JP4053459B2 - Method for producing aluminum nitride powder - Google Patents

Method for producing aluminum nitride powder Download PDF

Info

Publication number
JP4053459B2
JP4053459B2 JP2003131007A JP2003131007A JP4053459B2 JP 4053459 B2 JP4053459 B2 JP 4053459B2 JP 2003131007 A JP2003131007 A JP 2003131007A JP 2003131007 A JP2003131007 A JP 2003131007A JP 4053459 B2 JP4053459 B2 JP 4053459B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
powder
metal aluminum
aln
aluminum nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003131007A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2004331466A (en
Inventor
恒希 市川
猛 後藤
元晴 深澤
昭夫 吉田
祥二郎 渡邊
政美 中島
克秀 金子
隆二 徳永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denka Co Ltd
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denki Kagaku Kogyo KK filed Critical Denki Kagaku Kogyo KK
Priority to JP2003131007A priority Critical patent/JP4053459B2/en
Publication of JP2004331466A publication Critical patent/JP2004331466A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4053459B2 publication Critical patent/JP4053459B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒素ガス又は窒素を含むガス(以下、「窒素性ガス」という。)の気流中にて金属アルミニウム粉末を窒化させる窒化アルミニウム(AlN)粉末の製造方法に関する。詳しくは、高熱伝導セラミック基板等に用いられる窒化アルミニウム焼結体の製造に好適なリートベルト法により測定された不均一歪みが0.05%以下であるAlN粉末の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
【0003】
近年、半導体搭載用AlN基板では、回路基板の小型化、パワーモジュールの高出力化が進む中、180W/m・K超の熱伝導率が必要となってきている。このようなAlN基板を得るためのAlN粉末の製造方法としては、金属アルミニウムと窒素とを反応させてAlNインゴットを製造し、それを粉砕する直接窒化法があり、反応が発熱反応であるため安価に合成できるという長所を持っている。しかし、粉砕を伴うために粒度分布が広く、粒子に歪みを多く含んでおり、これらの粉末を用いて焼結体を製造しても所要強度を維持したまま、180W/m・K超の高熱伝導率を得ることは困難であった。
【0004】
本発明者らの検討によれば、直接窒化法による生産性向上の利点を保持したまま、180W/m・K超のAlN基板を製造するには、それに用いるAlN粉末のリートベルト法による不均一歪みが0.05%以下であればよく、その実現の一手段は、AlNインゴットの製造を経由させないで、すなわち多大な粉砕を伴わせないで、直接窒化法によってAlN粉末を製造すればよいことを見いだした。
【0005】
多大な粉砕を伴わせないAlN粉末の製造法として、1850℃に保たれた反応管に、平均粒子径10〜50μmの金属アルミニウム粉末を窒素ガス等のキャリアによって100〜1000g/m供給してアルミニウム蒸気にすると共に、反応管内壁にそって供給された窒素ガスと窒化反応させる方法が提案されている(特許文献1)。この方法によれば、粉砕を伴わずに微細なAlN粉末を製造でき、そのリートベルト法による不均一歪みはAlNインゴットの製造を経由させて得られた粉よりも小さくなったが、製造法上、アルミニウム液滴の蒸発促進の点が配慮されていなかったので、それでも0.08%程度であり、本発明が目的とする0.05%以下にはできていなかった。
【0006】
【特許文献1】
特開2003−34511号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、窒素性ガス気流中にて金属アルミニウム粉末を窒化させるAlN粉末の製造方法において、そのリートベルト法による不均一歪みが0.05%以下であるものを製造することである。本発明の目的は、高粉塵濃度で凝集させることなく金属アルミニウム粉末を高温に保たれた窒化反応炉に噴射し、高濃度のアルミニウム蒸気と窒素性ガスとを反応させることによって達成することができる。
【0008】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、平均粒子径が10〜40μmの金属アルミニウム粉末を、窒素性ガス1Nmあたり1〜3kgの割合で同伴させ、それをノズルよりガス圧0.2〜0.6MPaの条件でノズルより1900〜2200℃に保たれた窒化反応炉内に噴射させ、窒化させることを特徴とする、リートベルト法により測定された不均一歪みが0.05%以下である窒化アルミニウム粉末の製造方法である。この場合において、ガス流速が50〜100m/sであり、また金属アルミニウム粉末を400〜600℃のゾーンを通過させてから噴射することが好ましい。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、更に詳しく本発明について説明する。
【0010】
本発明者らの検討によれば、特許文献1の発明においては、金属アルミニウム蒸気濃度が高くなるほど不均一歪みが小さくなるが、アルミニウム蒸気濃度を高くするために、金属アルミニウム粉末の供給量を単に高めると金属アルミニウムが残存してしまうことを見いだした。この原因は、金属アルミニウムの融点が低いために、細分散化されずに凝集したまま液滴化し、全てが窒化反応にあずからないことによる。これを解決するには、金属アルミニウム粉末をできるだけ微粉とし、しかも窒化反応炉内では可及的に高加熱速度で加熱することである。
【0011】
本発明に用いられる金属アルミニウム粉末は平均粒子径が10〜40μmであること以外は特に制約はないが、爆発の危険性が小さいアトマイズ粉がより好ましい。平均粒子径が40μm超であると、表面積が小さいためにアルミニウムの蒸発が抑えられ、高濃度のアルミニウム蒸気が得られず、不均一歪みの大きなAlN粉末が合成されるばかりでなく、金属アルミニウムが残存するおそれがある。平均粒子径が10μm未満の金属アルミニウム粉末では、凝集が著しく分散されずに粗大液滴となり、同様に高濃度のアルミニウム蒸気を得ることができなくなる。
【0012】
金属アルミニウムは低融点材料であるため、高温場に供給されるとすぐに溶融し液滴となる。粉体は微粉であるほど凝集しやすいために、金属アルミニウム粉末を気流中で高温場に導入すると、凝集粒子サイズがそのまま液滴サイズとなってしまうので、粗大粉末を供給しているのとあまり変わらず、粒子の蒸発が遅れ、高濃度のアルミニウム蒸気を得ることができなくなる。また、粉塵濃度が高濃度であるほど、粉体の凝集、溶融・粗大粒子化は顕著となる。
【0013】
そこで、本発明においては、金属アルミニウム粉末は、ガス圧0.2〜0.6MPaの条件にして窒化反応炉内に噴射される。ガス圧が0.2MPa未満であると、分散不良により液滴が粗大粒子化してしまい、高濃度のアルミニウム蒸気は得られず、歪みを多く含んだAlN粉末となる。また、ガス圧が0.6MPaを超えると、アルミニウム蒸気と窒素が反応する際に高流速の窒素性ガスによって均一な核生成が阻害され歪みが生じてしまう。
【0014】
金属アルミニウム粉末を窒化反応炉内に噴射するには、テーブルフィーダー、スクリューフィーダー等の供給機によって金属アルミニウム粉末を定量的に混合器に供給する一方、そこで窒素ガス等のキャリアガスと混合しながらノズルに搬送し、ノズルの出口付近で酸素が混入しないようにして窒素性ガスと合流させ噴射する。ガス圧の0.2〜0.6MPaは、窒素性ガスのガス圧によって調整される。
【0015】
本発明で用いられるノズルとしては、オリフィス、二流体ノズル、リングノズル等があるが、リングノズルが好適である。リングノズルの一例を図1に示した。図1に示されるものは、テーパー連接構造の供給管14と排出管15とからなり、お互いのテーパー面同士の距離(間隔)によってスリット18の幅が調節できるようになっており、通常、排出管15は固定されており、供給管14の移動距離によってスリット幅が調整される。窒素性ガス室16には所定圧の窒素性ガスが充填されており、スリット幅によって流量が調整される。金属アルミニウム紛末は、キャリアガスによって供給管14に導入し、スリットから噴出した窒素性ガスと合流して更に分散され、排出管15から噴射する。17は圧力計である。
【0016】
本発明における窒素性ガスとは、金属アルミニウム蒸気がAlNになるための窒素を含んだガスであり、窒素ガス単独、窒素ガスと水素、CO、アンモニア等のガスとの混合ガスが例示される。また、キャリアガスとしては、窒素性ガス、水素、CO、アンモニア等の非酸化性ガスが例示される。
【0017】
金属アルミニウム粉末は、流速50〜100m/sのガスで噴射されることが好ましい。これによって、アルミニウム粉末表面の蒸発がより促進され、均一な核生成が起こり不均一歪みをより小さく抑えることができる。ここで、流速は、単位時間あたりのガス量(Nm/h)をフィード管断面積(m)で除することによって算出され、ガス量は、窒素性ガスとキャリアガスの合計量である。
【0018】
金属アルミニウム粉末は、400〜600℃のゾーンを通過させて噴射されることが好ましい。これによって、金属アルミニウムの溶融を抑え、速やかに加熱・蒸発をさせることができる。
【0019】
金属アルミニウム粉末の供給量が窒素性ガス1Nmあたり1kg未満であると、リートベルト法により測定された不均一歪みを0.05%以下にすることができなくなる。この原因としては、粉塵濃度が低いとアルミニウム蒸気圧が小さくなり、気−気反応による窒化アルミの核生成時に迅速な核生成が起こらず、歪みが形成されるためと考えられる。一方、金属アルミニウム粉末の供給量が3kgよりも大きくなると、上記のガス圧による噴射においても分散させることが難しくなり、蒸気化できない金属アルミニウムが残存し不均一歪みも大きくなる。なお、金属アルミニウム粉末の供給量を算出する際の窒素性ガスの基準量は、キャリアガスとして窒素を含むガスを用いたときには、その窒素ガス量と窒素性ガス量との合計量となる。
【0020】
本発明において、窒化反応炉は1900℃〜2200℃に保持される。1900℃よりも低温であると、金属アルミニウム粉末を蒸発させることが難しく、2200℃よりも高温では合成した窒化アルミ蒸気圧が高くなり、ファイバーの形成、比表面積の増加、酸素量の増加等が起こり、不均一歪みが0.05以下のAlN粉末を得ることができなくなる。
【0021】
本発明で用いられるAlN粉末の製造装置の一例を図2に示す。窒化反応炉は、高周波誘導加熱方式であり、反応管6とその周囲に配設された発熱体8を有し、それを断熱体9で覆った石英外壁10から構成されている。反応管6の材質は、1900℃以上の窒素性ガス中で安定な等方性黒鉛、窒化ホウ素等が好ましい。4は金属アルミニウムの供給温度を調節するための抵抗加熱源、5はフィード管、7は高周波誘導加熱源、13は測温体である。窒化反応炉の炉頂部には、金属アルミニウム粉末の供給機1、混合器2、ノズル3からなる金属アルミニウム粉末の噴射手段が設置されており、また炉底部は捕集系に接続されている。生成したAlN粉末は、炉底部からブロワー12によって吸引されて捕集系に導かれ、バッグフィルター、電気集塵機等の捕集装置11で捕集される。
【0022】
本発明における不均一歪みは、リートベルト法により測定される。これは、X線回折装置、例えば、日本電子社製商品名「JDX3500」を用いて回折パターン測定し、精密化することによって行うことができる(「粉末X線解析の実際」第164〜167ページ、2002年2月朝倉書店発行参照)。また、平均粒子径は、マイクロトラック社製レーザー回折散乱法粒度分布測定装置により測定し、AlN焼結体の熱伝導率はレーザーフラッシュ法により測定した。
【0023】
【実施例】
以下、実施例、比較例をあげて更に本発明を説明する。
【0024】
図2に示される装置を用いてAlN粉末を製造した。窒化反応炉の容量は170kVA、出力は100kWである。炉の中央内部には反応管6(窒化ホウ素製:内径200mm、全長3000mm)が設置され、その周囲に発熱体8(黒鉛製)が配置され、高周波誘導加熱源7により加熱されて反応官が所定温度に保たれている。反応温度は、発熱体中央部に設置した測温体13(グラッシーカーボン管)を光温度計により測温して行われる。発熱体8は、断熱材9(多孔質カーボンビーズ)により保温され、石英外壁10(内径450mm、全長3000mm)で保持されている。炉底部から、生成したAlN粉末をブロワー12により吸引され、捕集装置11(バッグフィルター)で捕集される。
【0025】
金属アルミニウムの供給機(スクリューフィーダー)1より所定量の金属アルミニウム粉末を混合器2に搬送し、そこでキャリアガス(窒素ガス)と混合しながらノズル3(図1に示されるリングノズル)に導入し、スリット18から噴出した窒素性ガス(窒素ガス)と合流させ、窒化反応炉内に噴射した。その際、スリット18の幅を調節してガス量とガス圧を調節し、ノズル下部に設置された抵抗加熱源4の出力を調整して金属アルミニウム粉末の通過ゾーンの温度を調節した。抵抗加熱源4の中央部には種々の直径を有するフィード管5が設けられており、リングノズルで分散された金属アルミニウム粉末が所定の温度、所定の流速でフィード管を通過し、反応管6内に噴射される。
【0026】
実施例1〜11、比較例1〜8
純度99.97質量%の金属アルミニウム粉末を用い、表1、2に示す条件でAlN粉末を製造し、リートベルト法による不均一歪みと、それを用いて製造したAlN焼結体の熱伝導率を測定した。実施例1〜6、10、11、比較例1〜8で用いたフィード管の直径は8mm、実施例7は5mm、実施例8は4.3mm、実施例9は4mmとした。また、金属アルミニウム粉末の通過ゾーンの温度を実施例10では400℃、実施例11では600℃とし、それ以外は25℃とした。
【0027】
AlN焼結体は、AlN粉末95質量部と酸化イットリウム粉末5質量部をボールミルにて6時間混合し、それを20MPaの圧力で金型成形後、200MPaの圧力でCIP成形し、1気圧の窒素ガス雰囲気中にて1810℃で2時間焼成して製造した。
【0028】
【表1】

Figure 0004053459
【0029】
【表2】
Figure 0004053459
【0030】
表1、2から、本発明の実施例によれば、リートベルト法により測定された不均一歪み0.05%以下のAlN粉末が得られ、熱伝導率180W/m・K以上のAlN焼結体が得られたことがわかる。とくに、ガス流速を50〜100m/sの範囲内にした実施例7、8、金属アルミニウム粉末の通過ゾーンの温度を400〜600℃の範囲内にした実施例10、11では不均一歪みが一段と小さくなり、熱伝導率が増大した。
【0031】
【発明の効果】
本発明によれば、高熱伝導AlN焼結体を得ることのできる、リートベルト法による不均一歪みが0.05以下のAlN粉末を、金属アルミニウム粉末を用いた直接窒化法によって、安価かつ工業的規模で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】リングノズルの一例を示す説明図
【図2】AlN粉末の製造装置の一例を示す説明図
【符号の説明】
1 金属アルミニウム粉末の供給機
2 混合器
3 ノズル
4 抵抗加熱源
5 フィード管
6 反応管
7 高周波誘導加熱源
8 発熱体
9 断熱体
10 石英外壁
11 捕集装置
12 ブロワー
13 測温体
14 ノズルの供給管
15 ノズルの排出管
16 窒素性ガス室
17 圧力計
18 スリット[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for producing aluminum nitride (AlN) powder in which metal aluminum powder is nitrided in a stream of nitrogen gas or nitrogen-containing gas (hereinafter referred to as “nitrogen gas”). Specifically, the present invention relates to a method for producing an AlN powder having a non-uniform strain of 0.05% or less measured by a Rietveld method suitable for producing an aluminum nitride sintered body used for a high thermal conductive ceramic substrate or the like.
[0002]
[Prior art]
[0003]
In recent years, AlN substrates for semiconductor use have required a thermal conductivity of more than 180 W / m · K as circuit boards have become smaller and power modules have higher outputs. As an AlN powder production method for obtaining such an AlN substrate, there is a direct nitridation method in which an aluminum ingot is produced by reacting metallic aluminum and nitrogen, and the pulverization is performed. It has the advantage that it can be synthesized. However, since it is accompanied by pulverization, the particle size distribution is wide and the particles contain a lot of distortion. Even if a sintered body is produced using these powders, the high strength of over 180 W / m · K is maintained while maintaining the required strength. Obtaining conductivity was difficult.
[0004]
According to the study by the present inventors, in order to manufacture an AlN substrate exceeding 180 W / m · K while maintaining the advantage of productivity improvement by the direct nitriding method, the non-uniformity of the AlN powder used for it by the Rietveld method The strain should be 0.05% or less, and one means for realizing this is that the AlN powder should be produced by the direct nitriding method without going through the production of the AlN ingot, that is, not accompanied by a large pulverization. I found.
[0005]
As a method for producing AlN powder without significant pulverization, 100 to 1000 g / m 3 of metal aluminum powder having an average particle size of 10 to 50 μm is supplied to a reaction tube maintained at 1850 ° C. by a carrier such as nitrogen gas. A method has been proposed in which aluminum vapor is used and a nitriding reaction with nitrogen gas supplied along the inner wall of the reaction tube is performed (Patent Document 1). According to this method, fine AlN powder can be produced without pulverization, and the non-uniform distortion by the Rietveld method is smaller than the powder obtained through the production of the AlN ingot. Since the point of promoting the evaporation of the aluminum droplet was not taken into consideration, it was still about 0.08%, which was not the target 0.05% or less of the present invention.
[0006]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 2003-34511
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to produce an AlN powder producing method in which a metal aluminum powder is nitrided in a nitrogen gas stream, and having non-uniform strain of 0.05% or less by the Rietveld method. The object of the present invention can be achieved by injecting metallic aluminum powder into a nitriding reactor maintained at a high temperature without agglomerating at a high dust concentration, and reacting a high concentration of aluminum vapor with a nitrogenous gas. .
[0008]
[Means for Solving the Problems]
That is, in the present invention, metallic aluminum powder having an average particle size of 10 to 40 μm is entrained at a rate of 1 to 3 kg per 1 Nm 3 of nitrogenous gas, and is supplied under a condition of gas pressure of 0.2 to 0.6 MPa from the nozzle. A method for producing an aluminum nitride powder having a non-uniform strain measured by the Rietveld method of 0.05% or less, characterized by being injected from a nozzle into a nitriding reactor maintained at 1900-2200 ° C. and nitrided It is. In this case, it is preferable that the gas flow rate is 50 to 100 m / s and the metal aluminum powder is injected after passing through the zone of 400 to 600 ° C.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
[0010]
According to the study by the present inventors, in the invention of Patent Document 1, the non-uniform distortion decreases as the metal aluminum vapor concentration increases, but in order to increase the aluminum vapor concentration, the supply amount of the metal aluminum powder is simply set. It was found that the metal aluminum remains when it is raised. This is because the melting point of the metal aluminum is low, so that the droplets remain aggregated without being finely dispersed, and all of them do not participate in the nitriding reaction. In order to solve this, the metal aluminum powder should be made as fine as possible, and heated in the nitriding reactor at the highest possible heating rate.
[0011]
The metal aluminum powder used in the present invention is not particularly limited except that the average particle size is 10 to 40 μm, but atomized powder with a low risk of explosion is more preferable. When the average particle size is more than 40 μm, the evaporation of aluminum is suppressed because the surface area is small, and high concentration of aluminum vapor cannot be obtained. May remain. In the case of metallic aluminum powder having an average particle diameter of less than 10 μm, the aggregation is not remarkably dispersed and becomes coarse droplets, and similarly, a high concentration aluminum vapor cannot be obtained.
[0012]
Since metallic aluminum is a low melting point material, it immediately melts into droplets when supplied to a high temperature field. The finer the powder, the easier it is to agglomerate. If the metal aluminum powder is introduced into a high-temperature field in an air stream, the agglomerated particle size becomes the droplet size as it is. The vaporization of particles is delayed, and high concentration aluminum vapor cannot be obtained. Moreover, the higher the dust concentration, the more noticeable the aggregation, melting and coarsening of the powder.
[0013]
Therefore, in the present invention, the metal aluminum powder is injected into the nitriding reactor under a gas pressure of 0.2 to 0.6 MPa. If the gas pressure is less than 0.2 MPa, the droplets become coarse particles due to poor dispersion, and a high-concentration aluminum vapor cannot be obtained, resulting in an AlN powder containing a large amount of distortion. On the other hand, when the gas pressure exceeds 0.6 MPa, uniform nucleation is inhibited by the high flow rate nitrogenous gas when aluminum vapor reacts with nitrogen, and distortion occurs.
[0014]
In order to inject the metal aluminum powder into the nitriding reactor, the metal aluminum powder is quantitatively supplied to the mixer by a feeder such as a table feeder or screw feeder, while being mixed with a carrier gas such as nitrogen gas. In order to prevent oxygen from being mixed in the vicinity of the nozzle outlet, it is combined with nitrogenous gas and injected. The gas pressure of 0.2 to 0.6 MPa is adjusted by the gas pressure of the nitrogenous gas.
[0015]
The nozzle used in the present invention includes an orifice, a two-fluid nozzle, a ring nozzle, and the like, and a ring nozzle is preferable. An example of a ring nozzle is shown in FIG. 1 includes a supply pipe 14 and a discharge pipe 15 having a tapered connection structure, and the width of the slit 18 can be adjusted by the distance (interval) between the tapered surfaces of each other. The pipe 15 is fixed, and the slit width is adjusted by the moving distance of the supply pipe 14. The nitrogen gas chamber 16 is filled with a nitrogen gas having a predetermined pressure, and the flow rate is adjusted by the slit width. The metal aluminum powder is introduced into the supply pipe 14 by the carrier gas, merges with the nitrogenous gas ejected from the slit, is further dispersed, and is ejected from the discharge pipe 15. 17 is a pressure gauge.
[0016]
The nitrogenous gas in the present invention is a gas containing nitrogen for the metallic aluminum vapor to become AlN, and examples thereof include nitrogen gas alone, and mixed gas of nitrogen gas and gas such as hydrogen, CO, and ammonia. Examples of the carrier gas include non-oxidizing gases such as nitrogen gas, hydrogen, CO, and ammonia.
[0017]
The metal aluminum powder is preferably injected with a gas having a flow rate of 50 to 100 m / s. As a result, evaporation of the aluminum powder surface is further promoted, uniform nucleation occurs, and non-uniform distortion can be further reduced. Here, the flow rate is calculated by dividing the gas amount per unit time (Nm 3 / h) by the feed pipe cross-sectional area (m 2 ), and the gas amount is the total amount of nitrogenous gas and carrier gas. .
[0018]
The metal aluminum powder is preferably jetted through a zone of 400 to 600 ° C. As a result, melting of the metal aluminum can be suppressed, and heating and evaporation can be performed quickly.
[0019]
When the supply amount of the metal aluminum powder is less than 1 kg per 1 Nm 3 of the nitrogenous gas, the nonuniform strain measured by the Rietveld method cannot be made 0.05% or less. This is thought to be because if the dust concentration is low, the aluminum vapor pressure becomes small, and rapid nucleation does not occur during the nucleation of aluminum nitride by the gas-gas reaction, and distortion is formed. On the other hand, when the supply amount of the metal aluminum powder is larger than 3 kg, it becomes difficult to disperse even in the injection by the above gas pressure, metal aluminum that cannot be vaporized remains, and nonuniform distortion also increases. Note that the reference amount of the nitrogenous gas when calculating the supply amount of the metal aluminum powder is the total amount of the nitrogen gas amount and the nitrogenous gas amount when a gas containing nitrogen is used as the carrier gas.
[0020]
In the present invention, the nitriding reactor is maintained at 1900 ° C to 2200 ° C. When the temperature is lower than 1900 ° C., it is difficult to evaporate the metal aluminum powder, and when the temperature is higher than 2200 ° C., the synthesized aluminum nitride vapor pressure becomes high, and fiber formation, increase in specific surface area, increase in oxygen amount, etc. As a result, it becomes impossible to obtain an AlN powder having a non-uniform strain of 0.05 or less.
[0021]
An example of an apparatus for producing AlN powder used in the present invention is shown in FIG. The nitriding reaction furnace is a high-frequency induction heating system, and includes a reaction tube 6 and a heating element 8 disposed around the reaction tube 6 and a quartz outer wall 10 covered with a heat insulator 9. The material of the reaction tube 6 is preferably isotropic graphite, boron nitride or the like that is stable in a nitrogen gas at 1900 ° C. or higher. 4 is a resistance heating source for adjusting the supply temperature of the metal aluminum, 5 is a feed tube, 7 is a high frequency induction heating source, and 13 is a temperature measuring body. At the furnace top of the nitriding reactor, metal aluminum powder injection means comprising a metal aluminum powder feeder 1, a mixer 2 and a nozzle 3 is installed, and the furnace bottom is connected to a collection system. The produced AlN powder is sucked by the blower 12 from the bottom of the furnace, guided to a collection system, and collected by a collection device 11 such as a bag filter or an electric dust collector.
[0022]
The non-uniform distortion in the present invention is measured by the Rietveld method. This can be performed by measuring and refining the diffraction pattern using an X-ray diffractometer, for example, a product name “JDX3500” manufactured by JEOL Ltd. (“Practice of powder X-ray analysis”, pages 164 to 167. , February 2002, published by Asakura Shoten). The average particle diameter was measured by a laser diffraction scattering method particle size distribution measuring device manufactured by Microtrack, and the thermal conductivity of the AlN sintered body was measured by a laser flash method.
[0023]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be further described with reference to Examples and Comparative Examples.
[0024]
An AlN powder was manufactured using the apparatus shown in FIG. The capacity of the nitriding reactor is 170 kVA and the output is 100 kW. A reaction tube 6 (made of boron nitride: inner diameter 200 mm, total length 3000 mm) is installed in the center of the furnace, a heating element 8 (made of graphite) is arranged around it, and heated by a high-frequency induction heating source 7 so that a reaction agent It is kept at a predetermined temperature. The reaction temperature is measured by measuring the temperature measuring body 13 (glassy carbon tube) installed at the center of the heating element with an optical thermometer. The heating element 8 is kept warm by a heat insulating material 9 (porous carbon beads) and is held by a quartz outer wall 10 (inner diameter 450 mm, total length 3000 mm). The produced AlN powder is sucked by the blower 12 from the bottom of the furnace and collected by the collection device 11 (bag filter).
[0025]
A predetermined amount of metal aluminum powder is conveyed from a metal aluminum feeder (screw feeder) 1 to a mixer 2 where it is mixed with a carrier gas (nitrogen gas) and introduced into a nozzle 3 (ring nozzle shown in FIG. 1). The nitrogen gas (nitrogen gas) ejected from the slit 18 was merged and ejected into the nitriding reactor. At that time, the gas volume and the gas pressure were adjusted by adjusting the width of the slit 18 and the output of the resistance heating source 4 installed at the lower part of the nozzle was adjusted to adjust the temperature of the passing zone of the metal aluminum powder. The central portion of the resistance heating source 4 is provided with a feed pipe 5 having various diameters, and the metal aluminum powder dispersed by the ring nozzle passes through the feed pipe at a predetermined temperature and a predetermined flow rate. Is injected into the inside.
[0026]
Examples 1-11, Comparative Examples 1-8
Using AlN powder with a purity of 99.97% by mass, the AlN powder was manufactured under the conditions shown in Tables 1 and 2, and the non-uniform strain by the Rietveld method and the thermal conductivity of the AlN sintered body manufactured using the strain. Was measured. The diameters of the feed tubes used in Examples 1 to 6, 10, 11 and Comparative Examples 1 to 8 were 8 mm, Example 7 was 5 mm, Example 8 was 4.3 mm, and Example 9 was 4 mm. The temperature of the metal aluminum powder passing zone was 400 ° C. in Example 10, 600 ° C. in Example 11, and 25 ° C. otherwise.
[0027]
The AlN sintered body was prepared by mixing 95 parts by mass of AlN powder and 5 parts by mass of yttrium oxide powder in a ball mill for 6 hours, molding the mold at a pressure of 20 MPa, CIP molding at a pressure of 200 MPa, and nitrogen at 1 atm. It was manufactured by firing at 1810 ° C. for 2 hours in a gas atmosphere.
[0028]
[Table 1]
Figure 0004053459
[0029]
[Table 2]
Figure 0004053459
[0030]
From Tables 1 and 2, according to the examples of the present invention, an AlN powder having a non-uniform strain of 0.05% or less measured by the Rietveld method is obtained, and an AlN sintered having a thermal conductivity of 180 W / m · K or more is obtained. You can see that the body was obtained. In particular, in Examples 7 and 8 in which the gas flow rate is in the range of 50 to 100 m / s, and in Examples 10 and 11 in which the temperature of the passing zone of the metal aluminum powder is in the range of 400 to 600 ° C., the non-uniform strain is further increased. It became smaller and the thermal conductivity increased.
[0031]
【The invention's effect】
According to the present invention, an AlN powder having a non-uniform strain of 0.05 or less by the Rietveld method, which can obtain a high thermal conductivity AlN sintered body, is inexpensive and industrially produced by a direct nitriding method using a metal aluminum powder. Can be manufactured on a scale.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of a ring nozzle. FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of an AlN powder production apparatus.
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Metal aluminum powder feeder 2 Mixer 3 Nozzle 4 Resistance heating source 5 Feed tube 6 Reaction tube 7 High-frequency induction heating source 8 Heating element 9 Heat insulator 10 Quartz outer wall 11 Collection device 12 Blower 13 Temperature measuring element 14 Supply of nozzle Pipe 15 Nozzle discharge pipe 16 Nitrogen gas chamber 17 Pressure gauge 18 Slit

Claims (3)

平均粒子径が10〜40μmの金属アルミニウム粉末を、窒素ガス又は窒素を含むガス1Nm3あたり1〜3kgの割合で同伴させ、それをノズルよりガス圧0.2〜0.6MPaの条件で1900〜2200℃に保たれた窒化反応炉内に噴射させ、窒化させることを特徴とする、リートベルト法により測定された不均一歪みが0.055%以下である窒化アルミニウム粉末の製造方法。Metallic aluminum powder having an average particle size of 10 to 40 μm is entrained at a rate of 1 to 3 kg per 1 Nm3 of nitrogen gas or nitrogen-containing gas, and is 1900 to 2200 under a gas pressure of 0.2 to 0.6 MPa from the nozzle. A method for producing an aluminum nitride powder having a non-uniform strain measured by the Rietveld method of 0.055 % or less, characterized by being injected into a nitriding reaction furnace maintained at ° C and nitriding. ガス流速が50〜100m/sであることを特徴とする請求項1記載の窒化アルミニウム粉末の製造方法。The method for producing an aluminum nitride powder according to claim 1, wherein the gas flow rate is 50 to 100 m / s. 金属アルミニウム粉末を400〜600℃のゾーンを通過させてから噴射することを特徴とする請求項1又は2記載の窒化アルミニウム粉末の製造方法。The method for producing aluminum nitride powder according to claim 1 or 2, wherein the metal aluminum powder is injected after passing through a zone of 400 to 600 ° C.
JP2003131007A 2003-05-09 2003-05-09 Method for producing aluminum nitride powder Expired - Fee Related JP4053459B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003131007A JP4053459B2 (en) 2003-05-09 2003-05-09 Method for producing aluminum nitride powder

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003131007A JP4053459B2 (en) 2003-05-09 2003-05-09 Method for producing aluminum nitride powder

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004331466A JP2004331466A (en) 2004-11-25
JP4053459B2 true JP4053459B2 (en) 2008-02-27

Family

ID=33506294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003131007A Expired - Fee Related JP4053459B2 (en) 2003-05-09 2003-05-09 Method for producing aluminum nitride powder

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4053459B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007032090A1 (en) * 2005-09-12 2007-03-22 Tcfm Limited Process for producing aluminum nitride
JP5876392B2 (en) * 2012-09-06 2016-03-02 デンカ株式会社 Method for producing aluminum nitride powder
KR101766004B1 (en) * 2015-03-20 2017-08-24 오씨아이 주식회사 Apparatus and method of manufacturing aluminum nitride powder and aluminum nitride powder prepared thereby
CN113860879A (en) * 2021-11-24 2021-12-31 江西理工大学 Method for preparing aluminum nitride powder by suspension reduction

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004331466A (en) 2004-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1843834B1 (en) Induction plasma synthesis of nanopowders
US20070221635A1 (en) Plasma synthesis of nanopowders
US8062406B2 (en) Process for producing metallic ultrafine powder
JP5363397B2 (en) Method for producing silicon / silicon carbide composite fine particles
JP2009527640A (en) High density molybdenum metal powder and method for producing the same
JP2005342615A (en) Method and apparatus for producing spherical composite particle
KR102292897B1 (en) Nickel powder
CN105965033B (en) The preparation method of micron order carbonyl iron, nickel alloy powder
KR20150027124A (en) Method for production of titanium carbide microparticles
JP4053459B2 (en) Method for producing aluminum nitride powder
JP3270118B2 (en) Method and apparatus for producing spheroidized particles by high-frequency plasma
JP4995210B2 (en) Method for producing fine silica powder
JP4014562B2 (en) Method for producing aluminum nitride powder
JP4664229B2 (en) Aluminum nitride powder and resin composition
JPWO2019146414A1 (en) Copper fine particles
JPH07309611A (en) Production of aluminum nitride powder
JP4195279B2 (en) Method for producing high-purity magnesium oxide fine powder
JP4545357B2 (en) Method for producing aluminum nitride powder
JP4105141B2 (en) Method for producing aluminum nitride powder
JP2017155279A (en) Method for producing metal fine particle
JP4392097B2 (en) Method for producing ultrafine spherical silica
JP2004115334A (en) Method of manufacturing high alpha-type silicon nitride fine powder
JP2006016214A (en) Method for manufacturing aluminum nitride powder
JPH01145310A (en) Production of ultrafine powder of high-purity aluminum nitride
JP4014561B2 (en) Aluminum nitride powder, production method and use thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061205

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061206

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071205

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4053459

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111214

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111214

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121214

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121214

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131214

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees