JP4125205B2 - エッジ露光装置およびそれを備える基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板の周縁部を露光するエッジ露光装置およびそれを備える基板処理装置に関する。

半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板または光ディスク用ガラス基板等の各種基板の処理工程において、基板上に回路パターンを形成するためレジスト塗布処理が行われる。

レジスト塗布処理後の基板にはその全面にレジスト膜が形成される。ここで、基板周縁部に形成されたレジスト膜は、基板搬送時の機械的な接触により剥離され、パーティクルとなる場合がある。パーティクルの発生等を防止するため、基板周縁部に形成されたレジスト膜を予め除去する処理が行われている。

レジスト膜の除去は、例えば、レジスト塗布処理後の基板を回転させつつ周縁部に形成されたレジスト膜を露光（エッジ露光処理）し、現像することにより行われる。

エッジ露光処理は、エッジ露光装置により行われる。図９は、従来の一般的なエッジ露光装置を示す模式図である。

図９のエッジ露光装置９００Ａは、スピンモータ９１０、回転軸９１１、スピンチャック９１２および投光装置９５０を備える。投光装置９５０は、鏡筒９０１、遮光マスク９０２およびライトガイド９０４を備える。さらに、鏡筒９０１は、内部にレンズ９０３を備える。

基板周縁部のエッジ露光処理時において、スピンチャック９１２上には基板Ｗが載置される。スピンチャック９１２は載置された基板Ｗを吸着保持する。スピンモータ９１０が回転軸９１１を回転させる。それにより、スピンチャック９１２が回転し、基板Ｗが回転する。

一方、投光装置９５０のライトガイド９０４には図示しない露光用光源から、エッジ露光を行うための光が導入される。ライトガイド９０４に導入された光は、さらに鏡筒９０１内に導入される。

鏡筒９０１内に導入された光は、１または複数のレンズ９０３を通じて基板Ｗの周縁部表面に照射される。これにより、基板Ｗの周縁部のみが露光される。

なお、基板Ｗの周縁部表面に照射された光の一部は投光装置９５０側に反射するが、その反射光は遮光マスク９０２により吸収される。これにより、基板Ｗと投光装置９５０間での光の散乱が防止される。

ところで、エッジ露光処理時において、レジスト膜に紫外光等の露光用の光が照射されると、レジスト膜の内部に気泡が発生する場合がある。この場合、気泡がレジスト膜の表面を突き破り、パーティクルが飛散する。また、レジスト膜に紫外光等の露光用の光が照射されることにより、レジストの昇華物が発生する場合がある。

このようなレジストのパーティクルおよび昇華物の発生は、基板の現像処理時における歩留まりの低下等を引き起こす要因となることから従来より問題視されてきた。

そこで、パーティクルおよびレジストの昇華物等を排除することが可能な各種エッジ露光装置が提案されている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。

図１０は、パーティクルの排除を可能とする従来のエッジ露光装置を示す模式図である。

図１０のエッジ露光装置９００Ｂは、スピンモータ９１０、スピンチャック９１２、光源９３１、露光手段９６０、排気手段９７０およびガス吹き付け手段９８０を備える。露光手段９６０は、光通路９３２および光射出部９３３を備える。露光手段９６０にはガス吹き付け手段９８０が取り付けられている。また、排気手段９７０は排気ノズル９４０および排気通路９４１を備え、ガス吹き付け手段９８０は噴出ノズル９２１およびガス供給通路９２０を備える。

露光装置９００Ｂにおいて、スピンチャック９１２の下端部には、回転機構としてスピンモータ９１０が連結されている。スピンチャック９１２は基板Ｗを吸着保持する。スピンモータ９１０によりスピンチャック９１２が回転され、基板Ｗが回転される。

露光手段９６０においては、光源９３１から光通路９３２を通して、光射出部９３３へ、例えば紫外線が伝搬される。それにより、伝搬された光が基板Ｗの周縁部に照射される。

ガス吹き付け手段９８０において、噴出ノズル９２１の先端は基板Ｗ周縁部である露光部に向けて開口されており、この部分にガスを吹き付けるようになっている。特に噴出ノズル９２１は、露光手段９６０に対してスピンチャック９１２の半径方向の内側に設けられている。これにより、ガス吹き付け時には、基板Ｗの内側から半径方向外側に向けて下向き傾斜で不活性ガスを吹き付けるように構成されている。

排気手段９７０は、露光手段９６０のわずか下方であって、保持された基板Ｗの側方に設けられている。排気手段９７０において、排気ノズル９４０は、基板Ｗの表面か、それよりわずかに上方に位置されて上記噴出ノズル９２１に対向させて設けられている。排気ノズル９４０は、排気配管９４１を介して排気ポンプに接続されている。

これにより、排気ポンプを駆動することにより、上記噴射ノズル９２１から吹き出された不活性ガスは、基板Ｗの周縁部と接触した後、効率的にこの排気ノズル９４０へ吸引導入される。その結果、基板Ｗの周縁部の露光時に発生するパーティクルが散乱することなく排除される。
特開平６−２１６０２５号公報 特開平７−２０１７１７号公報

ところで、基板周縁部のエッジ露光処理時には、光学系のレンズの汚れが発生する。この光学系のレンズの汚れは、エッジ露光処理時に発生するレジストのパーティクルおよび昇華物により発生する。調査の結果、本発明者は、このような光学系のレンズの汚れが露光に用いる光の照度低下を招くことを発見した。照度低下が起きた場合、十分なエッジ露光処理を行うために、露光時間を長くする必要がある。

さらに、本発明者は、光学系のレンズの汚れが、光の照度低下のみならず、レンズを透過する光の屈折率を変化させることを発見した。特に、レンズを透過する光の屈折率が変化すると、基板周縁部への光の焦点が合わない場合がある。

このような問題の対策としては、エッジ露光装置自体を停止させ、メンテナンスを行うことにより、レンズの汚れをクリーニングする方法がとられているが、クリーニングに要する人件費および装置のダウンタイム等の問題が指摘されている。

上記のエッジ露光装置９００Ｂによれば、露光対象となるエッジ周縁部に不活性ガスを吹き付けるので、光学系のレンズの汚れを防止することができる。

しかしながら、エッジ露光処理時に常に露光対象となるエッジ周縁部に不活性ガスを吹き付けるので、不活性ガスの消費量が多くなり、噴出される不活性ガスの利用効率が悪い。また、それにともない、基板Ｗの製造コストも高くなる。

