JP4103255B2 - 半導体デバイスチップ及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器の製造分野において適用される超薄型半導体デバイスチップの製造方法、及び該半導体デバイスチップをプリント配線基板にフリップチップ実装する工程を有する半導体デバイスの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年の電子機器においては益々小型化が進み、電子機器の小型化をより進展させるためには、実装密度を如何に向上させるかが重要な課題となっている。そして、半導体集積回路(半導体IC)が搭載された電子機器についても、かかる小型化を図るべく、ボンディングワイヤとリードフレームとを用いた従来のパッケージ実装技術の代替として、LSIベアチップを直接実装基板上の導体パターンに接続するワイヤレスボンディング法の研究・開発が盛んである。
【0003】
中でも、デバイスチップの素子形成面側にすべての電極部とこれに対応する接続端子を形成しておき、この素子形成面を下向きにして、該電極部の電極パッドと実装基板の導体パターンとを直接的に接続する方法は、フリップチップボンディング法と呼ばれ、アセンブリ工程が合理化できることからハイブリッドICの実装や大型コンピュータ等の用途に広く利用拡大が図られている。
【0004】
このようなフリップチップ型の半導体装置の実装を行う方法としては、例えば半導体LSIのアルミニウム電極パッド上にハンダバンプを形成して、半導体LSIのチップの各接続端子をこのハンダバンプ上に当接させ、このものを直接にプリント配線板の導体パターンに接続する方法がある。
【0005】
しかしながら、この方法は主に二次元方向での小型化をめざしたものであって、薄型化には限界があり、例えば、ICカード、携帯電話、PDA(Personal Digital Assistant)等をはじめとする携帯電子機器においては、デバイス実装スペースをさらに少なくする必要がある。
【0006】
従って、これまで主としてめざしてきた二次元的な小型化に加えて、高さ方向にも更なる薄型化が可能となる半導体デバイスの実装技術を確立する必要がある。
【0007】
かかる薄型化半導体デバイス部品の実装技術の一つとして、LSI形成後のシリコンウェーハの表面に保護テープを貼って、ウェーハ裏面から機械研削や化学的機械研磨等の手法で、従来よりさらに薄型化加工することが考えられる。
【0008】
以下、この方法による半導体デバイスの製造例を、図面を参照しながら説明する。
図11に示すのは、(S31)LSI・アルミニウム電極パッド形成工程、(S32)アンダーバンプメタル層形成工程、(S33)ハンダバンプ形成工程、(S34)ウェーハ薄型化加工工程、及び(S35)フリップチップ実装工程からなる従来法による製造工程フローチャート図である。
【0009】
先ず、例えば、シリコン半導体ウェーハ301の表面層にLSI(図示を省略)を形成する。次いで、このLSIを構成する各素子を接続するアルミニウム配線層(図示を省略)及び外部接続端子としてアルミニウム電極パッド(Al電極パッド)302を形成する。更に基体(LSI、アルミニウム配線層、Al電極パッドが形成された半導体ウェーハ)全面を、例えば窒化シリコンやポリイミドからなる表面保護膜304によって被覆した後、Al電極パッド302上の表面保護膜304を選択的に除去して、Al電極パッド302表面を露出させる(S31)。以上のようにして図12(a)に示す構造を作得る。
【0010】
次いで、図12(b)に示すように、Al電極パッド302の露出された部分を覆うように、例えばスパッタリング法により、Cr,Cu,Au等からなる金属多層膜、所謂BLM(Ball Limitting Metal)膜303を形成する(S32)。このBLM層303は、アンダーバンプメタル層と称せられ、ハンダバンプとアルミニウム電極との接着強度の向上や拡散による金属間化合物の生成を防ぐ等の目的のために形成される。
【0011】
次に、図12(c)に示すように、BLM膜303の領域に開口部を有するレジスト膜305を形成し、図13(d)に示すように、レジスト膜305上、及び開口部C内の表面保護膜304及びBLM膜303上に、ハンダ蒸着膜306’を成膜する。その後、図13(e)に示すように、レジスト膜305のリフトオフにより、不要な部分のハンダ蒸着膜306’を除去し、所望のパターンのハンダ蒸着膜306’を形成する。
【0012】
続いて、図13(f)に示すように、熱処理を加えることにより、ハンダ蒸着膜306’を溶融させることにより、溶融ハンダの表面張力に基づいて、ほぼ球状のハンダバンプ306を形成する(S33)。なお、この例ではハンダ蒸着膜306’をいわゆるリフトオフ法により形成しているが、他の方法でもかまわない。
【0013】
次いで、得られた半導体ウェーハ(以下、単に「ウェーハ」という。)の裏面研削(バックグラインド)を次のようにして行う。即ち、先ず、図14(a)に示すように、ウェーハの表面(ハンダバンプ306が形成されている面)に、粘着剤層313とテープ基材314からなる表面保護テープ312を貼り付ける。
【0014】
次いで、図14(b)に示すように、表面保護テープ312が貼り付けられたウェーハの反対側の面(裏面)を機械研削装置にセットし、ウェーハの裏面研削加工を行う。以下にこの機械研削の具体的な条件の一例を示す。
【0015】
砥石送り速度 :150μm/min
砥石回転数 :2500rpm
ウェーハ削り代 :約225μm
研削後のウェーハ厚:400μm
【0016】
このときウェーハの裏面研削によるダメージ、例えば、浅い研削キズやヘアラインクラック等が新たに加わり、この研削ダメージがウェーハの機械的強度の低下を招く要因となるので、これを除く必要がある。
【0017】
このため、ウェーハ裏面に、CMP(Chemical Mechanical Polishing)装置を用いるポリッシュ研磨による仕上げ加工処理を行う。以下にこのポリッシュ研磨の具体的な条件の一例を示す。
【0018】
ウェーハの回転速度:80rpm
研磨圧力 :400g/cm2
揺動速度 :2mm/sec
スラリー供給速度 :40ml/min
削り代 :10μm
【0019】
この結果、図14(c)に示すように、ウェーハの裏面に形成されていた研削キズを研削除去をすることができ、ウェーハの機械的強度を向上させることができる。なお、図14(a)及び図14(c)においては、ウェーハ表面上のアルミニウム配線層、Al電極パッド302、表面保護膜304及びハンダバンプ306の図示を省略している。
【0020】
その後は、得られたウェーハから表面保護テープ312を剥がし、ダイシングして半導体デバイスチップを切り出し、この半導体デバイスチップ(図15(d)参照)のハンダボール306と、プリント配線基板310のCuランド308に接続する(フリップチップ実装)ことにより、図15(e)に示すような、薄型化された半導体デバイスを製造することができる。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、本発明者らが提案した製造技術を用いてバンプ電極が形成された薄型半導体デバイスチップをプリント配線板にフリップチップ実装することで、従来のモールド樹脂でパッケージングされたデバイスを実装した場合に比べて、様々な電子機器の小型軽量化を図ることができる。
【0022】
しかしながら、上述した方法には、ハンダバンプ電極付きの半導体デバイスチップに対して、前述したような薄型化加工を行う際には、ウェーハ表面のデバイスを保護するために、ウェーハ表面を表面保護テープで覆っておく必要があるが、表面保護テープ312とハンダバンプ電極付きのデバイスチップとの間で密着強度が十分に得られないという問題がある。
【0023】
即ち、図14(b)に示すように、ウェーハ表面にバンプ電極が形成されているために、ウェーハ表面の段差が急峻となっており、表面保護テープ312とハンダバンプ電極付きのデバイスチップとの間で密着強度が十分に得られず、研削処理や研磨処理を行っている間に、表面保護テープ312が剥がれたり、表面保護テープ312とウェーハ301表面との間の隙間から水や研磨溶剤が浸入して、ウェーハ表面のデバイスにダメージを与えてしまうといった問題が生じる場合があった。
【0024】
かかる問題を解決するために、ハンダバンプの高さを低くすることも考えられるが、フリップチップ実装後の接合強度や接続信頼性を確保するためには、ハンダバンプの高さをある程度以下には低くすることができない。
【0025】
従って、これらの問題を解決して、ハンダバンプ電極付きの薄型半導体デバイスチップを安定して製造することができる手段を確立することが必要となっている。
【0026】
本発明はかかる実情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体デバイスの超薄型実装を高い信頼性で実現できる半導体デバイスチップ、及び該半導体デバイスチップを配線基板にフリップチップ実装する半導体デバイスの製造方法を提供することにある。
【0027】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく、本発明は、第1に、電極部を有する半導体ウェーハの前記電極部の電極パッド上にアンダーバンプメタル層を形成する工程と、前記アンダーバンプメタル層を形成した後に、前記半導体ウェーハの当該電極部が形成されている面の反対側の面を、前記半導体ウェーハが所定の厚みとなるように薄型化加工する工程と、前記半導体ウェーハを薄型化加工した後に、前記電極部の電極パッド上に、前記アンダーバンプメタル層を介して、接合端子を形成する工程を有する半導体デバイスチップの製造方法を提供する。
【0028】
前記第1の発明においては、前記半導体ウェーハを、所定の厚みとなるように薄型化加工する工程は、好適には、前記半導体ウェーハを、50μm〜400μmの厚さとなるように薄型化加工する工程を有する。
【0029】
前記第1の発明において、前記接合端子としては、ハンダボールバンプ、Auスタッドバンプ、Ni/Auメッキバンプ、異方性導電膜、導電性ペースト等の接合手段を例示することができる。これらのうち、本発明においては、ハンダボールバンプを形成するのが好ましい。
【0030】
前記第1の発明においては、前記半導体ウェーハを薄型化加工する工程の前に、前記電極パッド上に、アンダーバンプメタル層を形成する。
【0031】
前記半導体ウェーハを所定の厚みとなるように薄型化加工する工程は、好適には、前記半導体ウェーハの電極部が形成されている面の反対側の面を、機械研削法及び化学的機械研磨法から選ばれるいずれかの方法により、前記半導体ウェーハが所定の厚さとなるように薄型化加工する工程を有する。
【0032】
ここで、機械研削法とは、機械研削加工装置を用いて機械研削(グラインド)することにより、ウェーハの裏面を研削する薄型化加工技術をいい、化学的機械研磨法とは、CMP装置を用いてウェーハの裏面を研磨する薄型化加工技術をいう。
【0033】
また、本発明は、第2に、電極部を有する半導体ウェーハの前記電極部の電極パッド上に、電極パッド再配置のための配線パターンを形成する工程と、前記配線パターン上に表面保護膜を形成する工程と、前記表面保護膜中に、前記電極パッドに達する開口部を形成する工程と、前記開口部における前記電極パッド上にアンダーバンプメタル層を形成する工程と、前記アンダーバンプメタル層を形成した後に、前記半導体ウェーハの当該電極部が形成されている面の反対側の面を、前記半導体ウェーハが所定の厚さとなるように薄型化加工する工程と、前記半導体ウェーハを薄型化加工した後に、前記配線パターン上に、前記アンダーバンプメタル層を介して、接合端子を形成する工程を有する半導体デバイスチップの製造方法を提供する。
【0034】
前記第2の発明は、前記接合端子を形成する前に、ウェーハの裏面を薄型化加工する点で前記第1の発明と共通するが、ウェーハの電極パッドから接合端子の形成が可能な位置まで電極パッドの再配線のための配線パターンを形成する工程を有する点で相違する。
【0035】
前記第2の発明においては、前記半導体ウェーハを所定の厚みとなるように薄型化加工する工程は、好適には、前記半導体ウェーハを、50μm〜400μmの厚さとなるように薄型化加工する工程を有する。
【0036】
また、前記第2の発明において、前記接合端子としては、ハンダボールバンプ、Auスタッドバンプ、Ni/Auメッキバンプ、異方性導電膜、導電性ペースト等の接合手段を例示することができるが、ハンダボールバンプを形成するのが好ましい。
【0037】
前記第2の発明は、前記開口部を形成する工程の後で、前記半導体ウェーハを薄型化加工する工程の前に、前記電極パッド上にアンダーバンプメタル層を形成する。
【0038】
また、前記半導体ウェーハを所定の厚みとなるように薄型化加工する工程は、前記半導体ウェーハの電極部が形成されている面の反対側の面を、機械研削法及び化学的機械研磨法から選ばれるいずれかの方法により、前記半導体ウェーハが所定の厚さとなるように薄型化加工する工程を有するのが好ましい。
【0039】
さらに本発明は、第3に、電極部を有する半導体ウェーハの前記電極部の電極パッド上にアンダーバンプメタル層を形成する工程と、前記アンダーバンプメタル層を形成した後に、前記半導体ウェーハの当該電極部が形成されている面の反対側の面を、前記半導体ウェーハが所定の厚さとなるように薄型化加工する工程と、前記半導体ウェーハを薄型化加工した後に、前記電極部の電極パッド上に、前記アンダーバンプメタル層を介して、接合端子を形成することにより半導体デバイスチップを得る工程と、得られた半導体デバイスチップの前記接合端子と、導体パターンを有する配線基板の当該導体パターンとを接続する工程を有する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【0040】
即ち、前記第3の発明は、前記第1の発明により得られる半導体デバイスチップの接合端子と、導体パターンを有する配線基板の当該導体パターンとを直接接続する工程を有する半導体デバイスの製造方法である。
【0041】
さらにまた、本発明は、第4に、電極部を有する半導体ウェーハの前記電極部の電極パッド上に、電極パッド再配置のための配線パターンを形成する工程と、前記配線パターン上に表面保護膜を形成する工程と、前記表面保護膜中に、前記電極パッドに達する開口部を形成する工程と、前記開口部における前記電極パッド上にアンダーバンプメタル層を形成する工程と、前記アンダーバンプメタル層を形成した後に、前記半導体ウェーハの当該電極部が形成されている面の反対側の面を、前記半導体ウェーハが所定の厚さとなるように薄型化加工する工程と、前記半導体ウェーハを薄型化加工した後に、前記配線パターン上に、前記アンダーバンプメタル層を介して、接合端子を形成することにより半導体デバイスチップを得る工程と、得られた半導体デバイスチップの前記接合端子と、導体パターンを有する配線基板の当該導体パターンとを接続する工程を有する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【0042】
即ち、前記第4の発明は、前記第1の発明により得られる半導体デバイスチップの前記接合端子と、導体パターンを有する配線基板の当該導体パターンとを直接接続する工程を有する半導体デバイスの製造方法である。
【0043】
半導体デバイスチップの薄型化を図るためには、LSI形成後のシリコンウェーハの状態で薄型化加工することが効率的である。また、ウェーハを薄型化する程、ウェーハが割れ易くなるため、薄型化加工はウェーハの最終工程で行うことが望ましい。
【0044】
しかしながら、フリップチップ実装のためのハンダバンプ等の接合端子が表面に形成された状態で、半導体デバイスウェーハの裏面を薄型化加工する場合には、ウェーハ表面の凹凸が急峻となり、表面保護テープと接合端子付き半導体ウェーハとの間で密着強度が十分に得られない。従って、研削処理や研磨処理を行っている間に、表面保護テープが剥がれたり、表面保護テープとウェーハ表面との間にできた隙間から水や研磨溶剤が浸入してきて、ウェーハ表面のデバイスにダメージを与えてしまうといった問題が頻繁に生じていた。
【0045】
そこで、本発明者は、接合端子付き薄型半導体デバイスチップの製造技術を鋭意検討した結果、従来のように、接合端子まで形成した後に薄型化加工を行う場合には、ウェーハ裏面の薄型化加工中に、ウェーハ表面の半導体デバイスを完全に保護することは技術的に非常に困難であるとの結論に達し、その改善策を鋭意検討した。
【0046】
その結果、バンプ電極の下地となるアンダーバンプメタル層のパターン形成後、接合端子を形成する前に、薄型化加工することが有効であることを見い出し、前記第1及び第2の発明を完成したものである。
【0047】
即ち、アンダーバンプメタル層のパターン形成後のウェーハ表面は、接合端子等の大きな突起物がなく、比較的平坦に保たれており、表面保護テープをウェーハ面に良好に密着させることができる。
【0048】
従って、研削処理や研磨処理などによってウェーハ裏面を薄型化加工する際に、表面保護テープが剥がれたり、表面保護テープとウェーハ表面の間の隙間から水や研磨溶剤が浸入して、ウェーハ表面のデバイスにダメージを与えることがない。
【0049】
また、接合端子の下地となるアンダーバンプメタル層を形成しているので、該アンダーバンプメタル層の最表面は、通常、腐食に強く化学的に安定なAu等の耐腐食性金属で構成されているために、半導体ウェーハ裏面の薄型化加工を行う際のデバイス表面へのダメージを大幅に低減することができる。
【0050】
従って、前記第1及び第2の発明によれば、アンダーバンプメタル層のパターン形成後、接合端子形成前に、ウェーハ裏面に薄型化加工を施すことにより、小型化、軽量化が実現された高性能、高信頼性の半導体デバイスチップを得ることができる。
【0051】
さらに、前記第2の発明によれば、所定の大きさの接合端子を保ちつつ、隣接する接合端子との接触が防止され、かつ、ウェーハの超薄型化が実現された半導体デバイスチップを製造することができる。
【0052】
前記第3の及び第4の発明によれば、前記第1又は第2の発明で得られた接合端子付き薄型半導体デバイスウェーハから、ダイシングによってチップを切り出し、このものを半導体デバイスチップとし、モールド樹脂を使ったパッケージを組むことなくベアチップの状態で、該半導体デバイスチップの接合端子と、導体パターンを有する配線基板の当該導体パターンとを接続することにより、半導体デバイスの超薄型実装が可能となり、最終的な電子機器の製品セットを一層小型軽薄化することが出来る。
【0053】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
なお、以下に示す内容はあくまで一実施形態であり、用いる半導体ウェーハの種類、半導体ウェーハの構造、接合端子の種類、プロセス処理装置、プロセス条件、配線基板の種類等、本発明の主旨を逸脱しない範囲で適宜選択・変更が可能である。
【0054】
第1実施形態
本実施形態は、半導体デバイスの製造に前記第1及び第3の発明を適用したものである。図1に示すのは、(S11)LSI・アルミニウム電極パッド形成工程、(S12)アンダーバンプメタル層形成工程、(S13)ウェーハ薄型化加工工程、、(S14)バンプ電極形成工程、及び(S15)実装工程からなる本実施形態の半導体デバイスの製造法の製造工程フローチャートである。また、図2(a)に本実施形態により得られる半導体デバイスチップ、及び図2(b)半導体デバイスの構造断面図を示す。
【0055】
図2(a)に示す半導体デバイスチップは、図示しないLSIが形成された半導体ウェーハ101と、該ウェーハ101上に、絶縁膜102を介して、LSIと電気的に接続された電極パッド103が規則的に配列された電極部と、電極パッド上に形成されたアンダーバンプメタル層104と、絶縁膜102上に形成され、アンダーバンプメタル層104上開口部を有する表面保護膜105と、アンダーバンプメタル層104上に形成されてなり、配線基板の導体パターンと接合される接合端子(ハンダバンプ電極)106とを有している。
【0056】
また、図2(b)に示す半導体デバイスは、図2(a)に示す半導体デバイスチップの接合端子106部分と、配線基板(例えば、プリント配線基板)110の導体パターン(例えば、Cuランド)108とが接合され(いわゆるフリップチップ実装)、当該接合部分が封止樹脂109で固められた構造を有している。
【0057】
以下、図2に示す半導体デバイスチップ及び半導体デバイスの製造例を、図面を参照しながら説明する。
先ず、図3(a)に示すように、例えば、シリコン半導体ウェーハ101の表面層にLSI(図示を省略)を形成する。次いで、このLSIを構成する各素子を接続するアルミニウム配線層(図示を省略)、及び外部接続端子として電極パッド(例えば、Al電極パッド)103を形成する(S11)。更に基体(LSI、アルミニウム配線層、電極パッドが形成された半導体ウェーハ)全面を、例えば窒化シリコン等からなる絶縁膜102で被覆した後、さらにその上に、ポリイミド等からなる表面保護膜105を成膜した後、電極パッド103上の絶縁膜102及び表面保護膜105を選択的に除去して、電極パッド103表面に開口部Aを形成する。
【0058】
次いで、Al電極パッド103の開口部Aを覆うように、アンダーバンプメタル層〔BLM(Ball Limitting Metal)膜ともいう。〕104を形成する(S12)。このアンダーバンプメタル層104は、例えば、図2(b)に示すように、表面保護膜105上に、レジストパターン111を成膜し、図3(c)に示すように、エッチングによって開口部Aにテーパー形状を設け(成膜前処理)を行い、図3(d)に示すように、レジスト111及びAl電極パッド103上に、例えばスパッタリング法により、Cr,Cu,Au等からなる金属多層膜を順次積層し、次いで、図3(e)に示すように、レジスト膜111を除去することにより余分な金属を除去して形成することができる。
【0059】
このアンダーバンプメタル層104は、接合端子(ハンダバンプ)とアルミニウム電極との接着強度の向上や拡散による金属間化合物の生成を防ぐ等の目的のために形成される。
【0060】
次に、このようにして得られたウェーハ(以下、単に「ウェーハ」という。)101の裏面研削(バックグラインド)を次のようにして行う。先ず、図4(a)に示すように、ウェーハ101の表面(Al電極パッドやアンダーバンプメタル層等が形成されている側の面)に、粘着剤層113及びテープ基材層114からなる表面保護テープ112を貼り付ける。図4(b)からも明らかなように、半導体ウェーハ上に接合端子等の大きな突起物がないので、比較的平坦な面上に、表面保護テープ112を密着させることができる。なお、図4(a)及び(c)においては、ウェーハ101表面上のアルミニウム配線層、電極パッド103、アンダーバンプメタル層104及び表面保護膜105等の図示を省略している。
【0061】
次いで、図4(c)に示すように、表面保護テープ112が貼り付けられたウェーハ101の反対側の面(裏面)を、図5に示すような機械研削装置1にセットし、ウェーハ101の裏面研削加工を行う。即ち、ウェーハ101を、ウェーハ裏面を上にして回転台12上にセットし、回転台12を回転(この回転速度が砥石送り速度となる。)させながら、砥石11を回転台12の回転方向とは逆の方向に回転(砥石回転数)させることによって、ウェーハ101裏面を研削するものである。
【0062】
この機械研削の具体的な条件の一例は次の通りである。
砥石送り速度 :150μm/min
砥石回転数 :2500rpm
ウェーハ削り代 :約525μm
研削後のウェーハ厚:110μm
【0063】
このウェーハ101の裏面研削によって、それまでの工程によってウェーハの裏面に形成されたキズB(図4(a)参照)を除去することができるが、この裏面研削によるダメージ、例えば、浅い研削キズやヘアラインクラック等が新たに加わり、この研削ダメージがウェーハ101の機械的強度の低下を招く要因となるので、これを除く必要がある。
【0064】
このため、ウェーハ101裏面に、図6に示すようなCMP(Chemical Mechanical Polishing)装置2を用いるポリッシュ研磨による仕上げ加工処理を行う。即ち、ウェーハ101をウェーハ101の裏面を下にしてウェーハキャリア21にセットし、定盤24上にセットされた研磨クロス23と研磨スラリー22を用いて、一定の圧力を加えながら、ウェーハ101裏面のポリッシング研磨を行う。
【0065】
このポリッシュ研磨の具体的な条件の一例は以下の通りである。
ウェーハの回転速度:80rpm
回転速度 :80rpm
研磨圧力 :400g/cm2
揺動速度 :2mm/sec
スラリー供給速度 :40ml/min
削り代 :10μm
【0066】
この結果、図4(c)に示すように、ウェーハ101の裏面に形成されていた研削キズが除去され、厚さ100μmまで薄型化加工され、かつ、機械的強度が向上されたウェーハ101を得ることができる(S13)。
【0067】
本実施形態では、ウェーハ裏面研削後の最終的なウェーハの厚みを約100μmとなるように設定しているが、機械研削及び化学的機械研磨の条件を適宜設定することにより、ウェーハの厚みを自由に設定することができる。研削後のウェーハの厚みは、400μm以下、好ましくは、50μm〜200μm程度の値となるように設定する。400μm以上では、薄型化加工の効果に乏しく、50μm以下の厚みとすると、ウェーハ自体の機械的強度が不足し、ウェーハが割れやすくなるなどの不都合を生じる。
【0068】
次に、図7(f)に示すように、表面保護テープ112を除去した後、アンダーバンプメタル膜104の領域に開口部Cを有するレジスト膜115を形成し、図7(g)に示すように、レジスト膜115の上,及び開口部C内全体にハンダ蒸着膜106’を蒸着させる。
【0069】
その後、図7(h)に示すように、レジスト膜115のリフトオフにより、不要な部分のハンダ蒸着膜106’を除去し、所望のパターンのハンダ蒸着膜106’を形成する。
【0070】
続いて、図7(i)に示すように、ハンダ蒸着膜106’に熱処理を加えて溶融させることにより、溶融ハンダの表面張力に基づいて、ほぼ球状のハンダバンプ106を形成することができる(S14)。
【0071】
なお、本実施形態では、ハンダ蒸着及びリフトオフする方法によりハンダバンプを形成しているが、その他、例えば、▲1▼ソルダーペースト印刷法、▲2▼ハンダボール法、▲3▼メッキ法、▲4▼微細打ち抜き法、▲5▼ソルダインジェクション法、▲5▼ボールボンディング法等の各種公知のバンプ形成法により、バンプ電極を形成することができる(例えば、「電子材料」1996年9月号pp34〜38等の記載参照)。
【0072】
その後は、得られたウェーハ101をダイシングして、半導体デバイスチップとして切り出す。このようにして、図2(a)に示すような薄型加工された本実施形態の半導体デバイスチップを得ることができる。
【0073】
次いで、この半導体デバイスチップのハンダボール106と、プリント配線基板110の導体パターン(例えば、Cuランド)108とを接合する(フリップチップ実装)ことにより、図2(b)に示すような半導体デバイスを製造することができる。なお、前記導体パターン108は、配線基板上にCu,Al,Au,W等の金属及びこれらの合金等から形成することができる。
【0074】
本実施形態の半導体デバイスチップ及び半導体デバイスは、ウェーハの厚みが100μm程度の超薄型加工が実現されており、最終的には各種電子機器、例えば、ICカード、携帯電話、PDA等を始めとする携帯電子機器に搭載することができ、これら電子機器の小型軽薄化の実現に大いに貢献することができる。
【0075】
第1実施形態によれば、研削処理や研磨処理などによってウェーハ裏面を薄型化加工する際に、表面保護テープが剥がれたり、表面保護テープとウェーハ表面の間の隙間から水や研磨溶剤が浸入して、ウェーハ表面のデバイスにダメージを与えることがない。
【0076】
また、接合端子であるハンダバンプ106の下地としてアンダーバンプメタル層104を形成する場合には、該アンダーバンプメタル層104の最表面は、腐食に強く化学的に安定なAu等の耐腐食性金属で構成されているために、半導体ウェーハ裏面の薄型化加工を行う際のデバイス表面へのダメージを大幅に低減することができる。
【0077】
従って、本実施形態によれば、電極パッド103形成後若しくはアンダーバンプメタル層104のパターン形成後に、ウェーハ裏面に薄型化加工を施すことにより、小型化、軽量化が実現された高性能、高信頼性の半導体デバイスチップを得ることができる。
【0078】
さらに、前記第2の発明によれば、所定の高さの接合端子を保ちつつ、隣接する接合端子との接触が防止され、かつ、ウェーハの超薄型化が図られた半導体デバイスチップを製造することができる。
【0079】
また、得られた接合端子(ハンダバンプ電極)付き薄型半導体デバイスチップとし、モールド樹脂を使ったパッケージを組むことなくベアチップの状態で、該半導体デバイスチップの接合端子と、導体パターンを有する配線基板の当該導体パターンとを直接接続させることにより、半導体デバイスの超薄膜実装が可能となり、最終的な電子機器の製品セットを一層小型軽薄化することが出来る。
【0080】
第2実施形態
本実施形態は、半導体デバイスチップ及び半導体デバイスの製造に、本願の前記第2及び第4の発明を適用したものであり、所望の大きさのハンダバンプを互いに接触することなく、規則正しく基板上に配置させるために、LSIの電極パッドからアンダーバンプメタルによって、電極パッドを再配置させた状態の半導体ウェーハの裏面を、機械研削及びエッチングによって薄型化加工し、接合端子付き薄型半導体デバイスチップを得、さらにこのものを、プリント配線基板にフリップチップ実装する例である。
【0081】
図8に、(S21)LSI・電極パッド形成工程、(S22)電極パッド再配置工程、(S23)アンダーバンプメタル層形成工程、(S24)ウェーハ薄型化加工工程、(S25)バンプ電極形成工程,(S26)実装工程からなる本実施形態の製造工程フローチャートを示す。
【0082】
また、図9(g)に本実施形態により得られる半導体デバイスチップの構造断面図を示す。以下、本実施形態の半導体デバイスチップ及び半導体デバイスの製造方法を図面を参照しながら説明する。
【0083】
先ず、図9(a)に示すように、半導体ウェーハ201上に形成されたLSI(図示を省略)と接続するAl電極パッド202を形成する(S21)。
【0084】
次いで、Al電極パッド202から、アンダーバンプメタル(ウェーハ面側からCr/Cu/Auからなる積層体)を用いて、Al電極パッド202の再配置を行う。この再配置は次のように行う。
【0085】
即ち、先ず、図9(b)に示すように、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、窒化シリコン膜203を全面に成膜した後、第1層目のポリイミド膜204を、例えば、スピンコート法により成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングの技術により、Al電極パッド202上を開口する。
【0086】
次いで、図9(c)に示すように、所定の再配線パターンを有するレジスト膜205を成膜して、Al電極202の再配置のためのパターニングを行い、例えば、真空蒸着法により、レジスト膜205及び開口部D内にCr,Cu及びAu(206)を順次積層する。
【0087】
