JP4090410B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、この発明による半導体装置が適用される電力変換器の構成例を示す図である。
れるパワー半導体素子が適用される。スイッチング素子Q1〜Q6の各々は、この発明による半導体装置に相当し、以下に説明する電極取出し構造を備えている。
図7は、この発明の実施の形態2による半導体装置の電極取出し構造を説明する図である。
図8は、この発明の実施の形態3による半導体装置の電極取出し構造を説明する第2の図である。
Claims (11)
- 半導体素子の同一面側に形成された第1および第2の電極と、
導電性の電極板の前記第1および第2の電極と接触する一面側に形成された、前記第1の電極と電気的に接続するための第1の接続部と、
前記電極板の前記一面側の前記第1の接続部を除く一部領域から前記一面側と対向する他面側に亘って前記電極板表面に形成される絶縁被膜および、前記一面側から前記他面側に亘って前記絶縁被膜の表面に形成されて前記電極板と絶縁された導電体と、
前記導電体のうちの前記一部領域の表面に形成された部分により構成された、前記第2の電極と電気的に接続するための第2の接続部とを備える、半導体装置。 - 前記導電体は、導電膜で形成される、請求項1記載の半導体装置。
- 前記第2の電極は、制御電極であり、
前記第1の電極は、前記制御電極への電気的入力に応じた電流が生じる電極である、請求項1記載の半導体装置。 - 前記電極板の前記一面側において、前記第1および前記第2の接続部の間に設けられた中間部位は、前記第1および第2の電極の配置面との距離が、前記第1および前記第2の接続部と前記配置面との距離よりも長く確保された形状を有する、請求項1記載の半導体装置。
- 半導体素子の同一面側に形成された第1および第2の電極と、
導電性の電極板の前記第1の電極と接触する一面側に形成された、前記第1の電極と電気的に接続するための接続部と、
前記電極板の前記一面側と対向する他面側において前記電極板の表面に形成される絶縁被膜および、前記絶縁被膜の表面に形成されて前記電極板と絶縁された導電体と、
前記導電体と前記第2の電極との間を電気的に結合する結合部とを備える、半導体装置。 - 前記結合部は、ワイヤボンディングで構成される、請求項5記載の半導体装置。
- 前記電極板は、一方の面にのみ、前記導電体および前記絶縁被膜が形成された平板状態で作製され、
前記電極板の端部を折り曲げることによって、前記電極板の前記一面側に位置するようになった部分に形成された前記導電体により前記第2の接続部が構成される、請求項1記載の半導体装置。 - 前記第2の電極は制御電極であり、
前記第1の電極は、前記制御電極への電気的入力に応じた電流が生じる電極であり、
前記導電体には、前記制御電極を駆動する電気信号を生成する駆動回路と前記制御電極との間を電気的に接続する信号線が設けられ、
前記駆動回路は、前記電極板の他面側に配置される、請求項1または5記載の半導体装置。 - 前記第1および第2の電極は、水平方向に沿って配列され、
前記電極板は、前記水平方向に沿って形成された第1の部分と、垂直方向に沿って形成された第2の部分とを含み、
前記第2の部分は、前記半導体素子以外の素子と電気的に接続される、請求項1または5記載の半導体装置。 - 前記導電体のうちの前記第2の部分の前記他面側に形成された領域および制御回路基板を電気的に接続するための結合部をさらに備える、請求項9記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、電力変換器のスイッチング素子として用いられる、請求項1から10のいずれか1項に記載の半導体装置。
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