one adjustment operation. (1) Depending on the observation magnification, a dedicated knob for coarse adjustment or fine adjustment is provided for the focus adjustment amount. A method of using differently or switching between coarse adjustment and fine adjustment mechanisms, or (2) a method of automatically changing the focus adjustment amount in one adjustment operation in conjunction with the observation magnification is used.
[0005]
These methods are useful in order to keep the focus adjustment amount per time optimal even when having the function of automatically focusing. The prior art in which the method (2) is applied to a particle beam apparatus having an automatic focusing function has been proposed in Japanese Patent Application No. 11-144321.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, when the knobs with different focus adjustment amounts for one adjustment operation are arranged by the method of (1) above, the number of operation knobs is increased, and when the image is observed, which knob is which focus. It is necessary to check whether it corresponds to the adjustment amount, and there is a problem that the operation becomes complicated. Also, although there is only one focus knob, the number of times of switching is usually increased from two stages even when the focus adjustment amount for one focus adjustment operation is switched by automatic recognition such as a button switch or operation duration. However, since the number of steps is the limit, it is impossible to minimize the amount of focus adjustment.
[0007]
On the other hand, when the method (2) is used, even if the focus adjustment amount for one adjustment operation is the same, the minimum probe diameter varies depending on the acceleration voltage and probe current, so the observation magnification is relatively high. In a state where the minimum probe diameter is large, a change in focus is observed with a small focus adjustment operation. That is, when the probe diameter is thin, the focus change that can be recognized even with a small focus adjustment amount cannot be recognized when the probe diameter is increased, and it is difficult to confirm the in-focus position.
[0008]
The present invention has been made to solve the above-described problems in the conventional particle beam position focus adjustment method . The focus adjustment at the particle beam position is such that an optimum focus state can be easily obtained with a minimum operation amount. It aims to provide a method .
[0009]
[Means for Solving the Problems]
To solve the above problems, the invention provides a particle beam apparatus for detecting secondary lines by irradiating a particle beam finely focused electron or ion in a sample generated from the sample according to claim 1, the sample In a focus adjustment method in a particle beam apparatus having a focus adjustment means for adjusting a probe diameter of a particle beam irradiated on a surface, a minimum probe diameter of the particle beam probe determined by use conditions of the particle beam probe is calculated, Based on the minimum probe diameter, calculate the change width of the probe diameter of the particle beam for a predetermined focus adjustment operation, and based on the change width of the probe diameter, calculate the change width of the focus position in the particle beam probe, The focus adjustment amount of the focus adjustment operation by the focus adjustment unit is changed based on the change width of the focus position.
[0010]
Thus, in accordance with the minimum probe diameter determined by use conditions of the particle beam probe, since the focus adjustment amount to automatically change in response to one operation of the focus adjusting means, the use of any particle beam probe It is possible to easily obtain an optimum focus state with a minimum operation amount with respect to conditions.
[0011]
Particles The invention according to claim 2 is the particle beam device for detecting the secondary lines by irradiating a particle beam finely focused electron or ion in a sample generated from the sample, which is irradiated onto the sample surface In a focus adjustment method in a particle beam apparatus provided with a focus adjustment means for adjusting a probe diameter of a beam, a minimum probe diameter of the particle beam probe determined by a use condition of the particle beam probe is calculated, and a scanning image is displayed by the particle beam Based on the magnification and the minimum probe diameter, the change width of the probe diameter of the particle beam with respect to a predetermined focus adjustment operation is calculated. Based on the change width of the probe diameter, the change width of the focus position in the particle beam probe And the focus adjustment amount of the focus adjustment operation by the focus adjustment means is changed based on the change range of the focus position. It is intended.
[0012]
Thus, in accordance with the minimum probe diameter determined by use conditions of the display magnification and the particle beam probe of the scanning image, since to automatically vary the focus adjustment amount for a single operation of the focus adjusting means, optionally It is possible to easily obtain an optimum focus state with a minimum operation amount with respect to the display magnification and the use condition of an arbitrary particle beam probe.
[0013]
