JP4105173B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
さらに、光源の高輝度化が進み、この回折光によるTFTへの悪影響は、無視できないレベルになってきている。
画素電極とTFTとの間に遮光膜を形成する。本明細書において、少なくとも一部が画素電極とTFTとの間に形成された遮光膜を上部遮光膜という。画素において光が透過し、表示を制御する領域とTFTとの間に溝を形成し、上部遮光膜となる導電膜を形成する。従来、TFTと画素電極との間に形成されていた遮光膜とは異なり、画素電極とTFTとの間から光が透過する領域まで連続的に上部遮光膜が形成され、TFTが上部絶縁膜により被嵌された構造である。
半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート電極からなるTFTを形成し、層間絶縁膜を形成した後、後に光が透過し、表示を制御する領域とその周辺領域のゲート絶縁膜、層間絶縁膜を除去する。本明細書において、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜の一部が除去されたホール状の領域(壁面及び底面を有している)であり、表示装置において表示を制御することを意図した領域(開口部)とほぼ同じ面積を有する領域を簡単のためにホール、またはウィンドウと称することとする。ウィンドウの壁面には、上部遮光膜と絶縁膜が形成されており、その膜厚分、ウィンドウの面積より開口部の面積が狭くなるものの、ウィンドウの面積と開口部の面積とは実質的に同じ面積となると言える。
記上部遮光膜上に第4層間絶縁膜を形成する工程と、光透過性を有する絶縁膜により、前記ウィンドウを平坦化する工程と、前記上部遮光膜上に第5層間絶縁膜を形成する工程と、前記配線が露出するように前記第2のコンタクトホールに埋まった絶縁膜の一部を除去する工程と、前記第5層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
図1(A)を用いて本発明を用いて作製された透過型液晶表示装置の構造を説明する。
ゲート電極14上には、第1層間絶縁膜15、第2層間絶縁膜16が形成されている。必要に応じて第2層間絶縁膜16は平坦化する。続いて、各TFTを電気的に接続する配線17を半導体層12のソース領域またはドレイン領域に接続して形成する。配線17を覆って、第3層間絶縁膜18を形成した後、TFTと開口部との境目に溝を形成する。溝は、基板に達するように形成する。次いで、導電膜をメタルCVD法により、第3層間絶縁膜18上から溝に連続的に成膜して、遮光膜19を形成する。
続いて、第4層間絶縁膜20を形成した後、画素電極21を遮光膜19に接しないように形成する。
図1(B)を用いて、本発明のTFTの他の構造を説明する。なお、図1(A)と同一のものを指す場合は、同一の符号を用いることとする。
ゲート電極14上には、第1層間絶縁膜15、第2層間絶縁膜16が形成されている。必要に応じて、第2層間絶縁膜16は平坦化する。続いて、各TFTを電気的に接続する配線17を半導体層12のソース領域またはドレイン領域に接続して形成する。配線17を覆って、第3層間絶縁膜18を形成した後、開口部(表示を制御することを意図した領域)よりやや広い範囲の第3層間絶縁膜18、第2層間絶縁膜16、第1層間絶縁膜15、ゲート絶縁膜13および下地絶縁膜11を除去する。次いで、第3層間絶縁膜18上からゲート絶縁膜および層間絶縁膜が除去された領域(ウィンドウ)の側面に沿って連続的に導電膜を形成し、上部遮光膜19を形成する。次いで、ウィンドウ底面に形成された上部遮光膜19を除去し、第4層間絶縁膜20を形成する。その後、ウィンドウを光透過性の有機絶縁膜等30により平坦化し、その上に第5層間絶縁膜31を形成して、画素電極32を形成する。
図1(C)を用いて、本発明のTFTの他の構造を説明する。
さらに、音声出力部3005、操作キー3006、電源スイッチ3007、音声入力部3008を有している。
Claims (11)
- 基板上に形成されたTFTと、
前記TFTの有する半導体層に接続された配線と、
前記配線上に形成された第1の絶縁膜と、
前記基板に達するように形成されたウィンドウと、
前記第1の絶縁膜上に形成された遮光膜と、
前記遮光膜及び前記ウィンドウの底面上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に形成され、前記配線に接続された陽極と、
前記陽極上に形成された有機化合物を含む膜と、
前記有機化合物を含む膜上に形成された陰極とを有し、
前記遮光膜は、前記ウィンドウの側面から前記TFTを覆うように前記第1の絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする発光装置。 - 基板上に形成された下部遮光膜と、
前記下部遮光膜上に形成されたTFTと、
前記TFTの有する半導体層に接続された配線と、
前記配線上に形成された第1の絶縁膜と、
前記基板に達するように形成されたウィンドウと、
前記第1の絶縁膜上に形成された上部遮光膜と、
前記上部遮光膜及び前記ウィンドウの底面上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に形成され、前記配線に接続された陽極と、
前記陽極上に形成された有機化合物を含む膜と、
前記有機化合物を含む膜上に形成された陰極とを有し、
前記上部遮光膜は、前記ウィンドウの側面から前記TFTを覆うように前記第1の絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする発光装置。 - 基板上に形成された下部遮光膜と、
前記下部遮光膜上に形成されたTFTと、
前記TFTの有する半導体層に接続された配線と、
前記配線上に形成された第1の絶縁膜と、
前記基板に達するように形成されたウィンドウと、
前記第1の絶縁膜上に形成された上部遮光膜と、
前記上部遮光膜及び前記ウィンドウの底面上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に形成され、前記配線に接続された陽極と、
前記陽極上に形成された第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上に形成された有機化合物を含む膜と、
前記有機化合物を含む膜上に形成された陰極とを有し、
前記上部遮光膜は、前記ウィンドウの側面から前記TFTを覆うように前記第1の絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項3において、前記陽極、前記第3の絶縁膜、前記有機化合物を含む膜、及び前記陰極は前記ウィンドウ内部に形成されていることを特徴とする発光装置。
- 請求項3または4において、前記第3の絶縁膜は有機樹脂膜であることを特徴とする発光装置。
- 請求項2乃至5のいずれか一において、前記下部遮光膜と前記上部遮光膜とは、前記ウィンドウの底面で接していることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一において、前記陰極は、MgAg、またはアルミニウムとリチウムとの合金であることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至7のいずれか一において、前記ウィンドウの壁面はテーパー状であることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至8のいずれか一に記載の発光装置はEL表示装置であることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至9のいずれか一に記載の発光装置を表示部に組み込んだ電気器具。
- 請求項10に記載の電気器具は、プロジェクター、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、携帯情報端末、携帯電話、電子書籍、またはディスプレイである。
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