JP4099989B2 - n型窒化物半導体の電極形成方法 - Google Patents
n型窒化物半導体の電極形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4099989B2 JP4099989B2 JP2001401452A JP2001401452A JP4099989B2 JP 4099989 B2 JP4099989 B2 JP 4099989B2 JP 2001401452 A JP2001401452 A JP 2001401452A JP 2001401452 A JP2001401452 A JP 2001401452A JP 4099989 B2 JP4099989 B2 JP 4099989B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- type nitride
- electrode
- semiconductor layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化物半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)からなる素子及びその製造方法に係わり、特に、n型窒化物半導体層と電極との良好なオーミック接触を有する窒化物半導体素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
窒化物半導体は、発光ダイオード、レーザダイオードなどの発光素子、太陽電池、光センサなどの受光素子、トランジスタ、パワーデバイスなどの電子デバイスに用いられている。特に、窒化物半導体を用いた発光ダイオードは、信号機、大型ディスプレイ、バックライト用光源などに幅広く利用されている。
【0003】
この窒化物半導体発光ダイオードは、基本的に、サファイアなどの絶縁基板の上にn型窒化物半導体層と、活性層と、p型窒化物半導体層とが順に積層され、p型窒化物半導体層上にp側電極が形成され、基板の裏面に電極を形成することができないので、p型窒化物半導体層及び活性層がエッチングなどにより除去され、露出されたn型窒化物半導体層上にn側電極が形成されて構成される。つまり、半導体層が積層された同一面側にp側電極とn側電極とが配置された構成となる。
【0004】
また、基板が研磨などにより除去され、露出されたn型窒化物半導体層上にn側電極が形成され、半導体層を介して対向するようにp側電極とn側電極とが配置された構成とすることもできる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、露出されたn型窒化物半導体層表面は、エッチング、研磨などによるダメージを受けており、n型窒化物半導体層と電極とのオーミック接触が得られないといった問題があった。また、n型窒化物半導体層上に電極を形成してからアニーリングすることにより、n型窒化物半導体層と電極とのオーミック接触は得られるものの、電極がアニーリングにより変質してしまうといった問題もあった。これにより、電極とn型窒化物半導体層、ワイヤーボンディングにより形成されるボール、電極の上に形成されるパッド電極などとの接着力が弱くなり、ひどい場合は剥がれてしまうことがあった。さらに、窒化物半導体がアニーリングにより分解してしまうといった問題もあった。
【0006】
本発明は、このような課題を解決するために成されたものであり、特に、アニーリングを省略してもn型窒化物半導体層と電極との良好なオーミック接触を有する窒化物半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明のn型窒化物半導体の電極形成方法は、n型Al Z Ga 1−Z N(0≦Z<1)で構成されるn型窒化物半導体をエッチングまたは研磨して、その表面を露出させる工程と、露出されたn型窒化物半導体に電磁波を照射し、n型窒化物半導体の表面を分解する工程と、電磁波を照射したn型窒化物半導体上に電極を形成する工程と、を有し、前記電磁波は、370nm以下の波長であり、照射面におけるエネルギーが500〜5000mJ/cm2の範囲になるように照射されることを特徴とする。また、上述の方法と組み合わせて、以下を採用することができる。n型窒化物半導体は、基板に積層されたn型窒化物半導体層である。n型窒化物半導体は、前記n型窒化物半導体の表面露出工程において研磨によってその表面が露出されたn型GaNからなる基板である。電磁波の照射時あるいは照射後に、n型窒化物半導体表面に酸化層が形成され、電極形成工程前に、酸化層を除去する工程を有する。電磁波は、酸素を含まない雰囲気において照射する。
さらに、本発明の他の形態について、以下に述べる。
本発明の窒化物半導体素子は、少なくとも露出されたn型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子であって、n型窒化物半導体層には電磁波が照射されており、その電磁波が照射されたn型窒化物半導体層上に電極が形成されていることを特徴とする。これにより、n型窒化物半導体層表面のエッチング、研磨などによるダメージが取り除かれ、アニーリングを省略してもn型窒化物半導体層と電極との良好なオーミック接触が得られる。
【0008】