本発明の目的は、簡単な構成で、かつ、効率的に光学部材の汚染を防止可能なエッジ露光装置およびそれを備える基板処理装置を提供することである。

上記のような、光学系のレンズの汚れにともなう各種問題を解決すべく、本発明者は、以下に示すエッジ露光装置およびそれを備える基板処理装置を案出した。

第１の発明に係るエッジ露光装置は、基板の周縁部を露光するエッジ露光装置であって、基板を保持する基板保持手段と、光を発生する光源と、光源により発生された光を基板保持手段により保持された基板に導く経路を形成する光学系と、光学系により形成された光の経路中に設けられた光学部材と、光学系により形成された光の経路中の空間の周囲を光学部材とともに取り囲み、光が通過する開口部を有する第１の空間形成部材と、第１の空間形成部材により形成される空間内に不活性ガスを供給する気体供給手段とを備え、光学系は、光源により発生された光を集光する集光手段を含み、光学部材は、集光手段により集光された光を受ける端面を有し、光を伝達する光伝達部材を含み、第１の空間形成部材は、集光手段により光伝達部材の端面に入射する光の経路中の空間の周囲を光伝達部材の端面とともに取り囲むものである。

第１の発明に係るエッジ露光装置においては、基板保持手段により基板が保持される。光源により発生された光が集光手段により集光され、第１の空間形成部材と光伝達部材の端面とにより形成される空間を通過して光伝達部材の端面に入射する。光伝達部材の端面に入射した光は、光伝達部材により伝達され、基板保持手段により保持された基板に導かれ、基板の周縁部が露光される。第１の空間形成部材と光伝達部材の端面とにより形成される空間内には気体供給手段により不活性ガスが供給される。

これにより、その空間内に不活性ガスが充填され、空間内に不活性ガスが充満すると、開口部から不活性ガスが漏れ出る。その結果、空間から開口部を通して外部へ形成される不活性ガスの流れにより、汚染物が空間内に入りこむことが防止される。したがって、光伝達部材の端面の汚染が防止される。その結果、長時間の使用時においても、光伝達部材の端面の汚れによる光の伝達効率の低下が十分に防止される。また、不活性ガスが用いられるので、大気中の物質による汚染物質の発生が十分に防止される。

また、第１の空間形成部材により形成される空間内に多量の不活性ガスを供給する必要がないので、不活性ガスの消費量が少なくすむ。その結果、低資源化および低コスト化が実現される。

さらに、開口部を有する第１の空間形成部材を設けるだけでよいので、簡単な構成で光伝達部材の端面の汚染を防止することができる。

光学部材は、光伝達部材により伝達された光を基板保持手段により保持された基板の周縁部に集光する集光部材を含み、集光部材から基板への光の経路中の空間の周囲を集光部材とともに取り囲む第２の空間形成部材をさらに備え、気体供給手段は、第２の空間形成部材により形成される空間内に不活性ガスをさらに供給してもよい。

この場合、光源により発生された光が光伝達部材により伝達され、集光部材により基板の周縁部に集光される。この場合、光は第２の空間形成部材と集光部材とにより形成される空間を通過する。

その空間内に不活性ガスが充填され、空間内に不活性ガスが充満すると、開口部から不活性ガスが漏れ出る。その結果、空間から開口部を通して外部へ形成される不活性ガスの流れにより、汚染物が空間内に入りこむことが防止される。したがって、集光部材の汚染が防止される。

集光部材は、レンズを内蔵する筒状部材を含み、第２の空間形成部材は、筒状部材の光出射側の先端部に光の経路中の空間を形成するとともにレンズから基板に照射される光が開口部を通過するように設けられてもよい。

この場合、第２の空間形成部材によりレンズを内蔵する筒状部材の光出射側の先端部に空間が形成される。これにより、第２の空間形成部材と筒状部材とにより空間が形成されるので、構成が非常に簡単となる。

また、第２の空間形成部材と筒状部材とにより形成される空間内に不活性ガスが充填され、空間内に不活性ガスが充満すると、開口部から不活性ガスが漏れ出る。その結果、空間から開口部を通して外部へ形成される不活性ガスの流れにより、汚染物が空間内に入りこむことが防止される。したがって、レンズの汚染が防止される。

第２の空間形成部材は、レンズから基板への光の経路の周囲を取り囲む筒状の周面部と周面部の端部から漸次径小となるテーパ部とを有してもよい。

この場合、基板の表面からの反射光がテーパ部により外方へ反射される。それにより、基板の表面での反射光が第２の空間形成部材と筒状部材とにより形成される空間内に入射することが防止される。また、反射光がテーパ部より外方へ反射されることにより第２の空間形成部材での反射光が基板上に再び照射されることが防止される。

第２の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板に処理液の塗布処理を行う塗布装置と、塗布装置により処理液が塗布された基板の周縁部を露光する第１の発明に係るエッジ露光装置とを備えるものである。

この場合、塗布装置により基板に処理液の塗布処理が行われ、第１の発明に係るエッジ露光装置により処理液が塗布された基板の周縁部が露光される。

これにより、エッジ露光装置において、第１の空間形成部材により形成される空間内に不活性ガスが充填され、空間内に不活性ガスが充満すると、開口部から不活性ガスが漏れ出る。その結果、空間から開口部を通して外部へ形成される不活性ガスの流れにより、汚染物が空間内に入りこむことが防止される。したがって、光伝達部材の端面の汚染が防止される。その結果、長時間の使用時においても、光伝達部材の端面の汚れによる光の伝達効率の低下が十分に防止される。

また、第１の空間形成部材により形成される空間内に多量の不活性ガスを供給する必要がないので、不活性ガスの消費量が少なくすむ。その結果、低資源化および低コスト化が実現される。

さらに、開口部を有する第１の空間形成部材を設けるだけでよいので、簡単な構成で光伝達部材の端面の汚染を防止することができる。

本発明に係るエッジ露光装置においては、基板保持手段により基板が保持される。光源により発生された光が集光手段により集光され、第１の空間形成部材と光伝達部材の端面とにより形成される空間を通過して光伝達部材の端面に入射する。光伝達部材の端面に入射した光は、光伝達部材により伝達され、基板保持手段により保持された基板に導かれ、基板の周縁部が露光される。第１の空間形成部材と光伝達部材の端面とにより形成される空間内には気体供給手段により不活性ガスが供給される。

