JP4066377B2 - レジスト材料、及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1の実施形態に係るスルホンアミド化合物及び高分子化合物について説明する。
以下、本発明の第2の実施形態に係るスルホンアミド化合物及び高分子化合物について説明する。
以下、本発明の第3の実施形態に係るレジスト材料について説明する。
以下、本発明の第4の実施形態に係るポジ型の化学増幅型レジスト材料について説明する。
以下、本発明の第5の実施形態に係るパターン形成方法について説明する。
以下、第4の実施形態に係る化学増幅型レジスト材料及び第5の実施形態に係るパターン形成方法を具体化する第1の実施例について図1(a) 〜(d) を参照しながら説明する。
酸発生剤:トリフェニルスルフォニウムトリフレート(ベース樹脂に対して二重量%)
溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
以下、第4の実施形態に係る化学増幅型レジスト材料及び第5の実施形態に係るパターン形成方法を具体化する第2の実施例について説明するが、第2の実施例は第1の実施例に比べて、化学増幅型レジスト材料及び露光光13が異なるのみであるから、レジスト材料及び露光光13についてのみ説明する。
酸発生剤:トリフェニルスルフォニウムトリフレート(ベース樹脂に対して二重量%)
溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
以下、第4の実施形態に係る化学増幅型レジスト材料及び第5の実施形態に係るパターン形成方法を具体化する第3の実施例について説明するが、第3の実施例は第2の実施例に比べて、化学増幅型レジスト材料が異なるのみであるから、レジスト材料についてのみ説明する。
酸発生剤:トリフェニルスルフォニウムトリフレート(ベース樹脂に対して二重量%)
溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
以下、第4の実施形態に係る化学増幅型レジスト材料及び第5の実施形態に係るパターン形成方法を具体化する参考例1について説明するが、参考例1は第2の実施例に比べて、化学増幅型レジスト材料が異なるのみであるから、レジスト材料についてのみ説明する。
酸発生剤:トリフェニルスルフォニウムトリフレート(ベース樹脂に対して3重量%)
溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
(参考例2)
以下、第4の実施形態に係る化学増幅型レジスト材料及び第5の実施形態に係るパターン形成方法を具体化する参考例2について説明するが、参考例2は第2の実施例に比べて、化学増幅型レジスト材料が異なるのみであるから、レジスト材料についてのみ説明する。
酸発生剤:トリフェニルスルフォニウムトリフレート(ベース樹脂に対して3重量%)
溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
(第6の実施形態)
以下、本発明の第6の実施形態に係るパターン形成方法について説明する。
以下、第4の実施形態に係る化学増幅型レジスト材料及び第6の実施形態に係るパターン形成方法を具体化する第6の実施例について、図3(a)〜(d) を参照しながら説明する。
酸発生剤:トリフェニルスルフォニウムトリフレート(ベース樹脂に対して二重量%)
溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
11、102 レジスト膜
11a、102a 露光部
11b、102b 未露光部
12 マスク
13 レーザ光
14 ホットプレート
15、105 レジストパターン
103 水
104 レンズ
Claims (15)
- [化3]の一般式で表わされるユニットよりなる高分子化合物を有するベース樹脂を備えることを特徴とするレジスト材料。
R4は、単結合、又は炭素数1以上で且つ20以下の直鎖状のアルキレン基又は分岐状若しくは環状のアルキレン基であり、
R5 及びR6 のいずれか一方は、酸により脱離する保護基であり、他方は、水素原子、炭素数1以上で且つ20以下の直鎖状のアルキル基、分岐状若しくは環状のアルキル基、フッ素化されたアルキル基、又は前記酸により脱離する保護基であり、
前記酸により脱離する保護基は、アルコキシエチル基又はアルコキシメチル基である。 - 前記アルコキシエチル基が、アダマンチルオキシエチル基、t−ブチルオキシエチル基、エトキシエチル基、又はメトキシエチル基であることを特徴とする請求項1に記載のレジスト材料。
- 前記アルコキシメチル基が、アダマンチルオキシメチル基、t−ブチルオキシメチル基、エトキシメチル基、又はメトキシメチル基であることを特徴とする請求項1に記載のレジスト材料。
- 光の照射により酸を発生する酸発生剤をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のレジスト材料。
- 前記ベース樹脂の溶解を阻害する溶解阻害剤をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載のレジスト材料。
- 前記高分子化合物の重量平均分子量が、1,000以上であって且つ500,000以下であることを特徴とする請求項1に記載のレジスト材料。
- [化4]の一般式で表わされるユニットよりなる高分子化合物を有するベース樹脂を備えるレジスト材料からなるレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に、100nm帯以上であって且つ300nm帯以下若しくは1nm帯以上であって且つ30nm帯以下の高エネルギー線、又は電子線よりなる露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光が行なわれた前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備えることを特徴とするパターン形成方法。
R4は、単結合、又は炭素数1以上で且つ20以下の直鎖状のアルキレン基又は分岐状若しくは環状のアルキレン基であり、
R5 及びR6 のいずれか一方は、酸により脱離する保護基であり、他方は、水素原子、炭素数1以上で且つ20以下の直鎖状のアルキル基、分岐状若しくは環状のアルキル基、フッ素化されたアルキル基、又は前記酸により脱離する保護基であり、
前記酸により脱離する保護基は、アルコキシエチル基又はアルコキシメチル基である。 - [化5]の一般式で表わされるユニットよりなる高分子化合物を有するベース樹脂を備えるレジスト材料からなるレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜上に液体を配する工程と、
前記レジスト膜に、100nm帯以上であって且つ300nm帯以下、若しくは1nm帯以上であって且つ30nm帯以下の高エネルギー線、又は電子線よりなる露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光が行なわれた前記レジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する工程とを備えることを特徴とするパターン形成方法。
R4は、単結合、又は炭素数1以上で且つ20以下の直鎖状のアルキレン基又は分岐状若しくは環状のアルキレン基であり、
R5 及びR6 のいずれか一方は、酸により脱離する保護基であり、他方は、水素原子、炭素数1以上で且つ20以下の直鎖状のアルキル基、分岐状若しくは環状のアルキル基、フッ素化されたアルキル基、又は前記酸により脱離する保護基であり、
前記酸により脱離する保護基は、アルコキシエチル基又はアルコキシメチル基である。 - 前記アルコキシエチル基が、アダマンチルオキシエチル基、t−ブチルオキシエチル基、エトキシエチル基、又はメトキシエチル基であることを特徴とする請求項7又は8に記載のパターン形成方法。
- 前記アルコキシメチル基が、アダマンチルオキシメチル基、t−ブチルオキシメチル基、エトキシメチル基、又はメトキシメチル基であることを特徴とする請求項7又は8に記載のパターン形成方法。
- 前記レジスト材料は、光の照射により酸を発生する酸発生剤をさらに備えていることを特徴とする請求項7又は8に記載のパターン形成方法。
- 前記レジスト材料は、前記ベース樹脂の溶解を阻害する溶解阻害剤をさらに備えていることを特徴とする請求項11に記載のパターン形成方法。
- 前記高分子化合物の重量平均分子量が、1,000以上であって且つ500,000以下であることを特徴とする請求項7又は8に記載のパターン形成方法。
- 前記露光光は、KrFレーザ、ArFレーザ、F2レーザ、Kr2レーザ、KrArレーザ、Ar2レーザ又は軟X線であることを特徴とする請求項7又は8に記載のパターン形成方法。
- 前記液体は、水又はパーフルオロポリエーテルであることを特徴とする請求項8に記載のパターン形成方法。
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