JP4085743B2 - Surface acoustic wave duplexer and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波分波器に関し、特に、圧電基板に弾性表面波素子を形成したフィルタのチップを2つ備える弾性表面波分波器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、弾性表面波共振子を用いた弾性表面波フィルタを備える分波器(弾性表面波分波器)としては、例えば、特開平9−181567号公報に開示されているように、送信側フィルタおよび受信側フィルタの2つのチップを1つの基板に搭載していた。上記弾性表面波共振子は、図示しないが、圧電基板上に、くし型電極からなるインターデジタルトランスデューサ(以下、IDTと略記する)と、IDTを左右(弾性表面波の伝搬方向)から挟む2つの反射器とを弾性表面波の伝搬方向に沿って有するものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
このような分波器では、送信側フィルタと受信側フィルタとのチップで要求される耐電力性が異なっている。特に、送信側フィルタにはより大きな電力の負荷がかかるため、送信側フィルタに備えられている共振子の数あるいはIDTの数を多くして電力の負荷を分散する。このため、送信側フィルタのチップを受信側フィルタのチップよりサイズが大きくなってしまう。
【0004】
さらに、送信側フィルタのチップと受信側フィルタのチップとを基板に搭載する場合、上記送信側フィルタのチップと受信側フィルタのチップとを異なる大きさにすると、搭載時に実装機や搭載条件を変える手間がかかるという問題がある。
【0005】
上記の手間を解消するために、受信側フィルタのチップを本来必要である大きさより大きくし、送信側フィルタのチップの圧電基板と受信側フィルタのチップとの圧電基板とを同じ大きさ(面積)にしている。このため、分波器自体が大きくなるという問題があった。
【0006】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、耐電力性が向上されるとともに、小型化された弾性表面波分波器およびその製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の弾性表面波分波器は、上記の課題を解決するために、送信側弾性表面波フィルタを構成する少なくとも1つの弾性表面波共振子と、受信側弾性表面波フィルタを構成する全ての弾性表面波共振子とが、1つの圧電基板に形成されてなる第1チップと、送信側弾性表面波フィルタを構成する残りの弾性表面波共振子が、別の圧電基板に形成されてなる第2チップとを有することを特徴としている。
【0008】
上記の構成によれば、特に大きな電力の負荷がかかる送信側弾性表面波フィルタを構成する弾性表面波共振子の少なくとも1つを、受信側弾性表面波フィルタの弾性表面波共振子を備える圧電基板に形成して第1チップを構成している。これにより、送信側弾性表面波フィルタの弾性表面波共振子の数を多くして各弾性表面波共振子にかかる電力の負荷を分散させることにより送信側弾性表面波フィルタの耐電力性を向上させたとしても、送信側弾性表面波フィルタの上記弾性表面波共振子を備える圧電基板の大きさ(面積)を小型化し、第1チップを小型化することができる。つまり、耐電力性が向上されるとともに、小型化された弾性表面波分波器を提供することができる。
【0009】
また、本発明の弾性表面波分波器は、上記の構成に加えて、上記送信側弾性表面波フィルタを構成する少なくとも1つの弾性表面波共振子は、出力側の弾性表面波共振子を含むことが好ましい。
【0010】
上記の構成によれば、送信側弾性表面波フィルタにおける入力側と出力側との間の距離を遠ざけることができる。これにより、アイソレーションの悪化を防止することができる。また、送信側弾性表面波フィルタでは、入力側のほうが発熱が最も著しい。この送信側弾性表面波フィルタの入力側の弾性表面波共振子を、他の共振子から異なる圧電基板に分離して遠ざけることにより、送信側弾性表面波フィルタの入力側の弾性表面波共振子における放熱姓を向上させることができる。これにより、送信側弾性表面波フィルタにおける弾性表面波共振子の劣化を抑制することができ、上記弾性表面波分波器を長寿命化することができる。
【0011】
また、上記1つの圧電基板と上記別の圧電基板とは、同じ面積であることが好ましい。
【0012】
本発明の弾性表面波分波器の製造方法は、上記の課題を解決するために、梯子型に接続され、送信側弾性表面波フィルタを構成する複数の弾性表面波共振子と、梯子型に接続され、受信側弾性表面波フィルタを構成する複数の弾性表面波共振子とを備える弾性表面波分波器の製造方法において、ダイシングラインにより第1チップ領域および第2チップ領域に分けられている圧電基板に弾性表面波共振子を形成する工程であって、上記第1チップ領域に送信側弾性表面波フィルタを構成する少なくとも1つの弾性表面波共振子と、受信側弾性表面波フィルタを構成する全ての弾性表面波共振子とを形成し、第2チップ領域に残りの送信側弾性表面波フィルタの弾性表面波共振子を形成する工程の後、上記圧電基板を上記ダイシングラインに沿ってダイシングすることにより第1チップと第2チップとを製造して、上記第1チップと第2チップとをパッケージに実装することを特徴としている。
【0013】
また、ダイシングの前に、上記送信側弾性表面波フィルタおよび受信側弾性表面波フィルタの周波数を調整することが好ましい。
【0014】
上記の方法によれば、少なくとも1つの送信側弾性表面波共振子を、受信側弾性表面波フィルタを備える圧電基板に形成している。これにより、送信側弾性表面波フィルタの弾性表面波共振子の数を多くして各共振子にかかる電力の負荷を分散させることにより送信側弾性表面波フィルタの耐電力性を向上させたとしても、送信側弾性表面波フィルタの上記弾性表面波共振子を備える圧電基板の大きさ(面積)を小型化することができる。これにより、分波器自体も小型化することができる。
【0015】
また、第1チップと第2チップとを別々に製造した場合には、送信側弾性表面波フィルタにおける少なくとも1つの弾性表面波共振子と、残りの送信側弾性表面波フィルタの弾性表面波共振子とを接続しなければ送信側弾性表面波フィルタの特性を確認することができない。しかし、上記の方法によれば、1つの圧電基板上に、送信側弾性表面波フィルタを構成する共振子を形成しているので、ダイシング前に上記送信側弾性表面波フィルタの特性を容易に確認することができる。さらに、送信側弾性表面波フィルタおよび受信側弾性表面波フィルタの周波数調整も容易である。また、ダイシングの前に送信側弾性表面波フィルタおよび受信側弾性表面波フィルタの特性を確認することにより、不良品を除去することができる。したがって、パッケージに実装した後に、不良が発覚しパッケージが無駄になることはない。
【0016】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態1〕
本発明の実施の一形態について、図1ないし図7に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【0017】
図1に示すように、本発明の弾性表面波分波器は、アンテナ外部端子(Ant端子)1に接続された整合素子2、3と、整合素子2と送信側外部端子(送信側フィルタ入力端子)5との間に設けられた送信側弾性表面波フィルタ(送信側フィルタ)4と、整合素子3と受信側外部端子(受信側フィルタ出力端子)7との間に設けられた受信側弾性表面波フィルタ(受信側フィルタ)6とを有している。また、送信側フィルタ4および受信側フィルタ6は、通過帯域が互いに相違する(中心周波数の異なる)ように設定されている。上記整合素子2、3は、送信側フィルタ4と受信側フィルタ6との位相を整合させるものである。
【0018】
上記送信側フィルタ4は、各直列共振子11a〜11cと、各並列共振子12a、12bとを梯子型に配置して有している。また、上記各直列共振子11a〜11cは、送信側フィルタ出力端子8と送信側フィルタ入力端子5との間に互いに直列に接続されている。さらに、上記各並列共振子12a、12bは、各直列共振子11a〜11c間とグランド端子との間にそれぞれ接続されている。なお、上記各直列共振子11a〜11cおよび各並列共振子12a、12bは弾性表面波共振子である。
【0019】
上記受信側フィルタ6は、各直列共振子21a、21bと、各並列共振子22a〜22cとを梯子型に配置して有している。また、上記各直列共振子21a、21bは、受信側フィルタ入力端子9と受信側フィルタ出力端子7との間に互いに直列に接続されている。さらに、上記各並列共振子22a、22cは、それぞれ、受信側フィルタ入力端子9側、受信側フィルタ出力端子7側に接続されている。なお、上記各直列共振子21a、21bおよび各並列共振子22a〜22cは弾性表面波共振子である。
【0020】
さらに、本発明にかかる弾性表面波分波器30は、上記送信側フィルタ4および受信側フィルタ6を構成している共振子11a〜11c、12a、12b、21a、21b、22a〜22cを分割して異なる2つの圧電基板上に有している、第1チップ15および第2チップ16を備えている。つまり、上記第1チップ15は、受信側フィルタ6を構成するすべての共振子21a、21b、22a〜22cと送信側フィルタ4を構成する共振子11cとを1つの圧電基板に備えている。また、第2チップ16は、送信側フィルタ6を構成する残りの共振子11b、11c、12a、12bを別の圧電基板に備えている。