これにより、その空間内に不活性ガスが充填され、空間内に不活性ガスが充満すると、開口部から不活性ガスが漏れ出る。その結果、空間から開口部を通して外部へ形成される不活性ガスの流れにより、汚染物が空間内に入りこむことが防止される。したがって、光伝達部材の端面の汚染が防止される。その結果、長時間の使用時においても、光伝達部材の端面の汚れによる光の伝達効率の低下が十分に防止される。

また、第１の空間形成部材により形成される空間内に多量の不活性ガスを供給する必要がないので、不活性ガスの消費量が少なくすむ。その結果、低資源化および低コスト化が実現される。

さらに、開口部を有する第１の空間形成部材を設けるだけでよいので、簡単な構成で光伝達部材の端面の汚染を防止することができる。

以下、本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置およびそれを備える基板処理装置について図１〜図８に基づき説明する。

以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。

図１は、本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置の一例を示す模式図である。

本実施の形態に係るエッジ露光装置１００は、投光部１０、投光部保持ユニット２０、基板回転ユニット４０、光源ユニット５０およびガス供給ユニット６０を備える。

投光部１０は、鏡筒１１および遮光マスク１を備える。遮光マスク１は鏡筒１１の下端に設けられており、遮光マスク１にはガス導入路２が一体形成されている。

鏡筒１１の上端には、光ファイバケーブル等からなるライトガイド５０ｔが接続されている。これにより、投光部１０はライトガイド５０ｔを介して光源ユニット５０と接続されている。また、ガス導入路２には、ガス供給管６０ｔが接続されている。これにより、投光部１０はガス供給管６０ｔを介してガス供給ユニット６０と接続されている。ガス供給ユニット６０はガス供給管５８を介して光源ユニット５０と接続されている。

投光部１０は、ライトガイド５０ｔを介して光源ユニット５０より送られる光を基板Ｗの周縁部に照射する。この照射時において、投光部１０のガス導入路２には、ガス供給管６０ｔを介してガス供給ユニット６０より不活性ガスとしてＮ₂ （窒素）ガスが供給される。また、光源ユニット５０にも、ガス供給管５８を介してガス供給ユニット６０よりＮ₂ ガスが供給される。これらの詳細については後述する。

ここで、基板回転ユニット４０に載置される基板Ｗに平行な所定の方向をＹ方向として定義し、Ｙ方向と直交する方向をＸ方向として定義する。

投光部保持ユニット２０は、Ｙ方向駆動モータ２１、Ｙ方向ボールネジ２２、投光部保持ガイド２３、支柱２４、Ｘ方向駆動モータ３１、支柱保持ガイド３２および図示しないＸ方向ボールネジを備える。

投光部保持ユニット２０において、投光部保持ガイド２３は投光部１０をＹ方向に移動可能に保持する。また、Ｙ方向ボールネジ２２は投光部１０に設けられた図示しない連結部に螺合されている。

Ｙ方向ボールネジ２２はＹ方向駆動モータ２１から突出するように設けられており、Ｙ方向駆動モータ２１の動作に伴って、矢印Ｒ１の方向に回転する。これにより、投光部１０は、Ｙ方向ボールネジ２２の回転に伴ってＹ方向に移動する。

Ｙ方向駆動モータ２１および投光部保持ガイド２３は、支柱２４により所定の高さに支持されている。

支柱２４は、その下端部が支柱保持ガイド３２により保持されている。支柱保持ガイド３２は、支柱２４をＸ方向に移動可能に保持する。図示しないＸ方向ボールネジは、支柱２４に設けられた図示しない連結部に螺合されている。

Ｘ方向ボールネジは、Ｘ方向駆動モータ３１から突出してＸ方向に延びるように設けられており、Ｘ方向駆動モータ３１の回転に伴って所定の方向に回転する。これにより、支柱２４はＸ方向駆動モータ３１の動作に伴ってＸ方向に移動する。

このような、投光部保持ユニット２０の各部の動作により、投光部１０はＸ方向およびＹ方向に移動する。

なお、投光部保持ユニット２０のＹ方向駆動モータ２１およびＸ方向駆動モータ３１は図示しないコントローラに接続されている。コントローラは、Ｙ方向駆動モータ２１およびＸ方向駆動モータ３１の動作を制御することにより、投光部１０を所望の平面座標位置に移動させる。

基板回転ユニット４０は、基板回転モータ４１、基板回転軸４２およびスピンチャック４３を備える。基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）時において、スピンチャック４３上には基板Ｗが載置される。そこで、スピンチャック４３は基板Ｗを吸着保持する。スピンチャック４３は、基板回転モータ４１より突出して設けられた基板回転軸４２に接続されている。

基板回転モータ４１が基板回転軸４２を矢印Ｒ２の方向に回転させる。それにより、スピンチャック４３が回転し、吸着保持された基板Ｗが回転する。

なお、基板回転モータ４１は、Ｙ方向駆動モータ２１およびＸ方向駆動モータ３１と同様に図示しないコントローラに接続されている。コントローラは基板回転モータ４１の動作を制御することにより基板Ｗを回転させる。

光源ユニット５０により、基板Ｗ上のレジスト膜を露光するための光（以下、露光用光と呼ぶ。）が発生される。光源ユニット５０により発生された露光用光は、ライトガイド５０ｔを通じて投光部１０に送られる。詳細については後述する。

ガス供給ユニット６０は、上述のようにガス供給管６０ｔを介して投光部１０のガス導入路２にＮ₂ ガスを供給し、ガス供給管５８を介して光源ユニット５０にＮ₂ ガスを供給する。

ガス供給ユニット６０は、投光部１０のガス導入路２および光源ユニット５０にＮ₂ ガスを供給することができるのであれば、その構成は特に限定されない。例えば、ガス供給ユニット６０は、Ｎ₂ ガスのタンクおよびポンプ等を備えてもよいし、予め設けられたＮ₂ ガスの設備配管に接続可能な接続部材等であってもよい。

また、本実施の形態では、ガス供給ユニット６０はＮ₂ ガスを投光部１０および光源ユニット５０に供給するが、供給するガスは粒子が細かく、光の揺らぎを引き起こさない不活性ガスであれば、特に限定されない。

本実施の形態に係るエッジ露光装置１００は基板Ｗのエッジ露光処理時に次のように動作する。

初めに、基板回転ユニット４０のスピンチャック４３上に基板Ｗが載置される。そして、スピンチャック４３は基板Ｗを吸着保持する。基板回転モータ４１が基板回転軸４２を回転させることにより基板Ｗが回転される。

次に、投光部１０を保持する投光部保持ユニット２０のＹ方向駆動モータ２１およびＸ方向駆動モータ３１が動作することにより投光部１０が所定の平面座標位置に移動される。

続いて、基板Ｗの所望の位置で光源ユニット５０により発生された露光用光がライトガイド５０ｔを介して投光部１０に送られる。これにより、基板Ｗのレジスト膜に露光用光が照射される。

一方、露光用光の基板Ｗへの照射と同時に、ガス供給ユニット６０より供給されるＮ₂ ガスがガス供給管６０ｔを介して投光路１０のガス導入路２に供給される。これにより、基板Ｗの露光対象部および投光部１０の先端部周辺にＮ₂ ガスが送られる。また、上記の一連の動作時において光源ユニット５０にはガス供給管５８を介してガス供給ユニット６０からＮ₂ ガスが供給されている。

エッジ露光装置１００による上記の一連の動作の結果、対象となる基板Ｗの周縁部が露光される。

図２および図３に基づいて図１の投光部１０の構成の詳細について説明する。図２は本発明の一実施の形態に係る投光部１０の構成を説明するための図であり、図３は図２の投光部１０の下端部周辺における縦断面図である。

図２に示すように、投光部１０の鏡筒１１の内部にはアパーチャＡＰおよび複数のレンズＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３，ＬＥ４が内設されている。

鏡筒１１および遮光マスク１は共に筒状に成形されており、鏡筒１１の外径は遮光マスク１の内径とほぼ同じ大きさに設計されている。筒状に成形された遮光マスク１の上端および下端は共に開口している。これにより、遮光マスク１の一端側（上端側）に鏡筒１１の下端部が挿入される。

鏡筒１１の下端部が挿入されない遮光マスク１の他端側（下端側）はテーパ形状を有する。換言すれば、遮光マスク１の下端側は、端面に向かって漸次軽少となっている。さらに、遮光マスク１の外周面には、上述のようにガス導入路２が一体形成されている。

光源ユニット５０からライトガイド５０ｔを介して鏡筒１１の上端部に送られる露光用光は、アパーチャＡＰに入射する。アパーチャＡＰは、スリットを有するマスク等を備え、露光用光の集光径を小さくしたり所定の形状にするためのものである。それにより、アパーチャＡＰを通過する露光用光は所定の大きさおよび形状（例えば、長方形等）に整形される。

アパーチャＡＰを通過した露光用光は、鏡筒１１内の複数のレンズＬＥ１〜ＬＥ４を通過し、矢印Ｌ１に示すように基板Ｗの所定の位置に照射される。基板Ｗ上に照射される露光用光の一部は、基板Ｗ上のレジスト膜により矢印Ｌ２に示すように投光部１０側に反射される場合がある。

このような反射が基板Ｗと投光部１０との間で繰り返されると、基板Ｗおよび投光部１０間で露光用光の拡散が生じる。上述の遮光マスク１は、このような露光用光の散乱を防止するために設けられている。遮光マスク１の外表面は、光を吸収しやすいように表面が加工されているので、基板Ｗからの反射光がさらに反射することが防止されている。また、遮光マスク１の下端側は漸次軽少となっているので、基板Ｗからの反射光が再び鏡筒１１内のレンズＬＥ４に入射することが防止されている。

さらに、遮光マスク１の下端側が漸次軽少となっていることにより、基板Ｗからの反射光が遮光マスク１の下端側に照射されても、反射光が外方に反射される。

鏡筒１１内で露光用光が最後に通過するレンズＬＥ４から基板Ｗ表面までの距離ｈ１は遮光マスク１の下端から基板Ｗ表面までの距離ｈ２よりも長い。これにより、レンズＬＥ４から遮光マスク１の下端までの間には、遮光マスク１により外部に開口した所定の半閉塞空間が形成されている。レンズＬＥ４から基板Ｗ表面までの距離ｈ１は、例えば、１０ｍｍであり、遮光マスク１の下端から基板Ｗ表面までの距離ｈ２は、例えば、１ｍｍである。

遮光マスク１の外周面に一体形成されているガス導入路２は、上記の半閉塞空間とガス導入路２に接続されているガス供給管６０ｔとを連通する。

図３において、ガス供給管６０ｔには矢印Ｋ１で示すようにガス供給ユニット６０からＮ₂ ガスが供給される。これにより、矢印Ｋ２で示すように、ガス導入路２を通じてガス供給管６０ｔからのＮ₂ ガスがレンズＬＥ４から遮光マスク１の下端までの間の半閉塞空間１Ｐに導入される。それにより、半閉塞空間１Ｐ内にＮ₂ ガスが充填される。

半閉塞空間１Ｐに連続してＮ₂ ガスが供給されることにより、半閉塞空間１Ｐに充填されたＮ₂ ガスは矢印Ｋ３で示すように遮光マスク１の開口部から外部に漏れ出す。

基板Ｗのエッジ露光時において、レジスト膜に露光用光が投光されると、レジストの昇華物が発生する場合がある。また、レジスト膜の内部に気泡が発生して、その気泡がレジスト膜の表面を突き破ることによりレジストのパーティクルが飛散する場合がある。

このように、基板Ｗのエッジ露光処理時に発生するレジストの昇華物およびパーティクルは矢印Ｓで示すように基板Ｗ上で飛散する場合、飛散したレジストの昇華物およびパーティクルがレンズＬＥ４の表面に付着すると、露光用光の照度低下およびレンズＬＥ４の屈折率の変化が生じる。

レンズＬＥ４による照度低下が生じると、エッジ露光処理の露光時間が長くなる。また、露光用光が屈折率の変化したレンズＬＥ４を通過すると、基板Ｗへの焦点が合わなくなり露光精度が悪くなる。

しかしながら、本実施の形態に係るエッジ露光装置１００において、基板Ｗ上で矢印Ｓで示すように飛散するレジスト膜の昇華物およびパーティクルは、矢印Ｋ３で示すように遮光マスク１の開口部から漏れ出るＮ₂ ガスの流れにより、半閉塞空間１Ｐ内部に進入することが防止される。その結果、鏡筒１１内のレンズＬＥ４の表面にレジストの昇華物およびパーティクルが付着および堆積することが防止される。