また、n型窒化物半導体層の表面には、酸化層が形成されていることを特徴とする。この場合もアニーリングを省略してもn型窒化物半導体層と電極との良好なオーミック接触が得られる。
【0009】
また、酸化層は、50オングストローム以下の厚さであることを特徴とする。これにより、n型窒化物半導体層と電極とのより良好なオーミック接触が得られる。
【0010】
また、電極は、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Mn、Al、Zn、Pt、Au、Ru、Pd、Rhからなる群より選択される少なくとも1つを含む合金または層構造であることを特徴とする。これにより、n型窒化物半導体層と電極とのさらに良好なオーミック接触が得られる。
【0011】
また、本発明のn型窒化物半導体層の電極形成方法は、露出されたn型窒化物半導体層に電磁波を照射した後、その電磁波を照射したn型窒化物半導体層上に電極を形成することを特徴とする。これにより、n型窒化物半導体層表面のエッチング、研磨などによるダメージを取り除くことができ、アニーリングを省略してもn型窒化物半導体層と電極との良好なオーミック接触が得られる。
【0012】
また、電磁波は、酸素を含まない雰囲気において照射することを特徴とする。これにより、n型窒化物半導体層と電極とのより良好なオーミック接触が得られる。
【0013】
また、電磁波は、370nm以下の波長であることを特徴とする。これにより、n型窒化物半導体層表面のエッチング、研磨などによるダメージをより良好に取り除くことができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の窒化物半導体素子は、少なくとも露出されたn型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子であって、n型窒化物半導体層には電磁波が照射されており、その電磁波が照射されたn型窒化物半導体層上に電極が形成されていることを特徴とする。また、本発明のn型窒化物半導体層の電極形成方法は、露出されたn型窒化物半導体層に電磁波を照射した後、その電磁波を照射したn型窒化物半導体層上に電極を形成することを特徴とする。
【0015】
本発明の窒化物半導体素子において、n型窒化物半導体層以外の構成としては、特に限定されず、窒化物半導体で構成することもでき、窒化物半導体以外の材料で構成することもできる。窒化物半導体としては、GaN、AlN、InN、あるいはこれらの混晶であるInXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)からなる半導体を用いることができ、またこれに加えて、III族元素としてBを用いることもでき、V族元素としてNの一部をP、Asで置換することもできる。
【0016】
また、本発明において、n型窒化物半導体とは、n型の導電型を示す窒化物半導体のことであり、n型不純物をドープした窒化物半導体、あるいはn型不純物をドープしない(アンドープの)窒化物半導体がこれに含まれる。n型不純物としては、特に限定されないが、Si、Ge、Sn、S、O、Ti、ZrなどのIV族元素、あるいはVI族元素などを好適に用いることができ、好ましくはSi、Ge、Sn、さらに好ましくはSiを用いる。また、アンドープの窒化物半導体は、結晶中の窒素空孔によりn型の導電型を示すためn型窒化物半導体に含まれるが、n型不純物をドープした窒化物半導体の方が所望のキャリア濃度が容易に得られるので好ましい。
【0017】
また、本発明において、露出されたn型窒化物半導体層とは、サファイアなどの異種基板、あるいは半導体層などがエッチング、研磨などにより除去され、露出されたn型窒化物半導体層に限定されず、n型GaNなどのn型窒化物半導体からなる基板を用いる場合の基板表面、あるいは最後に積層され、露出しているn型窒化物半導体層などもこれに含まれる。本発明は、n型窒化物半導体層表面のダメージの有無に関係なく、n型窒化物半導体層と電極との良好なオーミック接触を形成するのに有効である。
【0018】
n型窒化物半導体層の組成としては、n型InXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)で構成し、特に限定されないが、好ましくはn型Al Z Ga 1−Z N(0≦Z<1)、さらに好ましくはZ値が小さいn型Al Z Ga 1−Z N、あるいはn型GaNで構成する。このような構成にすると、n型窒化物半導体層と電極とのオーミック接触が得られ易いので好ましい。
【0019】
n型窒化物半導体層の不純物濃度としては、特に限定されないが、好ましくは1×1017/cm3〜1×1021/cm3の範囲、さらに好ましくは1×1018/cm3〜1×1019/cm3の範囲に調整する。このような範囲に調整すると、n型窒化物半導体層の結晶性が良くなり、n型窒化物半導体層と電極とのオーミック接触が得られ易いので好ましい。
【0020】
本発明において、電磁波としては、特に限定されないが、窒化物半導体に吸収される370nm以下の波長の電磁波を用いることが好ましい。このような発振波長が370nm以下のレーザとしては、特に限定されないが、例えばArF(193nm)、KrF(248nm)、XeCl(308nm)、XeF(353nm)などのエキシマレーザ、あるいはHeCd(325nm)などが挙げられる。
