JP4050246B2 - 減衰器およびそれを用いた携帯電話端末装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
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- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
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- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
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Description
Vth_T_A=Vth_S_A=−1.8V
である。また、減衰器243に印加される電源電圧をVDD_Aとすると、
VDD_A=2.9V
である。
Vth_T_A=VcOFF_T_A − VDD_A
の関係が成り立つ。したがって、
VcOFF_T_A=Vth_T_A + VDD_A=1.1V
となる。同様に、
Vth_S_A=0V − VcOFF_S_A
の関係が成り立つ。したがって、
VcOFF_S_A=−Vth_S_A=1.8V
となる(図14(b)参照)。
Vth_T_B=Vth_S_B=−1.6V
である。また、減衰器253に印加される電源電圧をVDD_Bとすると、
VDD_B=2.9V
である。
Vth_T_B=VcOFF_T_B − VDD_B
の関係が成り立つ。したがって、
VcOFF_T_B=Vth_T_B + VDD_B=1.3V
となる。同様に、
Vth_S_B=0V − VcOFF_S_B
の関係が成り立つ。したがって、
VcOFF_S_B=−Vth_S_B=1.6V
となる(図14(c)参照)。
VDROP=1×10-6×100×103=0.1(V)
となり、抵抗値が100kΩを超えると、制御電圧のずれが0.1Vを超え、利得制御特性に無視できない影響を及ぼすことになるからである。
Vth_T_A=VcOFF_T_A−Vref1……(1)
Vth_S_A=Vref2−VcOFF_S_A……(2)
(1)、(2)式からわかるように利得制御電圧は、電界効果トランジスタ60ではゲートに、電界効果トランジスタ63ではソースに印加されるため、利得制御電圧の増大に伴い電界効果トランジスタ60の利得制御動作はOFFからONへ、逆に電界効果トランジスタ63の利得制御動作はONからOFFへと、これら電界効果トランジスタは相補的に変化する。
Vth_T_B=VcOFF_T_B−Vref1……(3)
Vth_S_B=Vref2−VcOFF_S_B……(4)
(3)、(4)式からわかるように利得制御電圧は、電界効果トランジスタ67ではゲートに、電界効果トランジスタ69ではソースに印加されるため、利得制御電圧の増大に伴い電界効果トランジスタ67の利得制御動作はOFFからONへ、逆に電界効果トランジスタ69の利得制御動作はONからOFFへと、これら電界効果トランジスタは相補的に変化する。
Vref2=VcOFF_T_A+VcOFF_S_A−Vref1……(5)
となる。また、(3),(4)式より、
Vref2=VcOFF_T_B+VcOFF_S_B−Vref1……(6)
となる。
VcOFF_T_A=VcOFF_T_B=VcOFF_T
VcOFF_S_A=VcOFF_S_B=VcOFF_S
となる。
Vref2=VcOFF_T+VcOFF_S−Vref1……(7)
とすることができる。
Vref2=2.9−Vref1……(8)
となり、電圧Vref2の方が、2.9Vから電圧Vref1を差し引いた低い値へ設定が必要となる。本実施の形態では、Vref1=1.6V,Vref2=1.3Vに設定している。
Vth_T_A=Vth_S_A=−0.5V
である。また、基準電圧をVref1,Vref2とすると、
Vref1=1.6V
Vref2=1.3V
である。
Vth_T_A=VcOFF_T_A − Vref1
の関係が成り立つ。したがって、
VcOFF_T_A=Vth_T_A + Vref2=1.1V
となる。同様に、
Vth_S_A=Vref2 − VcOFF_S_A
の関係が成り立つ。したがって、
VcOFF_S_A=Vref2−Vth_S_A=1.8V
となる(図5(b)参照)。
Vth_T_B=Vth_S_B=−0.5V
である。また、基準電圧をVref1,Vref2とすると、
減衰器253に印加される電源電圧をVDD_Bとすると、
Vref1=1.6V
Vref2=1.3V
である。
Vth_T_B=VcOFF_T_B − Vref1
の関係が成り立つ。したがって、
VcOFF_T_B=Vth_T_B + Vref1=1.1V
となる。同様に、
Vth_S_B=Vref2 − VcOFF_S_B
の関係が成り立つ。したがって、
VcOFF_S_B=Vref2 − Vth_S_B=1.8V
となる(図5(c)参照)。
I=3V/10kΩ=300μA
となり、抵抗値が5kΩ以下の場合、電流値は300μA以上となり、電力消費が大きくなってしまう。
I=3V/200kΩ=15μA
である。今、バイアス抵抗75の両端の電圧は、
V=15μA×100kΩ=1.5V
である。このとき、電界効果トランジスタのリーク電流が1μA流れ込んだとすると、1μA×100kΩ=0.1Vのバイアス変動が生じてしまい、利得制御特性がずれて、精度よく利得制御を行えない。
Vth_T_B−Vth_S_B=VcOFF_T_B+VcOFF_S_B−2*Vref1……(10)
つまり、
Vth_T_A−Vth_S_A=2.9−2*Vref1……(11)
Vth_T_B−Vth_S_B=2.9−2*Vref1……(12)
となる。図16の回路では、基準電圧Vref1が基準電位部(GND)に接地されるので、2.9V程度のしきい値の差の大きい電界効果トランジスタを用いればよい。
2 コンデンサ
3 コンデンサ
4 利得制御電圧印加端子
5 抵抗
6 電界効果トランジスタ
7 抵抗
8 ドレイン電圧印加端子
9 電界効果トランジスタ
10 コンデンサ
11 コンデンサ
12 基準電位部
13 抵抗
14 入力端子
15 出力端子
41 可変抵抗
42 可変抵抗
43 入力端子
44 入力端子
45 出力端子
46 出力端子
47 信号ライン
48 信号ライン
49 利得制御ライン
50 利得制御電圧印加端子
51 基準電圧印加端子
52 基準電圧印加端子
53 基準電圧ライン
54 基準電圧ライン
55 可変抵抗
56 可変抵抗
57 基準電位部
58 可変抵抗
59 可変抵抗
60 電界効果トランジスタ
61 抵抗
62 抵抗
63 電界効果トランジスタ
64 抵抗
65 コンデンサ
66 コンデンサ
67 電界効果トランジスタ
68 抵抗
69 電界効果トランジスタ
70 抵抗
71 コンデンサ
72 コンデンサ
73 抵抗
74 抵抗
75 抵抗
100 ベースバンド部
101 ベースバンド部
110 制御部
120 制御部
200 無線部
201 無線部
210 送信部
220 受信部
230 中間周波部
231 変調器
232 可変利得中間周波増幅器
233 ミキサ
240 高周波部
241 可変利得高周波増幅器
242 電力増幅器
243 減衰器
244 前置増幅器
250 高周波部
251 可変利得高周波増幅器
252 電力増幅器
253 減衰器
254 前置増幅器
260 送信部
270 高周波部
271 利得制御器
272 減衰器
300 アンテナ
310 スイッチ
Claims (28)
- 高周波信号の第1の信号入力部(43)と第1の信号出力部(45)とを接続する第1の可変抵抗(41)よりなる第1の信号ライン(47)と、
高周波信号の第2の信号入力部(44)と第2の信号出力部(46)とを接続する第2の可変抵抗(42)よりなり前記第1の信号ライン(47)と並列に設置された第2の信号ライン(48)と、
前記第1の可変抵抗(41)および前記第2の可変抵抗(42)に接続されてそれぞれ異なった基準電圧が加えられる基準電圧印加部(51,52)と、
前記第1の可変抵抗(41)および前記第2の可変抵抗(42)に接続された利得制御電圧印加部(50)とを備え、
前記第1の可変抵抗(41)が前記第1の信号入力部(43)と前記第1の信号出力部(45)とを接続する第3の可変抵抗(55)と、前記第1の信号入力部(43)および前記第1の信号出力部(45)のいずれか一方と基準電位部(57)とを接続する第4の可変抵抗(56)とからなり、
前記第2の可変抵抗(42)が前記第2の信号入力部(44)と前記第2の信号出力部(46)とを接続する第5の可変抵抗(58)と、前記第2の信号入力部(44)および前記第2の信号出力部(46)のいずれか一方と前記基準電位部(57)とを接続する第6の可変抵抗(59)とからなり、
前記基準電圧印加部が第1の基準電圧印加部(51)と第2の基準電圧印加部(52)とからなり、
前記第1の信号入力部(43)と前記第2の信号入力部(44)はいずれも一方の入力部に信号が入力される場合は他方の入力部は無入力であり、
前記第3の可変抵抗(55)と前記第5の可変抵抗(58)とが前記第1の基準電圧印加部(51)に接続され、前記第4の可変抵抗(56)と前記第6の可変抵抗(59)とが前記第2の基準電圧印加部(52)に接続され、前記第3の可変抵抗(55),前記第4の可変抵抗(56),前記第5の可変抵抗(58),前記第6の可変抵抗(59)の各々が前記利得制御電圧印加部(50)に接続され、
前記第3の可変抵抗(55),前記第4の可変抵抗(56),前記第5の可変抵抗(58),前記第6の可変抵抗(59)がそれぞれ少なくとも第1、第2、第3および第4の電界効果トランジスタ(60),(63),(67),(69)のゲートに第1、第2、第3および第4の抵抗(61),(64),(68),(70)が接続された構成で、
前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)のゲートがそれぞれ前記第1および第3の抵抗(61),(68)を介して前記利得制御電圧印加部(50)に接続され、
前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のソースが前記利得制御電圧印加部(50)に接続され、
前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)のソースがそれぞれ第5および第6の抵抗(62),(73)を介して前記第1の基準電圧印加部(51)に接続され、
前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のゲートがそれぞれ前記第2および第4の抵抗(64),(70)を介して前記第2の基準電圧印加部(52)に接続され、
前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のドレインがそれぞれ第1および第2の容量(65),(71)を介して前記第1の信号出力部(45),前記第2の信号出力部(46)にそれぞれ接続され、
前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のソースがそれぞれ第3および第4の容量(66),(72)を介して前記基準電位部(57)に接続され、
前記第3の可変抵抗(55)を含む前記第1の信号ライン(47)と前記第5の可変抵抗(58)を含む前記第2の信号ライン(48)とが並列接続され、
前記第1の可変抵抗(41)および前記第2の可変抵抗(42)の利得制御電圧の変化に対する減衰量の変化が同等となるように前記第1の可変抵抗(41)および前記第2の可変抵抗(42)の減衰特性および前記基準電圧印加部への印加電圧を設定したことを特徴とする減衰器。 - 前記第1の基準電圧印加部(51)に印加される電圧よりも前記第2の基準電圧印加部(52)に印加される電圧の方が低い請求項1記載の減衰器。
- 前記第1の基準電圧印加部(51)に印加される電圧よりも前記第2の基準電圧印加部(52)に印加される電圧の方が、前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)が完全オフとなる利得制御電圧と、前記第4の可変抵抗(56),第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)が完全オフとなる利得制御電圧とを加えた値から、前記第1の基準電圧印加部(51)に印加される電圧を差し引いた分に相当する低い値に設定されている請求項2記載の減衰器。
- 前記第1の基準電圧印加部(51),前記第2の基準電圧印加部(52)に印加される電圧値が、前記第1の可変抵抗(41)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第2の可変抵抗(42)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが一致するように設定されている請求項1記載の減衰器。
- 前記第1の基準電圧印加部(51),前記第2の基準電圧印加部(52)に印加される電圧値が、前記第3の可変抵抗(55)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第5の可変抵抗(58)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが同一で、かつ前記第4の可変抵抗(56)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第6の可変抵抗(59)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一となるように設定されている請求項1記載の減衰器。
- 前記第1の基準電圧印加部(51),前記第2の基準電圧印加部(52)に印加される電圧値が、前記第3の可変抵抗(55)を構成する前記第1の電界効果トランジスタ(60)が完全オフとなる利得制御電圧と前記第5の可変抵抗(58)を構成する前記第3の電界効果トランジスタ(63)が完全オフとなる利得制御電圧とが同一で、かつ前記第4の可変抵抗(56)を構成する前記第2の電界効果トランジスタ(63)が完全オフとなる利得制御電圧と前記第6の可変抵抗(59)を構成する前記第4の電界効果トランジスタ(69)が完全オフとなる利得制御電圧とが同一となるように設定されている請求項1記載の減衰器。
- 前記第1の基準電圧印加部(51),前記第2の基準電圧印加部(52)に印加される電圧値が、前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲より、前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲の方がより高くなるように設定されている請求項1記載の減衰器。
- 前記第1の基準電圧印加部(51),前記第2の基準電圧印加部(52)に印加される電圧値が、前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)が完全オフとなる利得制御電圧より前記第4の可変抵抗(56),第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)が完全オフとなる利得制御電圧の方が高くなるように設定されている請求項1記載の減衰器。
- 前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)のしきい値電圧より前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のしきい値電圧の方が高い請求項1記載の減衰器。
- 前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)のしきい値電圧と、前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のしきい値電圧とが、前記第1の可変抵抗(41)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第2の可変抵抗(42)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが一致するように設定されている請求項1記載の減衰器。
- 前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)のしきい値電圧と、前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のしきい値電圧とが、前記第3の可変抵抗(55)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第5の可変抵抗(58)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一で、かつ前記第4の可変抵抗(56)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第6の可変抵抗(59)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一となるように設定されている請求項1記載の減衰器。
- 前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)のしきい値電圧と、前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のしきい値電圧とが、前記第3の可変抵抗(55)を構成する前記第1の電界効果トランジスタ(60)が完全オフとなる利得制御電圧と前記第5の可変抵抗(58)を構成する前記第3の電界効果トランジスタ(63)が完全オフとなる利得制御電圧が同一で、かつ前記第4の可変抵抗(56)を構成する前記第2の電界効果トランジスタ(63)が完全オフとなる利得制御電圧と前記第6の可変抵抗(59)を構成する前記第4の電界効果トランジスタ(69)が完全オフとなる利得制御電圧が同一となるように設定されている請求項1記載の減衰器。
- 前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)のしきい値電圧と、前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のしきい値電圧とが、前記第3の可変抵抗(55)、前記第5の可変抵抗(58)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲より、前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲の方がより高い利得制御電圧で動作するように設定されている請求項1記載の減衰器。
- 前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)のしきい値電圧と、前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のしきい値電圧とが、前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)が完全オフとなる利得制御電圧より前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)が完全オフとなる利得制御電圧の方が高い値で動作するように設定されている請求項1記載の減衰器。
- 音声信号を処理するベースバンド部(101)と、前記ベースバンド部(101)で処理された音声信号を入力として基地局との間で通信を行う無線部(201)とからなり、前記無線部(201)が前記基地局への送信信号を生成する送信部(260)と、前記基地局からの送信信号を受信する受信部(220)とからなり、前記送信部(260)が前記ベースバンド部(101)から与えられる音声信号の変調、中間周波数信号の利得の制御および周波数変換のための混合を行う中間周波部(230)と、前記中間周波部(230)から出力される高周波信号を増幅してアンテナへ供給する高周波部(270)とからなり、前記高周波部(270)が前記中間周波部(230)から出力される少なくとも2つ以上のバンドの高周波信号の利得を制御し、少なくとも2つ以上のバンドを選択的に出力する利得制御器(271)と、前記利得制御器(271)の少なくとも2つ以上の出力をそれぞれ選択的に電力増幅する電力増幅器(242)と電力増幅器(252)からなり、
前記ベースバンド部(101)が制御部(120)を含み、前記制御部(120)が、前記受信部(220)による受信信号の信号情報を検出するとともに、その情報に応じた利得制御電圧を前記利得制御器(271)に加えることにより、前記電力増幅器(242)からの出力を前記電力増幅器(252)からの出力に切り替え、前記受信信号の信号情報に対応して前記電力増幅器(252)の出力レベルの目標値を設定し、前記電力増幅器(252)の出力レベルと前記電力増幅器(252)の出力レベルの目標値とを比較し、その比較結果に応じた利得制御電圧を前記利得制御器(271)と可変利得中間周波増幅器(232)に加えることにより、前記電力増幅器(252)の出力レベルが前記電力増幅器(252)の出力レベルの目標値に一致するように前記利得制御器(271)と前記可変利得中間周波増幅器(232)の利得を追従制御し、
前記利得制御器(271)が高周波信号の第1の信号入力部(43)と第1の信号出力部(45)とを接続する第1の可変抵抗(41)よりなる第1の信号ライン(47)と、前記第1の信号ライン(47)と並列に少なくとも1個以上設置されて高周波信号の第2の信号入力部(44)と第2の信号出力部(46)とを接続する第2の可変抵抗(42)よりなる第2の信号ライン(48)と、前記第1の可変抵抗(41),前記第2の可変抵抗(42)の各々に接続されてそれぞれ異なった基準電圧が加えられる第1の基準電圧印加部(51,52)と、前記第1の可変抵抗(41),前記第2の可変抵抗(42)の各々に接続されて前記利得制御電圧が加えられる利得制御電圧印加部(50)とで構成され、
前記第1の信号入力部(43)と前記第2の信号入力部(44)はいずれも一方の入力部に信号が入力される場合は他方の入力部は無入力であり、
前記第1の可変抵抗(41)が前記第1の信号入力部(43)と前記第1の信号出力部(45)とを接続する第3の可変抵抗(55)と、前記第1の信号入力部(43)および前記第1の信号出力部(45)のいずれか一方と基準電位部(57)とを接続する第4の可変抵抗(56)とからなり、
前記第2の可変抵抗(42)が前記第2の信号入力部(44)と前記第2の信号出力部(46)とを接続する第5の可変抵抗(58)と、前記第2の信号入力部(44)および前記第2の信号出力部(46)のいずれか一方と前記基準電位部(57)とを接続する第6の可変抵抗(59)とからなり、
前記基準電圧印加部が第1の基準電圧印加部(51)と第2の基準電圧印加部(52)とからなり、
前記第3の可変抵抗(55)と前記第5の可変抵抗(58)とが前記第1の基準電圧印加部(51)に接続され、前記第4の可変抵抗(56)と前記第6の可変抵抗(59)とが前記第2の基準電圧印加部(52)に接続され、前記第3の可変抵抗(55),前記第4の可変抵抗(56),前記第5の可変抵抗(58),前記第6の可変抵抗(59)の各々が前記利得制御電圧印加部(50)に接続され、
前記第3の可変抵抗(55),前記第4の可変抵抗(56),前記第5の可変抵抗(58),前記第6の可変抵抗(59)がそれぞれ少なくとも第1、第2、第3および第4の電界効果トランジスタ(60),(63),(67),(69)のゲートに第1、第2、第3および第4の抵抗(61),(64),(68),(70)が接続された構成で、前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)のゲートがそれぞれ前記第1および第3の抵抗(61),(68)を介して前記利得制御電圧印加部(50)に接続され、
前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のソースが前記利得制御電圧印加部(50)に接続され、
前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)のソースがそれぞれ第5および第6の抵抗(62),(73)を介して前記第1の基準電圧印加部(51)に接続され、
前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のゲートがそれぞれ前記第2および第4の抵抗(64),(70)を介して前記第2の基準電圧印加部(52)に接続され、
前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のドレインがそれぞれ第1および第2の容量(65),(71)を介して前記第1の信号出力部(45),前記第2の信号出力部(46)にそれぞれ接続され、
前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のソースがそれぞれ第3および第4の容量(66),(72)を介して前記基準電位部(57)に接続され、
前記第3の可変抵抗(55)を含む前記第1の信号ライン(47)と前記第5の可変抵抗(58)を含む前記第2の信号ライン(48)とが並列接続され、
前記第1の可変抵抗(41)および第2の可変抵抗(42)の利得制御電圧の変化に対する減衰量の変化が同等となるように前記第1の可変抵抗(41)および前記第2の可変抵抗(42)の減衰特性および前記基準電圧印加部への印加電圧を設定したことを特徴とする携帯電話端末装置。 - 前記第1の基準電圧印加部(51)に印加される電圧よりも前記第2の基準電圧印加部(52)に印加される電圧の方が低い請求項15記載の携帯電話端末装置。
- 前記第1の基準電圧印加部(51)に印加される電圧よりも前記第2の基準電圧印加部(52)に印加される電圧の方が、前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)が完全オフとなる利得制御電圧と、前記第4の可変抵抗(56),第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)が完全オフとなる利得制御電圧とを加えた値から、前記第1の基準電圧印加部(51)に印加される電圧を差し引いた分に相当する低い値に設定されている請求項15記載の携帯電話端末装置。
- 前記第1の基準電圧印加部(51),前記第2の基準電圧印加部(52)に印加される電圧値が、前記第1の可変抵抗(41)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第2の可変抵抗(42)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが一致するように設定されている請求項15記載の携帯電話端末装置。
- 前記第1の基準電圧印加部(51),前記第2の基準電圧印加部(52)に印加される電圧値が、前記第3の可変抵抗(55)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第5の可変抵抗(58)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが同一で、かつ前記第4の可変抵抗(56)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第6の可変抵抗(59)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一となるように設定されている請求項15記載の携帯電話端末装置。
- 前記第1の基準電圧印加部(51),前記第2の基準電圧印加部(52)に印加される電圧値が、前記第3の可変抵抗(55)を構成する前記第1の電界効果トランジスタ(60)が完全オフとなる利得制御電圧と前記第5の可変抵抗(58)を構成する前記第3の電界効果トランジスタ(63)が完全オフとなる利得制御電圧とが同一で、かつ前記第4の可変抵抗(56)を構成する前記第2の電界効果トランジスタ(63)が完全オフとなる利得制御電圧と前記第6の可変抵抗(59)を構成する前記第4の電界効果トランジスタ(69)が完全オフとなる利得制御電圧とが同一となるように設定されている請求項15記載の携帯電話端末装置。
- 前記第1の基準電圧印加部(51),前記第2の基準電圧印加部(52)に印加される電圧値が、前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲より、前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲の方がより高くなるように設定されている請求項15記載の携帯電話端末装置。
- 前記第1の基準電圧印加部(51),前記第2の基準電圧印加部(52)に印加される電圧値が、前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)が完全オフとなる利得制御電圧より前記第4の可変抵抗(56),第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)が完全オフとなる利得制御電圧の方が高くなるように設定されている請求項15記載の携帯電話端末装置。
- 前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)のしきい値電圧より前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のしきい値電圧の方が高い請求項15記載の携帯電話端末装置。
- 前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)のしきい値電圧と、前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のしきい値電圧とが、前記第1の可変抵抗(41)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第2の可変抵抗(42)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲とが一致するように設定されている請求項15記載の携帯電話端末装置。
- 前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)のしきい値電圧と、前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のしきい値電圧とが、前記第3の可変抵抗(55)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第5の可変抵抗(58)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一で、かつ前記第4の可変抵抗(56)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲と前記第6の可変抵抗(59)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲が同一となるように設定されている請求項15記載の携帯電話端末装置。
- 前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)のしきい値電圧と、前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のしきい値電圧とが、前記第3の可変抵抗(55)を構成する前記第1の電界効果トランジスタ(60)が完全オフとなる利得制御電圧と前記第5の可変抵抗(58)を構成する前記第3の電界効果トランジスタ(63)が完全オフとなる利得制御電圧が同一で、かつ前記第4の可変抵抗(56)を構成する前記第2の電界効果トランジスタ(63)が完全オフとなる利得制御電圧と前記第6の可変抵抗(59)を構成する前記第4の電界効果トランジスタ(69)が完全オフとなる利得制御電圧が同一となるように設定されている請求項15記載の携帯電話端末装置。
- 前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)のしきい値電圧と、前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のしきい値電圧とが、前記第3の可変抵抗(55)、前記第5の可変抵抗(58)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲より、前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)が利得制御動作を行う利得制御電圧範囲の方がより高い利得制御電圧で動作するように設定されている請求項15記載の携帯電話端末装置。
- 前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)のしきい値電圧と、前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)のしきい値電圧とが、前記第3の可変抵抗(55),前記第5の可変抵抗(58)をそれぞれ構成する前記第1および第3の電界効果トランジスタ(60),(67)が完全オフとなる利得制御電圧より前記第4の可変抵抗(56),前記第6の可変抵抗(59)をそれぞれ構成する前記第2および第4の電界効果トランジスタ(63),(69)が完全オフとなる利得制御電圧の方が高い値で動作するように設定されている請求項15記載の携帯電話端末装置。
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