The invention according to claim 3, in the focus adjustment method in a particle beam apparatus according to claim 1 or 2, the minimum probe diameter of the particle beam, is configured so as to change according to the acceleration voltage of the particle sagittal it is intended, characterized in that there, also the invention according to claim 4 is the focus adjustment method in a particle beam apparatus also according to claim 1 or 2, the minimum probe diameter of the particle beam, the particle sagittal probe is intended, characterized in that it is configured to change in accordance with the current and the invention according to claim 5, in the focus adjustment method in a particle beam apparatus also according to claim 1 or 2, wherein the particle beam minimum probe diameter is configured to vary according to the energy width of a particle beam source of the type, intensity and particle beam of a particle beam source which is calculated on the basis of the emission current and the temperature of the And it is characterized in that is.
[0014]
Thus, the particle beam probe diameter is calculated based on the charged particle beam acceleration voltage or the charged particle probe current, and further based on the charged particle beam source type, emission current and temperature. since the change according to the energy width of the brightness and particle beam, there is no need to specify the value of the minimum probe diameter, it is possible to easily perform focusing operation.
[0015]
The invention according to claim 6, set in the focus adjustment method in a particle beam apparatus according to claims 1 to 5, the basis of the focus adjustment amount by the focus adjusting means, the working distance range or the time required for focusing the focusing and is intended, characterized in that intends row automatically focusing within said time, also the invention according to claim 7, in the focus adjustment method in a particle beam apparatus according to claim 1, wherein the focus The adjusting means is a control means for the focusing lens system and / or objective lens system, or a control means for the sample stage.
[0016]
By configuring as described above, the widest range can be searched for in-focus position search within a fixed time, and the in-focus position search within a fixed search range can be performed in the minimum time.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, embodiments will be described. Figure 1 is a schematic diagram illustrating an example of the structure of a focus adjusting apparatus in a particle beam apparatus for carrying out the focus adjustment method in a particle beam apparatus according to the present invention, primary analysis and observation portion of the particle beam apparatus is omitted Show. In FIG. 1, 1 is an operation display unit, 2 is an arithmetic processing unit, 3 is a control unit that controls each unit according to a control program, 4 is a cathode of a thermionic emission electron gun (particle beam source), 5 is a suppression electrode, 6 is an electron (particle) beam emitted from the cathode, 7 is an anode, 8 is a focusing lens system, 9 is an objective aperture, 10 is a scanning / deflection system for controlling the scanning / deflection amount of the electron (particle) probe, 11 is an astigmatism correction system, 12 is an objective lens system for finely converging the electron probe, and 13 is 2 for detecting secondary electrons (secondary particles) emitted from the sample 14 irradiated with the electron probe. A secondary electron (secondary particle) detector, 15 is a signal processing unit for processing a detection signal from the secondary electron detector 13 to generate a sample scanning image, and 16 is a sample stage driven by a sample stage control unit 17 And the recognition of the position of the sample stage 16 is a test. Although it made in the stage control unit 17, display or movement command recognition position is adapted to be made from the operation display unit 1.
[0018]
18 is an acceleration voltage power supply, 19 is a cathode heating power supply, 20 is a suppression voltage power supply, 21 is a focusing lens power supply, 22 is a scanning deflection system power supply, 23 is an astigmatism correction system power supply, and 24 is an objective lens system power supply. .
[0019]
In the configuration example shown in FIG. 1, a thermal electron emission type electron gun (particle beam source) is used. However, an electron gun (particle beam source) such as a field emission type or a Schottky emission type is used. When used, the configuration is as shown in FIG. In FIG. 2, 31 is a suppression electrode, 32 is an extraction electrode, 33 is a suppression voltage power source, and 34 is an extraction voltage power source.
[0020]
Next, the outline of the present invention will be described based on the operation of the above configuration example . As shown in FIG. 3, the operation display unit 1 includes an acceleration voltage Va setting means for the acceleration voltage power supply 18, an emission current Ie setting means for the suppression voltage power supply 20 (or an extraction voltage power supply 34), and a focusing lens power supply 21. setting means of the probe current Ip, setting means the display magnification M R by the scanning-deflection system 10 and the scanning deflection system power source 22, an objective lens system 12 and the objective lens system focusing means by the power supply 24, and the automatic focusing execution start button or the like Is arranged. In FIG. 3, reference numeral 1a denotes a display representing a working distance (WD) value indicating a distance between the sample and the objective lens, which is used as an index of the sample surface.
[0021]
Then, in the operation display unit 1, a predetermined condition value is set by each setting unit, and when an instruction to execute automatic focus is given, the condition set by each setting unit in the operation display unit 1 is calculated in the arithmetic processing unit 2. The minimum probe diameter dp is calculated in consideration of some or all of the above, and based on this, the probe diameter change width dc for one focus adjustment operation is calculated, and the focus position change width Δw is finally determined. To do. Based on this information, the control unit 3 controls the lens system and the scanning system, and the focus search is executed using a conventional appropriate focus search method.
[0022]
Next, the operation in the arithmetic processing unit 2 will be described in more detail. The type of electron gun (thermionic emission type, field emission type, Schottky emission type, etc.) is determined, and the acceleration voltage (voltage between the cathode 4 and the anode 7) Va, cathode temperature Te, emission current Ie, etc. When the operating conditions of the electron gun are determined, the brightness β of the electron gun and the energy width ΔE of the electron beam emitted from the electron gun are also determined. From the electron gun brightness β and the electron beam energy width ΔE, a minimum probe diameter dp for a specified acceleration voltage Va and probe current (electron current irradiated to the sample) Ip is obtained using a constant specific to the apparatus. be able to. This calculation method is well-known, and disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 1-2236563.
[0023]
With respect to the minimum probe diameter dp thus obtained, the display magnification on the display (operation display unit 1) for displaying the scanning image (secondary electron image) is M R , and the resolution of the human eye is δe (about Assuming that it is 0.2 mm, the blur width δ D of the image that is allowed on the display at the time of focus adjustment is defined as the following equation (1).
δ D = {δe 2 + (dp · M R ) 2 } 1/2 (1)
In other words, because of the minimum probe diameter dp, a sharper image cannot be obtained with this display magnification M R even if the focus is adjusted, and the blur width δ D can be set as an allowable value.
[0024]
Next, when the blur width δ D on the display is converted into an allowable value d of the probe diameter on the sample surface, it is expressed by the following equation (2).
d = δ D / M R = {(δ e / M R ) 2 + (d p) 2 } 1/2 (2)
During focus adjustment, on the sample surface, if the probe diameter is changed sufficiently smaller than the allowable value d of the probe diameter, even if no change in value corresponding to .delta.e / M R, is substantially the probe diameter An acceptable value will be obtained. Accordingly, the probe diameter may be changed by the probe diameter change dc shown in the following equation (3) using an appropriate coefficient C (0 <C ≦ 1) having a value of 1 or less. Here, C = 0.1 to 0.5 is selected practically.
dc = {(δe / M R ) 2 + (C · dp) 2 } 1/2 (3)
[0025]
FIG. 4 is a diagram showing how the probe diameter changes in comparison with the case of the present invention and the conventional example. When the probe diameter is close to zero and the probe diameter can be ignored, the probe diameter can be changed by slightly shifting the focus. As it spreads out, you can clearly see the change in focus. However, if the probe diameter is a certain size and cannot be ignored, the conventional method will change from a certain probe diameter even if the amount of focus operation is increased. Although the change cannot be recognized, in the present invention , since the focus adjustment amount is changed according to the minimum probe diameter, a focused state can be obtained in a short time with a small operation amount.
[0026]
In order to convert the change dc of the probe diameter obtained as described above into the change width (working distance width) Δw of the focus position, the open angle (half-term angle) α of the probe incident on the sample surface is used. Thus, it is obtained by the following equation (4).
Δw = dc / 2α (4)
[0027]
That is, when the minimum probe diameter dp is taken into consideration, the change width of the focus position is set to Δw instead of the change width (working distance width) δw of the focus position when this is not taken into consideration as shown in the following equation (5). It can be seen that it should be used.
δw = (δe / M R ) / 2α (5)
[0028]
In order to set the change in the focal length f of the lens system from such a working distance width Δw, the following operation may be performed. That is, when the objective lens is an objective lens for focus search, if the object distance as the objective lens system is a and the image distance is b, the focal length f of the objective lens set at that time is expressed by the following equation (6). It is represented by
f = ab / (a + b) (6)
Therefore, the focal length f 1 when the working distance is changed only by Δw is obtained by the following equation (7).
f 1 = a (b + Δw) / {a (b + Δw)} (7)
Therefore, in the case of a magnetic field type objective lens corresponding to this focal length f 1 , the excitation current may be adjusted.
[0029]
Assuming that the excitation currents corresponding to the focal lengths f and f 1 are I and I 1 [A], respectively, even if the excitation current is deviated within the range of the difference δI shown in the following equation (8), the focus deviation is not. It will not be recognized.
δI = | I 1 −I | (8)
[0030]
Next, when the excitation current of the objective lens is adjusted to adjust the focal length, the magnetic field changes with a delay in response from an ideal magnetic field response. When the delay time of the lens response is τ [s], if the excitation current of the objective lens that changes during the response delay time τ is about ± δI or less than the difference of the excitation current, that is, 2δI as a whole. If it is below, it will be understood that there is no need to correct the response delay. That is, the change rate S of the excitation current may be set to the level indicated by the following equation (9) or less.
S = 2δI / τ [A / s] (9)
Therefore, if the focus exploration time is set to t [s], if the excitation current variable range ΔI corresponding to the focus exploration range is set to a value represented by the following equation (10) or less, the response delay can be corrected. The in-focus position can be detected.
ΔI = St [A] (10)
Corresponding to this exciting current variable range ΔI, the focal length variable range Δf of the objective lens is determined, and the focal length variable range Δf corresponds to the working distance width ΔWD corresponding to the in-focus position search range. become.
[0031]
In the above description, the variation width (the width of the working distance) [Delta] w focus position, showed those to set stepwise by using a lens system for focusing the probe, the present invention is not limited to this, The change in the working distance width Δw may be realized by the change in the vertical position by the sample stage control unit 17 of the sample stage 16, and the same effect can be obtained.
[0032]
In the above description of the operation , the change width of the probe diameter, that is, the working distance width Δw is obtained by using the opening angle α of the electron (particle) probe. depending on the aperture diameter d AP to determine the alpha, may be obtained width Δw of the change width or the working distance of the probe diameter.
[0033]
In the above description of the operation , an electron gun is used as the particle source, and the brightness β of the electron gun and the energy width ΔE of the electron beam emitted from the electron gun are determined according to the type of the electron gun and the operation conditions of the electron gun. Although shown, the electron gun brightness β and the electron beam energy width ΔE may be calculated in consideration of the electron gun cathode material (W, La B 6, etc.). Still further, an ion source is used as the particle source, and the brightness β of the particle source (ion source) depends on the ion source type (plasmatron type, field desorption type, field ionization type), ion source temperature T, and the like. The energy width ΔE may be calculated and set.
[0034]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the focus adjustment amount is automatically changed according to the minimum probe diameter determined by the use conditions of the particle beam probe. On the other hand, it is possible to easily obtain an optimum focus state with a minimum operation amount. In the present invention, the focus adjustment amount is automatically changed according to the display magnification of the scanned image by the particle beam and the minimum probe diameter of the particle beam. On the other hand, it is possible to easily obtain an optimum focus state with a minimum operation amount. Further, according to the present invention, the brightness of the particle beam source calculated based on the acceleration voltage of the charged particle beam or the probe current of the charged particle beam, and further based on the type of the charged particle beam source, the emission current and the operating temperature, and Since the minimum probe diameter of the particle beam is calculated according to the energy width of the particle beam source, it is not necessary to specify the value of the minimum probe diameter, and the focusing operation can be easily performed. According to the invention, based on the focus adjustment amount, and set the working distance range or the time required for focusing the focusing, since the automatic focusing within said time so that intends row for a period of time In the in-focus position search, the widest range can be searched, and in the in-focus position search in a certain search range, the search can be performed in a minimum time.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic block diagram showing a configuration example of a focus adjustment device in a particle beam device for carrying out a focus adjustment method in the particle beam device according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing another configuration example of the electron gun portion of the configuration example shown in FIG. 1;
[3] operation display unit in the configuration example shown in FIG. 1 is an explanatory diagram for explaining the operation of the arithmetic processing unit.
FIG. 4 is a diagram showing how the probe diameter changes in the present invention and a conventional example.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Operation display part 2 Arithmetic processing part 3 Control part 4 Cathode 5 Suppression electrode 6 Electron beam 7 Anode 8 Focusing lens system 9 Objective aperture
10 Scanning / deflection system
11 Astigmatism correction system
12 Objective lens system
13 Secondary electron detector
14 samples
15 Signal processor
16 Sample stage
17 Sample stage controller
18 Accelerating voltage power supply
19 Cathode heating power supply
20 Suppressed voltage power supply
21 Focusing lens power supply
22 Scanning deflection power supply
23 Astigmatism correction power supply
24 Objective lens system power supply
31 Suppression electrode
32 Extraction electrode
33 Suppressed voltage power supply
34 Extraction voltage power supply

Claims (7)

細く絞った電子やイオンの粒子線を試料に照射して試料から発生する2次線を検出する粒子線装置であって、試料面上に照射される粒子線のプローブ径を調整するフォーカス調整手段を備えた粒子線装置におけるフォーカス調整方法において、
該粒子線プローブの使用条件によって定まる粒子線プローブの最小プローブ径を算出し、該最小プローブ径に基づいて、所定のフォーカス調整操作に対する該粒子線のプローブ径の変化幅を算出し、該プローブ径の変化幅に基づいて、該粒子線プローブにおけるフォーカス位置の変化幅を算出し、該フォーカス位置の変化幅に基づいて、フォーカス調整手段によるフォーカス調整操作のフォーカス調整量を変化させることを特徴とする粒子線装置におけるフォーカス調整方法。
A thin squeezed particle beams, electrons or ions in a particle beam device for detecting secondary lines by irradiating the sample generated from the sample, focus adjustment for adjusting the probe diameter of the particle beam to be irradiated onto the sample surface In a focus adjustment method in a particle beam apparatus comprising means,
The minimum probe diameter of the particle beam probe determined by the use conditions of the particle beam probe is calculated, and based on the minimum probe diameter, the change width of the probe diameter of the particle beam with respect to a predetermined focus adjustment operation is calculated, and the probe diameter The focus position change width of the particle beam probe is calculated based on the change width of the focus position, and the focus adjustment amount of the focus adjustment operation by the focus adjustment unit is changed based on the focus position change width. Focus adjustment method in particle beam apparatus.
細く絞った電子やイオンの粒子線を試料に照射して試料から発生する2次線を検出する粒子線装置であって、試料面上に照射される粒子線のプローブ径を調整するフォーカス調整手段を備えた粒子線装置におけるフォーカス調整方法において、
該粒子線プローブの使用条件によって定まる粒子線プローブの最小プローブ径を算出し、該粒子線による走査像の表示倍率と該最小プローブ径とに基づいて、所定のフォーカス調整操作に対する該粒子線のプローブ径の変化幅を算出し、該プローブ径の変化幅に基づいて、該粒子線プローブにおけるフォーカス位置の変化幅を算出し、該フォーカス位置の変化幅に基づいて、フォーカス調整手段によるフォーカス調整操作のフォーカス調整量を変化させることを特徴とする粒子線装置におけるフォーカス調整方法。
A thin squeezed particle beams, electrons or ions in a particle beam device for detecting secondary lines by irradiating the sample generated from the sample, focus adjustment for adjusting the probe diameter of the particle beam to be irradiated onto the sample surface In a focus adjustment method in a particle beam apparatus comprising means,
The minimum probe diameter of the particle beam probe determined by the use conditions of the particle beam probe is calculated, and the particle beam probe for a predetermined focus adjustment operation is calculated based on the display magnification of the scanned image by the particle beam and the minimum probe diameter. The change width of the diameter is calculated, the change width of the focus position in the particle beam probe is calculated based on the change width of the probe diameter, and the focus adjustment operation by the focus adjustment unit is calculated based on the change width of the focus position. A focus adjustment method in a particle beam apparatus, characterized by changing a focus adjustment amount.
前記粒子線の最小プローブ径は、粒子線の加速電圧に応じて変化するように構成されていることを特徴とする請求項1又は2に係る粒子線装置におけるフォーカス調整方法。  The focus adjustment method in the particle beam apparatus according to claim 1, wherein the minimum probe diameter of the particle beam is configured to change according to an acceleration voltage of the particle beam. 前記粒子線の最小プローブ径は、粒子線のプローブ電流に応じて変化するように構成されていることを特徴とする請求項1又は2に係る粒子線装置におけるフォーカス調整方法。  The focus adjustment method in the particle beam apparatus according to claim 1, wherein the minimum probe diameter of the particle beam is configured to change according to a probe current of the particle beam. 前記粒子線の最小プローブ径は、粒子線源の種類、エミッション電流及び温度に基づき算出された粒子線源の輝度及び粒子線のエネルギー幅に応じて変化するように構成されていることを特徴とする請求項1又は2に係る粒子線装置におけるフォーカス調整方法。  The minimum probe diameter of the particle beam is configured to change according to the brightness of the particle beam source and the energy width of the particle beam calculated based on the type of the particle beam source, the emission current, and the temperature. A focus adjusting method in the particle beam device according to claim 1 or 2. 前記フォーカス調整手段によるフォーカス調整量に基づき、フォーカス合わせの作動距離範囲又はフォーカス合わせに要する時間設定、該時間内で自動的にフォーカス合わせことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に係る粒子線装置におけるフォーカス調整方法。Based on the focus adjustment amount by the focus adjusting means, to set the working distance range or the time required for focusing the focusing of the preceding claims, characterized in that intends row automatically focusing within said time The focus adjustment method in the particle beam apparatus which concerns on any one item. 前記フォーカス調整手段は、集束レンズ系及び又は対物レンズ系の制御手段、又は試料ステージの制御手段であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に係る粒子線装置におけるフォーカス調整方法。  The focus adjustment method in the particle beam apparatus according to claim 1, wherein the focus adjustment unit is a control unit for a focusing lens system and / or an objective lens system, or a control unit for a sample stage. .
JP2001114711A 2001-04-13 2001-04-13 Focus adjustment method in particle beam apparatus Expired - Fee Related JP4163393B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001114711A JP4163393B2 (en) 2001-04-13 2001-04-13 Focus adjustment method in particle beam apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001114711A JP4163393B2 (en) 2001-04-13 2001-04-13 Focus adjustment method in particle beam apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002313272A JP2002313272A (en) 2002-10-25
JP4163393B2 true JP4163393B2 (en) 2008-10-08

Family

ID=18965727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001114711A Expired - Fee Related JP4163393B2 (en) 2001-04-13 2001-04-13 Focus adjustment method in particle beam apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4163393B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002313272A (en) 2002-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6740877B2 (en) Scanning electron microscope and sample observation method using the same
KR100523229B1 (en) Electron beam apparatus
KR960026057A (en) Scanning electron microscope and sample observation method using the same
JP2007184139A (en) Scanning electron microscope equipped with monochromator
JPH11213934A (en) Method for observing secondary ion image formed by focused ion beam
US6653632B2 (en) Scanning-type instrument utilizing charged-particle beam and method of controlling same
JP2000048756A (en) Charged particle beam optical system adjusting method and its device
JP4163393B2 (en) Focus adjustment method in particle beam apparatus
JP4896626B2 (en) Scanning electron microscope
JP4752138B2 (en) Charged particle beam adjustment method and charged particle beam apparatus
US9859092B2 (en) Particle beam microscope and method for operating a particle beam microscope
JP3429988B2 (en) Scanning electron microscope
JP4146103B2 (en) Electron beam apparatus equipped with a field emission electron gun
JPH08255589A (en) Scanning electron microscope
JP2000208089A (en) Electron microscope device
JP2000304712A (en) Electron beam analyzing and observing apparatus and electron beam microanalyzer
JP2000077018A (en) Focusing device of scanning electron microscope
JPH1196954A (en) Scanning electron microscope
JP3114416B2 (en) Focusing method in charged particle beam device
JPH0696710A (en) Electron microscope provided with automatic focusing function
JPH07161327A (en) Focusing method in charged particle beam
JP2023134357A (en) Charged particle beam device and method of controlling charged particle beam device
JP2000268766A (en) Electron microscope with energy filter
JPH04522Y2 (en)
JPH08306331A (en) Charged particle beam irradiation device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050614

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070904

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071101

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080122

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080214

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080722

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080724

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4163393

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120801

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120801

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130801

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130801

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees