JP4154379B2

JP4154379B2 - 基板間の電極間接合方法及び構造体

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Publication number: JP4154379B2
Application number: JP2004266125A
Authority: JP
Inventors: 正剛赤池; 治人小野
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2004-09-13
Filing date: 2004-09-13
Publication date: 2008-09-24
Anticipated expiration: 2024-09-13
Also published as: JP2006080470A

Description

本発明は、異なる基板にそれぞれ設けた微小な（マイクロ）回路などの電極端同士、すなわちバンプとパッド間の接合を行い、接合強度と電気的接合とを同時に有する基板間の接合に関するものである。

従来の技術

近年、MEMS（Micro-Electronic-Micro-System）の多機能化と小型軽量化にともなって、素子自体が複雑化しており、製作が困難になってきている。このため、電子回路とMEMSをそれぞれ異なる基板に作製し、この後、両基板の回路配線電極同士を電気的に接合し、同時に両基板を一体化する必要性が高まっている。しかしながら、基板間の接合において、両基板に形成した微小な多数の回路配線電極同士を全て同時に歩留まり良く接合することは困難であった。

例えば、フリップチップボンディングを実施する場合、バンプにばらつきがあると、第二の半導体チップ上に載せられている第一の半導体チップが傾いて位置ズレを起こす。このような位置ズレは接続信頼性の低下をもたらす原因にもなるので、予めバンプの高さを揃えておくフラットニング処理を必要としている（特許文献１参照）。

また、他の提案では、半導体チップの端子取り出し位置に金属よりなる突起を設け、一方、半導体チップを装着する回路基板のパッドにはハンダバンプを設け、突起をハンダバンプに位置合わせをした後、回路基板を加熱して突起を中心に含むハンダにより半導体チップと回路基板とを接続したフリップチップ接合を構成している（特許文献２参照）。
特開平11-017103号公報特開平7-169790号公報

しかしながら、上述した特許文献１に開示しているAu金属からなるバンプの高さを揃えるためのフラットニング工程は、バンプ数が２個あるいは３個と言うような少ない数の場合には効果が期待できるが、バンプ数が極めて多数の場合、例えば1000個以上のバンプ数の場合、面倒でもあるし必要もないと言える。すなわち、本発明の発明者の実験によると高さ15μmを目標にメッキによって形成したバンプの高さの分布はガウス分布状であり、分散（σ）値は約0.12μmであった。そして、バンプ材料として用いたAuの硬度は低い（ビッカース硬度で約50）ため、塑性変形能が良いことから、基板間の電極間を接合する前に予めフラットニング処理をする必要はなかった。むしろ、基板間の電極間接合の時、該基板間に印加する荷重が大きい場合、バンプは大きく変形し、この大きな変形によって、高密度実装の場合、隣接する電極バンプ同士の電気的な短絡を生ずる恐れが生じた。

また、上述した特許文献２に開示している構成では、半導体チップの端子に金属からなる突起を設け、この突起とハンダバンプを加熱・固化して基板間の電極間接合を行っているが、加熱・溶融過程を有しているため、接合後室温までの降温過程で一体化接合した基板間での線膨張係数差に起因する内部応力によって歪を生じ、寸法精度への影響、及び剥離を生ずる恐れがある。

上記課題に鑑み、本発明の基板間の電極間接合方法は、第一の基板に、高さが減少する塑性変形過程で接合に寄与する部分であって導体部と電気接続している電極バンプ、高さが減少する塑性変形過程で接合に寄与する部分であって絶縁体部上に形成されている補強バンプ、ストッパーバンプを形成し、第二の基板に、対応する前記電極バンプに当接する部分であって導体部と電気接続している電極パッド、対応する前記補強バンプに当接する部分であって絶縁体部上に形成されている補強パッド、対応する前記ストッパーバンプに当接して第一の基板と第二の基板間の接合間隔を規定するストッパーパッドを形成し、この後、前記ストッパーバンプのみを押し込んで前記電極バンプと補強バンプより低く且つストッパーとして機能する高さまで変形し、前記両基板を相対向し、前記電極バンプと電極パッド、前記補強バンプと補強パッド及び前記ストッパーバンプとストッパーパッドをそれぞれ互いに重ね合わせて整合して、荷重を印加しながら電極バンプ及び補強バンプを変形して行き、ストッパーバンプとストッパーパッドが互いに接触し、当接し、そして互いに押圧力を受けるまで電極バンプ及び補強バンプを変形することにより前記電極バンプと電極パッド及び前記補強バンプと補強パッドを接合させ、該接合により両基板間の電極同士を接合することを特徴とする。

また、上記課題に鑑み、本発明の基板間の電極間接合構造体は、高さが減少する塑性変形過程で接合に寄与する部分であって導体部と電気接続している電極バンプ、高さが減少する塑性変形過程で接合に寄与する部分であって絶縁体部上に形成されている補強バンプ、形成後に押し込まれて前記電極バンプと補強バンプより低く且つストッパーとして機能する高さまで変形させられ更に一個当たりの平面における断面積が前記電極バンプ及び補強バンプのそれよりも大きいストッパーバンプを形成した第一の基板と、対応する前記電極バンプに当接する部分であって導体部と電気接続している電極パッド、対応する前記補強バンプに当接する部分であって絶縁体部上に形成されている補強パッド、対応する前記ストッパーバンプに当接して第一の基板と第二の基板間の接合間隔を規定するストッパーパッドを形成した第二の基板が、前記対応する電極バンプと電極パッド及び前記対応する補強バンプと補強パッドをそれぞれ互いに重ね合わせて整合して接合させることで、接合され、前記両基板間の接合間隔が、前記対応するストッパーバンプとストッパーパッドを互いに接触して当接させることで、規定され、前記接合により両基板間の電極同士を接合していることを特徴とする。

本発明によれば、一方の基板にストッパーとしての役割を担うストッパーパッドを、他方の基板にストッパーとしての役割を担うストッパーバンプをそれぞれ設けているので、接合の際の印加荷重の加え過ぎが防止される。また、加熱・溶融過程を有しないため、基板間での線膨張係数差などに起因する内部応力によって歪を生じる恐れも少ない。

本発明の実施の形態を説明する。本発明の基板間の電極間接合構造体ないし接合方法の一実施形態では、微小寸法から成るMEMSを有する第一の（あるいは第二の）Si基板に、MEMSの駆動部と電気的に連結している電極バンプ、接合強度を補強するための補強バンプ、ストッパーとしての役割を担うストッパーバンプ及びアライメントマークを形成し、第二の(あるいは第一の)Si基板に、回路配線、該回路配線と電気的に結合している電極パッド、接合強度を補強するための補強パッド、接合時にストッパーバンプと当接するストッパーパッド及びアライメントマークを形成し、両基板間の電極間の接合に先立って、予めストッパーバンプのみに荷重を印加し、この荷重印加によって生ずる塑性変形を利用してストッパーバンプの高さをストッパーとして機能する高さに調整する。さらには、予め必要としないバンプを無機能化するために、該バンプのみを接合しない高さまで、すなわちストッパーバンプの高さ以下まで塑性変形によって低くする。そして、Arイオンなどのイオン、あるいは電荷を帯びていない中性化されたArイオンなどのイオンの衝撃で両Si表面を洗浄する。ここにおいて、ストッパーバンプの一個当たりの平面における断面積は、電極バンプ及び補強バンプのそれよりも大きく設定されている。

この後、室温において、両Si基板を相対向して重ね合わせ、アライメントマークを用いて両Si基板を整合し、そして両Si基板の両側から一定荷重を印加する。この荷重印加により、対応するバンプとパッドを互いに原子間相互作用により強固に接合することができる。接合した状態の両基板間の間隔は、一定荷重の印加ではほとんど変形しないストッパーバンプとストッパーパッドの当接によって規定される。

上記方法により両Si基板同士の電極間の接合が行われる。上記荷重印加によって、電極バンプ及び補強バンプは次第に塑性変形しながら、高さを減少させて行き、そして該高さがストッパーバンプの高さに到った時点で、電極バンプ及び補強バンプの塑性変形は停止する。予め無機能化したバンプは、この荷重印加過程で接合に寄与しない。この接合によって、基板間の電極間接合及び電気接続が完遂される。

しかし、回路配線（あるいはMEMS）を形成した回路配線基板（あるいはMEMS基板）は片面にのみSi酸化膜を有しているため、予め内部応力を内在しており、このため回路配線（あるいはMEMS）を形成してあるSi酸化膜側に向かって凸状に反り返っている。従って、接合後、該内部応力が、基板周縁部に配置してある電極バンプ/電極パッド接合対を剥離するという懸念がある。この懸念を排除するため、予め両基板上の電極バンプ及び電極パッドの外周部に、補強バンプ及び補強パッドをそれぞれ配置してもよい。この補強バンプ/補強パッドの接合によって、内部応力による電極バンプ/電極パッド間の剥離を確実に防止できる。

上記構成において、バンプ及びパッドは塑性変形能を有する材料、好ましくは、面心立方晶を有するAu、Cu、Alなどの金属材料、低融点のIn、Snなどの金属材料で形成され得る。電極や補強のバンプ及びパッドは同形状であると作りやすく、断面積が小さいと接合しやすい。役割上一定程度の荷重ではほとんど変形しないストッパーバンプ及びパッドは、面心立方晶を有する金属材料を押しつぶしたものやSi、ガラスなどで形成され得る。その為に、この断面積は、電極や補強のバンプの断面積より相当に大きく（例えば、桁違いに大きい）設定されるのがよい。

補強バンプの強度を増したい場合は、補強バンプの個数を増加するとよい。例えば、メッキによって形成するバンプにおいて、バンプ寸法を同一にすることによって、低荷重印加で効果的な常温接合が可能になる。また、基板にはSi基板以外を用いることができるが、Siを用いれば回路配線やMEMSの基板上への作り付けや実装が容易となる。

以下、図を参照して本発明の実施例について詳細に説明する。
（第１の実施例）
図1、図2、図3、図4、図5、図6、図7は、本発明の基板間の電極間接合構造体ないし接合方法の第１の実施例の特徴を良く表す断面面である。同図において、1は第一のSi基板、4はSi基板1に形成したSi酸化膜、5はSi基板1に形成したAuからなる電極バンプ、6はSi基板1に形成したAuからなる補強バンプ、7はSi基板1に形成したAuからなるストッパーバンプ、8は第二のSi基板、9はSi基板8に形成したSi酸化膜、10はSi基板8に形成したAuからなる電極パッド、11はSi基板8に形成したAuからなる補強パッド、12はSi基板8に形成したAuからなるストッパーパッドである。また、図2において、13はストッパーバンプ7を所定の高さまで押し込むための押圧板、14はストッパーバンプ7を所定の高さまで塑性変形させるための印加荷重である。さらに、図4において、15は第一のSi基板1と第二のSi基板8を接合させるための印加荷重である。

上記構成において、第一のSi基板1にSi酸化膜4を形成し、Si酸化膜4の一方の面上に回路配線（図示なし）を形成し、フォト・リソ工程及びメッキ工程により該回路配線の上に電極バンプ5を、Si酸化膜4の上に補強バンプ6及びストッパーバンプ7をそれぞれAuメッキで一括で同一高さまで形成する。この後、図2に示すように、ストッパーバンプ7を押圧板13を介して印加荷重14で押し込む。この押し込み過程でストッパーバンプ7は塑性変形によって所定の高さまで変形する。この押し込みで、面心立方晶を有する金属材料であるAuは押しつぶされて加工硬化し、その後は、後述のストッパーパッドと当接しても、あまり変形しなくなる。一方、MEMS（図示なし）を形成した第二のSi基板8に、上記と同様にしてフォト・リソ工程及びメッキ工程により、MEMS駆動用電極端子（図示なし）と電気的に結合している電極パッド10、補強パッド11及びストッパーパッド12をAuの一括メッキで同一高さまでそれぞれ形成する。

次に、両Si基板表面をArイオン衝撃によって清浄化し、この後第一のSi基板1と第二のSi基板8を相対向し、アライメントマーク（図示なし）を利用して、対応する電極バンプ5と電極パッド10、補強バンプ6と補強パッド11及びストッパーバンプ7とストッパーパッド12をそれぞれ整合し、重ね合わせる。そして、両Si基板1,8の両側から図4に見るように印加荷重15を加える。この操作によって、電極バンプ5及び補強バンプ6はストッパーバンプ7の高さになるまで塑性変形を続けていき、そしてストッパーバンプ7の高さになった時点で該塑性変形は停止する。すなわち、電極バンプ5及び補強バンプ6の高さは、ストッパーバンプ7の高さと同等になる。したがって、予めストッパーバンプ7の高さを本手法によって任意の所定の高さに設定することにより、電極バンプ5の過度な変形を防止でき、隣接する電極バンプ5間の電気的な短絡を防止することが出来る。

ストッパーバンプ7のアスペクト比（アスペクト比；バンプの高さ/バンプの一辺の長さ）が電極バンプ5及び補強バンプ6のアスペクト比よりも小さい場合、ストッパーバンプ7はストッパーとして作用する。本実施例の実験によれば、同等な応力でバンプを押し付けた場合、バンプの塑性変形能は、アスペクト比が小さくなるに従って小さくなる。この現象を利用することによって、アスペクト比を小さくしたバンプをストッパーバンプ7として用いる。

本実施例において、電極バンプ5及び補強バンプ6は、いずれも19μm角、高さ15μmであり、一括のAuメッキで形成したものであり、電極バンプ5及び補強バンプ6の個数は、それぞれ2048個及び380個である。パッドの厚さは0.2μm程度である。また、ストッパーバンプ7はほぼ120μm角である。ストッパーバンプ7の断面積は電極バンプ5及び補強バンプ6の面積の3倍程度以上であれば、ストッパーとして作用する。そして、両Si基板1,8を接合する時、印加する印加荷重15は50[kgf]とした。

本実施例では、電極バンプ5、電極パッド10、補強バンプ6、補強パッド11、ストッパーバンプ7及びストッパーパッド12はいずれも金属材料であるAuを用いたものであり、そしてこれらのいずれのバンプもAuメッキ工程で一括して作製したものである。しかし、Au以外にも塑性変形容易な面心立方晶の金属材料でもよく、例えばCu、Alでもよい。この他にも、よく変形して接合しやすい低融点金属のIn、Snであってもよい。また、バンプとパッドは異なる材料であってもよい。さらに、ストッパーはガラス、Siなどであってもよい。ただし、これらを同一材料にすれば一括で作りやすくなる。

尚、両Si基板1,8は片面にのみ1.5μm厚のSi酸化膜9を有しているため、Si酸化膜側に凸状に湾曲している。該湾曲しているSi基板1とSi基板8を上記方法で接合したところ、接合後、両Si基板1,8はSi酸化膜4,9の内部応力によって剥離することもなく、強固に接合していた。すなわち、強固な基板間の電極間接合を得た。本接合は室温において行った常温接合であり、接合による熱的な内部応力も発生しなかった。

図5、図6、図7に見るようにストッパーバンプ7及びストッパーパッド12を両Si基板1,8の中央部と端部にそれぞれ設けた変形例の場合においても、ストッパーとしての効果があった。

上記実施例及び変形例において、基板間の電極間接合後、回路配線を有する第一のSi基板1の電極端子（図示なし）から電気信号（図示なし）を入力したところ、第二のSi基板8に形成したMEMS素子(図示なし)が所定通りに駆動した。尚、MEMS素子を形成した第二のSi基板にパッドを形成するほうが作りやすいが、MEMS素子を形成した第二のSi基板に高いバンプを形成することも可能である。

（第２の実施例）
図8、図9、図10、図11は本発明の基板間の電極間接合構造体ないし接合方法の第２の実施例の特徴を良く表す図面である。同図において、1はMEMS素子（図示なし）を形成した第一のSi基板、2はSi基板１の平坦部、3はSi基板1の溝部、4はSi基板1のSi酸化膜、5はSi基板1のMEMS素子と電気的に結合している電極端子（図示なし）上に形成したAuからなる電極バンプ、6はSi基板1に形成したAuからなる補強バンプ、7はSi基板1に形成したAuからなるストッパーバンプ、8はMEMS素子を駆動するための回路配線（図示なし）を形成した第二のSi基板、9はSi基板2の表面に形成したSi酸化膜、10は該回路配線の電極端子と電気的に結合しているAuからなる電極パッド、11はSi基板2に形成したAuからなる補強パッド、12はSi基板2に形成したAuからなるストッパーパッド、15は第一のSi基板1と第二のSi基板8を接合させるための印加荷重、16はストッパーバンプ7を所定の高さまで塑性変形させるための印加荷重、17はストッパーバンプ7を押し込むための押圧板、18は押圧板17の凸部、19は押圧板17の凹部である。

上記構成において、Si基板1の片面にスパッターによってSi酸化膜4を形成し、Si酸化膜4の上に半導体フォト・リソ工程を用いてMEMS素子（図示なし）を形成し、該MEMS素子と電気的に連結している電極端子（図示なし）をAu薄膜の成膜で形成する。さらに、フォト・リソ工程及びメッキ工程を用いて、該電極端子上に電極バンプ5を、Si酸化膜4上に補強バンプ6及びストッパーバンプ7を一括のAuメッキで形成する。この時のAuメッキの高さは12μmである。この後、図9に見るようにストッパーバンプ7に押圧板17の凸部18を押し当て、印加荷重16で押し込む。この押し込み過程でストッパーバンプ7を塑性変形させ、所定の高さの6μmまで変形させる。

上記MEMS（図示なし）を形成したSi基板1は、該MEMS素子形成によって、図10に見るように急峻な凹凸に富んだ表面形状になることを余儀なくされる。このため、MEMSを駆動するための配線を同一基板に形成することは、配線の断線をもたらす危険性から困難である。そこで、MEMS素子を駆動するための回路配線を、別のSi基板8に設けた。

Si基板8にもスパッターによってSi酸化膜9を形成し、半導体フォト・リソ工程及び薄膜成膜工程を用いて、該Si酸化膜9上にMEMSを駆動するための電気回路配線（図示なし）を形成する。さらに、該電気回路配線の端子上に電極パッド10、Si酸化膜9の上に補強パッド11及びストッパーパッド12をAu薄膜成膜によってそれぞれ形成する。

両Si基板1,8を形成後、両Si基板の接合面をArイオン衝撃によって清浄化し、この後Si基板1とSi基板8を相対向し、アライメントマーク（図示なし）を利用して、対応する電極バンプ5と電極パッド10、補強バンプ6と補強パッド11及びストッパーバンプ7とストッパーパッド12をそれぞれ整合し、そして両Si基板1,8を重ね合わせ、両Si基板1,8の両側から図11に見るように印加荷重15を加える。この操作により電極バンプ5及び補強バンプ6はストッパーバンプ7の高さになるまで塑性変形を続けていき、そして該ストッパーバンプ7の高さになった時点で該塑性変形は停止する。すなわち、接合状態での電極バンプ5及び補強バンプ6の高さは、ストッパーバンプ7の高さと同等になる。

従って、予めストッパーバンプ7の高さを上記手法によって任意の所定の高さに設定することにより、電極バンプ5の過度の変形を防止でき、同時に隣接する電極バンプ間の電気的な短絡を防止することが出来る。本実施例において、電極バンプ5、補強バンプ6及びストッパーバンプ7はAuメッキによって形成したものであり、高さは何れも約12μmである。これらの電極バンプ5、補強バンプ6及びストッパーバンプ7の平面形状は、それぞれ19μm角、19μm角及び120μm角である。また、電極バンプ5、電極パッド10、補強バンプ6、補強パッド10及びストッパーバンプ7、ストッパーパッド12の材料は、いずれも金属材料であるAuを用いたものであり、これらのバンプやパッドは一括してAuメッキ工程で効率的に作製したものである。

さらに、本基板間の電極間接合は室温において常温接合で行なったものであり、接合による熱的な内部応力は発生しなかった。また、Si基板1,8は片面に形成したSi酸化膜4,9を1.5μm形成した時の残留応力によってSi酸化膜側に凸状に湾曲しており、該湾曲状態で両Si基板1,8を上記手法で接合したけれども、両Si基板1,8は該残留応力によって剥離することなく、強固に接合した。

上記実施例においても、基板間の電極間接合後、回路配線を有するSi基板1の電極端子（図示なし）から電気信号（図示なし）を入力したところ、Si基板8に形成したMEMS素子(図示なし)を所定通りに駆動できた。

以上説明したように本発明の実施例によれば、ストッパーとしての役割を担うストッパーバンプを設けているので、接合の際の印加荷重の加え過ぎによる電極バンプの過剰なつぶれによって生ずる隣接した電極との電気的な短絡を防止でき、同時にバンプの高さのバラツキによる影響を回避でき、さらに補強バンプと補強パッドの接合によって、残留応力を有する基板間の電極間接合を剥離することなく可能にできる。そして、予めバンプを無機能化処理することによって、接合する必要のないバンプ/パッド間の接合を回避することも可能である。

本発明の第１の実施例に関わる基板間の配線電極間常温接合におけるバンプとパッドの作製方法及び構造体を示す図。本発明の第１の実施例に関わるストッパーバンプの作製方法を示す図。本発明の第１の実施例に関わる基板間の整合状態を示す図。本発明の第１の実施例に関わる基板間の接合過程を示す図。本発明の第１の実施例の変形例に関わる一方の基板のバンプの作製方法及び構造体を示す図。本発明の第１の実施例の変形例に関わる基板間の整合状態を示す図。本発明の第１の実施例の変形例に関わる基板間の接合過程を示す図。本発明の第２の実施例に関わる基板間の配線電極間常温接合におけるバンプとパッドの作製方法及び構造体を示す図。本発明の第２の実施例に関わるストッパーバンプの作製方法を示す図。本発明の第２の実施例に関わる基板間の整合状態を示す図。本発明の第２の実施例に関わる基板間の接合過程を示す図。

符号の説明

1：第一の基板
8：第二の基板
5：電極バンプ
6：補強バンプ
7：ストッパーバンプ
10：電極パッド
11：補強パッド
12：ストッパーパッド
13、17：押圧板
14、15、16：印加荷重

Claims

第一の基板に、高さが減少する塑性変形過程で接合に寄与する部分であって導体部と電気接続している電極バンプ、高さが減少する塑性変形過程で接合に寄与する部分であって絶縁体部上に形成されている補強バンプ、ストッパーバンプを形成し、第二の基板に、対応する前記電極バンプに当接する部分であって導体部と電気接続している電極パッド、対応する前記補強バンプに当接する部分であって絶縁体部上に形成されている補強パッド、対応する前記ストッパーバンプに当接して第一の基板と第二の基板間の接合間隔を規定するストッパーパッドを形成し、この後、前記ストッパーバンプのみを押し込んで前記電極バンプと補強バンプより低く且つストッパーとして機能する高さまで変形し、前記両基板を相対向し、前記電極バンプと電極パッド、前記補強バンプと補強パッド及び前記ストッパーバンプとストッパーパッドをそれぞれ互いに重ね合わせて整合して、荷重を印加しながら電極バンプ及び補強バンプを変形して行き、ストッパーバンプとストッパーパッドが互いに接触し、当接し、そして互いに押圧力を受けるまで電極バンプ及び補強バンプを変形することにより前記電極バンプと電極パッド及び前記補強バンプと補強パッドを接合させ、該接合により両基板間の電極同士を接合することを特徴とする基板間の電極間接合方法。
前記第一の基板と第二の基板の接合面を清浄化する請求項1記載の基板間の電極間接合方法。
接合する必要のないバンプとパッド間の接合を回避するために、予め該バンプを無機能化処理する請求項1または2記載の基板間の電極間接合方法。
前記第一の基板は、凸部と凹部を有する基板である請求項1乃至3のいずれかに記載の基板間の電極間接合方法。
前記ストッパーバンプを、該ストッパーバンプに押し当てられる凸部を持つ押圧板で押し込んでストッパーとして機能する高さまで変形する請求項1乃至4のいずれかに記載の基板間の電極間接合方法。
前記補強バンプ及びストッパーバンプを、Auメッキで一括して形成する請求項1乃至5のいずれかに記載の基板間の電極間接合方法。
前記ストッパーバンプの一個当たりの平面における断面積を、電極バンプ及び補強バンプのそれよりも大きくする請求項1乃至6のいずれかに記載の基板間の電極間接合方法。
高さが減少する塑性変形過程で接合に寄与する部分であって導体部と電気接続している電極バンプ、高さが減少する塑性変形過程で接合に寄与する部分であって絶縁体部上に形成されている補強バンプ、形成後に押し込まれて前記電極バンプと補強バンプより低く且つストッパーとして機能する高さまで変形させられ更に一個当たりの平面における断面積が前記電極バンプ及び補強バンプのそれよりも大きいストッパーバンプを形成した第一の基板と、対応する前記電極バンプに当接する部分であって導体部と電気接続している電極パッド、対応する前記補強バンプに当接する部分であって絶縁体部上に形成されている補強パッド、対応する前記ストッパーバンプに当接して第一の基板と第二の基板間の接合間隔を規定するストッパーパッドを形成した第二の基板が、前記対応する電極バンプと電極パッド及び前記対応する補強バンプと補強パッドをそれぞれ互いに重ね合わせて整合して接合させることで、接合され、前記両基板間の接合間隔が、前記対応するストッパーバンプとストッパーパッドを互いに接触して当接させることで、規定され、前記接合により両基板間の電極同士を接合していることを特徴とする基板間の電極間接合構造体。