JP6276302B2 - スイッチングモジュールと無線デバイス - Google Patents

スイッチングモジュールと無線デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP6276302B2
JP6276302B2 JP2016025664A JP2016025664A JP6276302B2 JP 6276302 B2 JP6276302 B2 JP 6276302B2 JP 2016025664 A JP2016025664 A JP 2016025664A JP 2016025664 A JP2016025664 A JP 2016025664A JP 6276302 B2 JP6276302 B2 JP 6276302B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input terminal
output
coupled
terminal
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016025664A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016165102A (ja
Inventor
ジョエル アンソニー ペンティコフ、
ジョエル アンソニー ペンティコフ、
プラディープ エイ． バララーマン、
プラディープ エイ． バララーマン、
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Skyworks Solutions Inc
Original Assignee
Skyworks Solutions Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Skyworks Solutions Inc filed Critical Skyworks Solutions Inc
Publication of JP2016165102A publication Critical patent/JP2016165102A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6276302B2 publication Critical patent/JP6276302B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transmitters (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

本開示は一般にスイッチに関し、詳しくは単極多投（ＳＰＭＴ）スイッチに関する。
関連出願の相互参照
本願は、２０１５年２月１５日に出願された「電力供給がない単極多投スイッチ」との名称の米国仮出願第６２／１１６，４９８号の優先権を主張する。その開示は全体がここに参照として組み入れられる。
携帯型無線デバイスは、別個の物理的モジュールに分割された一以上のチップセットを含み得る。物理的モジュールはそれぞれ、シリアル制御バスに接続される。かかるモジュール間の多重化ＲＦスイッチを制御することは、当該スイッチを包含する別個のモジュールに電力を供給することを含み得る。これはまた、所望のスイッチ位置を選択する別個の制御指令を当該モジュールに書き込むことも含む。いくつかの実施形態において、多重化を実行するべく、個別的なスイッチ制御線を複数モジュール間に存在させることができる。しかしながら、かかる線をチップセットに追加することは、チップセットのサイズ及びコストを増大させ得る。
いくつかの実装によれば、本開示はスイッチングモジュールに関する。スイッチングモジュールは、第１入力端子、第２入力端子及び出力端子を含む。出力端子は、第１入力端子又は第２入力端子が受信した入力信号の無線周波数（ＲＦ）成分を、当該入力信号が正の直流（ＤＣ）電圧を含むことに応答して出力するべく構成される。
いくつかの実施形態において、スイッチングモジュールは、第１キャパシタを介して第１入力端子に結合されたドレインと、第１抵抗器を介して第１入力端子に結合されたゲートと、出力端子に結合されたソースとを有する第１トランジスタを含み得る。いくつかの実施形態において、スイッチングモジュールはさらに、第２キャパシタを介して第２入力端子に結合されたドレインと、第２抵抗器を介して第２入力端子に結合されたゲートと、出力端子に結合されたソースとを有する第２トランジスタを含み得る。
いくつかの実施形態において、スイッチングモジュールは、第１入力端子に結合されたドレインと、第２抵抗器を介して第２入力端子に結合されたゲートと、スイッチングモジュールの接地端子に結合されたソースとを有する第３トランジスタを含み得る。いくつかの実施形態において、スイッチングモジュールはさらに、第２入力端子に結合されたドレインと、第１抵抗器を介して第１入力端子に結合されたゲートと、接地端子に結合されたソースとを有する第４トランジスタを含み得る。
いくつかの実施形態において、スイッチングモジュールは、第１トランジスタのゲートとスイッチングモジュールの接地端子との間に設けられた第３キャパシタを含み得る。いくつかの実施形態において、スイッチングモジュールはさらに、第２トランジスタのゲートと接地端子との間に設けられた第４キャパシタを含み得る。
いくつかの実施形態において、スイッチングモジュールは、第１入力端子に結合されたドレインと、バイアス電圧出力に結合されたゲートと、接地端子に結合されたソースとを有する第５トランジスタを含み得る。いくつかの実施形態において、スイッチングモジュールはさらに、第２入力端子に結合されたドレインと、バイアス電圧出力に結合されたゲートと、接地端子に結合されたソースとを有する第６トランジスタを含み得る。
いくつかの実施形態において、スイッチングモジュールは、出力端子に結合された出力を有する回路を含み得る。いくつかの実施形態において、回路は、バイアス電圧出力を介してバイアス電圧を選択的に与えるべく構成された制御器を含み得る。いくつかの実施形態において、制御器は、電池電圧をバイアス電圧へと変換する電力変換器を含み得る。
いくつかの実施形態において、回路は、出力端子に結合された第１出力を有する方向性結合器を含み得る。いくつかの実施形態において、回路は、方向性結合器の入力に結合された電力増幅器を含み得る。いくつかの実施形態において、回路は、方向性結合器の第１出力と出力端子との間に設けられかつ方向性結合器の第２出力と出力端子との間に設けられた送信／反射スイッチを含み得る。
いくつかの実施形態において、第１入力端子又は第２入力端子が受信した第１入力信号は、第１入力端子又は第２入力端子の他方が受信した正の直流（ＤＣ）電圧を含む第２入力信号に応答して、接地端子に短絡させることができる。
いくつかの実施形態において、スイッチングモジュールは第３入力端子を含み、出力端子は、第３入力端子が受信した入力信号の無線周波数（ＲＦ）成分を、当該入力信号が正の直流（ＤＣ）電圧を含むことに応答して出力するべく構成することができる。
いくつかの実装において、本開示は送信モジュールに関する。送信モジュールは、無線周波数（ＲＦ）入力端子及び無線周波数（ＲＦ）出力端子間に設けられた方向性結合器を含む。送信モジュールは、ＤＣ電圧を発生させるべく構成された直流（ＤＣ）コンポーネントを含む。送信モジュールはさらに、方向性結合器のＤＣ電圧及びＲＦ出力の組み合わせを出力するべく構成された結合器端子を含む。
いくつかの実施形態において、送信モジュールは、方向性結合器の第１ＲＦ出力と結合器端子との間に設けられかつ方向性結合器の第２ＲＦ出力と出力端子との間に設けられた送信／反射スイッチを含み得る。
いくつかの実施形態において、ＤＣコンポーネントは、送信／反射スイッチを制御するべく構成された制御器に実装される。いくつかの実施形態において、ＤＣコンポーネントは、受信した電池電圧からＤＣ電圧を発生させるべく構成された電力変換器を含み得る。
いくつかの実装において、本開示は、第１入力無線周波数（ＲＦ）信号を発生させるべく構成された送受信器を含む無線デバイスに関する。無線デバイスは、送受信器と通信する第１フロントエンドモジュール（ＦＥＭ）を含む。第１ＦＥＭは、複数のコンポーネントを受容するべく構成された第１パッケージング基板を含む。第１ＦＥＭはさらに、第１パッケージング基板上に実装された第１送信システム及びスイッチングモジュールを含む。第１送信システムは、第１ＲＦ信号を増幅するべく構成される。スイッチングモジュールは、第１入力端子と、第２入力端子と、第１入力端子又は第２入力端子が受信した入力信号の無線周波数（ＲＦ）成分を、当該入力信号が正の直流（ＤＣ）電圧を含むことに応答して出力するべく構成された出力端子とを有する。無線デバイスは、第１ＦＥＭと通信する第１アンテナを含む。第１アンテナは、増幅された第１ＲＦ信号を送信するべく構成されたアンテナである。
