JP4112791B2 - 電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置に関する。特に本発明は、複数のマークを用いて、複数の電子ビームの照射位置を補正する電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
複数の電子ビームを用いてウェハに露光処理を行う従来の電子ビーム露光装置は、電子ビームの照射位置の補正を行う場合に、全ての電子ビームの照射位置の補正を行うための1つのマーク部材に、全ての電子ビームを照射することにより補正値を求めていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
近年の半導体デバイスの微細化に伴い、電子ビーム露光装置の半導体デバイスの量産での利用に向け、露光処理や電子ビームの補正方法の高速化が望まれている。
【0004】
しかしながら、従来の電子ビーム露光装置では、補正を行うたびに、全ての電子ビームを、当該1つのマークに対して照射しなくてはならないため、1つの電子ビームの補正を終え、他の電子ビームの補正を行うために、ステージを移動しなくてはならなかった。そのため、全ての電子ビームの補正を行うには非常に長い時間を要し、短時間で電子ビームの照射位置を補正する方法が望まれていた。
【0005】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【0006】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の第1の形態によると、複数のマークを用いて、複数の電子ビームの照射位置を補正する電子ビーム補正方法であって、複数の電子ビームのうち、1つの電子ビームを複数のマークに照射することにより、1つの電子ビームの照射位置に対する複数のマークの相対的なマーク位置を検出するマーク位置検出段階と、複数のマークのうち、1つのマークに複数の電子ビームを照射することにより、1つのマークに対する複数の電子ビームの相対的な照射位置を検出する照射位置検出段階と、検出された複数のマークのマーク位置と、検出された複数の電子ビームの照射位置とに基づいて、複数の電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算出段階とを備える。
【0007】
マーク位置検出段階は、複数のマークのうち所望のマークを基準マークとして、基準マークに対する他のマークの相対的なマーク位置を検出する段階を含んでもよい。
【0008】
マーク位置検出段階は、複数のマークのうち所望のマークを基準マークとして、基準マークに対する他のマークの相対的な大きさを検出する段階を含んでもよい。
【0009】
照射位置検出段階は、複数の電子ビームのうち所望の電子ビームの照射位置を基準照射位置として、複数の電子ビームを基準マークに照射することにより、基準照射位置に対する他の電子ビームの相対的な照射位置を検出する段階を含んでもよい。
【0010】
算出段階は、基準マークに対する他のマークの相対的なマーク位置と、基準照射位置に対する他の電子ビームの相対的な照射位置とに基づいて、複数の電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する段階を含んでもよい。
【0011】
複数のマークは、複数の電子ビームにそれぞれ対応する位置に設けられており、補正値を用いて複数の電子ビームの照射位置を補正し、複数の電子ビームの各々を対応するマークに照射する照射段階と、照射段階において、マークに照射された電子ビームの照射位置を検出する照合位置検出段階と、照合位置検出段階において検出された各電子ビームの照射位置と、マークの検出位置とを照合することにより、補正値が適正であるか否かを判断する照合段階とをさらに備えてもよい。
【0012】
複数の電子ビームを用いて、所定の回数の露光処理を行う毎に、照合位置検出段階と照合段階とを繰り返す段階をさらに備えてもよい。
【0013】
複数のマークが設けられた基準ウェハを載置するウェハステージのステージ位置を補正するステージ位置補正段階をさらに備え、マーク位置検出段階は、補正されたステージ位置にを基準とする複数のマークの相対的なマーク位置を検出してもよい。
【0014】
本発明の他の形態によると、電子ビームにより、ウェハを露光する電子ビーム露光装置であって、複数のマークを有する基準ウェハが載置されるウェハステージと、複数の電子ビームを発生させる電子銃と、電子ビームをマークに照射させるように偏向させる偏向部と、マークに照射された電子ビームの反射電子を検出する電子検出部と、電子検出部が出力する電気信号に基づいて、複数の電子ビームのうち、1つの電子ビームが複数のマークに照射されることにより、1つの電子ビームの照射位置に対する複数のマークの相対的なマーク位置を検出するマーク位置検出部と、電子検出部が出力する電気信号に基づいて、複数のマークのうち、1つのマークに複数の電子ビームが照射させることにより、1つのマークに対する複数の電子ビームの相対的な照射位置を検出する照射位置検出部と、複数のマークの位置及び複数の電子ビームの照射位置とに基づいて、複数の電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算出部とを備える。
【0015】
複数の電子ビームの照射位置の間隔と、複数のマークの間隔とが実質的に等しくてもよい。
【0016】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【0018】
図1は、本発明の一実施形態に係る電子ビーム露光装置100の構成を示す。電子ビーム露光装置100は、電子ビームによりウェハ44に所定の露光処理を施すための露光部150と、露光部150に含まれる各構成の動作を制御する制御系140を備える。
【0019】
露光部150は、筐体8内部で、複数の電子ビームを発生し、電子ビームの断面形状を所望に整形する電子ビーム整形手段110と、複数の電子ビームをウェハ44に照射するか否かを、電子ビーム毎に独立に切替える照射切替手段112と、ウェハ44に転写されるパターンの像の向き及びサイズを調整するウェハ用投影系114を含む電子光学系を備える。また、露光部150は、パターンを露光すべきウェハ44を載置するウェハステージ46と、ウェハステージ46を駆動するウェハステージ駆動部48とを含むステージ系を備える。さらに、露光部150は、電子ビームの照射位置を補正するために用いられる基準ウェハに設けられた複数のマークに電子ビームが照射されることにより発生する反射電子を検出する電子検出部40を備える。電子検出部40は、検出した反射電子量に応じた電気信号を反射電子処理部94に出力する。
【0020】
電子ビーム整形手段110は、複数の電子ビームを発生させる電子ビーム発生部10と、電子ビームを通過させることにより、電子ビームの断面形状を整形する複数の開口部を有する第1整形部材14および第2整形部材22と、複数の電子ビームを独立に収束し、電子ビームの焦点を調整する第1多軸電子レンズ16と、第1整形部材14を通過した複数の電子ビームを独立に偏向する第1整形偏向部18および第2整形偏向部20とを有する。
【0021】
電子ビーム発生部10は、複数の電子銃104と、電子銃104が形成される基材106とを有する。電子銃104は、熱電子を発生させるカソード12と、カソード12を囲むように形成され、カソード12で発生した熱電子を安定させるグリッド102とを有する。カソード12とグリッド102とは、電気的に絶縁されるのが望ましい。本実施例において、電子ビーム発生部10は、基材106に、複数の電子銃104を、所定の間隔に有することにより、電子銃アレイを形成する。
【0022】
第1整形部材14および第2整形部材22は、電子ビームが照射される面に、接地された白金などの金属膜を有することが望ましい。第1整形部材14および第2整形部材22に含まれる複数の開口部の断面形状は、電子ビームを効率よく通過させるために、電子ビームの照射方向に沿って広がりを有してもよい。また、第1整形部材14および第2整形部材22に含まれる複数の開口部は、矩形に形成されるのが好ましい。
【0023】
照射切替手段112は、複数の電子ビームを独立に収束し、電子ビームの焦点を調整する第2多軸電子レンズ24と、複数の電子ビームを、電子ビーム毎に独立に偏向させることにより、電子ビームをウェハ44に照射するか否かを、電子ビーム毎に独立に切替えるブランキング電極アレイ26と、電子ビームを通過させる複数の開口部を含み、ブランキング電極アレイ26で偏向された電子ビームを遮蔽する電子ビーム遮蔽部材28とを有する。また、他の実施例においてブランキング電極アレイ26は、ブランキング・アパーチャ・アレイであってもよい。
【0024】
ウェハ用投影系114は、複数の電子ビームを独立に収束し、電子ビームの照射径を縮小する第3多軸電子レンズ34と、複数の電子ビームを独立に収束し、電子ビームの焦点を調整する第4多軸電子レンズ36と、複数の電子ビームを、ウェハ44の所望の位置に、電子ビーム毎に独立に偏向する偏向部38と、ウェハ44に対する対物レンズとして機能し、複数の電子ビームを独立に収束する第5多軸電子レンズ52とを有する。
【0025】
制御系140は、統括制御部130及び個別制御部120を備える。個別制御部120は、電子ビーム制御部80と、多軸電子レンズ制御部82と、整形偏向制御部84と、ブランキング電極アレイ制御部86と、偏向制御部92と、反射電子処理部94と、ウェハステージ制御部96とを有する。統括制御部130は、例えばワークステーションであって、個別制御部120に含まれる各制御部を統括制御する。電子ビーム制御部80は、電子ビーム発生部10を制御する。多軸電子レンズ制御部82は、第1多軸電子レンズ16、第2多軸電子レンズ24、第3多軸電子レンズ34、第4多軸電子レンズ36および第5多軸電子レンズ52に供給する電流を制御する。
【0026】
整形偏向制御部84は、第1整形偏向部18および第2整形偏向器20を制御する。ブランキング電極アレイ制御部86は、ブランキング電極アレイ26に含まれる偏向電極に印加する電圧を制御する。偏向制御部92は、偏向部38に含まれる複数の偏向器が有する偏向電極に印加する電圧を制御する。反射電子処理部94は、電子検出部40から出力された電気信号に基づいて反射電子量を検出し、統括制御部130に通知する。統括制御部130は、検出された反射電子量に基づいて、基準ウェハに設けられたマークの相対的な位置及び大きさを求めることができる。ウェハステージ制御部96は、ウェハステージ駆動部48を制御し、ウェハステージ46を所定の位置に移動させる。
【0027】
本実施形態に係る電子ビーム露光装置100の動作について説明する。まず、ウェハステージ46のステージ位置の補正を行う。次に、複数のマークが設けられた基準ウェハを用いて、複数の電子ビームの照射位置の校正を行う。複数のマークが設けられた基準ウェハがウェハステージ46に載置される。電子ビーム発生部10が、複数の電子ビームを発生する。偏向部38は、複数の電子ビームの各々を基準ウェハに設けられたマークに照射させるように偏向させる。電子検出部40は、マークに照射された電子ビームの反射電子量を検出する。統括制御部130において、図示しないマーク位置検出部は、電子検出部40によって検出された反射電子量に基づいて、複数の電子ビームのうち、1つの電子ビームが複数のマークに照射されることにより、1つの電子ビームの照射位置に対する複数のマークの相対的なマーク位置を検出し、図示しない照射位置検出部は、電子検出部40によって検出された反射電子量に基づいて、複数のマークのうち、1つのマークに複数の電子ビームが照射されることにより、1つのマークに対する複数の電子ビームの相対的な照射位置を検出する。そして、統括制御部130において、図示しない算出部は、検出された複数のマークの位置及び複数の電子ビームの照射位置とに基づいて、複数の電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する。
【0028】
電子ビームの照射位置の補正を行った後、ウェハステージ46にウェハ44が載置され、算出された補正値に基づいて露光処理が開始される。まず、電子ビーム発生部10が、複数の電子ビームを生成する。電子ビーム発生部10において、発生された電子ビームは、第1整形部材14に照射され、整形される。
【0029】
第1多軸電子レンズ16は、矩形に整形された複数の電子ビームを独立に収束し、第2整形部材22に対する電子ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独立に行う。第1整形偏向部18は、矩形に整形された複数の電子ビームを、電子ビーム毎に独立して、第2整形部材に対して所望の位置に偏向する。第2整形偏向部20は、第1整形偏向部18で偏向された複数の電子ビームを、電子ビーム毎に独立に第2整形部材22に対して略垂直方向に偏向する。矩形形状を有する複数の開口部を含む第2整形部材22は、各開口部に照射された矩形の断面形状を有する複数の電子ビームを、ウェハ44に照射されるべき所望の矩形の断面形状を有する電子ビームにさらに整形する。
【0030】
第2多軸電子レンズ24は、複数の電子ビームを独立に収束して、ブランキング電極アレイ26に対する電子ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独立に行う。第2多軸電子レンズ24より焦点調整された電子ビームは、ブランキング電極アレイ26に含まれる複数のアパーチャを通過する。
【0031】
ブランキング電極アレイ制御部86は、ブランキング電極アレイ26に形成された、各アパーチャの近傍に設けられた偏向電極に電圧を印加するか否かを制御する。ブランキング電極アレイ26は、偏向電極に印加される電圧に基づいて、電子ビームをウェハ44に照射させるか否かを切替える。
【0032】
ブランキング電極アレイ26により偏向されない電子ビームは、第3多軸電子レンズ34により電子ビーム径を縮小されて、電子ビーム遮蔽部材28に含まれる開口部を通過する。第4多軸電子レンズ36が、複数の電子ビームを独立に収束して、偏向部38に対する電子ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独立に行い、焦点調整をされた電子ビームは、偏向部38に含まれる偏向器に入射される。
【0033】
偏向制御部92が、偏向部38に含まれる複数の偏向器を独立に制御する。偏向部38は、複数の偏向器に入射される複数の電子ビームを、電子ビーム毎に独立にウェハ44の所望の露光位置に偏向する。偏向部38を通過した複数の電子ビームは、第5多軸電子レンズ52により、ウェハ44に対する焦点が調整され、ウェハ44に照射される。
【0034】
露光処理中、ウェハステージ制御部96は、一定方向にウェハステージ48を動かす。ブランキング電極アレイ制御部86は露光パターンデータに基づいて、電子ビームを通過させるアパーチャを定め、各アパーチャに対する電力制御を行う。ウェハ44の移動に合わせて、電子ビームを通過させるアパーチャを適宜、変更し、さらに偏向部38により電子ビームを偏向することによりウェハ44に所望の回路パターンを露光することが可能となる。
【0035】
図2は、電子ビーム露光装置100における電子ビームの照射位置の校正処理のフローチャートである。S10で本フローチャートが開始する。S12で、複数のマークが設けられた基準ウェハを載置するウェハステージ46のステージ位置の補正を行う。S14で、所定の電子ビームを各マークに照射させ、所定のマークに対する相対的なマークの位置を検出する。S16で、所定のマークに対する相対的なマークの大きさを検出する。S18で、所定のマークに各電子ビームを照射させ、所定のマークに対する各電子ビームの相対的な照射位置を検出する。S20で、S14、S16、及びS18において検出されたマークの位置、マークの大きさ、及び電子ビームの照射位置に基づいて、電子ビームの補正値を算出する。S22で、S20において算出された補正値を用いて、複数の電子ビームの照射位置を補正し、複数の電子ビームの各々を対応するマークに照射する。S24で、S22において照射された電子ビームの照射位置を検出する。S26で、S24において検出された電子ビームの照射位置と、マークの検出位置とを照合し、算出された補正値が適正であるか否かを判断する。補正値が適正でないと判断された場合、S12に戻り、同様の処理をやり直す。補正値が適正であると判算された場合、S28に進む。S28で、適正であると判断された補正値を用いて、所定の回数の露光処理を行う。S30で、所望の全ての露光処理が完了したか否かを判断する。全ての露光処理が完了していないと判断された場合、S12に戻り、同様の処理を繰り返す。全ての露光処理が完了したと判断された場合、S32に進む。S32で、本フローチャートを終了する。
【0036】
上述したフローチャートの説明では、マーク位置検出(S14)及びマーク大きさ検出(S16)の後に、電子ビームの照射位置検出(S18)を行ったが、電子ビームの照射位置検出(S18)の後に、、マーク位置検出(S14)及びマーク大きさ検出(S16)を行ってもよい。また、S26において補正値が適正でないと判断された場合、及びS30において全ての露光処理が完了していないと判断された場合に、再度、ステージ位置補正(S12)を行ったが、ステージ位置補正(S12)を行わず、マーク位置検出(S14)以降を繰り返してもよい。
【0037】
図3は、電子銃104の配置例及び複数のマーク47が配置された基準ウェハ45の一例を示す。図3(a)は、69個の電子銃104が配置された基材106を示す。図3(b)が、69個のマーク47が設けられた基準ウェハ45を示す。基材106に配置された各々の電子銃104と基準ウェハ45に設けられた各々のマーク47とは、対応する位置に設けられている。よって、各々の電子銃104によって照射される電子ビームの照射位置の間隔と、基準ウェハ45に設けられた複数のマーク47の間隔とは、実質的に等しいことが好ましい。
【0038】
図4は、ステージ位置補正(S12)、マーク位置検出(S14)、及びマーク大きさ検出(S16)における、電子ビーム発生部10と基準ウェハ45との位置関係を示す。まず、図4(a)に示したレーザ干渉計50を用いて、基準ウェハ45が載置されるウェハステージ46のステージ位置を補正する。レーザ干渉計50は、ウェハステージ46に設けられたミラー55に複数のレーザを照射して、当該複数のレーザの反射光を受け取り、照射したレーザと反射光とに基づいて、ウェハステージ46の位置及び傾き、ミラー55の傾き及び反りを検出する。統括制御部130は、ウェハステージ46のステージ位置を補正する補正値を算出し、以後、ウェハステージ46は当該補正値に基づいて制御される。
【0039】
ウェハステージ46のステージ位置の補正が終了した後、所定のマークに対する相対的なマークの位置と大きさの検出を行う。まず、所定の電子銃104の照射位置に所定のマーク47を移動させて、基準となる電子銃104とマーク47とを決定する。本実施形態では、最下部中央の電子銃104の照射位置を基準照射位置とし、最上部中央のマーク47を基準マークとする。基準照射位置を最下部中央の電子銃104とし、基準マークを最上部中央のマーク47とすることにより、ウェハステージ46の移動距離が最小となる。
【0040】
図4(a)、図4(b)、図4(c)、及び図4(d)に示すように、ウェハステージ46を移動させ、最下部中央の電子銃104の電子ビームを全てのマーク47に照射することにより、最下部中央の電子銃104の照射位置に対する全てのマークの相対的なマーク位置を検出する。さらに、基準マークに対する他のマークの相対的なマーク位置、及び基準マークに対する他のマークの相対的な大きさを検出する。
【0041】
図5は、照射位置検出(S18)における、電子ビーム発生部10と基準ウェハ45との位置関係を示す。図5(a)、図5(b)、図5(c)、及び図5(d)に示すように、ウェハステージ46を移動させ、全ての電子ビームを基準マークである最上部中央部のマーク47に照射することにより、基準マークに対する全ての電子銃104の照射位置を検出する。さらに、基準照射位置に対する他の電子ビームの照射位置を検出する。そして、統括制御部130において、基準マークに対する他のマークの相対的なマーク位置と、基準照射位置に対する他の電子ビームの相対的な照射位置とに基づいて、全ての電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する。
【0042】
図6は、照合位置検出(S24)における、電子ビーム発生部10と基準ウェハ45との位置関係を示す。複数のマーク47は、複数の電子銃104にそれぞれ対応する位置に設けられており、統括制御部130において算出された補正値を用いて全ての電子ビームの照射位置を補正し、電子銃104から発生される電子ビームの各々を対応するのマークに照射する。そして、各マーク47に照射された電子ビームの照射位置を検出する。検出された各電子ビームの照射位置と、マーク位置検出(S14)において検出されたマーク47の検出位置とを照合する。上記の照合処理は、所定の回数の露光処理を行う毎に繰り返し行うことが好ましい。
【0043】
以上で説明したように、本発明によれば、基準マークに対する他のマークの相対的なマーク位置を検出し、基準照射位置に対する他の電子ビームの照射位置を検出することによって、全て電子ビームの照射位置を補正する補正値を決定することができる。したがって、全てのマークと全ての電子ビームとを用いて、ウェハステージを移動させることなく短時間で、再度電子ビームの照射位置を検出することができる。また、1つの電子ビームを用いて複数のマークを検出することにより、マークの相対的な位置及び大きさを検出することができる。
【0044】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【0045】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明によれば複数のマークを用いて、複数の電子ビームの照射位置を補正する電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る電子ビーム露光装置100の構成を示す図である。
【図2】電子ビーム露光装置100における電子ビームの照射位置の校正処理のフローチャートである。
【図3】電子銃104の配置例及び複数のマーク47が配置された基準ウェハ45の一例を示す図である。
【図4】ステージ位置補正(S12)、マーク位置検出(S14)、及びマーク大きさ検出(S16)における、電子ビーム発生部10と基準ウェハ45との位置関係を示す図である。
【図5】照射位置検出(S18)における、電子ビーム発生部10と基準ウェハ45との位置関係を示す図である。
【図6】照合位置検出(S24)における、電子ビーム発生部10と基準ウェハ45との位置関係を示す図である。
【符号の説明】
10 電子ビーム発生部
18 第1整形偏向部
20 第2整形偏向部
38 偏向部
40 電子検出部
44 ウェハ
45 基準ウェハ
46 ウェハステージ
47 マーク
50 レーザ干渉計
55 ミラー
84 整形偏向制御部
92 偏向制御部
94 反射電子処理部
100 電子ビーム露光装置
104 電子銃
106 基材
120 個別制御部
130 統括制御部
140 制御系
150 露光部
Claims (10)
- 複数のマークを用いて、複数の電子ビームの照射位置を補正する電子ビーム補正方法であって、
前記複数の電子ビームのうち、1つの電子ビームを前記複数のマークに照射することにより、前記1つの電子ビームの照射位置に対する前記複数のマークの相対的なマーク位置を検出するマーク位置検出段階と、
前記複数のマークのうち、1つのマークに前記複数の電子ビームを照射することにより、前記1つのマークに対する前記複数の電子ビームの相対的な照射位置を検出する照射位置検出段階と、
検出された前記複数のマークの前記マーク位置と、検出された前記複数の電子ビームの前記照射位置とに基づいて、前記複数の電子ビームの前記照射位置を補正する補正値を算出する算出段階と
を備えることを特徴とする電子ビーム補正方法。 - 前記マーク位置検出段階は、前記複数のマークのうち所望のマークを基準マークとして、前記基準マークに対する他のマークの相対的なマーク位置を検出する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム補正方法。
- 前記マーク位置検出段階は、前記複数のマークのうち所望のマークを基準マークとして、前記基準マークに対する他のマークの相対的な大きさを検出する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム補正方法。
- 前記照射位置検出段階は、前記複数の電子ビームのうち所望の電子ビームの照射位置を基準照射位置として、前記複数の電子ビームを前記基準マークに照射することにより、前記基準照射位置に対する他の電子ビームの相対的な照射位置を検出する段階を含むことを特徴とする請求項2に記載の電子ビーム補正方法。
- 前記算出段階は、前記基準マークに対する前記他のマークの相対的な前記マーク位置と、前記基準照射位置に対する前記他の電子ビームの相対的な前記照射位置とに基づいて、前記複数の電子ビームの前記照射位置を補正する前記補正値を算出する段階を含むことを特徴とする請求項4に記載の電子ビーム補正方法。
- 前記複数のマークは、前記複数の電子ビームにそれぞれ対応する位置に設けられており、前記補正値を用いて前記複数の電子ビームの前記照射位置を補正し、前記複数の電子ビームの各々を対応する前記マークに照射する照射段階と、
前記照射段階において、前記マークに照射された前記電子ビームの照射位置を検出する照合位置検出段階と、
前記照合位置検出段階において検出された各電子ビームの前記照射位置と、前記マークの検出位置とを照合することにより、前記補正値が適正であるか否かを判断する照合段階と
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム補正方法。 - 前記複数の電子ビームを用いて、所定の回数の露光処理を行う毎に、前記照合位置検出段階と前記照合段階とを繰り返す段階をさらに備えることを特徴とする請求項6に記載の電子ビーム補正方法。
- 前記複数のマークが設けられた基準ウェハを載置するウェハステージのステージ位置を補正するステージ位置補正段階をさらに備え、
前記マーク位置検出段階は、補正されたステージ位置にを基準とする前記複数のマークの相対的な前記マーク位置を検出することを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム補正方法。 - 電子ビームにより、ウェハを露光する電子ビーム露光装置であって、
複数のマークを有する基準ウェハが載置されるウェハステージと、
複数の電子ビームを発生させる電子銃と、
前記電子ビームを前記マークに照射させるように偏向させる偏向部と、
前記マークに照射された前記電子ビームの反射電子を検出する電子検出部と、
前記電子検出部が出力する電気信号に基づいて、前記複数の電子ビームのうち、1つの電子ビームが前記複数のマークに照射されることにより、前記1つの電子ビームの照射位置に対する前記複数のマークの相対的なマーク位置を検出するマーク位置検出部と、
前記電子検出部が出力する電気信号に基づいて、前記複数のマークのうち、1つのマークに前記複数の電子ビームが照射させることにより、前記1つのマークに対する前記複数の電子ビームの相対的な照射位置を検出する照射位置検出部と、
前記複数のマークの前記位置及び前記複数の電子ビームの前記照射位置とに基づいて、前記複数の電子ビームの前記照射位置を補正する補正値を算出する算出部と
を備えることを特徴とする電子ビーム露光装置。 - 前記複数の電子ビームの照射位置の間隔と、前記複数のマークの間隔とが実質的に等しいことを特徴とする請求項9に記載の電子ビーム露光装置。
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