JP4052472B2 - プラズマ処理装置及びそのメンテナンス方法 - Google Patents

Description

本発明はプラズマＣＶＤ装置やプラズマエチング装置などのプラズマ処理装置及びそのメンテナンス方法に関する。

現在、半導体素子の製造などにおいてはプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）装置を用いた成膜が知られている。プラズマＣＶＤ装置は、膜の原料となるガスを低圧環境下（成膜室）に供給した後、高周波パワーでプラズマ状態として、このプラズマ中の活性粒子（励起原子又は分子）により化学的な反応を促進して、基板支持台上に載置した基板（ウエハ）に成膜を行う装置である。

そして、かかるプラズマＣＶＤ装置には、ロボットによって成膜後の基板を基板支持台上から搬送するときに前記基板を基板支持台から少し浮かせて前記ロボットによる前記基板の搬送を可能とするため、基板昇降装置が装備されている。この基板昇降装置は前記基板支持台に設けられたピン穴を通って上方へ移動することにより前記基板を押し上げる複数の基板押上ピンと、これらの基板押上ピンを昇降するエアシリンダとを有してなるものである。なお、関連する先行技術文献としては下記の特許文献１，２がある。

特開２００３−１９７７１９号公報 特開２００３−３３２２８０号公報

ところが、基板押上ピンの材料には基板（膜）の金属汚染を防止する観点から金属を使用することができず、セラミックスが使用される。このため、基板搬送時にロボットや基板が基板押上ピンに当たって、基板押上ピンが折れてしまうことが多い。また、基板支持台に静電チャックを備えている場合には、基板の電荷が十分に除去される前に基板押上ピンで基板を押し上げたときに基板押上ピンが折れてしまうこともある。

そして、折れた基板押上ピンがピン穴の中に残ると、これをピン穴から取り出すことは容易ではない。また、折れた基板押上ピンの上部破片がピン穴に落ちて、ピン穴に残っている基板押上ピンの下側部分とピン穴との隙間に入り込むこともあり、この場合には更に基板押上ピンの取り出しが困難となる。

従って本発明は上記の事情に鑑み、折れた基板押上ピンをピン穴から取り出すことが容易な構造のプラズマ処理装置及びそのメンテナンス方法を提供することを課題とする。

上記課題を解決する第１発明のプラズマ処理装置は、低圧環境下に供給したガスを高周波パワーによってプラズマ状態とし、このプラズマで基板支持台上に載置した基板に対しプラズマ処理を施す装置であって、前記基板を搬送手段により前記基板支持台から搬送するときに前記基板支持台に設けられたピン穴を通って上方へ移動することにより前記基板を押し上げる複数の基板押上ピンと、これらの基板押上ピンを昇降させるピン駆動手段とを有してなる基板昇降手段を備えたプラズマ処理装置において、
前記ピン穴の上部は前記ピン穴の下部よりも幅を広くし、且つ、前記ピン穴の上部には前記基板押上ピンが貫通する穴を有する蓋部材を着脱可能に設けたことを特徴とする。

また、第２発明のプラズマ処理装置のメンテナンス方法は、低圧環境下に供給したガスを高周波パワーによってプラズマ状態とし、このプラズマで基板支持台上に載置した基板に対しプラズマ処理を施す装置であって、前記基板を搬送手段により前記基板支持台から搬送するときに前記基板支持台に設けられたピン穴を通って上方へ移動することにより前記基板を押し上げる複数の基板押上ピンと、これらの基板押上ピンを昇降させるピン駆動手段とを有してなる基板昇降手段を備えたプラズマ処理装置のメンテナンス方法であって、
前記プラズマ処理装置は、前記ピン穴の幅は前記基板押上ピンの幅の２倍よりも小さいことを特徴としており、
前記基板押上ピンの上部が折れたとき、このピン上部破片が、前記ピン穴に残った前記基板押上ピンの下側部分と前記ピン穴との隙間に入り込むことなく、回収されることを特徴とする。

また、第３発明のプラズマ処理装置のメンテナンス方法は、低圧環境下に供給したガスを高周波パワーによってプラズマ状態とし、このプラズマで基板支持台上に載置した基板に対しプラズマ処理を施す装置であって、前記基板を搬送手段により前記基板支持台から搬送するときに前記基板支持台に設けられたピン穴を通って上方へ移動することにより前記基板を押し上げる複数の基板押上ピンと、これらの基板押上ピンを昇降させるピン駆動手段とを有してなる基板昇降手段を備えたプラズマ処理装置のメンテナンス方法であって、
前記プラズマ処理装置は、前記基板押上ピンは筒状であることを特徴としており、
前記基板押上ピンの上部が折れたとき、前記ピン穴に残った前記基板押上ピンの下側部分を、このピン下側部分の穴に細線状部材を差し込んで上方へ引き上げることにより、前記ピン穴から取り出すことを特徴とする。

第１発明のプラズマ処理装置は、低圧環境下に供給したガスを高周波パワーによってプラズマ状態とし、このプラズマで基板支持台上に載置した基板に対しプラズマ処理を施す装置であって、前記基板を搬送手段により前記基板支持台から搬送するときに前記基板支持台に設けられたピン穴を通って上方へ移動することにより前記基板を押し上げる複数の基板押上ピンと、これらの基板押上ピンを昇降させるピン駆動手段とを有してなる基板昇降手段を備えたプラズマ処理装置において、前記ピン穴の上部は前記ピン穴の下部よりも幅を広くし、且つ、前記ピン穴の上部には前記基板押上ピンが貫通する穴を有する蓋部材を着脱可能に設けたことにより、ロボットなどの基板搬送手段や基板との衝突などにより基板押上ピンが折れたときには、蓋部材を取り外すことにより幅の広いピン穴上部が露出するため、ピン穴に残った基板押上ピンを、作業員の指で掴んで或いはピンセットなどの工具で掴んでピン穴から容易に取り出すことができ、基板押上ピンが折れたときのメンテナンス性が改善される。

また、第２発明のプラズマ処理装置のメンテナンス方法は、低圧環境下に供給したガスを高周波パワーによってプラズマ状態とし、このプラズマで基板支持台上に載置した基板に対しプラズマ処理を施す装置であって、前記基板を搬送手段により前記基板支持台から搬送するときに前記基板支持台に設けられたピン穴を通って上方へ移動することにより前記基板を押し上げる複数の基板押上ピンと、これらの基板押上ピンを昇降させるピン駆動手段とを有してなる基板昇降手段を備えたプラズマ処理装置のメンテナンス方法であって、前記プラズマ処理装置は、前記ピン穴の幅は前記基板押上ピンの幅の２倍よりも小さいことを特徴としており、前記基板押上ピンの上部が折れたとき、このピン上部破片が、前記ピン穴に残った前記基板押上ピンの下側部分と前記ピン穴との隙間に入り込むことなく、回収されることを特徴とするため、ロボットなどの基板搬送手段や基板との衝突などにより基板押上ピンの上部が折れても、このピン上部破片が下に落ちて、ピン穴に残った基板押上ピンの下側部分とピン穴との隙間に入り込むことがなく、このピン上部破片を容易に回収することができ、基板押上ピンが折れたときのメンテナンス性が改善される。

また、第３発明のプラズマ処理装置のメンテナンス方法は、低圧環境下に供給したガスを高周波パワーによってプラズマ状態とし、このプラズマで基板支持台上に載置した基板に対しプラズマ処理を施す装置であって、前記基板を搬送手段により前記基板支持台から搬送するときに前記基板支持台に設けられたピン穴を通って上方へ移動することにより前記基板を押し上げる複数の基板押上ピンと、これらの基板押上ピンを昇降させるピン駆動手段とを有してなる基板昇降手段を備えたプラズマ処理装置のメンテナンス方法であって、前記プラズマ処理装置は、前記基板押上ピンは筒状であることを特徴としており、前記基板押上ピンの上部が折れたとき、前記ピン穴に残った前記基板押上ピンの下側部分を、このピン下側部分の穴に細線状部材を差し込んで上方へ引き上げることにより、前記ピン穴から取り出すことを特徴とするため、ロボットなどの基板搬送手段や基板との衝突などにより基板押上ピンが折れたときには、ピン穴に残った基板押上ピンを、この基板押上ピンの穴に針金などの細線状部材を差し込んで上方へ引き上げることにより容易にピン穴から取り出すことができ、基板押上ピンが折れたときのメンテナンス性が改善される。

以下、本発明の実施の形態例を図面に基づき詳細に説明する。

＜実施の形態１＞
図１（ａ）は本発明の実施の形態１に係るプラズマＣＶＤ装置の構成図、図１（ｂ）は前記プラズマＣＶＤ装置において基板を基板押上ピンで押し上げた状態を示す図である。また、図２（ａ）は前記基板押上ピン部分の断面図、図２（ｂ）及び図２（ｃ）は前記基板押上ピンが折れたときの状態を示す断面図である。

図１（ａ）に示すようにプラズマＣＶＤ装置は円筒状の真空チャンバ１を有しており、真空チャンバ１の内部が成膜室２となっている。成膜室２の上部には電磁波透過窓である円形の天井板３が設けられ、天井板３の上にはスパイラル状の給電アンテナ４が設置されており、給電アンテナ４にはインピーダンスマッチングを行うための整合器５を介して高周波電源６が接続されている。従って、高周波電源６から給電アンテナ４へ高周波電力を供給することにより、電磁波７が給電アンテナ４から天井板３を透過して成膜室２に入射され、成膜室２に供給された各種のガスが電磁波７のエネルギー（高周波パワー）によってプラズマ状態になる。

真空チャンバ１には図示ないガス供給系から送給されてきた各種のガスを成膜室２へ導入するためのノズル８，９が設けられている。例えば、ノズル８からは酸化膜の原料ガスとしてＳｉＨ４ が供給され、ノズル９からは補助ガスとしてＯ２ が供給される。なお、図示は省略するが、真空チャンバ１の下部には排気口が設けられており、この排気口から真空ポンプで成膜室２内のガスを排気することによって成膜室２内を低圧環境とし、この低圧環境下に各種のガスが供給される。

一方、成膜室２の下部には基板支持台（サセプタ）１０が備えられている。基板支持台１０は静電チャック１２を有しており、静電チャック１２の上面に円盤状のＳｉウエハである基板１１が載置されるようになっている。静電チャック１２は電極と同電極の周囲を囲むセラミックス材料とを有してなるものであり、図示しないボルトによって容易に着脱可能に取り付けられている。静電チャック１２はその電極にＬＰＦ１３を介して静電電源１４が接続され、静電電源１４からの直流電力の供給によって発生する静電気力により基板１１を吸着して保持する。静電チャック１２の電極はインピーダンスマッチングを行うための整合器１５及びコンデンサ１７を介してバイアス電源１６にも接続されており、バイアス電極としても機能するようになっている。基板支持台１０は図示しない支持台昇降装置によって矢印Ａのように昇降することにより、基板１１の上下位置を調節することができるようになっている。

また、図示は省略するが、真空チャンバ１には基板搬出・搬入口が設けられ、ロボットによる成膜室２への基板１１の搬入（基板支持台１０への載置）や、成膜室２（基板支持台１０）からの基板１１の搬出を行うようになっている。そして、基板支持台１０には、ロボットによって基板１１を搬出するときに基板１１を図１（ｂ）に示すように基板支持台１０から少し浮かせて（押し上げて）ロボットによる基板１１の搬送を可能とするため、基板押上ピン２２などからなる基板昇降装置が装備されている。

基板昇降装置は基板押上ピン２２と、基板押上ピン２２を矢印Ｂのように昇降させるピン駆動手段（図示省略）とを有してなるものである。基板押上ピン２２はセラミックス材料からなる横断面形状が円形の棒であり、例えば基板１１の周方向に等間隔で３本設けられている。

そして、図２（ａ）に示すように基板押上ピン２２は基板支持台１０に設けられたピン穴２１を通って上方へ移動することにより、基板１１を押し上げる。ピン穴２１も横断面形状が円形となっている。静電チャック１２には貫通穴２３が形成されており、基板１１を押し上げるためにピン駆動手段によって基板押上ピン２２を上方に移動させたとき、基板押上ピン２２の先端部が貫通穴２３から突き出て静電チャック１２の上面１２ａよりも上に出るようになっている。ピン駆動手段としては図示しないエアシリンダ（図５参照、詳細後述）が用いられるが、これに限定するものではなく、モータを用いた昇降駆動装置などであってもよい。

そして、本実施の形態１では基板押上ピン２２の幅（直径）ｄ１ を大きくし、或いは、ピン穴２１の幅（直径）ｄ２ を小さくすることにより、ピン穴２１の幅ｄ１ が、基板押上ピン２２の幅ｄ２ の２倍よりも小さくなっている。例えばピン穴２１の幅ｄ１ が２ｍｍであれば基板押上ピン２２の幅ｄ２ は４ｍｍよりも小さくする。

このため、本実施の形態１によれば図２（ｂ）に示すようにロボットや基板との衝突或いは電荷除去前に基板１１を押し上げることなどにより基板押上ピン２２の上部が折れても、このピン上部破片２２ａが下に落ちて、ピン穴２１に残った基板押上ピン２２の下側部分２２ｂとピン穴２１との隙間に入り込むことはない。このため、ピン上部破片２２ａを容易に回収することができ、基板押上ピン２２が折れたときのメンテナンス性が改善される。

つまり、図２（ｃ）に従来の状況を示すようにピン穴２１の幅ｄ１ が基板押上ピン２２の幅ｄ２ の２倍よりも大きくなっている場合には、ピン上部破片２２ａが下に落ちて、ピン穴２１に残った基板押上ピン２２の下側部分２２ｂとピン穴２１との隙間に入り込むことによりピン上部破片２２ａの取り出しが困難になるおそれがあるが、本実施の形態ではこのような事態を防止することができる。

なお、基板押上ピンやピン穴の横断面形状は必ずしも円形に限定するものではなく、矩形状などであってもよい。この場合にも、ピン穴の幅が基板押上ピンの幅の２倍よりも小さくなっていれば、基板押上ピンの上部破片が下に落ちて、ピン穴に残った基板押上ピンの下側部分とピン穴との隙間に入り込むことはない。

＜実施の形態２＞
図３（ａ）は本発明の実施の形態２に係るプラズマ処理装置の基板押上ピン部分の断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図、図３（ｃ）は折れた基板押上ピンをピン穴から取り出すときの様子を示す図である。なお、本実施の形態２では基板押上ピンの構造に工夫を施しており、プラズマＣＶＤ装置の他の構成については上記実施の形態１と同様であるため、ここでの説明及び図示は省略する。

図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように本実施の形態２のプラズマＣＶＤ装置では、基板押上ピン２１が、円筒状に形成されている。即ち、基板押上ピン２１の内部が中空となっている。なお、図示例では基板押上ピン２１の上端部は開口していないが、開口していてもよい。また、本実施の形態２でも上記実施の形態１と同様にピン穴２１の幅（直径）を基板押上ピン２２の幅（直径）の２倍よりも小さくすることにより、基板押上ピン２２の上部破片が下に落ちて、ピン穴２１に残った基板押上ピン２２の下側部分とピン穴２１との隙間に入り込むのを防止している。

そして、本実施の形態２によれば基板押上ピン２２を円筒状としたため、ロボットとの衝突などにより基板押上ピン２２が折れたときには、図３（ｃ）に示すように静電チャック１２を取り外した後、ピン穴２１に残った基板押上ピン２２の下側部分２２ｂを、このピン下側部分２２ｂの穴２２ｃに針金などの細線状部材２４を差し込んで矢印Ｄのように上方へ引き上げることにより容易にピン穴２１から取り出すことができ、基板押上ピン２２が折れたときのメンテナンス性が改善される。

なお、基板押上ピンやピン穴の横断面形状は必ずしも円形に限定するものではなく、矩形状などあってもよい。この場合にも、基板押上ピンを筒状とすることにより、折れてピン穴に残った基板押上ピンの下側部分の穴に細線状部材を差し込んで同下側部分を引き上げることにより容易にピン穴から取り出すことができる。

＜実施の形態３＞
図４（ａ）は本発明の実施の形態３に係るプラズマ処理装置の基板押上ピン部分の断面図、図４（ｂ）は折れた基板押上ピンをピン穴から取り出すときの様子を示す図である。また、図５（ａ）は基板押上ピンとピン駆動部の構成を示す断面図、図５（ｂ）は蓋部材の構成を示す図５（ａ）のＥ−Ｅ線矢視図である。なお、本実施の形態３ではピン穴部分の構成に工夫を施しており、プラズマＣＶＤ装置の全体的な構成などについては上記実施の形態１と同様であるため、ここでの説明及び図示は省略する。

図４（ａ）に示すように本実施の形態３のプラズマＣＶＤ装置では、ピン穴２１の上部２１ａの幅ｄ３ が、ピン穴２１の下部２１ｂの幅ｄ４ よりも広くなっており、且つ、ピン穴上部２１ａにはＴ字状の蓋部材２５が着脱可能に設けられている。蓋部材２５はねじ込みや掛止構造によってピン穴上部２１ａに固定することができるようになっている。また、蓋部材２５の中央部には基板押上ピン２２が通る穴２５ａを有している。なお、本実施の形態３でも上記実施の形態１と同様にピン穴下部２１ｂの幅（直径）を基板押上ピン２２の幅（直径）の２倍よりも小さくすることにより、基板押上ピン２２の上部破片が下に落ちて、ピン穴下部２１ｂに残った基板押上ピン２２の下側部分とピン穴下部２１ｂとの隙間に入り込むのを防止している。

そして、本実施の形態３によれば、ピン穴上部２１ａはピン穴下部２１ｂよりも幅を広くし、且つ、ピン穴上部２１ａには基板押上ピン２２が通る穴２５ａを有する蓋部材２５を着脱可能に設けたことにより、ロボットとの衝突などにより基板押上ピン２２が折れたときには、図４（ｃ）に示すように静電チャック１２を取り外した後、蓋部材２５を取り外すことにより幅の広いピン穴上部２１ａが露出するため、ピン穴２１に残った基板押上ピン２２の下側部分２２ｂを、作業員の指で掴んで或いはピンセットなどの工具で掴んでピン穴２１から容易に取り出すことができ、基板押上ピン２２が折れたときのメンテナンス性が改善される。

ここで、図５に基づき、基板押上ピンとピン駆動部（エアシリンダ）のより具体的な構成例について説明する。

前述のように基板支持台１０には静電チャック１２が図示しないボルトによって容易に着脱可能に取り付けられている。そして、基板支持台１０にはピン穴２１が形成されており、ピン穴２１の上部２１ａはピン穴２１の下部２１ｂよりも幅が広く、且つ、内周面にネジが形成され、外周面にネジが形成された蓋部材２５が螺合している。また、蓋部材２５の中央部の穴２５ａは六角形状となっている。従って、基板押上ピン２２が折れたときには、蓋部材２５の穴２５ａに六角レンチを挿入して蓋部材２５を回すことにより、ピン穴上部２１ａから蓋部材２５を取り外せば、ピン穴が広くなって（ピン穴上部２１ａが露出して）基板押上ピン２２を容易に取り出すことができる。

また、基板押上ピン２２の上部破片がピン穴下部２１ｂ内に落ちるのを防止するため、ピン穴下部２１ｂの幅（直径）は基板押上ピン２２の幅（直径）の２倍よりも小さくなっている。なお、図示例の場合には蓋部材２５の下側にも蓋部材４０を設けた構造となっており、この蓋部材４０の中央部の穴がピン穴下部２１ｂとなっている。下側の蓋部材４０も、外周面にネジが形成されており、内周面にネジが形成されたピン穴上部２１ａの延長部分２１ａ−１に螺合している。

一方、基板支持台１０の下面にはボルト３１によってエアシリンダ３２が取り付けられている。エアシリンダ３２は基板支持台１０にボルト３１で固定された固定部材３３、ピンガイド３４、バネ３５、ベローズ３６、可動部材３７を有している。固定部材３３は中空であり、中央部の穴３３ａ内にバネ３５を収容している。バネ３５の上部は基板支持台１０の下部に形成された穴１０ａの内部に位置している。ピンガイド３４は棒状の部材であり中間部に突起部３４ａが形成され、突起部３４ａから上側の部分が固定部材３３の穴３３ａ内に位置し、且つ、突起部３４ａよりも下側の部分が固定部材３３から下へ突き出ており、下端に可動部材３７が固定されている。ベローズ３６は固定部材３３の下端部と可動部材３７との間に介設されている。バネ３５は下側の蓋部材４０と、ピンガイド３４の突起部３４ａとの間に介設されている。

そして、基板押上ピン２２は静電チャック１２の貫通穴２３及びピン穴２１に挿通され、ピン下端部２２ｄがピンガイド３４のピン保持穴３４ｂに挿入されて保持されている。従って、可動部材３７の下面側に矢印Ｆのように空気圧が作用すると、図中に一点鎖線で示すように可動部材３７及びピンガイド３４とともに基板押上ピン２２が上方に移動する。その結果、基板押上ピン２２によって基板１１が上方に押し上げられる。空気圧がなくなれば、バネ３５の弾性力によって
可動部材３７及びピンガイド３４とともに基板押上ピン２２が上方に移動する。

なお、上記実施の形態では基板支持台に静電チャックを備えている場合について説明したが、本発明はこれに限定するものではなく、基板支持台に静電チャックを備えていない場合にも適用することができる。

また、上記実施の形態ではプラズマ処理装置としてプラズマＣＶＤ装置を例に挙げているが、これに限定するものではなく、本発明はプラズマによりエッチング処理などを行う場合にも適用することができる。

本発明はプラズマ処理装置に関し、プラズマＣＶＤ装置やプラズマエチング装置などのプラズマ処理装置において基板支持台上に載置した基板を押し上げる基板押上ピンが折れたときのメンテナンス性を向上させる場合に適用して有用なものである。

（ａ）は本発明の実施の形態１に係るプラズマＣＶＤ装置の構成図、（ｂ）は前記プラズマＣＶＤ装置において基板を基板押上ピンで押し上げた状態を示す図である。 （ａ）は前記基板押上ピン部分の断面図、（ｂ）及び（ｃ）は前記基板押上ピンが折れたときの状態を示す断面図である。 （ａ）は本発明の実施の形態２に係るプラズマ処理装置の基板押上ピン部分の断面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図、（ｃ）は折れた基板押上ピンをピン穴から取り出すときの様子を示す図である。 （ａ）は本発明の実施の形態３に係るプラズマ処理装置の基板押上ピン部分の断面図、（ｂ）は折れた基板押上ピンをピン穴から取り出すときの様子を示す図である。 （ａ）は基板押上ピンとピン駆動部の構成を示す断面図、（ｂ）は蓋部材の構成を示す（ａ）のＥ−Ｅ線矢視図である。

符号の説明

１ 真空チャンバ
２ 成膜室
３ 天井板
４ 給電アンテナ
５ 整合器
６ 高周波電源
７ 電磁波
８，９ ノズル
１０ 基板支持台
１０ａ 穴
１１ 基板
１２ 静電チャック
１２ａ 上面
１３ ＬＰＦ
１４ 静電電源
１５ 整合器
１６ バイアス電源
１７ コンデンサ
２１ ピン穴
２１ａ ピン穴上部
２１ａ−１ 延長部分
２１ｂ ピン穴下部
２２ 基板押上ピン
２２ａ ピン上部破片
２２ｂ ピン下側部分
２２ｃ 基板押上ピンの穴
２２ｄ ピン下端部
２３ 貫通穴
２４ 細線状部材（針金）
２５ 蓋部材
２５ａ 穴
３１ ボルト
３２ エアシリンダ
３３ 固定部材
３３ａ 穴
３４ ピンガイド
３４ａ 突起部
３４ｂ ピン保持穴
３５ バネ
３６ ベローズ
３７ 可動部材
４０ 蓋部材

Claims (3)

1. 低圧環境下に供給したガスを高周波パワーによってプラズマ状態とし、このプラズマで基板支持台上に載置した基板に対しプラズマ処理を施す装置であって、前記基板を搬送手段により前記基板支持台から搬送するときに前記基板支持台に設けられたピン穴を通って上方へ移動することにより前記基板を押し上げる複数の基板押上ピンと、これらの基板押上ピンを昇降させるピン駆動手段とを有してなる基板昇降手段を備えたプラズマ処理装置において、
   前記ピン穴の上部は前記ピン穴の下部よりも幅を広くし、且つ、前記ピン穴の上部には前記基板押上ピンが貫通する穴を有する蓋部材を着脱可能に設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 低圧環境下に供給したガスを高周波パワーによってプラズマ状態とし、このプラズマで基板支持台上に載置した基板に対しプラズマ処理を施す装置であって、前記基板を搬送手段により前記基板支持台から搬送するときに前記基板支持台に設けられたピン穴を通って上方へ移動することにより前記基板を押し上げる複数の基板押上ピンと、これらの基板押上ピンを昇降させるピン駆動手段とを有してなる基板昇降手段を備えたプラズマ処理装置のメンテナンス方法であって、
   前記プラズマ処理装置は、前記ピン穴の幅は前記基板押上ピンの幅の２倍よりも小さいことを特徴としており、
   前記基板押上ピンの上部が折れたとき、このピン上部破片が、前記ピン穴に残った前記基板押上ピンの下側部分と前記ピン穴との隙間に入り込むことなく、回収されることを特徴とするプラズマ処理装置のメンテナンス方法。
3. 低圧環境下に供給したガスを高周波パワーによってプラズマ状態とし、このプラズマで基板支持台上に載置した基板に対しプラズマ処理を施す装置であって、前記基板を搬送手段により前記基板支持台から搬送するときに前記基板支持台に設けられたピン穴を通って上方へ移動することにより前記基板を押し上げる複数の基板押上ピンと、これらの基板押上ピンを昇降させるピン駆動手段とを有してなる基板昇降手段を備えたプラズマ処理装置のメンテナンス方法であって、
   前記プラズマ処理装置は、前記基板押上ピンは筒状であることを特徴としており、
   前記基板押上ピンの上部が折れたとき、前記ピン穴に残った前記基板押上ピンの下側部分を、このピン下側部分の穴に細線状部材を差し込んで上方へ引き上げることにより、前記ピン穴から取り出すことを特徴とするプラズマ処理装置のメンテナンス方法。

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