いくつかの実施形態において、送信システムはさらに、出力端子に結合された出力を有する方向性結合器を含み得る。
いくつかの実施形態において、無線デバイスはさらに、送受信器と通信する第２ＦＥＭモジュールを含み得る。第２ＦＥＭは、複数のコンポーネントを受容するべく構成された第２パッケージング基板を含み得る。第２ＦＥＭはさらに、送受信器から受信した第２ＲＦ信号を増幅するべく構成された第２送信システムを含み得る。無線デバイスはさらに、第２ＦＥＭと通信する第２アンテナを含み得る。第２アンテナは、増幅された第２ＲＦ信号を送信するべく構成され得る。第２ＦＥＭモジュールは、ＤＣ電圧と第２アンテナに結合された方向性結合器のＲＦ出力との組み合わせを出力するべく構成された結合器端子を有し得る。（第２ＦＥＭの）結合器端子は、（第１ＦＥＭの）第１入力端子に結合され得る。
本開示を要約する目的で本発明の一定の側面、利点及び新規な特徴がここに記載された。理解すべきことだが、かかる利点のすべてが必ずしも、本発明の任意の特定実施形態によって達成できるわけではない。すなわち、本発明は、ここに教示される一の利点又は一群の利点を、ここに教示又は示唆される他の利点を必ずしも達成することなく、達成又は最適化する態様で具体化又は実施をすることができる。
多重送信モジュールを含む無線通信構成を示す。 いくつかの実施形態において、無線通信構成が、電力端子又は制御端子が存在しないスイッチングモジュールを含み得ることを示す。 いくつかの実施形態において、スイッチングモジュールが電力端子又は制御端子を有しなくてもよいことを示す。 いくつかの実装において、スイッチングモジュールが、電力供給を受ける付加機能含有モジュールに実装可能なことを示す。 いくつかの実施形態において、モジュールが送信モジュール及びスイッチングモジュールを含み得ることを示す。 いくつかの実施形態において、送信モジュールが、ＲＦ結合器信号にＤＣバイアスを出力し得ることを示す。 いくつかの実施形態において、無線通信構成がベースモジュール及び多重随伴モジュールを含み得ることを示す。 ここに記載される一以上の特徴を有するモジュールを描く。 ここに記載される一以上の特徴を有する無線デバイスを描く。
ここに与えられる見出しは、たとえあったとしても、便宜のみのためであって、必ずしも請求項に係る発明の範囲又は意味に影響するわけではない。
ここに記載されるのは、電力供給がないモジュール内の単極多投ＲＦスイッチが、能動的随伴モジュールから単一のＲＦ出力へとＲＦ信号を能動的に切り替える技術である。ここに記載される実施形態において、制御指令及び関連制御ソフトウェアを不使用とし又は排除することができる。ここに記載される実施形態において、多重化スイッチを包含するモジュールは、電力供給を受けることもデジタル制御されることもない。さらに、ここに記載される実施形態は、複数モジュール間の個別的なスイッチ制御線を含まなくてもよい。
図１は、多重送信モジュール１１０、１２０を含む無線通信構成１００を示す。送信モジュール１１０、１２０はそれぞれ、アンテナ１１４、１２４を介して送信される無線周波数（ＲＦ）入力信号を受信する入力端子１１１、１２１を有する。送信モジュール１１０、１２０はそれぞれ、入力信号を増幅する電力増幅器１１５、１２５を含む。増幅された入力信号（出力信号と称する）は、出力端子１１２、１２２を介して出力され、アンテナ１１４、１２４を介して送信される。
送信モジュール１１０、１２０はそれぞれ、電力増幅器１１５、１２５及び出力端子１１２、１２２間に方向性結合器１１６、１２６も含む。方向性結合器１１６、１２６は、アンテナ１１４、１２４を介して送信される信号（送信信号と称する）の測定値を与え、かつ、アンテナ１１４、１２４から反射される信号（反射信号）の測定値を与える。これら双方の測定値は、結合器端子１１３、１２３を介して当該測定値の一方を出力するべく選択する送信／反射（Ｔ／Ｒ）スイッチ１１７、１２７へと与えられる。
送信モジュール１１０、１２０の結合器端子１１３、１２５は、伝送線１４１、１４２それぞれを介して、スイッチングモジュール１３０の入力端子１３１、１３２それぞれへと結合される。スイッチングモジュール１３０は、第１入力端子１３１、第２入力端子１３２及び出力端子１３３を含む。スイッチングモジュール１３０は、制御端子１３５を介して受信した制御信号に基づき、出力端子１３３における出力信号として、第１入力端子１３１又は第２入力端子１３２いずれかが受信した信号を与える。
スイッチングモジュール１３０はさらに、スイッチングモジュール１３０に電源を供給するＤＣ電圧を受ける電力端子１３４を有する。ＤＣ電圧は、例えば、（例えば電池からの）電池電圧又は（例えば電源からの）供給電圧とすることができる。ＤＣ電圧は、例えば、スイッチングモジュール内の一以上のトランジスタにバイアスを与えるべく使用することができる。
送信モジュール１１０、１２０はそれぞれ、送信モジュールの電源用電力を受ける電力端子（図示せず）も有し得る。
スイッチングモジュール１３０を制御するべく、（多重化ＲＦスイッチを包含する）スイッチングモジュール１３０は、例えば電力端子１３４を介した受電のように電力供給を受け、制御信号が、所望の入力を選択するべく（例えば制御端子１３５を介して）与えられる。スイッチングモジュール１３０に電力を供給することは、望ましくないことに、電池寿命を低下させ得る。さらに、制御信号を発生させて送信することも、望ましくないことに、関連制御ソフトウェアのコストをかけて行われ得る。
したがって、いくつかの実施形態において、無線通信構成は、電力端子を介した電力供給を受けない又は制御端子を介した制御を受けないスイッチングモジュールを含む。
図２は、いくつかの実施形態において、無線通信構成２００が電力端子又は制御端子が存在しないスイッチングモジュールを含み得ることを示す。図１の無線通信構成１００と同様に、図２の無線通信構成２００は２つの送信モジュール２１０、２２０を含む。わかることだが、図２の無線通信構成２００は２つの送信モジュール２１０、２２０を含むにもかかわらず、他の無線通信構成は３以上の送信モジュールを含み得る。
送信モジュール２１０、２２０はそれぞれ、アンテナ２１４、２２４それぞれを介して送信される無線周波数（ＲＦ）入力信号を受信する入力端子２１１、２２１を有する。送信モジュール２１０、２２０はそれぞれ、入力信号を増幅する電力増幅器２１５、２２５を含む。増幅された入力信号（出力信号と称する）は、出力端子２１２、２２２を介して出力され、アンテナ２１４、２２４を介して送信される。
送信モジュール２１０、２２０はそれぞれ、電力増幅器２１５、２２５及び出力端子２１２、２２２間に方向性結合器２１６、２２６を含む。方向性結合器２１６、２２６は、アンテナ２１４、２２４を介して送信される信号（送信信号と称する）の測定値を与え、かつ、アンテナ２１４、２２４から反射される信号（反射信号と称する）の測定値を与える。これら双方の測定値は、結合器端子２１３、２２３を介して当該測定値の一方を出力するべく選択される送信／反射（Ｔ／Ｒ）スイッチ２１７、２２７へと与えられる。
結合器端子２１３、２２３を介してまたも出力されるのは、ＤＣコンポーネント２１８、２２８から与えられる正のＤＣ電圧（例えばトランジスタバイアスしきい値のようなしきい値よりも大きなＤＣ電圧）である。すなわち、結合器端子２１３、２２３が出力するのは、正のＤＣ電圧と、方向性結合器２１６、２２６のＲＦ出力（例えば送信又は反射信号のＲＦ測定値）との組み合わせである。
送信モジュール２１０、２２０の結合器端子２１３、２２３は、伝送線２４１、２４２それぞれを介して、スイッチングモジュール２３０の入力端子２３１、２３２それぞれに結合される。スイッチングモジュール２３０は、第１入力端子２３１、第２入力端子２３２及び出力端子２３３を含む。図１のスイッチングモジュール１３０とは異なり、図２のスイッチングモジュール２３０は制御端子又は電力端子を含まない。図２のスイッチングモジュール２３０は、第１入力端子２３１が受信した信号が正のＤＣ電圧を含む場合に第１入力端子２３１が受信した信号のＲＦ成分を出力し、第２入力端子２３２が受信した信号が正のＤＣ電圧を含む場合に第２入力端子２３２が受信した信号のＲＦ成分を出力する。
すなわち、スイッチングモジュール２３０は、（第１入力端子２３１又は第２入力端子２３２いずれかにおける正のＤＣ電圧を除く）電力又は制御信号を受け取ることなく、第１入力端子２３１又は第２入力端子２３２いずれかが受信した信号のＲＦ成分を出力する。
すなわち、無線通信構成２００は、第２送信モジュール２２０又はスイッチングモジュール２３０に電力を供給することなく、第１送信モジュール２１０の送信信号又は反射信号の測定値を、スイッチングモジュール２３０の出力端子を介して出力することができる。同様に、無線通信構成２００は、第１送信モジュール２１０又はスイッチングモジュール２３０に電力を供給することなく、第２送信モジュール２２０の送信信号又は反射信号の測定値を、スイッチングモジュール２３０の出力端子を介して出力することができる。
送信モジュール２１０、２２０いずれかからの送信信号及び／又は反射信号の測定値は、例えば、送信電力を制御し、放射電力量を制御し、又はアンテナチューナをチューニングするべく、ベース帯域システムへと与えることができる。
図３は、いくつかの実施形態において、スイッチングモジュール３００が、電力端子又は制御端子を有しないことを示す。図３のスイッチングモジュール３００は、例えば、図２の無線通信構成２００において使用されて上述のスイッチング機能を果たすことができる。
スイッチングモジュール３００は、第１入力端子３０１、第２入力端子３０２及び出力端子３０３を有する。スイッチングモジュール３００はさらに、接地電位に結合される接地端子３０４を有する。スイッチングモジュール３００は、スイッチングモジュール３００の電源用電力を受ける電力端子を含まない。スイッチングモジュール３００は、第１入力端子３０１又は第２入力端子３０２からの信号出力を選択する制御信号を受信する制御端子を含まない。むしろ、上述のようにスイッチングモジュール３００は、第１入力端子３０１又は第２入力端子３０２のいずれかが正のＤＣ電圧を受信することに基づき、第１入力端子３０１又は第２入力端子３０２いずれかが受信した信号のＲＦ成分を出力する。特に、第１入力端子３０１が受信した信号が正のＤＣ電圧を含む場合、スイッチングモジュール３００は、第１入力端子３０１が受信した信号のＲＦ成分を（出力端子３０３から）出力する。同様に、第２入力端子３０２が受信した信号が正のＤＣ電圧を含む場合、スイッチングモジュール３００は、第２入力端子３０２が受信した信号のＲＦ成分を（出力端子３０３から）出力する。
スイッチングモジュール３００は、第１入力端子３０１及び出力端子３０３間に結合された第１トランジスタ３２１を含む。第１トランジスタは、第１キャパシタ３３１を介して第１入力端子３０１に結合されたドレインと、第１抵抗器３４１を介して第１入力端子に結合されたゲートと、出力端子３０３に結合されたソースとを有する。理解されることだが、ここでは第１トランジスタ３２１が電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）として記載されるにもかかわらず、第１トランジスタ３２１（及びここに記載される他のトランジスタ）は、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）（例えばヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ））のような他のタイプのトランジスタによって実装可能である。同様に、「ゲート」、「ドレイン」又は「ソース」のような特定の用語の使用は、特定のトランジスタのタイプを示唆するものと受け取るべきではなく、他のタイプのトランジスタを言及するべく使用されるのが典型的な（「ベース」、「コレクタ」又は「エミッタ」のような）他の用語と互換性があるものとみなすべきである。
スイッチングモジュール３００は、第２入力端子３０２及び出力端子３０３間に結合された第２トランジスタ３２２を含む。第２トランジスタは、第２キャパシタ３３２を介して第２入力端子３０２に結合されたドレインと、第２抵抗器を介して第２入力端子３０２に結合されたゲートと、出力端子３０３に結合されたソースとを有する。
スイッチングモジュール３００は、第１入力端子３０１及び接地端子３０４間に結合された第３トランジスタ３２３を含む。第３トランジスタ３２３は、第１入力端子３０１に結合されたドレインと、終端抵抗器３４３を介して接地端子３０４に結合されたソースと、第２抵抗器３４２を介して第２入力端子３０２に結合されたゲートとを有する。スイッチングモジュールは、第２入力端子３０２及び接地端子３０４間に結合された第４トランジスタ３２４を含む。第４トランジスタ３２４は、第２入力端子３０２に結合されたドレインと、終端抵抗器３４３を介して接地端子３０４に結合されたソースと、第１抵抗器３４１を介して第１入力端子３０１に結合されたゲートとを有する。
第３トランジスタ３２３のゲート及び第４トランジスタ３２４のゲートはそれぞれ、キャパシタ３３３、３３４それぞれを介して接地端子３０４に結合される。いくつかの実装において、出力端子３０３及び接地端子３０４間にリーク抵抗器（図示せず）を結合することができる。リーク抵抗器の抵抗値は、例えば５キロオームとすることができる。
第１入力端子３０１が受信した信号が正のＤＣ電圧を含む場合、当該正のＤＣ電圧は、第１トランジスタ３２１にバイアスを与えるべく第１抵抗器３４１を流れる。第１トランジスタ３２１がバイアスを受けると、第１入力端子３０１が受信した信号のＲＦ成分は、第１トランジスタ３２１を経由して出力端子３０３へと流れる。また、正のＤＣ電圧は、通常は５０オームの接地された終端抵抗器３４３を介して、第２入力端子３０２で終端する第４トランジスタ３２４にバイアスを与える。同様に、第２入力端子３０２が受信した信号が正のＤＣ電圧を含む場合、正のＤＣ電圧は、第２トランジスタ３２２にバイアスを与えるべく第２抵抗器３４２を流れ、ＲＦ成分が出力端子３０３へと流れることを許容する。また、正のＤＣ電圧は、接地された終端抵抗器３４３を介して、第１入力端子３０１で終端する第３トランジスタ３２３にバイアスを与える。
すなわち、出力端子３０３は、第１入力端子３０１又は第２入力端子３０２が受信した入力信号のＲＦ成分を、当該入力信号が正のＤＣ電圧を含むことに応答して出力するべく構成される。いくつかの実装において、スイッチングモジュール３００は、付加入力端子（例えば第３入力端子）を含み得る。出力端子３０３は、付加入力端子（例えば第３入力端子）が受信した入力信号のＲＦ成分を、当該入力信号が正のＤＣ電圧を含むことに応答して出力するべく構成することができる。さらに、第１入力端子３０１又は第２入力端子３０２が受信した第１入力信号は、第１入力端子３０１又は第２入力端子３０２の他方が受信した第２入力信号が正のＤＣ電圧を含むことに応答して、接地終端抵抗器３４３を介して終端される。
すなわち、スイッチングモジュール３００は複数の入力端子３０１、３０２と、当該複数の入力端子が受信した入力信号の無線周波数（ＲＦ）成分を、当該入力信号が正の直流（ＤＣ）電圧を含むことに応答して出力するべく構成された出力端子３０３とを含む。
図４は、いくつかの実装において、スイッチングモジュール４３０が、付加機能を含むモジュール４００に実装可能であることを示す。モジュール４００は、出力端子４０３を共有する回路４９０及びスイッチングモジュール４３０を含む。回路４９０は、モジュール４００に電源を供給する電力を（例えば電池電圧又は供給電圧として）受ける電力端子４０５を有する。いくつかの実施形態において、回路４９０は、スイッチングモジュール４３０にバイアス電圧（Ｖｂ）を与える。回路４９０は、出力端子４０３を介してモジュール４００から出力され得る出力信号を発生する。
図３のスイッチングモジュール３３０と同様に、スイッチングモジュール４３０は、第１入力端子４０１及び出力端子３０３間に結合された第１トランジスタ４２１を含む。第１トランジスタ４２１は、第１キャパシタ４３１を介して第１入力端子４０１に結合されたドレインと、第１抵抗器４４１を介して第１入力端子に結合されたゲートと、出力端子４０３に結合されたソースとを有する。スイッチングモジュール４３０は、第２入力端子４０２及び出力端子４０３間に結合された第２トランジスタ４２２を含む。第２トランジスタ４２２は、第２キャパシタ４３２を介して第２入力端子４０２に結合されたドレインと、第２抵抗器を介して第２入力端子４０２に結合されたゲートと、出力端子４０３に結合されたソースとを有する。
スイッチングモジュール４３０は、第１入力端子４０１及び接地端子４０４間に結合された第３トランジスタ４２３を含む。第３トランジスタ４２３は、第１入力端子４０１に結合されたドレインと、終端抵抗器４４３を介して接地端子４０４に結合されたソースと、第２抵抗器４４２を介して第２入力端子４０２に結合されたゲートとを有する。スイッチングモジュール４３０は、第２入力端子４０２及び接地端子４０４間に結合された第４トランジスタ４２４を含む。第４トランジスタ４２４は、第２入力端子４０２に結合されたドレインと、終端抵抗器４４３を介して接地端子４０４に結合されたソースと、第１抵抗器４４１を介して第１入力端子４０１に結合されたゲートとを有する。
第３トランジスタ４２３のゲート及び第４トランジスタ４２４のゲートはそれぞれ、キャパシタ４３３、４３４それぞれを介して接地端子４０４に結合される。いくつかの実装において、出力端子４０３及び接地端子４０４間にリーク抵抗器（図示せず）を結合することができる。リーク抵抗器の抵抗値は、例えば５キロオームとすることができる。
スイッチングモジュール４３０は、第１入力端子４０１及び接地端子４０４間に結合された第５トランジスタ４５１を含む。第５トランジスタ４５１は、第１入力端子４０１に結合されたドレインと、終端抵抗器４４３を介して接地端子４０４に結合されたソースと、回路４９０のバイアス電圧出力に結合されたゲートとを有する。スイッチングモジュール４３０は、第２入力端子４０２及び接地端子４０４間に結合された第６トランジスタ４５２を含む。第６トランジスタ４５２は、第２入力端子４０２に結合されたドレインと、終端抵抗器４４３を介して接地端子４０４に結合されたソースと、回路４９０のバイアス電圧出力に結合されたゲートとを有する。
モジュール４００に電力供給がない場合、例えば電力端子４０５に電力供給がない場合、モジュール４００は図３のスイッチングモジュール３００として作用する。すなわち、第１入力端子４０１（又は第２入力端子４０２）が受信する信号が正のＤＣ電圧を含む場合、当該正のＤＣ電圧は、第１トランジスタ４２１（又は第２トランジスタ４２２）にバイアスを与えるべく第１抵抗器４４１（又は第２抵抗器４４２）を流れるので、ＲＦ成分は出力端子４０３へと流れることができる。
モジュール４００が電力供給を受ける場合、回路４９０は、第５トランジスタ４５１及び第６トランジスタ４５１のゲートにバイアス電圧を与え、回路４９０の出力は出力端子４０３から出力される。
図５は、いくつかの実施形態において、モジュール５００が送信モジュール５９０及びスイッチングモジュール４３０を含み得ることを示す。モジュール５００は、図４を参照して上述されたスイッチングモジュール４３０を含む。モジュール５００はさらに、（図１を参照して上述された送信モジュール１１０と同様の）送信モジュール５９０の形態にある回路を含む。
送信モジュール５９０は、ＲＦ出力端子５０７に結合されたアンテナを介して送信されるＲＦ入力信号を受信するＲＦ入力端子５０６を有する。送信モジュール５９０は、ＲＦ入力信号を増幅する電力増幅器５８１を含む。増幅されたＲＦ入力信号（ＲＦ出力信号と称する）は、ＲＦ出力端子５０７を介して出力され、アンテナを介して送信される。
送信モジュール５９０はまた、電力増幅器５８１及びＲＦ出力端子５０７間に方向性結合器５８２を含む。方向性結合器５８２は、アンテナを介して送信される信号（送信信号と称する）の測定値を与え、かつ、アンテナから反射される信号（反射信号と称する）の測定値を与える。これら双方の測定値は、モジュール５００の出力端子４０３を介して当該測定値の一方を出力するべく選択される送信／反射（Ｔ／Ｒ）スイッチへと与えられる。
Ｔ／Ｒスイッチは、方向性結合器５８２の第１出力に結合されたドレインと、出力端子４０３に結合されたソースとを有する第１逆方向トランジスタ５６１を含む。Ｔ／Ｒスイッチは、方向性結合器５８２の第２出力に結合されたドレインと、抵抗器５４３を介して接地端子４０４に結合されたソースとを有する第２逆方向トランジスタ５６２を含む。
Ｔ／Ｒスイッチは、方向性結合器５８２の第１出力に結合されたドレインと、抵抗器５４３を介して接地端子４０４に結合されたソースとを有する第１順方向トランジスタ５６３を含む。Ｔ／Ｒスイッチは、方向性結合器５８２の第２出力に結合されたドレインと、出力端子４０３に結合されたソースとを有する第２順方向トランジスタ５６４を含む。
第１逆方向トランジスタ５６１及び第２逆方向トランジスタ５６２が（例えば−２Ｖとなり得る逆方向電圧Ｖｒにより）バイアスを受けると、反射信号の測定値が出力端子４０３を介して出力される。第１順方向トランジスタ５６３及び第２順方向トランジスタ５６４が（例えば２．５Ｖとなり得る順方向電圧Ｖｆにより）バイアスを受けると、送信信号の測定値が出力端子を介して出力される。
バイアス電圧（Ｖｂ）、逆方向電圧（Ｖｒ）及び順方向電圧（Ｖｆ）は、電力端子５０５を介して受信された電池電圧（Ｖｂａｔｔ）又は供給電圧（Ｖｃｃ）から発生し得る。それを目的として、送信モジュールは電力変換器を含み得る。
図６は、いくつかの実施形態において、送信モジュール６００が、ＲＦ結合器信号にＤＣバイアスを出力し得ることを示す。送信モジュール６００は、ＲＦ出力端子６０７に結合されたアンテナを介して送信されるＲＦ入力信号を受信するＲＦ入力端子６０６を有する。送信モジュール６００は、ＲＦ入力信号を増幅する電力増幅器６８１を含む。増幅されたＲＦ入力信号（ＲＦ出力信号と称する）は、ＲＦ出力端子６０７を介して出力され、アンテナを介して送信される。
送信モジュール６００はまた、電力増幅器６８１及びＲＦ出力端子６０７間に方向性結合器６８２を含む。方向性結合器６８２は、アンテナを介して送信される信号（送信信号と称する）の測定値を与え、かつ、アンテナから反射される信号（反射信号と称する）の測定値を与える。これら双方の測定値は、送信モジュール６００の結合器端子６０３を介して当該測定値の一方を出力するべく選択されるＴ／Ｒスイッチへと与えられる。
Ｔ／Ｒスイッチは、方向性結合器６８２の第１出力に結合されたドレインと、（キャパシタ６４４を介して）結合器端子６０３に結合されたソースとを有する第１逆方向トランジスタ６６１を含む。Ｔ／Ｒスイッチは、方向性結合器６８２の第２出力に結合されたドレインと、抵抗器６４３を介して（接地電位に結合される）接地端子６０４に結合されたソースとを有する第２逆方向トランジスタ６６２を含む。
Ｔ／Ｒスイッチは、方向性結合器６８２の第１出力に結合されたドレインと、抵抗器６４３を介して接地端子６０４に結合されたソースとを有する第１順方向トランジスタ６６３を含む。Ｔ／Ｒスイッチは、方向性結合器６８２の第２出力に結合されたドレインと、（キャパシタ６３１を介して）結合器端子６０３に結合されたソースとを有する第２順方向トランジスタ６６４を含む。
第１逆方向トランジスタ６６１及び第２逆方向トランジスタ６６２が（例えば−２Ｖとなり得る逆方向電圧Ｖｒにより）バイアスを受けると、反射信号の測定値が結合器端子６０３を介して出力される。第１順方向トランジスタ６６３及び第２順方向トランジスタ６６４が（例えば２．５Ｖであり得る順方向電圧Ｖｆにより）バイアスを受けると、送信信号の測定値が結合器端子６０３を介して出力される。
送信モジュール６００はＤＣバイアス発生器６１８を含む。ＤＣバイアス発生器６１８は、抵抗器６４４を介して結合器端子６０３へと供給されるＤＣバイアス電圧（Ｖｂ）を発生する。キャパシタ６３１及び抵抗器６４４は、ＲＦ結合器測定信号をＤＣバイアス電圧と組み合わせて結合器端子６０３を介して出力するＲＣコンバイナを形成する。
バイアス電圧（Ｖｂ）、逆方向電圧（Ｖｒ）及び順方向電圧（Ｖｆ）は、電池電圧（Ｖｂａｔｔ）又は電力端子６０５を介して受信した供給電圧（Ｖｃｃ）から発生させることができる。それを目的として、送信モジュールは電力変換器を含み得る。
図７は、いくつかの実施形態において、無線通信構成７００が、ベースモジュール７３０及び多重随伴モジュール７１０、７２０を含み得ることを示す。無線通信構成７００は、図２の無線通信構成２００の一特定例として示される。ここで、ベースモジュール７３０は、図５のモジュール５００と実質的に同様であり、随伴モジュール７１０、７２０はそれぞれ、図６の送信モジュール６００と実質的に同様である。
すなわち、ベースモジュール７３０は、第１入力端子７０１及び結合器端子７０３間に結合された第１トランジスタ７２１を含む。第１トランジスタ７２１は、第１キャパシタ７３１を介して第１入力端子７０１に結合されたドレインと、第１抵抗器７４１を介して第１入力端子７０１に結合されたゲートと、結合器端子７０３に結合されたソースとを有する。ベースモジュール７３０は、第２入力端子７０２及び結合器端子７０３間に結合された第２トランジスタ７２２を含む。第２トランジスタ７２２は、第２キャパシタ７３２を介して第２入力端子７０２に結合されたドレインと、第２抵抗器７４２を介して第２入力端子７０２に結合されたゲートと、結合器端子７０３に結合されたソースとを有する。
スイッチングモジュール４３０は、第１入力端子７０１及び接地端子７０４間に結合された第３トランジスタ７２３を含む。第３トランジスタ７２３は、第１入力端子７０１に結合されたドレインと、終端抵抗器７４３を介して接地端子７０４に結合されたソースと、第２抵抗器７４２を介して第２入力端子７０２に結合されたゲートとを有する。スイッチングモジュール７３０は、第２入力端子７０２及び接地端子７０４間に結合された第４トランジスタ７２４を含む。第４トランジスタ７２４は、第２入力端子７０２に結合されたドレインと、終端抵抗器７４３を介して接地端子７０４に結合されたソースと、第１抵抗器７４１を介して第１入力端子７０１に結合されたゲートとを有する。
第３トランジスタ７２３のゲート及び第４トランジスタ７２４のゲートはそれぞれ、キャパシタ７３３、７３４それぞれを介して接地端子７０４に結合される。いくつかの実装において、リーク抵抗器（図示せず）を結合器端子７０３及び接地端子７０４間に結合することができる。リーク抵抗器の抵抗値は、例えば５キロオームとすることができる。
ベースモジュール７３０は、第１入力端子７０１及び接地端子７０４間に結合された第５トランジスタ７５１を含む。第５トランジスタ７５１は、第１入力端子７０１に結合されたドレインと、終端抵抗器７４３を介して接地端子７０４に結合されたソースと、制御器７９１のバイアス電圧出力に結合されたゲートとを有する。制御器７９１は、バイアス電圧出力を介してバイアス電圧を選択的に与える。ベースモジュール７３０は、第２入力端子７０２及び接地端子７０４間に結合された第６トランジスタ７５２を含む。第６トランジスタ７５２は、第２入力端子７０２に結合されたドレインと、終端抵抗器７４３を介して接地端子７０４に結合されたソースと、制御器７９１のバイアス電圧出力に結合されたゲートとを有する。
ベースモジュール７３０は、ＲＦ出力端子７０７に結合されたアンテナ７１４を介して送信されるＲＦ入力信号を受信するＲＦ入力端子７０６を有する。ベースモジュール７３０は、ＲＦ入力信号を増幅する電力増幅器７８１を含む。増幅されたＲＦ入力信号（ＲＦ出力信号と称する）は、ＲＦ出力端子７０７を介して出力され、アンテナ７１４を介して送信される。
ベースモジュール７３０は、電力増幅器７８１及びＲＦ出力端子７０７間に結合された方向性結合器７８２を含む。方向性結合器７８２は、アンテナ７１４を介して送信された信号（送信信号と称する）の測定値と、アンテナ７１４から反射された信号（反射信号と称する）の測定値とを与える。これら双方の測定値は、ベースモジュール７３０の結合器端子７０３を介して当該測定値の一方を出力するべく制御器７９１によって制御されるＴ／Ｒスイッチへと与えられる。
Ｔ／Ｒスイッチは、方向性結合器７８２の第１出力に結合されたドレインと、結合器端子７０３に結合されたソースとを有する第１逆方向トランジスタ７６１を含む。Ｔ／Ｒスイッチは、方向性結合器７８２の第２出力に結合されたドレインと、抵抗器７４４を介して接地端子７０４に結合されたソースとを有する第２逆方向トランジスタ７６２を含む。
Ｔ／Ｒスイッチは、方向性結合器７８２の第１出力に結合されたドレインと、抵抗器７４４を介して接地端子７０４に結合されたソースとを有する第１順方向トランジスタ７６３を含む。Ｔ／Ｒスイッチは、方向性結合器７８２の第２出力に結合されたドレインと、結合器端子７０３に結合されたソースとを有する第２順方向トランジスタ７６４を含む。
ベースモジュール７３０が（例えば電力端子７０４へと供給される電圧により）電力供給を受けかつ第１逆方向トランジスタ７６１、第２逆方向トランジスタ７６２、第５トランジスタ７５１及び第６トランジスタ７５２が（例えば制御器７９１により）バイアスを受けると、反射信号の測定値が結合器端子７０３を介して出力される。ベースモジュール７３０が電力供給を受けかつ第１順方向トランジスタ７６３、第２順方向トランジスタ７６４、第５トランジスタ７５１及び第６トランジスタ７５２がバイアスを受けると、送信信号の測定値が出力端子を介して出力される。
第５トランジスタ７５１及び第６トランジスタ７５２は、制御器７９１から発生するバイアス電圧（Ｖｂ）によるバイアスを受けることができる。第１逆方向トランジスタ７６１及び第２逆方向トランジスタ７６２は、制御器７９１から発生する逆方向電圧（Ｖｒ）によるバイアスを受けることができる。第１順方向トランジスタ７６３及び第２順方向トランジスタ７６４は、制御器７９１から発生する順方向電圧（Ｖｆ）によるバイアスを受けることができる。バイアス電圧（Ｖｂ）、逆方向電圧（Ｖｒ）及び順方向電圧（Ｖｆ）は、電力端子７０５を介して受信された電池電圧（Ｖｂａｔｔ）又は供給電圧（Ｖｃｃ）から発生し得る。それを目的として、制御器７９１は、電池電圧をバイアス電圧、逆方向電圧及び／又は順方向電圧へと変換する電力変換器を含み得る。
ベースモジュール７３０に電力供給がなく、例えば電力端子７０５に電力が供給されず、かつ、信号第１入力端子７０１（又は第２入力端子７０２）が受信する信号が正のＤＣ電圧を含む場合、当該正のＤＣ電圧は、第１抵抗器７４１（又は第２抵抗器７４２）を流れて第１トランジスタ７２１（又は第２トランジスタ７２２）にバイアスを与え、ＲＦ成分が結合器端子７０３へと流れることを許容する。第１入力端子７０１（又は第２入力端子７０２）が受信した信号は、以下に述べるように、随伴モジュール７１０、７２０の送信信号又は反射信号を含み得る。
随伴モジュール７１０、７２０はそれぞれ、ＲＦ出力端子８０７、９０７に結合されたアンテナ８１４、９１４を介して送信されるＲＦ入力信号を受信するＲＦ入力端子８０６、９０６を有する。随伴モジュール７１０、７２０はそれぞれ、ＲＦ入力信号を増幅する電力増幅器８８１、９８１を含む。増幅されたＲＦ入力信号（ＲＦ出力信号と称する）は、ＲＦ出力端子８０７、９０７を介して出力され、アンテナ８１４、９１４を介して送信される。
随伴モジュール７１０、７２０はそれぞれ、電力増幅器８８１、９８１とＲＦ出力端子８０７、９０１との間に方向性結合器８８２、９８２も含む。方向性結合器８８２、９８２は、アンテナ８１４、９１４を介して送信された信号（送信信号と称する）の測定値と、アンテナ８１４、９１４から反射された信号（反射信号と称する）の測定値とを与える。これら双方の測定値は、随伴モジュール７１０、７２０の結合器端子８０３、９０３を介して当該測定値の一方を出力するべく制御器８９１、９９１によって制御されるＴ／Ｒスイッチへと与えられる。
Ｔ／Ｒスイッチは、方向性結合器８８２、９８２の第１出力に結合されたドレインと、（キャパシタ８４４、９４４を介して）結合器端子８０３、９０３に結合されたソースとを有する第１逆方向トランジスタ８６１、９６１を含む。Ｔ／Ｒスイッチは、方向性結合器８８２、９８２の第２出力に結合されたドレインと、抵抗器８４３、９４３を介して（接地電位に結合される）接地端子８０４、９０４に結合されたソースとを有する第２逆方向トランジスタ８６２、９６２を含む。
Ｔ／Ｒスイッチは、方向性結合器８８２、９８２の第１出力に結合されたドレインと、抵抗器８４３、９４３を介して接地端子８０４、９０４に結合されたソースとを有する第１順方向トランジスタ８６３、９６３を含む。Ｔ／Ｒスイッチは、方向性結合器８８２、９８２の第２出力に結合されたドレインと、（キャパシタ８３１、９３１を介して）結合器端子８０３、９０３に結合されたソースとを有する第２順方向トランジスタ８６４、９６４を含む。
随伴モジュール７１０、７２０はそれぞれ、制御器８９１、９９１のバイアス電圧出力と結合器端子８０３、９０３とを結合する抵抗器９４４を含む。キャパシタ８３１、９３１及び抵抗器８４４、９４４は、ＲＦ結合器測定信号をＤＣバイアス電圧と組み合わせて結合器端子８０３、９０３を介して出力するＲＣコンバイナを形成する。
随伴モジュール７１０、７２０の一方が（例えば電力端子８０５、９０５に供給される電圧により）電力供給を受け、かつ、第１逆方向トランジスタ８６１、９６１及び第２逆方向トランジスタ８６２、９６２が（例えば制御器８９１、９９１により）バイアスを受ける場合、反射信号の測定値が（ＤＣバイアス電圧とともに）結合器端子８０３、９０３を介して出力される。随伴モジュール７１０、７２０の一方が電力供給を受け、かつ、第１順方向トランジスタ８６３、９６３及び第２順方向トランジスタ８６４、９６４がバイアスを受ける場合、送信信号の測定値が（ＤＣバイアス電圧とともに）結合器端子８０３、９０３を介して出力される。
第１逆方向トランジスタ７６１及び第２逆方向トランジスタ７６２は、制御器７９１から発生する逆方向電圧（Ｖｒ）によるバイアスを受けることができる。第１順方向トランジスタ７６３及び第２順方向トランジスタ７６４は、制御器７９１から発生する順方向電圧（Ｖｆ）によるバイアスを受けることができる。バイアス電圧（Ｖｂ）、逆方向電圧（Ｖｒ）及び順方向電圧（Ｖｆ）は、電力端子８０５、９０５を介して受信された電池電圧（Ｖｂａｔｔ）又は供給電圧（Ｖｃｃ）から発生し得る。それを目的として、制御器８９１、９９１は電力変換器を含み得る。
第１随伴モジュール７１０の結合器端子８０３は、伝送線を介してベースモジュールの第１入力端子７０１に結合される。第２随伴モジュール７２０の結合器端子９０３は、伝送線を介してベースモジュール７１０の第２入力端子７０２に結合される。ベースモジュールの結合器端子７０３は、上述の処理（例えば電力管理及びアンテナチューニング）を目的としてベース帯域システムに結合することができる。
すなわち、無線通信構成７００により、第１随伴モジュール７１０に電力を供給するが第２随伴モジュール７２０、ベースモジュール７１０又は別個のスイッチングモジュールには電力を供給することなく、第１随伴モジュール７１０の送信信号及び反射信号の測定値を、ベースモジュール７１０の結合器端子７０３から出力することができる。同様に、無線通信構成７００により、第２随伴モジュール７２０に電力を供給するが第１随伴モジュール７２０、ベースモジュール７１０又は別個のスイッチングモジュールには電力を供給することなく、第２随伴モジュール７２０の送信信号及び反射信号の測定値を、ベースモジュール７１０の結合器端子７０３から出力することができる。ベースモジュール７１０の送信信号及び反射信号の測定値は、随伴モジュール７１０、７２０又は別個のスイッチングモジュールに電力供給することなく、ベースモジュール７１０の結合器端子７０３から出力することができる。
図８は、いくつかの実施形態において、無線通信システム（例えば図１〜７に示したもの）のいくつか又はすべてを一モジュールに完全に又は部分的に実装することができる。かかるモジュールは、例えば、フロントエンドモジュール（ＦＥＭ）とすることができる。図８の例において、モジュール１０００はパッケージング基板１００２を含み、一定数のコンポーネントは、かかるパッケージング基板に搭載可能である。例えば、ＦＥ−ＰＭＩＣコンポーネント１００４、電力増幅器アセンブリ１００６、整合コンポーネント１００８及びデュプレクサアセンブリ１０１０を、パッケージング基板１００２上に及び／又はパッケージング基板１００２内に搭載及び／又は実装可能である。電力増幅器アセンブリ１００６は、図１〜７を参照して記載されたもののようなスイッチングモジュール１００７を含み得る。一定数のＳＭＴデバイス１０１４及びアンテナスイッチモジュール（ＡＳＭ）１０１２のような他のコンポーネントもまた、パッケージング基板１００２に搭載することができる。様々なコンポーネントのすべてがパッケージング基板１００２上にレイアウトされるように描かれるにもかかわらず、何らかのコンポーネント（複数可）が、他のコンポーネント（複数可）の上又は下に実装できることが理解される。
いくつかの実装において、ここに記載される一以上の特徴を有するデバイス及び／又は回路は、無線デバイスのようなＲＦデバイスに含めることができる。かかるデバイス及び／又は回路は、直接的に、ここに記載されるモジュラー形態で、又はこれらの何らかの組み合わせで無線デバイスに実装することができる。いくつかの実施形態において、かかる無線デバイスは、例えば、セルラー電話、スマートフォン、電話機能あり又はなしのハンドヘルド無線デバイス、無線タブレット等を含み得る。
図９は、ここに記載される一以上の有利な特徴を有する代表的な無線デバイス１１００を描く。ここに記載される一以上の特徴を有するモジュールの文脈において、かかるモジュールは一般に、破線枠１０００によって描くことができ、例えばフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）として実装することができる。
図９を参照すると、電力増幅器（ＰＡ）１１２０は、増幅及び送信対象のＲＦ信号を発生させるべくかつ受信信号を処理するべく周知の態様で構成かつ動作し得る送受信器１１１０からそれぞれのＲＦ信号を受信することができる。送受信器１１１０は、ユーザに適したデータ及び／又は音声信号と送受信器１１１０に適したＲＦ信号との間の変換を与えるべく構成されたベース帯域サブシステム１１０８と相互作用をするように示される。送受信器１１１０はまた、無線デバイス１１００の動作のために電力を管理するべく構成された電力管理コンポーネント１１０６と通信することもできる。かかる電力管理はまた、ベース帯域サブシステム１１０８及びモジュール１０００の動作を制御することもできる。
ベース帯域サブシステム１１０８は、ユーザに与えられ及びユーザから受けた音声及び／又はデータの様々な入出力を容易にするべく、ユーザインタフェイス１１０２に接続されるように示される。ベース帯域サブシステム１１０８はまた、無線デバイスの動作を容易にし及び／又はユーザのための情報記憶を与えるデータ及び／又は命令を記憶するべく構成されたメモリ１１０４に接続することもできる。
代表的な無線デバイス１１００において、ＰＡ１１２０の出力は、（整合回路１１２２それぞれを介して）それぞれのデュプレクサ１１２４に整合かつ引き回されるように示される。かかる増幅されかつフィルタリングされた信号は、送信を目的としてアンテナスイッチ１１１４を介してアンテナ１１１６へと引き回すことができる。いくつかの実施形態において、デュプレクサ１１２４により、共通アンテナ（例えば１１１６）を使用して送受信動作を同時に行うことができる。図９において、受信信号は、例えば低雑音増幅器（ＬＮＡ）を含み得る「Ｒｘ」経路（図示せず）へと引き回されるように示される。
一定数の他の無線デバイス構成も、ここに記載される一以上の特徴を利用することができる。例えば、無線デバイスは、多重帯域デバイスである必要はない。他例において、無線デバイスは、ダイバーシティアンテナのような付加アンテナ、並びにＷｉ−Ｆｉ（登録商標）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）及びＧＰＳのような付加的な接続機能を含み得る。
ここに記載されるように、本開示の一以上の特徴は、図９の無線デバイスを含むもののようなシステムに実装される場合に一定数の利点を与えることができる。例えば、開示の実施形態は、複数モジュール間のスイッチ制御を、最小限の入力／出力（Ｉ／Ｏ）によって達成することができる。他例として、ＲＦ及びＤＣ制御は同じ導体上に担持することができる。他例として、多重化スイッチを制御するのに、付加的なソフトウェア指令又は個別的なＩ／Ｏを必要としない。
本明細書及び特許請求の範囲全体にわたり、文脈上そうでないことが明らかでない限り、「含む」等の用語は、排他的又は網羅的な意味とは反対の包括的意味に、すなわち「〜を含むがこれらに限られない」との意味に解釈すべきである。ここで一般に使用される用語「結合」は、直接接続されるか又は一以上の中間要素を介して接続されるかのいずれかとなり得る２以上の要素を言及する。加えて、用語「ここ」、「上」、「下」及び同様の趣旨の用語は、本願において使用される場合、本願全体を言及し、本願の任意の特定部分を言及するわけではない。文脈が許容する場合、単数又は複数を使用する上述の詳細な説明における用語はそれぞれ、複数又は単数をも含み得る。２以上の項目のリストを参照する用語「又は」及び「若しくは」について、当該用語は以下の解釈のすべてをカバーする。すなわち、当該リストの任意の項目、当該リストのすべての項目、及び当該リストの項目の任意の組み合わせである。
本発明の実施形態の上記詳細な説明は、排他的であることすなわち本発明を上記開示の正確な形態に制限することを意図しない。本発明の及びその例の特定の実施形態が例示を目的として上述されたが、当業者が認識するように、本発明の範囲において様々な均等の修正も可能である。例えば、プロセス又はブロックが所与の順序で提示されるが、代替実施形態は、異なる順序でステップを有するルーチンを行うこと又はブロックを有するシステムを用いることができ、いくつかのプロセス又はブロックは削除、移動、追加、細分化、結合、及び／又は修正することができる。これらのプロセス又はブロックはそれぞれが、様々な異なる態様で実装することができる。また、プロセス又はブロックが直列的に行われるように示されることがあるが、これらのプロセス又はブロックは、その代わりに、並列して行い又は異なる時に行うこともできる。
ここに与えられた本発明の教示は、必ずしも上述のシステムに限られることがなく、他のシステムにも適用することができる。上述の様々な実施形態要素及び行為は、さらなる実施形態を与えるべく組み合わせることができる。
本発明のいくつかの実施形態が記載されたが、これらの実施形態は、例のみとして提示されており、本開示の範囲を制限することを意図しない。実際、ここに記載される新規な方法及びシステムは、様々な他の形態で具体化することができる。さらに、ここに記載される方法及びシステムの形態における様々な省略、置換及び変更が、本開示の要旨から逸脱することなくなし得る。添付の特許請求の範囲及びその均等物が、本開示の範囲及び要旨に収まるかかる形態又は修正をカバーすることが意図される。

Claims (19)

  1. スイッチングモジュールであって、
    第１入力端子と、
    第２入力端子と、
    前記第１入力端子又は前記第２入力端子が受信した入力信号の無線周波数成分を、前記入力信号が正の直流電圧を含むことに応答して出力するべく構成された出力端子と、
    第１キャパシタを介して前記第１入力端子に結合されたドレインと、第１抵抗器を介して前記第１入力端子に結合されたゲートと、前記出力端子に結合されたソースとを有する第１トランジスタと、
    第２キャパシタを介して前記第２入力端子に結合されたドレインと、第２抵抗器を介して前記第２入力端子に結合されたゲートと、前記出力端子に結合されたソースとを有する第２トランジスタと、
    前記第１入力端子に結合されたドレインと、前記第２抵抗器を介して前記第２入力端子に結合されたゲートと、前記スイッチングモジュールの接地端子に結合されたソースとを有する第３トランジスタと、
    前記第２入力端子に結合されたドレインと、前記第１抵抗器を介して前記第１入力端子に結合されたゲートと、前記接地端子に結合されたソースとを有する第４トランジスタと
    を含むスイッチングモジュール。
  2. スイッチングモジュールであって、
    第１入力端子と、
    第２入力端子と、
    前記第１入力端子又は前記第２入力端子が受信した入力信号の無線周波数成分を、前記入力信号が正の直流電圧を含むことに応答して出力するべく構成された出力端子と、
    第１キャパシタを介して前記第１入力端子に結合されたドレインと、第１抵抗器を介して前記第１入力端子に結合されたゲートと、前記出力端子に結合されたソースとを有する第１トランジスタと、
    第２キャパシタを介して前記第２入力端子に結合されたドレインと、第２抵抗器を介して前記第２入力端子に結合されたゲートと、前記出力端子に結合されたソースとを有する第２トランジスタと、
    前記第１トランジスタのゲートと前記スイッチングモジュールの接地端子との間に設けられた第３キャパシタと、
    前記第２トランジスタのゲートと前記接地端子との間に設けられた第４キャパシタと
    を含むスイッチングモジュール。
  3. 前記第１入力端子に結合されたドレインと、バイアス電圧出力に結合されたゲートと、前記接地端子に結合されたソースとを有する第５トランジスタと、
    前記第２入力端子に結合されたドレインと、前記バイアス電圧出力に結合されたゲートと、前記接地端子に結合されたソースとを有する第６トランジスタと
    をさらに含む請求項１のスイッチングモジュール。
  4. 前記出力端子に結合された出力を有する回路をさらに含む請求項３のスイッチングモジュール。
  5. 前記回路は、前記バイアス電圧出力を介してバイアス電圧を前記第５トランジスタのゲート及び前記第６トランジスタのゲートに与えるべく構成された制御器を含む請求項４のスイッチングモジュール。
  6. 前記制御器は、電池電圧を前記バイアス電圧へと変換する電力変換器を含む請求項５のスイッチングモジュール。
  7. 前記回路は、前記出力端子に結合された第１出力を有する方向性結合器を含む請求項４のスイッチングモジュール。
  8. 前記回路は、前記方向性結合器の入力に結合された電力増幅器を含む請求項７のスイッチングモジュール。
  9. 前記回路は、前記方向性結合器の第１出力と前記出力端子との間に設けられ、かつ、前記方向性結合器の第２出力と前記出力端子との間に設けられた送信／反射スイッチを含む請求項７のスイッチングモジュール。
  10. 前記第１入力端子又は前記第２入力端子が受信した第１入力信号が、前記第１入力端子又は前記第２入力端子の他方が受信した第２入力信号が正の直流電圧を含むことに応答して、接地された終端抵抗器を介して終端される請求項１又は２のスイッチングモジュール。
  11. 第３入力端子をさらに含み、
    前記出力端子は、前記第３入力端子が受信した入力信号の無線周波数成分を、前記入力信号が正の直流電圧を含むことに応答して出力するべく構成される請求項１又は２のスイッチングモジュール。
  12. 無線デバイスであって、
    第１無線周波数信号を発生させるべく構成された送受信器と、
    前記送受信器と通信する第１フロントエンドモジュールと、
    前記第１フロントエンドモジュールと通信する第１アンテナと
    を含み、
    前記第１フロントエンドモジュールは、複数のコンポーネントを受容するべく構成された第１パッケージング基板を含み、
    前記第１フロントエンドモジュールはさらに、前記第１パッケージング基板に実装された第１送信モジュール及びスイッチングモジュールを含み、
    前記第１送信モジュールは、前記第１無線周波数信号を増幅するべく構成され、
    前記スイッチングモジュールは、
    第１入力端子と、
    第２入力端子と、
    前記第１入力端子又は前記第２入力端子が受信した入力信号の無線周波数成分を、前記入力信号が正の直流電圧を含むことに応答して出力するべく構成された出力端子と、
    第１キャパシタを介して前記第１入力端子に結合されたドレインと、第１抵抗器を介して前記第１入力端子に結合されたゲートと、前記出力端子に結合されたソースとを有する第１トランジスタと、
    第２キャパシタを介して前記第２入力端子に結合されたドレインと、第２抵抗器を介して前記第２入力端子に結合されたゲートと、前記出力端子に結合されたソースとを有する第２トランジスタと、
    前記第１入力端子に結合されたドレインと、前記第２抵抗器を介して前記第２入力端子に結合されたゲートと、前記スイッチングモジュールの接地端子に結合されたソースとを有する第３トランジスタと、
    前記第２入力端子に結合されたドレインと、前記第１抵抗器を介して前記第１入力端子に結合されたゲートと、前記接地端子に結合されたソースとを有する第４トランジスタと
    を含み、
    前記第１アンテナは、前記増幅された第１無線周波数信号を送信するべく構成される無線デバイス。
  13. 無線デバイスであって、
    第１無線周波数信号を発生させるべく構成された送受信器と、
    前記送受信器と通信する第１フロントエンドモジュールと、
    前記第１フロントエンドモジュールと通信する第１アンテナと
    を含み、
    前記第１フロントエンドモジュールは、複数のコンポーネントを受容するべく構成された第１パッケージング基板を含み、
    前記第１フロントエンドモジュールはさらに、前記第１パッケージング基板に実装された第１送信モジュール及びスイッチングモジュールを含み、
    前記第１送信モジュールは、前記第１無線周波数信号を増幅するべく構成され、
    前記スイッチングモジュールは、
    第１入力端子と、
    第２入力端子と、
    前記第１入力端子又は前記第２入力端子が受信した入力信号の無線周波数成分を、前記入力信号が正の直流電圧を含むことに応答して出力するべく構成された出力端子と、
    第１キャパシタを介して前記第１入力端子に結合されたドレインと、第１抵抗器を介して前記第１入力端子に結合されたゲートと、前記出力端子に結合されたソースとを有する第１トランジスタと、
    第２キャパシタを介して前記第２入力端子に結合されたドレインと、第２抵抗器を介して前記第２入力端子に結合されたゲートと、前記出力端子に結合されたソースとを有する第２トランジスタと、
    前記第１トランジスタのゲートと前記スイッチングモジュールの接地端子との間に設けられた第３キャパシタと、
    前記第２トランジスタのゲートと前記接地端子との間に設けられた第４キャパシタと
    を含み、
    前記第１アンテナは、前記増幅された第１無線周波数信号を送信するべく構成される無線デバイス。
  14. 前記第１送信モジュールはさらに、前記出力端子に結合された出力を有する方向性結合器を含む請求項１２又は１３の無線デバイス。
  15. 前記第１送信モジュールは、
    無線周波数入力端子と無線周波数出力端子との間に設けられた方向性結合器と、
    直流電圧を発生させるべく構成された直流コンポーネントと、
    前記直流電圧と前記方向性結合器の無線周波数出力との組み合わせを出力するべく構成された結合器端子と
    を含む請求項１２又は１３の無線デバイス。
  16. 前記第１送信モジュールは、前記方向性結合器の第１無線周波数出力と前記結合器端子との間に設けられ、かつ、前記方向性結合器の第２無線周波数出力と前記出力端子との間に設けられた送信／反射スイッチをさらに含む請求項１５の無線デバイス。
  17. 前記直流コンポーネントは、前記送信／反射スイッチを制御するべく構成された制御器に実装される請求項１６の無線デバイス。
  18. 前記直流コンポーネントは、前記直流電圧を受信電池電圧から発生させるべく構成された電力変換器を含む請求項１５の無線デバイス。
  19. 前記送受信器と通信する第２フロントエンドモジュールをさらに含み、
    前記第２フロントエンドモジュールは、複数のコンポーネントを受容するべく構成された第２パッケージング基板を含み、
    前記第２フロントエンドモジュールはさらに、前記送受信器から受信した第２無線周波数信号を増幅するべく構成された第２送信システムを含み、
    前記無線デバイスはさらに、前記第２フロントエンドモジュールと通信する第２アンテナを含み、
    前記第２アンテナは、増幅された前記第２無線周波数信号を送信するべく構成され、
    前記第２フロントエンドモジュールは、直流電圧と、前記第２アンテナに結合された方向性結合器の無線周波数出力との組み合わせを出力するべく構成された結合器端子を有し、
    前記結合器端子は前記第１入力端子に結合される請求項１２又は１３の無線デバイス。
JP2016025664A 2015-02-15 2016-02-15 スイッチングモジュールと無線デバイス Active JP6276302B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562116498P 2015-02-15 2015-02-15
US62/116,498 2015-02-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016165102A JP2016165102A (ja) 2016-09-08
JP6276302B2 true JP6276302B2 (ja) 2018-02-07

Family

ID=56552115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016025664A Active JP6276302B2 (ja) 2015-02-15 2016-02-15 スイッチングモジュールと無線デバイス

Country Status (6)

Country Link
US (4) US10749487B2 (ja)
JP (1) JP6276302B2 (ja)
KR (1) KR101774143B1 (ja)
CN (1) CN105897234B (ja)
DE (1) DE102016202241B4 (ja)
TW (2) TWI720309B (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6451605B2 (ja) * 2015-11-18 2019-01-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US20180083658A1 (en) * 2016-09-22 2018-03-22 Qualcomm Incorporated Multiplexing an rf signal with a control signal and/or a feedback signal
US10147994B2 (en) * 2016-09-23 2018-12-04 Skyworks Solutions, Inc. Coupler circuit
CN109997311B (zh) * 2016-11-30 2021-10-01 株式会社村田制作所 布线基板、耦合器模块以及通信装置
CN107947775A (zh) * 2017-12-13 2018-04-20 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种改善关断电容的射频开关电路
US11038491B2 (en) * 2019-09-03 2021-06-15 Artilux, Inc. Power switching apparatus
JP7393254B2 (ja) * 2020-03-03 2023-12-06 セイコーグループ株式会社 電子回路、モジュール及びシステム

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0434595Y2 (ja) * 1987-06-18 1992-08-18
JPS643226A (en) 1987-06-25 1989-01-09 Mazda Motor Manufacture of swirl chamber for internal combustion engine
US5350957A (en) * 1989-10-20 1994-09-27 Texas Instrument Incorporated Electronic switch controlled by plural inputs
FI92260C (fi) * 1992-12-30 1994-10-10 Nokia Telecommunications Oy Menetelmä ja järjestely vastaanotinantennin kunnon mittaamiseksi TDMA-radiojärjestelmän tukiasemalla
JP3299065B2 (ja) * 1995-01-30 2002-07-08 株式会社村田製作所 高周波複合スイッチ
KR100203568B1 (ko) 1997-03-14 1999-06-15 정용문 타워 탑 저잡음 증폭장치 및 이를 이용한 기지국 장치와 그 제어방법
JP2000114950A (ja) * 1998-10-07 2000-04-21 Murata Mfg Co Ltd Ｓｐｓｔスイッチおよびｓｐｄｔスイッチおよびそれを用いた通信機
US6442371B1 (en) * 1998-12-17 2002-08-27 Lg Information & Communications, Ltd. Polarization measuring apparatus in a mobile communication system
SE518416C2 (sv) * 1998-12-22 2002-10-08 Ericsson Telefon Ab L M Antenn-switch-modul
JP4062816B2 (ja) * 1999-05-13 2008-03-19 株式会社デンソー 送信電力制御回路
US7113744B1 (en) * 1999-10-21 2006-09-26 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver with a power amplifier
US6738601B1 (en) * 1999-10-21 2004-05-18 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver with floating MOSFET capacitors
DE19964024A1 (de) * 1999-12-30 2001-07-05 Nokia Mobile Phones Ltd Temperaturkompensierte Diodengleichrichterschaltung für einen HF-Pegelregler
JP2001217663A (ja) 2000-02-02 2001-08-10 Nec Saitama Ltd 送信回路
SE519333C2 (sv) * 2000-08-25 2003-02-18 Ericsson Telefon Ab L M Blandare innefattande brusreducerande passivt filter
US6804502B2 (en) * 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
JP3902111B2 (ja) * 2002-10-21 2007-04-04 新日本無線株式会社 スイッチ半導体集積回路
US8428181B2 (en) * 2002-12-02 2013-04-23 Research In Motion Limited Method and apparatus for optimizing transmitter power efficiency
US7263337B2 (en) * 2003-05-16 2007-08-28 Triquint Semiconductor, Inc. Circuit for boosting DC voltage
US7030515B2 (en) * 2003-05-21 2006-04-18 M/A-Com, Inc. Individually biased transistor high frequency switch
JP4050246B2 (ja) * 2003-07-01 2008-02-20 松下電器産業株式会社 減衰器およびそれを用いた携帯電話端末装置
US7468543B2 (en) * 2003-09-19 2008-12-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, communication device, and semiconductor device inspecting method
JP3860191B2 (ja) * 2005-01-05 2006-12-20 三菱電機株式会社 パルス変調回路
US8081928B2 (en) * 2005-02-03 2011-12-20 Peregrine Semiconductor Corporation Canceling harmonics in semiconductor RF switches
US7271668B2 (en) * 2005-04-14 2007-09-18 Wilinx, Inc. Mixer circuits and methods with improved spectral purity
US7359677B2 (en) * 2005-06-10 2008-04-15 Sige Semiconductor Inc. Device and methods for high isolation and interference suppression switch-filter
US7362174B2 (en) * 2005-07-29 2008-04-22 Broadcom Corporation Current-controlled CMOS (C3MOS) wideband input data amplifier for reduced differential and common-mode reflection
JP2007096609A (ja) 2005-09-28 2007-04-12 Nec Electronics Corp 半導体スイッチ回路装置
JP2008011503A (ja) * 2006-05-31 2008-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ回路、高周波スイッチ装置、及び送信モジュール装置
US7642880B2 (en) * 2007-06-29 2010-01-05 Nokia Corporation Switch arrangement
US8270912B2 (en) * 2007-12-12 2012-09-18 Broadcom Corporation Method and system for a transformer in an integrated circuit package
US7852172B2 (en) * 2008-07-18 2010-12-14 Anadigics Inc. High-power switch
CN101998452B (zh) 2009-08-25 2014-07-16 英派尔科技开发有限公司 计算天线性能
KR101706204B1 (ko) 2009-12-22 2017-02-15 한국전자통신연구원 다중 안테나 무선채널측정 시스템에서의 송수신 경로 보정 방법
US8183917B2 (en) * 2010-06-04 2012-05-22 Quantance, Inc. RF power amplifier circuit with mismatch tolerance
US8514008B2 (en) * 2010-07-28 2013-08-20 Qualcomm, Incorporated RF isolation switch circuit
US8538357B2 (en) * 2011-01-27 2013-09-17 Rf Micro Devices, Inc. Switchable VRAMP limiter
US8938026B2 (en) * 2011-03-22 2015-01-20 Intel IP Corporation System and method for tuning an antenna in a wireless communication device
US8942658B2 (en) * 2011-05-05 2015-01-27 Telcordia Technologies, Inc. Directional notch filter for simultaneous transmit and receive of wideband signals
US8792840B2 (en) * 2011-07-15 2014-07-29 Rf Micro Devices, Inc. Modified switching ripple for envelope tracking system
US8587363B2 (en) * 2012-01-20 2013-11-19 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. High frequency switching circuit reducing power consumption and method of controlling the same
US8731494B2 (en) * 2012-06-28 2014-05-20 Intel Corporation Device, system and method of detecting transmitter power
US9160328B2 (en) * 2012-07-07 2015-10-13 Skyworks Solutions, Inc. Circuits, devices, methods and applications related to silicon-on-insulator based radio-frequency switches
US8933858B2 (en) * 2012-08-09 2015-01-13 Qualcomm Incorporated Front end parallel resonant switch
KR101440000B1 (ko) * 2012-08-29 2014-09-12 한국과학기술원 다기능 ｓｐｓｔ 펄스변조 스위치 회로 및 이의 구동 방법
US9312820B2 (en) 2012-09-23 2016-04-12 Dsp Group Ltd. CMOS based TX/RX switch
US9577689B2 (en) * 2014-02-18 2017-02-21 Analog Devices, Inc. Apparatus and methods for wide bandwidth analog-to-digital conversion of quadrature receive signals

Also Published As

Publication number Publication date
US11387798B2 (en) 2022-07-12
DE102016202241B4 (de) 2024-01-18
US20240063764A1 (en) 2024-02-22
US20210075385A1 (en) 2021-03-11
DE102016202241A1 (de) 2016-08-18
US11750159B2 (en) 2023-09-05
TW201828598A (zh) 2018-08-01
CN105897234B (zh) 2019-06-21
CN105897234A (zh) 2016-08-24
TWI720309B (zh) 2021-03-01
TWI631820B (zh) 2018-08-01
KR101774143B1 (ko) 2017-09-04
KR20160100852A (ko) 2016-08-24
US20160241300A1 (en) 2016-08-18
JP2016165102A (ja) 2016-09-08
TW201637363A (zh) 2016-10-16
US20230013767A1 (en) 2023-01-19
US10749487B2 (en) 2020-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6276302B2 (ja) スイッチングモジュールと無線デバイス
US9806676B2 (en) Power amplification system with programmable load line
JP2021153388A (ja) ブースト変換器とチャージポンプとを有する電圧供給システム
US10063200B2 (en) Feedback circuit for power amplifier
CN105375946B (zh) 用于双天线应用的发送前端模块
KR102551176B1 (ko) 낮은 배터리 2g 바이어스 지원을 위한 부스트 서플라이의 사용
US20180175814A1 (en) Circuits and methods for biasing power amplifiers
US10404219B2 (en) Front-end system having switchable amplifier output stage
KR20160100794A (ko) 공유된 공통 베이스 바이어싱을 갖는 전력 증폭 시스템
JP6205395B2 (ja) 電源制御を有する電力増幅器モジュール
US9973154B2 (en) Dual output RF LNA
US11152894B2 (en) Methods for operating amplifiers and related devices
US9590569B2 (en) Systems, circuits and methods related to low power efficiency improvement in multi-mode multi-band power amplifiers

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170328

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170509

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170731

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180111

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6276302

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250