【0021】
電磁波の照射条件としては、特に限定されないが、n型窒化物半導体層に電磁波を照射し、表面が分解する程度に照射すればよく、具体的には、照射面におけるエネルギーが500〜5000mJ/cm2の範囲になるように電磁波の種類により適宜調整して行われることが好ましい。このような範囲に調整すると、n型窒化物半導体層表面のみが分解し、ダメージを受けていない結晶性の良いn型窒化物半導体層が新たに露出される。このようにして得られるn型窒化物半導体層は、アニーリングを省略しても電極との良好なオーミック接触が得られる。
【0022】
また、電磁波の照射条件によっては、照射時、あるいは照射後においてn型窒化物半導体層表面に酸化層が形成されることがある。例えば、n型窒化物半導体層をn型AlGaN、n型GaNなどで構成する場合は、Gaを含む酸化物からなる酸化層が形成される。一般に、酸化層は絶縁層として作用するが、酸化層が形成されたn型窒化物半導体層であっても電極とのオーミック接触が得られることが本発明者により確認されている。しかし、酸化層が厚くなると接触抵抗が大きくなるので、酸化層は50オングストローム以下の厚さに調整されていることが好ましい。このような理由から、電磁波は酸素を含まない雰囲気において照射することが好ましい。また、酸化物をフッ酸、塩酸、アンモニア水などによるウェットエッチングによって除去することにより、さらに良好なオーミック接触が得られるので好ましい。
【0023】
本発明において、電極としては、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Mn、Al、Zn、Pt、Au、Ru、Pd、Rhからなる群より選択される少なくとも1つを含む合金または層構造を用いることができ、好ましくはTi、Cr、W、Al、Au、Pd、Rhからなる群から選択される少なくとも1種を含む合金または層構造、さらに好ましくはTi/Al、Cr/Au、W/Al、Rh/Alからなる2層構造、あるいはTi/Pd/Alからなる3層構造などの層構造を用いる。このような層構造にすると、電極とn型窒化物半導体層とが優れた密着性を有すると共に、良好なオーミック接触を有するので好ましい。また、電極の上にバリア目的でTi、Mo、W、Pt、Ni、TiN、RhOなどを積層してもよく、ワイヤーボンディングにより形成されるボールとの接着力を強める目的で最後にAuを積層してもよい。
【0024】
電極の形成方法としては、特に限定されないが、蒸着、スパッタリングなどを好適に用いることができる。また、電極の形状としては、n型窒化物半導体層の全面に形成することもできるが、n型窒化物半導体層は、p型窒化物半導体層と比較すると低抵抗であり、電流がn型窒化物半導体層において拡散し易いので、必ずしもn型窒化物半導体層の全面に形成する必要はなく、フォトリソグラフィーを用いたエッチング(ドライエッチング、ウェットエッチングなど)、リフトオフなどにより所望の位置、形状に形成することもできる。
【0025】
本発明において、窒化物半導体の成長方法としては、特に限定されないが、MOVPE(有機金属気相成長法)、MOCVD(有機金属化学気相成長法)、HVPE(ハイドライド気相成長法)、MBE(分子線エピタキシー法)など、窒化物半導体の成長方法として知られている全ての方法を好適に用いることができる。特に、MOCVDは結晶性良く成長させることができるので好ましい。また、窒化物半導体は、種々の窒化物半導体の成長方法を使用目的により適宜選択して成長させることが好ましい。
【0026】
【実施例】
[実施例1]
以下、図3に示す発光ダイオード素子を元に実施例1について説明する。
なお、本発明はこれに限定されるものではなく、n型窒化物半導体層に電極を形成する全ての窒化物半導体素子(レーザダイオード、太陽電池、光センサ、トランジスタ、パワーデバイスなど)に適用することができる。
【0027】
まず、サファイア(C面)からなる基板1をMOCVDの反応容器内にセットし、容器内を水素で十分に置換した後、水素を流しながら基板の温度を1050℃まで上昇させ基板のクリーニングを行う。なお、本実施例ではサファイア(C面)を用いているが、基板としては、GaN、AlN、AlGaNなどの窒化物半導体基板、あるいは窒化物半導体とは異なる異種基板を用いることができる。異種基板としては、例えばC面、R面、A面のいずれかを主面とするサファイア、スピネル(MgAl2O4)などの絶縁基板、あるいはSiC(6H、4H、3Cを含む)、Si、ZnO、GaAs、ZnSなどの半導体基板を用いることができ、好ましくはサファイア、スピネルを用いる。また、異種基板はオフアングルしていてもよく、特に、ステップ状にオフアングルしたものを用いると、窒化物半導体からなる下地層が結晶性よく成長されるので好ましい。
【0028】
続いて、温度を510℃まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにTMG(トリメチルガリウム)とアンモニアとを用い、基板1の上にGaNからなるバッファ層(図示せず)を約100オングストロームの膜厚で成長させる。なお、このバッファ層は、基板の種類、成長方法によっては省略できる。また、このバッファ層は、Alの割合の小さいAlGaNを用いることもできる。
【0029】
