JP4104067B2 - 光情報記録媒体及び記録方法 - Google Patents
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Description
また、記録密度を向上するための技術として、反射率を多段階に制御して記録を行う多値記録技術が公知であり、特開2001−84591号公報(特許文献4)では、多値記録を行う相変化記録メディアにおいて、記録時の高湿による変形を避けるため、誘電体材料としてZnSを単独または混合物として50〜90モル%含む材料が適当であるとしている。
本発明に関わる相変化型光情報記録媒体は、間隔が0.6μm以下である同心円または螺旋状の溝を有する基板上に基板上に少なくとも第1誘電体層、記録層、第2誘電体層、反射層を有し、該記録層の結晶状態と非晶質状態の変化を利用して、情報の記録・再生・消去を行ない、且つ未記録状態の青色領域の波長における反射率が8%以上25%以下となるように調節された相変化記録媒体であって、第1誘電体層がZnSとSiO2の混合物であり、この混合物のZnSの構成モル比が40%以上50%未満であることを特徴とする。
第2誘電体層は、熱特性調節のために、多層構造としても良い。
第2誘電体層の膜厚は10〜50nmが好ましい。膜厚が10nm未満であると、耐熱性が低下し好ましくない。逆に、50nmを越えると、記録感度の低下、温度上昇による膜剥離、変形、放熱性の低下により、繰り返しオーバーライト特性が悪くなる。材料的には第1誘電体層と同様の材料を用いることができる。
実施例1、2および比較例1〜7では、0.6mm厚で、直径120mmのポリカーボネート基板(0.46μmピッチで溝幅0.2μmの縲施状の溝を有する、以下、PC基板という)を用意し、下記層構成を有する図1構造の情報基板を作製し、これに0.6mm厚のカバー基板を貼り合わせて、全体が1.2mm厚の光記録媒体とした。
(2)記録層:Ge5Sb75Te20、(膜厚)14nm
(3)第2誘電体層:ZnSとSiO2の混合物(mol比79.5:20.5)、膜厚14nm
(4)反射放熱層:Ag、膜厚140nm
このように調節した記録メディアに波長が405nmの半導体レーザーとNA0.65のピックアップを用い、記録パワー=10mW、記録線速=6.0m/sで記録を行うと変調度は約60%となる。
11 セル周期
12 記録パルス
13 ボトムパルス
14 消去パルス
15、16、17 立ち上がり時間
18 多値記録マーク
19 再生用ビーム
20 結晶部
Claims (7)
- 間隔が0.6μm以下である同心円状または螺旋状の溝を有する基板上に、第1誘電体層、記録層、第2誘電体層、反射層を少なくとも有し、記録層材料がアモルファスと結晶の相変化をすることにより両者の光学特性差を利用して繰り返し記録が行なうことができ、未記録状態の青色領域の波長における反射率が8%以上25%以下となるように調節されている相変化記録媒体であって、第1誘電体層はZnSとSiO2の混合物であり、かつその混合物におけるZnSの構成モル比が40%以上50%未満であることを特徴とする光情報記録媒体。
- 間隔が0.6μm以下である同心円状または螺旋状の溝を有する基板上に第1誘電体層、記録層、第2誘電体層、反射層を少なくとも有し、青色領域の波長における変調度が50%以上となるように調節され、記録層材料がアモルファスと結晶の相変化をすることにより両者の光学特性差を利用して繰り返し記録を行なえる相変化記録媒体であって、第1誘電体層はZnSとSiO2の混合物であり、かつその混合物におけるZnSの構成モル比が40%以上50%未満であることを特徴とする光情報記録媒体。
- 記録層がSb及びTeを主成分とし、10原子%以下のGeを含有することを特徴とする請求項1又は2記載の光情報記録媒体。
- 記録層がSb及びTeを主成分とし、10原子%以下のGeと、In、Ga、Mn、Snから選ばれた少なくとも1種類とを含有することを特徴とする請求項1〜3いずれかに記載の光情報記録媒体。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の光情報記録媒体に、記録ビーム走査方向長さが0.26μm未満のアモルファスを形成することを特徴とする記録方法。
- アモルファスの長さを3段階以上に制御して記録を行うことを特徴とする請求項5記載の記録方法。
- レーザー光照射パルス幅が5ナノ秒以下であることを特徴とする請求項5又は6記載の記録方法。
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