JP4072060B2 - 可変容量コンデンサを有する装置、とりわけ高周波マイクロスイッチ - Google Patents
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Description
本発明は独立請求項の上位概念に記載された、共面導波体のインピーダンスを変化するための可変容量コンデンサを有する、とりわけマイクロデバイス技術で製作された装置に関する。
【0002】
従来の技術
未公開の出願DE10037385.2にはマイクロデバイス技術で製作された高周波スイッチが記載されており、このスイッチは薄い金属ブリッジを有している。この薄い金属ブリッジは所定の長さで共面導波体の信号線路に使用され、信号線路をそこに収容する。さらに金属ブリッジの下方に導電性の接続部を、信号線路に対して平行に案内される共面導波体の2つのアース線路間に設けることが提案されている。この接続部の表面にはブリッジの下方で誘電層が設けられている。従って金属ブリッジは導電接続部と共にコンデンサを形成し、このコンデンサにより共面導波体の該当する部材のインピーダンスを変化することができる。高周波スイッチの動作時にはブリッジを、静電的にないしは適切な電圧をコンデンサに印加することにより誘電層に吸着することができる。このことによって、ブリッジおよび導電接続部によって形成されるプレートコンデンサのキャパシタンスが増大される。このことは導波体に案内される電磁波の電波特性に影響を及ぼす。とりわけオフ状態、すなわち金属ブリッジが下方にあるときは、出力の大部分が反射され、オン状態、すなわち金属ブリッジが上方にあるときは、出力の大部分が伝達される。
【0003】
発明の利点
可変容量コンデンサを有する本発明の装置は従来技術に対して、装置の駆動時に発生する温度変化が、この装置において温度に依存するマイクロデバイス特性を引き起こさないという利点を有する。
【0004】
とりわけ有利にはU字状の付加的な構造体を設け、この構造体により第2接続部を少なくとも片側で懸架することによって、面内応力の調整が可能である。すなわちこの構造体は有利には、内在的応力および/または熱的に誘発された応力の大部分が第2接続部を形成するブリッジ内で減衰するように作用する。とりわけ有利には、このブリッジないしは第2接続部が曲げモーメントにより面外に傾斜するときの復元力が、片側で固定される薄いバーと同様であるようにし、取り付けられた構造体の面外曲げ剛性を無視できるようにする。
【0005】
さらに、第2接続部により形成されるブリッジの曲げ剛性がブリッジ材料の弾性係数の温度経過にわたってほとんど温度に依存しないようにすると有利である。
【0006】
マイクロデバイス技術では基板材料としてシリコンが多様に使用される。これはシリコンが(その導電性ゆえに第2接続部を実現するのに使用される)他の通常の材料よりも格段に小さな熱膨張係数を有するからである。従って導電接続のための第2接続部に対する材料として、モリブデン、タングステンまたはタンタルを使用するのが有利である。
【0007】
特に有利にはモリブデンを使用する。なぜならモリブデンは4*10- 6/Kの熱膨張係数を有し、これはシリコンの2.7*10- 6/Kに近いからである。またアルミニウムのような他の材料が70GPaであるのに対し、340GPaのように比較的高い弾性係数を有するからである。
【0008】
モリブデン、タンタルまたはタングステンを使用することにより、温度変化は全くまたは僅かにしか、第2接続部内での応力形成に寄与せず、またこのような温度変化によって所要のスイッチング電圧または装置に発生するスイッチング時間が不所望に影響を受けることがない。とりわけこの応力が低減されることにより、切り換え時に力、とりわけ復元力が発生しても、第2接続部の運動への影響が取り払われる。
【0009】
モリブデン、タンタルまたはタングステンの高い弾性係数はとりわけ、第2接続部により形成されるブリッジが十分な曲げ剛性を有するという利点をもたらす。
【0010】
本発明の有利な改善形態は従属請求項に記載された手段から得られる。
【0011】
例えばモリブデン、タンタルまたはタングステンが第2接続部に対する材料として、また同時に挿入される構造体に対する材料として使用されると有利である。
【0012】
付加的な構造体を設けることの利点は、この構造体の所期の形状付与および構成を介して、付加的なインダクタンスが本発明の装置の等価回路にもたらされることであり、この付加的インダクタンスを介してこの装置の挿入減衰度を低減することができる。
【0013】
図面
本発明を図面に基づき、以下に詳細に説明する。
【0014】
図1は、本発明の装置の平面図である。
【0015】
図2は、図1の斜視図である。
【0016】
図3は、本発明の装置の等価回路である。
【0017】
実施例の説明
図1は実施例として、マイクロデバイス技術で作製された高周波短絡スイッチを示す。ここでは例えば厚さ100μmから500μmの高抵抗のシリコンからなる支持体90の上に絶縁層100が僅かな損失角で設けられている。この絶縁層は例えば二酸化ケイ素からなり、厚さは100nmから3μmである。この絶縁層の上に共面導波体が取り付けられている。共面導波体は共面であり、かつ導電性の3つの線路を有している。これら線路は少なくとも局所的に相互に実質的に平行に案内されている。共面導波体の線路は有利には金属で構成されており、絶縁層100の上にまず例えば種金属のスパッタリングにより、そして後で行う1つまたは複数のメッキプロセスステップにより形成される。共面導波体の3つの線路のうち外側の2つは第1アース線路110と第2アース線路111に相当し、中央の線路は共面導波体の信号線路120に相当する。図1には、このような絶縁層100に案内された共面導波体のうち、本発明の装置に対して重要な部分だけが示されている。
【0018】
共面導波体の2つのアース線路110,111は、金属からなる導電性の第1接続部130によって接続されている。この第1接続部は一部の領域で扁平に絶縁層100に取り付けられており、アース線路110,11の高さに対して低い高さを有している。このようにして第1接続部130はアース線路110,111を、絶縁層100にあるその脚部で短絡ブリッジの形態で接続する。第1接続部130の領域ではさらに、共面導波体の信号線路120が遮断されている。すなわち第1接続部130は信号線路120と導電的に接続されていない。とりわけ第1接続部130上には、信号線路120の遮断領域内で図1では見えない誘電層140が取り付けられている。
【0019】
図1ではさらに、遮断された信号線路120に第2導電接続部121が設けられている。この第2接続部121は金属接続ブリッジまたは信号ブリッジの形態にあり、遮断された信号線路120の端部間に嵌め込まれており、絶縁層100の面に対して所定の間隔をおいて、これに対してまず平行に案内されている。ここで第2接続部121と絶縁層100ないし第1接続部130との間隔は信号線路120の高さにほぼ相応する。このことにより、第2接続部121への力が存在しないとき、第2接続部121は遮断された信号線路120の端部間で少なくともほぼ片持ちで浮揚している。
【0020】
第2接続部121は有利にはモリブデンから作製される。しかしシリコンに対して類似の熱膨張係数を有し、他の金属、例えばアルミニウムに対して高い弾性係数を有する他の導電材料も適する。その典型的な寸法は20μm×150μm、および100μm×600μmであり、厚さは0.5μmから1.5μmである。
【0021】
さらに図1には、有利には扁平なテープとして構成された第2接続部121と信号線路120との間に、これら2つと接続された構造体150の設けられていることが示されている。この構造体はU字形またはメアンダ状に、第2接続部121のテープ平面を扁平に延在するばねとして構成されている。この構造体150は、第2接続部121に発生する機械的応力を低減させる。この機械的応力はとりわけ温度変動の際に発生するか、または内在するものである。
【0022】
構造体150はさらに図1では、片持ちされた導電性第2接続部121を信号線路120の配属された部材と共に懸架し、これと接続するために用いられる。このために構造体150は図示のように第2接続部121の一方の端部または択一的に両方の端部に設けることができる。とりわけ同じように、構造体150を一部の領域で、例えば中央で第2接続部121に嵌め込むこともできる。
【0023】
有利には第2接続部121と構造体150とは一体として構成されている。すなわち構造体150は第2接続部121の構造的な一部である。
【0024】
図2は、図1の本発明の装置の一部を斜視図に示す。ここでも誘電層140並びに誘電層140の下に案内された第1アース線路110および第2アース線路111を導電的に接続する第1接続部130が示されている。
【0025】
図3には本発明の装置の等価回路が示されている。ここで2つのアース線路110,111は共面導波体のただ1つの線路の形態で示されている。なぜならこれらは同じ電位だからである。その他に共面導波体の信号線路120が図3に示されている。信号線路120とアース線路110,111との間にはコンデンサ200(C(U))が配置されている。さらにこの個所では第1のインダクタンス221(L1)も得られる。このインダクタンスは図1ないし図2では実質的に第1接続部130によって実現される。
【0026】
第1インダクタンス221(L1)は第1接続部130の構造体によって定義することができる。この第1接続部はアース線路110,11間の直流電圧短絡部として作用する。ここでこのインダクタンスはとりわけ第1接続部130の長さ対幅比の位置的変動またはその形状、例えばメアンダ状等により設定することができる。
【0027】
図3のコンデンサ20は少なくとも部分的に第1接続部130および第2接続部121によって実現される。ここでこのキャパシタンスは次のようにして変化可能である。すなわち第2接続部121が、適切な電圧とりわけ直流電圧を信号線路120とアース線路110,111との間に印加する際に機械的に変形し、これにより少なくとも部分的領域において第1接続部130への間隔を変化することにより可能である。とりわけコンデンサ200は第2接続部120が変形しない状態、すなわち直流電圧Uが印加されない状態、すなわちオン状態ではキャパシタンスConを有し、直流電圧Uが印加され、これにより第2接続部が静止位置から誘電層140の方向へ撓むとき、すなわちオフ状態ではキャパシタンスCoffを有する。
【0028】
U字形のばねの形状に設けられた構造体150はさらに、これと接続された電流経路狭窄部および電流経路延長部によって直列に接続された第2インダクタンス220(L2)として作用する。この第2インダクタンスはとりわけ周波数が高い場合に付加的反射を引き起こす。図3の等価回路では、第2インダクタンス220は装置の挿入減衰度を低減する。この挿入減衰度はとりわけキャパシタンスConの反射により定められる。この点でこのキャパシタンスConはインダクタンスL2により補償することができ、インダクタンスL2はとりわけ簡単に構造体150の適切な構成と構造によって実現することができる。有利にはインダクタンスL2は、信号線路120のインピーダンスZLに対してそれぞれの動作周波数で次式が当てはまるように調整される。
【0029】
【数1】
【0030】
さらに直流電圧短絡部、すなわち第1接続部130の適切な構成と形状付与によって、形成されたプレートコンデンサ200に対し直列に配置された第1インダクタンス221(L1)を、本発明の装置のそれぞれの動作周波数において次のように調整して、直列共振回路が形成されるようにすることができる。すなわちこの直列共振回路の共振周波数νresが、第2接続部121の遮断状態では装置の動作周波数において次式が当てはまるように調整するのである。
【0031】
【数2】
【0032】
オン状態、すなわち第2接続部ないしブリッジ121が絶縁層100に対して比較的大きな間隔で存在する状態では、装置はプレートコンデンサ200のキャパシタンスが小さいことによってこの共振周波数外で駆動される。そのため、高い挿入減衰度は得られない。前記装置の動作周波数はACC(適合型クルーズコントロール)またはSSR(ショートレンジレーダー)の領域で使用する場合、77GHzまたは24GHzである。
【0033】
図1と図2には機械的に変形可能な第2接続部121が次の場合に対して示されている。すなわち共面導波体の図示の部材が高い透過係数と低い反射係数を有する場合に対して示されている。第1接続部130と第接続部121との間隔(この間隔が誘電層140と共にコンデンサ200のキャパシタンスC(U)を実質的に定める)は図2では最大であり、約2μmから4μmである。第1接続部130と第2接続部121との間に直流電圧が印加される場合に対しては、静電吸引力が第1接続部130と第2接続部121との間に生じ、この静電吸引力によって第2接続部121は変形し、少なくとも部分的領域で、すなわち実質的に金属ブリッジの中央で、第1接続部130ないしは第1接続部130に設けられた誘電層140に向かって吸引される。この誘電層は例えば二酸化ケイ素または窒化ケイ素からなる。
【0034】
前記装置のおよびその機能についてのさらなる詳細は特許願DE10037385.2を参照されたい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、本発明の装置の平面図である。
【図2】 図2は、図1の斜視図である。
【図3】 図3は、本発明の装置の等価回路である。
Claims (8)
- 共面導波体の部材のインピーダンスを変化するための可変容量コンデンサを有する装置、とりわけ高周波マイクロスイッチであって、アース線路(110,111)と、少なくとも一部の領域で片持ちされた導電接続部(121)と、信号線路(120)とを有し、
前記導電接続部(121)と前記信号線路(120)とは構造体(150)によって分離されており、
前記コンデンサ(200)は導電接続部(121)と、アース線路(110,111)と接続された別の導電接続部(130)とを少なくとも部分的に含む形式のものにおいて、
前記構造体(150)は、前記導電接続部(121)と前記信号線路(120)とを電気的に接続し、
該構造体は、導電接続部(121)に発生する機械的応力を低減するように構成されており、
該構造体(150)は、前記導電接続部(121)の一方の端部または両方の端部でU字形またはメアンダ状のばねとして構成されており、
前記導電接続部(121)は少なくとも一部の領域でテープの形状に構成されており、
前記U字形またはメアンダ状のばねは、前記導電接続部(121)の前記テープの面に扁平に延在する、
ことを特徴とする装置。 - 前記構造体(150)は前記導電接続部(121)を、懸架形態で信号線路(120)の部材と接続する、請求項1記載の装置。
- 前記構造体(150)は一部の領域で導電接続部(121)に嵌め込まれているか、または前記導電接続部(121)は一部の領域で前記構造体(150)に構造化されており、
前記構造体(150)は導電接続部の懸架部を形成する、請求項1または2記載の装置。 - 前記構造体は内在的な機械適応力および/または熱変動により導電接続部(121)に発生する、とりわけ構造体(150)の面に対して平行な機械適応力を低減または抑圧するように構成されている、請求項1から3までのいずれか1項記載の装置。
- 導波体の信号線路(120)は、導電接続部(121)から所定の長さの構造体(150)により分離されており、
該構造体(150)の所定の長さは、当該信号線路のインピーダンスにより規定され、
別の導電接続部(130)が、信号線路(120)に対して平行に案内された、導波体の2つのアース線路(110,111)を、所定の長さにより定義された領域内で相互に接続する、請求項1から4までのいずれか1項記載の装置。 - 構造体(150)および/または導電接続部(121)は、シリコンと類似の熱膨張係数を有し、金属に対して高い弾性係数を有する材料、例えばモリブデン、タングステン、タンタル、またはタングステンから構成されている、請求項1から5までのいずれか1項記載の装置。
- コンデンサ(200)のキャパシタンス(C)の変化は、導電接続部(121)と別の導電接続部(130)との間の静電力によって作用する、請求項1から6までのいずれか1項記載の装置。
- 別の導電接続(130)は、コンデンサ(200)と直列の第1のインダクタンス(221)を形成する、請求項1から7までのいずれか1項記載の装置。
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