次に、バッファ層を成長後、TMGのみを止めて、温度を1050℃まで上昇させる。1050℃になったら、同じく原料ガスにTMG、アンモニアガスを用い、アンドープGaN層2を1μmの膜厚で成長させる。
【0030】
続いて、1050℃で、同じく原料ガスにTMG、アンモニアガス、不純物ガスにシランガスを用い、Siを4.5×1018/cm3ドープしたGaNからなるn側コンタクト層3を5μmの膜厚で成長させる。
【0031】
次に、シランガスのみを止め、1050℃で、TMG、アンモニアガスを用い、アンドープGaNからなる下層を3000オングストロームの膜厚で成長させ、続いて、同温度で、シランガスを追加して、Siを4.5×1018/cm3ドープしたGaNからなる中間層を300オングストロームの膜厚で成長させ、更に続いて、シランガスのみを止め、同温度で、アンドープGaNからなる上層を50オングストロームの膜厚で成長させ、3層からなるn側第1多層膜層4を3350オングストロームの膜厚で成長させる。
【0032】
次に、同温度で、アンドープGaNからなる窒化物半導体層を40オングストロームの膜厚で成長させ、次に、温度を800℃にして、TMG、TMI(トリメチルインジウム)、アンモニアを用い、アンドープIn0.1Ga0.9Nからなる窒化物半導体層を20オングストロームの膜厚で成長させる。これらの操作を繰り返し行い、交互に10層ずつ積層し、さらにアンドープGaNからなる窒化物半導体層を40オングストロームの膜厚で成長させた超格子構造のn側第2多層膜層5を640オングストロームの膜厚で成長させる。
【0033】
次に、TMG、アンモニアを用い、アンドープGaNからなる障壁層を250オングストロームの膜厚で成長させる。続いて、同温度で、TMIを追加して、In0.3Ga0.7Nからなる井戸層を30オングストロームの膜厚で成長させる。これらの操作を繰り返し行い、交互に6層ずつ積層し、さらにアンドープGaNからなる障壁を250オングストロームの膜厚で成長させた多重量子井戸構造の活性層6を1930オングストロームの膜厚で成長させる。
【0034】
次に、1050℃で、TMG、TMA、アンモニア、Cp2Mg(シクロペンタンジエニルマグネシウム)を用い、Mgを5×1019/cm3ドープしたAl0.15Ga0.85Nからなる窒化物半導体層を40オングストロームの膜厚で成長させ、続いて、温度を800℃にして、TMG、TMI、アンモニア、Cp2Mgを用い、Mgを5×1019/cm3ドープしたIn0.03Ga0 .97Nからなる窒化物半導体層を25オングストロームの膜厚で成長させる。これらの操作を繰り返し行い、交互に5層ずつ積層し、さらにMgを5×1019/cm3ドープしたAl0.15Ga0.85Nからなる窒化物半導体層を40オングストロームの膜厚で成長させた超格子構造のp側多層膜層7を365Åの膜厚で成長させる。
【0035】
続いて、1050℃で、TMG、アンモニア、Cp2Mgを用い、Mgを1×1020/cm3ドープしたGaNからなるp側コンタクト層8を1200オングストロームの膜厚で成長させ、図2に示す構造のウエハを得る。反応終了後、温度を室温まで下げ、さらに窒素雰囲気中、ウエハを反応容器内において、700℃でアニーリングを行い、p型層をさらに低抵抗化する。
【0036】
アニーリング後、ウエハを反応容器から取り出し、p側コンタクト層8の表面に蒸着によりNi、Auからなるp側電極9を200オングストロームの膜厚で形成する。電極形成後、アニーリングすることにより、p側コンタクト層8とp型電極9とをオーミック接触させる。続いて、p側電極9が形成されたp側コンタクト層8と異種基板11(ここではSi基板)とをハンダなどの導電性接着剤(図示せず)を介して接着する。
【0037】
次に、サファイア基板を研磨により除去し、n型窒化物半導体層(ここではn側コンタクト層3)を露出させる。続いて、エキシマレーザ(KrF)を用い、図1に示すように、露出されたn側窒化物半導体層に電磁波を照射面におけるエネルギーが3000mJ/cm2になるように照射する。ここで、酸素を含まない雰囲気において電磁波を照射することにより、n型窒化物半導体層表面の酸化を防止することができる。また、n型窒化物半導体層表面に形成された酸化物をフッ酸、塩酸、アンモニア水などによるウェットエッチングによって除去することもできる。電磁波照射後、n側コンタクト層3の表面にTiを100オングストローム、Alを5000オングストローム積層し、n側電極10を形成する。最後に、異種基板11の裏面に正電極12を形成してから分割し、1辺の長さが1000μmの発光ダイオード素子を得た。得られた素子は、If(順方向電流)20mAにおいて、Vf(順方向電圧)3.2Vであり、n型窒化物半導体層と電極との良好なオーミック接触が得られた。また、素子全体が均一に発光していた。
【0038】
[実施例2]
実施例1において、n側電極10として、Crを300オングストローム、Auを5000オングストローム積層する他は、同様にして発光ダイオード素子を得た。得られた素子は、If20mAにおいて、Vf3.25Vであり、n型窒化物半導体層と電極との良好なオーミック接触が得られた。また、実施例1と同様に、素子全体が均一に発光していた。
【0039】
[実施例3]