また、基板Ｗのエッジ露光処理時においては、大気中に含まれる物質が露光用光を照射されることにより反応し、不要な生成物が発生される場合がある。

しかしながら、本実施の形態に係るエッジ露光装置１００においては、半閉塞空間１Ｐに不活性ガスであるＮ₂ ガスが充填され、遮光マスク１の下端と基板Ｗとの間の空間にも常にＮ₂ ガスが漏れ出る。

したがって、レンズＬＥ４を通過して基板Ｗに投光される露光用光が大気中を通過することが防止されるので、大気による不要な生成物の発生が防止される。その結果、レンズＬＥ４の表面に不要な生成物が付着することが防止される。

なお、上記の大気中に含まれる物質としては、硫黄およびシリコン系の物質等が挙げられる。

以上のように、本実施の形態に係るエッジ露光装置１００においては、鏡筒１１内のレンズＬＥ４にレジストの昇華物およびパーティクルならびに大気中に含まれる物質から生成される生成物が付着および堆積しない。

したがって、レンズＬＥ４のメンテナンスを定期的に行う必要がなくなり、それにともなう低コスト化が実現される。また、レンズＬＥ４を通過する露光用光の照度低下も防止されるので、露光時間を長くする必要はなくなる。さらに、レンズＬＥ４の屈折率が常に一定に保たれるので、露光精度が維持され、信頼性の高いエッジ露光処理を行うことができる。

図３に示すように、レンズＬＥ４と遮光マスク１の下端部との間に半閉塞空間１Ｐが形成されている。半閉塞空間１ＰにＮ₂ ガスを充填することにより、露光用光の通過部に確実に大気を進入させないようにすることができる。ここで、半閉塞空間１Ｐの周囲を取り囲む部分の面積が開口部の面積よりも大きいことが好ましい。

また、開放空間においてレンズＬＥ４と基板Ｗとの間へＮ₂ ガスを吹き付ける場合に比べて、Ｎ₂ ガスの消費量が少ないので、低資源化が実現されている。

さらに、図３に示すように、半閉塞空間１Ｐはライトガイド１および鏡筒１１により形成されており、非常に簡単な構成となっている。

図４に基づいて図１の光源ユニット５０の構成の詳細について説明する。図４は、本発明の一実施の形態に係る光源ユニット５０の構成を説明するための図である。

図１の光源ユニット５０は、リフレクタ５１、ランプ５２、シャッタモータ５３、シャッタ５４、絞りモータ５５、絞り円板５６、半閉塞容器５７およびケーシング５９を備える。ケーシング５９には、外部よりライトガイド５０ｔおよびガス供給管５８が接続されている。

ランプ５２からは、上述の露光用光が発生される。ランプ５２は、例えば紫外線ランプである。リフレクタ５１は、ランプ５２から発生された露光用光の一部を反射して所定位置に集光する。

リフレクタ５１による集光位置にはシャッタ５４が配置されている。シャッタ５４は、シャッタモータ５３に回動可能に取り付けられている。シャッタモータ５３が動作することによりシャッタ５４が開閉される。

また、リフレクタ５１による集光位置にはライトガイド５０ｔの露光用光入射部５０ｘが、ケーシング５９および図示しないライトガイド５０ｔの接続部により固定されている。

さらに、ランプ５２とシャッタ５４との間に絞り円板５６が配置されている。絞り円板５６は開口を有し、絞りモータ５５と図示しない駆動機構により連結されている。絞りモータ５５が動作することにより絞り円板５６の開口面積が調整される。

光源ユニット５０に接続されるライトガイド５０ｔの一端部（露光用光入射部５０ｘ）周辺を取り囲むように半閉塞容器５７が配置されている。

これにより、シャッタモータ５３によるシャッタ５４の開放時および絞りモータ５５による絞り円板５６の最大開口時においても、ランプ５２により発生された露光用光は十分な光量で露光用光入射部５０ｘに集光される。開口部５７ｈは露光用光入射部５０ｘよりもランプ５２側に形成されている。

シャッタモータ５３によるシャッタ５４の開放時においては、ランプ５２からの直接光およびリフレクタ５１からの反射光の一部が露光用光入射部５０ｘに入射される。この場合、露光用光入射部５０ｘに入射する露光用光の光量は絞り円板５６により調整される。

一方、シャッタモータ５３によるシャッタ５４の閉鎖時（図４の状態）においては、ランプ５２からの直接光およびリフレクタ５１からの反射光の一部がシャッタ５４により阻止される。その結果、露光用光は露光用光入射部５０ｘに入射されない。

ここで、ケーシング５９内部において、外部より接続されているガス供給管５８は半閉塞容器５７に取り付けられている。これにより、半閉塞容器５７の内部空間である半閉塞空間２Ｐとガス供給管５８とが連通されている。

ランプ５２による露光用光の発生時およびシャッタ５４の開放時において、ガス供給管５８には、上述のガス供給ユニット６０から不活性ガスであるＮ₂ ガスが供給される。

これにより、半閉塞容器５７の半閉塞空間２ＰにＮ₂ ガスが充填される。それにより、露光用光の集光部に大気が存在しなくなり、大気中に含まれる物質が露光用光を照射されることにより反応し、不要な生成物が発生されることが防止される。その結果、露光用光入射部５０ｘに大気中に含まれる物質からの生成物が付着および堆積しない。

したがって、露光用光入射部５０ｘに入射され、ライトガイド５０ｔを通じて投光部１０に送られる露光用光は、長時間使用しても、露光用光入射部５０ｘの汚れによる光量の低下が十分に防止される。

また、上述のようにＮ₂ ガスは半閉塞容器５７内部に供給されるので、開放された状態で露光用光入射部５０ｘとリフレクタ５１との間にＮ₂ ガスを吹き付けるよりも、非常に低い消費量でＮ₂ ガスを供給することができる。これにより、低資源化が実現されている。

なお、上記において、半閉塞容器５７の開口部５７ｈの大きさは、できる限り小さくなるように設計されることが望ましい。

図４に示すように、半閉塞空間２Ｐは、一部に開口を有する単純な構造の半閉塞容器５７により形成されており、非常に簡単な構成となっている。

本実施の形態において、投光部１０より基板Ｗに照射される露光用光は、基板Ｗに予め形成されるレジスト膜に応じて決定される。このような露光用光としては、例えば、紫外線領域の波長を有する光等がある。

図１のエッジ露光装置１００は、投光部１０が投光部保持ユニット２０に保持されることにより、Ｘ方向およびＹ方向に移動可能であるが、投光部１０を保持する投光部保持ユニット２０は、必ずしも投光部１０をＸ方向およびＹ方向に移動可能に保持する必要はなく、投光部１０をＸ方向またはＹ方向のいずれかにのみ移動させるものであってもよい。

以上のように、本実施の形態に係るエッジ露光装置１００によれば、簡単な構成で、エッジ露光処理時に発生するパーティクルおよび昇華物が排除可能となっている。

（Ｎ₂ ガスの半閉塞空間への供給試験）
図５は、Ｎ₂ ガスの半閉塞空間１Ｐへの供給試験の概要を示す模式図である。

図３の半閉塞空間１ＰにＮ₂ ガスを供給する場合の最適な供給量を得るために、以下の試験（Ｎ₂ ガス供給量測定試験）を行った。

初めに、図５（ａ）に示すように、図１の投光部１０を駆動型の架台２００Ｘに取り付けた。駆動型の架台２００Ｘは、支柱２０１ａ、連結部材２０１ｂ、駆動台座２０２およびボールネジ２０３から構成されている。

駆動台座２０２はボールネジ２０３と螺合されている。ボールネジ２０３が図示しないモータにより回転されることにより、駆動台座２０２はボールネジ２０３と平行な方向（矢印Ｇの方向）に移動する。

駆動台座２０２に垂直となるように取り付けられている支柱２０１ａの上端側には連結部材２０１ｂが接続されている。投光部１０は連結部材２０１ｂに取り付けられることにより、矢印Ｇの方向に移動可能な状態で架台２００Ｘに保持されている。

次に、投光部１０の鏡筒１１内部に内設されているレンズＬＥ４の下面側にペーハー試験紙ＰＨ（赤色）を貼り付けた。レンズＬＥ４の下面側とは、図３の半閉塞空間１Ｐを取り囲む面の一部である。

そして、図５（ａ）に示すように、投光部１０の下端側に基板Ｗが投光部１０のレンズＬＥ４（ペーハー試験紙ＰＨの貼り付け位置）から１０ｍｍの距離となるように配置した。

その後、鏡筒１１の下端部にライトガイド１を取り付けた。ライトガイド１の取り付けは、ライトガイド１の下端から基板Ｗまでの距離ｈ３が、１ｍｍとなるように行った。

上記のように投光部１０および基板Ｗを配置した後、塩化水素ガスを噴出する発煙管３０１を所定の位置に配置する。所定の位置とは、発煙管３０１により噴出される塩化水素ガスが、ライトガイド１の下端と基板Ｗ表面との間の空間に吹き付けられる位置である。

また、ガス供給管６０ｔに流量計６０１を取り付けた。なお、流量計６０１の絞りは開放した。

図１に示すようにガス供給管６０ｔを介してガス導入路２に接続されているガス供給ユニット６０には、図示されていないＮ₂ ガスの供給量調整部が設けられている。ガス供給ユニット６０のＮ₂ ガスの供給量調整部（本例では、ニードル）を操作することにより、流量計６０１の計測値に基づいて半閉塞空間１Ｐに供給するＮ₂ ガスの量を後述の所定の量となるように調整した。

半閉塞空間１ＰへのＮ₂ ガスの供給量を所定の値に設定した後、発煙管３０１から塩化水素ガスを噴出させ、ライトガイド１の下端と基板Ｗ表面との間の空間（距離ｈ３の１ｍｍの空間）に塩化水素ガスが充満するように吹き付けた。この塩化水素ガスの吹き付けは、３分間連続して行った。

その後、半閉塞空間１ＰへのＮ₂ ガスの供給および塩化水素ガスの吹き付けを停止し、レンズＬＥ４に貼り付けたペーハー試験紙ＰＨの変色の有無を確認した。

ここで、半閉塞空間１ＰへのＮ₂ ガスの所定の供給量（Ｎ₂ ガス設定流量）は、０、０．２５、０．５、０．７５、１、１．２５、１．５、１．７５、２および２．２５ＮＬ／ｍｉｎである。

上記の各Ｎ₂ ガス設定流量におけるペーハー試験紙ＰＨの変色の有無を下表に示す。

このように、ペーハー試験紙ＰＨは、Ｎ₂ ガス設定流量が０ＮＬ／ｍｉｎの場合以外は変色しなかった。したがって、エッジ露光装置１００においては、少なくともＮ₂ ガス設定流量を０．２５ＮＬ／ｍｉｎ以上に設定することにより、投光部１０のレンズＬＥ４の汚れが防止されることが明らかとなった。

このように、少ないＮ₂ ガス設定流量でレンズＬＥ４の汚れが防止されるので、低資源化が実現され、効率的にエッジ露光処理時に発生するパーティクルおよび昇華物を排除することが可能となっている。

Ｎ₂ ガスにより露光用光に揺らぎが発生しないか否かを調査するため、以下の試験（Ｎ₂ ガス揺らぎ測定試験）を行った。

初めに、図５（ｂ）に示すように、図１の投光部１０を駆動型の架台２００Ｘに取り付けた。駆動型の架台２００Ｘの構成および動作はＮ₂ ガス供給量測定試験時と同じである。

そして、投光部１０の下端側に紫外線メータ７０１を配置した。紫外線メータ７０１の測定面が投光部１０のレンズＬＥ４から１０ｍｍの距離となるように配置した。

その後、鏡筒１１の下端部にライトガイド１を取り付けた。ライトガイド１の取り付けは、ライトガイド１の下端から紫外線メータ７０１の測定面までの距離ｈ４が、１ｍｍとなるように行った。

次に、ガス供給管６０ｔに流量計６０１を取り付けた。なお、流量計６０１の絞りは開放した。

Ｎ₂ ガス供給量測定試験と同様に、ガス供給ユニット６０のＮ₂ ガスの供給量調整部（ニードル）を操作することにより、流量計６０１の計測値に基づいて半閉塞空間１Ｐに供給するＮ₂ ガスの量を後述の所定の量となるように調整した。

そこで、露光用光の投光部１０から紫外線メータ７０１の測定面への投光を１分間連続して行った。この操作は、例えば、第１の実施の形態では光源ユニット５０のシャッタ５４を１分間開放することにより行う。

その後、半閉塞空間１ＰへのＮ₂ ガスの供給および露光用光の紫外線メータ７０１の測定面への照射を停止し、露光用光の照射時における紫外線メータ７０１の計測値の変動を確認した。

ここで、半閉塞空間１ＰへのＮ₂ ガスの所定の供給量（Ｎ₂ ガス設定流量）は、Ｎ₂ ガス供給量測定試験と同様に０、０．２５、０．５、０．７５、１、１．２５、１．５、１．７５、２および２．２５ＮＬ／ｍｉｎである。

上記の各Ｎ₂ ガス設定流量における紫外線メータ７０１の計測値の変動の有無を下表に示す。

このように、紫外線メータ７０１の計測値は、全てのＮ₂ ガス設定流量において変化しなかった。したがって、Ｎ₂ ガスにより露光用光に揺らぎが発生しないことが明らかとなった。

これにより、露光用光として紫外線領域の波長を有する光を用いる場合、Ｎ₂ ガスが、半閉塞空間１Ｐに充填する不活性ガスとして、好適に用いられることがわかった。

上記の実施の形態に係るエッジ露光装置１００を備えた基板処理装置について説明する。

図６は、本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置１００を備える基板処理装置の平面図である。

図６から後述の図８までの各図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。以下の説明におけるＸ方向およびＹ方向は、上記図１の説明に用いたＸ方向およびＹ方向と同じであってもよいし、異なってもよい。

図６に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック５０９、反射防止膜用処理ブロック５１０、レジスト膜用処理ブロック５１１、現像処理用ブロック５１２およびインターフェースブロック５１３を含む。インターフェースブロック５１３に隣接するようにステッパ部５１４が配置される。

インデクサブロック５０９は、複数のキャリア載置台５６０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨを有する。また、インデクサブロック５０９には、後述する熱処理ユニットの動作を制御するベークユニットコントローラ５３０が設けられる。反射防止膜用処理ブロック５１０は、反射防止膜用熱処理部５５０，５５１、反射防止膜用塗布処理部５７０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５７０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部５５０，５５１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１を有する。

レジスト膜用処理ブロック５１１は、レジスト膜用熱処理部５５２，５５３、レジスト膜用塗布処理部５８０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部５８０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部５５２，５５３に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ２を有する。

現像処理用ブロック５１２は、現像用熱処理部５５４，５５５、現像処理部５９０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部５９０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部５５４，５５５に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３を有する。

インターフェースブロック５１３は、第４のセンターロボットＣＲ４、バッファＳＢＦ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび図１のエッジ露光装置１００を含む。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ４を有する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ８とステッパ部５１４との間で基板Ｗの受け渡しを行う。

本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック５０９、反射防止膜用処理ブロック５１０、レジスト膜用処理ブロック５１１、現像処理用ブロック５１２およびインターフェースブロック５１３の順に並設されている。

以下、インデクサブロック５０９、反射防止膜用処理ブロック５１０、レジスト膜用処理ブロック５１１、現像処理用ブロック５１２およびインターフェースブロック５１３の各々を処理ブロックと呼ぶ。

基板処理装置５００には、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（図示せず）が設けられている。

また、各処理ブロックの間には隔壁が設けられている。この各隔壁には、各処理ブロック間に基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６が２個ずつ上下に近接して設けられている。

また、現像処理用ブロック５１２の現像用熱処理部５５５には、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ７が設けられ、インターフェースブロック５１３のエッジ露光装置１００には、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ８が設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ５は、未処理の基板Ｗを受け渡す場合に用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ６は、処理済みの基板Ｗを受け渡す場合に用いられる。

次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について簡潔に説明する。

インデクサブロック５０９のキャリア載置台５６０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗの受け渡しをするためのハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に移載する。

また、本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第４のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１に移載された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック５１０の第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５７０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５７０では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるためフォトレジスト膜の下部に反射防止膜が後述の塗布ユニットＢＡＲＣにより塗布形成される。

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５７０から基板Ｗを取り出し、反射防止膜用熱処理部５５０，５５１に搬入する。反射防止膜用熱処理部５５０，５５１において所定の処理が施された後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部５５０，５５１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ３に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ３に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック５１１の第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部５８０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部５８０では、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜が後述の塗布ユニットＲＥＳにより塗布形成される。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部５８０から基板Ｗを取り出し、レジスト膜用熱処理部５５２，５５３に搬入する。レジスト膜用熱処理部５５２，５５３において所定の処理が施された後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部５５２，５５３から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ５に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ５に移載された基板Ｗは、現像処理用ブロック５１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に移載する。基板載置部ＰＡＳＳ７に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック５１３の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗをエッジ露光装置１００に搬入する。エッジ露光装置１００において所定の処理が施された後、第４のセンターロボットＣＲ４は、エッジ露光装置１００から基板Ｗを取り出し、エッジ露光装置１００に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ８に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ８に移載された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより受け取られる。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗをステッパ部５１４に搬入する。ステッパ部５１４において、所定の処理が基板Ｗに施される。その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ステッパ部５１４より基板Ｗを受け取り、エッジ露光装置１００に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ８に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ８に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック５１３の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗを現像用熱処理部５５５に搬入する。現像用熱処理部５５５においては、基板Ｗに対して熱処理が行われる。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部５５５から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ７に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ７に移載された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを現像処理部５９０に搬入する。現像処理部５９０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部５９０から基板Ｗを取り出し、現像用熱処理部５５４に搬入する。現像用熱処理部５５４において所定の処理が施された後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部５５４から基板Ｗを取り出し、レジスト膜用処理ブロック５１１に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ６に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ６に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック５１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に移載される。基板載置部ＰＡＳＳ４に移載された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック５１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に移載される。

基板載置部ＰＡＳＳ２に移載された基板Ｗは、インデクサブロック５０９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。

次に、図７は、図６の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た側面図である。

インデクサブロック５０９のキャリア載置台５６０上に基板Ｗを収納したキャリアＣが載置される。インデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨは、±θ方向に回転または±Ｙ方向に進退してキャリアＣ内の基板Ｗを受け取る。

反射防止膜用処理ブロック５１０の反射防止膜用熱処理部５５０には、２個の受け渡し部付き熱処理ユニットＰＨＰ（以下、単に熱処理ユニットと呼ぶ。）と３個のホットプレートＨＰが上下に積層配置され、反射防止膜用熱処理部５５１には、２個の密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよび４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部５５０，５５１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰ、密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジスト膜用処理ブロック５１１のレジスト膜用熱処理部５５２には、６個の熱処理ユニットＰＨＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部５５３には、４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部５５２，５５３には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

現像処理用ブロック５１２の現像用熱処理部５５４には、４個のホットプレートＨＰおよび４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置され、現像熱処理部５５５には、基板載置部ＰＡＳＳ７、５個の熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰが上下に積層配置されている。また、現像用熱処理部５５４，５５５には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

インターフェースブロック５１３には、２個のエッジ露光装置１００、バッファ部ＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８が上下に積層配置されるとともに、第４のセンターロボットＣＲ４およびインターフェース搬送機構ＩＦＲ（図示せず）が配置される。

図８は、図６の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。

インデクサブロック５０９の上方には、ベークユニットコントローラ５３０が配置されている。反射防止膜用処理ブロック５１０の反射防止膜用塗布処理部５７０には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。レジスト膜用処理ブロック５１１のレジスト膜用塗布処理部５８０には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。現像処理用ブロック５１２の現像処理部５９０には、５個の現像処理装置ＤＥＶが上下に積層配置されている。

上記のように、基板処理装置５００には図１のエッジ露光装置１００が設けられている。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗのエッジ露光処理時にパーティクルおよび昇華物が各光学系から排除可能となっている。

以上、本発明の一実施の形態において、エッジ露光装置１００はエッジ露光装置に相当し、投光部保持ユニット２０は基板保持手段に相当し、光源ユニット５０およびランプ５２は光源に相当し、光源ユニット５０、ライトガイド５０ｔおよび投光部１０は光学系に相当する。また、リフレクタ５１、ランプ５２、ライトガイド５０ｔ、アパーチャＡＰおよび複数のレンズＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３，ＬＥ４は光学部材に相当し、半閉塞空間１Ｐ，２Ｐは光の経路中の空間に相当し、半閉塞容器５７は第１の空間形成部材に相当し、遮光マスク１は第２の空間形成部材に相当し、遮光マスク１の下端部の開口および半閉塞容器５７の開口部５７ｈは開口部に相当する。

さらに、ガス供給管５８，６０ｔおよびガス導入路２は気体供給手段に相当し、ライトガイド５０ｔは光伝達部材に相当し、レンズＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３，ＬＥ４は集光部材に相当し、鏡筒１１は筒状部材に相当する。また、遮光マスク１の外周面は集面部に相当し、遮光マスク１のテーパ部がテーパ部に相当し、リフレクタ５１は集光手段に相当し、露光用光入射部５０ｘは端面に相当する。

さらに、Ｎ₂ ガスは不活性ガスに相当し、基板処理装置５００は基板処理装置に相当し、レジスト膜用塗布処理部５８０は塗布装置に相当する。

本発明は、粉塵または析出物等のレンズ表面への付着を防止して基板の周縁部を露光するエッジ露光装置およびそれを備える基板処理装置として有用である。

本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置の一例を示す模式図である。 本発明の一実施の形態に係る投光部の構成を説明するための図である。 図２の投光部の下端部周辺における縦断面図である。 本発明の一実施の形態に係る光源ユニットの構成を説明するための図である。 Ｎ₂ ガスの半閉塞空間への供給試験の概要を示す模式図である。 本発明の一実施の形態に係るエッジ露光装置１００を備える基板処理装置の平面図である。 図６の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。 図６の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。 従来の一般的なエッジ露光装置を示す模式図である。 パーティクルの排除を可能とする従来のエッジ露光装置を示す模式図である。

符号の説明

１ 遮光マスク
１Ｐ，２Ｐ 半閉塞空間
２ ガス導入路
１０ 投光部
１１ 鏡筒
２０ 投光部保持ユニット
５０ 光源ユニット
５０ｔ ライトガイド
５０ｘ 露光用光入射部
５１ リフレクタ
５２ ランプ
５７ 半閉塞容器
５７ｈ 開口部
５８，６０ｔ ガス供給管
１００ エッジ露光装置
５００ 基板処理装置
５８０ レジスト膜用塗布処理部
ＡＰ アパーチャ
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３，ＬＥ４ レンズ

Claims (5)

1. 基板の周縁部を露光するエッジ露光装置であって、
   基板を保持する基板保持手段と、
   光を発生する光源と、
   前記光源により発生された光を前記基板保持手段により保持された基板に導く経路を形成する光学系と、
   前記光学系により形成された光の経路中に設けられた光学部材と、
   前記光学系により形成された光の経路中の空間の周囲を前記光学部材とともに取り囲み、光が通過する開口部を有する第１の空間形成部材と、
   前記第１の空間形成部材により形成される空間内に不活性ガスを供給する気体供給手段とを備え、
   前記光学系は、前記光源により発生された光を集光する集光手段を含み、
   前記光学部材は、前記集光手段により集光された光を受ける端面を有し、光を伝達する光伝達部材を含み、
   前記第１の空間形成部材は、前記集光手段により前記光伝達部材の端面に入射する光の経路中の空間の周囲を前記光伝達部材の端面とともに取り囲むことを特徴とするエッジ露光装置。
2. 前記光学部材は、前記光伝達部材により伝達された光を前記基板保持手段により保持された基板の周縁部に集光する集光部材を含み、
   前記集光部材から基板への前記光の経路中の空間の周囲を前記集光部材とともに取り囲む第２の空間形成部材をさらに備え、
   前記気体供給手段は、前記第２の空間形成部材により形成される空間内に不活性ガスをさらに供給することを特徴とする請求項１記載のエッジ露光装置。
3. 前記集光部材は、レンズを内蔵する筒状部材を含み、
   前記第２の空間形成部材は、前記筒状部材の光出射側の先端部に前記光の経路中の空間を形成するとともに前記レンズから基板に照射される光が前記開口部を通過するように設けられたことを特徴とする請求項２記載のエッジ露光装置。
4. 前記第２の空間形成部材は、前記レンズから基板への光の経路の周囲を取り囲む筒状の周面部と前記周面部の端部から漸次径小となるテーパ部とを有することを特徴とする請求項３記載のエッジ露光装置。
5. 基板に処理を行う基板処理装置であって、
   基板に処理液の塗布処理を行う塗布装置と、
   前記塗布装置により処理液が塗布された基板の周縁部を露光する請求項１〜４のいずれかに記載のエッジ露光装置とを備えたことを特徴とする基板処理装置。

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