JP4088859B2 - コプレーナ発振回路構造 - Google Patents
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Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、集積回路へ接続された金属化パターンを持つ基礎基板上に取付けられた多重アクティブデバイスを含むフリップチップ集積回路に関する。更に詳細には、ミリメートル波集積発振回路、および、特に共通端子端への軽減された寄生結合を有する金属化パターンを含む複数の相互接続された反復性セルによって構成されたコプレーナ発振回路構造に関する。
【0002】
【背景技術】
3端子アクティブデバイスを使用するほとんど全ての発振器においては、入力から出力までの信号通路が要求される。3端子アクティブデバイス発振器への入力は、入力電圧または電流位相および2出力電流搬送端子を画定する。これらの端子は、一般に、低い周波数における同位相または反対位相(反転)電流、実際には直流電流(DC)どちらかを持つ。マイクロ波FETの場合には、制御入力はそのゲートであり、反転出力はそのドレーンである。一般にかなりの出力電力を供給するために用いられる大型共通ソースFETにおいては、ゲート端子は、通常、ドレーン(反転)端子と接続するために復帰する以前にかなりの距離に亙って伸延する復帰通路を有する回路へ接続される。ゲート及び反転端子へ接続される電流通路と関係するあらゆる寄生インダクタンスまたはキャパシタンスは、達成可能な発振器周波数レスポンスを制限することがあり得る。
【0003】
従来技術による発振器は、アクティブデバイスを基板上で画定された共振器およびフィードバック回路へ接続するためにワイヤボンドを使用してきた。ミリメートル周波数においては、最も短いワイヤボンドでさえも波長の1/10であり得る。ワイヤボンドは復帰電流を搬送する1つ又は複数の導体から比較的離れて間隔を保つので、これは比較的高い寄生インダクタンスを持つループのように作用する。この種のループは許容不可能な放射損失を導入することがあり得る。
【0004】
リード付きデバイスは一般に中心距離が600から2500マイクロメートルのリードを備える。これらのデバイスのリードもガラスから金属製またはセラミックス製またはプラスチックス製のシールを通過するが、この種シールはマイクロ波周波数においては損失を生じる。損失と寄生インダクタンスを軽減するためにリード付きデバイスおよびワイヤボンドを排除することは有利である。フリップチップまたはバンプ接合チップは極度に低く均一な寄生インダクタンスを持つ。
【0005】
従来技術による他の回路構造体は、アクティブ3端子デバイスへ接続されるべき関連ストリップライン又はマイクロストリップ導体共振およびフィードバック回路がその上で画定される基板を使用している。マイクロストリップ回路は、通常、余分な誘電体損失および基板の一方の側の信号線と基板のもう一方の側の接地平面との間のフィールド(電磁場)内に蓄積された磁気エネルギ(即ちの寄生インダクタンス)を持つ。高い周波数の発振器にとって、マイクロストリップ回路を排除することは有利である。コプレーナ回路では、一般に、フィールド損失が誘電体損失と結合するので誘電体損失が低く、フィールドが更に密接な隣接間隔の間に集中するので放射損失が低い。
【0006】
共通ドレーン回路構成は、改良された利得‐周波数特性が提供されるので、高い周波数の回路にしばしば使用される。FET発振器の共通端子に関係する電流通路の寄生インダクタンスおよびキャパシタンスはゲート‐ドレーン回路に関係する大きい遅延とインダクタンスに影響する。これは、遅延およびインダクタンスに起因する周波数制限を生じる。共通端子へ接続される電流通路における損失も過剰な位相ノイズに帰着することがあり得る。
【0007】
ノイズがランダムな特異性を有し確率関数に従って変化する成分を含むことから統計的に重なる一方で、FETアレイの複数のエレメントからの注入同期信号は同期されかつ統一されており、互いに加算されて大きな同期信号になるという事実に起因し、発信回路において、複数の小さいFETデバイスの配列体によって構成される大きいFETデバイスは、小さいFETデバイスが単独で発生するよりも低い位相ノイズを与えることが知られている。しかしながら、小さいFETの配列体から更に大きいアクティブデバイスを組み立てることは、複数のデバイス端子の相互間に比較的長い電流通路をもたらすことがあり得る。通路が更に長くなれば、寄生インダクタンスが更に高くなり、放射損失が増大して、構造を大型化する利益が減少する。
【0008】
組合わされた回路構造体においては、集積回路アクティブデバイス配列体の個々のアクティブデバイスは、インピーダンス整合または電力結合のために入力及び/又は出力信号を結合する同調またはインピーダンス整合回路の1つ又は複数にそれぞれ接続されることが知られている。1つの回路内において接続された反復性回路の事例が、Mohwinkel等に発行され、参照によってここに組み込み済みの米国特許第5.623,231号に記載されている。
【0009】
Mohwinkel等は、複数のFETおよび当該チップの共通面上の選定された場所に配置された複数の関連端子を備えた共通ソースマイクロ波増幅器チップを示す。関連回路は、チップ上のデバイス端子に対応する複数の端子を持つ基礎基板上に形成される。基板上の入力信号線および出力信号線は組合わされた複数の入力および出力線を備えた関連端子に接続される。
【0010】
Mohwinkel等は、複数のFET対のゲート端子に接続された組合わせ回路からの信号入力と共に、共通ソース増幅器を示す。FET対のドレーン端子からの信号出力は出力信号線上で組合わされる。この種の回路の発振器を作るためにドレーンからゲートへ金属化パターンが接続されているならば、パターンは非常に長い通路をもつこともあり得る。
【0011】
共通ドレーンマイクロ波回路の一例がWadeに発行された米国特許第4135,168号に示されている。Wadeは近傍基板上の関連回路へのソース及びゲート接続部を有する共通ドレーンFET回路を示す。ソース及びゲート回路の金属化部の一部分でもなく、これと同一平面でもない大型ヒートシンクポストへのドレーン接続部が作られる。ゲートからドレーンへ、及び、ソースからドレーンへ流れる電流の延長された復帰通路は、かなりの直列インダクタンスおよびシャントキャパシタンスに帰着する。
【0012】
要約すれば、従来の大型共通ソースのアクティブデバイスは、入力および出力端子へ共振器及びフィードバック回路を接続することを必要とする物理的に大きいレイアウトと関連した損失及び寄生インダクタンスに関連する問題を持つ。従来型の共通ドレーン回路においては、同様に、物理的レイアウトがゲートからドレーンへ、及び、ソースからドレーンへ復帰する電流のための長い信号通路によって特徴付けられる。
【0013】
従来技術によるミリメートル又はマイクロ波平面回路は、ゲート‐ドレーン及びソース‐ドレーン回路における長いRF接続部のインダクタンスとキャパシタンスに関連する好ましくない接合ワイヤ、及び/又は、マイクロストリップ放射損失を示す。更に短い接続部と更に低い寄生要素を有する発振器を作成するために使用可能な低い寄生共通ドレーン回路構造をもつことは利点である。
【0014】
【発明の開示】
本発明のコプレーナ共通ドレーン発振回路構造は著しく低減された寄生インダクタンス及びゲート‐ドレーン及びソース‐ドレーン回路の復帰線に関連するキャパシタンスを提供する。特定の3端子アクティブデバイスのタイプが決定すれば、本発明は、既に実現済みの発振器の場合よりも更に広い電圧同調範囲および更に低い位相ノイズによって更に高い周波数で作動する発振器の構成を可能にする。
【0015】
本発明の第1実施形態は基本的、即ち平面基板に接合された単一の3端子フリップチップアクティブデバイスである。接続領域を備えた絶縁基板表面上に取り付けられた第1、第2、および第3コプレーナ導体を有する。各コプレーナ導体は前記接続領域内に伸延する近位部分を備え、前記第1および第2コプレーナ導体は前記接続領域から異なる方向に伸延するそれぞれの遠位部分を備えている。第3コプレーナ導体は前記接続領域からそれぞれ第1コプレーナ導体の遠位部分に隣接して伸延する第1遠位部分および第2コプレーナ導体の遠位部分に隣接して伸延する第2遠位部分を備えている。第3コプレーナ導体の第1および第2遠位部分は、絶縁基板表面上に取り付けられた図示していない接地導体から隔離されている。入力信号制御端子と反転出力信号搬送端子と非反転出力信号搬送端子とを備えた少なくとも1つのアクティブデバイスを有し、出力信号搬送端子における信号が入力信号制御端子における入力信号に依存し、前記アクティブデバイスは、入力信号制御端子が第1コプレーナ導体に結合され、非反転出力信号搬送端子が第2コプレーナ導体に結合され、反転出力信号搬送端子が第3コプレーナ導体に結合されて前記接続領域内に 配置される。第1コプレーナ導体の遠位端部および第3コプレーナ導体の一方の遠位端部は共振回路に接続され、第2コプレーナ導体(34b)の遠位端部および第3コプレーナ導体の一方の遠位端部はフィードバック回路に接続される。フィードバック回路は、共振回路と協働して発信を起こさせるものであり、周知の種々の回路構成を適用することができるが、例えば、非反転出力信号搬送端子に接続される第2コプレーナ導体と反転出力信号搬送端子に接続される第3コプレーナ導体との間に接続されるコンデンサ回路により形成される。そして、入力信号制御端子に接続される第1コプレーナ導体と反転出力信号搬送端子に接続される第3コプレーナ導体との間に供給される信号に応じて、アクティブデバイスの非反転出力信号搬送端子と反転出力信号搬送端子間に流れる信号をコンデンサを介して入力信号制御端子にフィードバックするようにすることができる。第1及び第3コプレーナ導体を備える共振回路(共振器)が基板上に形成される。第1及び第3コプレーナ導体は、接続領域内のそれぞれの端部において、フリップチップボンドによってそれぞれゲート(制御)端子及びドレーン(反転)端子に結合される。第2および第3コプレーナ導体を持つフィードバック回路も基板上に形成される。第2および第3コプレーナ導体は、接続領域内のそれぞれの端部においてフリップチップボンドによって、それぞれソース(非反転)端子および共通ドレーン端子へ接続される。第1及び第2コプレーナ導体は共通ドレーンに接合された第3コプレーナ導体の同じ側に伸延される。
【0016】
基本的発振器の第2実施形態は、共通ドレーンに接合された第3コプレーナ導体および第4コプレーナ導体を挟んで反対側に配置された第1(ゲート)および第2(ソース)コプレーナ導体を備える。
【0017】
両実施形態の第1及び第3コプレーナ導体はゲート/ドレーンデバイス端子へ結合された共振器の一部分を形成する。両実施形態の第2および第3、4コプレーナ導体はソース/ドレーンデバイス端子に結合されたフィードバック回路の一部分を形成する。両方の場合において、それぞれのゲート/ドレーン及びソース/ドレーン端子対への共振回路及びフィードバック回路の結合に関連する最小寄生インダクタンス及びキャパシタンスがある。
【0018】
更に大きい発振器は、基本発振器と同一の特性、機能又は構成を有する発振器を反復して構成し、これらの隣接側を結合することによって組み立て可能である。大きいアクティブゲート幅を持つFETは、出力電力を増大し、位相ノイズを軽減するために重要である。インピーダンス整合および電力結合は基本的共振及びフィードバック回路を3端子フリップチップアクティブデバイスの対応する配列体へ接続される基板上のコプレーナ回路の結合済み配列体に組み合わせることによって提供される。
【0019】
本発明の一実施形態は、隣接対のアクティブデバイスのソース及びゲート電極を備えたフリップチップ接合された共通ドレーンFETの配列体である。隣接対のソース及びゲート電極は、配列体の反対の側部にそれぞれ間隔を保って配置された共通ソース及びゲート端子に接続される。接続された対のドレーン電極は、隣接対の反対の側部に配置される。ソース及びゲート接続された対のアクティブデバイスは、隣接対のドレーン電極に共通のデバイス端子へ接続された少なくとも1つのドレーン電極を備えた各対を有する線形配列体として配置可能である。
【0020】
組合わせ回路共振器およびフィードバック(ゲート/ドレーン、及び、ソース/ドレーン)コプレーナ回路は、各々に複数の導体端子を備えた絶縁基板上で形成される。各組合わせ共振器及びフィードバック回路は、幾つかの隣接相互接続セルによって組み立て可能である。セルは、相互に同一の特性、機能又は構成を有するものとすることができ、また、セルから隣接セルへと変更を加えることができる。この考察においては、セルという用語は基板上で形成されたコプレーナパターンを含む多数の相互接続されたサブサーキット構造体の1つを意味する。
【0021】
各コプレーナ回路の各セルは、隣接信号または共通ドレーン端子の間に1つの信号導体端子を備えることもあり得る。従って、各回路の各セルは、それと各隣接セルの間に共通ドレーン端子を備える。
【0022】
デバイス端子及びコプレーナ導体端子は、フリップチップアクティブデバイス配列体のデバイス端子が基板のコプレーナ導体端子に接合されるとき、共振器端子が2つの対応するゲート/ドレーン端子へ接続されるように配列される。対応するフィードバックセルのフィードバック端子は、それぞれの対の対応するソース/ドレーン端子へ接続される。共振器およびフィードバックセルの共通ドレーン端子はそれぞれのアクティブデバイス対のそれぞれの共通ドレーンへ接続される。
【0023】
従って、個別アクティブデバイス対の共振器及びフィードバック回路のセルは、共振器またはフィードバック回路のどちらかにおけるインピーダンス整合又は電力結合又は電力分割目的のために配列可能である。相互接続されたアクティブデバイス対の寸法が更に小さく、従って、アクティブデバイスレベルにおける寄生キャパシタンス及びインダクタンスが更に少なくなるので、この種組合わせ回路へ接続された更に小さい複合対にFETを分割することは更に高い周波数性能能力を可能にする。
【0024】
隣接セル間における共通ドレーンまたは共通信号復帰線は、この状態においては、各アクティブデバイス対に関してインピーダンス整合ネットワークの一部分として作用し、漂遊寄生インダクタンス及びキャパシタンス最小限化の利点を提供する。
【0025】
隣接対の間の共通ドレーン端子が、共振器およびフィードバック回路と同じ基板上の共通コプレーナ接地セグメントによって分離または接続される本発明の特定の例が示される。
【0026】
異なる個数のアクティブ対を備えた関連共振器及びフィードバック機能を形成するために1つ(または複数の)共通ドレーン端子への接続部交互に省略可能にする共振器及びフィードバック回路の例も示される。
【0027】
本発明の共通ドレーン発振器の一実施形態は互いに入り組んだコンデンサを持つゲート共振器セルを含む。本発明の1つのゲート共振器セルの特定の一実施形態は3次元空洞共振器との比較を可能にするコプレーナフレームを含む。平坦空洞またはコプレーナ空洞という用語は、ここでは、高い周波数の発振器技術においてよく知られている3次元空洞の2次元アナログ(類似体)として用いられる。コプレーナフレームは、互いに入り組んだ容量的に結合された2つの組として配列構成される間隔を保った細長い導体セグメントによって形成されたコプレーナコンデンサを収納する開口部(3次元空洞へのコプレーナアナログ)を画定する。1つの組の近位端部は分離された入力信号制御端子へ個々に接続する。各入力信号制御端子はFTTの複合配列体における1つの隣接FET対のゲート(即ち、制御する)電極に接続する。この種のゲート接続されたFETの各対のソース(即ち、制御される)電極は組合わされたソース‐ドレーン回路のフィードバック端子の少なくとも1つに結合される。
【0028】
ゲート及びソース接続されたアクティブデバイスの対は、当該対の各アクティブデバイスのドレーン(即ち、制御される)電極は当該対から反対方向に偏位し、当該対のゲートおよびソース端子に対して全体的に直交するような配列体として配置構成される。アクティブデバイスの隣接対のドレーン電極は、それらの間の共通アクティブデバイスドレーン端子に接続される。コプレーナ共通ドレーン接続セグメントは、全ての共通ドレーン端子を結合する。従って、ドレーンセグメントはコプレーナ空洞フレームの一部分であって、発振器用共振器の一部分を形成する。
【0029】
ソース端子は共通ドレーンセグメントの一方の側に配置され、ゲート端子はもう一方の側に配置される。ソース端子は、ソース回路のコプレーナソース復帰導体に対して平行に、かつこれと間隔を保って配置されるコプレーナフィードバック信号導へ接続される。ソース復帰導体は、最小寄生要素をもつソース回路用の被制御インピーダンス機能を形成する共通ドレーンセグメントへ接続される。
【0030】
今問題とされている周波数範囲において誘導性エレメントを形成する中央コプレーナ導体はコンデンサセグメントの第2組の遠位端部の接合部と同調バラクタの1つの電極の間に接続される。バラクタのもう一方の電極は空洞フレームへ接続される。
【0031】
従って、コンデンサ、誘導性エレメント、バラクタ、及び、FET入力は、接地されたドレーン発振回路への共振器を形成する。
【0032】
コンデンサセグメント、FET、及び、フレームは、選定済み周波数において共振コプレーナ空洞を提供するように構成され、更に、中央導体とゲート電極の間に等しく分割された信号電流を供給するように構成される。結合された容量性セグメントによって中央導体から並列分割された信号電流は、配列体に関して改良された発振器出力電力および位相ノイズ性能を提供する。
【0033】
【発明実施のモード】
本発明は、第1コプレーナ導体の1つの部分がアクティブデバイスの制御入力へ接続され、かつそのアクティブデバイスの反転端子へ接続された他のコプレーナ導体に隣接して配置される回路構造体を提供する。第1コプレーナ導体の他の部分は、アクティブデバイスの非反転端子へ接続された他のコプレーナ導体に隣接して配置される。この種の構造体を全体的に20として図1に示す。回路構造体20は平坦表面の22aを備えた絶縁基板22を含む。フリップチップアクティブデバイスの集積回路24(透明であるかのように図示される)は、回路24の周囲内に所在し、かつ鎖線によって示される接続領域24aを画定する。回路24は、表面の22aに接合されたフリップチップであるように構成された3端子アクティブデバイス26を含む。
【0034】
3つの連続的なコプレーナ導体は表面22a上に形成され、かつそれぞれの端子の間に接続される。第2コプレーナ導体32は、第1コプレーナ導体30から間隔を保ち、その一方の側部に隣接して配置される。第1コプレーナ導体30は、フリップチップアクティブデバイスのデバイス端子38において、近位端部30aからアクティブデバイス26の反対側部上の反対の遠位端部30bおよび30cまで伸延する。コプレーナ導体32は第1コプレーナ導体30の遠位端部30bと同じ方向に近位端部32aから遠位端部32bまで伸延する。
【0035】
他のコプレーナ導体34はコプレーナ導体30に隣接して配置される。コプレーナ導体34は、端子30aに隣接し、かつこれと間隔を保つ近位端部34aからコプレーナ導体30の遠位端部30cと同じ方向に遠位端部34bまで伸延する。近位端部34aは、接続領域24a内においてデバイス端子40にフリップチップ接合される。コプレーナ導体32及び34はコプレーナ導体30の同じ側に配置される。
【0036】
アクティブデバイス26は、入力信号制御電極26a、電極26aによって制御される反転信号搬送電極26b、及び、電極26aにおいて制御信号によって制御される非反転制御信号搬送電極26cを含む。反転電極26bは電極26aの制御信号に対して逆関係の信号を搬送する。電極26a、26b、及び、26cは、導体端子32a、30a、および、34aにそれぞれ接合されたフリップチップであるデバイス端子36、38、及び、40に接続される。
【0037】
アクティブデバイス26は、GaAs FET、2極式接合トランジスタ、PBT、HBT等であり得る。アクティブデバイス26がFETである場合、入力信号制御端子36はゲートであり、反転端子38はドレーンであり、非反転端子40はソースである。以下の考察において、GaAs FETであるものと仮定される。
【0038】
本発明は反転及び非反転電極における電流を制御する制御電極に関して記述される。テブナンの定理「Principles of circuitsynthesis」(回路合成の原理)(Kuh、及び、Pederson、ページ51、1959、McGraw−Hilt Book Company、New York)により、電気回路は電圧ソースまたは電流ソースどちらであっても等価であり得るので、この記述は電圧制御に関しても同様に適用できる。
【0039】
端子36、38、及び、40は接続領域24a内に位置する。フリップチップアクティブデバイスのアウトライン即ち周囲は、アクティブデバイスのフリップチップ接合が全体に亙って達成可能なエリア(面積部分)を画定する。
【0040】
コプレーナ導体30、32、及び、34のサイズ、形状、及び、間隔は、制御されるインピーダンス特性をデバイス端子対36,38、及び、38、40それぞれに呈示するように配置構成可能である。端子38は、コプレーナ導体の隣接対(30a,30b)、(32a,32b)、および、(30a,30c)、(34a,34b)によって形成されるコプレーナ回路への共通端子である。従って、近位端部30a、32aから遠位端部30b,32bまで、および、30a、34aから遠位端部30c、34bまでのコプレーナ回路の電流通路と関連した最小寄生インダクタンス及びキャパシタンスが在る。
【0041】
2つのコプレーナ導体回路42、44は、例えばめっき、マスキング、および、エッチング、または、堆積、および、パターンニングんどの従来手段により基板22上に構成される。第1回路42は、コプレーナ導体端部30bおよび32bの拡張として接続される。第2回路44は、コプレーナ導体端部30cおよび34bの拡張として接続される。
【0042】
本発明の共通ドレーンFET発振器実施形態において、回路42は共振器回路であり、回路44は端子30aにおいて共通ドレーン接続部を備えるフィードバック回路であっても差し支えない。これは、コプレーナ接続導体30、32、及び、30、34をコプレーナ回路の一部分として配置構成することにより、アクティブデバイス26と2つの回路42、44の間に最小寄生インダクタンスおよびキャパシタンスを提供する。
【0043】
バイアス接続部は図示されていないが、ボンドワイヤ又はエアブリッジ、または、それぞれの端子と適当な電源の間にRF阻止エレメントを備えた他の導電性トレースによって達成可能である。
【0044】
コプレーナ導体30、32、及び、30、34は、それぞれの共振器およびフィードバック回路42、44の一部を形成するように電気磁気的に相互結合することが可能である。結合された30、32、及び、30、34は、均一な幅と間隔およびこれらの組み合わせによる簡単なコプレーナ直線導体を含む。例えばチップコンデンサ、抵抗器、または、誘電子、基板22上に取り付けられ、ボンドワイヤまたはエアブリッジまたは他のコプレーナフリップチップ端子接続部等の追加コンポネントが含まれることもあり得る。
【0045】
ドレーン端子38は、共振器42と接続点30aにおけるフィードバック回路44の間に共通RE接続部を形成する。コプレーナ導体30、32、及び、30、34は、所与のソース、ドレーン、及び、ゲート端子レイアウトに関して任意に短くし、それによって、共振器回路42とゲートドレーン接続部の間、および、フィードバック回路44とソースドレーン接続部の間における寄生インダクタンスを最小限化することが出来る。
【0046】
アクティブデバイスの寄生エレメントは図示されていないが、発振器の等価回路の一部を形成することが知られている。フリップチップアクティブデバイスは、ビームリードまたはワイヤ接合アクティブデバイスと比較して本来的に極めて低い誘導性寄生エレメントをもつ。最も重要な寄生エレメントは例えば、ここには示されていないが当該技術分野における当業者によく知られているゲート‐ドレーン、ゲート‐ソース、及び、ドレーン‐ソースなどの端子間キャパシタンスである。
【0047】
CPWの寸法は、コプレーナ回路と小さいアクティブコンポネントの間に接続するために、上方または下方へ基準化可能であるので、コプレーナ伝送線、または、コプレーナウェーブガイド(CPW)のインピーダンス特性は一定状態に保持され得る。3端子フリップチップアクティブデバイスへの接続部における寄生インダクタンス及び放射損失を最小限化することは、3端子を共振器対および共通ドレーン(反転)端子を備えたフィードバック対に分離することと共に、この特性である。
【0048】
図2に関して、同等のエレメントには同等の照合番号を付記することにより、参照番号20’で表示される本発明の代替実施形態が示される。発振器20’は、図1の発振器の全てのエレメントを含み、更に、コプレーナ導体30のセグメント30dは端子36と40の間を通り、コプレーナ導体34の反対側における遠位端部30cにおいてフィードバック回路44に接続する。また、この場合、コプレーナ導体30、32、及び、30、34には最小の寄生インダクタンスがある。
【0049】
共振器及びフィードバック回路42、44は、コプレーナスロットライン回路、スロットストリップ回路、コプレーナウェーブガイド回路、コプレーナストリップ回路、コプレーナ伝送線回路、及び、コプレーナ導体を用いる他の回路を含む回路群から選出するか、または、選出して組み合わせることができる。
【0050】
回路の更に大きい配列体は、図1および2に示す基本回路の複写および隣接鏡像の接合によって作成可能である。図3は、図1または2のパターンを複写および鏡像の接合する場合のレバイス対の組み合わせ例を示し、これについて以下に記述する。図4から6までは、以下に述べるように、図1または2のパターンの複写および鏡像コピーの接合例である。
【0051】
図3を参照して、同等のエレメントには同じ照合番号を付記した図1に示される回路構造体の別の実施形態20”が示される。追加3端子アクティブデバイス28は集積回路24上において画定される。アクティブデバイス28は、ゲート電極28a、及び、それぞれ同じ制御端子36および非反転端子40へ接続されたソース電極28cを有する。アクティブデバイス28の反転即ちドレーン電極28bは第2共通ドレーンフリップチップ端子へ接続する。
【0052】
第4のコプレーナ導体30’は、共通近位点30aにおいて反対の遠位端部30c’および30b’を有する。遠位端部30c’はフィードバック回路44へ接続し、遠位端部30b‘は共振器42へ接続する。コプレーナ導体30’は、共通点30aにおいて、フリップチップ端子39に接続される。導体セグメント30dは、2つの共通ドレーン端子38、39を接合するために、ゲート端子36とソース端子40の間に位置することも可能である。コプレーナ回路端子、コプレーナ導体、および、デバイス電極と端子のトポロジは図3に示すように対称的に配置可能である。
【0053】
トポロジーの対称性は、信号電流を関連デバイス端子およびコプレーナ導体において均等に分割および合計させようとする。これは、ゲート導体32からのゲート信号電流をゲート電極26aと28aに均等に分割するため、および、ドレーンおよびソース電極26b、28b、及び、26c、28cからのドレーンおよびソース信号電流をドレーン及びソース導体30、30’および34にそれぞれ均等に合流させるために一般的に必要である。
【0054】
図3の共振器42は、コプレーナ導体30、32、及び、30’、32を含む組合わせ回路によって構成される。図3のフィードバック回路44も、同様に、コプレーナ導体30、34、及び、30’、34を含む組合わせ回路によって構成される。回路42、44との組合わせにおける、コプレーナ導体30、32、34、30’、及び、アクティブデバイス26、及び、28の電極のサイズ寸法、形、及び、間隔は、電流をそれぞれのゲート、ドレーン、及び、ソース電極へ均等に流れさせるように決定可能である。
【0055】
アクティブデバイスの更に大きい配列体は、本発明に従って構成可能である。図4に関して、共通ドレーン発振回路50を本発明に従って形成するための基本回路の配列体の一実施形態を示す。発振器50は、FETアレイのゲート‐ドレーン側へ接続されたQの高いゲートドレーン共振器102回路を有する。発振器50は平坦面56を備えたフリップチップアクティブデバイスの集積回路54を含む。集積回路54は、J個の隣接3端子端アクティブデバイス対の長さ方向の配列体52を含む。ここに、各アクティブデバイスには1、2、..、2j−1、2j、....2Jの番号を付記する。Jは、例えば、発振器50の信号に関する、所要出力電力、サイス、又は、位相ノイズ又は設計上考慮すべき項目に関して選定された整数であり、jは1からJまで変化するインデックスである。
【0056】
この記述のためには、アクティブデバイスはGaAs FETであるとみなすことができる。他のアクティブデバイスも同様に使用可能である。
【0057】
説明上、別の整数インデックスIは各アクティブデバイスを示し、1から2Jまで変化する。各対jは個別のアクティブデバイス52(I)、52(I+1)に対応する。ここに、I=2j−1デアル。各アクティブデバイスIはそれぞれのゲートまたは電流制御電極57(I)、間隔を保ったドレーン又は反転位相電流搬送電極59(I)、及び、間隔を保った拒否的ソース又は同位相電流搬送電極64(I)を含む。それぞれのアクティブデバイスのゲート、ドレーン、及び、ソース電極は、ゲート端子アレイ58の対応するゲート端子58(j)、ドレーン端子アレイ62のドレーン端子62(j)、および、ソース端子アレイ66のソース端子66(j)へ接続される。ゲート、ソース、及び、ドレーン端子58、62、及び、66はアレイ56の面上で画定され、以下において更に説明される。
【0058】
以下の記述において、FETアレイ端子は、これらのアレイ端子が、例えば基板の取付け平面のような隣接平坦表面上に配置された対応する基板導体端子に中間はんだバンプ、ボール、等により、取り付け可能であるように、コプレーナであるものと定義される。
【0059】
回路54aの境界はFET電極およびFET端子を収納する接続領域を画定する。回路54aは、一般に、相称的に対面する側部および隣接する端部を備えた矩形である。
【0060】
アクティブデバイス52(1)と52(2)の第1対は、それらの間に配置された電気的に共有されたゲート端子58(1)へ接続された各ゲート電極57(1)と57(2)を有する。アクティブデバイス(図示せず)の第2対は、それらの間に配置された電気的に共有されたゲート端子58(2)へ接続された各ゲート電極57(3)と57を有する。アクティブデバイス52(2j−1)と52(2j)の各連続対は、それぞれのアクティブデバイスの間に配置された共用ゲート端子58(j)へ接続された、それぞれのゲート電極57(2j−i)と57(2j)を有する。
【0061】
ゲート端子58(j)は、ゲート端子アレイ58がFETアレイ52の一方の側部に平行になるように配列される。発振器の出力電力はゲート側またはソース側どちらから取り出し可能であるが、一般にゲート電極57(1)は入力電極とみなされる。ゲート端子58を備えたアクティブデバイスアレイ52の一方の側辺は共振器側とみなされる。
【0062】
隣接アクティブデバイス52(2j−1)と(2j)のソース電極64(2j−1)と64(2j)は、ソース端子アレイ66を形成するように配列された共用ソース端子66(j)へ同様に接続可能である。ソース端子アレイ66はアレイ52に平行に配列され、アレイ52の反対側即ちフィードバック側に配置される。
【0063】
アクティブデバイス52(2j−1)及び52(2j)に接続されたゲートとソースの各対のドレーン電極59(2j−1)及び59(2j)それぞれのゲートとソース電極の間に、これらから偏位して配置され、アクティブデバイスアレイ52の反対端部にむかって位置決めされる。
【0064】
最初のドレーン電極59(1)はアレイ52の一方に端部に配置され、最後のドレーン電極59(2J)はアレイ52の反対端部にはいちされる。第1ドレーン電極59(1)は、アレイ52の一端部に配置された第1ドレーン端子62(1)へ接続される。最後のドレーン電極59(2J)は、アレイ52の反対端部に配置された最後のドレーン端子62(J+1)に接続される。
【0065】
第1対jの第2アクティブデバイス52(2j)のドレーン電極59(2j)および第2対j+1の第1アクティブデバイス52(2j+1)のドレーン電極59(2j+1)が隣接対jとj+1の間の共用ドレーン端子62(j+1)に隣接して接続されるようにアクティブデバイスj及びj+1の隣接対は間隔が保たれる。
【0066】
ドレーン端子62(k)、1<k<J+1は、アレイ52の側部と平行なドレーン端子アレイ62を形成するように配列される。ドレーン端子のアレイ62は、ゲート端子アレイ58とソース端子アレイ66の間の接続領域54a内に配置される。
【0067】
平坦面86を備えた絶縁基板82は、上記アクティブデバイスの対Jの端子アレイ58、62、及び、66に対応するゲート導体セグメント90(j)、ドレーン導体92(k)、および、ソース導体セグメント94(j)の互いに入り組んだ長さ方向の3つのアレイ90、92、及び、94を含む。ここに以前と同様に1<k<J+1及び1<j<Jである。
【0068】
各ドレーン導体セグメント92(1)は、一般に反対遠位端部92aと92bの間の中央の接続領域54内に位置するドレーン導体端子端末装置96(j)を含む。各ゲート、及び、供給源ソース導体は、90(j)を分割し、そして、94(j)は、それぞれの近位、及び、遠位端部を持つ。各ゲート及びソース導体90(j)と94(j)は、それぞれゲート導体端子98(j)および接続領域54内のそれぞれの近位端部へ接続されるソース導体端子100(j)を含む。それぞれのゲート導体端子98(j)及びソース導体端子100(j)は、ドレーン導体端子96(j)とドレーン導体端子96(j+1)の間に隣接配置される。共通ドレーン導体セグメント92c(j)は、連続背骨92cを形成するために各対jの共用ドレーン端子96(j)と96(j+1)の間に接続可能である。全てのアクティブデバイス対に関して、j=1からJまでである。
【0069】
それぞれのドレーン導体端子96(j)、ゲート導体端子98(j)、および、ソース導体端子100(j)は、集積回路54の面56が基板82の面86に位置合わせされたとき、それぞれの導体端子とチップ端子端の間(例えば、ゲート電極端子58(j)へのゲート導体端子98(j)、ドレーン電極端子62(j)へのドレーン導体端子96(j)、および、ソース電極端子66(j)へのソース導体端子100(j)に、例えば導電性バンプまたはその間に置かれたボール(図示せず)のような導体相互接続によって、導電性接触が生じることが可能であるように、配置される。
【0070】
それぞれのゲート導体セグメント90(j)及びソース導体94(j)セグメントは、それぞれのゲート導体端子98(j)およびソース導体端子100(j)から遠ざかる方向にそれぞれの遠位端部まで伸延する。
【0071】
ドレーン導体92のアレイは、導体92(j)の遠位端部92a(j)が中央端子96(j)から遠ざかる方向に、ゲート導体90(j)及びゲート端子置98(j)に隣接して間隔を保って伸延するように位置合わせされる。導体92(j)の遠位端部92b(j)は、中央端子96(j)から遠ざかる反対方向に、ソース導体94(j)およびソース端子66(j)から遠ざかる方向に、これらに隣接して伸延する。ゲート導体アレイ90及びソース導体アレイ94は、ゲート導体90(j)及びソース導体94(j)がドレーン導体92(j)と92(j+1)の間の間隔を保つように配列される。
【0072】
第1コプレーナ組合わせ共振器回路102は、基板表面82上に形成され、ゲートセグメント90(j)の遠位端部およびドレーンセグメント遠位端部92a(j)へ接続される。第2コプレーナ組合わせフィードバック回路104は基板表面82上に形成され、ソースセグメント94(j)の遠位端部およびドレーンセグメント遠位端部92b(j)に接続される。
【0073】
ドレーンセグメント92(j)と組合わされた各ゲートセグメント90(j)は組合わせ回路102の部分を形成する。ドレーンセグメント92(j+1)と組合わされた各ゲートセグメント90(j)は組合わせ回路102の別の部分を形成する。
【0074】
ドレーンセグメント92(j)と組合わされた各ソースセグメント94(j)は組合わせ回路104の部分を形成する。ドレーンセグメント92(1+1)と組合わされた各ソースセグメント94(j)は組合わせ回路104の別の部分を形成する。
【0075】
アレイ配列体90、92、94の各導体セグメントの寸法は幅Wiおよび長さLiである。隣接セグメントI、jの各対に間には、間隔グSijがある。アレイ90、92、94の個別セグメントの寸法Li及びWiおよび隣接セグメントまでのそれらそれぞれの間隔Sijは、所要インピーダンス変換(整合)、直列自己インダクタンス、結合インダクタンス及びキャパシタンス、および、隣接セグメントおよび隣接共通ドレーンセグメントに対するシャントキャパシタンスを提供し、かつそれぞれのゲートドレーン102またはソースドレーン104回路の部分として組み込まれるように選択可能である。
【0076】
ゲート端子アレイ58はドレーン端子アレイ62の一方の側に配置され、ソース端子アレイ66はドレーン端子アレイ62の反対側に配置される。従って、任意の共通ドレーン端子62(1)への基板の表面に沿った導電性アクセスは、ドレーン端子アレイ62のどちら側からでも自由に利用可能である。これは、アレイ52におけるトランジスタのゲートドレーンまたはソースドレーン端子のどちらかに接続された同調またはインピーダンス変換回路用共通ドレーン接続部の部分として接続された共通ドレーン端子と導通するキャパシタンスおよび寄生インダクタンスを最小限化するために重要である。
【0077】
回路102及び104は、コプレーナスロットライン回路、コプレーナスロットラインストリップ回路、コプレーナウェーブガイド回路、コプレーナストリップ伝送線回路、及び、コプレーナ導体を用いる他の回路を含む回路群から選定されるか、または、選定されて組む合わされることが可能である。
【0078】
回路102と104、及び、導体セグメントの寸法と間隔は、共通ドレーン接続部62(j)が効果的に同位相であるように、各ゲート電極57(I)へほぼ等しい振幅および相電流の信号を供給するために選択可能である。
【0079】
本発明の発振器実施形態50において、ゲート共振器回路102は、周波数を決定し、それぞれのゲートドレーンセグメント対90(j)、92a(j)、および、90(j)、92a(1+1)に入力インピーダンス変換を提供するように配置構成可能である。ソース回路104は、それぞれのソースとドレーンセグメント対は94(j)、92(j)と94(j),92(1+1)の間にフィードバックにおよびドレーンソースキャパシタンス増大を提供するドレーンソースフィードバック組合わせ回路である。
【0080】
出力電力は、導電性セグメント90(j)、92(j)、または、94(j)の1つ又は複数への誘導性または容量性または両方の結合を実施するか、または、1つ又は複数のセグメント(図示せず)のリードを接合するにより、発振器50から取り出すことが可能である。複数のアクティブデバイス52(I)対並組合わせまたはプシュプル組合わせは、隣接ペアの間の交差結合抵抗器を追加し、隣接ペアの電力をWilkensonコンバイナ等と適切に組み合わせることによってすることにより、作動可能化され得る。
【0081】
対称的ソース及びドレーン構造体、即ち、所定チャネル寸法およびゲートとドレーンの間のドーピング濃度に同じソースとゲートの間のドーピング濃度を持つ構造体を備えたFETは、ゲート及びドレーンパッドの間に位置するソースパッドのように、一般に中央端子パッドを備えて作成される。この種のFETを本発明の実施形態に使用するためには、中央パッドが共通ソースの代りに共通ドレーンとして操作されるようにFETへの電圧バイアスが変更されなければならない。
【0082】
幾らかのFETは非対称ソースおよびドレーン構造をもつことが可能である、即ち、ソースの抵抗性を向上させることなしにドレーン‐ソース破壊電圧を増大させるように横方向ジオメトリとドーピングプロファイルが修正可能である。この種の非対称FETにおける金属レイアウト(設計)は、それぞれの基板導体端子に接合されるべきゲート及びソース端子に対してドレーン電極が中央に位置するように配置構成可能である。
【0083】
ドレーンとゲートの間またはドレーンとソースの間の結合キャパシタンスを小さくさることが望まれる場合には、ドレーン導体セグメント92c(j)は省略されることが可能である。
【0084】
セグメント92c(j)の連続接続によって装備されるドレーン背骨はゲート回路102及びソース回路104の両方に不必要な発信モードを抑制する共用導体を提供する。1つ又は複数の中間のドレーン導体セグメント92c(j)も同様に必要に応じて周波数決定回路102及び104により削除可能である。
【0085】
プシュプル又は直列出力は、当該技術分野においてよく知られているようにフィードバックソース回路104において信号を適当に組み合わせるこににより得られる。更に大きい配列体は、更に良好な位相ノイズを持つ発振器を作るためにこの種のの組合わせを連続的に複写することによって構成可能である。
【0086】
ゲートおよびソース端子接続部98(j)、100(j)の間に割り込み配置され、本発明によって装備されたそれぞれのゲート及びソース導体セグメント90(j)、94(j)と共に遠ざかる方向に伸延するドレーン導体セグメント92(j)へ接続される共通ドレーン端子接続部96(j)は、共通ドレーントランジスタの多重セルを、共通ドレーン導体セグメントに沿った過剰な電流通路によって影響される最小の損失および遅延を伴い、ソース‐ドレーンおよびゲート‐ドレーン接続部において、同調、組み合わせ、および、整合回路と接続可能化する。
【0087】
図5に関して、図4の発振器50の変形種である発振器300が示される。発振器300は、FET対の隣接線形アレイとして配置される集積回路チップ302を含む。アレイ302は、ゲート‐ドレーン側および反対端部の間の反対ソース‐ドレーン側を画定する反対端部を備え、接続領域302aを画定する。
【0088】
平坦面301aを備える基板301は、コプレーナゲートドレーン同調回路305及びソースドレーンフィードバック回路307を有する。ゲート‐ドレーン同調回路305は、接続領域302a内の共用ドレーン端子306(1)、306(3)、及び、306(5)に接続するコプレーナドレーン導体312(1)、312(3)、312(5)によって構成される。反対遠位端部312(1)a、(2)a、(3)a、及び、312(1)b、(2)b、(3)bは、接点306(1)、(3)、(5)から遠ざかるそれぞれ異なる方向に伸延する。
【0089】
