JP4053478B2 - 金属ベース回路基板の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、高発熱性電子部品と熱衝撃耐久性を要する電子部品との両者を含む混成集積回路用の金属ベース回路基板に関する。
回路基板、特に金属ベース回路基板は、金属板上の一主面上に絶縁層を介して回路を設けた構造を有する(特許文献1、特許文献2参照)ので、絶縁層を高熱伝導化することにより、高集積化されたICなどの高発熱性電子部品からの発熱を効率良く放熱できる特徴があること、更に機械的強度にも優れる特徴があることから、音響機器用回路基板、自動車等の車載用回路基板、冷暖房機器用回路基板などとして広く産業界で使用されている。
特開平11−150345号公報
特開平11−8450号公報
一方、前記回路基板に搭載される電子部品についてみると、最近では長足の進歩を遂げ、回路基板に搭載する電子部品も自立型から搭載性の良いチップ型への移行が主流となっており、いろいろな用途に於いてチップ型IC(以下、ICチップという)が用いられている。また、抵抗チップ、コンデンサーチップなどは熱膨張係数が小さく耐久性の良いセラミックス型がその中心となっている。
前記ICチップは、ヒートシンクを介して、前記回路基板に搭載されるが、この場合、ICチップは発熱が激しいことから、通常、ヒートシンク上に高温半田を介してICチップを接合した、ICチップ搭載ヒートシンクの形態として、回路基板上の回路上に搭載される。このように、前記IC搭載ヒートシンクや抵抗チップ、コンデンサーチップなどのチップ部品が回路基板上の回路上の所定の位置に半田ペーストより接合され、搭載される。
前記事情により、金属ベース回路基板としても、いろいろな特性を併せ持つように、金属板の一主面上に2種以上の絶縁層を設け、同一回路基板の場所により異なった特性を達成しようと言う試みも開示されている(特許文献3参照)。
特開平6−90071号公報
前記したとおりに、金属ベース回路基板は、機械的強度に優れ、絶縁層を高熱伝導化することにより、搭載されたICなどからの発熱を効率良く放散できることから、音響機器回路基板、車載用回路基板、冷暖房機器用回路基板などとして広く産業界に使用されているが、特に、日々進化している自動車の車載用回路基板としては、軽量化と防錆、価格の追及から金属ベース回路基板に用いる金属板としてはアルミニウム合金やアルマイトが最良とされている。
当該用途に適用される金属ベース回路基板としては、極めて高い耐久性が要求され、低温側−40℃、高温側125℃でのヒートサイクル3000サイクル以上が必要とされている。しかしながら、従来公知の金属ベース回路基板では、前記ヒートサイクル時の金属基板と抵抗チップやコンデンサーチップなどの膨張係数の差が原因で、数100サイクル経過後に、チップを回路に接合している半田部にクラック(半田クラックという)が発生して、終には破断してしまうという致命的な欠点を示すことが有り、半田クラックを防止できる金属ベース回路基板が強く望まれている。
本発明、前記現状技術の問題を解決することを具体的な課題としてこれを解決するべくされたもので、その目的は、熱放散性に優れしかも耐熱衝撃性に優れ、従って電気的信頼性、耐久性に優れる金属ベース回路基板を提供することにある。
本発明は、高発熱性電子部品と熱衝撃耐久性を要する電子部品との両者を含む混成集積回路用の金属ベース回路基板を提供する金属ベース回路基板の製造方法である
即ち、本発明は、(1)アルミニウム板の一主面上に無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤を塗布する工程、(2)前記無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤を半硬化する工程、(3)前記の半硬化した無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤上に、更に、絶縁層が、前記無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂からなる部分とシリコーン接着剤が硬化してなるシリコーン樹脂とからなる部分とで構成されるように、前記無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤とシリコーン接着剤とを塗布する工程、(4)前記の無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤と前記シリコーン接着剤との表面上に電解銅箔を積層し、前記無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤と前記シリコーン接着剤を硬化する工程、(5)前記電解銅箔を加工して回路形成する工程、とからなることを特徴とする金属ベース回路基板の製造方法であり、好ましくは、無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤が、硬化後に、熱伝導率が3〜8W/m・Kであり、シリコーン接着剤が硬化してなるシリコーン樹脂部分の厚さが15〜150μmである前記の金属ベース回路基板の製造方法である。
本発明で得られる金属ベース回路基板は、熱放散性に優れる絶縁層からなる領域と、熱衝撃耐久性に優れる絶縁層からなる領域とを共に有しているので、それぞれに発熱性電子部品と熱衝撃耐久性を要求される電子部品とを配置し、使用することで、電気的信頼性、耐久性に優れる混成集積回路を容易に提供できるという特徴を有しているので、厳しい耐久性が必要な車載用回路基板および、家電関連回路基板の超寿命化、産業用回路基板として極めて工業的に有用なものである。
本発明の金属ベース回路基板の製造方法は、前記の特徴を有する金属ベース回路基板を容易に生産性高く得ることができるので、産業上極めて有用なものである。
本発明で得られる金属ベース回路基板は、高発熱性電子部品と熱衝撃耐久性を要する電子部品との両者を含む混成集積回路用の金属ベース回路基板である。前記高発熱性電子部品としては、例えば、集積回路素子、パワートランジスターなどが挙げられ、熱衝撃耐久性を要する電子部品としては、例えば、抵抗チップやコンデンサーチップなどが挙げられる。
本発明で得られる金属ベース回路基板は、金属板の一主面上に絶縁層を介して回路が形成されてなり、前記絶縁層が、高熱伝導性絶縁層からなる領域とJIS A硬度が90以下のシリコーン樹脂からなる領域とを有することを特徴とする金属ベース回路基板であり、例えば、後述する図1に例示されている混成集積回路中に示されている。
本発明に於いて、金属ベース回路基板に用いられる金属板(1)としては、アルミニウムおよびアルミニウム合金、鋼、ステンレス、銅、チタンなど多くの材料が挙げられるが、熱伝導性や防錆効果、軽量化、接着性、価格などから、アルミニウムおよびアルミニウム合金や前記金属の表面がアルマイト化したものが好適である。更に、例えば、感磁性などの特殊機能を付加させる目的で、鋼板を用いるなどのように金属板を選択することもできる。
本発明で得られる金属ベース回路基板は、絶縁層が高熱伝導性絶縁層からなる領域(2)を有しているが、前記高熱伝導性絶縁層を構成する材料としては、電気的に絶縁性を有する樹脂で構成されていれば良く、更に前記樹脂に電気絶縁性の無機質充填剤を含有させたものが高熱伝導性が得られることからより好ましい。前記無機質充填剤としては、アルミナ粉や窒化アルミニウム粉などが挙げられ、これらを樹脂中に85〜90質量%を充填して用いられる。即ち、本発明に於いて、高熱伝導性絶縁層としては無機充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤からなることが選択される。
前記の樹脂としては、無機充填剤を含有させる必要性から、低粘度の液状反応性の樹脂が好ましく、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は、一般に接着剤としても用いられており、特性向上を目的に混合して用いても構わない。前記樹脂の中でエポキシ樹脂は、金属箔や金属板との接着性、回路基板としての耐久性の面から特に好ましい樹脂である。特に、エポキシ樹脂にアルミナ粉や窒化アルミニウム粉などを85〜90質量%を充填することにより、3〜8W/m・Kの高熱伝導率を有する絶縁層が形成できるからである。
本発明で得られる金属ベース回路基板は、JIS A硬度が90以下のシリコーン樹脂からなる領域3を有している特徴がある。そして、本発明の金属ベース回路基板は、前述の通りに、絶縁層が高熱伝導性絶縁層からなる領域を有しているとともに、JIS A硬度が90以下のシリコーン樹脂からなる領域をも有している構造的な特徴がある。そして、前記構造的な特徴を有するが故に、発熱性電子部品と熱衝撃耐久性を要求される電子部品とを共に有する混成集積回路に適用して、電気的信頼性、耐久性に優れる混成集積回路を容易に提供できるという効果を示すものである。
本発明に用いるシリコーン樹脂に関し、本発明者はいろいろ検討した結果、前記特徴を有するシリコーン樹脂を用いるときにのみ本発明の効果を得ることが出来るという知見を得て本発明に達したものである。
シリコーン樹脂は一般に−40℃以下のガラス転移温度を有していると共に、混成集積回路が作成される段階で半田接合時に受ける260℃もの高温に於いても、特性が劣化しないという特徴があり、どのようなシリコーン樹脂でも構わないかの印象を受ける。しかし、発明者の実験的検討に基づけば、理由は不明であるが、23℃のJISタイプA硬度が90以下のシリコーン樹脂、即ち、シリコ−ン接着剤を硬化したシリコーン樹脂の柔軟性がJISタイプA硬度が90以下であるときに、本発明効果が得られることを見出したもので、90を超える数値範囲のものでは本発明の前記効果を十分に得ることができない。なお、シリコーン樹脂の硬度は深さ4mm直径3cmの円形枠内にシリコーン接着剤を入れ、硬化して、JISタイプA硬度計(高分子計器(株)製)で測定した値である。
本発明に於いて、絶縁層(2、3)の厚さは50〜300μmが好ましい。前述の通りに、本発明に於いて、高熱伝導性絶縁層からなる領域(2)とJIS A硬度が90以下となるシリコーン樹脂からなる領域(3)の両者を併せ持ち、その上方に金属箔(4)を載置するために、必然的に両者が同じ厚さであるが、その厚みについては高熱伝導性絶縁層からなる領域(2)とJIS A硬度が90以下となるシリコーン樹脂からなる領域(3)が持つべき特性により、特定な範囲であることが望ましく、50μm未満の厚さでは、耐電圧特性が確保できないことが生じることがあるし、300μmを超える厚さでは熱放散性が悪くなり用途展開上の問題を生じることがある。
本発明に於いて、特性を改良する目的で絶縁層(23)が多層構造であってもよい。この場合に於いても、JIS A硬度が90以下となるシリコーン樹脂部分(3)の厚みは15〜150μmであることが望ましい。前記範囲を逸脱する場合には、十分に熱衝撃耐久性を確保できないことがあるからである。
本発明に用いる金属箔(4)は、回路基板における回路を形成するものであり、高導電性の銅、アルミニウム等、或いはそれらの合金、複合箔を用いることができる。銅箔としては、電解銅箔、圧延銅箔いずれの銅箔でもよいが、銅箔製品は通常、イミダゾール系の防錆処理剤で処理してあるので、予め、高温加熱やアルコール類などでの洗浄や希薄銅エッチング液処理などすると、白金化合物を硬化触媒としたシリコーン接着剤の銅箔接着強度が飛躍的に増大するので、銅箔を予め処理しておくのが好ましいが、防錆剤が白金化合物の触媒作用を阻害しない場合や白金化合物を硬化触媒としないシリコーン接着剤では必要がない。
次に金属ベース回路基板の製造方法を説明する。属ベース回路基板の製造方法は、(1)金属板の一主面上の所望の部分に高熱伝導性エポキシ樹脂接着剤を塗布する工程、(2)前記高熱伝導性エポキシ樹脂接着剤を半硬化する工程、(3)金属板の前記主面上の高熱伝導性エポキシ樹脂接着剤が塗布されていない部分にシリコーン接着剤を塗布する工程、(4)前記の半硬化した高熱伝導性エポキシ樹脂接着剤と前記シリコーン接着剤との表面上に金属箔を積層し、前記高熱伝導性エポキシ樹脂接着剤と前記シリコーン接着剤を硬化する工程、(5)前記金属箔を加工し回路形成する工程、とからなることを特徴とする金属ベース回路基板の製造方法である。
図1、図2はそれぞれ金属ベース回路基板を用いた混成集積回路を示す図で、図2が本発明の金属ベース回路基板の製造方法で得られた金属ベース回路基板を用いたものである。まず、脱脂処理などの方法で清浄化した金属板(1)を準備し、この金属板(1)の一主面上の所望の部分に、高熱伝導性絶縁層(2)が形成できるように、高熱伝導性エポキシ樹脂接着剤を塗布し、加熱等の手段により前記高熱伝導性エポキシ樹脂接着剤を半硬化し、次に、前記高熱伝導性エポキシ樹脂接着剤が塗布されていない金属表面に、硬化後のJIS A硬度が90以下となるシリコーン樹脂からなる絶縁層(3)が得られるように、シリコーン接着剤を塗布し、前記半硬化状態の高熱伝導性エポキシ樹脂接着剤と前記シリコーン接着剤との表面上に金属箔を載置し、加熱等の手段により両樹脂を硬化し、更に前記金属箔をエッチング等の手段で加工して回路(4)とすることを特徴としている。そして、本発明では、前記(3)工程に於いて、図2の構造が達成できるように、半硬化した無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤上に、前記無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂からなる部分と、シリコーン接着剤が硬化してなるシリコーン樹脂とからなる部分とで構成されるように、前記無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤とシリコーン接着剤とを塗布することを特徴としている。
前記操作をそのままの順に実行することにより、図1の中に示される、本発明の金属ベース回路基板を容易に生産性高く得ることができる。尚、図1は、前記操作で得た金属ベース回路基板を用いて、引き続いて、所定の位置に半田レジスト(5)を塗布し、硬化し、その後、ヒートシンク(6)を高熱伝導絶縁層の領域部分の回路(4)上に半田ペーストを介して発熱部品であるICチップ(7)を、また、JIS A硬度が90以下となるシリコーン樹脂からなる絶縁層(3)上の回路(4)上には抵抗チップ又はコンデンサーチップ(9)などを半田(10)にて搭載し、更にワイヤボンディング(8)して混成集積回路としたものである。
(参考例1)120mm×120mmに切断した厚さ1.5mmのアルミニウム板を、アルカリ性脱脂剤(理工協産社製エクリン)水溶液に50℃1分間浸漬して、中和、水洗後110℃熱風で乾燥した(以下、脱脂アルミニウム板と記す)。
液状エポキシ樹脂(油化シェル社製エピコート807)10質量部にアルミナ粉(メーカー、グレード、或いは粒径等)90質量部を充填した高熱伝導性エポキシ樹脂に、芳香族系アミン硬化剤を配合(以下、高熱伝導エポキシ接着剤と記す)して、表面改良剤(ビックケミー・ジャパン(株)BYK)0.3質量部、ブチルセロソルブ2質量部を添加して混合して、粘度を調整(以下、高熱伝導エポキシ接着剤インクと記す)し、前記の脱脂アルミウム板の一主面の所望の部分に、100μm厚さで塗布(以下、ニューロング社製15GT印刷機を使用した印刷塗布である)した。
次いで、150℃のオーブン中で6分間加熱後に23℃に放置冷却した後、前記高熱伝導エポキシ接着剤インクを塗布していない前記脱脂アルミニウム板表面にシリコーン接着剤(東レ・ダウ社製SE−1701、硬化物JISタイプA硬度64)を100μm厚さに塗布し、引き続いて、予め、120mm×120mmに切断した70μm厚さの電解銅箔(古河電工社製)を350℃、3分間オーブン内で加熱処理後、冷却した銅箔(以下、熱処理電解銅箔と記す)を前記の高熱伝導エポキシ接着剤とシリコーン接着剤との表面上に配置して120℃、10分間、熱プレスして接着剤を硬化した。更に、プレスから取り出し、オーブン中で150℃、10時間加熱硬化して金属ベース基板(以下、アルミベース基板と記す)を得た。
<剥離強度>アルミベース基板の銅箔部を1cm幅に切断して、剥離速度50mm/分の条件で、引っ張り試験機(テンシロン社製引っ張り試験機)にて、T字剥離を測定した結果、20N/cmの剥離強度を示した。アルミベース基板の剥離強度試験片を260℃にセットした半田浴上に浮かべ、10分間放置後、冷却して前記同様に剥離強度を測定した結果、剥離強度に変化はなかった。
<耐電圧>アルミベース基板の銅箔部上にエッチングレジストを直径2cmの円形に塗布し、乾燥後に過硫酸アンモン10質量%の水溶液で銅箔をエッチングし、洗浄、乾燥後に、エッチングレジストを除去して耐電圧測定用試験片を作成した。円形銅箔部のほぼ中央に、銅細線を半田付けして、絶縁油(住友3M社製フロリナート)中でベースアルミニウム板と銅細線間に交流電圧を印加して絶縁層の絶縁破壊電圧を測定(KIKUSUI社製耐電圧測定器TOS8700)した結果、5.8KVで絶縁破壊した。耐電圧試験片を260℃にセットした半田浴上に浮かべ、10分間放置後、冷却して前記同様に絶縁破壊電圧を測定した結果、絶縁破壊電圧に変化はなかった。
<高温耐湿プレッシャークッカー試験>剥離強度試験片および耐電圧試験片をプレッシャークッカー試験機(アルプ社製、試験温度121℃)で、100時間処理後、剥離強度、絶縁破壊電圧を測定した結果、剥離強度20N/cm、絶縁破壊電圧6.0kVであり、処理による変化はなかった。
<ヒートサイクル試験>アルミベース基板の金属箔を清浄化処理した後、所定の位置にエッチングレジストを塗布し、乾燥後に、エッチングして、エッチングレジストを除去し、次いで、半田レジストを塗布して硬化させた。更に、回路上へ半田ペ−スト(千住金属社製)を塗布して、抵抗チップ(ローム社製2125)及びコンデンサーチップ(TDK社製3225)を搭載して半田リフロー装置(Himmel Reich社製LSH800)で半田を溶融して、前記チップを接合した。そして、トルエン超音波洗浄で半田フラックスを除去後、ヒートサイクル試験機(楠本化成社製LT−60S)で低温側−40℃、7分保持、高温側125℃、7分保持を1サイクルとするヒートサイクル試験を実施した結果、ヒートサイクル5000回後も半田クラック発生による断線異常等は見いだせなかった。
<熱伝導性の測定>高熱伝導エポキシ接着剤を2mm厚さに硬化して、1cm×1cmにダイヤモンドカッターで切り出して、レーザーフラッシュ法(Rigaku社製FA8510B)で熱伝導率を測定した結果、熱伝導率4W/mKであった
(実施例1)高熱伝導エポキシ接着剤インクを120mm×120mmに切断した厚さ1.5mmの脱脂アルミニウム板上全面に、50μm厚さで塗布した。次いで、150℃のオーブン中で8分間加熱後に23℃に放置冷却して、更に、前記の高熱伝導エポキシ接着剤インクを50μm厚さに塗布、120℃、20分加熱後、23℃に冷却後、シリコーン接着剤(SE−1701)を50μm厚さに塗布した。引き続いて、予め、120mm×120mmに切断した70μm厚さの電解銅箔を350℃、3分間オーブン内で加熱処理後冷却した電解銅箔を高熱伝導エポキシ接着剤インクとシリコーン接着剤を塗布した板上に設置した。次いで、120℃、10分間、熱プレスして接着剤を硬化した。更に、プレスから取り出しオーブン中で150℃、10時間加熱硬化して図2の混成集積回路の図中にみられる構造のアルミベース基板を得た。参考例1と同様に特性評価をした結果18N/cmの剥離強度を示した。アルミベース基板の剥離強度試験片を260℃にセットした半田浴上に浮かべ、10分間放置後、冷却して、剥離強度を測定した結果、剥離強度に変化はなかった。
電圧は6.0KVであった。また、耐電圧試験片を260℃にセットした半田浴上に浮かべ、10分間放置後、冷却して前記同様に絶縁破壊電圧を測定した結果、絶縁破壊電圧に変化はなかった。高温耐湿プレッシャークッカー試験については、参考例1と同様に測定した結果、剥離強度19N/cm、絶縁破壊電圧6.0kVであり、処理による変化はなかった。更に、参考例1同様にチッフ゜部品を搭載、フラックス洗浄処理して、ヒートサイクル試験を実施した結果、ヒートサイクル5000回後も半田クラック発生による断線異常等は見いだせなかったが、ハンダ上部にヘアークラックらしき微小ラインが観察された基板が10枚中1点観察された。更に、参考例1と同様にして熱伝導率を測定した結果4W/mKであった
(参考例2)参考例1のシリコーン接着剤をアルミナ74質量部とシリコーン接着剤(東レ・ダウ社製SE−1700)26質量部混合したアルミナ充填シリコーン接着剤(硬化物JISタイプA硬度90)に代えた以外は参考例1と同様にして、アルミベース基板を得た。参考例1と同様にアルミベース基板の特性評価をした結果、シリコーン樹脂からなる領域の絶縁層部の剥離強度15N/cm、高熱伝導エポキシ樹脂からなる領域の絶縁層部の剥離強度20N/cm、耐電圧5.6kV、ヒートサイクル3000サイクルでチップ接合半田部は断線しなかった
(実施例2)実施例1のシリコーン接着剤をシリコーン接着剤(東レ・ダウ社製SE−9207、硬化物JISタイプA硬度4)に代えた以外は実施例1と同様にして、アルミベース基板を得た。参考例1と同様にアルミベース基板の特性評価をした結果、シリコーン樹脂からなる領域の絶縁層部の剥離強度9N/cm、高熱伝導エポキシ樹脂からなる領域の絶縁層部の剥離強度20N/cm、耐電圧5.4kV、ヒートサイクル5000サイクルでもチップ接合半田は断線しなかった
(比較例1)脱脂アルミニウム板上に高熱伝導エポキシ接着剤インクを100μm厚さに塗布し、150℃6分間加熱後して、冷却後に、120mm×120mmに切断した70μm厚さの電解銅箔を設置して、熱プレスし、接着剤を硬化した。更に、プレスから取り出しオーブン中で150℃、10時間加熱硬化してアルミベース基板を得た。
参考例1と同様にアルミベース基板の特性評価をした結果、剥離強度、耐電圧、絶縁層の熱伝導率は参考例1と同様であったがヒートサイクルは120サイクルでチップ接合部の半田部にクラックが発生して断線した
(比較例2)参考例1のシリコーン接着剤(SE−1701、JISタイプA硬度64)に代えて、シリコーン接着剤(東レ・ダウ社製SE1700、硬化物JISタイプA硬度46)にアルミナ90質量部と粘度調整のために、トルエン6質量部を配合したシリコーン接着剤インクを塗布して、40℃、3時間加熱後冷却して熱処理電解銅箔を載せ熱プレスし接着剤を硬化した。以後は参考例1と同様に処理してアルミベース基板を得た。アルミナ高充填シリコーン接着剤硬化物のJISタイプA硬度は100、熱伝導率3.6W/mKであった。
参考例1と同様にアルミベース基板の特性評価をした結果、耐電圧5.6kV、高熱伝導エポキシ樹脂からなる領域の絶縁層部の剥離強度20N/cmと良好であったが、アルミナ高充填シリコーン絶縁層部の剥離強度5N/cmと低く、ヒートサイクル500サイクルでチップ接合半田にクラックが発生して断線した。
本発明は、例えば、過酷な性能と耐久性能が要求される自動車等の車載用回路基板、ことにエンジンルーム内の電子制御用回路基板として、また、ハイパワーの音響機器の回路基板、産業用冷暖房機器用回路基板など多方面の応用ができる金属ベース回路基板を提供できる
参考例に係る金属ベース回路基板の一例を用いてなる混成集積回路の図。 本発明に係る金属ベース回路基板の一例を用いてなる混成集積回路の図。
符号の説明
1 金属板
2 高熱伝導性絶縁層
3 JIS A硬度が90以下のシリコーン樹脂からなる絶縁層
4 回路
5 半田レジスト
6 ヒートシンク
7 ICチップ
8 ボンディングワイヤー
9 抵抗チップ又はコンデンサーチップ
10 半田

Claims (3)

  1. (1)アルミニウム板の一主面上に無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤を塗布する工程、
    (2)前記無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤を半硬化する工程、
    (3)前記の半硬化した無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤上に、更に、絶縁層が、前記無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂からなる部分とシリコーン接着剤が硬化してなるシリコーン樹脂とからなる部分とで構成されるように、前記無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤とシリコーン接着剤とを塗布する工程、
    (4)前記の無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤と前記シリコーン接着剤との表面上に電解銅箔を積層し、前記無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤と前記シリコーン接着剤を硬化する工程、
    (5)前記電解銅箔を加工して回路形成する工程、
    とからなることを特徴とする金属ベース回路基板の製造方法。
  2. 無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤が、硬化後に、熱伝導率が3〜8W/m・Kであることを特徴とする請求項1記載の金属ベース回路基板の製造方法。
  3. シリコーン接着剤が硬化してなるシリコーン樹脂部分の厚さが15〜150μmであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の金属ベース回路基板の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006284009A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Mitsubishi Electric Corp 捩り管形熱交換器の製造方法
US8071882B2 (en) 2005-04-19 2011-12-06 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Metal base circuit board, LED, and LED light source unit
JP4484830B2 (ja) * 2006-02-07 2010-06-16 電気化学工業株式会社 回路基板
TWI295115B (en) 2006-02-13 2008-03-21 Ind Tech Res Inst Encapsulation and methods thereof
JP2007311770A (ja) 2006-04-17 2007-11-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP4561697B2 (ja) * 2006-06-09 2010-10-13 新神戸電機株式会社 積層回路基板
JP4819765B2 (ja) * 2007-08-22 2011-11-24 三菱電機株式会社 捩り管形熱交換器の製造方法
JP4951018B2 (ja) * 2009-03-30 2012-06-13 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
KR101119259B1 (ko) * 2010-01-12 2012-03-20 삼성전기주식회사 하이브리드형 방열기판 및 그 제조방법
TWI406602B (zh) * 2010-11-23 2013-08-21 Unimicron Technology Corp 線路板及其製造方法
US8598463B2 (en) 2010-08-05 2013-12-03 Unimicron Technology Corp. Circuit board and manufacturing method thereof
JP5411174B2 (ja) * 2010-08-05 2014-02-12 欣興電子股▲フン▼有限公司 回路板およびその製造方法
CN102378477B (zh) * 2010-08-19 2015-02-18 欣兴电子股份有限公司 线路板及其制造方法
JP2012124389A (ja) * 2010-12-09 2012-06-28 Mitsubishi Alum Co Ltd プリント基板
JP2013251515A (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 Mitsubishi Alum Co Ltd プリント基板
JP6025614B2 (ja) * 2013-03-04 2016-11-16 三菱電機株式会社 発熱部品の放熱構造およびこれを用いたオーディオ装置
KR101593965B1 (ko) * 2014-09-01 2016-02-17 희성전자 주식회사 기판 합착 방법
DE102015111667A1 (de) 2015-07-17 2017-01-19 Rogers Germany Gmbh Substrat für elektrische Schaltkreise und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Substrates
CN106455299A (zh) * 2016-10-31 2017-02-22 张昊辰 散热型双层pcb线路板
JP6537748B2 (ja) 2016-12-28 2019-07-03 三菱電機株式会社 電源装置
US11772829B2 (en) 2018-06-27 2023-10-03 Mitsubishi Electric Corporation Power supply device
KR102553052B1 (ko) * 2023-02-01 2023-07-06 유병호 방열형 회로기판 및 그 제조 방법

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