次いで、図9(d)に示すように、レジスト膜205を除去して、レジスト膜205上の余分なアンダーバンプメタル206を除去することにより、所定のアンダーバンプメタルによるAl電極パッド202の再配線パターン206を形成する。
【0088】
その後、図9(e)に示すように、第2層目のポリイミド膜207を、例えば、スピンコート法により成膜し、ハンダバンプ電極形成領域を開口する。
【0089】
続いて、図4(a)に示すように、得られた半導体ウェーハ201の表面に,表面保護テープ212を貼り付けし、該ウェーハ201を、図5に示すような機械研削装置にセットし、半導体ウェーハ裏面を、前記第1の実施形態と同様にして研削(バックグラインド)加工した。このときの研削条件の一例を下記に示す。
【0090】
砥石送り速度 :150μm/min
砥石回転数 :2500rpm
研削後のウェーハ厚:150μm
削り代 :約475μm
【0091】
この研削によって、シリコンウェーハ裏面に形成されたキズが除去されながら、シリコンウェーハの厚みが150μm程度にまで薄型化加工された。しかし、研削後においては、ここまでの数多くの工程において、ウェーハの裏面には多くのキズが不可避的に形成されている。
【0092】
そこで、得られた薄型半導体ウェーハ201を、例えば、図10に示すようなチャンバー31、ディスペンサー32及び排気管33等からなる公知のスピンエッチング装置3によりエッチングを行う。即ち、ウェーハ201をプロセスチャンバー31内に、ウェーハ裏面を上にしてセットし、ディスペンサー(Dispenser)32からエッチング液を供給しながら、ウェットエッチングを行うことにより、ウェーハの裏面の仕上げ処理を行う。
【0093】
ウェーハ裏面のエッチングは、例えば、以下の条件にて行うことができる。
ウェーハ回転速度 :2000rpm
エッチング液組成 :HF:HNO3 =1:9
エッチング液供給量:40l/min
ウェーハ削り代 :50μm
【0094】
この結果、ウェーハ201裏面の研削工程により新たに形成されていた細かな研削ダメージが除去され、前記第1実施形態の場合と同様に、厚さ100μmまで薄型化加工された半導体ウェーハの機械的強度を向上させることができる。
【0095】
本実施形態では、ウェーハ裏面研削後の該ウェーハの厚みを約100μmとなるように設定しているが、機械研削及びエッチングの条件を適宜設定することにより、ウェーハの厚みを自由に設定することができる。研削後のウェーハの厚みは、400μm以下、好ましくは、50μm〜200μm程度の値となるように設定する。400μm以上では、薄型化加工の効果に乏しく、50μm以下の厚みとすると、ウェーハ自体の機械的強度が不足し、ウェーハが割れやすくなるなどの不都合を生じる。
【0096】
また、本実施形態においても、表面保護テープ212を貼着する際における半導体ウェーハの電極パッド203等が形成された側の面(表面)には大きな突起物がなく、比較的平坦な構造となっている。従って、表面保護テープ212を、隙間なくウェーハ201表面に貼り付けることができ、研削及びエッチング工程において、表面保護テープ212が剥がれたり、表面保護テープ212とウェーハ201表面の隙間から水やエッチング液が浸入して、ウェーハ201表面のデバイスにダメージを与えることなく、半導体ウェーハの薄型化加工を行うことができる。
【0097】
次いで、図9(g)に示すように、薄型加工された半導体ウェーハ上の再配線パターンの第2のポリイミド膜207の開口部上に、ボール転写法によってハンダボール208を形成することにより、再配置されたハンダバンプ電極208を有する半導体ウェーハを製造することができる。
【0098】
なお、本実施形態では、ハンダボール法(ハンダボール転写法)によりハンダバンプを形成しているが。その他、例えば、ソルダーペースト印刷法、メッキ法、微細打ち抜き法、ソルダインジェクション法、ボールボンディング法等の各種公知のバンプ形成法により、バンプ電極を形成することができる(例えば、「電子材料」1996年9月号pp34〜38等参照)。
【0099】
その後は、得られた半導体デバイスウェーハをダイシングして、半導体デバイスチップとして切り出し、この半導体デバイスチップのハンダボール208と、プリント配線基板の導体パターン(例えば、Cuランド)に接続する(フリップチップ実装)ことにより、図2(b)に示すのと同様な構造を有する半導体デバイスを製造することができる。なお、前記導体パターンは、配線基板上にCu,Al,Au,W等の金属及びこれらの合金等から形成することができる。
【0100】
このようにして得られる超薄型実装が実現された半導体デバイスは、最終的には、各種電子機器、例えば、ICカード、携帯電話、PDA等を始めとする携帯電子機器に搭載することができ、これら電子機器の小型軽薄化の実現に大いに貢献することができる。
【0101】
第2実施形態は、電極パッドの再配線パターン形成後にウェーハ裏面に薄型化加工を施すものである。電極パッドの再配線パターン形成後の段階では、ウェーハ201表面には大きな突起部はなく、比較的平坦に保たれており、表面保護テープ212をウェーハ201面と良好に密着させることができる。従って、研削処理や研磨処理などによってウェーハ201裏面を薄型化加工する際に、表面保護テープ212が剥がれたり、表面保護テープ212とウェーハ201との隙間等から水や研磨溶剤が浸入して、ウェーハ201表面のデバイスにダメージを与えることがない。
【0102】
また、通常、再配線パターンの最表面層を腐食に強く化学的に安定なAu等の耐腐食性金属で構成しているので、半導体ウェーハ裏面の薄型化加工を行う際のデバイス表面へのダメージを大幅に低減することができる。
【0103】
さらに、前記第2の実施形態によれば、所定の大きさのバンプ電極を保ちつつ、隣接するバンプとの接触が防止され、かつ、ウェーハの超薄型化が図られた半導体デバイスチップを製造することができる。
【0104】
従って、本実施形態によれば、小型化、軽量化が実現された高性能、高信頼性の半導体デバイスチップを得ることができる。
【0105】
また、本実施形態によれば、作製した接合端子付き薄型半導体デバイスチップから、モールド樹脂を使ったパッケージを組むことなく、ベアチップの状態でプリント配線基板にフリップチップ実装することにより、半導体デバイスの超薄膜実装が可能となり、最終的な電子機器の製品セットを一層小型軽薄化することが出来る。
【0106】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の前記第1及び第2の発明によれば、電極パッド形成、アンダーバンプメタル層のパターン形成後あるいは電極再配線パターン形成後の段階では、該ウェーハ表面には大きな突起物がなく、比較的平坦に保たれており、表面保護テープをウェーハ面と良好に密着させることができる。
【0107】
従って、研削処理や研磨処理などによってウェーハ裏面を薄型化加工する際に、表面保護テープが剥がれたり、表面保護テープとウェーハとの隙間等から水や研磨溶剤が浸入して、ウェーハ表面のデバイスにダメージを与えることがない。
【0108】
また、接合端子の下地となるアンダーバンプメタル層を形成した場合、又は電極パッドの再配線パターンを形成した場合には、これらの層の最表面は、通常、腐食に強く化学的に安定なAu等の耐腐食性金属で構成されているために、半導体ウェーハ裏面の薄型化加工を行う際のデバイス表面へのダメージを大幅に低減することができる。
【0109】
さらに、前記第2の発明によれば、所定の大きさの接合端子(バンプ電極)を保ちつつ、隣接する接合端子(バンプ電極)との接触が防止され、かつ、ウェーハの超薄型化が図られた半導体デバイスチップを製造することができる。
【0110】
従って、前記第1及び第2の発明によれば、電極パッド形成後、アンダーバンプメタル層のパターン形成後又は電極再配線後に、半導体ウェーハの裏面に薄型化加工を施すことにより、小型化、軽量化が実現された高性能、高信頼性の半導体デバイスチップを得ることができる。
【0111】
前記第3の及び第4の発明によれば、前記第1又は第2の発明で作製したバンプ電極付き薄型半導体デバイスウェーハから、ダイシングによって半導体デバイスチップとして切り出し、モールド樹脂を使ったパッケージを組むことなく、ベアチップの状態で、該半導体デバイスチップの接合端子と導体パターンを有する配線基板の該導体パターンとを直接接合させることによって半導体デバイスの超薄膜実装が可能となり、最終的な電子機器の製品セットを一層小型軽薄化することが出来るようになる。
【0112】
従って本発明は、高性能、高信頼性、小型、軽量が要求される今後の半導体デバイス装置の製造に極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の半導体デバイスの製造工程のフローチャート図である。
【図2】図2は、本発明の半導体デバイスチップ及び半導体デバイスの製造方法により得られる半導体デバイスチップ及び半導体デバイスの構造断面図である。
【図3】図3は、本発明の半導体デバイスチップの製造方法の主要工程断面図である。
【図4】図4は、本発明の半導体デバイスチップの製造方法のウェーハ裏面研削工程の工程断面図である。
【図5】図5は、本発明の半導体デバイスチップの製造方法のウェーハ裏面研削工程における、機械研削装置を用いる機械研削研磨の概念図である。
【図6】図6は、本発明の半導体デバイスチップの製造方法のウェーハ裏面研削工程における、化学的機械研磨装置を用いるポリッシング研磨の概念図である。
【図7】図7は、本発明の半導体デバイスチップの製造方法の主要工程断面図である。
【図8】図8は、本発明の半導体デバイスの製造工程のフローチャート図である。
【図9】図9は、本発明の半導体デバイスチップの製造方法の主要工程断面図である。
【図10】図10は、本発明の半導体デバイスチップの製造方法のウェーハ裏面研削工程における、スピンエッチング装置を用いるエッチングの概念図である。
【図11】図11は、従来の半導体デバイスの製造工程のフローチャート図である。
【図12】図12は、従来の半導体デバイスチップの製造方法の主要工程断面図である。
【図13】図13は、従来の半導体デバイスチップの製造方法の主要工程断面図である。
【図14】図14は、従来の半導体デバイスチップの製造方法のウェーハ裏面研削工程の工程断面図である。
【図15】図15は、従来の半導体デバイスチップ及び半導体デバイスの製造方法により得られる半導体デバイスチップ及び半導体デバイスの構造断面図である。
【符号の説明】
1…機械研削装置、2…化学的機械研磨(CMP)装置、3…スピンエッチング装置、11…砥石、12…回転台、21…ウェーハキャリア、22…研磨スラリー、23…研磨クロス、24…定盤、31…チャンバー、32…ディスペンサー、33…排気管、101、201,301…半導体ウェーハ、102,203,304…絶縁膜、103,202,302…電極パッド、104,303…アンダーバンプメタル層(BLM膜)、105、204,207,305…表面保護膜、106,208,306…接合端子(ハンダバンプ)、106’,306’…ハンダ蒸着膜、108,308…配線基板の導体パターン(Cuランド)、109,309…封止樹脂、110,310…配線基板、111.115,205,305…レジスト膜、112,312…表面保護テープ、113,313…粘着層、114,314…テープ基材、206…電極の最配線パターン(アンダーバンプメタル)、A,C,D…開口部、B,E…ウェーハ裏面のキズ
Claims (20)
- 電極部を有する半導体ウェーハの前記電極部の電極パッド上にアンダーバンプメタル層を形成する工程と、
前記アンダーバンプメタル層を形成した後に、前記半導体ウェーハの当該電極部が形成されている面の反対側の面を、前記半導体ウェーハが所定の厚みとなるように薄型化加工する工程と、
前記半導体ウェーハを薄型化加工した後に、前記電極部の電極パッド上に、前記アンダーバンプメタル層を介して、接合端子を形成する工程を有する、
半導体デバイスチップの製造方法。 - 前記半導体ウェーハを所定の厚みとなるように薄型化加工する工程は、前記半導体ウェーハを、50μm〜400μmの厚さとなるように薄型化加工する工程を有する、
請求項1記載の半導体デバイスチップの製造方法。 - 前記接合端子を形成する工程は、前記電極パッド上に、前記アンダーバンプメタル層を介して、ハンダバンプを形成する工程を有する、
請求項1記載の半導体デバイスチップの製造方法。 - 前記半導体ウェーハを所定の厚みとなるように薄型化加工する工程は、前記半導体ウェーハの電極部が形成されている面の反対側の面を、機械研削法及び化学的機械研磨法から選ばれるいずれかの方法により、前記半導体ウェーハを、所定の厚さとなるように薄型化加工する工程を有する、