【0021】
また、図2に、上記弾性表面波分波器に備えられる、第1チップ15および第2チップ16の構成例を示す。
【0022】
第1チップ15は、圧電基板18に、受信側フィルタを構成する共振子21a、21b、22a〜22cおよび送信側フィルタを構成する共振子11aを備えている。また、並列共振子22aはIDT(くし型電極部)111を含み、直列共振子21aはIDT112、113を含み、並列共振子22bは1IDT114を含み、直列共振子21bはIDT115、116を含み、そして並列共振子22cはIDT117を含む。さらに、直列共振子11aはIDT121、122を含む。
【0023】
また、第2チップ16は、圧電基板17に、送信側フィルタを構成する、共振子11b、11c、12a、12bを備えている。並列共振子12aはIDT123を含み、直列共振子11bはIDT124、125、126を含み、並列共振子12bはIDT127を含み、そして直列共振子11cはIDT128、129を含む。
【0024】
さらに、上記第1チップ15の端子19と第2チップ16の端子20とは、電気的に導通される。また、各共振子12a、12b、22a〜22cは、グランド端子Gに接続されており、接地されている。
【0025】
また、第1チップ15と第2チップ16とは、ほぼ同じサイズ、つまり、圧電基板17と圧電基板18とがほぼ同じ面積となっている。
【0026】
また、図3に示すように、弾性表面波分波器30を構成するにあたり、上記第1チップ15および第2チップ16は、整合素子32を備えるパッケージ(多層パッケージ)31に、フリップチップボンド33により電気的に導通されるとともに、実装される。そして、上記パッケージ31は、リッド34により密封されている。このとき、第1チップ15と第2チップ16とは、ほぼ同じサイズになっているので、搭載時に実装機や搭載条件を変える手間がかかることはない。
【0027】
また、図4に、上記第1チップ15および第2チップ16に対する比較例として、従来の構成の第1チップ66および第2チップ67を示す。
【0028】
上記第1チップ65は、圧電基板68に、受信側フィルタを構成する各直列共振子71a、71bおよび各並列共振子72a〜72cを梯子型に備えている。上記直列共振子71aはIDT212、213を含み、直列共振子71bはIDT216、215を含む。また、上記並列共振子72aはIDT211を含み、並列共振子72bはIDT214を含み、そして並列共振子72cはIDT217を含む。
【0029】
また、上記第2チップ66は、圧電基板67に、送信側フィルタを構成する各直列共振子61a〜61cおよび各並列共振子62a、62bを梯子型に備えている。上記直列共振子61aはIDT221、222を含み、直列共振子61bはIDT224、225、226を含み、そして直列共振子61cはIDT228、229を含む。また、上記並列共振子62aは2IDT223を含み、並列共振子62bはIDT227を含む。
【0030】
ここで、図3に示した第1チップ15および第2チップ16をフリップチップボンディングによりパッケージ31実装した弾性表面波分波器30と、従来の第1チップ66および第2チップ67を図3に示したのと同様にフリップチップボンディングにより実装した弾性表面分波器との耐電力性の結果を表1に示す。この耐電力性は、弾性表面波分波器の予測寿命により判断する。この予測寿命は、弾性表面波分波器に、電力を投入してから、寿命が尽きた状態になるのに至った時間から温度加速分・電力加速分を追加して算出した。寿命が尽きた状態とは、要求されるスペックを満たさなくなった状態を指す。
【0031】
【表1】
【0032】
この結果より、本発明にかかる弾性表面波分波器と、比較例にかかる弾性表面波分波器とでは、送信側フィルタおよび受信側フィルタの共振子の数が同じであるにも関わらず、本発明にかかる弾性表面波分波器の予測寿命の方が長かった。つまり、本発明にかかる弾性表面波分波器の耐電力性が向上していることが判った。このように予測寿命に大きな差がでた理由としては、チップにおける共振子の配置により放熱性が向上していることが挙げられる。つまり、最も発熱の著しいと考えられる送信側フィルタ入力端子をその他の送信側フィルタの構成物から分離することにより、放熱性が向上したと考えられる。この放熱性の向上により、共振子の劣化が抑制され、本発明にかかる弾性表面波分波器の寿命が延びると考えられる。
【0033】
ここで、本発明にかかる弾性表面波分波器の製造方法について、図5に基づいて説明する。上記弾性表面波分波器の製造方法においては、1つの圧電基板に共振子を形成した後、ダイシングすることにより第1チップおよび第2チップの2つのチップを製造する。
【0034】
まず、圧電基板40を用意する。この圧電基板40は、後に破線で示されるダイシングラインで分けられる第1チップ領域45および第2チップ領域46からなる。
【0035】
そして、圧電基板40には、IDTを備える共振子41〜43を形成し送信側フィルタを構成し、さらにIDTを備える共振子44を形成して受信側フィルタを構成する。このとき、受信側フィルタを構成する共振子44、および送信側フィルタを構成する共振子の少なくとも1つ、つまり共振子43を第1チップ領域45に形成し、送信側フィルタを構成する共振子41、42を第2チップ領域46に形成する。さらに、送信側フィルタを構成する共振子41、42、43を接続するパターン(バスバー)47も形成する。これら共振子41、42、43およびパターン47は、例えば蒸着リフトオフ法等をAlで行うことにより形成することができる。
【0036】
続いて、上記圧電基板40上に形成されている、上記送信側フィルタおよび受信側フィルタの周波数を調整する。そして、ダイシングラインに沿ってダイシングすることにより第1チップと第2チップとを製造することができる。
【0037】
ついで、上記第1チップと第2チップとをパッケージに、例えばフリップチップボンディング、ワイヤボンディング等により実装することにより弾性表面波分波器を製造することができる。
【0038】
第1チップと第2チップとを別々に製造した場合には、上記共振子43を他の共振子41、42と接続しなければ送信側フィルタの特性を確認することができない。しかし、上記の方法によれば、1つの圧電基板40上で、送信側フィルタを形成しているので、ダイシング前に上記送信側フィルタの特性を容易に確認することができる。また、ダイシング前に送信側フィルタおよび受信側フィルタの特性を確認することにより、不良品を除去することができる。したがって、パッケージに実装した後に、不良が発覚しパッケージが無駄になることはない。
【0039】
また、上記第1チップ15および第2チップ16は、図6に示すように、整合素子72を備えるパッケージ(多層パッケージ)71に、ワイヤ73によるワイヤボンディングにより電気的に導通されるとともに、実装することもできる。このとき、上記第1チップ15および第2チップ16は、ダイボンド材74により上記パッケージ71に固定される。そして、上記パッケージ71は、リッド75により密封されている。これにより、弾性表面波分波器70を構成することができる。
【0040】
さらに、上記第1チップ15および第2チップ16は、図7に示すように、基板81上に備えられている第1パッケージ82および第2パッケージ83に実装されてもよい。上記基板81には、第1パッケージ82および第2パッケージ83に実装されている第1チップ15および第2チップ16と電気的に導通する配線が設けられている。さらに、上記配線には、整合素子84が設けられている。これにより、弾性表面波分波器80を構成することができる。
【0041】
【発明の効果】
本発明の弾性表面波分波器は、以上のように、送信側弾性表面波フィルタを構成する少なくとも1つの弾性表面波共振子と、受信側弾性表面波フィルタを構成する全ての弾性表面波共振子とが、1つの圧電基板に形成されてなる第1チップと、送信側弾性表面波フィルタを構成する残りの弾性表面波共振子が、別の圧電基板に形成されてなる第2チップとを有する構成である。
【0042】
上記の構成によれば、特に大きな電力の負荷がかかる送信側弾性表面波フィルタを構成する弾性表面波共振子を分割してその少なくとも1つを、受信側弾性表面波フィルタの弾性表面波共振子を備える圧電基板に形成して第1チップを構成している。これにより、送信側弾性表面波フィルタの弾性表面波共振子の数を多くして各弾性表面波共振子にかかる電力の負荷を分散させることにより送信側弾性表面波フィルタの耐電力性を向上させたとしても、送信側弾性表面波フィルタの上記弾性表面波共振子を備える圧電基板の大きさ(面積)を小型化し、第1チップを小型化することができる。つまり、耐電力性が向上されるとともに、小型化された弾性表面波分波器を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態にかかる弾性表面波分波器の概略構成図である。
【図2】上記弾性表面波分波器における、送信側フィルタおよび受信側フィルタを備えるチップの構成を示す図である。
【図3】図2のチップを備えた上記弾性表面波分波器の断面図である。
【図4】弾性表面波分波器における、送信側フィルタおよび受信側フィルタを備える比較例のチップの構成を示す図である。
【図5】図2のチップを製造する工程を説明する図である。
【図6】図2のチップを備えた他の上記弾性表面波分波器の断面図である。
【図7】図2のチップを備えたさらに他の上記弾性表面波分波器の斜視図である。
【符号の説明】
1 アンテナ外部接続端子
2 整合素子
3 整合素子
4 送信側弾性表面波フィルタ(送信側フィルタ)
5 送信側外部接続端子(送信側フィルタ入力端子)
6 受信側弾性表面波フィルタ(受信側フィルタ)
7 受信側外部接続端子(受信側フィルタ出力端子)
8 送信側フィルタ出力端子
9 受信側フィルタ入力端子
11a〜11c 直列共振子
12a、12b 並列共振子
15 第1チップ
16 第2チップ
21a、21b 直列共振子
22a〜22c 並列共振子
30 弾性表面波分波器[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a surface acoustic wave duplexer, and more particularly, to a surface acoustic wave duplexer including two filter chips each having a surface acoustic wave element formed on a piezoelectric substrate.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a duplexer (surface acoustic wave duplexer) including a surface acoustic wave filter using a surface acoustic wave resonator, as disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 9-181567, a transmission-side filter And two chips of the receiving side filter are mounted on one substrate. Although the surface acoustic wave resonator is not shown in the drawing, an interdigital transducer (hereinafter abbreviated as IDT) composed of comb-shaped electrodes and two IDTs sandwiching the IDT from the left and right (surface acoustic wave propagation direction) are provided on a piezoelectric substrate. And a reflector along the propagation direction of the surface acoustic wave.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
In such a duplexer, the power durability required for the chips of the transmission side filter and the reception side filter is different. In particular, since a larger power load is applied to the transmission filter, the power load is distributed by increasing the number of resonators or IDTs provided in the transmission filter. For this reason, the size of the chip of the transmission side filter becomes larger than the chip of the reception side filter.
[0004]
Further, when mounting the transmitting filter chip and the receiving filter chip on the substrate, if the transmitting filter chip and the receiving filter chip are of different sizes, the mounting machine and mounting conditions are changed during mounting. There is a problem that it takes time and effort.
[0005]
In order to eliminate the above trouble, the size of the receiving filter chip is made larger than necessary, and the piezoelectric substrate of the transmitting filter chip and the piezoelectric substrate of the receiving filter chip are the same size (area). I have to. For this reason, there has been a problem that the duplexer itself becomes large.
[0006]
The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and an object of the present invention is to provide a surface acoustic wave duplexer that has a reduced size and has a reduced power durability and a method for manufacturing the same. .
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a surface acoustic wave duplexer according to the present invention includes at least one surface acoustic wave resonator that constitutes a transmission-side surface acoustic wave filter and all of the components that constitute a reception-side surface acoustic wave filter. A first chip in which a surface acoustic wave resonator is formed on one piezoelectric substrate, and a remaining surface acoustic wave resonator constituting the transmission-side surface acoustic wave filter is formed on another piezoelectric substrate. It has 2 chips.
[0008]
According to the above configuration, at least one of the surface acoustic wave resonators constituting the transmission-side surface acoustic wave filter to which a particularly large power load is applied is a piezoelectric substrate including the surface acoustic wave resonator of the reception-side surface acoustic wave filter. Forming the first chip. As a result, the number of surface acoustic wave resonators in the transmission surface acoustic wave filter is increased to disperse the load of power applied to each surface acoustic wave resonator, thereby improving the power durability of the transmission surface acoustic wave filter. Even so, the size (area) of the piezoelectric substrate including the surface acoustic wave resonator of the transmitting surface acoustic wave filter can be reduced, and the first chip can be reduced in size. That is, it is possible to provide a surface acoustic wave duplexer that has improved power durability and is downsized.
[0009]
In the surface acoustic wave duplexer of the present invention, in addition to the above configuration, at least one surface acoustic wave resonator constituting the transmission-side surface acoustic wave filter includes an output-side surface acoustic wave resonator. It is preferable.
[0010]
According to said structure, the distance between the input side and output side in a transmission side surface acoustic wave filter can be kept away. Thereby, deterioration of isolation can be prevented. Further, in the transmission-side surface acoustic wave filter, heat generation is most remarkable on the input side. In the surface acoustic wave resonator on the input side of the transmitting surface acoustic wave filter, the surface acoustic wave resonator on the input side of the transmitting surface acoustic wave filter is separated from the other resonators and separated from the piezoelectric substrate. The heat dissipation last name can be improved. Thereby, it is possible to suppress the deterioration of the surface acoustic wave resonator in the transmission-side surface acoustic wave filter, and it is possible to extend the life of the surface acoustic wave duplexer.
[0011]
The one piezoelectric substrate and the other piezoelectric substrate preferably have the same area.
[0012]
In order to solve the above problems, a method of manufacturing a surface acoustic wave duplexer according to the present invention includes a plurality of surface acoustic wave resonators connected to a ladder type and constituting a transmission-side surface acoustic wave filter, and a ladder type. In a manufacturing method of a surface acoustic wave duplexer that includes a plurality of surface acoustic wave resonators that are connected and constitute a reception-side surface acoustic wave filter, the method is divided into a first chip region and a second chip region by a dicing line Forming a surface acoustic wave resonator on a piezoelectric substrate, wherein at least one surface acoustic wave resonator constituting a transmission-side surface acoustic wave filter and a reception-side surface acoustic wave filter are formed in the first chip region; After the step of forming all the surface acoustic wave resonators and forming the surface acoustic wave resonators of the remaining surface acoustic wave filter on the transmitting side in the second chip region, the piezoelectric substrate is moved along the dicing line. Manufactures the first chip and the second chip by dicing Te is characterized by implementing the said first chip and the second chip package.
[0013]
Further, it is preferable to adjust the frequencies of the transmission-side surface acoustic wave filter and the reception-side surface acoustic wave filter before dicing.
[0014]
According to the above method, at least one transmission-side surface acoustic wave resonator is formed on the piezoelectric substrate including the reception-side surface acoustic wave filter. Even if this improves the power durability of the transmission-side surface acoustic wave filter by increasing the number of surface acoustic wave resonators of the transmission-side surface acoustic wave filter and distributing the load of power applied to each resonator, The size (area) of the piezoelectric substrate provided with the surface acoustic wave resonator of the transmission surface acoustic wave filter can be reduced. Thereby, the duplexer itself can be reduced in size.
[0015]
In addition, when the first chip and the second chip are manufactured separately, at least one surface acoustic wave resonator in the transmission-side surface acoustic wave filter and the surface acoustic wave resonators in the remaining transmission-side surface acoustic wave filters. The characteristics of the transmission-side surface acoustic wave filter cannot be confirmed unless they are connected to each other. However, according to the above method, since the resonator constituting the transmission surface acoustic wave filter is formed on one piezoelectric substrate, the characteristics of the transmission surface acoustic wave filter can be easily confirmed before dicing. can do. Furthermore, it is easy to adjust the frequency of the transmission-side surface acoustic wave filter and the reception-side surface acoustic wave filter. Also, defective products can be removed by confirming the characteristics of the transmission-side surface acoustic wave filter and the reception-side surface acoustic wave filter before dicing. Therefore, after mounting on the package, a defect is not detected and the package is not wasted.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
[Embodiment 1]
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
[0017]
As shown in FIG. 1, the surface acoustic wave duplexer of the present invention includes matching
[0018]
The transmission-
[0019]
The reception-side filter 6 includes
[0020]
Furthermore, the surface
[0021]
FIG. 2 shows a configuration example of the
[0022]
The
[0023]
In addition, the
[0024]
Further, the
[0025]
Further, the
[0026]
As shown in FIG. 3, in configuring the surface
[0027]
FIG. 4 shows a
[0028]
The
[0029]
Further, the
[0030]
Here, the surface
[0031]
[Table 1]
[0032]
From this result, the surface acoustic wave duplexer according to the present invention and the surface acoustic wave duplexer according to the comparative example, although the number of resonators of the transmission side filter and the reception side filter are the same, The predicted lifetime of the surface acoustic wave duplexer according to the present invention was longer. That is, it was found that the power durability of the surface acoustic wave duplexer according to the present invention is improved. The reason why there is a large difference in the predicted life in this way is that the heat dissipation is improved by the arrangement of the resonators in the chip. That is, it is considered that the heat radiation performance is improved by separating the transmission side filter input terminal that is considered to generate the most heat from other components of the transmission side filter. It is considered that the improvement in heat dissipation suppresses the deterioration of the resonator and extends the life of the surface acoustic wave duplexer according to the present invention.
[0033]
Here, the manufacturing method of the surface acoustic wave duplexer concerning this invention is demonstrated based on FIG. In the method of manufacturing the surface acoustic wave duplexer, a resonator is formed on one piezoelectric substrate, and then two chips, a first chip and a second chip, are manufactured by dicing.
[0034]
First, the
[0035]
Then, on the
[0036]
Subsequently, the frequencies of the transmission side filter and reception side filter formed on the
[0037]
Next, the surface acoustic wave duplexer can be manufactured by mounting the first chip and the second chip on a package by, for example, flip chip bonding or wire bonding.
[0038]
When the first chip and the second chip are manufactured separately, the characteristics of the transmission filter cannot be confirmed unless the
[0039]
Further, as shown in FIG. 6, the
[0040]
Further, the
[0041]
【The invention's effect】
As described above, the surface acoustic wave duplexer of the present invention includes at least one surface acoustic wave resonator constituting the transmission-side surface acoustic wave filter and all surface acoustic wave resonances constituting the reception-side surface acoustic wave filter. A first chip formed on one piezoelectric substrate, and a second chip formed on the other piezoelectric substrate with the remaining surface acoustic wave resonators constituting the transmitting surface acoustic wave filter. It is the composition which has.
[0042]
According to said structure, the surface acoustic wave resonator which comprises the transmission side surface acoustic wave filter to which especially load of big electric power is divided | segmented is divided | segmented, and the surface acoustic wave resonator of a reception side surface acoustic wave filter is used. The first chip is configured by forming a piezoelectric substrate comprising: As a result, the number of surface acoustic wave resonators in the transmission surface acoustic wave filter is increased to disperse the load of power applied to each surface acoustic wave resonator, thereby improving the power durability of the transmission surface acoustic wave filter. Even so, the size (area) of the piezoelectric substrate including the surface acoustic wave resonator of the transmitting surface acoustic wave filter can be reduced, and the first chip can be reduced in size. In other words, there is an effect that the power durability is improved and a downsized surface acoustic wave duplexer can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a surface acoustic wave duplexer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a chip including a transmission side filter and a reception side filter in the surface acoustic wave duplexer.
3 is a cross-sectional view of the surface acoustic wave duplexer including the chip of FIG. 2. FIG.
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of a chip of a comparative example including a transmission side filter and a reception side filter in a surface acoustic wave duplexer.
5 is a diagram illustrating a process of manufacturing the chip of FIG. 2. FIG.
6 is a cross-sectional view of another surface acoustic wave duplexer including the chip of FIG.
7 is a perspective view of still another surface acoustic wave duplexer including the chip of FIG. 2. FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Antenna
5 Transmission side external connection terminal (transmission side filter input terminal)
6 Receiving surface acoustic wave filter (receiving filter)
7 Reception side external connection terminal (Reception side filter output terminal)
8 Transmission side filter output terminal 9 Reception side
Claims (5)
送信側弾性表面波フィルタを構成する少なくとも1つの弾性表面波共振子と、受信側弾性表面波フィルタを構成する全ての弾性表面波共振子とが、1つの圧電基板に形成されてなる第1チップと、
送信側弾性表面波フィルタを構成する残りの弾性表面波共振子が、別の圧電基板に形成されてなる第2チップとを有することを特徴とする弾性表面波分波器。Elasticity comprising a plurality of surface acoustic wave resonators connected to a ladder type and constituting a transmission-side surface acoustic wave filter, and a plurality of surface acoustic wave resonators connected to a ladder type and constituting a reception-side surface acoustic wave filter In surface wave demultiplexers,
A first chip in which at least one surface acoustic wave resonator constituting the transmission-side surface acoustic wave filter and all surface acoustic wave resonators constituting the reception-side surface acoustic wave filter are formed on one piezoelectric substrate. When,
A surface acoustic wave duplexer, wherein the remaining surface acoustic wave resonator constituting the transmitting surface acoustic wave filter has a second chip formed on another piezoelectric substrate.
ダイシングラインにより第1チップ領域および第2チップ領域に分けられている圧電基板に弾性表面波共振子を形成する工程であって、
上記第1チップ領域に送信側弾性表面波フィルタを構成する少なくとも1つの弾性表面波共振子と、受信側弾性表面波フィルタを構成する全ての弾性表面波共振子とを形成し、第2チップ領域に残りの送信側弾性表面波フィルタの弾性表面波共振子を形成する工程の後、
上記圧電基板を上記ダイシングラインに沿ってダイシングすることにより第1チップと第2チップとを製造して、上記第1チップと第2チップとをパッケージに実装する弾性表面波分波器の製造方法。Elasticity comprising a plurality of surface acoustic wave resonators connected to a ladder type and constituting a transmission-side surface acoustic wave filter, and a plurality of surface acoustic wave resonators connected to a ladder type and constituting a reception-side surface acoustic wave filter In the method of manufacturing the surface wave duplexer,
Forming a surface acoustic wave resonator on a piezoelectric substrate divided into a first chip region and a second chip region by a dicing line,
Forming at least one surface acoustic wave resonator constituting a transmission-side surface acoustic wave filter and all surface acoustic wave resonators constituting a reception-side surface acoustic wave filter in the first chip region; After the step of forming the surface acoustic wave resonator of the remaining transmitting surface acoustic wave filter,
A method of manufacturing a surface acoustic wave duplexer in which a first chip and a second chip are manufactured by dicing the piezoelectric substrate along the dicing line, and the first chip and the second chip are mounted on a package. .
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