JP7370146B2 - Acoustic wave devices, filters and multiplexers - Google Patents

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Description

本発明は、弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサに関し、例えば支持基板上に接合された圧電基板を有する弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサに関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to acoustic wave devices, filters, and multiplexers, and for example, to acoustic wave devices, filters, and multiplexers having a piezoelectric substrate bonded onto a support substrate.

支持基板の上面に圧電基板が接合された接合基板を用いることで、周波数温度特性が改善された弾性波デバイスが知られている（例えば、特許文献１）。また、圧電基板が支持基板の上面の一部に接合しかつ配線が支持基板の上面の圧電基板に接合されていない領域から圧電基板上に延在した構成において、圧電基板の側面を傾斜面とすることで配線の断線を抑制することが知られている（例えば、特許文献２）。 An acoustic wave device is known in which frequency-temperature characteristics are improved by using a bonded substrate in which a piezoelectric substrate is bonded to the upper surface of a support substrate (for example, Patent Document 1). In addition, in a configuration in which the piezoelectric substrate is bonded to a part of the top surface of the support substrate and the wiring extends onto the piezoelectric substrate from an area on the top surface of the support substrate that is not bonded to the piezoelectric substrate, the side surface of the piezoelectric substrate may be formed into an inclined surface. It is known that disconnection of wiring can be suppressed by doing so (for example, Patent Document 2).

特開２００４－３４３３５９号公報Japanese Patent Application Publication No. 2004-343359 特開２０１３－２１３８７号公報Japanese Patent Application Publication No. 2013-21387

圧電基板は脆いため、圧電基板上に金属層等を設けると、支持基板と圧電基板と金属層との熱応力等により、圧電基板にクラックが生じることがある。 Since the piezoelectric substrate is fragile, if a metal layer or the like is provided on the piezoelectric substrate, cracks may occur in the piezoelectric substrate due to thermal stress between the support substrate, the piezoelectric substrate, and the metal layer.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、圧電基板の劣化を抑制することを目的とする。 The present invention was made in view of the above problems, and an object of the present invention is to suppress deterioration of a piezoelectric substrate.

本発明は、支持基板と、前記支持基板上に接合された第１圧電基板と、前記第１圧電基板上に設けられた弾性波素子と、平面視において前記弾性波素子を囲むように、前記支持基板上に前記第１圧電基板と間隔を空けて設けられた環状金属層と、前記第１圧電基板上に前記第１圧電基板と空隙を挟み向き合うように搭載されたチップと、前記チップを囲み前記環状金属層と接合し、前記弾性波素子を前記空隙に封止する封止金属層と、前記第１圧電基板を囲み前記第１圧電基板から間隔を空けて設けられた第２圧電基板と、を備え、前記環状金属層は前記第２圧電基板上に設けられている弾性波デバイスである。
The present invention includes a support substrate, a first piezoelectric substrate bonded onto the support substrate, an acoustic wave element provided on the first piezoelectric substrate, and a support substrate that surrounds the elastic wave element in a plan view. an annular metal layer provided on a supporting substrate with a space between the first piezoelectric substrate and the first piezoelectric substrate; a chip mounted on the first piezoelectric substrate so as to face the first piezoelectric substrate with a gap in between; a sealing metal layer that is bonded to the annular metal layer and seals the acoustic wave element in the gap; and a second piezoelectric substrate that surrounds the first piezoelectric substrate and is spaced apart from the first piezoelectric substrate. and, the annular metal layer is an acoustic wave device provided on the second piezoelectric substrate .

上記構成において、前記封止金属層の線膨張係数は前記第１圧電基板の線膨張係数より大きい構成とすることができる。 In the above configuration, the linear expansion coefficient of the sealing metal layer may be larger than that of the first piezoelectric substrate.

上記構成において、前記封止金属層は、錫を主成分とする半田である構成とすることができる。 In the above structure, the sealing metal layer may be made of solder containing tin as a main component.

上記構成において、前記第１圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である構成とすることができる。 In the above structure, the first piezoelectric substrate may be a lithium tantalate substrate or a lithium niobate substrate.

上記構成において、前記チップおよび前記封止金属層上に設けられたリッドを備える構成とすることができる。 The above structure may include a lid provided on the chip and the sealing metal layer.

上記構成において、前記封止金属層は、前記環状金属層以外では前記支持基板および前記第１圧電基板と接合しない構成とすることができる。 In the above configuration, the sealing metal layer may be configured not to be bonded to the support substrate and the first piezoelectric substrate except for the annular metal layer.

本発明は、上記弾性波デバイスを含むフィルタである。 The present invention is a filter including the above elastic wave device.

本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。 The present invention is a multiplexer including the above filter.

本発明によれば、圧電基板の劣化を抑制することができる。 According to the present invention, deterioration of the piezoelectric substrate can be suppressed.

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図、図１（ｂ）は平面図である。FIG. 1(a) is a cross-sectional view of an acoustic wave device according to Example 1, and FIG. 1(b) is a plan view. 図２（ａ）は、実施例１における弾性波素子１２の平面図、図２（ｂ）は弾性波素子２２の断面図である。2(a) is a plan view of the acoustic wave element 12 in Example 1, and FIG. 2(b) is a sectional view of the acoustic wave element 22. 図３（ａ）から図３（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。3(a) to 3(d) are cross-sectional views (part 1) showing the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment. 図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。FIGS. 4(a) to 4(c) are cross-sectional views (part 2) showing the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment. 図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その３）である。FIGS. 5(a) to 5(c) are cross-sectional views (part 3) showing the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment. 図６（ａ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの断面図、図６（ｂ）は、比較例１の断面ＳＥＭ画像の模式図である。6(a) is a cross-sectional view of an acoustic wave device according to Comparative Example 1, and FIG. 6(b) is a schematic diagram of a cross-sectional SEM image of Comparative Example 1. 図７は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of an acoustic wave device according to Modification 1 of Example 1. 図８（ａ）から図８（ｄ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。FIGS. 8A to 8D are cross-sectional views showing a method for manufacturing an acoustic wave device according to Modification 1 of Example 1. FIGS. 図９は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of an acoustic wave device according to a second modification of the first embodiment. 図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。10(a) to 10(c) are cross-sectional views showing a method of manufacturing an acoustic wave device according to a second modification of the first embodiment. 図１１（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図、図１１（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。FIG. 11A is a circuit diagram of a filter according to a second embodiment, and FIG. 11B is a circuit diagram of a duplexer according to a first modification of the second embodiment.

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図、図１（ｂ）は平面図である。図１（ｂ）は、圧電基板１０ｂ、空間１５および環状金属層３２を示している。図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、基板１０は支持基板１０ａと圧電基板１０ｂとを有する。支持基板１０ａは例えばサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、水晶基板またはシリコン基板である。圧電基板１０ｂは、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。圧電基板１０ｂは支持基板１０ａの上面に接合されている。支持基板１０ａの線膨張係数は圧電基板１０ｂより小さい。圧電基板１０ｂと支持基板１０ａとの間に酸化シリコンまたは窒化アルミニウム等の絶縁体層を設けてもよい。 FIG. 1(a) is a cross-sectional view of an acoustic wave device according to Example 1, and FIG. 1(b) is a plan view. FIG. 1(b) shows the piezoelectric substrate 10b, the space 15, and the annular metal layer 32. As shown in FIGS. 1(a) and 1(b), the substrate 10 includes a support substrate 10a and a piezoelectric substrate 10b. The support substrate 10a is, for example, a sapphire substrate, an alumina substrate, a spinel substrate, a crystal substrate, or a silicon substrate. The piezoelectric substrate 10b is, for example, a lithium tantalate substrate or a lithium niobate substrate. The piezoelectric substrate 10b is bonded to the upper surface of the support substrate 10a. The linear expansion coefficient of the support substrate 10a is smaller than that of the piezoelectric substrate 10b. An insulator layer such as silicon oxide or aluminum nitride may be provided between the piezoelectric substrate 10b and the support substrate 10a.

基板１０の上面に弾性波素子１２および配線１４が設けられている。基板１０の下面に端子１８が設けられている。端子１８は、弾性波素子１２および２２を外部と接続するためのフットパッドである。基板１０を貫通するビア配線１６が設けられている。ビア配線１６は、端子１８と配線１４とを電気的に接続する。 An acoustic wave element 12 and wiring 14 are provided on the upper surface of the substrate 10. Terminals 18 are provided on the lower surface of the substrate 10. The terminal 18 is a foot pad for connecting the acoustic wave elements 12 and 22 to the outside. A via wiring 16 is provided that penetrates the substrate 10. The via wiring 16 electrically connects the terminal 18 and the wiring 14.

基板１０の周縁において圧電基板１０ｂが除去されている。弾性波素子１２を囲むように支持基板１０ａ上に環状金属層３２が設けられている。環状金属層３２と圧電基板１０ｂとの間は空間１５である。空間１５は例えば空隙である。配線１４、ビア配線１６、端子１８および環状金属層３２は、例えば銅層、アルミニウム層または金層等の金属層である。 The piezoelectric substrate 10b is removed at the periphery of the substrate 10. An annular metal layer 32 is provided on the support substrate 10a so as to surround the acoustic wave element 12. A space 15 exists between the annular metal layer 32 and the piezoelectric substrate 10b. The space 15 is, for example, a void. The wiring 14, the via wiring 16, the terminal 18, and the annular metal layer 32 are, for example, metal layers such as a copper layer, an aluminum layer, or a gold layer.

環状金属層３２上に環状金属層３４が設けられている。環状金属層３４は、例えば環状金属層３２側からチタン層、ニッケル層および金層である。環状金属層３４の１つであるチタン層は環状金属層３２と３４との密着層である。ニッケル層は封止金属層３０と環状金属層３２との相互拡散を抑制するバリア層である。金層は封止金属層３０と濡れ性の良い層であり、封止金属層３０を環状金属層３４に接合させる。 An annular metal layer 34 is provided on the annular metal layer 32 . The annular metal layer 34 includes, for example, a titanium layer, a nickel layer, and a gold layer from the annular metal layer 32 side. The titanium layer, which is one of the annular metal layers 34, is an adhesion layer between the annular metal layers 32 and 34. The nickel layer is a barrier layer that suppresses mutual diffusion between the sealing metal layer 30 and the annular metal layer 32. The gold layer has good wettability with the sealing metal layer 30 and joins the sealing metal layer 30 to the annular metal layer 34.

基板１０上に基板２０が搭載されている。基板２０の下面に弾性波素子２２および配線２４が設けられている。配線２４は例えば銅層、アルミニウム層または金層等の金属層である。基板２０はバンプ２８を介し基板１０にフリップチップ実装（フェースダウン実装）されている。バンプ２８は、配線１４および２４と接合する。バンプ２８は、例えば金バンプ、半田バンプまたは銅バンプである。 A substrate 20 is mounted on the substrate 10. An acoustic wave element 22 and wiring 24 are provided on the lower surface of the substrate 20. The wiring 24 is, for example, a metal layer such as a copper layer, an aluminum layer, or a gold layer. The board 20 is flip-chip mounted (face-down mounted) on the board 10 via bumps 28. Bump 28 connects to wirings 14 and 24. Bumps 28 are, for example, gold bumps, solder bumps, or copper bumps.

基板１０上に基板２０を囲むように封止金属層３０が設けられている。封止金属層３０は、例えば錫を含む半田である。封止金属層３０は、環状金属層３４に接合されている。基板２０の上面および封止金属層３０の上面に平板状のリッド３６が設けられている。リッド３６は例えばコバール板等の金属板または絶縁板である。リッド３６および封止金属層３０を覆うように保護膜３８が設けられている。保護膜３８はニッケル膜等の金属膜または絶縁膜である。 A sealing metal layer 30 is provided on the substrate 10 so as to surround the substrate 20. The sealing metal layer 30 is, for example, solder containing tin. The sealing metal layer 30 is joined to the annular metal layer 34. A flat lid 36 is provided on the upper surface of the substrate 20 and the upper surface of the sealing metal layer 30. The lid 36 is, for example, a metal plate such as a Kovar plate or an insulating plate. A protective film 38 is provided to cover the lid 36 and the sealing metal layer 30. The protective film 38 is a metal film such as a nickel film or an insulating film.

弾性波素子１２は空隙２６を介し基板２０に対向している。弾性波素子２２は空隙２６を介し圧電基板１０ｂに対向している。弾性波素子１２および２２は、封止金属層３０、基板１０、基板２０およびリッド３６により封止される。バンプ２８は空隙２６に囲まれている。端子１８はビア配線１６および配線１４を介し弾性波素子１２と電気的に接続され、さらに、バンプ２８および配線２４を介し弾性波素子２２に電気的に接続されている。 The acoustic wave element 12 faces the substrate 20 with a gap 26 in between. The acoustic wave element 22 faces the piezoelectric substrate 10b with a gap 26 in between. Acoustic wave elements 12 and 22 are sealed by sealing metal layer 30, substrate 10, substrate 20, and lid 36. Bump 28 is surrounded by void 26. The terminal 18 is electrically connected to the acoustic wave element 12 via the via wiring 16 and the wiring 14, and further electrically connected to the acoustic wave element 22 via the bump 28 and the wiring 24.

支持基板１０ａの厚さは例えば５０μｍから２００μｍである。圧電基板１０ｂの厚さは例えば０．５μｍから２０μｍであり、例えば弾性波の波長以下である。環状金属層３２の厚さは圧電基板１０ｂの厚さと略等しい。環状金属層３４の厚さは例えば１μｍから５μｍである。環状金属層３２および３４の幅は、例えば２５μｍから１００μｍである。バンプ２８の厚さは例えば１０μｍから２０μｍである。基板２０の厚さは例えば５０μｍから２００μｍである。空間１５の幅Ｌは例えば１μｍから５０μｍである。 The thickness of the support substrate 10a is, for example, 50 μm to 200 μm. The thickness of the piezoelectric substrate 10b is, for example, 0.5 μm to 20 μm, which is, for example, less than the wavelength of an elastic wave. The thickness of the annular metal layer 32 is approximately equal to the thickness of the piezoelectric substrate 10b. The thickness of the annular metal layer 34 is, for example, 1 μm to 5 μm. The width of the annular metal layers 32 and 34 is, for example, 25 μm to 100 μm. The thickness of the bump 28 is, for example, 10 μm to 20 μm. The thickness of the substrate 20 is, for example, 50 μm to 200 μm. The width L of the space 15 is, for example, 1 μm to 50 μm.

図２（ａ）は、実施例１における弾性波素子１２の平面図、図２（ｂ）は弾性波素子２２の断面図である。図２（ａ）に示すように、弾性波素子１２は弾性表面波共振器である。基板１０の圧電基板１０ｂ上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）４０と反射器４２が形成されている。ＩＤＴ４０は、互いに対向する１対の櫛型電極４０ａを有する。櫛型電極４０ａは、複数の電極指４０ｂと複数の電極指４０ｂを接続するバスバー４０ｃとを有する。反射器４２は、ＩＤＴ４０の両側に設けられている。ＩＤＴ４０が圧電基板１０ｂに弾性表面波を励振する。弾性波の波長は一対の櫛型電極４０ａの一方の櫛型電極４０ａの電極指４０ｂのピッチにほぼ等しい。すなわち、弾性波の波長は一対の櫛型電極４０ａの電極指４０ｂのピッチの２倍にほぼ等しい。ＩＤＴ４０および反射器４２は例えばアルミニウム膜または銅膜により形成される。圧電基板１０ｂ上にＩＤＴ４０および反射器４２を覆うように保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。 2(a) is a plan view of the acoustic wave element 12 in Example 1, and FIG. 2(b) is a sectional view of the acoustic wave element 22. As shown in FIG. 2(a), the acoustic wave element 12 is a surface acoustic wave resonator. An IDT (Interdigital Transducer) 40 and a reflector 42 are formed on the piezoelectric substrate 10b of the substrate 10. The IDT 40 has a pair of comb-shaped electrodes 40a facing each other. The comb-shaped electrode 40a has a plurality of electrode fingers 40b and a bus bar 40c connecting the plurality of electrode fingers 40b. Reflectors 42 are provided on both sides of the IDT 40. The IDT 40 excites surface acoustic waves in the piezoelectric substrate 10b. The wavelength of the elastic wave is approximately equal to the pitch of the electrode fingers 40b of one of the pair of comb-shaped electrodes 40a. That is, the wavelength of the elastic wave is approximately equal to twice the pitch of the electrode fingers 40b of the pair of comb-shaped electrodes 40a. The IDT 40 and the reflector 42 are formed of, for example, an aluminum film or a copper film. A protective film or a temperature compensation film may be provided on the piezoelectric substrate 10b so as to cover the IDT 40 and the reflector 42.

図２（ｂ）に示すように、弾性波素子２２は圧電薄膜共振器である。基板２０上に圧電膜４６が設けられている。圧電膜４６を挟むように下部電極４４および上部電極４８が設けられている。下部電極４４と基板２０との間に空隙４５が形成されている。圧電膜４６の少なくとも一部を挟み下部電極４４と上部電極４８とが対向する領域が共振領域４７である。共振領域４７において、下部電極４４および上部電極４８は圧電膜４６内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。基板２０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、ガラス基板、水晶基板またはシリコン基板である。下部電極４４および上部電極４８は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜４６は例えば窒化アルミニウム膜である。空隙４５の代わりに弾性波を反射する音響反射膜が設けられていてもよい。 As shown in FIG. 2(b), the acoustic wave element 22 is a piezoelectric thin film resonator. A piezoelectric film 46 is provided on the substrate 20. A lower electrode 44 and an upper electrode 48 are provided so as to sandwich the piezoelectric film 46 therebetween. A gap 45 is formed between the lower electrode 44 and the substrate 20. A region where the lower electrode 44 and the upper electrode 48 face each other with at least a portion of the piezoelectric film 46 in between is a resonance region 47 . In the resonance region 47, the lower electrode 44 and the upper electrode 48 excite elastic waves in the thickness longitudinal vibration mode within the piezoelectric film 46. The substrate 20 is, for example, a sapphire substrate, a spinel substrate, an alumina substrate, a glass substrate, a crystal substrate, or a silicon substrate. The lower electrode 44 and the upper electrode 48 are, for example, metal films such as ruthenium films. The piezoelectric film 46 is, for example, an aluminum nitride film. Instead of the void 45, an acoustic reflection film that reflects elastic waves may be provided.

弾性波素子１２および２２は、弾性波を励振する電極を含む。このため、弾性波を制限しないように、弾性波素子１２および２２は空隙２６に覆われている。 Acoustic wave elements 12 and 22 include electrodes that excite elastic waves. For this reason, the elastic wave elements 12 and 22 are covered with a void 26 so as not to limit the elastic waves.

［実施例１の製造方法］
図３（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図３（ａ）に示すように、支持基板１０ａの上面に例えばレーザ光を照射しビア１７ａを形成する。図３（ｂ）に示すように、支持基板１０ａの上面に圧電基板１０ｂの下面を例えば表面活性化法を用い常温接合する。支持基板１０ａと圧電基板１０ｂとは数ｎｍのアモルファス層等を介し直接接合されていてもよいし、接着剤等により接合されていてもよい。支持基板１０ａと圧電基板１０ｂとの間に絶縁層が設けられていてもよい。 [Production method of Example 1]
FIGS. 3(a) to 5(c) are cross-sectional views showing the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment. As shown in FIG. 3A, the upper surface of the support substrate 10a is irradiated with, for example, a laser beam to form a via 17a. As shown in FIG. 3B, the lower surface of the piezoelectric substrate 10b is bonded to the upper surface of the support substrate 10a at room temperature using, for example, a surface activation method. The support substrate 10a and the piezoelectric substrate 10b may be directly bonded via an amorphous layer of several nanometers or the like, or may be bonded with an adhesive or the like. An insulating layer may be provided between the support substrate 10a and the piezoelectric substrate 10b.

図３（ｃ）に示すように、圧電基板１０ｂを例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用い研磨する。これにより、圧電基板１０ｂを所望の厚さとする。図３（ｄ）に示すように、圧電基板１０ｂを例えばエッチングにより除去し開口１７ｂおよび１７ｃを形成する。開口１７ｂはビア１７ａに通じビア１７ａより大きく形成される。ビア１７ａと開口１７ｂにより基板１０を貫通するビア１７が形成される。開口１７ｃは圧電基板１０ｂを囲むように形成される。 As shown in FIG. 3C, the piezoelectric substrate 10b is polished using, for example, a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method. This allows the piezoelectric substrate 10b to have a desired thickness. As shown in FIG. 3(d), the piezoelectric substrate 10b is removed, for example, by etching to form openings 17b and 17c. The opening 17b communicates with the via 17a and is formed larger than the via 17a. A via 17 that penetrates the substrate 10 is formed by the via 17a and the opening 17b. The opening 17c is formed to surround the piezoelectric substrate 10b.

図４（ａ）に示すように、支持基板１０ａおよび圧電基板１０ｂ上にシード層３１ａを例えばスパッタリング法を用い形成する。シード層３１ａは、例えば基板１０側からチタン層および銅層である。図４（ｂ）に示すように、シード層３１ａ上に金属層３１を例えばめっき法を用い形成する。金属層３１は例えば銅層である。図４（ｂ）以降では、シード層３１ａの図示を省略する。図４（ｃ）に示すように、圧電基板１０ｂの表面が露出するように金属層３１の上面を例えばＣＭＰ法を用い平坦化する。これにより、ビア配線１６および環状金属層３２が形成される。環状金属層３２の厚さは圧電基板１０ｂの厚さと略等しくなる。 As shown in FIG. 4A, a seed layer 31a is formed on the support substrate 10a and the piezoelectric substrate 10b using, for example, a sputtering method. The seed layer 31a is, for example, a titanium layer and a copper layer from the substrate 10 side. As shown in FIG. 4B, a metal layer 31 is formed on the seed layer 31a using, for example, a plating method. The metal layer 31 is, for example, a copper layer. From FIG. 4B onward, illustration of the seed layer 31a is omitted. As shown in FIG. 4C, the upper surface of the metal layer 31 is planarized using, for example, a CMP method so that the surface of the piezoelectric substrate 10b is exposed. As a result, via wiring 16 and annular metal layer 32 are formed. The thickness of the annular metal layer 32 is approximately equal to the thickness of the piezoelectric substrate 10b.

図５（ａ）に示すように、圧電基板１０ｂ上に弾性波素子１２を形成する。圧電基板１０ｂおよびビア配線１６上に配線１４を形成する。環状金属層３２上に環状金属層３４を形成する。図５（ｂ）に示すように、環状金属層３２の内側の領域をエッチング法を用い除去する。これにより、環状金属層３２と圧電基板１０ｂとの間に空間１５が形成される。図５（ｃ）に示すように、基板１０上にバンプ２８を介し基板２０をフリップチップ実装する。これにより、弾性波素子１２と２２とは空隙２６を挟み対向する。 As shown in FIG. 5(a), an acoustic wave element 12 is formed on a piezoelectric substrate 10b. Wiring 14 is formed on piezoelectric substrate 10b and via wiring 16. An annular metal layer 34 is formed on the annular metal layer 32 . As shown in FIG. 5(b), the inner region of the annular metal layer 32 is removed using an etching method. Thereby, a space 15 is formed between the annular metal layer 32 and the piezoelectric substrate 10b. As shown in FIG. 5(c), the substrate 20 is flip-chip mounted on the substrate 10 via the bumps 28. As a result, the acoustic wave elements 12 and 22 face each other with the air gap 26 in between.

その後、基板２０を囲むように、例えば錫銀半田からなる封止金属層３０を形成する。封止金属層３０は環状金属層３４と接合する。封止金属層３０および基板２０上にリッド３６を設ける。リッド３６は設けられてなくてもよい。支持基板１０ａの下面をＣＭＰ法等を用い研磨する。これにより、ビア配線１６が支持基板１０ａの下面に露出する。ビア配線１６に接触する端子１８を形成する。基板１０を切断する。これにより、弾性波デバイスが個片化される。封止金属層３０およびリッド３６を囲む保護膜３８を形成する。これにより、図１（ａ）および図１（ｂ）の弾性波デバイスが製造される。 Thereafter, a sealing metal layer 30 made of, for example, tin-silver solder is formed to surround the substrate 20. The sealing metal layer 30 is joined to the annular metal layer 34 . A lid 36 is provided on the sealing metal layer 30 and the substrate 20. The lid 36 may not be provided. The lower surface of the support substrate 10a is polished using a CMP method or the like. As a result, the via wiring 16 is exposed on the lower surface of the support substrate 10a. A terminal 18 that contacts the via wiring 16 is formed. Cut the substrate 10. Thereby, the acoustic wave device is separated into pieces. A protective film 38 surrounding the sealing metal layer 30 and the lid 36 is formed. As a result, the acoustic wave devices shown in FIGS. 1(a) and 1(b) are manufactured.

［比較例１］
図６（ａ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの断面図である。図６（ａ）に示すように、比較例１の弾性波デバイスでは、圧電基板１０ｂに空間１５が設けられておらず、環状金属層３２と圧電基板１０ｂとが接している。 [Comparative example 1]
FIG. 6(a) is a cross-sectional view of an acoustic wave device according to Comparative Example 1. As shown in FIG. 6A, in the acoustic wave device of Comparative Example 1, the space 15 is not provided in the piezoelectric substrate 10b, and the annular metal layer 32 and the piezoelectric substrate 10b are in contact with each other.

図６（ｂ）は、比較例１の断面ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）画像の模式図である。作製した弾性波デバイスでは、支持基板１０ａは厚さが約１００μｍのサファイア基板である。圧電基板１０ｂは厚さが約２０μｍの４２°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板である。環状金属層３２は厚さが約２０μｍの銅層である。環状金属層３４は厚さが約０．１μｍのチタン層、厚さが約２．５μｍのニッケル層および厚さが約０．２μｍの金層の積層膜である。封止金属層３０は錫銀層である。図６（ｂ）に示すように、圧電基板１０ｂにクラック６０が生じている。 FIG. 6(b) is a schematic diagram of a cross-sectional SEM (Scanning Electron Microscope) image of Comparative Example 1. In the produced acoustic wave device, the support substrate 10a is a sapphire substrate with a thickness of about 100 μm. The piezoelectric substrate 10b is a 42° rotated Y-cut, X-propagating lithium tantalate substrate with a thickness of approximately 20 μm. The annular metal layer 32 is a copper layer with a thickness of approximately 20 μm. The annular metal layer 34 is a laminated film of a titanium layer with a thickness of approximately 0.1 μm, a nickel layer with a thickness of approximately 2.5 μm, and a gold layer with a thickness of approximately 0.2 μm. The sealing metal layer 30 is a tin-silver layer. As shown in FIG. 6(b), a crack 60 has occurred in the piezoelectric substrate 10b.

表１は主な材料の線膨張係数を示す表である。タンタル酸リチウム（ＬＴ）、サファイア、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、Ｓｎ－０．３Ａｇ－０．７Ｃｕ合金、Ｓｎ－３．５Ａｇ合金およびＳｎ－３Ａｇ－０．５Ｃｕ合金の線膨張係数を示している。タンタル酸リチウムのＸ、ＹおよびＺは結晶方位のＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向の線膨張係数を示す。合金の数字は重量％を示す。

Figure 0007370146000001
Table 1 is a table showing linear expansion coefficients of main materials. Lithium tantalate (LT), sapphire, copper (Cu), nickel (Ni), tin (Sn), Sn-0.3Ag-0.7Cu alloy, Sn-3.5Ag alloy and Sn-3Ag-0.5Cu alloy It shows the coefficient of linear expansion of . X, Y, and Z of lithium tantalate indicate linear expansion coefficients in the X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction of crystal orientation. Alloy numbers indicate weight percent.
Figure 0007370146000001

表１に示すように、各材料間の線膨張係数の差が大きい。特に封止金属層３０として錫を含む半田を用いると、封止金属層３０の線膨張係数は圧電基板１０ｂとの線膨張係数に比べ非常に大きい。これにより、圧電基板１０ｂに熱応力が加わる。圧電基板１０ｂは、金属および支持基板１０ａに比べ脆いため、圧電基板１０ｂに熱応力が加わるとクラックが導入される等の劣化が生じると考えられる。 As shown in Table 1, there is a large difference in linear expansion coefficient between the materials. In particular, when solder containing tin is used as the sealing metal layer 30, the linear expansion coefficient of the sealing metal layer 30 is much larger than that of the piezoelectric substrate 10b. This applies thermal stress to the piezoelectric substrate 10b. Since the piezoelectric substrate 10b is more brittle than metal and the support substrate 10a, it is thought that if thermal stress is applied to the piezoelectric substrate 10b, deterioration such as cracking will occur.

実施例１によれば、圧電基板１０ｂ（第１圧電基板）は、支持基板１０ａ上に接合されている。環状金属層３２および３４は、支持基板１０ａ上に設けられ、平面視において弾性波素子１２を囲む。基板２０（チップ）は、圧電基板１０ｂ上に圧電基板１０ｂと空隙２６を挟み向かい合うように搭載されている。封止金属層３０は、基板２０を囲み環状金属層３４と接合し、弾性波素子１２を空隙２６に封止する。このような弾性波デバイスにおいて、環状金属層３２および３４は、平面視において圧電基板１０ｂと間隔（空間１５）を空けて設けられている。これにより、封止金属層３０と圧電基板１０ｂ等との線膨張係数の差に起因する熱応力が圧電基板１０ｂに加わることを抑制できる。よって、クラック６０の圧電基板１０ｂへの導入等の圧電基板１０ｂの劣化を抑制できる。 According to Example 1, the piezoelectric substrate 10b (first piezoelectric substrate) is bonded onto the support substrate 10a. The annular metal layers 32 and 34 are provided on the support substrate 10a and surround the acoustic wave element 12 in plan view. The substrate 20 (chip) is mounted on the piezoelectric substrate 10b so as to face the piezoelectric substrate 10b with a gap 26 in between. The sealing metal layer 30 surrounds the substrate 20 and is bonded to the annular metal layer 34 to seal the acoustic wave element 12 in the gap 26 . In such an acoustic wave device, the annular metal layers 32 and 34 are provided with an interval (space 15) from the piezoelectric substrate 10b in plan view. Thereby, thermal stress caused by the difference in linear expansion coefficient between the sealing metal layer 30 and the piezoelectric substrate 10b can be suppressed from being applied to the piezoelectric substrate 10b. Therefore, deterioration of the piezoelectric substrate 10b such as introduction of cracks 60 into the piezoelectric substrate 10b can be suppressed.

封止金属層３０の線膨張係数が圧電基板１０ｂの線膨張係数より大きいと圧電基板１０ｂに応力が加わりやすい。よって、空間１５を設けることが好ましい。特に、封止金属層３０が錫を主成分とする半田である場合、封止金属層３０の線膨張係数が大きくなる。よって、空間１５を設けることが好ましい。なお、錫を主成分とするとは５０重量％以上が錫であることを意味し、錫は８０重量％以上が好ましい。圧電基板１０ｂがタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である場合、圧電基板１０ｂに応力が加わると、圧電基板１０ｂが劣化しやすい。よって、空間１５を設けることが好ましい。 If the linear expansion coefficient of the sealing metal layer 30 is larger than the linear expansion coefficient of the piezoelectric substrate 10b, stress is likely to be applied to the piezoelectric substrate 10b. Therefore, it is preferable to provide the space 15. In particular, when the sealing metal layer 30 is made of solder containing tin as a main component, the linear expansion coefficient of the sealing metal layer 30 becomes large. Therefore, it is preferable to provide the space 15. Incidentally, the term "containing tin as a main component" means that 50% by weight or more is tin, and the content of tin is preferably 80% by weight or more. When the piezoelectric substrate 10b is a lithium tantalate substrate or a lithium niobate substrate, when stress is applied to the piezoelectric substrate 10b, the piezoelectric substrate 10b tends to deteriorate. Therefore, it is preferable to provide the space 15.

環状金属層３２と支持基板１０ａとの間には圧電基板１０ｂは設けられていない。これにより、圧電基板１０ｂが劣化することを抑制できる。圧電基板１０ｂが支持基板１０ａに接する場合、環状金属層３２は支持基板１０ａに接して設けられている。圧電基板１０ｂと支持基板１０ａとの間に絶縁膜が設けられている場合、環状金属層３２は支持基板１０ａに接してもよいし、絶縁膜に接してもよい。 The piezoelectric substrate 10b is not provided between the annular metal layer 32 and the support substrate 10a. Thereby, deterioration of the piezoelectric substrate 10b can be suppressed. When the piezoelectric substrate 10b is in contact with the support substrate 10a, the annular metal layer 32 is provided in contact with the support substrate 10a. When an insulating film is provided between the piezoelectric substrate 10b and the support substrate 10a, the annular metal layer 32 may be in contact with the support substrate 10a or the insulating film.

封止金属層３０は、環状金属層３２および３４以外では支持基板１０ａおよび圧電基板１０ｂに接合されていない。これにより、圧電基板１０ｂが劣化することを抑制できる。 The sealing metal layer 30 is not bonded to the support substrate 10a and the piezoelectric substrate 10b except for the annular metal layers 32 and 34. Thereby, deterioration of the piezoelectric substrate 10b can be suppressed.

圧電基板１０ｂの厚さを弾性波の波長以下とすることで、損失を抑制できる。また、支持基板１０ａの反りを抑制できる。これにより、バンプ２８に加わる応力を抑制できる。さらに、低背化を実現できる。支持基板１０ａと圧電基板１０ｂとの間に絶縁膜を有する場合、支持基板１０ａの上面と圧電基板１０ｂの上面との距離は弾性波の波長の２倍以下が好ましい。これにより、損失を抑制できる。 Loss can be suppressed by making the thickness of the piezoelectric substrate 10b equal to or less than the wavelength of the elastic wave. Further, warping of the support substrate 10a can be suppressed. Thereby, stress applied to the bumps 28 can be suppressed. Furthermore, the height can be reduced. When an insulating film is provided between the support substrate 10a and the piezoelectric substrate 10b, the distance between the upper surface of the support substrate 10a and the upper surface of the piezoelectric substrate 10b is preferably twice or less the wavelength of the elastic wave. Thereby, loss can be suppressed.

空間１５の幅Ｌは、１μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましく、圧電基板１０ｂの厚さ以上が好ましい。これにより、圧電基板１０ｂの劣化を抑制できる。空間１５の幅Ｌは、１００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。これにより、弾性波デバイスを小型化できる。 The width L of the space 15 is preferably at least 1 μm, more preferably at least 5 μm, and preferably at least the thickness of the piezoelectric substrate 10b. Thereby, deterioration of the piezoelectric substrate 10b can be suppressed. The width L of the space 15 is preferably 100 μm or less, more preferably 20 μm or less. This allows the elastic wave device to be miniaturized.

［実施例１の変形例１］
図７は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの断面図である。図７に示すように、実施例１の変形例１では、環状金属層３２の代わりに圧電基板１０ｃが設けられている。圧電基板１０ｃ上に環状金属層３４が設けられている。圧電基板１０ｃは圧電基板１０ｂと同じ材料であり同じ厚さである。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。 [Modification 1 of Example 1]
FIG. 7 is a cross-sectional view of an acoustic wave device according to Modification 1 of Example 1. As shown in FIG. 7, in the first modification of the first embodiment, a piezoelectric substrate 10c is provided in place of the annular metal layer 32. An annular metal layer 34 is provided on the piezoelectric substrate 10c. The piezoelectric substrate 10c is made of the same material and has the same thickness as the piezoelectric substrate 10b. The other configurations are the same as those in Example 1, and their explanation will be omitted.

図８（ａ）から図８（ｄ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図８（ａ）に示すように、実施例１の図３（ａ）から図３（ｄ）の工程を行う。このとき、開口１７ｃの代わりに空間１５となる開口１７ｄを形成する。 FIGS. 8A to 8D are cross-sectional views showing a method for manufacturing an acoustic wave device according to Modification 1 of Example 1. FIGS. As shown in FIG. 8(a), the steps of FIG. 3(a) to FIG. 3(d) of Example 1 are performed. At this time, an opening 17d that becomes the space 15 is formed instead of the opening 17c.

図８（ｂ）に示すように、実施例１の図４（ａ）から図４（ｃ）に工程を行う。これにより、開口１７ｄ内に犠牲金属層３３が埋め込まれる。図８（ｃ）に示すように、実施例１の図５（ａ）の工程を行う。これにより、圧電基板１０ｃ上に環状金属層３４が形成される。図８（ｃ）に示すように、犠牲金属層３３を例えばエッチング法により除去する。これにより、空間１５が形成される。その後、実施例１の図５（ｃ）の工程を行うことで、図７の弾性波デバイスが製造される。 As shown in FIG. 8(b), the steps from FIG. 4(a) to FIG. 4(c) of Example 1 are performed. As a result, the sacrificial metal layer 33 is embedded in the opening 17d. As shown in FIG. 8(c), the process of FIG. 5(a) of Example 1 is performed. Thereby, an annular metal layer 34 is formed on the piezoelectric substrate 10c. As shown in FIG. 8C, the sacrificial metal layer 33 is removed by, for example, an etching method. As a result, a space 15 is formed. Thereafter, the process of FIG. 5(c) of Example 1 is performed to manufacture the acoustic wave device of FIG. 7.

実施例１の変形例１によれば、圧電基板１０ｃ（第２圧電基板）は、圧電基板１０ｂを囲み圧電基板１０ｂから間隔を空けて設けられている。これにより、環状金属層３４が圧電基板１０ｂ上に設けられていても、圧電基板１０ｂと１０ｃとの間に空間１５が存在するため、弾性波素子１２付近の圧電基板１０ｂが劣化することを抑制できる。圧電基板１０ｃの内側の側面は環状金属層３４の内側の側面より内側に位置してもよい。小型化のため、圧電基板１０ｃの内側の側面と環状金属層３４の内側の側面との距離は１０μｍ以下が好ましい。 According to the first modification of the first embodiment, the piezoelectric substrate 10c (second piezoelectric substrate) surrounds the piezoelectric substrate 10b and is spaced apart from the piezoelectric substrate 10b. As a result, even if the annular metal layer 34 is provided on the piezoelectric substrate 10b, since the space 15 exists between the piezoelectric substrates 10b and 10c, deterioration of the piezoelectric substrate 10b near the acoustic wave element 12 is suppressed. can. The inner side surface of the piezoelectric substrate 10c may be located inside the inner side surface of the annular metal layer 34. For miniaturization, the distance between the inner side surface of the piezoelectric substrate 10c and the inner side surface of the annular metal layer 34 is preferably 10 μm or less.

［実施例１の変形例２］
図９は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの断面図である。図９に示すように、実施例１の変形例２では、環状金属層３２が設けられておらず、支持基板１０ａの上面に環状金属層３４が直接設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。 [Modification 2 of Example 1]
FIG. 9 is a cross-sectional view of an acoustic wave device according to a second modification of the first embodiment. As shown in FIG. 9, in the second modification of the first embodiment, the annular metal layer 32 is not provided, and the annular metal layer 34 is directly provided on the upper surface of the support substrate 10a. The other configurations are the same as those in Example 1, and their explanation will be omitted.

図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図１０（ａ）に示すように、実施例１の図３（ａ）から図４（ｃ）の工程を行う。その後、図５（ａ）において環状金属層３４を形成しない。図１０（ｂ）に示すように、環状金属層３２を例えばエッチング法を用い除去する。これにより、環状金属層３２が形成されていた領域に開口１７ｃが形成される。図１０（ｃ）に示すように、開口１７ｃ内の支持基板１０ａの上面に環状金属層３４を形成する。その後、実施例１の図５（ｃ）の工程を行うことで、図７の弾性波デバイスが製造される。 10(a) to 10(c) are cross-sectional views showing a method of manufacturing an acoustic wave device according to a second modification of the first embodiment. As shown in FIG. 10(a), the steps of FIG. 3(a) to FIG. 4(c) of Example 1 are performed. After that, the annular metal layer 34 is not formed in FIG. 5(a). As shown in FIG. 10(b), the annular metal layer 32 is removed using, for example, an etching method. As a result, an opening 17c is formed in the region where the annular metal layer 32 was formed. As shown in FIG. 10(c), an annular metal layer 34 is formed on the upper surface of the support substrate 10a within the opening 17c. Thereafter, the process of FIG. 5(c) of Example 1 is performed to manufacture the acoustic wave device of FIG. 7.

実施例１の変形例２では、環状金属層３４の材料はビア配線１６の材料と異なる。また、環状金属層３４の厚さは圧電基板１０ｂより薄い。圧電基板１０ｂの厚さを弾性波の波長以下として場合には、環状金属層３４の厚さが圧電基板１０ｂより厚くなってもよい。このように、環状金属層の厚さおよび材料は任意に設定できる。 In the second modification of the first embodiment, the material of the annular metal layer 34 is different from the material of the via wiring 16. Further, the thickness of the annular metal layer 34 is thinner than that of the piezoelectric substrate 10b. When the thickness of the piezoelectric substrate 10b is set to be less than or equal to the wavelength of the elastic wave, the thickness of the annular metal layer 34 may be thicker than the piezoelectric substrate 10b. In this way, the thickness and material of the annular metal layer can be set arbitrarily.

実施例１およびその変形例では、弾性波素子２２として圧電薄膜共振器の例を説明したが、弾性波素子２２は弾性表面波共振器でもよい。基板２０の下面に設けられる機能素子として弾性波素子２２の例を説明したが、機能素子は、インダクタまたはキャパシタ等の受動素子、トランジスタを含む能動素子、またはＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子でもよい。 In the first embodiment and its modifications, the piezoelectric thin film resonator is used as the acoustic wave element 22, but the acoustic wave element 22 may be a surface acoustic wave resonator. Although an example of the acoustic wave device 22 has been described as a functional device provided on the lower surface of the substrate 20, the functional device may be a passive device such as an inductor or a capacitor, an active device including a transistor, or a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) device. .

実施例２は、フィルタおよびデュプレクサの例である。図１１（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図である。図１１（ａ）に示すように、入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続されている。入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ４が並列に接続されている。実施例２のフィルタを弾性波素子１２および／または２２で形成してもよい。直列共振器および並列共振器の個数等は適宜設定できる。フィルタとしてラダー型フィルタを例に説明したが、フィルタは多重モード型フィルタでもよい。 Example 2 is an example of a filter and a duplexer. FIG. 11(a) is a circuit diagram of a filter according to the second embodiment. As shown in FIG. 11(a), one or more series resonators S1 to S4 are connected in series between the input terminal T1 and the output terminal T2. One or more parallel resonators P1 to P4 are connected in parallel between the input terminal T1 and the output terminal T2. The filter of the second embodiment may be formed of the acoustic wave elements 12 and/or 22. The number of series resonators and parallel resonators can be set as appropriate. Although the filter has been described using a ladder filter as an example, the filter may be a multimode filter.

図１１（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。図１１（ｂ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ５０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ５２が接続されている。送信フィルタ５０は、送信端子Ｔｘから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ５２は、共通端子Ａｎｔから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ５０および受信フィルタ５２の少なくとも一方を実施例２のフィルタとすることができる。また、送信フィルタ５０を弾性波素子１２で形成し、受信フィルタ５２を弾性波素子２２で形成してもよい。 FIG. 11(b) is a circuit diagram of a duplexer according to a first modification of the second embodiment. As shown in FIG. 11(b), a transmission filter 50 is connected between the common terminal Ant and the transmission terminal Tx. A reception filter 52 is connected between the common terminal Ant and the reception terminal Rx. The transmission filter 50 passes a signal in the transmission band among the high frequency signals inputted from the transmission terminal Tx to the common terminal Ant as a transmission signal, and suppresses signals of other frequencies. The reception filter 52 passes a signal in the reception band among the high-frequency signals inputted from the common terminal Ant to the reception terminal Rx as a reception signal, and suppresses signals at other frequencies. At least one of the transmission filter 50 and the reception filter 52 can be the filter of the second embodiment. Alternatively, the transmission filter 50 may be formed of the elastic wave element 12 and the reception filter 52 may be formed of the elastic wave element 22.

マルチプレクサとしてデュプレクサを例に説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。 Although a duplexer has been described as an example of a multiplexer, a triplexer or a quadplexer may also be used.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to these specific embodiments, and various modifications and variations can be made within the scope of the gist of the present invention as described in the claims. Changes are possible.

１０ａ 支持基板
１０ｂ、１０ｃ 圧電基板
１２、２２ 弾性波素子
１４、２４ 配線
１５ 空間
１６ ビア配線
１８ 端子
２０ 基板
２６ 空隙
２８ バンプ
３０ 封止金属層
３２、３４ 環状金属層
３６ リッド
５０ 送信フィルタ
５２ 受信フィルタ 10a Support substrate 10b, 10c Piezoelectric substrate 12, 22 Acoustic wave element 14, 24 Wiring 15 Space 16 Via wiring 18 Terminal 20 Substrate 26 Gap 28 Bump 30 Sealing metal layer 32, 34 Annular metal layer 36 Lid 50 Transmission filter 52 Reception filter

Claims (8)

支持基板と、
前記支持基板上に接合された第１圧電基板と、
前記第１圧電基板上に設けられた弾性波素子と、
平面視において前記弾性波素子を囲むように、前記支持基板上に前記第１圧電基板と間隔を空けて設けられた環状金属層と、
前記第１圧電基板上に前記第１圧電基板と空隙を挟み向き合うように搭載されたチップと、
前記チップを囲み前記環状金属層と接合し、前記弾性波素子を前記空隙に封止する封止金属層と、
前記第１圧電基板を囲み前記第１圧電基板から間隔を空けて設けられた第２圧電基板と、
を備え、
前記環状金属層は前記第２圧電基板上に設けられている弾性波デバイス。 a support substrate;
a first piezoelectric substrate bonded onto the support substrate;
an acoustic wave element provided on the first piezoelectric substrate;
an annular metal layer provided on the support substrate at a distance from the first piezoelectric substrate so as to surround the acoustic wave element in a plan view;
a chip mounted on the first piezoelectric substrate so as to face the first piezoelectric substrate across a gap;
a sealing metal layer that surrounds the chip and is bonded to the annular metal layer and seals the acoustic wave element in the gap;
a second piezoelectric substrate surrounding the first piezoelectric substrate and spaced apart from the first piezoelectric substrate;
Equipped with
The annular metal layer is an acoustic wave device provided on the second piezoelectric substrate. 前記封止金属層の線膨張係数は前記第１圧電基板の線膨張係数より大きい請求項１に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 1, wherein the linear expansion coefficient of the sealing metal layer is larger than that of the first piezoelectric substrate. 前記封止金属層は、錫を主成分とする半田である請求項１に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 1 , wherein the sealing metal layer is a solder containing tin as a main component. 前記第１圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である請求項３に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 3 , wherein the first piezoelectric substrate is a lithium tantalate substrate or a lithium niobate substrate. 前記チップおよび前記封止金属層上に設けられたリッドを備える請求項１から４のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 1 , further comprising a lid provided on the chip and the sealing metal layer. 前記封止金属層は、前記環状金属層以外では前記支持基板および前記第１圧電基板と接合しない請求項１から５のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to any one of claims 1 to 5 , wherein the sealing metal layer is not bonded to the support substrate and the first piezoelectric substrate except at the annular metal layer. 請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波デバイスを含むフィルタ。 A filter comprising the elastic wave device according to any one of claims 1 to 6 . 請求項７に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
A multiplexer comprising a filter according to claim 7 .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102408004B1 (en) * 2020-09-24 2022-06-13 (주)와이솔 Surface Acoustic Wave element assembly and manufacturing method thereof
WO2022244746A1 (en) * 2021-05-20 2022-11-24 株式会社村田製作所 Elastic wave device and method for manufacturing same
WO2023199861A1 (en) * 2022-04-12 2023-10-19 株式会社村田製作所 High-frequency module and communication device
WO2023199862A1 (en) * 2022-04-12 2023-10-19 株式会社村田製作所 High frequency module and communication device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009200093A (en) 2008-02-19 2009-09-03 Murata Mfg Co Ltd Hollow type electronic component
JP2012119928A (en) 2010-11-30 2012-06-21 Kyocera Corp Elastic wave device and method of manufacturing the same
JP2016152612A (en) 2015-02-19 2016-08-22 太陽誘電株式会社 Elastic wave device
JP2017147708A (en) 2016-02-19 2017-08-24 太陽誘電株式会社 Acoustic wave device
JP2017169139A (en) 2016-03-17 2017-09-21 太陽誘電株式会社 Acoustic wave device
JP2017212628A (en) 2016-05-26 2017-11-30 太陽誘電株式会社 Acoustic wave device
JP2018101913A (en) 2016-12-20 2018-06-28 太陽誘電株式会社 Electronic component and manufacturing method of the same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009200093A (en) 2008-02-19 2009-09-03 Murata Mfg Co Ltd Hollow type electronic component
JP2012119928A (en) 2010-11-30 2012-06-21 Kyocera Corp Elastic wave device and method of manufacturing the same
JP2016152612A (en) 2015-02-19 2016-08-22 太陽誘電株式会社 Elastic wave device
JP2017147708A (en) 2016-02-19 2017-08-24 太陽誘電株式会社 Acoustic wave device
JP2017169139A (en) 2016-03-17 2017-09-21 太陽誘電株式会社 Acoustic wave device
JP2017212628A (en) 2016-05-26 2017-11-30 太陽誘電株式会社 Acoustic wave device
JP2018101913A (en) 2016-12-20 2018-06-28 太陽誘電株式会社 Electronic component and manufacturing method of the same

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