実施例1において、n側電極10として、Wを100オングストローム、Alを5000オングストローム積層する他は、同様にして発光ダイオード素子を得た。得られた素子は、If20mAにおいて、Vf3.3Vであり、n型窒化物半導体層と電極との良好なオーミック接触が得られた。また、実施例1と同様に、素子全体が均一に発光していた。
【0040】
[実施例4]
実施例1において、n側電極10として、Rhを100オングストローム、Alを5000オングストローム積層する他は、同様にして発光ダイオード素子を得た。得られた素子は、If20mAにおいて、Vf3.2Vであり、n型窒化物半導体層と電極との良好なオーミック接触が得られた。また、実施例1と同様に素子全体が均一に発光していた。
【0041】
[実施例5]
実施例1において、n側電極10として、Tiを50オングストローム、Pdを20オングストローム、Alを5000オングストローム積層する他は、同様にして発光ダイオード素子を得た。得られた素子は、If20mAにおいて、Vf3.17Vであり、n型窒化物半導体層と電極との良好なオーミック接触が得られた。また、実施例1と同様に、素子全体が均一に発光していた。
【0042】
[実施例6]
図4に示す発光ダイオード素子を元に実施例6について説明する。
【0043】
まず、基板1として、n型GaN(C面)からなる基板を用い、実施例1と同様にして窒化物半導体層を成長させる。反応終了後、温度を室温まで下げ、さらに窒素雰囲気中、ウエハを反応容器内において、700℃でアニーリングを行い、p型層をさらに低抵抗化する。
【0044】
アニーリング後、ウエハを反応容器から取り出し、p側コンタクト層8の表面に蒸着によりRhを含むp側電極9を1000オングストロームの膜厚で形成する。電極形成後、アニーリングすることにより、p側コンタクト層8とp型電極9とをオーミック接触させる。
【0045】
次に、GaN基板を100μmの厚さになるまで研磨する。続いて、実施例1と同様にして、研磨によって露出されたエキシマレーザ(KrF)を用い、図1に示すように、研磨によって露出されたGaN基板上に電磁波を照射面におけるエネルギーが3000mJ/cm2になるように照射する。ここで、フッ酸、塩酸、アンモニア水などによるウェットエッチングを行うことにより、表面の酸化物を除去することもできる。電磁波照射後、n側コンタクト層3の表面にTiを100オングストローム、Alを5000オングストローム積層し、n側電極10を形成する。最後に、ウエハを分割して1辺の長さが1000μmの発光ダイオード素子を得た。得られた素子は、If20mAにおいて、Vf3.15Vであり、n型窒化物半導体層と電極との良好なオーミック接触が得られた。また、素子全体が均一に発光していた。
【0046】
[比較例1]
実施例1において、n型窒化物半導体層に電磁波を照射するのを省略する他は、同様にして発光ダイオード素子を得た。得られた素子は、If20mAにおいて、Vf5.8Vであった。また、n側電極10の付近のみが発光していた。
【0047】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の窒化物半導体素子及びその製造方法によれば、露出されたn型窒化物半導体層に電磁波を照射した後、その電磁波を照射したn型窒化物半導体層上に電極を形成することにより、露出されたn型窒化物半導体層表面のエッチング、研磨などによるダメージを取り除くことができ、アニーリングを省略してもn型窒化物半導体層と電極との良好なオーミック接触が得られる。また、アニーリングを省略することにより、電極の変質、窒化物半導体の分解を防止することができ、信頼性に優れた素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の方法の一工程を説明するウエハの模式断面図。
【図2】 本発明の一実施例に係わるウエハの構造を示す模式断面図。
【図3】 本発明の一実施例に係わる発光ダイオード素子の構造を示す模式断面図。
【図4】 本発明の他の実施例に係わる発光ダイオード素子の構造を示す模式断面図。
【符号の説明】
1…基板、
2…アンドープGaN層、
3…n側コンタクト層、
4…n側第1多層膜層、
5…n側第2多層膜層、
6…活性層、
7…p側多層膜層、
8…p側コンタクト層、
9…p側電極、
10…n側電極、
11…異種基板、
12…正電極。
Claims (5)
- n型Al Z Ga 1−Z N(0≦Z<1)で構成されるn型窒化物半導体をエッチングまたは研磨して、その表面を露出させる工程と、前記露出されたn型窒化物半導体に電磁波を照射し、該n型窒化物半導体の表面を分解する工程と、前記電磁波を照射したn型窒化物半導体上に電極を形成する工程と、を有し、前記電磁波は、370nm以下の波長であり、照射面におけるエネルギーが500〜5000mJ/cm2の範囲になるように照射されることを特徴とするn型窒化物半導体の電極形成方法。
- 前記n型窒化物半導体は、基板に積層されたn型窒化物半導体層であることを特徴とする請求項1に記載のn型窒化物半導体の電極形成方法。
- 前記n型窒化物半導体は、前記n型窒化物半導体の表面露出工程において研磨によってその表面が露出されたn型GaNからなる基板であることを特徴とする請求項1に記載のn型窒化物半導体の電極形成方法。
- 前記電磁波の照射時あるいは照射後に、前記n型窒化物半導体表面に酸化層が形成され、前記電極形成工程前に、前記酸化層を除去する工程を有することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のn型窒化物半導体の電極形成方法。
- 前記電磁波は、酸素を含まない雰囲気において照射することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のn型窒化物半導体の電極形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001401452A JP4099989B2 (ja) | 2001-11-22 | 2001-12-28 | n型窒化物半導体の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001358206 | 2001-11-22 | ||
JP2001-358206 | 2001-11-22 | ||
JP2001401452A JP4099989B2 (ja) | 2001-11-22 | 2001-12-28 | n型窒化物半導体の電極形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003224298A JP2003224298A (ja) | 2003-08-08 |
JP4099989B2 true JP4099989B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=27759239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001401452A Expired - Fee Related JP4099989B2 (ja) | 2001-11-22 | 2001-12-28 | n型窒化物半導体の電極形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4099989B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100822771B1 (ko) * | 2003-12-10 | 2008-04-17 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 질화갈륨계 화합물 반도체 발광소자 및 그 음극 |
JP2005197670A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-07-21 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその負極 |
US7518163B2 (en) | 2003-12-17 | 2009-04-14 | Showa Denko K.K. | Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and negative electrode thereof |
JP2005203765A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-28 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその負極 |
KR100586948B1 (ko) * | 2004-01-19 | 2006-06-07 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US8089093B2 (en) | 2004-02-20 | 2012-01-03 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device including different concentrations of impurities |
JP2012064663A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Advanced Power Device Research Association | 窒化物半導体装置およびその製造方法 |
US9000469B2 (en) | 2010-12-08 | 2015-04-07 | Nichia Corporation | Nitride group semiconductor light emitting device |
JP5370441B2 (ja) * | 2011-09-02 | 2013-12-18 | 富士通株式会社 | 窒化ガリウム系hemtの製造方法及び窒化ガリウム系hemt |
JP5464218B2 (ja) * | 2012-02-01 | 2014-04-09 | 富士通株式会社 | 窒化ガリウム系hemtの製造方法及び窒化ガリウム系hemt |
JP6171850B2 (ja) * | 2013-04-30 | 2017-08-02 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6090111B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-03-08 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-12-28 JP JP2001401452A patent/JP4099989B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003224298A (ja) | 2003-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4325232B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP2917742B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法 | |
US8304756B2 (en) | Deep ultraviolet light emitting device and method for fabricating same | |
JP5349737B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
US8357607B2 (en) | Method for fabricating nitride-based semiconductor device having electrode on m-plane | |
JP3614070B2 (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード | |
JP5068020B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2000068594A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP2007157853A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP5047508B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2009027201A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP4099989B2 (ja) | n型窒化物半導体の電極形成方法 | |
JP5098135B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
US6365923B1 (en) | Nitride semiconductor light-emitting element and process for production thereof | |
JP3275810B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JPH11191639A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP3448196B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JPH09167857A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP3557894B2 (ja) | 窒化物半導体基板および窒化物半導体素子 | |
KR100475005B1 (ko) | 질화물반도체소자 | |
JP2002151737A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 | |
JP3496480B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP4628651B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2000101193A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
JP2005109291A (ja) | 半導体レーザ素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040916 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070612 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070904 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071204 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080310 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120328 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120328 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140328 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |