JP2003258502A - Rfmems素子 - Google Patents
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Abstract
3の上方側に可動体6を配置し、可動体6に可動電極1
0をコプレーナー線路3に対向させて形成する。可動体
6は、高周波信号に対しては絶縁体として振る舞い、か
つ、直流信号に対しては電極として振る舞う高抵抗半導
体により構成する。電極としての可動体6と可動用固定
電極12との間の直流電圧印加による静電引力によっ
て、可動体6が可動用固定電極12側に変位し、可動電
極10とコプレーナー線路3間の静電容量が可変する。
ガラス等の絶縁体は信号周波数が高くなるにつれて誘電
体損失が増加するのに対して、高抵抗半導体から成る可
動体6は信号周波数が高くなるに従って誘電体損失が低
下する特性を有し、高周波信号の誘電体損失を低減する
ことが容易となる。
Description
込まれるRF MEMS(microelectromechanical syst
ems)素子に関するものである。
一例が平面図により示され、図9(b)には図9(a)
のA−A部分の断面図が示されている(特許第3119255
号参照)。このマイクロマシンスイッチ40において、
基板41上には、第1の信号線42aと第2の信号線4
2bが互いに端部をギャップGを介し対向させて配置形
成されている。また、基板41上には下部電極43が第
1の信号線42aおよび第2の信号線42bと間隔を介
して形成されている。
電極43の近傍に配設されている。さらにまた、基板4
1の上方側には、第1の信号線42aおよび第2の信号
線42bの各端部の形成領域から下部電極43の形成領
域にかけての基板領域に間隔を介して対向する可動体4
4が配置されている。この可動体44は、固定部45に
梁46(46a,46b)を介して支持されている。
縁膜47が形成されており、この絶縁膜47上には、可
動用電極48が下部電極43に対向させて形成され、ま
た、接触電極50が第1の信号線42aの端部からギャ
ップGを介し第2の信号線42bの端部に至るまでの領
域に対向させて形成されている。
40では、例えば、下部電極43と可動用電極48間に
直流電圧を印加することにより、当該下部電極43と可
動用電極48間に静電引力が発生し、この静電引力によ
って梁46a,46bが撓んで可動体44が基板41側
に引き寄せられる。この可動体44の変位によって接触
電極50が信号線42a,42bの両方の端部に接触す
ることにより、信号線42a,42bは接触電極50を
介して導通する。このマイクロマシンスイッチ40で
は、そのように接触電極50が信号線42a,42bに
接触することによって信号線42a,42bの信号導通
がオンし、また、接触電極50が信号線42a,42b
から離れることによって信号線42a,42bの信号導
通がオフするという如く、スイッチング動作を行う。
ロマシンスイッチ40の構成では、可動体44は、シリ
コンにボロンを高濃度にドープした低抵抗シリコンによ
り構成されている。この低抵抗シリコンは誘電体損失が
大きいために、スイッチオン動作により接触電極50に
流れる高周波信号は、接触電極50での伝搬ロスが大き
いという問題がある。
れたものであり、その目的は、高周波信号の伝搬ロスの
低減が図れるRF MEMS素子を提供することにあ
る。
に、この発明は次に示す構成をもって前記課題を解決す
るための手段としている。すなわち、第1の発明は、基
板と、この基板上に形成される高周波信号導通部と、基
板の上方側に基板と間隔を介して配置され高周波信号導
通部の少なくとも一部分に間隔を介して対向する可動体
と、この可動体に形成され高周波信号導通部に対向する
可動電極と、静電引力を利用して前記可動体を基板に対
して遠近方向に変位させる可動体変位手段とを有するR
F MEMS素子であって、可動体は、高周波信号に対
しては絶縁体として振る舞い、かつ、低周波信号および
直流信号に対しては電極として振る舞う高抵抗半導体に
より構成されており、基板上には可動体の一部分に対向
する可動用固定電極が形成され、この可動用固定電極
と、前記電極として機能する可動体とは、当該可動用固
定電極と可動体間の直流電圧印加による静電引力によっ
て可動体を可動用固定電極側に変位させる可動体変位手
段を構成しており、この可動体変位手段による可動体の
変位によって高周波信号導通部と可動電極間の間隔が変
化して当該高周波信号導通部と可動電極間の静電容量が
可変する構成を備えていることを特徴としている。
可動体の上方側に間隔を介して対向する上部部材が配設
されており、可動用固定電極を基板上に設けるのに代え
て、可動用固定電極はその上部部材に可動体の少なくと
も一部分に対向させて形成されていることを特徴として
いる。
を備え、対向し合う高周波信号導通部の表面と可動電極
の表面とのうちの少なくとも一方には保護用の絶縁膜が
形成されていることを特徴としている。
明の構成を備え、高周波信号導通部を流れる高周波信号
の周波数は5GHz以上であることを特徴としている。
1つの発明の構成を備え、可動体を構成する高抵抗半導
体は、1000Ωcm以上、かつ、10000Ωcm以下の範囲内の
抵抗率を有していることを特徴としている。
1つの発明の構成を備え、RF MEMS素子は、可動
体の変位制御により高周波信号導通部と可動電極間の静
電容量が可変制御される可変容量素子であることを特徴
としている。
1つの発明の構成を備え、高周波信号導通部はコプレー
ナー線路であり、RF MEMS素子は、コプレーナー
線路と可動電極間の静電容量が大となって当該コプレー
ナー線路と可動電極間が高周波的に短絡することにより
コプレーナー線路の導通がオフし、また、コプレーナー
線路と可動電極間の静電容量が小となって当該コプレー
ナー線路と可動電極間が高周波的にオープンとなること
によりコプレーナー線路の導通がオンするスイッチ素子
であることを特徴としている。
1つの発明の構成を備え、高周波信号導通部は信号線路
と成し、当該信号線路は可動電極に対向する領域内に分
断部を有し、この分断部の両端の線路端部は可動電極に
間隔を介して対向しており、RF MEMS素子は、可
動電極と信号線路の分断部の両端部分との間の静電容量
が大となって当該可動電極と信号線路の分断部の両端部
分との間が高周波的に短絡することにより信号線路の分
断部の両端部分は可動電極を介して導通がオンし、ま
た、可動電極と信号線路の分断部の両端部分との間の静
電容量が小さくなって当該可動電極と信号線路の分断部
の両端部分との間がオープンとなることにより信号線路
の信号の導通がオフするスイッチ素子であることを特徴
としている。
例を図面に基づいて説明する。
S素子の一例が模式的な平面図により示され、図1
(b)には図1(a)のA−A部分の断面図が模式的に
示されている。
1は、高周波回路に組み込まれてコプレーナー線路のス
イッチ素子として機能するものである。このRF ME
MS素子1において、基板2(例えばシリコン基板やサ
ファイア基板など)を有し、この基板2上には高周波信
号導通部であるコプレーナー線路(CPW線路)3が形
成されている。このコプレーナー線路3は、信号線3s
を2本のグランド線3g1,3g2が間隔を介し挟み込む形
態で配置されて成る高周波信号伝送用の線路であり、そ
れら線路3s,3g1,3g2は、例えばAu等の導体膜に
より構成される。また、その線路3s,3g1,3g2の厚
みは適宜設定されるものであるが、その一例を挙げると
すると、例えば約2μm程度である。この第1実施形態
例では、コプレーナー線路3には例えば5GHz以上の高
周波の信号が流れる。
介して上部部材(例えばガラス基板)4が配置されてい
る。この上部部材4は固定部5(5a,5b)を介して
基板2に固定されている。
は、可動体6が、コプレーナー線路3の上方側に間隔を
介し、かつ、コプレーナー線路3の信号線3sとグラン
ド線3g1,3g2の一部分に共通に対向させて配置されて
いる。この可動体6は、基板2に対して遠近方向に変位
が可能となるように梁7(7a,7b)と支持部8(8
a,8b)を介して上部部材4に支持されている。
ばAu等の導体膜から成る可動電極10が形成されてい
る。図2(a)には上部部材4の上方側から見た可動電
極10とコプレーナー線路3の配置関係例が簡略化して
示され、また、図2(b)にはその可動電極10とコプ
レーナー線路3を横側から見た配置関係例が示されてい
る。これらの図示の如く、可動電極10は、コプレーナ
ー線路3のグランド線3g1から信号線3sを介しグラン
ド線3g2にかけて跨ぐように、かつ、それら線路3s,
3g1,3g2と間隔を介し対向させて形成されている。
表面には保護用の絶縁膜11が形成されている。この絶
縁膜11は、例えばSiN等の絶縁体により構成され、
膜厚が例えば0.1μm程度という如く、非常に薄い膜
である。
対向する部位に、凹部4aが形成されており、この凹部
4aの内壁面には可動体6に対向する可動用固定電極1
2(12a,12b)が形成されている。また、上部部
材4には、当該上部部材4の表面から可動用固定電極1
2a,12bに至るスルーホール13a,13bが形成
され、また、上部部材4の表面から支持部8(8b)に
至るスルーホール13cが形成されている。さらに、上
部部材4の表面には、各スルーホール13a,13b,
13cにそれぞれ接続する電極パッド14a,14b,
14cが形成されている。
ことは、可動体6が高抵抗半導体により構成されている
ことである。高抵抗半導体とは、高周波信号(例えば約
5GHz以上の信号)に対しては絶縁体として振る舞い、
低周波信号(例えば約100kHz以下の信号)および直流
信号に対しては電極として振る舞うことができる高い抵
抗率を有する半導体である。この第1実施形態例では、
可動体6を構成する高抵抗半導体は、1000Ωcm以上、か
つ、10000Ωcm以下の範囲内の抵抗率を有している。
て次のような性質を有する。つまり、図5の実線Bに示
す如く、ガラス等の絶縁体は、高周波領域において、周
波数が高くなるに従って誘電体損失(tanδ)が大きく
なるのに対して、高抵抗半導体は、図5の実線Aに示す
ように、周波数が高くなるに従って誘電体損失が小さく
なるというものである。なお、図5のグラフにおいて、
実線Aは、抵抗率2000Ωcmを持つ高抵抗シリコンに関す
るものであり、実線aにより囲まれている領域内の値は
実験値であり、それ以外は文献値である。また、実線B
はパイレックス(登録商標)ガラスに関する文献値であ
る。
路3を流れる信号は5GHz以上の高周波信号であり、こ
の高周波信号に対しては、高抵抗半導体から成る可動体
6は、当該可動体6を絶縁体により構成する場合と同
等、あるいは、それ以上の良好な誘電体損失の特性を有
する。
6は、直流信号(直流電圧)に対しては当該可動体6自
体を電極として機能させることができることから、この
第1実施形態例では、電極としての可動体6と、可動用
固定電極12a,12bとによって、可動体6を変位さ
せる可動体変位手段が構成されている。つまり、電極パ
ッド14a,14b,14cとスルーホール13a,1
3b,13cを介して外部から直流電圧(例えば5V程
度の直流電圧)を可動体6と可動用固定電極12(12
a,12b)間に印加すると、当該可動体6と可動用固
定電極12間に静電引力が発生する。この静電引力によ
って可動体6は、図4に示すように、可動用固定電極1
2側に引き寄せられる。このように、可動体6と可動用
固定電極12により静電引力を利用して可動体6を変位
させることができる。
1は上記のように構成されており、次に示すようにコプ
レーナー線路のスイッチ素子として機能することができ
る。
上の絶縁膜11がコプレーナー線路3に接触している、
又は、近接している状態では、可動電極10とコプレー
ナー線路3間の間隔は絶縁膜11の厚み(例えば0.1
μm)程度というように非常に狭く、可動電極10とコ
プレーナー線路3間の静電容量は大きくなる。
(b)に示される可動電極10およびコプレーナー線路
3の等価回路が示されている。なお、C1は可動電極1
0とグランド線3g1間の静電容量を示し、C2は可動電
極10とグランド線3g2間の静電容量を示し、C3は可
動電極10と信号線3s間の静電容量を示している。ま
た、L1,R1は、それぞれ、可動電極10のグランド
線3g1側のインダクタンス値、抵抗値を示し、L2,R
2は、それぞれ、可動電極10のグランド線3g2側のイ
ンダクタンス値、抵抗値を示す。
(b)に示すように表すことができる。なお、近似的に
静電容量Cは、C=1/((1/(C1+C2))+
(1/C3))の数式に基づくものであり、インダクタ
ンスLは、L=1/((1/L 1)+(1/L2))の
数式に基づくものであり、抵抗Rは、R=1/((1/
R1)+(1/R2))の数式に基づくものである。
線路3間の間隔が狭くて当該可動電極10とコプレーナ
ー線路3間の静電容量Cが大きくなると、図3(b)の
等価回路におけるLCの直列共振周波数が信号線3sを
流れる高周波信号の周波数に近くなり、信号線3s側か
ら可動電極10を介してグランド側を見たときのLC回
路部分のインピーダンスが非常に小さくなる。つまり、
信号線3sから可動電極10を介してグランド側を見た
ときに短絡と等価な状態となる。これにより、コプレー
ナー線路3の信号の導通がオフする。
2から離れる方向に変位して、可動電極10とコプレー
ナー線路3間の間隔が例えば5μm程度に広がると、可
動電極10とコプレーナー線路3間の静電容量Cが小さ
くなり、信号線3s側から可動電極10を介してグラン
ド側を見たときのインピーダンスが非常に大きくなる。
つまり、信号線3sから可動電極10を介してグランド
側を見たときにオープンと等価な状態となる。これによ
り、コプレーナー線路3の信号の導通はオンする。
MEMS素子1は、可動体6を静電引力を利用して変位
させることにより、コプレーナー線路3の信号導通のオ
ン・オフを行うことができる。
抗半導体により構成されているので、前記の如く、可動
体6自体が可動体変位手段の電極として機能することが
できる。これにより、可動体6に、可動体変位手段を構
成するための電極を形成しなくて済むので、RF ME
MS素子1の構造および製造工程の簡略化を図ることが
できる。これにより、RF MEMS素子1の低コスト
化を図ることができる。
高周波信号に対しては絶縁体の如く振る舞い、その誘電
体損失(tanδ)は絶縁体と同等、あるいは、それ以上
に良好となることから、高周波信号の伝搬ロスを低減す
ることができる。近年、信号は高周波化の傾向にあり、
可動体6を絶縁体により構成すると、信号の高周波化に
より可動体6の誘電体損失は大きくなって(図5の実線
B参照)可動体6に因る信号の伝搬ロスの増加が懸念さ
れるが、この第1実施形態例の如く、可動体6を高抵抗
半導体により構成することにより、信号が高周波化する
につれて可動体6の誘電体損失が小さくなることから
(図5の実線A参照)、信号の高周波化により可動体6
に因る信号の伝搬ロスを低減することができる。このよ
うに、この第1実施形態例の構成は、今後、非常に有効
となるものである。
可動電極10が直接接触により結合する構成とすると、
図3(b)の抵抗値Rに接触抵抗成分が含まれて抵抗値
Rが大きくなってしまう。これにより、信号のロスが増
加する。これに対して、この第1実施形態例では、コプ
レーナー線路3と可動電極10は静電容量を介して結合
する構成であるので、コプレーナー線路3と可動電極1
0間に接触抵抗は発生せず、信号のロスを抑制すること
ができる。
お、この第2実施形態例の説明において、第1実施形態
例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の
重複説明は省略する。
に、可動体6は電気的に浮遊した構成となっている。そ
れ以外の構成は第1実施形態例と同様である。つまり、
可動体6を外部と導通させるためのスルーホール13c
と電極パッド14cが省略されている。これにより、第
1実施形態例の構成よりも、構造を簡略化することがで
きる。また、製造コストを低減することができる。
お、この第3実施形態例の説明において、第1や第2の
各実施形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その
共通部分の重複説明は省略する。
12を可動体6の上方側に設けるのではなく、図7に示
すように、可動用固定電極12(12a,12b)は、
可動体6の下方側、つまり、基板2上に、可動体6の一
部分に対向させて設けられている。第1や第2の各実施
形態例では、可動用固定電極12を可動体6の上方側に
配置するために上部部材4が形成されていたが、この第
3実施形態例では、可動用固定電極12が基板2上に形
成される構成であるために、上部部材4を設けなくとも
済むので、当該上部部材4は省略されている。また、可
動体6は、上部部材4に支持されるのに代えて、梁7を
介して、基板2に固定されている固定部16(16a,
16b)に支持されている。
12は可動体6上に形成されているために、可動体6と
可動用固定電極12間に直流電圧を印加すると、可動体
6は基板2側に引き寄せられる構成となる。このため、
可動体6と可動用固定電極12間に直流電圧を印加して
いないときには、図7に示すように、可動電極10上の
絶縁膜11と、コプレーナー線路3との間には間隙が形
成される状態となる。
略することができるので、構造および製造工程の簡略化
を図ることができる。
4が省略されていたが、例えば可動体6の保護を図る観
点から、この第3実施形態例の如く可動用固定電極12
を基板2上に形成する構成とした場合においても、第1
や第2の各実施形態例と同様に上部部材4を設けてもよ
い。
お、この第4実施形態例の説明において、第1〜第3の
各実施形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その
共通部分の重複説明は省略する。
EMS素子1の模式的な平面図が示され、図8(b)に
は図8(a)のA−A部分の断面図が示されている。
S素子1は、いわゆる並列スイッチの構成であるのに対
して、この第4実施形態例では、直列スイッチの構成を
有している。
レーナー線路3の信号線3sには分断部18が形成され
ており、可動電極10は、その分断部18の一端側の線
路端部から分断部18を介し他端側の線路端部にかけて
対向するように、可動体6に形成されている。この第4
実施形態例では、可動電極10は、コプレーナー線路3
のグランド線3g1,3g2には対向していない。
3sおよび可動電極10以外の構成は、第1〜第3の各
実施形態例と同様である。なお、図8の図示の例では、
可動体6は第1実施形態例の如くスルーホール13cと
電極パッド14cによって外部の回路と接続可能な構成
であるが、第2実施形態例の如く可動体6は電気的に浮
遊した状態としてもよい。また、図8の図示の例では、
可動用固定電極12は上部部材4に形成されているが、
第3実施形態例の如く可動用固定電極12を基板2上に
形成してもよい。
1では、図8(b)に示すように、可動電極10上の絶
縁膜11が信号線3sに接触して、可動電極10と、分
断部18の両端の線路部分との間の間隔が非常に狭い場
合には、可動電極10と分断部18の両端の線路部分と
は静電容量が大きくなって当該可動電極10と分断部1
8の両端の線路部分との間は高周波的に短絡する。これ
により、分断部18の両端の線路端部分は可動電極10
を介して導通し、信号線3sの信号の導通がオンする。
位によって可動電極10が基板2から離れる方向に変位
すると、可動電極10と分断部18の両端の線路端部と
の間の間隔が広がって、当該可動電極10と分断部18
の両端の線路端部との間の静電容量が小さくなる。これ
により、可動電極10と分断部18の両端の線路端部と
の間がオープンとなり、信号線3sの信号導通はオフす
る。
3の各実施形態例と同様に、可動体6が高抵抗半導体に
より構成されているので、第1〜第3の各実施形態例と
同様の効果を得ることができる。
例に限定されるものではなく、様々な実施の形態を採り
得る。例えば、第1〜第4の各実施形態例では、RF
MEMS素子1はスイッチ素子である例を示したが、同
様な構成により可変容量素子を構成することができる。
スイッチ素子とする場合には、可動電極10とコプレー
ナー線路3間の高周波的な短絡とオープンの切り換えが
可能な程に、可動体6を大きく変位させる必要がある
が、可変容量素子とする場合には、一般的に静電容量の
可変範囲はそれほど大きくなく、可動体6の変位量は少
なくてよい。また、RF MEMS素子を可変容量素子
とする場合には、可動体6の高精度な変位制御が可能と
なるように梁7の弾性係数などが設定されることが好ま
しい。
周波信号導通部として、コプレーナー線路が設けられて
いる例を示したが、高周波信号導通部として、コプレー
ナー線路以外の例えばマイクロストリップ線路等の線路
を形成してもよい。
成する高抵抗半導体として、高抵抗のシリコンを例に挙
げたが、シリコン以外の例えばGaAs等の高抵抗の半
導体により、可動体6を構成してもよいものである。
可動電極10上に絶縁膜11が形成されていたが、例え
ば、絶縁膜11を可動電極10に設けるのに代えて、コ
プレーナー線路3における少なくとも可動電極10に対
向する部分に絶縁膜11を形成してもよいし、また、対
向し合う可動電極10とコプレーナー線路3の両方の表
面に絶縁膜11を形成してもよい。
体により構成しているので、可動体は低周波信号および
直流信号に対しては電極として振る舞うことができる。
このことから、この発明では、可動体自体を可動体変位
手段の電極として機能させている。これにより、可動体
に可動体変位手段の電極を形成しなくて済むこととなる
ので、RF MEMS素子の構造および製造工程の簡略
化を図ることができる。
より構成しており、当該高抵抗半導体は、高周波信号に
対しては非常に低い誘電体損失を持つ性質であることか
ら、信号のロスを低減することが可能となる。
と可動電極の表面とのうちの少なくとも一方には絶縁膜
が形成されているものにあっては、高周波信号導通部あ
るいは可動電極の保護を図ることができる。また、高周
波信号導通部と可動電極は接触することがないので、高
周波信号導通部と可動電極の接触による接触抵抗に起因
した信号のロスを確実に防止することができる。
信号の周波数が5GHz以上であるものにあっては、可動
体を高抵抗半導体により構成することに起因した誘電体
損失の抑制効果を大きく得ることができる。
イッチ素子であるRF MEMS素子や、可変容量素子
であるRF MEMS素子を回路に組み込むことによ
り、当該回路のロス低減に寄与することができる。
るための図である。
る可動電極とコプレーナー線路を抜き出して当該可動電
極とコプレーナー線路の配置関係の一例を示すモデル図
である。
る可動電極とコプレーナー線路部分の等価回路図であ
る。
て、静電引力を利用して可動体を変位させた状態を示し
たモデル図である。
nδ)の関係例をガラスの場合と比較して示すグラフで
ある。
るためのモデル図である。
るためのモデル図である。
るためのモデル図である。
ンスイッチを説明するための図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 基板と、この基板上に形成される高周波
信号導通部と、基板の上方側に基板と間隔を介して配置
され高周波信号導通部の少なくとも一部分に間隔を介し
て対向する可動体と、この可動体に形成され高周波信号
導通部に対向する可動電極と、静電引力を利用して前記
可動体を基板に対して遠近方向に変位させる可動体変位
手段とを有するRF MEMS素子であって、可動体
は、高周波信号に対しては絶縁体として振る舞い、か
つ、低周波信号および直流信号に対しては電極として振
る舞う高抵抗半導体により構成されており、基板上には
可動体の一部分に対向する可動用固定電極が形成され、
この可動用固定電極と、前記電極として機能する可動体
とは、当該可動用固定電極と可動体間の直流電圧印加に
よる静電引力によって可動体を可動用固定電極側に変位
させる可動体変位手段を構成しており、この可動体変位
手段による可動体の変位によって高周波信号導通部と可
動電極間の間隔が変化して当該高周波信号導通部と可動
電極間の静電容量が可変する構成を備えていることを特
徴とするRF MEMS素子。 - 【請求項2】 可動体の上方側に間隔を介して対向する
上部部材が配設されており、可動用固定電極を基板上に
設けるのに代えて、可動用固定電極はその上部部材に可
動体の少なくとも一部分に対向させて形成されているこ
とを特徴とする請求項1記載のRF MEMS素子。 - 【請求項3】 対向し合う高周波信号導通部の表面と可
動電極の表面とのうちの少なくとも一方には保護用の絶
縁膜が形成されていることを特徴とする請求項1又は請
求項2記載のRF MEMS素子。 - 【請求項4】 高周波信号導通部を流れる高周波信号の
周波数は5GHz以上であることを特徴とする請求項1又
は請求項2又は請求項3記載のRF MEMS素子。 - 【請求項5】 可動体を構成する高抵抗半導体は、1000
Ωcm以上、かつ、10000Ωcm以下の範囲内の抵抗率を有
していることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れ
か1つに記載のRF MEMS素子。 - 【請求項6】 RF MEMS素子は、可動体の変位制
御により高周波信号導通部と可動電極間の静電容量が可
変制御される可変容量素子であることを特徴とする請求
項1乃至請求項5の何れか1つに記載のRF MEMS
素子。 - 【請求項7】 高周波信号導通部はコプレーナー線路で
あり、RF MEMS素子は、コプレーナー線路と可動
電極間の静電容量が大となって当該コプレーナー線路と
可動電極間が高周波的に短絡することによりコプレーナ
ー線路の導通がオフし、また、コプレーナー線路と可動
電極間の静電容量が小となって当該コプレーナー線路と
可動電極間が高周波的にオープンとなることによりコプ
レーナー線路の導通がオンするスイッチ素子であること
を特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか1つに記載
のRF MEMS素子。 - 【請求項8】 高周波信号導通部は信号線路と成し、当
該信号線路は可動電極に対向する領域内に分断部を有
し、この分断部の両端の線路端部は可動電極に間隔を介
して対向しており、RF MEMS素子は、可動電極と
信号線路の分断部の両端部分との間の静電容量が大とな
って当該可動電極と信号線路の分断部の両端部分との間
が高周波的に短絡することにより信号線路の分断部の両
端部分は可動電極を介して導通がオンし、また、可動電
極と信号線路の分断部の両端部分との間の静電容量が小
さくなって当該可動電極と信号線路の分断部の両端部分
との間がオープンとなることにより信号線路の信号の導
通がオフするスイッチ素子であることを特徴とする請求
項1乃至請求項5の何れか1つに記載のRF MEMS
素子。
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