JP4053478B2 - 金属ベース回路基板の製造方法 - Google Patents
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Description
2 高熱伝導性絶縁層
3 JIS A硬度が90以下のシリコーン樹脂からなる絶縁層
4 回路
5 半田レジスト
6 ヒートシンク
7 ICチップ
8 ボンディングワイヤー
9 抵抗チップ又はコンデンサーチップ
10 半田
Claims (3)
- (1)アルミニウム板の一主面上に無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤を塗布する工程、
(2)前記無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤を半硬化する工程、
(3)前記の半硬化した無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤上に、更に、絶縁層が、前記無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂からなる部分と、シリコーン接着剤が硬化してなるシリコーン樹脂とからなる部分とで構成されるように、前記無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤とシリコーン接着剤とを塗布する工程、
(4)前記の無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤と前記シリコーン接着剤との表面上に電解銅箔を積層し、前記無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤と前記シリコーン接着剤を硬化する工程、
(5)前記電解銅箔を加工して回路形成する工程、
とからなることを特徴とする金属ベース回路基板の製造方法。 - 無機質充填剤を含有したエポキシ樹脂接着剤が、硬化後に、熱伝導率が3〜8W/m・Kであることを特徴とする請求項1記載の金属ベース回路基板の製造方法。
- シリコーン接着剤が硬化してなるシリコーン樹脂部分の厚さが15〜150μmであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の金属ベース回路基板の製造方法。
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