JP4145925B2 - プラズマエッチング方法 - Google Patents
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Description
3対が設置されている。カソード電極102とアノード電極103の電極間距離は、所望のエッチング条件に従って決定される。プラズマ処理反応容器101外には、カソード電極102に電力を供給するための電源104と、電源104とカソード電極102・アノード電極103対間のインピーダンス整合を行うインピーダンス整合回路105が設置されている。インピーダンス整合回路105は、ある状態に固定された手動動作に設定することができ、また、電源104への反射電力が最小となるように動作する自動整合動作に設定することもできる。
合にも適用でき、プラズマエッチング処理を行うことができる。
(実施形態1)
以下、本発明の実施形態1に係るプラズマエッチング方法を説明する。
きくなるが、マスフローコントローラは、その後の流量調整においてその流量を連続的に変更できる点で好ましい。
(実施形態2)
本発明の実施形態2に係るプラズマエッチング方法について図を基に説明する。図3は、本実施形態に係るプラズマ処理方法のタイムチャートである。
(実施形態3)
実施形態1および実施形態2においては、電源104からインピーダンス整合回路105を介して一対のアノード電極103・カソード電極102対に電力を投入する構成としたが、図4に示すように、インピーダンス整合回路105一つに対して複数のアノード電極103・カソード電極102対を接続しても良い。
希釈ガス導入工程ST1において、Arガスの流量は6SLMとした。
LM、NF3ガス流量が1SLM、プラズマ処理反応容器101内のガス圧力が300Paのプラズマエッチング条件下において、カソード電極102・アノード電極103間にプラズマを発生させるためには、電源104からの出力電力を5kW程度まで上げる必要があった。
102 カソード電極
103 アノード電極
104 電源
105 インピーダンス整合回路
108 希釈ガス
109 エッチングガス
Claims (9)
- プラズマ処理反応容器に希釈ガスを導入する希釈ガス導入工程と、プラズマ処理反応容器内の圧力を一定に調整する圧力調整工程と、プラズマ処理反応容器内に設けられた電極にインピーダンス整合回路を介して電力を投入してグロー放電プラズマを発生させるプラズマ発生工程と、プラズマ処理反応容器内に前記希釈ガスよりも分解され難いエッチングガスを導入し流量を増加すると同時に同流量の前記希釈ガスの流量を減ずるガス制御工程と、前記希釈ガスおよび前記エッチングガスの流量を処理流量値に設定してエッチング処理を行うエッチング処理工程と、をこの順に行い、
前記プラズマ発生工程開始時から前記エッチング処理工程のプラズマが安定するまでの間、前記インピーダンス整合回路は、前記エッチング処理工程のプラズマの状態が安定した定常状態で反射電力が最も小さくなるように予め取得した一定の状態に固定されているプラズマエッチング方法。 - 前記エッチング処理工程において、プラズマの状態が安定した後に、前記インピーダンス整合回路は自動整合動作を開始することを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記ガス制御工程において、前記エッチングガスを導入し流量を増加すると同時に同流量の前記希釈ガスの流量を減ずるステップを複数回行うことを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記ガス制御工程において、前記希釈ガスおよび前記エッチングガス流量を連続的に変化させることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記プラズマ発生工程において前記電極に投入される電力を初期電力値に設定し、前記ガス制御工程から前記エッチング処理工程にかけて前記電力を増加させ、前記エッチング処理工程において前記電力を処理電力値となった時点で固定することを特徴とする請求項1から請求項4の何れか1項に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記ガス制御工程および前記エッチング処理工程における前記電力の増加は連続的であることを特徴とする請求項5に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記電極に投入される電力は、前記ガス制御工程終了後、ガス流量安定後に前記処理電力値に固定されることを特徴とする請求項5または請求項6の何れか1項に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記プラズマ発生工程、前記ガス制御工程及び前記エッチング処理工程において、一つのインピーダンス整合回路を介して複数の電極に電力を供給することを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記エッチング処理工程はシリコン薄膜をエッチングする工程であり、前記エッチング処理工程が行われる装置と同一の装置を用いてプラズマCVD法により結晶質シリコン薄膜を成膜するプラズマCVD工程を行うことを特徴とする請求項1から請求項8の何れか1項に記載のプラズマエッチング方法。
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