ドレーン導体312(1)、312(2)、312(5)は、ゲート導体314(1)及び314(2)によってそれぞれ分離される。ゲート導体314(1)、314(2)は近位および遠位端部を備え、近位端部はそれぞれ反対方向ブランチ318(1)a318(1)bおよび318(2)a、318(2)bの共用端部の1つに結合される。ブランチ318(1)a、318(1)b、318(2)a、及び、318(2)bの他の端部は、共用ゲート端子308(1)、308(2)、及び、308(3)、308(4)へそれぞれ接続される。コプレーナ同調エレメントT1は、導体312(1)、314(1)と312(3)、314(1)、及び、312(3)3114(2)と314(2)、312(5)の間に配置される。コプレーナドレーン導体312(1)、312(3)、312(5)、及び、ゲート導体314(1)と314(2)は多重導体コプレーナウェーブガイドゲート‐ドレーン回路305の部分を形成する。
【0090】
ドレーン導体312(1)、312(2)、312(5)は、ソース‐ドレーン回路307に向かって遠位端部312(1)b、312(3)b、312(5)bまで伸延する。2つの追加ドレーン導体312(2)と312(4)は近位端部において接続領域302a内の追加共用ドレーン端子306(2)と306(4)に接続される。導体312(2)及び312(4)はソース回路307の一部分に対して遠ざかる方向に伸延する。
【0091】
近位及び遠位端部を備えるコプレーナソース導体316(1、2、3、4)はコプレーナドレーン導体対312(1)、312(2)と312(2)、312(3)と312(3)、312(4)と312(4)、312(5)の間でそれぞれ間隔を保つ。間隔を保つ同調エレメントT2は、コプレーナソース導体316(1、2、3、4)の間に配置される。ソース導体316(1、2、3、4)の近位端部は、それぞれ、接続領域302a内の共用ソース端子310(1、2、3、4)へ接続される。ソース導体316の遠位端部は共用フィールド金属320に接続される。コプレーナドレーン導体312(1、2、3、4、5)及びソース導体316(1、2、3、4)、フィールド金属320、及び、同調エレメントT2は多重コプレーナウェーブガイドフィードバック回路307の一部分を形成する。
【0092】
平坦チップアレイ302は、4対のFETを備え、各対は共用ゲート、および、それぞれの共用ゲート‐ソース端子対308(1)、310(1)と308(2)、310(2)と308(3)、310(3)と308(4)、310(4)に接続されたそれぞれの共用ソースフリップチップを備える。FETの各対は、隣接ドレーン端子ペア306(1)、306(2)と306(2)、306(3)と306(3)、306(4)と306(4)、306(5)に接合されたそれぞれのドレーンフリップチップを備える。
【0093】
コプレーナ共通ドレーン背骨312は、コプレーナドレーン導体312(1)、312(2)、312(3)、312(4)、312(5)の間で接続する。これは、発振回路300に関して共通の実行RFを形成する。
【0094】
出力電力Poは、ゲート回路305またはソース回路307に結合されたプリントされたトレース、リードワイヤ又はエアブリッジ、伝送線のセグメント、等によって結合が解除される。
【0095】
セグメント312、314、316、318および同調エレメントT1、T2の寸法W、Lおよび間隔Sは所要フィードバックおよび所要同調周波数を達成するように選定可能である。
【0096】
代替同調回路は、例えば、単一開回路半波長または1/4波長伝送線または短縮1/4波長共振器(コルピッツ様式)のような本発明の他の実施形態用として図5の多重コプレーナウェーブガイド305の代わりに使用可能である。
【0097】
本発明に従ったコプレーナ共通ドレーン発振器400の代替例を図6に示す。ここに、図5の場合のように、同等のエレメントには同等の参照番号が付記される。
【0098】
ゲート導体314の近位端部はゲート共振器回路305’PETアレイ302、及び、ソース回路307を収納する内部構造を持つ導電フレーム320に短絡される。
【0099】
長さ方向の外側ドレーン導体セグメント312’(1)a、b及び312’(3)a,bは図5の以前の外側ドレーンセグメント312(1)及び312(5)を代置する。セグメント312’(1)a及び312’(3)aの反対遠位端部は、垂直端部セグメント320’aの反対端部とドレーン端子306(1)および306(5)の間を接続する。セグメント312’(1)bと312’(2)bの反対遠位端部は、垂直端部セグメント320’bの反対端部とドレーン端子306(1)及び、306(5)の間をそれぞれ接続する。これは連続導電フレーム320を形成する。
【0100】
ゲート導体314(1)、314(2)は、端部セグメント320’aに短絡された遠位端部を備える。また、中央ドレーン導体セグメント312(3)は端部セグメント320’aに短絡された遠位端部を備え、隣接ゲートセグメント314(1)、314(2)、及び、外側ドレーンセグメント312’(1)a、及び、312’(3)aと共に短絡された1/4波長多重コプレーナウェーブガイド共振器を形成する。
【0101】
ソース回路307’は、フレームセグメント320’bの反対端部へ接続するそれぞれの遠位端部を備える外側ドレーン導体セグメント312’(1)b、及び、312’(3)bの内部に収納される。ソース端子310(1)、及び、310(2)はソースブランチ分322(1)aの近位端部322(1)bへ接続され、ソース端子310(3)、及び、310(4)はソースブランチ分322a(2)b、322(2)bの近位端部へそれぞれ接続される。
【0102】
ブランチ322(1)a、322(1)bの遠位端部は、ソース導体316’(1)の近位端部において一緒に接合される。ブランチ322(2)a、322(2)bの遠位端部はソース導体316’(2)の近位端部において一緒に接合される。ソース導体316’(1)は、外側接地ドレーンセグメント312’(1)bとを中央ドレーンセグメント312(2)の間で中心的かつ均一に間隔を保つ。ソース導体316’(2)は、ドレーンセグメント312’(3)bと中央ドレーンセグメント312’(2)の間で中央で均等に間隔を保つ。
【0103】
ソース同調エレメントT2はソースセグメント316’(1)及び316’(2)のそれぞれの遠位端部とフレームエグメント320’bの内部との間で間隔を保ち、同一直線上に位置する。これは、多重コプレーナウェーブガイド増強ソース‐ドレーンキャパシタンスフィードバック回路307’を形成する。
【0104】
ソース回路307’は、所要の発信周波数においてソースとドレーンの間に所要キャパシタンスを提供するように調節された長さの短絡されたコプレーナストリップ伝送線または短絡されるか又はオープンで平行なスロットラインとして実装可能である。
【0105】
前述の諸例により、ゲート及びソース回路を修正することにより共通ドレーン発振回路の様々な構成が開発され得ることが理解できる。電力出力を増大し、及び/又は、位相ノイズを改良するするために対応する回路サブセクションと共に追加サブセクションをFETアレイに付加することが可能であることも明白である。
【0106】
例えばT1及びT2のような結合エレメントは同調および発振器からの電力除去に使用できる。本発明の共通ドレーン発振器はここに示されると同様の結合によるプッシュプルにおいて操作可能であり、または、よく知られているように、同位相結合によって2つの半波の注入ロッキングにより同位相操作も可能である。
【0107】
ゲート電極とドレーン電極端子の間に位置する電極ソース端子を備えたFETアレイを収容できる代替コプレーナ共通ドレーン構造体も本発明に含まれる。2つの例を図7及び8に示す。
【0108】
図7は、既に述べたように導電性パターン化された基板503に接合されたFETアレイ501を有するコプレーナ共通ドレーン発振器500の部分を示す。アレイ501はその上において接続領域501を画定する。発振器500は、以下に述べる開回路成端を持つコプレーナウェーブガイドゲート共振器回路を含む。
【0109】
FETアレイ501は、対応するアレイ端子510’、512’、514’(図示せず)に接続されたソース、ドレーンおよびゲート電極アレイ510、512、514を備える。アレイ端子は、基板503に取り付けられたそれぞれのソース、ドレーン、及び、ゲート導体端子510、512、514にはんだバンプ、又は、はんだボールによって接続される。
【0110】
ソース導体端子510(1、2、3)は、平行コプレーナソース導体セグメント504(1、2、3)の近位端部へそれぞれ接続される。セグメント504(1、2、3)は、等しい長さの開回路遠位端部において成端するためにアレイ501から遠ざかる一方向に外に向かって伸延する。
【0111】
ドレーン導体端子512(1、2)は、アレイ501の一方の側部に沿って配置され、平行コプレーナドレーン導体セグメント506(1、2)bの近位端部へそれぞれ接続される。ドレーン導体セグメント506(1,2)bは、ソースセグメント504(1、2)と504(2、3)の間に対称的に配置される。ドレーン導体セグメント506(1、2)bはアレイから遠ざかる一方向に伸延する。
【0112】
ソース導体セグメント504およびドレーン導体セグメント506bは発振器500用ソース‐ドレーン多重コプレーナウェーブガイドフィードバック回路を形成する。ドレーン‐ソースキャパシタンスの増大は、導体504および506長さを追加するか、または、マイクロ波集積回路(MMIC)チップコンデンサ、等によって提供可能である。
【0113】
ドレーン導体端子512(1、2)は、接続領域501a内において、y字形コプレーナ導体ブランチ508a,bの近位ベース端部に結合される。ブランチ508a、bは、ベース端部508a、bからアレイ501のもう一方の側部に向かって遠ざかる方向へ分岐する、遠位端部を備えた分岐アーム508(1、2)a、及び、508(1、2)bを有する。
【0114】
ブランチ508(1)a及び508(2)aはゲート端子514(1)とそれぞれのソース端子510(1)及び510(2)の間に配置される。ブランチ508(2)a及び508b(2)はゲート端子514(2)とそれぞれのソース端子510(2)及び510(3)の間に配置される。ブランチ508(1)aの遠位端部は、接続領域501a内においてドレーン導体セグメント506(1)aの近位端部を接合する。ブランチ508(2)aの遠位端部は、ドレーン導体セグメント506(2)aの近位端部を接合する。また、ブランチ508b(1)の遠位端部はセグメント506(2)aの近位端部を接合する。ブランチ508b(2)の遠位端部はドレーン導体セグメント506a(3)の近位端部を接合する。
【0115】
ゲート端子514(1、2)はそれぞれ平行ゲート導体セグメント502(1、2)の近位端部へ接続される。セグメント502(1,2)は、アレイのもう一方の側部から遠ざかる方向に伸延する。
【0116】
導体セグメント506(1,2)aは、ゲート導体セグメント502(1)の周辺に配置される。導体セグメント506(2、3)aは、ゲート導体セグメント502(2)の周辺に配置される。セグメント506(1、2、3)aは、アレイ501から離れたそれらの近位端部から遠ざかる方向に伸延する。
【0117】
セグメント506(1、2、3)a、及び、502(1、2)は、共通ドレーン発振器500に関して開回路成端多重コプレーナウェーブガイドゲート同調回路の一部を形成する。
【0118】
連続導体構造体512、508、506は、アレイ501のFETに関して共通ドレーン接続部を画定し、ゲートとソース端子を相互に分離する。従って、アレイ501FETのドレーン電極によって供給された反転位相RF信号は、最小の通路長さ、及び、最小の寄生インダクタンス、及び、それぞれのゲートまたはソース回路までの復帰に関するキャパシタンスと混み合わされる。
【0119】
例えば506(1)a、506(2)a及び502(1)のような各ゲート‐ドレーン導体対に関する循環ゲート‐ドレーン電流は、例えば504(1)、512(1)、及び、504(2)のよな各ソース‐ドレーン導体対に関する循環ソース‐ドレーン電流に結合する短いドレーン導体セグメント508(1)a、bのみを備える。
【0120】
図8に関して、図7に示すように同等のエレメントには同等の参照番号を付記することとし、RFが短絡回路成端ゲート同調回路を備えた本発明に従う共通ドレーン発振回路600の一実施形態が示される。
【0121】
端部導体セグメント522は、ドレーン導体セグメント506(1、2、3)aの遠位端部を接合する。端部導体セグメント522は、RF結合コンデンサ520(1、2)によってゲート導体セグメント502(1、2)の遠位端部へ接続される。コンデンサ520は、チップコンデンサ、薄膜コンデンサ、等のセグメント502(1、2)の遠位端部と導体セグメント522の間に同調エレメント又は実質的にゼロのRFインピーダンス提供可能なコンデンダであっても差し支えない。
【0122】
同様に、ドレーン‐ソース回路は、並列タイプ共振に関しては共振以上、直列タイプ共振に関しては共振以下であるドレーン‐ソース共振器が共振していないとき、ソースとドレーンの間の容量性フィードバックが実施される共振器回路であり得る。
【0123】
共通ドレーン発振器600のバラクタ同調は、ゲート‐ソース同調回路またはソース‐ドレーン同調回路どちらかにおけるバラクタの電磁結合によって達成され得る。
【0124】
更に広い同調範囲はゲート‐ドレーン回路およびソース‐ドレーン回路の両方における同調によって達成される本発明の共通‐ドレーン構成において、ゲートまたはソース導体及び共通‐ドレーン導体から単一または多重バラクタへの低インダクタンス接続部は容易に作られる。
【0125】
本発明の他の実施形態は、互いに入り組んだコンデンサ共振器ゲート回路を持つ共通ドレーン発振器の図9および10によって示される。図9は、図10の発振器の等価概略図700である。等価回路702は図10のゲート‐ドレーン(入力)共振器を表す。等価回路704は、接続されたソース‐ドレーンフィードバック回路を備えた図10のFETのゲート‐ドレーン回路を表し、以下に更に記述される。
【0126】
C1は、以下に述べる互いに入り組んだコプレーナ空洞共振器コンデンサのキャパシタンスであり、Cgは、図10に803、525(1−5)、826(1−4)、630(1−4)、及び、645(1−4)として示されるソース‐ドレーン回路接続された組合わせを備えたFETの等価入力(ゲート‐ドレーン)組合わせ体704の等価キャパシタンスである。
【0127】
回路700の発信条件は、Cv、Leq、re、及び、C1によって構成されるゲート共振器入力回路702のreによって表される等価損失抵抗の大きさがアクティブデバイス(この場合にはFET)の入力704の小さい等価信号直列負抵抗よりも小さいことである。Cvは、ゲート回路と共通ドレーンの間に接続された同調バラクタのキャパシタンスを表す。Leqは入力回路702の直列インダクタンスである。C1は、以下に述べる互いに入り組んだコプレーナ空洞共振器コンデンサのキャパシタンスであり、Cgは図10のソース‐ドレーン回路へ接続されたFETの等価入力704のキャパシタンスである。
【0128】
C1のキャパシタンスがあまりに小さいならば、バラクターCvによって提供される同調範囲が小さすぎるか、または、同調範囲を増大するためにCvを比較的小さくしている場合には、バラクターの直列抵抗を増大すると、reの大きさをri(図10のソース‐ドレーン回路へ接続されたFETの等価負入力抵抗)より増大させ、それによって、発信を防止することもあり得る。
【0129】
C1のキャパシタンスがあまりにも大きいならば、共振器702がFETへの入力704にあまりに強く結合しすぎるので、ノイズによって引き起されたCgのリアクタンス変動が発信周波数の変動を増大し、過度の位相ノイズに帰着するはずである。
【0130】
入力回路702のLeqは、高い周波数作動を可能にするために、適当に低くなければならない。入力回路内を循環する電流の復帰通路があまりに長すぎると、直列インダクタンスは、C1がその所要範囲内にあるとき、高い同調周波数を達成するには大きすぎるはずである。
【0131】
互いに入り組んだコプレーナコンデンサ「コプレーナ空洞」共振発振回路800を図10に示す。ここに、用語「コプレーナ空洞」は、発振器に使用されることが知られている従来型の空洞のアナログ(類似物)として用いられる。それは通常の3次元空洞の2次元アナログである。共振器の形状は、反対内壁の内側と間隔を保って一方の内壁から突出した内部センタポスト(軸上に位置する)を有する凹形円筒空洞共振器の軸に沿って切断した横断面と幾分類似する。
【0132】
バラクター807は、凹形ポストの等価物をコプレーナ空洞の一方の内壁の等価物に接続する。直列配置された互いに入り組んだコプレーナコンデンサ802とFET入力は等価ポストと等価対面内壁の間の容量性間隙に対応する。回路800は、FET入力702(図9のre,Leq,参照)に低い直列抵抗とインダクタンスを提供し、同時に、共通ドレーン発振器の順調な作動のために充分な直列キャパシタンスC1を配慮済みである。
【0133】
互いに入り組んだコプレーナコンデンサ・コプレーナ空洞共振器回路801はFET配列体822の一方の側部へ接続される。第2コプレーナ回路803はFET配列体822の反対側に接続される。両回路801と803への共通ドレーン接続部(以下に更に記述される)は回路801と回路803の間に配置される。既に述べたように、回路801及び803は、従来の方法において、絶縁基板816上の導電性のシートを型どりすることによって形成される。
【0134】
ゲート回路801はコプレーナ導電性フレーム606内の互いに入り組んだコプレーナコンデンサ802を含む。このフレームは内周804を持つ。ソース回路803は、関連FETsのソースとドレーンの間に充分な容量性フィードバックを提供するために適した例えば、開回路路、ほぼ1/4波長の伝送線、等の多数のコプレーナ回路の1つであっても差し支えない。
【0135】
フレーム806は、互いに反対の1対の端部においてドレーン端子共通導体セグメント812と接触し、また、1対の反対端部においてバラクター導体セグメント814と接触する2つの対面する外側脚808及び810によって構成される。
【0136】
コプレーナコンデンサ802は、コプレーナ導電性フレーム806の内周804によって囲まれる。周囲804は、コプレーナ空洞セクション804aおよびバラクタ挿入セクション804bを画定する。コプレーナ空洞セクション804aの周囲804の一部分はコンデンサ802を収納するわずかに細長い六角体として成型される。図10に示すコプレーナ空洞804aに関する幅対高さアスペクト比は約1.3:1である。コプレーナ空洞セクション804aの寸法及びアスペクト比はかなりの範囲に亙って変化可能である。コプレーナ空洞セクション804aの寸法及びアスペクト比は適当な周波数において共振を生じるように選定される。
【0137】
バラクタ差し込みセクション804bは、陰極807aと陽極807b(図示せず)を備えた同調バラクタ807を受け取るためのセグメント814において形状が画定される一般に方形または矩形であり得る。
【0138】
本発明の他の一実施形態において、共振器は六角形以外の形状(例えば、円形、多角形、等)であっても差し支えなく、バラクタは挿入される必要がない。共振器コプレーナ空洞804aのアスペクト比はかなり変化し得る。空間に関する拘束条件が問題でない場合には、損失を最小限化するためにアスペクト比は約1:1であることが望ましい。
【0139】
コプレーナ空洞セクション504aの周囲の寸法及び周囲とコンデンサ802との間隔は、所要同調周波数の拘束条件(即ち、周波数が高くなるにつれて小さくなる)に適応し、損失が十分に低い(即ち、サイズが大きくなるにつれて損失がちいさくなる)例えば「Zeland Software’s”IE3D”」Zeland Softwareの「IE3D」のような業務用電磁シミュレーションソフトウェアパッケージを使用して選定される。
【0140】
コプレーナコンデンサ802は、間隔保持分岐導体840a、b、cと互いに入り組んだ1組の間隔保持コプレーナゲート導体セグメント820(1:4)で構成される。(1:4はインデックスの数列1、2、3、4を示す)。分岐導体840a、b、cはベース導体セグメント640の近位端部における共通中心導体入力接合部840eにおいて接合される。導体840は遠位端部において接点840dを持つ。分岐導体840bは分岐導体840aと840cの間に配置される。接点840dは、バラクター差し込み804b内に遠ざかる方向に伸延し、バラクタ陽極807b(図示せず)へ接続する。導体840及び分岐導体840a、b、cは、分岐導体840b及び接点840dを貫いて通過する線A−Aに沿って対称的に配置される。ここに、分岐導体840aは長さL1に関して遠ざかる方向に対面して隣接するゲート導体820(1)と820(2)の近位端部の間で伸延し、分岐導体840bは長さL2に関して遠ざかる方向に全体的に平行かつ均等な間隔を保って対面して隣接するゲート導体820(2)と820(3)の近位端部の間で伸延し、分岐導体840cは長さL3に関して遠ざかる方向に全体的に平行かつ均等な間隔を保って対面して隣接するゲート導体820(3)と820(4)の近位端部の間で伸延する。
【0141】
接合部840eと接点840dの間に所在する導体840の一部分は、今問題とされている周波数範囲全体に亙って図10のインダクタンスLeqの一部分に影響を及ぼす誘導リアクタンス結合エレメントを形成する。
【0142】
拡張部寸法L1、L2、L3、及び、隣接分岐導体840と導体820の間隔は、中央導体840における信号電流が容量性および電磁性結合によって、個別ゲート電極832(1、2)a、及び、832(1、2)bに平等に分割されるように決定される。今問題とされている周波数範囲に関する間隔および寸法はの選定は、商的に入手可能な電磁シミュレーションツールを用いて実施可能である。
【0143】
間隔が保たれているコプレーナゲート導体端子818(1:4)はコプレーナゲート導体セグメント820(1:4)のそれぞれの近位端部上において確定される。表記法1:4はインデックスの数列1、2、3、4を示す。端子818(1:4)は、FETアレイ822のそれぞれのFETゲート端子818’(1:4)(図示せず)に接合される。
【0144】
間隔を保ったコプレーナ共通ドレーン導体端子824(1:5)は、コプレーナ共通ドレーン端子共通導体セグメント812上で画定される。端子824(1:5)は、FETアレイ822上の一致FET共通ドレーン端子824’(1:5)(図示せず)に接合される。FET共通ドレーン端子824’(1:5)は次の順序でドレーン電極828(1:8)へ接続する。即ち、1は1へ、2は2と3へ、3は4と5へ、4は6と7へ、5は8へ。ここに、第1インデックスはドレーン端子インデックス番号であり、第2インデックスはドレーン電極インデックス番号である。
【0145】
FETアレイ配列体822は、ドレーン電極828(1,2)、828(3,4)828(5、6)、及び、828(7、8)内電流を制御するゲートフィンガに接続する拡張アーム832(1、2)a、及び、832(1,2)bを備えた2つのC字形FETゲート金属化セグメント832a,bを含む。
【0146】
ドレーン電極828からの信号は、共通ドレーンセグメント812を介して共通接続部により組合わされる。
【0147】
FETアレイ822上のFETソース端子826(1:4)に接合するための間隔を保つコプレーナソース導体端子826(1:4)はソース導体セグメント830(1:4)上で画定される。
【0148】
バラクター電極(陰極または陽極)コネクタ層842はインセット804b内に配置され、フレーム606のインセットセクション604bの周囲から重ねられた導体タブ809に接続する。
【0149】
同調電圧は、可変電源(図示せず)に接続されたRFチョーク844によってバラクタ陽極807(図示せず)へ供給される。
【0150】
コプレーナソース回路803は、必要に応じてFETにソースドレーンフィードバックを供給すためにソース端子826へ接続される。回路803は、一般に、隣接ドレーンセグメント825(1:5)の間で多重ソース導体セグメント845(1:4)によってFETへ接続された組合わせ回路であり得る。
【0151】
本発明の互いに入り組んだコンデンサ802は、発振回路の作動周波数におけるFET内キャパシタンス変動の有害な効果を最小限化するために、最小限度の寄生直列インダクタンスと共に最適量の入力直列キャパシタンスを加える。これは、発振器からの出力信号の位相ノイズを最小限化する。
【0152】
再び図9を参照することとし、キャパシタンスCvは、バラクター807のキャパシタンス、共振器における直列抵抗(コンデンサ802、誘電子840e及びバラクター807の直列抵抗を含む)re、共振状態におけるFET入力の等価負抵抗−ri、および、分岐導体840a、b、cとコンデンサ802、バラクター807及びフレーム復帰脚808、810の自己インダクタンスをもつ接点840dの間の中央導体脚840の誘導成分Leqに対応する。
【0153】
互いに入り組んだコンデンサ802及び結果的に短いセグメント620(1:4)及び840a:cのコンパクトな性質は、最小の寄生自己インダクタンス、ひいては、発振器性能に関して更に高い達成可能な同調周波数を提供する。
【0154】
多くの場合に、並列分岐導体および導体直列インダクタンスは、並列分岐導体および導体の合計した長さが容量的に一緒に結合された単一並列導体対に相当する場合のインダクタンスよりも小さいことを、並列多重導体820(1:4)に容量的に結合された並列分岐導体840a,b、cに誘導性脚840を接合することによって示すことができる。
【0155】
増加した電力出力と低下した位相ノイズを得るために対応する多重FET端子の相互接続を可能にする多重導体端子パッド818を持つことは、互いに入り組んだコンデンサ802の更なる利点である。
【0156】
図11に関して、本発明に従った共通ドレーン組み合わせコンデンサコプレーナ空洞共振器発振器の二重共振器実施形態900が示される。
【0157】
第1及び第2コプレーナ空洞902aと902bはコプレーナ導電性フレーム908内において画定される。既に述べたように、従来型プロセスによって、フレーム908は基板910上で堆積またはパターン化される。フレーム908は円形または概して矩形であっても差し支えなく、直交する反対側部908c、dに接続される2つの反対端部908a、bを画定する。
【0158】
互いに入り組んだ第1及び第2コンデンサ904aと904bは、それぞれ対称的に配置された空洞902a、b内において、中心線Bの周りに対称的に配置される。
【0159】
空洞902a、bは、コンデンサ904a、bを囲むフレーム908の内周912a、bによってそれぞれ画定される。周912a、bは、有害容量性結合効果を最小限化するためにコンデンサ904a、bと充分に間隔を保って配置されるが、高い同調周波数を達成するために、上記の間隔は十分に限定される。コプレーナ空洞中心導体914は中心線Bの周りに対称的に配置された対面する縁914a、bを有する。これらの縁は同調空洞902a、bの周囲912a、bの一部を形成する。
【0160】
互いに入り組んだコンデンサ904aと904bは、交互配置されたゲート導体セグメント919a、b、cから間隔を保って交互配置されるコンデンサ導体セグメント917a、bを含む。
【0161】
第1コンデンサ904aの中央コンデンサ導体906aは接合部916aにおいて分岐コンデンサ導体セグメント917a、b内にフォーク様につきささる。セグメント917a、bはFETアレイ922に対して近付くように、かつバラクタ陽極接続部924に対して遠ざかるように伸延し、全体的に、交互配置された隣接ゲートコンデンサ導体セグメント919a、b、cに対して平行に、かつこれらの間で均等に間隔を保って伸延する。
【0162】
ゲートコンデンサ導体セグメント919a、b、cは、ゲート導体端子918a、b、cの一方の端部において接続するように、FETアレイ922に対して近付く方向に伸延する。セグメント919は、交互配置されたセグメント917の間において遠ざかる方向に伸延し、開回路端部において成端する。端子918a、b、cは、フリップチップFETアレイ922の半分におけるFET920a、b、cのそれぞれのゲート端子918’a、b、c(図示せず)に接続される。
【0163】
バイアスは、バイアス電源(図示せず)からセグメント919の1つに配置されたパッドへの接続部によって、例えばセグメント919aの遠位端部においてFETへ供給可能である。チップ上のゲートバイアス交差接続部921aは3端子918a、b、cへ接続する。各セグメントへの独立的な個別接続は、追加パッド及び接合ワイヤを用いることにより実施可能である。また、交差接続部921aは、接続されたFETの間の異常モード発信の抑制を支援することが可能である。
【0164】
容量的に結合されたセグメント917とゲートセグメント919の交互配置シーケンスは互いに反対の近位端部と遠位端部において接続され、互いに入り組んだコンデンサ構造体を形成する。
【0165】
伸張寸法および隣接分岐セグメントとゲート導体セグメント919の間の間隔は、中央導体906a、b内電流信号が各それぞれのFETへの大きさと位相が実質的に均等なゲート電流に容量的および電磁的に分割されるように選定される。
【0166】
第2コンデンサ904bはコンデンサ904aの鏡像であり、導体906bから信号電をアレイ922のFET920d、e、fへ大きさと位相を均等に分割する。
【0167】
FETソース接続部923は、既に述べたような互いに入り組んだソース‐ドレーンコンデンサフィードバック回路構造体(図示せず)に対して、同調範囲全体に亙って発信を最適化するような最適量のソース‐ドレーンフィードバックキャパシタンスを加えるように作成される。
【0168】
FET920a,b,c,d,e,fのFETドレーン端子934a,b,c,dは、FETのドレーンにおいて共通‐ドレーンRF接地を形成するフレーム908の反対側部分908bに接続される。ゲート端子918とソース端子923の間に共通‐ドレーン908bを配置することは、当該共通点へ最小の寄生インダクタンス及びキャパシタンスを与えるように制御された仕方において、ゲート‐ドレーン及びゲート‐ソース回路に共通な信号電流を向けるように作用する。
【0169】
コンデンサ導体906a、bは、遠ざかる方向に伸延し、フリップ設置された同調バラクタ陽極924と接触するように接合する。導体906a、bは、バラクタ924を介してコンデンサ904a、bに結合し、フレーム908及び914を介して共通ドレーン導体908bへ復帰するように作用する。
【0170】
広い同調可能性を伴った高い共振Qを達成し、FETアレイ922の負抵抗限度に適合するためには、共振器900のインダクタンスが最小の分布キャパシタンス及び最小の導体抵抗を持たなければならない。コプレーナ空洞中央復帰導体914が狭すぎれば、reに影響する抵抗はあまりに高くなる。導体914が広すぎれば、分布キャパシタンスはあまりに高くなる。導体914の幅は最良性能に関して最適化されなければならない。
【0171】
フレーム908内の一方の側部908から伸延する導電性のタブ926はバラクタ935の導電性電極層930に接続される。もう一方のバラクタ電極層924に接続されたRFチョーク932は、外部電源(図示せず)からバラクタ調整用バイアス電圧を供給する。
【0172】
図11に関して、ダブル共振器900は、バラクタ924とFETアレイ922の間の共振器900の一部分全体に亙ってFETへのゲート電流が2つの並列同位相通路に分割されること、即ち、2つの導体906a、bによって2つのコンデンサ904a、bへ分割され、コプレーナ空洞フレーム908及びコプレーナ空洞中央導体914によって戻される以外は、図10の単一共振器に類似の仕方において機能する。
【0173】
仮象的高電子移動性トランジスタ(PHEMT:フェムト)を用いた本発明のコプレーナ共通‐ドレーン組み合わせコンデンサデュアルコプレーナ空洞発振器は、発信器中心周波数からの偏位周波数100kHzにおける1ヘルツ当たり約76dBc(キャリヤ以下デシベル)よりも良好な位相ノイズを持ち、中心周波約40GHzにおいて2GHzより大きい同調範囲を達成できることを実測結果が示している。PHEMTのゲート長さは約0.15ミクロン、全ゲート幅は約900ミクロンである。PHEMTは、セル当たり2つのゲートフィンガを備えた6個のセルに分割され、各セルはそれ自体のゲートパッド及びそれ自体のソースパッドを備え、ソース/ドレーンは一連のパッド7個を備え、各セル対の間に1つのソースパッドが配置され、アレイの各端部上にソースパッド1個が配置される。ソース、ドレーン、及び、ゲートパッドは、直径約2ミルであって、フリップチップバウンディングに対して充分な大きさであるように構成される。
【0174】
最近提出され、引用によってここに組み込み済みの特許出願S/N08/555,777に記載されているように、このPHEMTは、発振器を形成するために、静電バリヤバラクタによって同調された共振器と組合わされた。
【0175】
本発明の一代替実施形態において、適当な導体被覆およびパターンニング能力があれば、互いに入り組んだコプレーナコンデンサ904a、b及びコプレーナ空洞908は、FETアレイ922の表面上に配置可能であることに注目されたい。コンデンサ904及びコプレーナ空洞908をGaAs FET集積回路の表面上に置くことは、同じ周波、及び/又は、更に高い使用周波数における更に小さい発振回路に帰着するはずである。改良された性能はGaAsの更に高い誘電率、および、FETとコンデンサ/平坦空洞の間の幾らかの接合接続部(例えば、ボール又はバンプ)の排除を伴い、GaAsがチップ上でパターン化されるときにその結果として得られるコンデンサの寄生性低下に起因する。
【0176】
コンデンサ904a、bは、互いに入り組んだ回路の代りに金属絶縁体‐金属(MIM)構造によって実現可能である。ソース‐ドレーンコンデンサは、FETチップ上に配置されるか、及び/又は、MIMコンデンサとして作成されることも可能である。本発明に従った代替発振器を実現するために、例えば、誘電子、コンデンサ、多重ダイオード、等のような他のフリップ取り付けされたコンポネントを基板に取付けることが可能である。
【0177】
例えば、2極式トランジスタ、ヘテロジャンクションランジスタ、電界効果トランジスタ、2極式トランジスタ、共振トンネルトランジスタ、実空間伝達デバイス、透磁性ベーストランジスタ、ソリッドステート3極管、真空3極管、被制御電子雪崩3極管デバイス、および、超伝導3極管デバイスなどの他のアクティブデバイスが本発明の代替実施形態に使用可能である。例えば、Gunnダイオード、トンネルダイオード等のような2端子デバイスは、フィードバック回路なしに、本発明の実施形態に使用可能であることも意図される。
【0178】
以上の記述は単なる例示に過ぎず、開示されている本発明を限定するものでないことが本発明に従って理解されるはずである。本発明の範囲および趣旨内において、本発明の各種エレメントのサイズ、形状と外観、および、製造方法を改変すること、または、種々エレメントを包含すること、または、除外することが可能であることが理解されるはずである。従って、本発明は、ここに記載される特許請求の範囲のみに限定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
本発明の目的および利点を更に理解するために、同等の部品には同等の参照番号を付記した添付図面と共に以下の詳細な記述を参照されたい。
【図1】 本発明に従った基本的なコプレーナ共通‐ドレーン発振回路の簡素化された平面図である。
【図2】 基本的なコプレーナ共通‐ドレーン発振回路の他の実施例の平面図である。
【図3】 本発明に従った共通‐ドレーン発振器コプレーナ回路アレイ内において接続されたアクティブデバイス対の平面図である。
【図4】 本発明に従い、組合わされたセル発振回路アレイ50の一実施形態を例示する図である。
【図5】 本発明に従いコプレーナ共通‐ドレーン発振器アレイの一代替例を示す図である。
【図6】 本発明に従いコプレーナ共通‐ドレーン発振器アレイの更に別の一代替実施形態を示す図である。
【図7】 本発明に従いRF開回路成端ゲート‐ドレーン共振器を備えた共通‐ドレーン発振回路アレイの一替実施形態を示す図である。
【図8】 本発明に従いRF短回路成端ゲート‐ドレーン共振器を備えた共通‐ドレーン発振回路アレイの一実施形態を示す図である。
【図9】 図10のゲート‐ドレーン共振器回路の等価回路の概略図である。
【図10】 本発明に従った共通‐ドレーン発振器の一実施形態の互いに入り組んだコンデンサコプレーナ空洞共振器の平面図である。
【図11】 本発明に従った共通‐ドレーン入り組みコンデンサコプレーナ空洞共振器発振器のダブル共振器の一実施形態を示す図である。
Claims (14)
- 接続領域(24a)を備えた絶縁基板表面(22a)と、
前記表面上に取り付けられた接地導体と第1、第2、および第3のコプレーナ導体(32、34、30)とを有し、各コプレーナ導体が前記接続領域内に伸延する近位部分(32a、34a、30a)を備え、前記第1および第2のコプレーナ導体(32、34)が前記接続領域から異なる方向に伸延するそれぞれの遠位部分(32b、34b)を備え、前記第3のコプレーナ導体(30)が前記接続領域からそれぞれ前記第1のコプレーナ導体の遠位部分(32b)に隣接して伸延する第1遠位部分(30b)および前記第2のコプレーナ導体の前記遠位部分(34b)に隣接して伸延する第2遠位部分(30c)を備え、前記第3のコプレーナ導体の前記第1および第2遠位部分(30b、30c)が前記接地導体と隔離され、
入力信号制御端子(36)と反転出力信号搬送端子(38)と非反転出力信号搬送端子(40)とを備えた少なくとも1つのアクティブデバイス(26)を有し、前記出力信号搬送端子における信号が前記入力信号制御端子における入力信号に依存し、
前記アクティブデバイスは、前記入力信号制御端子(36)が前記第1のコプレーナ導体(32)に結合され、前記非反転出力信号搬送端子(40)が前記第2のコプレーナ導体(34)に結合され、前記反転出力信号搬送端子(38)が前記第3のコプレーナ導体(30)に結合されて前記接続領域内に配置され、
前記第1のコプレーナ導体の遠位端部(32b)および前記第3のコプレーナ導体の一方の遠位端部(30b)は共振回路(42)に接続され、
前記第2のコプレーナ導体(34b)の遠位端部および前記第3のコプレーナ導体の一方の遠位端部(30c)はフィードバック回路(44)に接続されるミリメートル波およびマイクロ波のコプレーナ発振回路構造。 - 前記第1のコプレーナ導体(32)及び前記第2のコプレーナ導体(34)が、両者共に前記第3のコプレーナ導体(30)の前記第1および第2遠位部分(30b、30c)の同じ側に伸延される請求項1に記載のミリメートル波およびマイクロ波のコプレーナ発振回路構造。
- 前記第1のコプレーナ導体(32)と前記第2のコプレーナ導体(34)が、前記第3のコプレーナ導体(30)を挟んで互いに反対側に伸延され、それによって前記第3のコプレーナ導体が、前記入力信号制御端子(36)と前記非反転出力信号搬送端子(40)の間を通過する部分を有する請求項1に記載のミリメートル波およびマイクロ波のコプレーナ発振回路構造。
- 更に、前記表面(22a)上に取り付けられた第4のコプレーナ導体(30’)を有し、前記第4のコプレーナ導体が前記接続領域(24a)内に伸延する近位部分(30a’)を備え、前記第4のコプレーナ導体が前記接続領域から異なる方向に伸延するそれぞれの第3及び第4遠位部分(30b’、30c’)を備え、前記第4のコプレーナ導体が前記第1のコプレーナ導体の遠位部分(34b)に隣接して伸延する前記第3遠位部分(30b’)および前記第2のコプレーナ導体の前記遠位部分(32b)に隣接して伸延する前記第4遠位部分(30c’)を備え、
第2入力信号制御端子(36)と第2反転出力信号搬送端子(39)と第2非反転出力信号搬送端子(40)とを備えた第2アクティブデバイス(28)有し、前記第2入力信号制御端子における信号が前記第2出力信号搬送端子における前記信号に依存し、前記第2入力信号制御端子(36)が前記第1のコプレーナ導体(32)に結合され、前記第2非反転出力信号搬送端子(40)が前記第2のコプレーナ導体(34)に結合され、前記第2反転出力信号搬送端子(39)が前記第4のコプレーナ導体(30’)に結合される請求項1に記載のミリメートル波およびマイクロ波のコプレーナ発振回路構造。 - 前記第3および第4のコプレーナ導体(30、30’)が前記第1と第2のコプレーナ導体(32、34)の間を通過する他のコプレーナ導体(30d)によって接続される請求項4に記載のミリメートル波およびマイクロ波のコプレーナ発振回路構造。
- 前記第4のコプレーナ導体(30’)及び前記第3のコプレーナ導体(30)が接続される請求項4に記載のミリメートル波およびマイクロ波のコプレーナ発振回路構造。
- 前記第1のコプレーナ導体(32)の一部および前記第3のコプレーナ導体(30)の一方の遠位端部が共振回路(42)の一部として構成される請求項1に記載のミリメートル波およびマイクロ波のコプレーナ発振回路構造。
- 前記第2のコプレーナ導体(34)の一部および前記第3のコプレーナ導体の一方の遠位端部(30c)が前記フィードバック回路(44)の一部として構成される請求項1に記載のミリメートル波およびマイクロ波のコプレーナ発振回路構造。
- 前記アクティブデバイスと、第1、第2および第 3 のコプレーナ導体と、前記共振回路(42)と、前記フィードバック回路(44)とにより、当該発振回路が構成される請求項1に記載のミリメートル波およびマイクロ波のコプレーナ発振回路構造。
- 前記フィードバック回路(307)がコプレーナコンデンサ(312、316)を含む請求項8または9に記載のミリメートル波およびマイクロ波のコプレーナ発振回路構造。
- 前記第1アクティブデバイス(26)へ接続された前記コプレーナ導体(30、32、34)が第1発振回路の部分を有し前記第2アクティブデバイス(28)へ接続された前記コプレーナ導体(30、32、34)が第2発振回路の部分を有する請求項4に記載のミリメートル波およびマイクロ波のコプレーナ発振回路構造。
- 前記第1および第2発振回路の前記信号は、それらの発信回路が同調するように固定される請求項11に記載のミリメートル波およびマイクロ波のコプレーナ発振回路構造。
- 当該発振回路が共通ドレーン発振回路(20)である請求項1に記載のミリメートル波およびマイクロ波のコプレーナ発振回路構造。
- 前記共振回路またはフィードバック回路(42、44)が、コプレーナスロットライン回路、コプレーナウェーブガイド回路、コプレーナ伝送線回路、及び、コプレーナフィードバック回路によって構成されるグループから選定される請求項1に記載のミリメートル波およびマイクロ波のコプレーナ発振回路構造。
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