JP4093213B2 - 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 - Google Patents
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Description
(1)半導体レーザ素子に近接配置された受光素子からの出力信号において、特にS/N比が劣化してしまう、
(2)各受光素子へ入射する迷光(ワイヤーボンド部からの散乱光)量が異なり、各受光素子からの出力信号を演算することにより検出されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号にオフセットが発生し、サーボ動作に誤差を生じる、等の課題があった。
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図面を参照しながら説明する。
図7は、本実施の形態における半導体レーザ素子の変形例を示した図である。
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図面を参照しながら説明する。
2、2a〜2e、3、3a〜3e、20、20a〜20h、30、30a〜30l、3 02、302a〜302e、303、303a〜303e 受光素子
4、304 半導体基板
5、305 光学素子
6、306 回折格子
7、307 ホログラム
8、308 コリメートレンズ
9、309 対物レンズ
10、310 ディスク
11、311 反射ミラー
12、312 電極
13、313 パッケージ
14、314 ディスク戻り光
15、315 ワイヤー
16、16a、16b、316 光導波路
17 分離溝
18、318 出射光
319 ワイヤーボンド部
320 散乱光
401 n型GaAs基板
402 n型GaAsバッファ層
403 n型AlGaInPクラッド層
404 多重量子井戸構造の活性層
405 p型第1AlGaInPクラッド層
406 p型GaInPエッチングストップ層
407 p型第2AlGaInPクラッド層
408 p型GaInP中間層
409 n型GaAs電流ブロック層
410 p型GaAsコンタクト層
411 p側電極
412、712 n側電極
701 2次元コード
Claims (13)
- 光ディスクへビームを照射するための半導体レーザ素子と、前記光ディスクからの反射戻りビームを受光する受光素子とが、パッケージ内部の空間に載置された半導体レーザ装置であって、
前記半導体レーザ素子は、発振波長が異なる複数のビームを出射し、
前記半導体レーザ装置の上に前記半導体レーザ素子からの出射ビームをメインビームと2本以上のサブビームに分岐するための光分岐素子を有し、
前記光ディスクで反射された前記サブビームのうちの少なくとも一本が前記半導体レーザ素子の上面に入射し、
前記上面における前記サブビームの入射領域には前記半導体レーザ素子を構成する一の半導体層が露出しており、
前記上面における前記入射領域以外の領域には電極が形成されており、
前記半導体レーザ素子の下面側には前記複数のビームを出射させるのに対応した複数の光導波路と、各前記光導波路の間にこれらを電気的に分離するための溝がそれぞれ設けられており、
前記半導体レーザ素子の上面における前記溝と対向する部分には、前記電極が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記電極と露出した前記一の半導体層との境界の一部が、前記半導体レーザ素子の光導波路の延びる方向とほぼ平行であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記一の半導体層が露出した領域が、ほぼ円形であることを特徴とする請求項1ないし2のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
- 前記半導体レーザ素子の製造工程の情報が前記電極にパターンとして形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
- 前記情報は、製造ロット番号やウエハ面内における半導体レーザ素子の位置情報等であることを特徴とする請求項4記載の半導体レーザ装置。
- 前記パターンはバーコードあるいは2次元コードであることを特徴とする請求項4記載の半導体レーザ装置。
- 前記一の半導体層が出射端側で露出しており、前記パターンが出射端と反対側に形成されていることを特徴とする請求項4ないし6のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
- 前記光分岐素子は、一方の面に前記半導体レーザ素子からの出射ビームをメインビームと2本以上のサブビームに分岐する回折格子を有し、
前記メインビームおよび前記サブビームは、前記回折格子の0次回折光および±1次回折光であることを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載の半導体レーザ装置。 - 前記半導体レーザ素子は、前記受光素子が形成された基板上に載置されており、
前記半導体レーザ素子の下面と前記基板とが接着されていることを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の半導体レーザ装置。 - 前記基板には凹部が設けられており、
前記半導体レーザ素子は前記凹部の底面に載置され、
前記半導体レーザからの出射ビームは、前記凹部の側面に形成された反射ミラーによって反射され、前記基板の上方に向かうことを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載の半導体レーザ装置。 - 前記パッケージは、前記光分岐素子によって封止されていることを特徴とする請求項1ないし10のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
- 請求項1ないし11のいずれかに記載の半導体レーザ装置と、
前記半導体レーザ装置からの出射ビームを集光して光ディスクに導く集光手段と、
前記光ディスクで反射された戻りビームを前記受光素子に導くための第二の光分岐素子と、を備えた光ピックアップ装置。 - 前記光分岐素子と前記第二の光分岐素子とは一体化されており、前記光分岐素子の他方の面に前記第二の光分岐素子となるホログラムが形成されていることを特徴とする請求項12記載の光ピックアップ装置。
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