JP4161897B2 - 光導波路素子の位相差調整方法 - Google Patents

光導波路素子の位相差調整方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4161897B2
JP4161897B2 JP2003420580A JP2003420580A JP4161897B2 JP 4161897 B2 JP4161897 B2 JP 4161897B2 JP 2003420580 A JP2003420580 A JP 2003420580A JP 2003420580 A JP2003420580 A JP 2003420580A JP 4161897 B2 JP4161897 B2 JP 4161897B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical waveguide
phase difference
mach
optical
refractive index
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003420580A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005181583A (ja
Inventor
彰 寺島
宏 森
奈織美 玉川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP2003420580A priority Critical patent/JP4161897B2/ja
Publication of JP2005181583A publication Critical patent/JP2005181583A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4161897B2 publication Critical patent/JP4161897B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Description

本発明は、マッハツェンダー型干渉計を構成する光導波路を備え光通信あるいは光情報処理分野で用いられる光導波路素子(光導波回路)に係り、特に、高精度かつ恒久的に位相差を調整できる光導波路素子の位相差調整方法に関するものである。
近年、電気光学効果ないし熱光学効果を有する結晶質基板上に形成した光導波路によって構成される光導波回路の研究開発が盛んに行われている。特に、マッハツェンダー型干渉計のように2光束(両アーム)の光干渉を用いて、光出力を調整する光強度変調器、光可変光減衰器が実用化されている。
以下、ニオブ酸リチウムで作製した偏波無依存型の光可変光減衰器を例に挙げて具体的に説明する。
まず、図3に示ように基板結晶のX軸を法線に持つニオブ酸リチウム基板11にTiを拡散させてZ軸に平行な光導波路を形成しマッハツェンダー型干渉計31を構成する。更に、金属蒸着膜によって正電極15をマッハツェンダー型干渉計31内の両アーム13、14側部に附加すると共に、両アーム13、14内に負電極16を附加する。
そして、上記電極15、16に電圧を印加すると、電気光学効果により二つのアーム13、14で屈折率が変化する。この屈折率変化をΔnとすると、
Figure 0004161897
と表される。ここで数式(1)中、Γは光波と電場の重なりを示すパラメータ、Vは印加電圧、dは電極間距離、nは屈折率、rは電気光学定数である。また、二つのアーム13、14では電場の向きが逆であるため、入力ポート12から入射した光がアームに差し掛かると位相差が生じ、両アーム間の作り込まれた位相差をδ0とすると、
Figure 0004161897
と表される。数式(2)で入力パワーおよび出力パワーをそれぞれPinput、Poutputとする。出力側のY分岐における二つのアーム13、14間の位相差δは、電極の長さ(位相差の生じる区間の長さ)をlとすると数式(1)の屈折率差Δnを用いて次のように表される。
Figure 0004161897
数式(1)で分かる通り、Eが増加すると比例してΔnもrの符号によって増加または減少し、δも増加または減少する。そのため、数式(2)における出力パワーPoutputの増減を電圧Vの増減によって制御することが可能である。理想的に二つのアーム長lが対称であるようなマッハツェンダー型干渉計では、図4に示すように印加電圧が0V(0ボルト)のとき、出力光強度は最大値をとり、徐々に電圧を上げていくと、出力光強度は徐々に減少し最小値をとる。
これまでのニオブ酸リチウムに代表される電気光学効果を用いた光導波路型の変調器では、光導波回路の作製プロセス誤差によって、駆動電圧を印加していない状態でのマッハツェンダー型干渉計の両アーム間の位相差を一定にできない問題があり、その結果以下のような不具合が発生する。
X軸を法線に持つニオブ酸リチウム基板表面にZ軸に平行な光導波路を形成したマッハツェンダー型干渉計においては、電気光学定数rは入射する偏光により作用する係数が異なる。基板表面に平行な振動電場を持つ偏光モードはTEモードと呼ばれ、基板表面に垂直な振動電場を持つ偏光モードはTMモードと呼ばれる。TEの入射偏光に対しては電気光学係数r12、TMモードの偏光に対しては電気光学係数r22が作用する。r12とr22は同じ絶対値であるが符号が逆である、すなわち、
Figure 0004161897
である。
ここでTE,TMモード各々の電圧−光出力特性を個別に表すと、
Figure 0004161897
となる。TMモードについては、正の印加電圧領域だけで見れば、電圧印加によって生じる位相差δは数式(3)から、TEモードの偏光とTMモードの偏光では見掛け上符号が反対で大きさが同一のように見える。
図5はアーム長lが非対称な場合の電圧−光出力特性を示す。アーム長lが非対称である理想的でない場合は、印加電圧が0V(0ボルト)のときに出力光強度は最大とならないばかりでなく、TEモードが入射した場合とTMモードが入射した場合では印加電圧に対する出力光強度の変化が異なってくる。具体的には、0V(0ボルト)付近で現れる光出力極大が逆方向にシフトする。このため、ある印加電圧において、入射光の偏光が変化すると出力光強度が変化するという問題がある。図5に示すように、ある印加電圧でのTE、TM両モードの出力の差は変調器素子のPDL(Polarization Dependent Loss:偏波依存損失)をもたらす。偏波依存損失は、光ファイバー通信系内に位置する光部品おいて、受信側でのパワー変動につながるため抑制する必要がある。
作製プロセスのばらつきから生じる光路長誤差を調整する方法として、従来、光導波路の実効屈折率を恒久的に変化させる方法が報告されている。その例として、干渉計の分岐導波路の一方に動作点調整用の膜を装荷し、この膜の長さを調節する方法、あるいは、光導波路上に配置したヒータに直流電流を流すことにより局所的に高温加熱する方法がある(特許文献1参照)。
また、特許文献2においては、マッハツェンダー型干渉計の分岐導波路の一部に、基板材料よりも高屈折率の材料からなる膜体を形成、この膜厚を導波光波長の1/4以下とすることが報告されている。
更に、特許文献3においてはニオブ酸リチウム結晶を基板とする導波路素子において、SiO2バッファー層の一部に開口部分を作り、ここにシアノアクリレート系高分子接着剤を塗布することによる位相差調整の方法が報告されている。
しかし、特許文献1〜3に記載された方法の多くはPLC(Planar Lightwave Circuit)と呼ばれる、平面基板上にSiO2を主成分とする石英系ガラスから成る石英導波路を形成する方法に適用されたものである。このPLC導波路素子は光導波路直上にヒータを附加し、熱光学効果により光導波路の実効屈折率若しくは干渉計の位相差を制御することによって駆動する光導波路素子である。一方、電気光学効果を利用した光導波路素子の場合は電流がほとんど流れることなく電圧のみの駆動であるため素子駆動の電力が1mW以下であることが特徴である。従って、出力5W程度のヒータを附加することは低消費電力という特徴が生かせず現実的ではない。
また、特許文献1に述べられている動作点調整用の膜を装荷しこの膜の長さを調整する方法では、実際にはレーザ照射によるトリミング、すなわち、膜物質の過熱蒸発によっている。従って、この方法では、装荷された膜と同時に導波路基板材料が損傷を受けて光伝播損失が増大する恐れがある。
同様に、特許文献2においても、膜体の長さを調節する方法としてYAGレーザ照射によるトリミングがなされており、膜体と同時に導波路基板材料が損傷を受けて光伝播損失が増大する恐れがある。
また、特許文献3に記載の方法では、微量の位相差を調節するためには付加すべきシアノアクリレート系高分子接着剤等の塗布量を極めて正確に塗布できなければならない。しかし、特許文献3においては、その塗布方法は記述されておらずこの報告に基づいて結果を再現することは出来ない。
特開平04−337707号公報(請求項1、2、段落番号0023) 特開2001−100163号公報(請求項1、段落番号0028) 特開平07−028006号公報(請求項6、段落番号0035、0036)
本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、従来技術の欠点が克服された光導波路素子の位相差調整方法を提供することにある。
そこで、このような課題を解決するため本発明者等が鋭意研究を継続した結果、以下に述べるような現象に着目して本発明を完成するに至っている。すなわち、本発明者等は光導波路から直上の物質に僅かながら光が染み出していることに着目し、光回路素子を構成する光導波路そのものの屈折率を変化させるのではなく、光導波路の直上にある物質の屈折率を変化させ、これにより導波路を伝搬する光波に対する実効的な屈折率が変化することを利用して本発明に係る位相差調整法を見出したものである。
すなわち、請求項1に係る発明は、
結晶質基板と、この基板上に設けられた入力用並びに出力用チャネル光導波路と、これ等入出力用チャネル光導波路間に設けられかつマッハツェンダー型干渉計を構成する光導波路とを備える光導波路素子の位相差調整方法を前提とし、
上記マッハツェンダー型干渉計における少なくとも一方のアームを構成する光導波路の直上を含む領域に、この光導波路を形成する物質よりその屈折率が低い液状の透明樹脂にて構成されかつ塗布後の形態が10マイクロメーターから200マイクロメーターの直径を有する円形状若しくはドーム状の液滴を一個ずつ分割して光導波路に沿って塗布し、これにより上記光導波路の実効屈折率が異なる領域を生じさせてマッハツェンダー型干渉計の位相差を調整することを特徴とする。
また、請求項2に係る発明は、
請求項1記載の発明に係る光導波路素子の位相差調整方法を前提とし、
屈折率が1以上2.2以下、25℃における粘性が50mPa・s以上1000mPa・s以下である液状の樹脂材料により上記透明樹脂が構成されていることを特徴とし、
請求項3に係る発明は、
請求項1記載の発明に係る光導波路素子の位相差調整方法を前提とし、
ニオブ酸リチウム若しくはタンタル酸リチウムにより上記結晶質基板が構成されていることを特徴とするものである。
本発明に係る光導波路素子の位相差調整方法は、マッハツェンダー型干渉計における少なくとも一方のアームを構成する光導波路の直上を含む領域に、この光導波路を形成する物質よりその屈折率が低い液状の透明樹脂にて構成されかつ塗布後の形態が10マイクロメーターから200マイクロメーターの直径を有する円形状若しくはドーム状の液滴を一個ずつ分割して光導波路に沿って塗布し、これにより上記光導波路の実効屈折率が異なる領域を生じさせてマッハツェンダー型干渉計の位相差を調整することを特徴とする。
従って、この位相差調整方法によれば、簡易な方法で、特性の極めて高く、歩留まりのよい可変光減衰器等の光導波路素子を実現できるため、波長多重通信システムに必要な、高機能な光導波路素子を安価に歩留まりよく提供することが可能となる。
以下、本発明を具体的に説明する。
図1はニオブ酸リチウム基板上に光導波路型マッハツェンダー干渉計を形成した強度変調器の概略構成を示している。すなわち、結晶のX軸方位でカットされたニオブ酸リチウム基板11に、この結晶のZ軸方向に光を伝搬させるようにTi蒸着およびTi拡散によって光導波路の下部アーム部13および上部アーム部14を形成した。ここで、マッハツェンダー型干渉計の2つのアーム13、14は等しい長さに設計されており、マッハツェンダー型干渉計に印加する電圧が0ボルトのとき、素子出力ポート17から出射する光の強度が最大となることを目標としている。
更に、電極間ギャップを28μm(マイクロメーター)として上記アーム(光導波路)13、14並びに上記ニオブ酸リチウム基板11のX軸に対し垂直な電場を印加するように長さ30mmのマッハツェンダー型干渉計正電極15および干渉計負電極16をTi金属およびAu金属にて形成した。
そして、図1に示す素子の入力ポート12から波長1.55μm用シングルモードファイバーを用いて、波長1.55μmの光を入力ポート12においてTEモード偏光となるように入射させた。その結果、上記干渉計正電極15および干渉計負電極16の印加電圧を0から36ボルトに掃引したとき、図5に示した例と類似して、素子出力ポート17から出射する光出力の極大値を与える電圧は1.2ボルトとなり、電圧が0ボルトで最大とはならなかった。このずれを電圧と光出力の関係における位相のシフト量であらわすと0.21ラジアン(rad)であった。
ここで、その屈折率が1.4で、粘性係数が250mPa・sであるアクリル系の紫外線硬化樹脂を、圧電素子を利用して内径100μmのノズルから上部アーム部14における出力側テーパー部分18に滴下した。滴下されたアクリル系の紫外線硬化樹脂は直径120μmのドーム型形状を有する液滴となり、出力側テーパー部分18に塗布を60μmの長さづつ塗布した。
そして、塗布を5回行った結果、光導波路直上の塗布領域の長さが増加するに従い、図2のグラフ図において黒丸で示すように位相シフトが徐々に減少し、塗布5回目、すなわち、60μm×5=3mmの長さに亘り塗布した段階で位相シフトが−0.03ラジアンとなった。
他方、上記塗布試験の後、塗布した未硬化の樹脂を上部アーム部14から除去し、上記紫外線硬化樹脂を下部アーム部13における出力側テーパー部分19に60μmの長さづつ塗布領域を増加させた結果、上記の塗布結果とは反対に、図2のグラフ図において白丸で示すように、位相シフトが徐々に増加し、塗布5回目、すなわち、60μm×5=3mmの長さに亘り塗布した段階で位相シフトがほぼ0.39ラジアンとなった。ここで、図2のグラフ図にプロットした位相シフト量を得るため、図5のような電圧−光出力の値を上記数式(5)にフィティングしてVπおよび位相シフトδTEを決めるという方法を採
用した。
この結果から、光導波路の直上に紫外線硬化型樹脂等液状の透明樹脂を約3mmの長さにわたり塗布することにより、位相シフトを約±0.2ラジアン(すなわち、上部アーム部14における出力側テーパー部分18では「−0.03ラジアン−0.21ラジアン=−0.24ラジアン」、下部アーム部13における出力側テーパー部分19では「0.39ラジアン−0.21ラジアン=+0.18ラジアン」)に亘って制御できることが確認された。このことから、1mmあたり約±0.07ラジアンの位相シフトを調整できることになる。
尚、滴下される透明樹脂の直径は小さいほど精密な位相調整が可能になるが、直径が120μmと比較的大きくても、対象となる光導波路素子が乗せられたステージを10μmづつ移動させ、塗布を繰り返した場合、実質的に10μmの分解能で透明樹脂の塗布面積を増やすことができる。すなわち、一滴下あたり約±0.0007ラジアンの高精度で位相の制御が可能となる。
一方、液滴の厚みムラの影響は、導波路を伝搬する光が導波路基板から上部へ染み出している大きさが0.5μm以下であることから、液滴の半径がそれを大きく上回っていれば、液滴における大きさのばらつきは無視できる。尚、上記液状の透明樹脂は、必要とする塗布量が決定された後に硬化される。この場合、液状の透明樹脂が紫外線硬化型樹脂で構成されている場合、紫外線の照射によって硬化収縮を起こすが、この対策として硬化後の収縮率が10%以下である材料を選択すれば、硬化後の位相ズレはほとんど抑制することができる。更に、硬化に伴う樹脂自身の屈折率変化による影響に関しても、例えば、「塗布/硬化」の工程を2工程に分けることにより抑制することが可能である。すなわち、第一工程では上記液状の透明樹脂を目標とする位相補正量に相当する長さの例えば90%まで塗布した後に硬化させる。次に、ここまでで達せられる位相値を確認した後、第二工程で残りの位相値分を塗布、硬化させる方法である。尚、これら液状透明樹脂の塗布によって光導波路の損失が増加しないことも確認されている。
そして、本発明に係る位相差調整方法を用いて上述した偏波無依存型の可変光減衰器に対し位相調整を行ったところ、10dB減衰時のPDL(偏波依存損失)は5dBであったが1.5dBに減少し、20dB減衰時のPDLは12.3dBから2.1dBに減少した。
尚、X−方位結晶上でZ−方位伝播の変調器を例に挙げて本発明を説明したが、本発明はこの方位および変調器に当然のことながら限定されるものではない。
また、図1のマッハツェンダー型干渉計における入力側と出力側の両方ないし片方のY−分岐を方向性結合器型3dBカプラーで置き換えた干渉型素子(バランストブリッジ型変調器とも呼ばれる)においても本発明が有効であることは明らかである。
また、液状の透明樹脂で構成される液滴が塗布される領域として、上述した説明では上部アーム部14および下部アーム部13の各出力側テーパー部分18、19が例示されているが、入力側のテーパー部分に塗布しても同様の効果が得られ、かつ、電極15、16に挟まれたテーパーの付かない領域に塗布しても同様である。
また、液状の透明樹脂として紫外線硬化型樹脂が適用されているが熱硬化型樹脂等の適用も可能である。
本発明に係る光導波路素子の位相差調整方法を説明するための説明図。 本発明に係る光導波路素子の位相差調整方法において液滴の塗布回数と位相シフト量との関係を示すグラフ図。 マッハツェンダー型干渉計を構成する光導波路を備える光導波路素子の説明図。 マッハツェンダー型干渉計を構成する光導波路を備える光導波路素子(光導波路型マッハツェンダー干渉計)における印加電圧と光出力との関係を示すグラフ図。 アーム間に作り込まれた位相差が存在する場合の光導波路型マッハツェンダー干渉計における印加電圧と光出力との関係を示すグラフ図。
符号の説明
11 ニオブ酸リチウム基板(結晶質基板)
12 入力ポート
13 下部アーム
14 上部アーム
15 正電極
16 負電極
17 出力ポート
18 上部アームの出力側テーパー部分
19 下部アームの出力側テーパー部分

Claims (3)

  1. 結晶質基板と、この基板上に設けられた入力用並びに出力用チャネル光導波路と、これ等入出力用チャネル光導波路間に設けられかつマッハツェンダー型干渉計を構成する光導波路とを備える光導波路素子の位相差調整方法において、
    上記マッハツェンダー型干渉計における少なくとも一方のアームを構成する光導波路の直上を含む領域に、この光導波路を形成する物質よりその屈折率が低い液状の透明樹脂にて構成されかつ塗布後の形態が10マイクロメーターから200マイクロメーターの直径を有する円形状若しくはドーム状の液滴を一個ずつ分割して光導波路に沿って塗布し、これにより上記光導波路の実効屈折率が異なる領域を生じさせてマッハツェンダー型干渉計の位相差を調整することを特徴とする光導波路素子の位相差調整方法。
  2. 屈折率が1以上2.2以下、25℃における粘性が50mPa・s以上1000mPa・s以下である液状の樹脂材料により上記透明樹脂が構成されていることを特徴とする請求項1記載の光導波路素子の位相差調整方法。
  3. ニオブ酸リチウム若しくはタンタル酸リチウムにより上記結晶質基板が構成されていることを特徴とする請求項1記載の光導波路素子の位相差調整方法。

JP2003420580A 2003-12-18 2003-12-18 光導波路素子の位相差調整方法 Expired - Fee Related JP4161897B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003420580A JP4161897B2 (ja) 2003-12-18 2003-12-18 光導波路素子の位相差調整方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003420580A JP4161897B2 (ja) 2003-12-18 2003-12-18 光導波路素子の位相差調整方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005181583A JP2005181583A (ja) 2005-07-07
JP4161897B2 true JP4161897B2 (ja) 2008-10-08

Family

ID=34782063

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003420580A Expired - Fee Related JP4161897B2 (ja) 2003-12-18 2003-12-18 光導波路素子の位相差調整方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4161897B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014020669A1 (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光受信回路
GB201219116D0 (en) 2012-10-24 2012-12-05 Oclaro Technology Plc Optical modulator
CN115508627A (zh) * 2022-09-26 2022-12-23 重庆大学 基于狭缝跑道型微环的硅基波导电场传感芯片及测量方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005181583A (ja) 2005-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4984861A (en) Low-loss proton exchanged waveguides for active integrated optic devices and method of making same
US7502530B2 (en) Optical waveguide devices and traveling wave type optical modulators
US20160109734A1 (en) Electro-optic phase modulator and modulation method
EP1795946A1 (en) Optically functional device
JP2009053499A (ja) 光変調器および光変調モジュール
JPWO2010082673A1 (ja) 分岐型光導波路、光導波路基板および光変調器
JP4691428B2 (ja) 光変調器
JP4161897B2 (ja) 光導波路素子の位相差調整方法
US7088874B2 (en) Electro-optic devices, including modulators and switches
JP4544474B2 (ja) 光変調器
US20140307994A1 (en) Electro-optic modulator having large bandwidth
US6268949B1 (en) Optical intensity modulator and fabrication method using an optical waveguide having an arc shaped path
JP2009086336A (ja) 光導波路型デバイス
US20070081755A1 (en) Optical modulator
US8315496B2 (en) Optical element
JPH0728006A (ja) 光学バイアス調整方法及び導波路型光変調デバイス並びに導波光への位相差付与方法
US20180284351A1 (en) Optical waveguide device
JP2008009314A (ja) 光導波路素子、光変調器および光通信装置
JP2009301023A (ja) 光変調器
JP2006215159A (ja) 光導波路素子の位相差調整方法
JP4671335B2 (ja) 導波路型光デバイス
Tripathi et al. Liquid Crystal Based Inverted Rib Waveguide
JP3735685B2 (ja) 集積型光導波路素子
KR100248428B1 (ko) 전기 광학 폴리머를 이용한 편광 조절기 제조방법
JP5087043B2 (ja) 電気光学素子及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060110

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080620

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080701

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080714

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees