JP4050246B2 - 減衰器およびそれを用いた携帯電話端末装置 - Google Patents

減衰器およびそれを用いた携帯電話端末装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4050246B2
JP4050246B2 JP2004103320A JP2004103320A JP4050246B2 JP 4050246 B2 JP4050246 B2 JP 4050246B2 JP 2004103320 A JP2004103320 A JP 2004103320A JP 2004103320 A JP2004103320 A JP 2004103320A JP 4050246 B2 JP4050246 B2 JP 4050246B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
variable resistor
gain control
field effect
constituting
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004103320A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005039779A (ja
Inventor
正彦 稲森
恒洋 高木
雅央 中山
要 本吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2004103320A priority Critical patent/JP4050246B2/ja
Priority to TW093117913A priority patent/TWI253243B/zh
Priority to US10/880,391 priority patent/US7245170B2/en
Priority to EP04015341A priority patent/EP1494352A1/en
Priority to CN2004100629274A priority patent/CN1577954B/zh
Publication of JP2005039779A publication Critical patent/JP2005039779A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4050246B2 publication Critical patent/JP4050246B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20—Automatic control
    • H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
    • H03G3/3042—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers

Landscapes

  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

本発明は、デュアルバンド（モード）携帯電話端末装置に関するものであり、特にその無線部内の高周波部の減衰器（アッテネータ）の構成に係る。
ディジタル方式（例えばＰＤＣ）においては、携帯電話端末装置と基地局の距離の変化にかかわらず、携帯電話端末装置から基地局に届く電波の強度を一定にする必要がある。そのため、携帯電話端末装置の送信部で利得制御が行われる。
図９には基地局と携帯電話端末装置との位置関係を模式的に示している。図９において、一つの基地局ＢＳのセル範囲ＣＬは半径数十ｋｍ程度、例えば半径３０ｋｍ程度の大きさである。この基地局ＢＳのセル範囲ＣＬ内には、基地局ＢＳとの距離または地形などの通信条件が同一でない多数台の携帯電話端末装置ＴＨ1，ＴＨ2が存在する。そして、多数台の携帯電話端末装置ＴＨ1，ＴＨ2は、基地局ＢＳとの距離または通信条件を刻々と変化させながら、基地局ＢＳとの間で同時に通信を行っている。
この場合に、基地局ＢＳのセル範囲ＣＬにおいて、基地局ＢＳから最も近い場所と最も離れた場所とで、携帯電話端末装置から基地局に届く電波の強度を同一にするためには、セル範囲ＣＬの大きさから、携帯電話端末装置の送信部における利得制御幅が５０ｄＢ程度以上必要である。これは、遠近問題といわれる。
もしも、携帯電話端末装置の送信部における利得制御が良好に行われないと、携帯電話端末装置と基地局の距離の減少に伴い、基地局に届く電波の強度が増大することになるため、隣接チャンネルへの漏洩電力が増大し、その結果、符号誤り率が増大して通話品質が低下することになる。図１０において、実線Ａ1〜Ａ6は基地局における各チャンネル毎の受信電波の強度を示し、破線Ｂ4はチャンネルＡ4のインターモジュレーション歪特性を示している。この図１０は、チャンネルＡ3，Ａ5の受信電波の強度が破線Ｂ4で示すチャンネルＡ4の歪み成分に埋もれてしまい、チャンネルＡ4に隣接したチャンネルＡ3，Ａ5からは正しいデータを復元できなくなることを示している。
携帯電話端末装置の送信部における利得制御は、キャリア信号と雑音とのレベルの比（Ｃ／Ｎ）が大きい状態を維持するためには、できるだけキャリア信号レベルの高い高周波部で行うことが望ましい。その理由は、高周波部はキャリア信号レベルがバックグラウンドの雑音のレベルにくらべて格段に高く、高周波部で利得を下げても、キャリア信号と雑音レベルの差が大きい状態が保たれるからである。逆に、中間周波部は、キャリア信号レベルが低く、中間周波部で利得を下げてしまうと、キャリア信号レベルとグラウンド雑音のレベルとの差がごく小さい状態になってしまい、この中間周波部のキャリア信号レベルとノイズレベルの差がそのまま高周波部に現れるためである。
この５０ｄＢ以上の範囲にわたる利得制御を行うために、携帯電話端末装置の無線部の送信部において、高周波部で利得を連続制御し、中間周波部で利得をステップ制御する。このように、高周波部における利得制御量と中間周波部とにおける利得制御量とを併用することで、５０ｄＢ以上の範囲において利得制御を行うことが可能となる。
そして、携帯電話端末装置における利得制御は、以下のようにして行われる。すなわち、携帯電話端末装置では、携帯電話端末装置における受信信号の強度から、基地局での受信信号の強度を一定値にするために必要な送信電力の目標値を設定し、この目標値と実際の送信電力とを比較することで、送信電力を目標値に追従させるようなフィードバック制御ループを形成し、送信電力が目標値に一致するように利得制御が実行される。
デュアルバンド（モード）携帯電話端末装置では、図１１に示すようなバンドＡ（モードＡ）を使用する基地局ＢＳ(Ａ)のセル範囲ＣＬ(Ａ)からバンドＢ（モードＢ）を使用する基地局ＢＳ(Ｂ)のセル範囲ＣＬ(Ｂ)への移動時において、バンド（モード）切替を行う。ここでバンドＡ，Ｂとは使用周波数帯域が異なることを示し、モードＡ，Ｂとは使用システムが異なることをいう。この際、セル範囲ＣＬ（Ａ）内で携帯電話端末装置から基地局ＢＳ（Ａ）に届く電波の強度が同一になるよう利得制御を行われていたが、セル範囲ＣＬ（Ｂ）内に移動する瞬間に携帯電話端末装置にてバンド（モード）切替が行われ基地局ＢＳ（Ｂ）に届く電波の強度が同一になるよう利得制御が行われる。記号ＴＨ0は、セル範囲ＣＬ（Ａ）とセル範囲ＣＬ（Ｂ）との境界に位置する携帯電話端末装置を示している。記号ＴＨ1，ＴＨ2はセル範囲ＣＬ（Ａ）内に位置する携帯電話端末装置を示し、携帯電話端末装置ＴＨ1は基地局ＢＳ（Ａ）に近く、携帯電話端末装置ＴＨ2は基地局ＢＳ（Ａ）から離れている。記号ＴＨ3，ＴＨ4はセル範囲ＣＬ（Ｂ）内に位置する携帯電話端末装置を示し、携帯電話端末装置ＴＨ4は基地局ＢＳ（Ｂ）に近く、携帯電話端末装置ＴＨ3は基地局ＢＳ（Ｂ）から離れている。
つぎに、図１２を用いて、従来の携帯電話端末装置の構成および動作について説明する。この携帯電話端末装置は、図１２に示すように、マイコン・ロジック部等で構成され、音声信号を処理するベースバンド部１００と、ベースバンド部１００で処理された音声信号を入力として基地局との間で通信を行う無線部２００とからなる。
無線部２００は、基地局への送信信号を生成する送信部２１０と、基地局からの送信信号を受信する受信部２２０とからなる。
送信部２１０は、ベースバンド部１００から与えられる音声信号の変調および周波数変換のための混合を行う中間周波部２３０と、中間周波部２３０から出力される高周波信号を増幅してスイッチ３１０を介してアンテナ３００へ供給するバンドＡ用の高周波部２４０およびバンドＢ用の高周波部２５０とからなる。
中間周波部２３０は、変調器２３１と、変調器２３１の出力信号を可変利得で増幅する可変利得中間周波増幅器２３２と、可変利得中間周波増幅器２３２を高周波に変換するためのミキサ２３３とからなる。上記の可変利得中間周波増幅器２３２は、バイポーラトランジスタを用いて構成されることが多い。この可変利得中間周波増幅器２３２は、不連続的に５−６ｄＢ毎に数ステップにわたって利得が可変できる。この場合、利得は、不連続的な利得制御電圧によって２０ｄＢ程度の範囲にわたってステップ制御される。
高周波部２４０は、中間周波部２３０から出力されるバンドＡの高周波信号を可変利得で増幅する可変利得高周波増幅器２４１と、可変利得高周波増幅器２４１の出力を電力増幅する電力増幅器２４２とからなる。この可変利得高周波増幅器２４１は４０ｄＢ程度の範囲にわたって利得が可変である。この場合、利得は、連続的に変化する利得制御電圧によって３０ｄＢ程度の範囲にわたって連続制御される。
可変利得高周波増幅器２４１は、前置増幅器（中電力増幅器）２４４と、前置増幅器２４４と縦続接続されて電力増幅器（高電力増幅器）２４２へ入力されるバンドＡの高周波信号の利得を可変する減衰器２４３とからなる。減衰器２４３は、減衰量を４０ｄＢ程度の範囲にわたって変化させる機能を有する。
高周波部２５０は、中間周波部２３０から出力されるバンドＢの高周波信号を可変利得で増幅する可変利得高周波増幅器２５１と、可変利得高周波増幅器２５１の出力を電力増幅する電力増幅器２５２とからなる。この可変利得高周波増幅器２５１は４０ｄＢ程度の範囲にわたって利得が可変である。この場合、利得は、連続的に変化する利得制御電圧によって３０ｄＢ程度の範囲にわたって連続制御される。
可変利得高周波増幅器２５１は、前置増幅器（中電力増幅器）２５４と、前置増幅器２５４と縦続接続されて電力増幅器（高電力増幅器）２５２へ入力されるバンドＢの高周波信号の利得を可変する減衰器２５３とからなる。減衰器２５３は、減衰量を４０ｄＢ程度の範囲にわたって変化させる機能を有する。
ベースバンド部１００は、制御部１１０を含む。制御部１１０は、受信部２２０による受信信号から送信すべき高周波信号のバンドを判断し、ドレイン電圧ＶＤＤ（Ａ）を減衰器２４３に、ドレイン電圧ＶＤＤ（Ｂ）を減衰器２５３に加えることにより送信すべき高周波信号のバンド選択を行っている。
バンドＡの周波数帯域を用いた通信において制御部１１０は、受信部２２０による受信信号の信号強度を検出するとともに、電力増幅器２４２の出力レベルを検出し、受信信号の信号強度に対応して電力増幅器２４２の出力レベルの目標値を設定し、電力増幅器２４２の出力レベルと電力増幅器２４２の出力レベルの目標値とを比較し、その比較結果に応じた利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）を減衰器２４３に加えるとともに、同じく上記比較結果に応じた利得制御電圧Ｖｃ（ＩＦ）を可変利得中間周波増幅器２３２に加えることにより、電力増幅器２４２の出力レベルが電力増幅器２４２の出力レベルの目標値に一致するように、減衰器２４３の減衰量（可変利得高周波増幅器２４１の利得）と可変利得中間周波増幅器２３２の利得とを可変して追従制御する。
さらにバンドＢの周波数帯域を用いた通信において、制御部１１０は、受信部２２０による受信信号の信号強度を検出するとともに、電力増幅器２５２の出力レベルを検出し、受信信号の信号強度に対応して電力増幅器２５２の出力レベルの目標値を設定し、電力増幅器２５２の出力レベルと電力増幅器２５２の出力レベルの目標値とを比較し、その比較結果に応じた利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）を減衰器２５３に加えるとともに、同じく上記比較結果に応じた利得制御電圧Ｖｃ（ＩＦ）を可変利得中間周波増幅器２３２に加えることにより、電力増幅器２５２の出力レベルが電力増幅器２５２の出力レベルの目標値に一致するように、減衰器２５３の利得（可変利得高周波増幅器２５１の利得）と可変利得中間周波増幅器２３２の利得とを可変して追従制御する。
以上のような携帯電話端末装置では、可変利得高周波増幅器２４１あるいは可変利得高周波増幅器２５１による利得制御と可変利得中間周波増幅器２３２による利得制御の併用によって、５０ｄＢ以上の範囲にわたる利得制御を実現している。ＰＤＣの規格では、ミキサ２３３の入力段は２００ＭＨｚ帯で動作し、ミキサ２３３の出力段は９４０ＭＨｚ帯あるいは１４４１ＭＨｚ帯で動作する。そして、携帯電話端末装置が最大出力を発生する状態での各部の信号レベルは、電力増幅器２４２あるいは電力増幅器２５２の出力端で＋３０ｄＢｍ（ただし、０ｄＢｍ＝１ｍＷ）、可変利得高周波増幅器２４１あるいは可変利得高周波増幅器２５１の出力端で＋８ｄＢｍ、減衰器２４３あるいは減衰器２５３の出力端で−１６ｄＢｍ、ミキサ２３３の出力端で−１５ｄＢｍ、可変利得中間周波増幅器２３２の出力端で−２０ｄＢｍとなっている。
ここで、可変利得高周波増幅器２４１で３０ｄＢの範囲の利得制御を行い、可変利得中間周波増幅器２３２で２０ｄＢの範囲の利得制御を行うものとすると、可変利得中間周波増幅器２３２の出力端における信号レベルは−２０ｄＢｍ〜−４０ｄＢｍの範囲で変化する。また、ミキサ２３３の出力端における信号レベルは−１５ｄＢｍ〜−３５ｄＢｍの範囲で変化する。また、減衰器２４３あるいは減衰器２５３の出力端における信号レベルは−１６ｄＢｍ〜−４６ｄＢｍの範囲で変化する。また、可変利得高周波増幅器２４１あるいは可変利得高周波増幅器２５１の出力端における信号レベルは＋８ｄＢｍ〜−２２ｄＢｍの範囲で変化する。電力増幅器２４２あるいは電力増幅器２５２の出力端における信号レベルは、＋３０ｄＢｍ〜−２０ｄＢｍの範囲で変化する。
従来、この種の減衰器としては、例えば特許文献１に記載されているようなものや、図１３に示すような減衰器２４３（減衰器２５３）があった。図１３は前記特許文献に記載された従来の減衰器と詳細は異なるものの原理的には同様の構造・動作を有するものである。
つぎに、減衰器２４３（減衰器２５３）の具体的な構成およびバンド選択時における動作を図１３から図１４を参照しながら説明する。
図１３は減衰器２４３の構成を示す回路図である。このような減衰器２４３により、利得制御を行っている。この減衰器は、図１３に示すように、入力側の並列可変抵抗となる電界効果トランジスタ１と、出力側の並列可変抵抗となる電界効果トランジスタ９と、コンデンサ２，３，１０，１１と、抵抗５，７，１３と、直列（シリーズ）可変抵抗となる電界効果トランジスタ６とで構成されている。
そしてこの減衰器には、利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）を印加するための利得制御電圧印加端子４と、電源電圧ＶＤＤを印加するソース電圧印加端子８と、ＧＮＤ端子（基準電位）を印加するゲート電圧印加端子１２と、高周波信号の信号入力部としての入力端子１４と高周波信号の信号出力部としての出力端子１５とが設けられている。上記の入力端子１４は図１２のミキサ２３３の出力端に接続され、出力端子１５は前置増幅器２４４の入力端に接続される。ここで各コンデンサ２，３，１０，１１は直流電圧の印加を阻止し、各抵抗７，５，１３は高周波信号の侵入を阻止する役割をそれぞれ果たしている。
減衰器２５３は、図示しないが、減衰器２４３と同様の回路構成を有している。なお、減衰器２４３と減衰器２５３は、別々に形成しているために、各減衰器２４３，２５３を構成する電界効果トランジスタの特性が一致せず、例えばしきい値電圧も一致しないことが多い。
図１４（ａ），（ｂ），（ｃ）は減衰器２４３、減衰器２５３の移動位置における電圧制御特性図である。同図（ａ）は減衰器２４３，２５３の特性を重ね合わせたものを示し、同図（ｂ）は減衰器２４３の特性を示し、同図（ｃ）は減衰器２５３の特性を示している。
セル範囲ＣＬ（Ａ）用の減衰器２４３に使用されるシリーズの電界効果トランジスタ６のしきい値電圧をＶｔｈ＿Ｔ＿Ａとし、シャントの電界効果トランジスタ１，９のしきい値電圧をＶｔｈ＿Ｓ＿Ａとすると、
Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ａ＝Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ａ＝−１．８Ｖ
である。また、減衰器２４３に印加される電源電圧をＶＤＤ＿Ａとすると、
ＶＤＤ＿Ａ＝２．９Ｖ
である。
シリーズの電界効果トランジスタ６が完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧をＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ａ、シャントの電界効果トランジスタ１，９が完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧をＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ａで定義すると、
Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ａ＝ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ａ − ＶＤＤ＿Ａ
の関係が成り立つ。したがって、
ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ａ＝Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ａ ＋ ＶＤＤ＿Ａ＝１．１Ｖ
となる。同様に、
Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ａ＝０Ｖ − ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ａ
の関係が成り立つ。したがって、
ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ａ＝−Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ａ＝１．８Ｖ
