JP4159004B2 - ガス回収方法 - Google Patents
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Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、特殊材料ガスを用いた製造プロセスにおける排気ガスの回収・再利用に好適なガス回収方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
特殊材料ガスを用いた種々のプロセスにおいて、排気ガス成分のうち、ラジカル等の、反応が未反応の成分或いは反応が完全でない排気ガス成分が排気ライン内表面に付着・堆積するという問題があり、現在、定期的なメンテナンスが必要となっている。
【0003】
排気ガス処理装置として従来使用されていた方式としては、乾式、湿式、燃焼式の除外装置がある。
【0004】
燃焼式の除外装置では可燃性ガスを燃焼させて除外し、その後、水に接触させて溶解するものは溶解させる。湿式の除外装置では水によって溶解されるガスを除外する。しかし、この2つの方法では、その溶液の処理も行う必要があり、また、燃焼させてしまっては、資源の再利用は全くできない。
【0005】
乾式の除外装置では、吸着材をもちいて、有害なガスを吸着させて除外を行う。この場合も、吸着材の処理を行う必要がある。
【0006】
また、これら回収方法が確立されていないばかりか、真空排気方法にも排気ガスがポンプ内を逆拡散し、再びプロセス空間に戻ってしまうという問題がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、製造プロセスにおける排気ガス成分を冷却・液化し回収することで再利用を可能とし、有毒、有益なガスを廃棄することなく使用できるようにすることを目的する。また、この回収方法を真空排気系と合わせることにより、排気システムのメンテナンス頻度を激減させることも目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、堆積の原因となる未反応、或いは完全に反応していない排気ガス成分を吸着、分解させ、ガスとすることで堆積の発生が抑制され、更にガスを冷却することで液化し、液体の状態で有害、有益なガスの回収が行えることを見出した。すなわち、本発明のガス回収方法は、チャンバの排気ライン下流に配された、チャンバからの排気ガス中の排気ガス成分であるCF4、C2F6、C2F4、C3F8、C3F6、C4F8、SiF4 、SiHCl3、SiH2Cl 2 、のうち少なくとも一つを吸着させるための吸着塔又は直接分解させるための反応塔と、該排気ガス成分と反応し得るガスF2あるいはCl2を該チャンバの排気ラインと該吸着塔又は反応塔との間から該吸着塔又は反応塔の上流に導入するための手段と、該吸着塔又は反応塔からの排気ガスを液化回収させるための冷却塔と、該冷却塔からの排気ガス中の一酸化炭素を完全酸化させるための反応塔とを有し、前記チャンバと冷却塔の間の一部或いは全ての内表面を加熱することをすることを特徴とするガス回収方法である。
【0009】
また、本発明者らは、排気ラインの適当な箇所よりガスを適量流すことにより、排気ガスの逆拡散が抑制されることを見出した。すなわち、本発明は、ガスを導入するための手段、ガスを排出するための真空排気装置、真空を保持するためのチャンバからなる真空装置において、チャンバ内に常に何らかのガスを流し続けていることを特徴とする真空排気方法、及び真空排気ポンプとチャンバの間に、ガスを導入するための手段を設けたことを特徴とするガス回収方法であることを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について述べる。
<ガス回収装置>
本発明のガス回収方法の概要を、図1に示される実施例中のガス回収装置を例に用いて説明する。
【0011】
図中に示されるように本発明のガス回収方法はプロセスチャンバの排気ラインの下流に配された、排気ガス成分の吸着・反応塔、排気ガス成分を液化回収させるための冷却塔で
構成される。
【0012】
尚、図1の例は真空プロセスであるが、本発明のガス回収装置は常圧においても適用で
きる。
【0013】
本発明のガス回収方法の概要は以下の通りである。プロセスチャンバから排気された排気ガスは排気ラインを通り排気ガス成分の吸着塔・反応塔に導入される。
【0014】
吸着塔・反応塔に導入される際、排気ライン上流側よりに反応ガスが添加される。反応
ガスは本発明が適用されるプロセスにより異なるが、例えば、F2、Cl2等が挙げられる
。反応ガスは、連続的に流しても良いし、間欠的でも良い。
【0015】
反応ガスの流量はガスの種類によっても異なるが、10〜600cc/minが好まし
く20〜400cc/minがより好ましい。
【0016】
吸着塔・反応塔を図2に示す。吸着塔・反応塔については構造は同じであり、筒上の筺体に、パンチングプレートを数段重ねたもの、若しくは金属、セラミックスのボールを充填したもので、排気ガスと塔の衝突回数を増やし、熱伝導を良くする。
【0017】
吸着塔・反応塔における反応例は以下の通りである。
【0018】
CmFn*(ラジカル) + F2 → CF4 + C2F6
CmFn(ポリマー) + F2 → CF4 + C2F6
SiH2*(ラジカル) + Cl2 → SiCl4
SiH2(ポリマー) + Cl2 → SiCl4
排気ガス成分吸着塔・反応塔を経たガスは液化・回収のための冷却塔に導入される、ここで熱交換器にて固体とはならない温度で液化冷却され回収される。冷却塔は一段又は多段に設置することができる。冷却塔は複数のガスの液化のため複数の温度域に設定される。温度域は、一段の冷却塔中を複数の温度域に設定することも可能であり、また多段の冷却塔を複数の温度域に設定することも可能である。
【0019】
温度域設定は、本発明が適用されるプロセスにより異なるが、例えば、以下のような設定が可能である。
【0020】
エッチングプロセスの場合
第1段目の冷却塔 −5℃〜−40℃
第2段目の冷却塔 −86℃〜−90℃
第3段目の冷却塔 −128℃〜−184℃
エピタキシャルプロセスの場合
第1段目の冷却塔 0℃〜−60℃
第2段目の冷却塔 −90℃〜−100℃
チャンバからの排気ラインにおいては、チャンバと冷却塔間の一部或いは全部の内表面温度を100℃〜200℃に昇温することにより、配管の内表面に排気ガス成分付着・堆積を防ぐことができる。
【0021】
排気ガス中の一酸化炭素除外するための反応塔が設けられる場合には、冷却塔の後段に設置される。反応塔の概要を図3に示す。一酸化炭素は反応塔内において、O2を添加し触媒により完全酸化され二酸化炭素となる。触媒としては酸化銅、酸化鉄、酸化ニッケル、白金等が挙げられる。一酸化炭素の反応は次の通りである。
【0022】
2CO + O2 → CO2
本発明の実施態様例を以下に示す。
【0023】
(実施態様例1)
図1はシリコンウェハのエッチングプロセスの際の排気ガスを液化回収するときの実施態様例である。
【0024】
本例においては、CO,Ar,O2,C4F8を流通しながら、真空ポンプで排気することにより一定の圧力に保った状態で、プラズマによりガスを励起してシリコンウェハのエッチング加工を行う。
【0025】
励起されたガスはラジカルの状態で浮遊するため、低温の箇所があるとそこに堆積する。そのため、F 2、Cl 2等の反応ガスを用いてガスとして反応させたのち液化・回収が行われる。
【0026】
システムは図1に示されるように、真空ポンプ、吸着塔・分解塔、冷却塔、一酸化炭素
の反応塔で構成される。
【0027】
エッチングプロセスの条件は、既存のDRAMデバイスを用い、CO:100cc/min、Ar:300cc/min、O2:50cc/min、C4F8:150cc/minの合計600cc/minのガス流量で行った。
【0028】
プロセスチャンバからの排気ガスの組成としては、CO:7%、Ar:42%、O2:3.5%、C4F8:1.4%、SiF4:0.01%、CF4:0.7%、CO2:7%、C2F6:0.7%、C2F4:38%であり、全流量は約715cc/minであった。
【0029】
この排気ガスに対し、F2ガスを20cc/minで添加し、反応塔を300℃に加熱して、完全に反応させ、液化、回収が可能なガスとした。この吸着・反応塔を2系統設け、そのうちのどちらか1系統を排気ラインに交互に接続しラジカルを吸着させ、排気系に接続していないときにF2ガスを導入し、吸着・反応塔を300℃に加熱し、ラジカルを完全に反応させ、液化、回収可能なガスとしてもよい。
【0030】
このとき、F2ガス流量を少なくとも排気ガス中に含まれるC2F4より多い流量とすることで反応性が高く、液化回収することが危険なC2F4をより安定なフッ素化物にすることが可能である。排気ガス中に、C2F4以外にF2と反応する他のガスが含まれている場合には他のガスより消費される量を加算分F2ガスをさらに多く流せばよい。
【0031】
吸着・反応塔の後に、冷却塔3塔を連続して配置し、それぞれ−20℃、−88℃、−150℃になるように冷却を行った。
【0032】
−20℃に設定した1段目の冷却塔で捕捉された液体をガスにしたときの体積比は、沸点−5.8℃のC4F8:100%であった。
【0033】
−88℃に設定した2段目の冷却塔で補足された液体をガスにしたときの体積比は、沸点が−86℃のSiF4:0.07%、沸点−78.5℃のCO2:27%、沸点−76.3℃のC2F4:71%、沸点−78.15℃のC2F6:1.6%であった。
【0034】
−150℃に設定した3段目の冷却塔で補足された液体をガスにしたときの体積比は、C2F4:95.2%、沸点−127.9℃のCF4:3.4%、C2F6:1.4%であった。
【0035】
冷却塔から放出されてくるガスの組成は、Ar:80%、CO:13.3%、O2:6.7%、CF4:0.13%であった。
【0036】
フロロカーボンに対する捕捉効率は98.3%であり、非常に効率よくガスを液体として回収することができた。
【0037】
また、従来は、真空ポンプ・排気系配管を室温にしておくと、内表面に未反応ガス成分の付着・堆積がおこり、配管が塞がってしまうため、2週間ごとにポンプのメンテナンスが必要であったが、このとき真空ポンプ・排気系配管の内表面を全て150℃に昇温したことによりポンプのトラブルを1年間全く起こすことなく、高効率で回収できた。
【0038】
一酸化炭素を酸化させるための白金触媒を用いた反応塔は、冷却筒の後段に設置され、O2を50cc/minで添加し、300℃に加熱して反応を行った。その後の排気ガスの組成はAr:74.9%、O2:12.5%、CF4:0.12%、CO2:12.5%となり、排気ガス中の有害物質を液化回収、もしくは完全酸化により無害化することができた。
【0039】
(実施態様例2)
図4にSi−Epi(エピタキシャル)成長プロセスの際の排気ガスを液化、回収するときの実施態様例を示す。
【0040】
本プロセスはSiHCl3,H2を用いて行う。本プロセスではプラズマは使用せず高温に加熱することにより反応させるため、反応が完全でないもの、未反応のものは反応管内、排気系に堆積する。そのため、反応ガスを用いてガスとして反応させたのち液化・回収が行われる。
【0041】
システムは図4に示されるように、真空ポンプ、吸着塔・反応塔、冷却塔、燃焼式の除外装置で構成される。
【0042】
プロセスはH2アニーリングと成膜で構成され、プロセスとプロセスの間にHClによるクリーニングを行う。
【0043】
実際の成膜プロセスではキャリアガスとしてH2、10L/minを流通し、SiHCl3を5g/min(860cc/min)で供給する。組成比では、7.9%含有されていることとなる。
【0044】
反応塔の直前にCl2ガスを400cc/minで供給し、未反応のもの、反応が完全でないものを、完全に反応させ、SiCl4、HClのみにする。冷却塔は2段を直列に配置し、それぞれ、−20℃、−100℃になるように冷却を行った。
【0045】
−20℃に設定した1段目の冷却塔では、沸点57.6℃のSiCl4が捕捉され、回収液のガス組成は、99%SiCl4であった。
【0046】
−100℃に設定した2段目の冷却塔では、沸点−85.3℃のHClが捕捉される。
【0047】
回収液のガス組成は97%HClであった。
【0048】
液化回収装置を通過するガスの組成はH2:100%であり、これは燃焼式の除外装置で燃焼する。
【0049】
HClクリーニングの際はHClガスを5L/min、H2を10L/minで流通する。
【0050】
排気ガスの組成は、68.5%H2、30.8%HCl、0.7%SiCl4であった。
【0051】
1段目の冷却塔で、SiCl4が液化・回収され、回収液のガス組成は99%SiCl4であった。
【0052】
2段目の冷却塔で、HClが液化・回収され、回収液のガス組成は100%HClであった。
【0053】
液化回収装置を通過するガスの組成はH2、100%であり、これは燃焼式の除外装置で燃焼する。
【0054】
成膜プロセス、クリーニングプロセスどちらの排ガスについても、H2以外のガスは放出することなく、回収することができる。
【0055】
<真空排気方法及び装置>
次に、排気ガス成分のポンプ内逆拡散現象の抑制のための真空排気方法及び装置を説明する。
【0056】
図5に示すガス排気系において、例えば、Heをターボ分子ポンプの排気側に入れたときの、チャンバ内の不純物レベルとポンプ上流より流す窒素ガス流量との関係を図6に示す。不純物レベルとは、チャンバ内の全てのガス成分における不純物の割合である。ここで、Heガス流量は400sccmであった。図4に示すように、ポンプ上流よりガスを流すことにより、チャンバ内の清浄度を著しく向上できた。ここでは、ポンプ上流より流すガスが窒素であるが、窒素の替わりに、Ar,H2,O2等、いかなるガスを流しても同様の結果が得られた。
【0057】
チャンバ内にいかなる時も、すなわち、プロセス時のみならず、基板の搬送時など常にガスを流し続けることにより、チャンバ内の清浄度を格段に向上させることができた。プロセスを行っていないときに窒素ガスを20sccm流した場合と、流さない場合とで、高濃度シリコン基板上にAlを成膜しその接触抵抗を測定した。窒素を流し続けていた場合の接触抵抗は1×10-9Ωcm2と非常に低かったのに対し、窒素を流していない場合、3×10-7Ωcm2と2桁以上大きかった。これは、ポンプを通しての不純物の逆拡散によりAlとシリコン界面に不純物が堆積したためである。
【0058】
このような効果は、ターボ分子ポンプ特有の現象ではなく、バックポンプにもあてはまる。
【0059】
図7にスクリューポンプの場合について示す。バックポンプからの逆拡散は特にプロセスへの悪影響が大きい。従って、バックポンプの上流から常に何らかのガスを流すことにより高品質な膜形成等、製造プロセスを大幅に向上できる。また、チャンバ内を真空にしたい場合には、ターボ分子ポンプとバックポンプの間に何らかのガスを流すことにより、超高清浄なプロセス空間が実現できる。
【0060】
【発明の効果】
本発明のガス回収装置により、従来は廃棄していた排気ガスを、回収、再利用することが可能となる。
【0061】
また、参考発明の真空排気方法及び装置より、排気ガス成分のポンプ内逆拡散現象の抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のガス回収方法を有するシステム例である。
【図2】 本発明のガス回収方法の吸着塔・反応塔の構造を示す図である。
【図3】 本発明のガス回収方法における一酸化炭素の反応塔の構造を示す図である。
【図4】 本発明のガス回収方法を有するシステム例である。
【図5】 本発明のガス回収方法における真空排気装置例である。
【図6】 本発明のガス回収方法におけるチャンバ内の不純物レベルとポンプ上流より流す窒素ガス流量との関係を示す図である。
【図7】 本発明のガス回収方法におけるチャンバ内の不純物レベルとポンプ上流より流す窒素ガス流量との関係を示す図である。
Claims (3)
- チャンバの排気ライン下流に配された、チャンバからの排気ガス中の排気ガス成分であるCF4、C2F6、C2F4、C3F8、C3F6、C4F8、SiF4 、SiHCl3、SiH2Cl 2 、のうち少なくとも一つを吸着させるための吸着塔又は直接分解させるための反応塔と、該排気ガス成分と反応し得るガスF2あるいはCl2を該チャンバの排気ラインと該吸着塔又は反応塔との間から該吸着塔又は反応塔の上流に導入するための手段と、該吸着塔又は反応塔からの排気ガスを液化回収させるための冷却塔と、該冷却塔からの排気ガス中の一酸化炭素を完全酸化させるための反応塔とを有し、前記チャンバと冷却塔の間の一部或いは全ての内表面を加熱することを特徴とするガス回収方法。
- 前記冷却塔は、吸着塔又は反応塔からの排気ガスを熱交換器にて冷却し、固体とはならない温度にて液化回収し、複数のガスを液化するため、個々の温度域に設定した複数の冷却塔で構成されたことを特徴とする請求項1記載のガス回収方法。
- 前記冷却塔からの排気ガス中の一酸化炭素を完全酸化させるための反応塔は、排気ガス中の一酸化炭素を酸化銅、酸化鉄、酸化ニッケル、白金等の触媒にて完全酸化し二酸化炭素として排気することを特徴とする請求項1又は2記載のガス回収方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16485298A JP4159004B2 (ja) | 1997-06-13 | 1998-06-12 | ガス回収方法 |
US09/096,986 US6436353B1 (en) | 1997-06-13 | 1998-06-12 | Gas recovering apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15725497 | 1997-06-13 | ||
JP9-157254 | 1997-06-13 | ||
JP16485298A JP4159004B2 (ja) | 1997-06-13 | 1998-06-12 | ガス回収方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007312914A Division JP2008132489A (ja) | 1997-06-13 | 2007-12-03 | 真空排気方法及び真空排気装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1157390A JPH1157390A (ja) | 1999-03-02 |
JP4159004B2 true JP4159004B2 (ja) | 2008-10-01 |
Family
ID=26484776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16485298A Expired - Fee Related JP4159004B2 (ja) | 1997-06-13 | 1998-06-12 | ガス回収方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6436353B1 (ja) |
JP (1) | JP4159004B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW460942B (en) | 1999-08-31 | 2001-10-21 | Mitsubishi Material Silicon | CVD device, purging method, method for determining maintenance time for a semiconductor making device, moisture content monitoring device, and semiconductor making device with such moisture content monitoring device |
US20050011442A1 (en) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | International Business Machines Corporation | Plasma processing material reclamation and reuse |
JP4583880B2 (ja) * | 2004-11-01 | 2010-11-17 | パナソニック株式会社 | 排ガスの処理方法および処理装置 |
KR100923265B1 (ko) * | 2007-10-17 | 2009-10-23 | (주)제이오션 | 배기가스 데포지션 장치 및 방법 |
US8241379B2 (en) * | 2009-04-16 | 2012-08-14 | PTG Industries, LLC | Natural gas reclaimer device |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0698292B2 (ja) | 1986-07-03 | 1994-12-07 | 忠弘 大見 | 超高純度ガスの供給方法及び供給系 |
JPH0635650B2 (ja) | 1986-07-05 | 1994-05-11 | 忠弘 大見 | 超高純度ガス供給装置 |
JPH0647073B2 (ja) | 1988-07-08 | 1994-06-22 | 忠弘 大見 | プロセス装置用ガス供給配管装置 |
JPH02179867A (ja) | 1988-12-29 | 1990-07-12 | Tadahiro Omi | プロセスガス供給システム |
JP2602880B2 (ja) | 1988-03-05 | 1997-04-23 | 忠弘 大見 | シリンダーキャビネット配管装置 |
JPH0644986B2 (ja) | 1988-05-08 | 1994-06-15 | 忠弘 大見 | プロセスガス供給配管装置 |
JPH02284638A (ja) | 1989-04-26 | 1990-11-22 | Tadahiro Omi | 高性能プロセスガス供給装置 |
JP3092859B2 (ja) | 1991-04-08 | 2000-09-25 | 日本ポール株式会社 | ガスフィルターの清浄化方法 |
JPH04353761A (ja) | 1991-05-30 | 1992-12-08 | Tadahiro Omi | 特殊ガス中の不純物量測定方法及びその測定装置 |
JP3138009B2 (ja) | 1991-05-30 | 2001-02-26 | 忠弘 大見 | 不純物吸着量の評価方法及びその評価用装置 |
JP3169393B2 (ja) | 1991-05-31 | 2001-05-21 | 忠弘 大見 | 特殊材料ガスの分解率変化測定方法及びその測定装置 |
JP3240169B2 (ja) | 1991-11-20 | 2001-12-17 | 大見 忠弘 | 超高純度ガス供給配管系用溶接システム |
JPH06109200A (ja) | 1991-11-20 | 1994-04-19 | Tadahiro Omi | 超高純度流体供給配管系及びその施工方法 |
JPH06346221A (ja) | 1993-06-15 | 1994-12-20 | Tadahiro Omi | 超高純度ガス供給系用部材または部品 |
JP3336343B2 (ja) | 1993-08-24 | 2002-10-21 | 忠弘 大見 | 外部リーク量計測方法 |
JP3327492B2 (ja) | 1993-09-30 | 2002-09-24 | 忠弘 大見 | 基体表面からの気相ゴミ除去装置及び除去方法並びにプロセス装置及びプロセスライン |
JP3819446B2 (ja) | 1993-11-30 | 2006-09-06 | 忠弘 大見 | 超高純度ガス・純水供給システム並びにプロセス装置 |
JP3558672B2 (ja) | 1993-12-30 | 2004-08-25 | 忠弘 大見 | オーステナイト系ステンレス鋼、配管システム及び接流体部品 |
US5558307A (en) * | 1994-08-11 | 1996-09-24 | Lynk, Inc. | Garment/towel hook |
JPH08168896A (ja) | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Tadahiro Omi | 流体供給用の精密溶接方法および溶接治具 |
JPH09129561A (ja) * | 1995-11-06 | 1997-05-16 | Teisan Kk | ガス回収装置 |
JP2787979B2 (ja) | 1995-12-18 | 1998-08-20 | 忠弘 大見 | 超高純度ガスの供給方法 |
US5706674A (en) * | 1997-01-17 | 1998-01-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Argon recovery from silicon crystal furnace |
US5759237A (en) * | 1996-06-14 | 1998-06-02 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et, L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Process and system for selective abatement of reactive gases and recovery of perfluorocompound gases |
-
1998
- 1998-06-12 JP JP16485298A patent/JP4159004B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-12 US US09/096,986 patent/US6436353B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6436353B1 (en) | 2002-08-20 |
JPH1157390A (ja) | 1999-03-02 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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