請求項1記載の半導体デバイスチップの製造方法。 - 前記アンダーバンプメタル層を形成する工程において、前記アンダーバンプメタル層の最表面をAuで形成する
請求項1に記載の半導体デバイスチップの製造方法。 - 電極部を有する半導体ウェーハの前記電極部の電極パッド上に、電極パッド再配置のための配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターン上に表面保護膜を形成する工程と、
前記表面保護膜中に、前記電極パッドに達する開口部を形成する工程と、
前記開口部における前記電極パッド上にアンダーバンプメタル層を形成する工程と、
前記アンダーバンプメタル層を形成した後に、前記半導体ウェーハの当該電極部が形成されている面の反対側の面を、前記半導体ウェーハが所定の厚さとなるように薄型化加工する工程と、
前記半導体ウェーハを薄型化加工した後に、前記配線パターン上に、前記アンダーバンプメタル層を介して、接合端子を形成する工程を有する、
半導体デバイスチップの製造方法。 - 前記半導体ウェーハを所定の厚みとなるように薄型化加工する工程は、前記半導体ウェーハを、50μm〜400μmの厚さとなるように薄型化加工する工程を有する、
請求項6記載の半導体デバイスチップの製造方法。 - 前記接合端子を形成する工程は、前記電極パッド上に、前記アンダーバンプメタル層を介して、ハンダバンプを形成する工程を有する、
請求項6記載の半導体デバイスチップの製造方法。 - 前記半導体ウェーハを所定の厚みとなるように薄型化加工する工程は、前記半導体ウェーハの電極部が形成されている面の反対側の面を、機械研削法及び化学的機械研磨法から選ばれるいずれかの方法により、前記半導体ウェーハを、所定の厚さとなるように薄型化加工する工程を有する、
請求項6記載の半導体デバイスチップの製造方法。 - 前記アンダーバンプメタル層を形成する工程において、前記アンダーバンプメタル層の最表面をAuで形成する
請求項6に記載の半導体デバイスチップの製造方法。 - 電極部を有する半導体ウェーハの前記電極部の電極パッド上にアンダーバンプメタル層を形成する工程と、
前記アンダーバンプメタル層を形成した後に、前記半導体ウェーハの当該電極部が形成されている面の反対側の面を、前記半導体ウェーハが所定の厚さとなるように薄型化加工する工程と、
前記半導体ウェーハを薄型化加工した後に、前記電極部の電極パッド上に、前記アンダーバンプメタル層を介して、接合端子を形成することにより半導体デバイスチップを得る工程と、
得られた半導体デバイスチップの前記接合端子と、導体パターンを有する配線基板の当該導体パターンとを接続する工程を有する、
半導体デバイスの製造方法。 - 前記半導体ウェーハを所定の厚みとなるように薄型化加工する工程は、前記半導体ウェーハを、50μm〜400μmの厚さとなるように薄型化加工する工程を有する、
請求項11記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記接合端子を形成する工程は、前記電極パッド上に、前記アンダーバンプメタル層を介して、ハンダバンプを形成する工程を有する、
請求項11記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記半導体ウェーハを所定の厚みとなるように薄型化加工する工程は、前記半導体ウェーハの電極パッドが形成されている面の反対側の面を、機械研削法及び化学的機械研磨法から選ばれるいずれかの方法により、前記半導体ウェーハを、所定の厚さとなるように薄型化加工する工程を有する、
請求項11記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記アンダーバンプメタル層を形成する工程において、前記アンダーバンプメタル層の最表面をAuで形成する
請求項11に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 電極部を有する半導体ウェーハの前記電極部の電極パッド上に、電極パッド再配置のための配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターン上に表面保護膜を形成する工程と、
前記表面保護膜中に、前記電極パッドに達する開口部を形成する工程と、
前記開口部における前記電極パッド上にアンダーバンプメタル層を形成する工程と、
前記アンダーバンプメタル層を形成した後に、前記半導体ウェーハの当該電極部が形成されている面の反対側の面を、前記半導体ウェーハが所定の厚さとなるように薄型化加工する工程と、
前記半導体ウェーハを薄型化加工した後に、前記配線パターン上に、前記アンダーバンプメタル層を介して、接合端子を形成することにより半導体デバイスチップを得る工程と、
得られた半導体デバイスチップの前記接合端子と、導体パターンを有する配線基板の当該導体パターンとを接続する工程を有する、
半導体デバイスの製造方法。 - 前記半導体ウェーハを所定の厚みとなるように薄型化加工する工程は、前記半導体ウェーハを、50μm〜400μmの厚さとなるように薄型化加工する工程を有する、
請求項16記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記接合端子を形成する工程は、前記配線パターン上にハンダバンプを形成する工程を有する、
請求項16記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記半導体ウェーハを所定の厚みとなるように薄型化加工する工程は、前記半導体ウェーハの電極部が形成されている面の反対側の面を、機械研削法及び化学的機械研磨法から選ばれるいずれかの方法により、前記半導体ウェーハを、所定の厚さとなるように薄型化加工する工程を有する、
請求項16記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記アンダーバンプメタル層を形成する工程において、前記アンダーバンプメタル層の最表面をAuで形成する
請求項16に記載の半導体デバイスの製造方法。
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