となる（図１４（ｂ）参照）。
セル範囲ＣＬ（Ｂ）用の減衰器２５３に使用されるシリーズの電界効果トランジスタのしきい値電圧をＶｔｈ＿Ｔ＿Ｂとし、シャントの電界効果トランジスタのしきい値電圧をＶｔｈ＿Ｓ＿Ｂとすると、
Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ｂ＝Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ｂ＝−１．６Ｖ
である。また、減衰器２５３に印加される電源電圧をＶＤＤ＿Ｂとすると、
ＶＤＤ＿Ｂ＝２．９Ｖ
である。
シリーズの電界効果トランジスタが完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧をＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ｂ、シャントの電界効果トランジスタが完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧をＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ｂで定義すると、
Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ｂ＝ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ｂ − ＶＤＤ＿Ｂ
の関係が成り立つ。したがって、
ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ｂ＝Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ｂ ＋ ＶＤＤ＿Ｂ＝１．３Ｖ
となる。同様に、
Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ｂ＝０Ｖ − ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ｂ
の関係が成り立つ。したがって、
ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ｂ＝−Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ｂ＝１．６Ｖ
となる（図１４（ｃ）参照）。
図１４（ａ）に図１４（ｂ）の特性と図１４（ｃ）の特性を重ねたものを示しているが、両減衰特性（しきい値）が一致していないので、例えばセル範囲ＣＬ（Ａ）からセル範囲ＣＬ（Ｂ）への移動に伴うバンド切り替え時に、減衰器２４３の出力と減衰器２５３の出力とを同等にするために、バンド切り替え時に、同時に減衰器２５３に与える利得制御電圧Ｖｃを調整することが必要となる。
なお、図１４（ｂ）と図１４（ｃ）の特性において、減衰量の変化の勾配が異なるが、この違いは電界効果トランジスタのしきい値が異なることが大きな要因となって生じる。上記の特性の違いは、その他に電界効果トランジスタのオン抵抗ばらつきや寄生容量ばらつきによっても生じることがある。
以上のような構成の減衰器について、その動作を説明する。なお、携帯電話端末装置ではリチウム電池等により３．０Ｖ程度までの電圧で駆動される。また、電界効果トランジスタのしきい値電圧は可変抵抗が利得制御動作を開始するバイアスを示すものである。電界効果トランジスタ１と電界効果トランジスタ９のゲート電圧印加端子１２にそれぞれ接地電圧（基準電圧）を印加しておく。
バンドＡを用いるセル範囲ＣＬ（Ａ）においてはバンドＡを選択するために減衰器２４３のドレイン電圧印加端子８には２．９Ｖの電圧が印加され、減衰器２５３はバンドＢの非選択のためにドレイン電圧印加端子８には０Ｖの電圧が印加される。携帯端末が記号ＴＨ１の地点ではセル範囲ＣＬ（Ａ）での基地局ＢＳ（Ａ）との距離は最も近いため、減衰器２４３は減衰量を最大にするために利得制御電圧印加端子４に利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）として最小（１．１Ｖ）が印加される。
この場合携帯端末の記号ＴＨ１の地点から記号ＴＨ０の地点への移動につき、減衰器２４３は減衰量を最大から最小にするために利得制御電圧印加端子４に利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）として最小（１．１Ｖ）から最大（１．８Ｖ）まで順次印加される。
そして携帯端末が記号ＴＨ０の地点に到達すると同時に、バンドＢを用いるセル範囲ＣＬ（Ｂ）においてバンドＢを選択するために減衰器２５３のドレイン電圧印加端子８には２．９Ｖの電圧が印加され、減衰器２４３はバンドＡの非選択のためにドレイン電圧印加端子８には０Ｖの電圧が印加される。この場合携帯端末（ＴＨ０）とセル範囲ＣＬ（Ｂ）での基地局ＢＳ（Ｂ）との距離は最も遠いため、減衰器２５３は減衰量を最小にするために利得制御電圧印加端子４に利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）として最大（１．６Ｖ）が印加される。
さらにこの場合携帯端末の記号ＴＨ０の地点から記号ＴＨ４の地点への移動につき、減衰器２５３は減衰量を最小から最大にするために利得制御電圧印加端子４に利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）として最大（１．６Ｖ）から最小（１．３Ｖ）まで順次印加される。
一方、可変利得中間周波増幅器２３２では、バンドＡ，Ｂの選択に関わらず利得制御電圧Ｖｃ（ＩＦ）を変化させることにより出力レベルをステップ的に変化させるようにしている。
米国特許第４，８９０，０７７号明細書
しかしながら、このようにバンドＡからバンドＢへの切替を、それぞれ個別に作製した減衰器２４３と減衰器２５３の組合せで行うと、減衰器２４３内に構成される電界効果トランジスタ１，９，６のしきい値電圧（−１．８Ｖ）と減衰器２５３内に構成される電界効果トランジスタ１，９，６のしきい値電圧（−１．６Ｖ）が異なるため、図１４に示すようにセル範囲ＣＬ（Ａ）（減衰器２４３）での利得制御特性と、セル範囲ＣＬ（Ｂ）（減衰器２５３）での利得制御特性に差が生じる。特にバンド選択時（ＴＨ０）において、減衰器２４３の減衰量を最小にする利得制御電圧（１．８Ｖ）と減衰器２５３の減衰量を最小にする利得制御電圧（１．６Ｖ）が異なるため、所望の利得制御電圧に調整するのに一定時間（数十μｓｅｃ程度以上）が必要である。またドレイン電圧ＶＤＤ（Ｂ）が印加されてから減衰器２５３が安定な状態になるまでは数十μｓｅｃ程度要するため、この減衰器２５３の過渡応答時間分だけ遅れた状態で減衰器２５３の利得制御電圧端子４に利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）が印加されることになる。そのため減衰器２５４や可変利得中間周波増幅器２３２の特性のばらつきによって、バンド選択の直後で携帯端末の所望利得に差異が生じる場合がある。
このような場合において、理想的な条件で、携帯電話端末装置が一定速度で基地局から遠ざかりながら通信を行っている状況を考えると、図１５に示すように、携帯電話端末装置の出力ＰOUTは、セル範囲ＣＬ（Ｂ）にて通常は利得制御機能によって直線的に減少していくはずが、フィードバック制御の時間遅れなどによる追従動作の遅れと、バンド選択時の出力レベルの不連続性とによって、バンド選択の時点で一時的に携帯電話端末装置の出力ＰOUTが直線上から外れることになる。この場合、基地局側での受信信号の強度が規定値から外れ、隣接チャンネルとのレベル差が生じ、この時点で音声が乱れたりし、音声品質の劣化を招くという問題があった。上記の問題は理想的な条件で携帯電話端末装置を移動している場合について説明しているが、現実の移動時の条件は、ビルの陰に入って受信信号の強度が急に低下する場合など、もっと悪いため、基地局側での受信信号の強度が規定値から外れるという問題は頻発すると考えられ、さらに音声品質が劣化するものと考えられる。
また、ベースバンド部１００における制御部１１０で可変利得高周波増幅器２４１と、可変利得高周波増幅器２５１とを選択／非選択制御するための２種類のドレイン電圧ＶＤＤ（Ａ）およびＶＤＤ（Ｂ）の２種類の電圧設定が必要で制御部１１０の制御が複雑となる。
また、高周波の送信部２１０に減衰器２４３を含んだ可変利得高周波増幅器２４１と減衰器２５３を含んだ可変利得高周波増幅器２５１がそれぞれ必要であるため、回路構成が複雑となり、スペースが大きくなってしまい、その結果携帯電話端末装置全体も大きいものとなるという問題があった。
したがって、本発明の目的は、携帯電話端末装置における高品質の通話を実現可能な減衰器を提供することである。
また、本発明の他の目的は、携帯電話端末装置におけるバンド選択制御を簡略化できる減衰器を提供することである。
また、本発明のさらに他の目的は、携帯電話端末装置における省スペース化を実現し、小型化を実現することができる減衰器を提供することである。
また、本発明の目的は、高品質の通話が可能な携帯電話端末装置を提供することである。
また、本発明の他の目的は、バンド選択制御を簡略化できる携帯電話端末装置を提供することである。
また、本発明のさらに他の目的は、省スペース化を実現し、小型化を実現することができる携帯電話端末装置を提供することである。
本発明の減衰器は、高周波信号の第１の信号入力部と第１の信号出力部とを接続する第１の可変抵抗よりなる第１の信号ラインと、高周波信号の第２の信号入力部と第２の信号出力部とを接続する第２の可変抵抗よりなり第１の信号ラインと並列に設置された第２の信号ラインと、第１の可変抵抗および第２の可変抵抗に接続されてそれぞれ異なった基準電圧が加えられる基準電圧印加部と、第１の可変抵抗および第２の可変抵抗に接続された利得制御電圧印加部とを備え、第１の可変抵抗および第２の可変抵抗の利得制御電圧の変化に対する減衰量の変化が同等となるように前記第１の可変抵抗および前記第２の可変抵抗の減衰特性および前記基準電圧印加部への印加電圧を設定している。なお、信号ラインは、上記では第１と第２の２本であったが、３本以上であってもよい。
上記の第１の可変抵抗は、例えば、第１の信号入力部と第１の信号出力部とを接続する第３の可変抵抗と、第１の信号入力部および第１の信号出力部のいずれか一方と基準電位部とを接続する第４の可変抵抗とからなる。また、第２の可変抵抗は、例えば第２の信号入力部と第２の信号出力部とを接続する第５の可変抵抗と、第２の信号入力部および第２の信号出力部のいずれか一方と基準電位部とを接続する第６の可変抵抗とからなる。また、基準電圧印加部は、例えば第１の基準電圧印加部と第２の基準電圧印加部とからなる。そして、第３の可変抵抗と第５の可変抵抗とが第１の基準電圧印加部に接続され、第４の可変抵抗と第６の可変抵抗とが第２の基準電圧印加部に接続され、第３の可変抵抗，第４の可変抵抗，第５の可変抵抗，第６の可変抵抗の各々が利得制御電圧印加部に接続されている。
上記の第３、第４、第５および第６の可変抵抗は、それぞれ例えば、少なくとも第１、第２、第３および第４の電界効果トランジスタのゲートに第１、第２、第３および第４の抵抗が接続された構成である。なお、可変抵抗は、２個以上の電界効果トランジスタの直列回路で構成してもよい。携帯電話端末装置に使用する場合も、同様である。
そして、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタのゲートがそれぞれ第１および第３の抵抗を介して利得制御電圧印加部に接続されている。また、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのソースが利得制御電圧印加部に接続されている。また、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタのソースがそれぞれ第５および第６の抵抗を介して第１の基準電圧印加部に接続されている。また、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのゲートがそれぞれ第２および第４の抵抗を介して第２の基準電圧印加部に接続されている。第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのドレインがそれぞれ第１および第２の容量を介して第１の信号出力部，第２の信号出力部にそれぞれ接続されている。また、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのソースがそれぞれ第３および第４の容量を介して基準電位部に接続されている。そして、第３の可変抵抗を含む第１の信号ラインと第５の可変抵抗を含む第２の信号ラインとが並列接続されている。
ここで、第１の基準電圧印加部に印加される電圧よりも第２の基準電圧印加部に印加される電圧の方が低いことが好ましい。
また、第１の基準電圧印加部に印加される電圧よりも第２の基準電圧印加部に印加される電圧の方が、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧と、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧とを加えた値から、第１の基準電圧印加部に印加される電圧を差し引いた分に相当する低い値に設定されることが好ましい。
また、第１の基準電圧印加部，第２の基準電圧印加部に印加される電圧値が、第１の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と第２の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが一致するように設定されていることが好ましい。
また、第１の基準電圧印加部，第２の基準電圧印加部に印加される電圧値が、第３の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と第５の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが同一で、かつ第４の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と第６の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一となるように設定されていることが好ましい。
また、第１の基準電圧印加部，第２の基準電圧印加部に印加される電圧値が、第３の可変抵抗を構成する第１の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧と第５の可変抵抗を構成する第３の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧とが同一で、かつ第４の可変抵抗を構成する第２の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧と第６の可変抵抗を構成する第４の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧とが同一となるように設定されていることが好ましい。
また、第１の基準電圧印加部，第２の基準電圧印加部に印加される電圧値が、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲より、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲の方がより高くなるように設定されていることが好ましい。
また、第１の基準電圧印加部，第２の基準電圧印加部に印加される電圧値が、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧より第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧の方が高くなるように設定されていることが好ましい。
また、以上のような構成においては、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタのしきい値電圧より第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのしきい値電圧の方が高いことが好ましい。
また、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタのしきい値電圧と、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのしきい値電圧とが、第１の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と第２の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが一致するように設定されていることが好ましい。
また、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタのしきい値電圧と、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのしきい値電圧とが、第３の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と第５の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一で、かつ第４の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と第６の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一となるように設定されていることが好ましい。
また、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタのしきい値電圧と、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのしきい値電圧とが、第３の可変抵抗を構成する第１の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧と第５の可変抵抗を構成する第３の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧が同一で、かつ第４の可変抵抗を構成する第２の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧と第６の可変抵抗を構成する第４の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧が同一となるように設定されていることが好ましい。
また、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタのしきい値電圧と、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのしきい値電圧とが、第３の可変抵抗、第５の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲より、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲の方がより高い利得制御電圧で動作するように設定されていることが好ましい。
また、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタのしきい値電圧と、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのしきい値電圧とが、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧より第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧の方が高い値で動作するように設定されていることが好ましい。
つぎに、上記の減衰器を用いて構成される携帯電話端末装置について説明する。
この携帯電話端末装置は、音声信号を処理するベースバンド部と、ベースバンド部で処理された音声信号を入力として基地局との間で通信を行う無線部とからなり、無線部が基地局への送信信号を生成する送信部と、基地局からの送信信号を受信する受信部とからなり、送信部がベースバンド部から与えられる音声信号の変調、中間周波数信号の利得の制御および周波数変換のための混合を行う中間周波部と、中間周波部から出力される高周波信号を増幅してアンテナへ供給する高周波部とからなり、高周波部が中間周波部から出力される少なくとも２つ以上のバンドの高周波信号の利得を制御し、少なくとも２つ以上のバンドを選択的に出力する利得制御器と、利得制御器の少なくとも２つ以上の出力をそれぞれ選択的に電力増幅する２つ以上の電力増幅器からなる。
ベースバンド部は、制御部を含み、制御部が、受信部による受信信号の信号情報を検出するとともに、その情報に応じた利得制御電圧を利得制御器に加えることにより、電力増幅器からの出力を電力増幅器からの出力に切り替え、受信信号の信号情報に対応して電力増幅器の出力レベルの目標値を設定し、電力増幅器の出力レベルと電力増幅器の出力レベルの目標値とを比較し、その比較結果に応じた利得制御電圧を利得制御器と可変利得中間周波増幅器に加えることにより、電力増幅器の出力レベルが電力増幅器の出力レベルの目標値に一致するように利得制御器と可変利得中間周波増幅器の利得を追従制御する。
また、利得制御器が高周波信号の第１の信号入力部と第１の信号出力部とを接続する第１の可変抵抗よりなる第１の信号ラインと、第１の信号ラインと並列に少なくとも１個以上設置されて高周波信号の第２の信号入力部と第２の信号出力部とを接続する第２の可変抵抗よりなる第２の信号ラインと、第１の可変抵抗，第２の可変抵抗の各々に接続されてそれぞれ異なった基準電圧が加えられる第１の基準電圧印加部と、第１の可変抵抗，第２の可変抵抗の各々に接続されて利得制御電圧が加えられる利得制御電圧印加部とで構成され、第１の信号入力部と第２の信号入力部はいずれも一方の入力部に信号が入力される場合は他方の入力部は無入力であり、第１の可変抵抗および第２の可変抵抗の利得制御電圧の変化に対する減衰量の変化が同等となるように前記第１の可変抵抗および前記第２の可変抵抗の減衰特性および前記基準電圧印加部への印加電圧を設定している。
上記の構成において、第１の可変抵抗が例えば第１の信号入力部と第１の信号出力部とを接続する第３の可変抵抗と、第１の信号入力部および第１の信号出力部のいずれか一方と基準電位部とを接続する第４の可変抵抗とからなる。また、第２の可変抵抗が例えば第２の信号入力部と第２の信号出力部とを接続する第５の可変抵抗と、第２の信号入力部および第２の信号出力部のいずれか一方と基準電位部とを接続する第６の可変抵抗とからなる。また、基準電圧印加部が第１の基準電圧印加部と第２の基準電圧印加部とからなる。
そして、第３の可変抵抗と第５の可変抵抗とが第１の基準電圧印加部に接続され、第４の可変抵抗と第６の可変抵抗とが第２の基準電圧印加部に接続され、第３の可変抵抗，第４の可変抵抗，第５の可変抵抗，第６の可変抵抗の各々が利得制御電圧印加部に接続されている。
さらに、上記の第３、第４、第５および第６の可変抵抗は、それぞれ例えば、少なくとも第１、第２、第３および第４の電界効果トランジスタのゲートに第１、第２、第３および第４の抵抗が接続された構成である。そして、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタのゲートがそれぞれ第１および第３の抵抗を介して利得制御電圧印加部に接続されている。また、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのソースが利得制御電圧印加部に接続されている。また、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタのソースがそれぞれ第５および第６の抵抗を介して第１の基準電圧印加部に接続されている。また、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのゲートがそれぞれ第２および第４の抵抗を介して第２の基準電圧印加部に接続されている。また、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのドレインがそれぞれ第１および第２の容量を介して第１の信号出力部，第２の信号出力部にそれぞれ接続されている。また、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのソースがそれぞれ第３および第４の容量を介して基準電位部に接続されている。そして、第３の可変抵抗を含む第１の信号ラインと第５の可変抵抗を含む第２の信号ラインとが並列接続されている。
ここで、第１の基準電圧印加部に印加される電圧よりも第２の基準電圧印加部に印加される電圧の方が低いことが好ましい。
また、第１の基準電圧印加部に印加される電圧よりも第２の基準電圧印加部に印加される電圧の方が、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧と、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧とを加えた値から、第１の基準電圧印加部に印加される電圧を差し引いた分に相当する低い値に設定されることが好ましい。
また、第１の基準電圧印加部，第２の基準電圧印加部に印加される電圧値が、第１の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と第２の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが一致するように設定されていることが好ましい。
また、第１の基準電圧印加部，第２の基準電圧印加部に印加される電圧値が、第３の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と第５の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが同一で、かつ第４の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と第６の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一となるように設定されていることが好ましい。
また、第１の基準電圧印加部，第２の基準電圧印加部に印加される電圧値が、第３の可変抵抗を構成する第１の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧と第５の可変抵抗を構成する第３の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧とが同一で、かつ第４の可変抵抗を構成する第２の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧と第６の可変抵抗を構成する第４の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧とが同一となるように設定されていることが好ましい。
また、第１の基準電圧印加部，第２の基準電圧印加部に印加される電圧値が、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲より、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲の方がより高くなるように設定されていることが好ましい。
また、第１の基準電圧印加部，第２の基準電圧印加部に印加される電圧値が、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧より第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧の方が高くなるように設定されていることが好ましい。
また、以上のような構成においては、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタのしきい値電圧より第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのしきい値電圧の方が高いことが好ましい。
また、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタのしきい値電圧と、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのしきい値電圧とが、第１の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と第２の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが一致するように設定されていることが好ましい。
また、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタのしきい値電圧と、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのしきい値電圧とが、第３の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と第５の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一で、かつ第４の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と第６の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一となるように設定されていることが好ましい。
また、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタのしきい値電圧と、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのしきい値電圧とが、第３の可変抵抗を構成する第１の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧と第５の可変抵抗を構成する第３の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧が同一で、かつ第２の第４の可変抵抗を構成する電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧と第６の可変抵抗を構成する第４の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧が同一となるように設定されていることが好ましい。
また、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタのしきい値電圧と、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのしきい値電圧とが、第３の可変抵抗、第５の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲より、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲の方がより高い利得制御電圧で動作するように設定されていることが好ましい。
また、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタのしきい値電圧と、第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタのしきい値電圧とが、第３の可変抵抗，第５の可変抵抗をそれぞれ構成する第１および第３の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧より第４の可変抵抗，第６の可変抵抗をそれぞれ構成する第２および第４の電界効果トランジスタが完全オフとなる利得制御電圧の方が高い値で動作するように設定されていることが好ましい。
上述したように、本発明の携帯電話端末装置では、減衰器が高周波信号の第１の信号入力部と第１の信号出力部とを接続する第１の信号ライン中に挿入した例えば電界効果トランジスタからなる少なくとも１個以上の直列の可変抵抗と、第１の信号出力部と基準電位部（ＧＮＤ）との間に挿入した例えば電界効果トランジスタからなる少なくとも１個以上の並列の可変抵抗と、第１の信号ラインとは並列に設けた高周波信号の第２の信号入力部と第２の信号出力部とを接続する第２の信号ライン中に挿入した例えば電界効果トランジスタからなる少なくとも１個以上の直列の可変抵抗と、第２の信号出力部と基準電位部（ＧＮＤ）との間に挿入した例えば電界効果トランジスタからなる少なくとも１個以上の並列の可変抵抗とで構成されていて、利得制御電圧印加部に印加された利得制御電圧により、各可変抵抗の減衰量が制御される。これによって、減衰器が各バンドの信号レベルを連続的に制御している。
この構成によれば、減衰器として、第１の信号ラインに接続した少なくとも１個以上の電界効果トランジスタによる直列可変抵抗と第１の信号出力部と基準電位部（ＧＮＤ）との間に接続した少なくとも１個以上の電界効果トランジスタによる並列可変抵抗とを有し、さらに第１の信号ラインに並列に設けた第２の信号ラインに接続した少なくとも１個以上の電界効果トランジスタによる直列可変抵抗と第２の信号出力部と基準電位部（ＧＮＤ）との間に接続した少なくとも１個以上の電界効果トランジスタによる並列可変抵抗とを有するものを用い、バンド選択にかかわらずそれぞれのバンドの各可変抵抗が同等の利得制御電圧で同様の利得制御動作を行い、選択バンド側の可変抵抗が電力増幅器からの出力を実質的に連続的に制御するので、バンド選択に伴う利得制御電圧の調整が不要となり、各減衰器へのドレイン電圧の過渡応答時間による遅延問題が解消し、フィードバック制御の時間遅れなどによる追従動作の遅れと、バンド選択時の出力レベルの不連続性とによって、バンド選択の時点で一時的に携帯電話端末装置の出力が所望直線上から外れることなく高品質の通話が可能となる。また、高周波部のバンド選択において、減衰器へのドレイン電圧の設定をそれぞれに行う必要がなく、各前置増幅器及び各電力増幅器を選択的に増幅出力するだけでよく、バンド選択制御を簡略化できる。さらに、高周波部でのバンド毎に減衰器の設置が不要となり、省スペースを実現し、小型化を実現することができる。
また、本発明の携帯電話端末装置は、減衰器が高周波信号の第１の信号入力部と第１の信号出力部とを接続する第１の信号ライン中に挿入した例えば電界効果トランジスタからなる少なくとも１個以上の直列の可変抵抗と、第１の信号出力部と基準電位部（ＧＮＤ）との間に挿入した例えば電界効果トランジスタからなる少なくとも１個以上の並列の可変抵抗と、第１の信号ラインとは並列に設けた高周波信号の第２の信号入力部と第２の信号出力部とを接続する第２の信号ライン中に挿入した例えば電界効果トランジスタからなる少なくとも１個以上の直列の可変抵抗と、第２の信号出力部と基準電位部（ＧＮＤ）との間に挿入した例えば電界効果トランジスタからなる少なくとも１個以上の並列の可変抵抗とで構成されている。
この構成によれば、減衰器として、第１の信号ラインに接続した少なくとも１個以上の電界効果トランジスタによる直列可変抵抗と第１の信号出力部と基準電位部（ＧＮＤ）との間に接続した少なくとも１個以上の電界効果トランジスタによる並列可変抵抗とを有し、さらに第１の信号ラインに並列に設けた第２の信号ラインに接続した少なくとも１個以上の電界効果トランジスタによる直列可変抵抗と第２の信号出力部と基準電位部（ＧＮＤ）との間に接続した少なくとも１個以上の電界効果トランジスタによる並列可変抵抗とを有するものを用い、この第１の信号ラインに並列接続した少なくとも１個以上の電界効果トランジスタによる直列可変抵抗の動作範囲を、第１の信号ラインに接続した少なくとも１個以上の電界効果トランジスタによる直列可変抵抗の動作範囲と同様になるよう設定し、第２の信号出力部と基準電位部（ＧＮＤ）との間に接続した少なくとも１個以上の電界効果トランジスタによる並列可変抵抗の動作範囲を第１の信号出力部と基準電位部（ＧＮＤ）との間に接続した少なくとも１個以上の電界効果トランジスタによる並列可変抵抗の動作範囲と同様になるように設定し、セル範囲ＣＬ（Ａ）における利得制御動作範囲とセル範囲ＣＬ（Ｂ）における利得制御動作範囲とを実質的に連続させ、各バンドの選択における利得制御を１種類の同じ利得制御電圧のみで行うため、バンド選択時の利得の差違をなくし利得制御動作を極めて高精度に行うことが可能である。
その結果、上記のような減衰器を用いて構成した携帯電話端末装置は、バンド選択にかかわらずそれぞれのバンドの各可変抵抗が同等の利得制御電圧で同様の利得制御動作を行い、選択バンド側の可変抵抗が電力増幅器からの出力を実質的に連続的に制御するので、バンド選択に伴う利得制御電圧の調整が不要となり、各減衰器へのドレイン電圧の過渡応答時間による遅延問題が解消し、フィードバック制御の時間遅れなどによる追従動作の遅れと、バンド選択時の出力レベルの不連続性とによって、バンド選択の時点で一時的に携帯電話端末装置の出力が所望直線上から外れることなく高品質の通話が可能となる。また、高周波部のバンド選択において、減衰器へのドレイン電圧の設定をそれぞれに行う必要がなく、各前置増幅器及び各電力増幅器を選択的に増幅出力するだけでよく、バンド選択制御を簡略化できる。さらに、高周波部でのバンド毎に減衰器の設置が不要となり、省スペースを実現し、小型化を実現することができる。
セル範囲ＣＬ（Ａ）における利得制御動作範囲とセル範囲ＣＬ（Ｂ）における利得制御動作範囲とを同様にするための構成として、一方の直列接続した少なくとも１個以上の電界効果トランジスタのソース電極と他方の直列接続した少なくとも１個以上の電界効果トランジスタのソース電極に同じ基準電圧を印加し、また一方の並列接続した少なくとも１個以上の電界効果トランジスタのゲート電極と他方の並列接続した少なくとも１個以上の電界効果トランジスタのゲート電極に同じ基準電圧を印加する構成がある。このような構成では、１種類の同じ設定利得制御電圧および１種類の基準電圧で利得制御を行うため、携帯端末において極めて高精度なバンド選択および利得制御が可能である。また、利得制御動作電圧の設定を自由に変えることが可能である。
もう一つの構成として、一方の直列接続した電界効果トランジスタおよび他方の直列接続した電界効果トランジスタのしきい値電圧と、一方の並列接続した電界効果トランジスタおよび他方の並列接続した電界効果トランジスタのしきい値電圧とを異ならせる構成を採用してもよい。このような構成では、１種類の同じ設定利得制御電圧および１種類の基準電圧で利得制御することができるため、携帯端末においてきわめて高精度なバンド選択および利得制御が可能となる。
ここで、本発明と従来技術の違いについて説明する。従来技術では、送信すべき高周波信号のバンド選択を、ドレイン電圧ＶＤＤ（Ａ）またはＶＤＤ（Ｂ）をバンドＡまたはＢの減衰器２４３または減衰器２５３に加え、さらに増幅器２４２，２４４または増幅器２５２，２５４へ電池電源電圧などを加えることで行っている。この場合、電圧ＶＤＤ（Ａ）と電圧ＶＤＤ（Ｂ）の２種類の電圧切替が必要であり、制御が複雑になり、切替のタイミングのずれなどでバンド切替時の所望電力への調整が遅れたりする欠点がある。
本発明では、電圧ＶＤＤ（Ａ），ＶＤＤ（Ｂ）ではなく、一つの基準電圧Ｖｒｅｆを減衰器２７２（２７２Ａ，２７２Ｂ）に加え、さらに増幅器２４２，２４４あるいは増幅器２５２，２５４へ電池電源電圧などを選択的に加えることで、バンド選択を行っている。この場合、減衰器２７２はバンド選択を行ってはいないが、１種類の利得制御電圧および１種類の基準電圧で利得制御するため、携帯端末として従来技術のような電圧ＶＤＤ（Ａ）とＶＤＤ（Ｂ）の制御が不要となり、きわめて高精度なバンド選択および利得制御を実現するものである。
また一方の直列接続した電界効果トランジスタおよび他方の直列接続した電界効果トランジスタのソース電極と、一方の並列接続した電界効果トランジスタおよび他方の並列接続した電界効果トランジスタのゲート電極に同じ基準電圧を印加しているため基準電圧の変動に対しても精度よく制御が可能である。さらに、電圧印加を削減することができるため、回路構成の簡略化が可能となる。
また、直列および並列の各電界効果トランジスタとして、しきい値電圧の差が大きなもの使用することにより、基準電圧を基準電位、例えば接地電位に設定することが可能となる。その結果、基準電圧の変動を一切考慮しなくてもよく、制御電圧のみの設定でよいため設計が容易かつ高精度な利得制御が可能となる。さらに、基準電圧を削減することができるため、回路構成の簡略化が可能となる。
本発明によれば、減衰器において、バンド選択にかかわらずそれぞれのバンドの各可変抵抗が同等の利得制御電圧で同様の利得制御動作を行うことができ、選択バンド側の可変抵抗が電力増幅器からの出力を実質的に連続させ、利得制御を１種類の利得制御電圧のみで行うため、バンド選択時の利得の差違をなくしバンド選択に対する利得制御動作を極めて高精度に行うことが可能である。
その結果、上記のような減衰器を用いて構成した携帯電話端末装置は、バンド選択に伴う利得制御電圧の調整が不要となり、また各減衰器へのドレイン電圧の過渡応答時間による遅延問題も解消し、バンド選択の時点で一時的に携帯電話端末装置の出力ＰOUTが所望直線上から外れることなく高品質の通話が可能となる。また、高周波部のバンド選択において、減衰器へのドレイン電圧設定を１種類の基準電圧のみを用いて行うだけでよく、バンド選択制御を簡略化できる。さらに、高周波部でバンド毎に減衰器の設置が不要となり、省スペースを実現し、小型化を実現することができる。
本発明の実施の形態１を図１から図７に基づいて説明する。
図１に本発明の実施の形態１における携帯電話端末装置のブロック図を示し、図１を用いて実施の形態１における携帯電話端末装置の構成および動作について説明する。この携帯電話端末装置は、図１に示すように、マイコン・ロジック部などで構成され、音声信号を処理するベースバンド部１０１と、ベースバンド部１０１で処理された音声信号を入力として基地局との間で通信を行う無線部２０１とからなる。
無線部２０１は、基地局への送信信号を生成する送信部２６０と、基地局からの送信信号を受信する受信部２２０とからなる。
送信部２６０は、ベースバンド部１０１から与えられる音声信号の変調および周波数変換のための混合を行う中間周波部２３０と、中間周波部２３０から出力される高周波信号を増幅してスイッチ３１０を介してアンテナ３００へ供給する高周波部２７０とからなる。
中間周波部２３０は、変調器２３１と、変調器２３１の出力信号を増幅するための可変利得中間周波増幅器２３２と、可変利得中間周波増幅器２３２の出力信号を高周波に変換するためのミキサ２３３とからなる。上記の可変利得中間周波増幅器２３２は、バイポーラトランジスタを用いて構成されることが多い。この可変利得中間周波増幅器２３２は、不連続的に５−６ｄＢ毎に数ステップにわたって利得が可変できる。この場合、利得は、不連続的な利得制御電圧によって２０ｄＢ程度の範囲にわたってステップ制御される。
高周波部２７０は、中間周波部２３０から出力される高周波信号の利得を制御し、バンドＡ，Ｂを選択的に出力する利得制御器２７１と、利得制御器２７１のバンドＡの出力を電力増幅する電力増幅器２４２と、利得制御器２７１のバンドＢの出力を電力増幅する電力増幅器２５２とからなる。この利得制御器２７１はバンドＡ，Ｂにおいて４０ｄＢ以上の範囲にわたって利得の可変を行い、かつバンドＡ，Ｂを選択的に出力することが可能である。この場合、利得は連続的に変化する利得制御電圧によって３０ｄＢ以上の範囲にわたって連続に利得制御される。
利得制御器２７１は、バンドＡ用の前置増幅器（中電力増幅器）２４４と、バンドＢ用の前置増幅器（中電力増幅器）２５４と、バンドＡおよびバンドＢで使用する減衰器２７２とからなる。減衰器２７２は、バンドＡ用の可変抵抗２７２ＡとバンドＢ用の可変抵抗２７２Ｂとで構成され、バンドＡ用の可変抵抗２７２Ａが前置増幅器２４４と縦続接続され、バンドＢ用の可変抵抗２７２Ｂが前置増幅器２５４と縦続接続されている。そして、この減衰器２７２は、電力増幅器（高電力増幅器）２４２へ入力されるバンドＡの高周波信号の利得（減衰量）の可変を行い、電力増幅器（高電力増幅器）２５２へ入力されるバンドＢの高周波信号の利得（減衰量）の可変を同時に行う。
減衰器２７２は、バンドＡ，Ｂにおいて４０ｄＢ以上の範囲にわたって利得を可変するため、減衰器の減衰量を３０ｄＢ以上の範囲にわたって変化させる機能を有する。なお、この実施の形態では、前置増幅器２４４と電力増幅器２４２の２段、および前置増幅器２５４と電力増幅器２５２の２段のそれぞれの増幅器で電力増幅を行っているが、それぞれ１段の増幅器で電力増幅を行ってもよい。減衰器２７２には、基準電圧Ｖｒｅｆと利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）とが与えられ、可変抵抗２７２Ａ，２７２Ｂは基準電圧Ｖｒｅｆを基準とした利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）の大きさに応じて、減衰量が変化する。
上記の前置増幅器２４４と電力増幅器２４２（バンドＡ）、および前置増幅器２５４と電力増幅器２５２（バンドＢ）は、バンド選択のために、電源電圧が選択的に印加される。つまり、２組の増幅器へ電源電圧を選択的に印加し、それによっていずれかの増幅器を選択的に動作させることによって、バンド選択を実現している。
ベースバンド部１０１は、マイコン・ロジック等からなる制御部１２０を含む。制御部１２０は、受信部２２０による受信信号の信号強度を検出するとともに、バンドＡにおいては電力増幅器２４２の出力レベルを検出し、受信信号の信号強度に対応して電力増幅器２４２の出力レベルの目標値を設定し、電力増幅器２４２の出力レベルと電力増幅器２４２の出力レベルの目標値とを比較し、その比較結果に応じた利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）を減衰器２７２に加え、利得制御電圧Ｖｃ（ＩＦ）を可変利得中間周波増幅器２３２に加えることにより、電力増幅器２４２の出力レベルが電力増幅器２４２の出力レベルの目標値に一致するように減衰器２７２および可変利得中間周波増幅器２３２の利得を追従制御する。
さらにバンドＢにおいては電力増幅器２５２の出力レベルを検出し、受信信号の信号強度に対応して電力増幅器２５２の出力レベルの目標値を設定し、電力増幅器２５２の出力レベルと電力増幅器２５２の出力レベルの目標値とを比較し、その比較結果に応じた利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）を減衰器２７２に加え、利得制御電圧Ｖｃ（ＩＦ）を可変利得中間周波増幅器２３２に加えることにより、電力増幅器２５２の出力レベルが電力増幅器２５２の出力レベルの目標値に一致するように減衰器２７２および可変利得中間周波増幅器２３２の利得を追従制御する。
この携帯電話端末装置では、上記のように利得制御器２７１および可変利得中間周波増幅器２３２による利得制御によって、５０ｄＢ以上の範囲にわたる利得制御を実現している。ＰＤＣの規格では、ミキサ２３３の入力段は２００ＭＨｚ帯で動作し、ミキサ２３３の出力段は９４０ＭＨｚ帯あるいは１４４１ＭＨｚ帯で動作する。そして電力増幅器２４２あるいは電力増幅器２５２の出力端で＋３０ｄＢｍ（ただし、０ｄＢｍ＝１ｍＷ）、前置増幅器２４４あるいは前置増幅器２５４の出力端で＋８ｄＢｍ、減衰器２７２の出力端で−１６ｄＢｍ、ミキサ２３３の出力端で−１５ｄＢｍ、可変利得中間周波増幅器２３２の出力端で−２０ｄＢｍとなっている。
ここで、利得制御器２７１で３０ｄＢの範囲の利得制御を行い、可変利得中間周波増幅器２３２で２０ｄＢの範囲の利得制御を行うものとすると、可変利得中間周波増幅器２３２の出力端における信号レベルは−２０ｄＢｍ〜−４０ｄＢｍの範囲で変化する。また、ミキサ２３３の出力端における信号レベルは−１５ｄＢｍ〜−３５ｄＢｍの範囲で変化する。また、減衰器２７２の出力端における信号レベルは−１６ｄＢｍ〜−４６ｄＢｍの範囲で変化する。また、前置増幅器２４４あるいは前置増幅器２５４の出力端における信号レベルは＋８ｄＢｍ〜−２２ｄＢｍの範囲で変化する。電力増幅器２４２あるいは電力増幅器２５２の出力端における信号レベルは、＋３０ｄＢｍ〜−２０ｄＢｍの範囲で変化する。
つぎに、減衰器２７２の具体的な構成および動作を図２から図７を参照しながら説明する。
図２、図３は減衰器（半導体集積回路装置）２７２の構成を示す概略ブロック図であり、図４は減衰器２７２の具体的な構成を示す回路図である。この減衰器２７２は、１個の半導体基板（ＧａＡｓ）に集積したものである。なお、このような構成はシリコン基板でも集積が可能であり、特にシリコンあるいはシリコン・ゲルマニウム等で構成した場合マイコン・ロジック部も同時に集積が可能である。１個の半導体基板に減衰器を形成することにより、可変抵抗となる電界効果トランジスタのしきい値を揃えることも容易である。
このような減衰器により、各バンドにおける選択バンドの切替と利得の制御を行うことで、各バンドに対応した個別の減衰器をそれぞれ用いた場合に比べて、バンド選択時の利得制御において、より短時間での所望利得への制御を実現することができる。その結果、各バンド毎に個別の減衰器を組み合わせた構成でなくても単独で各バンドに対応したバンド選択と利得制御を同時に実現することが可能となる。また信号ラインに対して並列に可変抵抗の個数を多くすることにより、さらに多数のバンド(モード)選択切替にわたって優れた利得制御を実現することも可能となる。
減衰器は、図２、図３および図４に示すように、信号入力部ＩＮ（Ａ）である入力端子（Ａ）４３と信号出力部ＯＵＴ（Ａ）である出力端子（Ａ）４５とを接続する信号ライン（Ａ）４７中に挿入した可変抵抗４１と、信号ライン（Ａ）４７とは並列に設けた高周波信号の信号入力部ＩＮ（Ｂ）である入力端子（Ｂ）４４と信号出力部ＯＵＴ（Ｂ）である出力端子（Ｂ）４６とを接続する信号ライン（Ｂ）４８中に挿入した可変抵抗４２とからなる。
この減衰器は、具体的には、信号入力部ＩＮ（Ａ）である入力端子（Ａ）４３と信号出力部ＯＵＴ（Ａ）である出力端子（Ａ）４５とを接続する信号ライン（Ａ）４７中に挿入した少なくとも１個以上の直列（シリーズ）の可変抵抗５５と、出力端子（Ａ）４５と基準電位部（ＧＮＤ）５７との間に挿入した少なくとも１個以上の並列(シャント)の可変抵抗５６と、信号ライン（Ａ）４７とは並列に設けた高周波信号の信号入力部ＩＮ（Ｂ）である入力端子（Ｂ）４４と信号出力部ＯＵＴ（Ｂ）である出力端子（Ｂ）４６とを接続する信号ライン（Ｂ）４８中に挿入した少なくとも１個以上の直列の可変抵抗５８と、信号出力部（Ｂ）４６と基準電位部（ＧＮＤ）５７との間に挿入した少なくとも１個以上の並列の可変抵抗５９が設けられている。可変抵抗５５と可変抵抗５６と可変抵抗５８と可変抵抗５９は利得制御ライン４９で接続されている。
この減衰器では、基準電圧印加部となる基準電圧印加端子５１，５２が基準電圧ライン５３，５４を介して可変抵抗４１，４２の各々に接続され、基準電圧印加端子５１，５２の各々に基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２が与えられる。また、利得制御電圧印加部となる利得制御電圧印加端子５０が可変抵抗５５，５６，５８，５９の各々に利得制御ライン４９を介して接続されている。
上記の可変抵抗４１は、少なくとも電界効果トランジスタ６０のゲートとソースにそれぞれ抵抗６１，６２を接続し、少なくとも電界効果トランジスタ６３のゲート、ソース、ドレインにそれぞれ抵抗６４、コンデンサ６６，６５を接続したものからなる。信号ライン（Ａ）４７の可変抵抗４１を構成する電界効果トランジスタ６０のドレインが入力端子（Ａ）４３に接続され、ソースが出力端子（Ａ）４５に接続されている。また電界効果トランジスタ６３のドレイン側のコンデンサ６５が出力端子（Ａ）４５に接続され、ソース側のコンデンサ６６が基準電位部（ＧＮＤ）５７に接続されている。
可変抵抗４２は、少なくとも電界効果トランジスタ６７のゲートとソースにそれぞれ抵抗６８，７３を接続し、少なくとも電界効果トランジスタ６９のゲート、ソース、ドレインにそれぞれ抵抗７０、コンデンサ７２，７１を接続したものからなる。信号ライン（Ｂ）４８の可変抵抗４２を構成する電界効果トランジスタ６７のドレインが入力端子（Ｂ）４４に接続され、ソースが出力端子（Ｂ）４６に接続されている。また電界効果トランジスタ６９のドレイン側のコンデンサ７１が出力端子（Ｂ）４６に接続され、ソース側のコンデンサ７２が基準電位部（ＧＮＤ）５７と接続されている。
さらに、可変抵抗４１を構成する電界効果トランジスタ６０のゲートが抵抗６１および利得制御ライン４９を介して利得制御電圧印加端子５０に接続され、電界効果トランジスタ６３のソースが利得制御ライン４９を介して利得制御電圧印加端子５０に接続されている。
また、可変抵抗４２を構成する電界効果トランジスタ６７のゲートが抵抗６８および利得制御ライン４９を介して利得制御電圧印加端子５０に接続され、電界効果トランジスタ６９のソースが利得制御ライン４９を介して利得制御電圧印加端子５０に接続されている。
また、可変抵抗４１を構成する電界効果トランジスタ６０のソースおよび可変抵抗４２を構成する電界効果トランジスタ６７のソースには、基準電圧印加端子５１からそれぞれ抵抗６２，７３を介して基準電圧Ｖｒｅｆ１が印加され、可変抵抗４１を構成する電界効果トランジスタ６３のゲートおよび可変抵抗４２を構成する電界効果トランジスタ６９のゲートには、基準電圧印加端子５２からそれぞれ抵抗６４，７０を介して基準電圧Ｖｒｅｆ２が印加されている。
上記の抵抗６１，６４，６８，７０は高周波信号の侵入を阻止するために、例えば以下のように下限値と上限値が設定される。まず、下限値は１ｋΩである。その設定理由は、アイソレーションとして２０ｄＢ以上ないと高周波信号が侵入し、ロスが増大するなど、利得制御特性に影響するからであり、上記の値に設定するとアイソレーションとして２０ｄＢ以上が得られる。
また、上限値は１００ｋΩである。その設定理由は、電界効果トランジスタのゲート・リーク電流が例えば１μＡ流れた場合に、電界効果トランジスタのゲートに挿入される抵抗の抵抗値を１００ｋΩとした場合に、その抵抗の電圧降下ＶDROPが
ＶDROP＝１×１０-6×１００×１０3＝０．１（Ｖ）
となり、抵抗値が１００ｋΩを超えると、制御電圧のずれが０．１Ｖを超え、利得制御特性に無視できない影響を及ぼすことになるからである。
以上のような構成の減衰器について、その動作を説明する。携帯端末ではリチウム電池等により３．０Ｖ程度までの電圧で駆動される。また、電界効果トランジスタのしきい値電圧は可変抵抗が利得制御動作を開始するバイアスを示すものであり、言い換えれば電界効果トランジスタが完全にオフ状態（ピンチオフ）になるバイアスである。可変抵抗４１，４２のための電界効果トランジスタのしきい値電圧Ｖｔｈは全て等しいものを用いる。この例では、−０．５Ｖとしている。
可変抵抗４１，４２の基準電圧印加端子５１，５２にそれぞれ異なった基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２を印加しておく。可変抵抗４１，４２の基準電圧印加端子５１，５２に印加する基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２について以下に説明する。
ここで、電界効果トランジスタにより形成される可変抵抗は、ゲート・ソース間電圧ＶＧＳが電界効果トランジスタのしきい値電圧Ｖｔｈよりも小さくなったときに（ＶＧＳ≦Ｖｔｈ）に完全にオフ状態（ピンチオフ）になり、抵抗値は最大になる。また、各電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧ＶＧＳはゲート電圧ＶＧとソース電圧ＶＳの差（ＶＧ−ＶＳ）で表され、利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）と基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２の組合せで抵抗値が変化することになる。そのため、基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２の設定値を変えれば、可変抵抗における利得制御できる利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）の範囲を制御することが可能となる。
利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）に対して、可変抵抗４１，４２が各々動作する利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）の範囲は、可変抵抗４１，４２による利得制御動作範囲が実質的に重なるように設定すればよく、任意に設定することが可能である。
いま可変抵抗４１における可変抵抗５５の電界効果トランジスタ６０のしきい値（ピンチオフ）電圧をＶｔｈ＿Ｔ＿Ａ、可変抵抗５６の電界効果トランジスタ６３のしきい値（ピンチオフ）電圧をＶｔｈ＿Ｓ＿Ａとし、可変抵抗５５の電界効果トランジスタ６０が完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧をＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ａ、可変抵抗５６の電界効果トランジスタ６３が完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧をＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ａで定義する。
各電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧ＶＧＳはゲート電圧ＶＧとソース電圧ＶＳの差（ＶＧ−ＶＳ）で表されるので、
Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ａ＝ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ａ−Ｖｒｅｆ１……（１）
Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ａ＝Ｖｒｅｆ２−ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ａ……（２）
（１）、（２）式からわかるように利得制御電圧は、電界効果トランジスタ６０ではゲートに、電界効果トランジスタ６３ではソースに印加されるため、利得制御電圧の増大に伴い電界効果トランジスタ６０の利得制御動作はＯＦＦからＯＮへ、逆に電界効果トランジスタ６３の利得制御動作はＯＮからＯＦＦへと、これら電界効果トランジスタは相補的に変化する。
また可変抵抗４２における可変抵抗５８の電界効果トランジスタ６７のしきい値（ピンチオフ）電圧をＶｔｈ＿Ｔ＿Ｂ、可変抵抗５９の電界効果トランジスタ６９のしきい値（ピンチオフ）電圧をＶｔｈ＿Ｓ＿Ｂとし、可変抵抗５８の電界効果トランジスタ６７が完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧をＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ｂ、可変抵抗５９の電界効果トランジスタ６９が完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧をＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ｂと定義する。各電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧ＶＧＳはゲート電圧ＶＧとソース電圧ＶＳの差（ＶＧ−ＶＳ）で表されるので、
Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ｂ＝ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ｂ−Ｖｒｅｆ１……（３）
Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ｂ＝Ｖｒｅｆ２−ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ｂ……（４）
（３）、（４）式からわかるように利得制御電圧は、電界効果トランジスタ６７ではゲートに、電界効果トランジスタ６９ではソースに印加されるため、利得制御電圧の増大に伴い電界効果トランジスタ６７の利得制御動作はＯＦＦからＯＮへ、逆に電界効果トランジスタ６９の利得制御動作はＯＮからＯＦＦへと、これら電界効果トランジスタは相補的に変化する。
いまＶｔｈ＿Ｔ＿Ａ＝Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ａ＝Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ｂ＝Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ｂ＝Ｖｔｈとすると、（１），（２）式より、
Ｖｒｅｆ２＝ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ａ＋ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ａ−Ｖｒｅｆ１……（５）
となる。また、（３），（４）式より、
Ｖｒｅｆ２＝ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ｂ＋ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ｂ−Ｖｒｅｆ１……（６）
となる。
（５）式より、可変抵抗５５の電界効果トランジスタ６０の基準電圧印加部５１に印加される電圧Ｖｒｅｆ１よりも可変抵抗５６の電界効果トランジスタ６３の基準電圧印加部５２に印加される電圧Ｖｒｅｆ２の方が、電界効果トランジスタ６０が完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧と電界効果トランジスタ６３が完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧とを加えた値から、電界効果トランジスタ６０の基準電圧印加部５１に印加される電圧Ｖｒｅｆ１を差し引いた分に相当する低い値へ設定が必要である。
（６）式より、可変抵抗５８の電界効果トランジスタ６７の基準電圧印加部５１に印加される電圧Ｖｒｅｆ１よりも可変抵抗５９の電界効果トランジスタ６９の基準電圧印加部５２に印加される電圧Ｖｒｅｆ２の方が、電界効果トランジスタ６７が完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧と電界効果トランジスタ６９が完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧とを加えた値から、電界効果トランジスタ６７の基準電圧印加部５１に印加される電圧Ｖｒｅｆ１を差し引いた分に相当する低い値へ設定が必要である。
いま、可変抵抗４１，４２による利得制御動作範囲が実質的に重なることは
ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ａ＝ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ｂ＝ＶｃＯＦＦ＿Ｔ
ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ａ＝ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ｂ＝ＶｃＯＦＦ＿Ｓ
となる。
したがって、（５），（６）式は、
Ｖｒｅｆ２＝ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＋ＶｃＯＦＦ＿Ｓ−Ｖｒｅｆ１……（７）
とすることができる。
（７）式より、電界効果トランジスタ６０および６７の基準電圧印加部５１に印加される電圧Ｖｒｅｆ１よりも電界効果トランジスタ６３および６９の基準電圧印加部５２に印加される電圧Ｖｒｅｆ２の方が、電界効果トランジスタ６０および６７が完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧と電界効果トランジスタ６３および６９が完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧とを加えた値から、電界効果トランジスタ６０および６７の基準電圧印加部５１に印加される電圧Ｖｒｅｆ１を差し引いた分に相当する低い値へ設定が必要である。
本実施の形態によれば、ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＝１．８Ｖ， ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＝１．１Ｖであるので、
Ｖｒｅｆ２＝２．９−Ｖｒｅｆ１……（８）
となり、電圧Ｖｒｅｆ２の方が、２．９Ｖから電圧Ｖｒｅｆ１を差し引いた低い値へ設定が必要となる。本実施の形態では、Ｖｒｅｆ１＝１．６Ｖ，Ｖｒｅｆ２＝１．３Ｖに設定している。
以上のように、一つの利得制御電圧で利得制御を行う場合において、可変抵抗４１の基準電圧Ｖｒｅｆ１と、可変抵抗４２の基準電圧Ｖｒｅｆ２とをそれぞれ適切に設定することにより、バンド（Ａ）の可変抵抗４１とバンド（Ｂ）の可変抵抗４２の利得制御動作範囲を同一に動作するように接続し、一つの利得制御電圧で利得制御を行うことが可能である。したがって、携帯端末として高精度なバンド選択および利得制御が可能である。
図５（ａ），（ｂ），（ｃ）は図４に示した減衰器の利得制御電圧Ｖｃ（ＲＦ）に対する利得制御の特性図である。
同図（ａ）は可変抵抗５５，５６の合成特性と、可変抵抗５８，５９の合成特性とを重ね合わせたものを示し、同図（ｂ）は可変抵抗５５，５６の合成特性を示し、同図（ｃ）は可変抵抗５８，５９の合成特性を示している。
セル範囲ＣＬ（Ａ）用のシリーズの電界効果トランジスタ６０のしきい値電圧をＶｔｈ＿Ｔ＿Ａとし、シャントの電界効果トランジスタ６３のしきい値電圧をＶｔｈ＿Ｓ＿Ａとすると、
Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ａ＝Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ａ＝−０．５Ｖ
である。また、基準電圧をＶｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２とすると、
Ｖｒｅｆ１＝１．６Ｖ
Ｖｒｅｆ２＝１．３Ｖ
である。
シリーズの電界効果トランジスタ６０が完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧をＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ａ、シャントの電界効果トランジスタ６３が完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧をＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ａで定義すると、
Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ａ＝ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ａ − Ｖｒｅｆ１
の関係が成り立つ。したがって、
ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ａ＝Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ａ ＋ Ｖｒｅｆ２＝１．１Ｖ
となる。同様に、
Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ａ＝Ｖｒｅｆ２ − ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ａ
の関係が成り立つ。したがって、
ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ａ＝Ｖｒｅｆ２−Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ａ＝１．８Ｖ
となる（図５（ｂ）参照）。
セル範囲ＣＬ（Ｂ）用のシリーズの電界効果トランジスタ６７のしきい値電圧をＶｔｈ＿Ｔ＿Ｂとし、シャントの電界効果トランジスタ６９のしきい値電圧をＶｔｈ＿Ｓ＿Ｂとすると、
Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ｂ＝Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ｂ＝−０．５Ｖ
である。また、基準電圧をＶｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２とすると、
減衰器２５３に印加される電源電圧をＶＤＤ＿Ｂとすると、
Ｖｒｅｆ１＝１．６Ｖ
Ｖｒｅｆ２＝１．３Ｖ
である。
シリーズの電界効果トランジスタ６７が完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧をＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ｂ、シャントの電界効果トランジスタ６９が完全オフ（ピンチオフ）となる利得制御電圧をＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ｂで定義すると、
Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ｂ＝ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ｂ − Ｖｒｅｆ１
の関係が成り立つ。したがって、
ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ｂ＝Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ｂ ＋ Ｖｒｅｆ１＝１．１Ｖ
となる。同様に、
Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ｂ＝Ｖｒｅｆ２ − ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ｂ
の関係が成り立つ。したがって、
ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ｂ＝Ｖｒｅｆ２ − Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ｂ＝１．８Ｖ
となる（図５（ｃ）参照）。
図５（ａ）に図５（ｂ）の特性と図５（ｃ）の特性を重ねたものを示しているが、両特性が一致しているので、例えばセル範囲ＣＬ（Ａ）からセル範囲ＣＬ（Ｂ）への移動に伴うバンド選択時に、同時に減衰器２５３に与える利得制御電圧Ｖｃを調整しなくても、減衰器のセル範囲ＣＬ（Ａ）用の出力とセル範囲ＣＬ（Ｂ）用の出力とを同等にすることができる。
以下、図５を参照して、図４の減衰器の動作を説明する。
ここで、電界効果トランジスタのしきい値電圧Ｖｔｈがすべて−０．５Ｖであるとすると、基準電圧Ｖｒｅｆ１は１．６Ｖに設定され、基準電圧Ｖｒｅｆ２は１．３Ｖに設定される。
いまセル範囲ＣＬ（Ａ）での通信つまり、入力端子４３に信号が入力され、入力端子４４は無入力の状態を考える。
利得制御電圧印加端子５０に０〜１．１Ｖの電圧を印加した場合（図５：利得制御電圧範囲（ａ））には、可変抵抗４１における可変抵抗５５の抵抗値は最大値、可変抵抗５６の抵抗値は最小値を示すため、入力端子４３から入力された信号は、出力端子４５での出力信号の大きさＰOUT（Ａ）が最小となり、入力端子４４は無入力なので出力端子４６での出力信号は出力されない。この状態はバンド（Ａ）が選択され、バンド（Ｂ）が非選択状態である。
利得制御電圧印加端子５０に１．１Ｖを超えて電圧を印加した場合（図５：利得制御電圧範囲（ｂ））には、可変抵抗４１における可変抵抗５６の抵抗値は最小値を示したまま、可変抵抗５５の抵抗値は減少し始めるため、出力端子４５での出力信号の大きさＰOUT（Ａ）が増加し始める。通常、電界効果トランジスタによる可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲は０．３５（０．３〜０．４）Ｖ程度であり、利得制御電圧印加端子５０に１．４５Ｖの電圧が印加されるまで、利得はおおよそ直線的に２０ｄＢ程度増加する。この状態はバンド（Ａ）が選択された状態でありバンド（Ａ）の利得制御を示し、バンド（Ｂ）が非選択状態である。
利得制御電圧印加端子５０に１．４５Ｖの電圧が印加されると（図５：利得制御電圧範囲（ｃ））、減少していた可変抵抗４１における可変抵抗５５の抵抗値は最小値を示し、これまで最小値を示していた可変抵抗５６の抵抗値が増加し始めるため、出力端子４５での出力信号の大きさＰOUT（Ａ）がさらに増加する。利得制御電圧印加端子５０に１．８Ｖの電圧が印加されるまで、利得はさらにおおよそ直線的に２０ｄＢ程度増加する。この状態はバンド（Ａ）が選択された状態でありバンド（Ａ）の利得制御を示し、バンド（Ｂ）が非選択状態である。
利得制御電圧印加端子５０に１．８Ｖの電圧が印加されると（図５：利得制御電圧範囲（ｄ））、可変抵抗４１における可変抵抗５５の抵抗値は最小値を示したまま、増加していた可変抵抗５６の抵抗値は最大値を示すため、出力端子４５での出力信号の大きさＰOUT（Ａ）が最大値となる。の状態はバンド（Ａ）が選択された状態でありバンド（Ａ）の利得制御を示し、バンド（Ｂ）が非選択状態である。
利得制御電圧印加端子５０に１．８Ｖ以上の電圧を印加しても可変抵抗４１における可変抵抗５５の抵抗値は最小値、可変抵抗５６の抵抗値は最大値のままで、出力端子４５での出力信号の大きさＰOUT（Ａ）は最大値のままとなる。この状態はバンド（Ａ）が選択された状態でありバンド（Ａ）の利得制御を示し、バンド（Ｂ）が非選択状態である。
次に、セル範囲ＣＬ（Ｂ）での通信つまり、入力端子４４に信号が入力され、入力端子４３は無入力の状態を考える。
利得制御電圧印加端子５０に０〜１．１Ｖの電圧を印加した場合（図５：利得制御電圧範囲（ａ））には、可変抵抗４２における可変抵抗５８の抵抗値は最大値、可変抵抗５９の抵抗値は最小値を示すため、入力端子４４から入力された信号は、出力端子４６での出力信号の大きさＰOUT（Ｂ）が最小となり、入力端子４３は無入力なので出力端子４５での出力信号は出力されない。この状態はバンド（Ｂ）が選択され、バンド（Ａ）が非選択状態である。
利得制御電圧印加端子５０に１．１Ｖを超えて電圧を印加した場合（図５：利得制御電圧範囲（ｂ））には、可変抵抗４２における可変抵抗５９の抵抗値は最小値を示したまま、可変抵抗５８の抵抗値は減少し始めるため、出力端子４６での出力信号の大きさＰOUT（Ｂ）が増加し始める。通常、電界効果トランジスタによる可変抵抗が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲は０．３５（０．３〜０．４）Ｖ程度であり、利得制御電圧印加端子５０に１．４５Ｖの電圧が印加されるまで、利得はおおよそ直線的に２０ｄＢ程度増加する。この状態はバンド（Ｂ）が選択された状態でありバンド（Ｂ）の利得制御を示し、バンド（Ａ）が非選択状態である。
利得制御電圧印加端子５０に１．４５Ｖの電圧が印加されると（図５：利得制御電圧範囲（ｃ））、減少していた可変抵抗４２における可変抵抗５８の抵抗値は最小値を示し、これまで最小値を示していた可変抵抗５９の抵抗値が増加し始めるため、出力端子４６での出力信号の大きさＰOUT（Ｂ）がさらに増加する。利得制御電圧印加端子５０に１．８Ｖの電圧が印加されるまで、利得はさらにおおよそ直線的に２０ｄＢ程度増加する。この状態はバンド（Ｂ）が選択された状態でありバンド（Ｂ）の利得制御を示し、バンド（Ａ）が非選択状態である。
利得制御電圧印加端子５０に１．８Ｖの電圧が印加されると（図５：利得制御電圧範囲（ｄ））、可変抵抗４２における可変抵抗５８の抵抗値は最小値を示したまま、増加していた可変抵抗５９の抵抗値は最大値を示すため、出力端子４６での出力信号の大きさＰOUT（Ｂ）が最大値となる。この状態はバンド（Ｂ）が選択された状態でありバンド（Ｂ）の利得制御を示し、バンド（Ａ）が非選択状態である。
利得制御電圧印加端子５０に１．８Ｖ以上の電圧を印加しても可変抵抗４２における可変抵抗５８の抵抗値は最小値、可変抵抗５９の抵抗値は最大値のままで、出力端子４６での出力信号の大きさＰOUT（Ｂ）は最大値のままとなる。この状態はバンド（Ｂ）が選択された状態でありバンド（Ｂ）の利得制御を示し、バンド（Ａ）が非選択状態である。
以上のように、この実施の形態によれば、減衰器において、電界効果トランジスタによる可変抵抗４１，４２を並列に接続する構成を採用し、可変抵抗４１と可変抵抗４２の利得制御動作範囲が重なるように設定することにより、可変抵抗４１，４２の利得制御動作を同じにすることができるため、バンド選択に伴う利得制御電圧の調整を不要にすることが可能である。この可変抵抗４１，４２の利得制御動作範囲は、外部のマイコンから基準電圧を調整することで可能である。
したがって、携帯電話端末装置の高周波部において、一つの半導体装置でバンド選択にかかわらずそれぞれのバンドの可変抵抗が同等の利得制御電圧で同様の利得制御動作を行い、選択バンド側の可変抵抗が出力を実質的に連続的に制御するので、その結果、バンド選択に伴う利得制御電圧の調整が不要となり、また各減衰器へのドレイン電圧の過渡応答時間による遅延問題も解消し、従来例のように図１５に示したような、バンド選択に伴って発生する電力増幅器の出力レベルの目標値からの一時的な外れを回避でき、図６に示したようにバンド選択の時点で一時的に携帯電話端末装置の出力ＰOUTが所望直線上から外れることなく高品質の通話が可能となる。また、高周波部のバンド選択において、減衰器へのドレイン電圧設定を１種類の基準電圧のみを用いて行うだけでよく、制御部１２０の回路構成の簡略化ができる。さらに、高周波部でバンド毎に減衰器の設置が不要となり、省スペースを実現し、小型化を実現することができる。
また、上記実施の形態では、バンド（Ａ）側の可変抵抗４１における可変抵抗５５およびバンド（Ｂ）側の可変抵抗４２における可変抵抗５８の基準電圧印加端子５１と、バンド（Ａ）側の可変抵抗４１における可変抵抗５６およびバンド（Ｂ）側の可変抵抗４２における可変抵抗５９の基準電圧印加端子５２とをそれぞれ設けたが、図７に示すようにバイアス抵抗７４，７５を用いて、電圧Ｖｒｅｆ１をバイアス抵抗７４，７５で分圧して電圧Ｖｒｅｆ２を生成してもよい。この場合、基準電圧印加端子は一つしか用いないため、回路の簡略化が可能である。バイアス抵抗７４，７５は高周波信号の侵入を阻止する役割をそれぞれ果たしている。上記のバイアス抵抗７４，７５は高周波信号の侵入を阻止するために、５ｋΩ程度以上１００ｋΩ以下の抵抗値に設定されている。
バイアス抵抗７４，７５が５ｋΩ程度以上１００ｋΩ以下の抵抗値に設定されていることの理由について、以下に説明する。
まず、下限値が５ｋΩ程度であることについては以下のとおりである。バイアス抵抗７４，７５が小さい値だと高周波信号がグラウンド（ＧＮＤ）へパスし、利得制御動作ができないため、５ｋΩ以上（アイソレーション４０ｄＢ以上）必要である。また、基準電圧Ｖｒｅｆ１が３Ｖの場合、各バイアス抵抗７４，７５に流れる電流は、抵抗値が５ｋΩの場合、
Ｉ＝３Ｖ／１０ｋΩ＝３００μＡ
となり、抵抗値が５ｋΩ以下の場合、電流値は３００μＡ以上となり、電力消費が大きくなってしまう。
一方、上限値が１００ｋΩであることについては以下のとおりである。基準電圧Ｖｒｅｆ１が３Ｖの場合、各バイアス抵抗７４，７５に流れる電流は、
Ｉ＝３Ｖ／２００ｋΩ＝１５μＡ
である。今、バイアス抵抗７５の両端の電圧は、
Ｖ＝１５μＡ×１００ｋΩ＝１．５Ｖ
である。このとき、電界効果トランジスタのリーク電流が１μＡ流れ込んだとすると、１μＡ×１００ｋΩ＝０．１Ｖのバイアス変動が生じてしまい、利得制御特性がずれて、精度よく利得制御を行えない。
なお、上記実施の形態では、可変抵抗５５にとなる電界効果トランジスタ６０と可変抵抗５６となる電界効果トランジスタ６３と可変抵抗５８となる電界効果トランジスタ６７と可変抵抗５９となる電界効果トランジスタ６９に同一のしきい値電圧のものを用いた場合について説明した。特に、基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２の関係については、各電界効果トランジスタのしきい値電圧が同一であることを前提として説明している。
しかし、電界効果トランジスタのしきい値電圧は全て同一である必要はなく、異なっていてもよい。しきい値電圧が異なれば、それに応じて必要な基準電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２の関係を変更すればよい。しきい値電圧を適切に設定すれば、単一の基準電圧を使用するのみで、上述したような動作を実現できる。
つまり、各可変抵抗５５，５６，５８，５９が各々利得制御電圧範囲で減衰量を変化させるためには、電界効果トランジスタのしきい値が決まっておれば、２つの基準電圧を適切に設定することが必要となり、逆に基準電圧が決まっておれれば、電界効果トランジスタのしきい値を適切に設定することが必要となる。要は、電界効果トランジスタのしきい値と基準電圧と利得制御電圧との関係を適切に設定することによって、減衰器で所望の動作を実現することができる。
なお、バンドＡの減衰量特性とバンドＢの減衰量特性とを同等にするためには、電界効果トランジスタの特性としては、しきい値以外に、オン抵抗（ＲON）、寄生容量（Ｃｇｄ，Ｃｇｓ，Ｃｄｓ）が一致していることが好ましい。
図８には、可変抵抗５５となる電界効果トランジスタ６０および可変抵抗５８となる電界効果トランジスタ６７と、可変抵抗５６となる電界効果トランジスタ６３および可変抵抗５９となる電界効果トランジスタ６９とに異なったしきい値電圧を有する電界効果トランジスタを用い、各電界効果トランジスタ６０，６７，６３，６９に同一の基準電圧を加えるようにした減衰器の構成を、実施の形態２として示す。
ここで、上記図８の構成のように、同一の基準電圧を与える場合における、基準電圧と各電界効果トランジスタのしきい値電圧の例を、利得制御電圧１．１Ｖ〜１．８Ｖの範囲で利得を変化させる場合について説明する。
いま利得制御電圧１．１Ｖ〜１．８Ｖの範囲で利得を変化させるものとし基準電圧を１．６Ｖ印加にしておくと、（１），（２），（３），（４）式の関係から電界効果トランジスタ６０，６７のしきい値電圧は−０．５Ｖに、電界効果トランジスタ６３，６９のしきい値電圧は−０．２Ｖに設定される。このように設定することで図５と同様の利得制御動作が可能となる。
このように、電界効果トランジスタのしきい値を適切に設定して単一の基準電圧を使用する構成、すなわち、各信号ラインに直列接続した電界効果トランジスタ６０，６７のソース電極と各信号ラインにシャント接続した電界効果トランジスタ６３，６９のゲート電極に同じ基準電圧を印加する構成によると、基準電圧の変動に対しても、特性バラツキの予測が容易になりそれを考慮した設定ができるため、精度よく制御が可能となる。さらに、基準電圧印加を削減することができるため、回路構成の簡略化が可能となる。
さらに図１６には、実施の形態３の減衰器の構成を示す。この減衰器は、可変抵抗５５となる電界効果トランジスタ６０および可変抵抗５８となる電界効果トランジスタ６７と、可変抵抗５６となる電界効果トランジスタ６３および可変抵抗５９となる電界効果トランジスタ６９に異なったしきい値電圧を有する電界効果トランジスタを用い、各電界効果トランジスタ６０，６７，６３，６９を基準電位部（ＧＮＤ）５７に接地したものである。
図８の構成に比べ電界効果トランジスタ６０，６７と電界効果トランジスタ６３，６９とに、しきい値の差の大きい電界効果トランジスタを用いることにより、さらに基準電圧を削減することができる。
ここで、基準電圧をグラウンド電位とするためのしきい値電圧の差について説明する。
いま図８の回路にて利得制御電圧１．１Ｖ〜１．８Ｖの範囲で利得を変化させるものとする。この場合、（１），（２），（３），（４）式の関係から電界効果トランジスタ６０，６７と電界効果トランジスタ６３，６９のしきい値電圧の差は以下の式で表される。
Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ａ−Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ａ＝ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ａ＋ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ａ−２＊Ｖｒｅｆ１……（９）
Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ｂ−Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ｂ＝ＶｃＯＦＦ＿Ｔ＿Ｂ＋ＶｃＯＦＦ＿Ｓ＿Ｂ−２＊Ｖｒｅｆ１……（１０）
つまり、
Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ａ−Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ａ＝２．９−２＊Ｖｒｅｆ１……（１１）
Ｖｔｈ＿Ｔ＿Ｂ−Ｖｔｈ＿Ｓ＿Ｂ＝２．９−２＊Ｖｒｅｆ１……（１２）
となる。図１６の回路では、基準電圧Ｖｒｅｆ１が基準電位部（ＧＮＤ）に接地されるので、２．９Ｖ程度のしきい値の差の大きい電界効果トランジスタを用いればよい。
ここで、例えば実施の形態１と同様に、１．１Ｖ〜１．８Ｖの範囲で利得を可変する場合における、各電界効果トランジスタ６０，６７，６３，６９のしきい値電圧の値について説明する。
いま利得制御電圧１．１Ｖ〜１．８Ｖの範囲で利得を変化させるものとし、基準電圧を０Ｖ印加とするので、（１），（２），（３），（４）式の関係から電界効果トランジスタ６０，６７のしきい値電圧は＋１．１Ｖに、電界効果トランジスタ６３，６９のしきい値電圧は−１．８Ｖに設定される。このように設定することで図５と同様の利得制御動作が可能となる。
このように、電界効果トランジスタのしきい値を適切に設定して基準電圧を不要にした構成、すなわち、各信号ラインに直列接続した電界効果トランジスタ６０，６７のソース電極と各信号ラインにシャント接続した電界効果トランジスタ６３，６９のゲート電極に基準電位部（ＧＮＤ）５７を接続する構成、つまり、電界効果トランジスタ６０，６７のソース電極と電界効果トランジスタ６３，６９のゲート電極とを接地する構成によると、基準電圧の変動を一切考慮しなくてもよく、制御電圧のみの設定でよいため設計が容易かつ高精度な利得制御が可能となる。さらに、基準電圧を削減することができるため、回路構成の簡略化が可能となる。
なお、上記実施の形態では、電界効果トランジスタによるバンド（Ａ）側の可変抵抗４１とバンド（Ｂ）側の可変抵抗４２の２個の可変抵抗を並列接続した構成を用いたが、それ以上の複数個の可変抵抗を並列接続してもよく、並列接続する可変抵抗の数を多くすればするほど、利得制御を多バンドにわたり行うことが可能である。
なお、上記実施の形態では、信号ライン４７，４８に対して可変抵抗５６，５９を出力端子４５，４６と基準電位部５７との間にそれぞれシャントに挿入した構成を用いたが、入力端子４３，４４と基準電位部５７との間にシャントに挿入する構成を用いてもよい。この場合、信号ライン４７，４８中に直列（シリーズ）接続した可変抵抗５５，５８の入力側に並列可変抵抗５６，５９を挿入することになるので、直列接続した可変抵抗５５，５８の歪み特性を改善し、高い入力信号であっても歪み特性の劣化を抑えた利得制御が可能となる。
また、上記実施の形態では、各可変抵抗４１，４２のための各電界効果トランジスタ６０，６３，６７，６９のドレイン−ソース電極間には並列に何も接続せずに用いたが、各電界効果トランジスタ６０，６３，６７，６９の固有の抵抗値のバラツキを抑制するためおよび、可変抵抗範囲を制御するために、電界効果トランジスタ６０，６３，６７，６９のドレイン−ソース電極間に並列に抵抗等を接続して用いてもよい。このことにより各可変抵抗のもつ利得制御量が安定し、極めて高精度な利得制御が可能となる。
また、上記実施の形態では、各可変抵抗４１，４２のための各電界効果トランジスタ６０，６３，６７，６９としては、ゲートの本数がそれぞれ一本のものを使用しているが、それ以上の複数本のゲート（マルチゲートタイプ）を用いてもよく、用いるゲートの本数を多くすればする程、利得制御幅が広くなり、また高い入力信号であっても歪み特性の劣化を抑えた利得制御が可能となる。
さらに、上記実施の形態では、各可変抵抗４１，４２のために各電界効果トランジスタ６０，６３，６７，６９を用いた場合を示したが、本発明はこれに限ることなく、たとえばダイオード等の素子であってもよい。また、直列可変抵抗、並列可変抵抗は、各々１個の電界効果トランジスタで構成されていたが、２個以上の電界効果トランジスタもしくはその他の素子の直列回路で構成してもよい。
なお、ダイオードによる減衰量制御は、ダイオードの順方向電流を制御し、ＯＮ抵抗を可変することによって行う。
また、これらの減衰器は、ＰＤＣ方式だけでなく、様々な移動体通信方式（ＣＤＭＡ（ＩＳ−９５），ＧＳＭ，ＥＤＧＥ，ＵＭＴＳ，ＰＣＳ，ＤＣＳ，Ｗ−ＣＤＭＡ，ＣＤＭＡ２０００，ＰＨＳなど）に用いることができる。
本発明にかかる減衰器は、携帯電話端末装置における高品質の通話を実現を可能とし、デュアルバンド（モード）携帯電話端末装置の無線部内の高周波部の減衰器等として有用である。
本発明の実施の形態１における携帯電話端末装置の構成を示すブロック図である。 図１の携帯電話端末装置における減衰器の構成を示す概略ブロック図である。 図１の携帯電話端末装置における減衰器の構成を示す詳細ブロック図である。 図３の減衰器の具体的な構成を示す回路図である。 図４の減衰器における利得制御電圧に対する利得制御の特性図である。 図４の減衰器におけるセル間移動時の基地局からの距離に対する携帯電話端末装置の出力電力を示す特性図である。 図４において、各可変抵抗に基準電圧を印加できるように、それぞれにバイアス抵抗７４，７５を設けた減衰器の具体的な構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態２における減衰器の具体的な構成を示す回路図である。 基地局と携帯電話端末装置の位置関係を示す模式図である。 基地局における各チャンネル毎の受信信号の強度を示す説明図である。 携帯電話端末装置のセル間移動時の基地局との位置関係を示す模式図である。 従来の携帯電話端末装置の構成を示すブロック図である。 図１２の携帯電話端末装置に用いられる減衰器の構成を示す回路図である。 図１３の減衰器における携帯電話端末装置のセル間移動時の利得制御電圧の設定特性図である。 図１３の減衰器における携帯電話端末装置の問題を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態３における、基準電圧を削減できる減衰器の具体的な構成を示す回路図である。
符号の説明
１ 電界効果トランジスタ
２ コンデンサ
３ コンデンサ
４ 利得制御電圧印加端子
５ 抵抗
６ 電界効果トランジスタ
７ 抵抗
８ ドレイン電圧印加端子
９ 電界効果トランジスタ
１０ コンデンサ
１１ コンデンサ
１２ 基準電位部
１３ 抵抗
１４ 入力端子
１５ 出力端子
４１ 可変抵抗
４２ 可変抵抗
４３ 入力端子
４４ 入力端子
４５ 出力端子
４６ 出力端子
４７ 信号ライン
４８ 信号ライン
４９ 利得制御ライン
５０ 利得制御電圧印加端子
５１ 基準電圧印加端子
５２ 基準電圧印加端子
５３ 基準電圧ライン
５４ 基準電圧ライン
５５ 可変抵抗
５６ 可変抵抗
５７ 基準電位部
５８ 可変抵抗
５９ 可変抵抗
６０ 電界効果トランジスタ
６１ 抵抗
６２ 抵抗
６３ 電界効果トランジスタ
６４ 抵抗
６５ コンデンサ
６６ コンデンサ
６７ 電界効果トランジスタ
６８ 抵抗
６９ 電界効果トランジスタ
７０ 抵抗
７１ コンデンサ
７２ コンデンサ
７３ 抵抗
７４ 抵抗
７５ 抵抗
１００ ベースバンド部
１０１ ベースバンド部
１１０ 制御部
１２０ 制御部
２００ 無線部
２０１ 無線部
２１０ 送信部
２２０ 受信部
２３０ 中間周波部
２３１ 変調器
２３２ 可変利得中間周波増幅器
２３３ ミキサ
２４０ 高周波部
２４１ 可変利得高周波増幅器
２４２ 電力増幅器
２４３ 減衰器
２４４ 前置増幅器
２５０ 高周波部
２５１ 可変利得高周波増幅器
２５２ 電力増幅器
２５３ 減衰器
２５４ 前置増幅器
２６０ 送信部
２７０ 高周波部
２７１ 利得制御器
２７２ 減衰器
３００ アンテナ
３１０ スイッチ

Claims (28)

  1. 高周波信号の第１の信号入力部（４３）と第１の信号出力部（４５）とを接続する第１の可変抵抗（４１）よりなる第１の信号ライン（４７）と、
    高周波信号の第２の信号入力部（４４）と第２の信号出力部（４６）とを接続する第２の可変抵抗（４２）よりなり前記第１の信号ライン（４７）と並列に設置された第２の信号ライン（４８）と、
    前記第１の可変抵抗（４１）および前記第２の可変抵抗（４２）に接続されてそれぞれ異なった基準電圧が加えられる基準電圧印加部（５１，５２）と、
    前記第１の可変抵抗（４１）および前記第２の可変抵抗（４２）に接続された利得制御電圧印加部（５０）とを備え、
    前記第１の可変抵抗（４１）が前記第１の信号入力部（４３）と前記第１の信号出力部（４５）とを接続する第３の可変抵抗（５５）と、前記第１の信号入力部（４３）および前記第１の信号出力部（４５）のいずれか一方と基準電位部（５７）とを接続する第４の可変抵抗（５６）とからなり、
    前記第２の可変抵抗（４２）が前記第２の信号入力部（４４）と前記第２の信号出力部（４６）とを接続する第５の可変抵抗（５８）と、前記第２の信号入力部（４４）および前記第２の信号出力部（４６）のいずれか一方と前記基準電位部（５７）とを接続する第６の可変抵抗（５９）とからなり、
    前記基準電圧印加部が第１の基準電圧印加部（５１）と第２の基準電圧印加部（５２）とからなり、
    前記第１の信号入力部（４３）と前記第２の信号入力部（４４）はいずれも一方の入力部に信号が入力される場合は他方の入力部は無入力であり、
    前記第３の可変抵抗（５５）と前記第５の可変抵抗（５８）とが前記第１の基準電圧印加部（５１）に接続され、前記第４の可変抵抗（５６）と前記第６の可変抵抗（５９）とが前記第２の基準電圧印加部（５２）に接続され、前記第３の可変抵抗（５５），前記第４の可変抵抗（５６），前記第５の可変抵抗（５８），前記第６の可変抵抗（５９）の各々が前記利得制御電圧印加部（５０）に接続され、
    前記第３の可変抵抗（５５），前記第４の可変抵抗（５６），前記第５の可変抵抗（５８），前記第６の可変抵抗（５９）がそれぞれ少なくとも第１、第２、第３および第４の電界効果トランジスタ（６０），（６３），（６７），（６９）のゲートに第１、第２、第３および第４の抵抗（６１），（６４），（６８），（７０）が接続された構成で、
    前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）のゲートがそれぞれ前記第１および第３の抵抗（６１），（６８）を介して前記利得制御電圧印加部（５０）に接続され、
    前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のソースが前記利得制御電圧印加部（５０）に接続され、
    前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）のソースがそれぞれ第５および第６の抵抗（６２），（７３）を介して前記第１の基準電圧印加部（５１）に接続され、
    前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のゲートがそれぞれ前記第２および第４の抵抗（６４），（７０）を介して前記第２の基準電圧印加部（５２）に接続され、
    前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のドレインがそれぞれ第１および第２の容量（６５），（７１）を介して前記第１の信号出力部（４５），前記第２の信号出力部（４６）にそれぞれ接続され、
    前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のソースがそれぞれ第３および第４の容量（６６），（７２）を介して前記基準電位部（５７）に接続され、
    前記第３の可変抵抗（５５）を含む前記第１の信号ライン（４７）と前記第５の可変抵抗（５８）を含む前記第２の信号ライン（４８）とが並列接続され、
    前記第１の可変抵抗（４１）および前記第２の可変抵抗（４２）の利得制御電圧の変化に対する減衰量の変化が同等となるように前記第１の可変抵抗（４１）および前記第２の可変抵抗（４２）の減衰特性および前記基準電圧印加部への印加電圧を設定したことを特徴とする減衰器。
  2. 前記第１の基準電圧印加部（５１）に印加される電圧よりも前記第２の基準電圧印加部（５２）に印加される電圧の方が低い請求項１記載の減衰器。
  3. 前記第１の基準電圧印加部（５１）に印加される電圧よりも前記第２の基準電圧印加部（５２）に印加される電圧の方が、前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）が完全オフとなる利得制御電圧と、前記第４の可変抵抗（５６），第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）が完全オフとなる利得制御電圧とを加えた値から、前記第１の基準電圧印加部（５１）に印加される電圧を差し引いた分に相当する低い値に設定されている請求項２記載の減衰器。
  4. 前記第１の基準電圧印加部（５１），前記第２の基準電圧印加部（５２）に印加される電圧値が、前記第１の可変抵抗（４１）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第２の可変抵抗（４２）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが一致するように設定されている請求項１記載の減衰器。
  5. 前記第１の基準電圧印加部（５１），前記第２の基準電圧印加部（５２）に印加される電圧値が、前記第３の可変抵抗（５５）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第５の可変抵抗（５８）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが同一で、かつ前記第４の可変抵抗（５６）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第６の可変抵抗（５９）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一となるように設定されている請求項１記載の減衰器。
  6. 前記第１の基準電圧印加部（５１），前記第２の基準電圧印加部（５２）に印加される電圧値が、前記第３の可変抵抗（５５）を構成する前記第１の電界効果トランジスタ（６０）が完全オフとなる利得制御電圧と前記第５の可変抵抗（５８）を構成する前記第３の電界効果トランジスタ（６３）が完全オフとなる利得制御電圧とが同一で、かつ前記第４の可変抵抗（５６）を構成する前記第２の電界効果トランジスタ（６３）が完全オフとなる利得制御電圧と前記第６の可変抵抗（５９）を構成する前記第４の電界効果トランジスタ（６９）が完全オフとなる利得制御電圧とが同一となるように設定されている請求項１記載の減衰器。
  7. 前記第１の基準電圧印加部（５１），前記第２の基準電圧印加部（５２）に印加される電圧値が、前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲より、前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲の方がより高くなるように設定されている請求項１記載の減衰器。
  8. 前記第１の基準電圧印加部（５１），前記第２の基準電圧印加部（５２）に印加される電圧値が、前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）が完全オフとなる利得制御電圧より前記第４の可変抵抗（５６），第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）が完全オフとなる利得制御電圧の方が高くなるように設定されている請求項１記載の減衰器。
  9. 前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）のしきい値電圧より前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のしきい値電圧の方が高い請求項１記載の減衰器。
  10. 前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）のしきい値電圧と、前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のしきい値電圧とが、前記第１の可変抵抗（４１）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第２の可変抵抗（４２）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが一致するように設定されている請求項１記載の減衰器。
  11. 前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）のしきい値電圧と、前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のしきい値電圧とが、前記第３の可変抵抗（５５）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第５の可変抵抗（５８）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一で、かつ前記第４の可変抵抗（５６）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第６の可変抵抗（５９）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一となるように設定されている請求項１記載の減衰器。
  12. 前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）のしきい値電圧と、前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のしきい値電圧とが、前記第３の可変抵抗（５５）を構成する前記第１の電界効果トランジスタ（６０）が完全オフとなる利得制御電圧と前記第５の可変抵抗（５８）を構成する前記第３の電界効果トランジスタ（６３）が完全オフとなる利得制御電圧が同一で、かつ前記第４の可変抵抗（５６）を構成する前記第２の電界効果トランジスタ（６３）が完全オフとなる利得制御電圧と前記第６の可変抵抗（５９）を構成する前記第４の電界効果トランジスタ（６９）が完全オフとなる利得制御電圧が同一となるように設定されている請求項１記載の減衰器。
  13. 前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）のしきい値電圧と、前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のしきい値電圧とが、前記第３の可変抵抗（５５）、前記第５の可変抵抗（５８）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲より、前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲の方がより高い利得制御電圧で動作するように設定されている請求項１記載の減衰器。
  14. 前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）のしきい値電圧と、前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のしきい値電圧とが、前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）が完全オフとなる利得制御電圧より前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）が完全オフとなる利得制御電圧の方が高い値で動作するように設定されている請求項１記載の減衰器。
  15. 音声信号を処理するベースバンド部（１０１）と、前記ベースバンド部（１０１）で処理された音声信号を入力として基地局との間で通信を行う無線部（２０１）とからなり、前記無線部（２０１）が前記基地局への送信信号を生成する送信部（２６０）と、前記基地局からの送信信号を受信する受信部（２２０）とからなり、前記送信部（２６０）が前記ベースバンド部（１０１）から与えられる音声信号の変調、中間周波数信号の利得の制御および周波数変換のための混合を行う中間周波部（２３０）と、前記中間周波部（２３０）から出力される高周波信号を増幅してアンテナへ供給する高周波部（２７０）とからなり、前記高周波部（２７０）が前記中間周波部（２３０）から出力される少なくとも２つ以上のバンドの高周波信号の利得を制御し、少なくとも２つ以上のバンドを選択的に出力する利得制御器（２７１）と、前記利得制御器（２７１）の少なくとも２つ以上の出力をそれぞれ選択的に電力増幅する電力増幅器（２４２）と電力増幅器（２５２）からなり、
    前記ベースバンド部（１０１）が制御部（１２０）を含み、前記制御部（１２０）が、前記受信部（２２０）による受信信号の信号情報を検出するとともに、その情報に応じた利得制御電圧を前記利得制御器（２７１）に加えることにより、前記電力増幅器（２４２）からの出力を前記電力増幅器（２５２）からの出力に切り替え、前記受信信号の信号情報に対応して前記電力増幅器（２５２）の出力レベルの目標値を設定し、前記電力増幅器（２５２）の出力レベルと前記電力増幅器（２５２）の出力レベルの目標値とを比較し、その比較結果に応じた利得制御電圧を前記利得制御器（２７１）と可変利得中間周波増幅器（２３２）に加えることにより、前記電力増幅器（２５２）の出力レベルが前記電力増幅器（２５２）の出力レベルの目標値に一致するように前記利得制御器（２７１）と前記可変利得中間周波増幅器（２３２）の利得を追従制御し、
    前記利得制御器（２７１）が高周波信号の第１の信号入力部（４３）と第１の信号出力部（４５）とを接続する第１の可変抵抗（４１）よりなる第１の信号ライン（４７）と、前記第１の信号ライン（４７）と並列に少なくとも１個以上設置されて高周波信号の第２の信号入力部（４４）と第２の信号出力部（４６）とを接続する第２の可変抵抗（４２）よりなる第２の信号ライン（４８）と、前記第１の可変抵抗（４１），前記第２の可変抵抗（４２）の各々に接続されてそれぞれ異なった基準電圧が加えられる第１の基準電圧印加部（５１，５２）と、前記第１の可変抵抗（４１），前記第２の可変抵抗（４２）の各々に接続されて前記利得制御電圧が加えられる利得制御電圧印加部（５０）とで構成され、
    前記第１の信号入力部（４３）と前記第２の信号入力部（４４）はいずれも一方の入力部に信号が入力される場合は他方の入力部は無入力であり、
    前記第１の可変抵抗（４１）が前記第１の信号入力部（４３）と前記第１の信号出力部（４５）とを接続する第３の可変抵抗（５５）と、前記第１の信号入力部（４３）および前記第１の信号出力部（４５）のいずれか一方と基準電位部（５７）とを接続する第４の可変抵抗（５６）とからなり、
    前記第２の可変抵抗（４２）が前記第２の信号入力部（４４）と前記第２の信号出力部（４６）とを接続する第５の可変抵抗（５８）と、前記第２の信号入力部（４４）および前記第２の信号出力部（４６）のいずれか一方と前記基準電位部（５７）とを接続する第６の可変抵抗（５９）とからなり、
    前記基準電圧印加部が第１の基準電圧印加部（５１）と第２の基準電圧印加部（５２）とからなり、
    前記第３の可変抵抗（５５）と前記第５の可変抵抗（５８）とが前記第１の基準電圧印加部（５１）に接続され、前記第４の可変抵抗（５６）と前記第６の可変抵抗（５９）とが前記第２の基準電圧印加部（５２）に接続され、前記第３の可変抵抗（５５），前記第４の可変抵抗（５６），前記第５の可変抵抗（５８），前記第６の可変抵抗（５９）の各々が前記利得制御電圧印加部（５０）に接続され、
    前記第３の可変抵抗（５５），前記第４の可変抵抗（５６），前記第５の可変抵抗（５８），前記第６の可変抵抗（５９）がそれぞれ少なくとも第１、第２、第３および第４の電界効果トランジスタ（６０），（６３），（６７），（６９）のゲートに第１、第２、第３および第４の抵抗（６１），（６４），（６８），（７０）が接続された構成で、前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）のゲートがそれぞれ前記第１および第３の抵抗（６１），（６８）を介して前記利得制御電圧印加部（５０）に接続され、
    前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のソースが前記利得制御電圧印加部（５０）に接続され、
    前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）のソースがそれぞれ第５および第６の抵抗（６２），（７３）を介して前記第１の基準電圧印加部（５１）に接続され、
    前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のゲートがそれぞれ前記第２および第４の抵抗（６４），（７０）を介して前記第２の基準電圧印加部（５２）に接続され、
    前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のドレインがそれぞれ第１および第２の容量（６５），（７１）を介して前記第１の信号出力部（４５），前記第２の信号出力部（４６）にそれぞれ接続され、
    前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のソースがそれぞれ第３および第４の容量（６６），（７２）を介して前記基準電位部（５７）に接続され、
    前記第３の可変抵抗（５５）を含む前記第１の信号ライン（４７）と前記第５の可変抵抗（５８）を含む前記第２の信号ライン（４８）とが並列接続され、
    前記第１の可変抵抗（４１）および第２の可変抵抗（４２）の利得制御電圧の変化に対する減衰量の変化が同等となるように前記第１の可変抵抗（４１）および前記第２の可変抵抗（４２）の減衰特性および前記基準電圧印加部への印加電圧を設定したことを特徴とする携帯電話端末装置。
  16. 前記第１の基準電圧印加部（５１）に印加される電圧よりも前記第２の基準電圧印加部（５２）に印加される電圧の方が低い請求項１５記載の携帯電話端末装置。
  17. 前記第１の基準電圧印加部（５１）に印加される電圧よりも前記第２の基準電圧印加部（５２）に印加される電圧の方が、前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）が完全オフとなる利得制御電圧と、前記第４の可変抵抗（５６），第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）が完全オフとなる利得制御電圧とを加えた値から、前記第１の基準電圧印加部（５１）に印加される電圧を差し引いた分に相当する低い値に設定されている請求項１５記載の携帯電話端末装置。
  18. 前記第１の基準電圧印加部（５１），前記第２の基準電圧印加部（５２）に印加される電圧値が、前記第１の可変抵抗（４１）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第２の可変抵抗（４２）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが一致するように設定されている請求項１５記載の携帯電話端末装置。
  19. 前記第１の基準電圧印加部（５１），前記第２の基準電圧印加部（５２）に印加される電圧値が、前記第３の可変抵抗（５５）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第５の可変抵抗（５８）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが同一で、かつ前記第４の可変抵抗（５６）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第６の可変抵抗（５９）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一となるように設定されている請求項１５記載の携帯電話端末装置。
  20. 前記第１の基準電圧印加部（５１），前記第２の基準電圧印加部（５２）に印加される電圧値が、前記第３の可変抵抗（５５）を構成する前記第１の電界効果トランジスタ（６０）が完全オフとなる利得制御電圧と前記第５の可変抵抗（５８）を構成する前記第３の電界効果トランジスタ（６３）が完全オフとなる利得制御電圧とが同一で、かつ前記第４の可変抵抗（５６）を構成する前記第２の電界効果トランジスタ（６３）が完全オフとなる利得制御電圧と前記第６の可変抵抗（５９）を構成する前記第４の電界効果トランジスタ（６９）が完全オフとなる利得制御電圧とが同一となるように設定されている請求項１５記載の携帯電話端末装置。
  21. 前記第１の基準電圧印加部（５１），前記第２の基準電圧印加部（５２）に印加される電圧値が、前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲より、前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲の方がより高くなるように設定されている請求項１５記載の携帯電話端末装置。
  22. 前記第１の基準電圧印加部（５１），前記第２の基準電圧印加部（５２）に印加される電圧値が、前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）が完全オフとなる利得制御電圧より前記第４の可変抵抗（５６），第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）が完全オフとなる利得制御電圧の方が高くなるように設定されている請求項１５記載の携帯電話端末装置。
  23. 前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）のしきい値電圧より前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のしきい値電圧の方が高い請求項１５記載の携帯電話端末装置。
  24. 前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）のしきい値電圧と、前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のしきい値電圧とが、前記第１の可変抵抗（４１）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第２の可変抵抗（４２）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが一致するように設定されている請求項１５記載の携帯電話端末装置。
  25. 前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）のしきい値電圧と、前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のしきい値電圧とが、前記第３の可変抵抗（５５）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第５の可変抵抗（５８）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一で、かつ前記第４の可変抵抗（５６）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第６の可変抵抗（５９）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一となるように設定されている請求項１５記載の携帯電話端末装置。
  26. 前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）のしきい値電圧と、前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のしきい値電圧とが、前記第３の可変抵抗（５５）を構成する前記第１の電界効果トランジスタ（６０）が完全オフとなる利得制御電圧と前記第５の可変抵抗（５８）を構成する前記第３の電界効果トランジスタ（６３）が完全オフとなる利得制御電圧が同一で、かつ前記第４の可変抵抗（５６）を構成する前記第２の電界効果トランジスタ（６３）が完全オフとなる利得制御電圧と前記第６の可変抵抗（５９）を構成する前記第４の電界効果トランジスタ（６９）が完全オフとなる利得制御電圧が同一となるように設定されている請求項１５記載の携帯電話端末装置。
  27. 前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）のしきい値電圧と、前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のしきい値電圧とが、前記第３の可変抵抗（５５）、前記第５の可変抵抗（５８）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲より、前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲の方がより高い利得制御電圧で動作するように設定されている請求項１５記載の携帯電話端末装置。
  28. 前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）のしきい値電圧と、前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）のしきい値電圧とが、前記第３の可変抵抗（５５），前記第５の可変抵抗（５８）をそれぞれ構成する前記第１および第３の電界効果トランジスタ（６０），（６７）が完全オフとなる利得制御電圧より前記第４の可変抵抗（５６），前記第６の可変抵抗（５９）をそれぞれ構成する前記第２および第４の電界効果トランジスタ（６３），（６９）が完全オフとなる利得制御電圧の方が高い値で動作するように設定されている請求項１５記載の携帯電話端末装置。
JP2004103320A 2003-07-01 2004-03-31 減衰器およびそれを用いた携帯電話端末装置 Expired - Fee Related JP4050246B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004103320A JP4050246B2 (ja) 2003-07-01 2004-03-31 減衰器およびそれを用いた携帯電話端末装置
TW093117913A TWI253243B (en) 2003-07-01 2004-06-21 Attenuator and portable telephone terminal apparatus using the same
US10/880,391 US7245170B2 (en) 2003-07-01 2004-06-30 Attenuator and portable telephone terminal apparatus using the same
EP04015341A EP1494352A1 (en) 2003-07-01 2004-06-30 Attenuator and portable telephone terminal apparatus using the same
CN2004100629274A CN1577954B (zh) 2003-07-01 2004-07-01 衰减器及利用了它的便携电话终端装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003189526 2003-07-01
JP2004103320A JP4050246B2 (ja) 2003-07-01 2004-03-31 減衰器およびそれを用いた携帯電話端末装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005039779A JP2005039779A (ja) 2005-02-10
JP4050246B2 true JP4050246B2 (ja) 2008-02-20

Family

ID=33436470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004103320A Expired - Fee Related JP4050246B2 (ja) 2003-07-01 2004-03-31 減衰器およびそれを用いた携帯電話端末装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7245170B2 (ja)
EP (1) EP1494352A1 (ja)
JP (1) JP4050246B2 (ja)
CN (1) CN1577954B (ja)
TW (1) TWI253243B (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7471935B2 (en) * 2000-10-23 2008-12-30 Intel Corporation Automatic level control
TWI318510B (en) * 2006-07-17 2009-12-11 Realtek Semiconductor Corp Apparatus and method for automatic gain control
US7937120B2 (en) * 2007-04-21 2011-05-03 Paratek Microwave, Inc. System, apparatus and method for frequency based current reduction in wireless portable devices
JP2009130809A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Nec Electronics Corp 通信装置
CN102128987A (zh) * 2010-01-20 2011-07-20 中国科学院生态环境研究中心 一种快速测定产电生物反应***内部阻力的方法
CN103427780B (zh) * 2013-08-31 2016-01-20 西安电子科技大学 半分布式无源可变衰减器
CN103427781B (zh) * 2013-08-31 2016-07-06 西安电子科技大学 硅基高线性度低相移超宽带数字衰减器
JP6276302B2 (ja) * 2015-02-15 2018-02-07 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. スイッチングモジュールと無線デバイス

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0239681A (ja) 1988-07-29 1990-02-08 Pioneer Electron Corp 信号ミックス回路
US4890077A (en) 1989-03-28 1989-12-26 Teledyne Mec FET monolithic microwave integrated circuit variable attenuator
US5345123A (en) * 1993-07-07 1994-09-06 Motorola, Inc. Attenuator circuit operating with single point control
US5548830A (en) * 1993-12-27 1996-08-20 Ford Motor Company Dual-band frequency-selective attenuator for automatic gain control
US5903178A (en) * 1994-12-16 1999-05-11 Matsushita Electronics Corporation Semiconductor integrated circuit
US5852770A (en) * 1995-09-19 1998-12-22 Sanyo Electric Co., Ltd. Transmission power control device for a portable terminal
US5721757A (en) 1996-03-20 1998-02-24 Lucent Technologies Inc. Automatic gain control loop
US5884149A (en) * 1997-02-13 1999-03-16 Nokia Mobile Phones Limited Mobile station having dual band RF detector and gain control
US5883541A (en) * 1997-03-05 1999-03-16 Nec Corporation High frequency switching circuit
US6216012B1 (en) 1997-11-07 2001-04-10 Conexant Systems, Inc. Dualband power amplifier control using a single power amplifier controller
JPH11186921A (ja) 1997-12-22 1999-07-09 Hitachi Ltd 多バンド移動体通信装置
GB2334838B (en) * 1998-02-26 2002-11-27 Mitel Semiconductor Ltd Variable attenuator circuit
JP3130013B2 (ja) 1998-04-24 2001-01-31 松下電器産業株式会社 増幅器
CN1155152C (zh) 1998-04-24 2004-06-23 松下电器产业株式会社 放大器
JP3350457B2 (ja) 1998-10-19 2002-11-25 株式会社東芝 マイクロ波可変減衰回路
JP3605314B2 (ja) * 1999-05-31 2004-12-22 松下電器産業株式会社 携帯電話端末装置
DE19964024A1 (de) 1999-12-30 2001-07-05 Nokia Mobile Phones Ltd Temperaturkompensierte Diodengleichrichterschaltung für einen HF-Pegelregler
JP3616343B2 (ja) * 2001-03-27 2005-02-02 松下電器産業株式会社 高周波スイッチ回路およびそれを用いた通信端末装置
US6853235B2 (en) * 2002-04-26 2005-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High frequency switch, amplifying circuit, and mobile communication terminal

Also Published As

Publication number Publication date
TWI253243B (en) 2006-04-11
JP2005039779A (ja) 2005-02-10
US20050003784A1 (en) 2005-01-06
EP1494352A1 (en) 2005-01-05
CN1577954B (zh) 2010-05-26
CN1577954A (zh) 2005-02-09
US7245170B2 (en) 2007-07-17
TW200507504A (en) 2005-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3605314B2 (ja) 携帯電話端末装置
US7454182B2 (en) Attenuator with switch function and mobile telephone terminal device using the same
US6701138B2 (en) Power amplifier control
US7421255B2 (en) Transmission apparatus and mobile communication terminal apparatus
KR100423854B1 (ko) 고주파증폭기,송신장치및수신장치
US8750812B2 (en) Switchable vramp limiter
CN103199812B (zh) 应用于无线接收器的放大器与相关方法
US6049704A (en) Apparatus for amplifying an RF signal
US6229370B1 (en) Amplifier
US7378909B2 (en) Radio-frequency power amplifier apparatus and method of adjusting output power thereof
JP4050246B2 (ja) 減衰器およびそれを用いた携帯電話端末装置
US8232839B2 (en) Semiconductor integrated circuit device and transmission and reception system
US10608592B2 (en) Linear amplifier having higher efficiency for envelope tracking modulator
WO2019091300A1 (en) Dc control circuit for controlling resistance of rf transistor
JPH10112623A (ja) 温度補償レベル・シフタを有する電力増幅回路
US20070080746A1 (en) Glitch-free controllable rf power amplifier
US11159136B2 (en) Variable gain amplifier and method thereof
JP2006135488A (ja) 電力制御装置及びこれを用いた無線通信装置
JP2006262518A (ja) 高周波電力増幅モジュール及び無線通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041105

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060612

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061006

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061017

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070313

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070511

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071106

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071128

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111207

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111207

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121207

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees