JP4048415B2 - 固体撮像装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、撮像領域部を構成する各画素毎に光電変換素子とその読み出し回路を設けたMOSセンサ型の固体撮像装置及びその駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図10は、MOSセンサ型の固体撮像装置における主要部の構成例を示す回路図である。
画素10は、撮像領域内に2次元配列で多数配置されるものであり、各画素には、光電変換素子としてのフォトダイオードPDと、その読み出し回路を構成する4つのMOSトランジスタTr1〜Tr4が設けられている。
フォトダイオードPDは、受光量に応じた信号電荷を生成するものであり、転送トランジスタ(転送ゲート手段)Tr1は、転送パルスに基づいてフォトダイオードPDの信号電荷をフローティングデフュージョン(FD)部に転送するものである。
リセットトランジスタ(リセット手段)Tr2は、リセットパルスに基づいてFD部の電圧を定期的に電源電圧Vddにリセットするものである。
増幅トランジスタ(増幅手段)Tr3は、そのゲートにFD部が接続され、このFD部の電圧変動に応じた出力信号を出力するものである。
選択トランジスタTr4は、画素行を選択する選択パルスに基づいて増幅トランジスタTr3の出力信号を垂直信号線(出力信号線)12に出力するものである。
【0003】
垂直信号線12は、画素列毎に設けられており、一方の端部は撮像領域外で定電流源としてのLoadトランジスタTr5に接続されている。また、垂直信号線12の他方の端部は、撮像領域外で各画素列毎に設けられた信号処理回路に接続されている。
この信号処理回路は、撮像領域の次段に設けられて画素信号に各種の信号処理を施すものであり、この信号処理回路には図10に示すようなCDS(Correlated Double Sampling)回路が含まれている。
このCDS回路は、CDS(Correlated Double Sampling)回路とは、時系列に2つの信号を入力し、その差に比例する信号を出力する回路である。具体的には、トランジスタTr6、Tr7、Tr8、コンデンサCs、Cr、差動アンプ14を有する。
【0004】
そして、フォトダイオードPDの信号電荷がFD部に蓄積された時点でのタイミング信号SHSによってトランジスタTr6をオンすることにより、コンデンサCsによって出力信号をホールドするとともに、FD部がリセットされた時点でのタイミング信号SHRによってトランジスタTr7をオンすることにより、コンデンサCrによって出力信号をホールドする。そして、これら2つのコンデンサCs、Crにホールドしたレベルを差動アンプ14で比較して両者の差分をとり、この差分値をトランジスタTr8を介して水平信号線16に出力する。
【0005】
図11は、このような構成の固体撮像装置における従来の動作例を示すタイミングチャートであり、図12は、図11に示す動作時における信号電荷の遷移を示すポテンシャル図である。なお、図11と図12でタイミングを示す番号は対応しているものとする。
まず、タイミング0の間、フォトダイオードPDに光電子が溜まっている。そして、タイミング1で、選択トランジスタTr4をオンすると、その画素の増幅トランジスタTr3が垂直信号線12に接続される。
すると、LoadトランジスタTr5によって決められる定電流が、Vdd(電源電圧端子)から増幅トランジスタTr3→垂直信号線12→LoadトランジスタTr5という経路で流れる。
増幅トランジスタTr3とLoadトランジスタTr5はソースフォロアを組むので、増幅トランジスタTr3のゲート電圧、すなわちFD部の電圧に対応した電圧が、垂直信号線12に現れる。これは選択トランジスタTr4をオンしている間、ずっと継続する。
【0006】
次に、タイミング2のリセットパルスで、FD部をリセットする。この直後のタイミング3におけるポテンシャルは、図12の(3)に示すようになる。図示のように、この時点でフォトダイオードPDに光電子が溜まっており、FD部はリセット直後の状態である。
なお、これ以後の説明を分かりやすくするため、このFD部の電圧がVddにほぼ等しいものとする。
タイミング3では、そのFD部の電位に対応した電圧(リセットレベル)が垂直信号線12に現れているので、SHRパルスを入力することにより、これをCDS回路のコンデンサCrにサンプルホールドする。
【0007】
次に、タイミング4のパルスで、フォトダイオードPDの光電子をFD部に転送する。この直後のタイミング5でのポテンシャルは、図12の(5)に示すようになる。図示のように、FD部の電位は、光電子の分だけマイナス側にシフトしている。
そして、このFD部の電位に対応した電圧(信号レベル)が垂直信号線12に現れているので、SHSパルスを入力することにより、これをCDS回路のコンデンサCsにサンプルホールドする。
CDS回路の差動アンプ14は、以上のようにして各コンデンサCs、Crにホールドされた信号レベルとリセットレベルの差に比例する電圧を出力する。
次に、タイミング6で、選択トランジスタTr4をオフして増幅トランジスタTr3を垂直信号線12から切り離す。
この後、H選択手段(水平スキャナ回路)からのトランジスタTr8の制御により、CDS回路の差動アンプ14の出力を水平信号線16に読み出す。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような従来技術では、以下のような問題点があった。
(1)低電圧化が困難である。すなわち、FD部が実際にはVddより低い電圧でしかリセットできないため、そのリセット電圧から信号電圧振幅をとった上でソースフォロアを安定して動作させなければならないため、リセットの電圧降下分と信号振幅分とソースフォロアの動作電圧とそれらのマージンを見込むと、周辺回路は低電圧化できるのに、画素の動作電圧が電源電圧を律則してしまい、低電圧化できないものとなる。
【0009】
(2)フォトダイオードの大容量化ができないため、ダイナミックレンジが狭い。すなわち、フォトダイオードを大容量化すると、それに対してFD部の容量も大きくしないと、フォトダイオードの光電子をFD部が受けきれず、フォトダイオードに電子が残ってしまうという問題がある。しかし、FD部の容量を大きくすることは電荷を電圧に変換する効率を下げることになり、感度を落とす要因となる。また、画素面積も大きくしてしまう。したがって、フォトダイオードの大容量化ができず、ダイナミックレンジの拡大が困難なものとなる。
【0010】
そこで本発明の目的は、ダイナミックレンジを拡大できるとともに、低電圧化を図ることが可能な固体撮像装置及びその駆動方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記目的を達成するため、半導体基板に複数の画素よりなる撮像領域部と、前記撮像領域部を制御する周辺回路部とを設けて構成され、前記撮像領域部の各画素が、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子と、前記光電変換素子によって生成された信号電荷をフローティングデフュージョン部に転送する転送ゲート手段と、前記フローティングデフュージョン部の電圧に応じた電気信号を出力信号線に出力する増幅手段と、前記フローティングデフュージョン部の電圧をリセットするリセット手段とを有して構成された固体撮像装置において、前記周辺回路部は、前記光電変換素子によって生成された信号電荷を前記転送ゲート手段によってフローティングデフュージョン部に転送した際の信号レベルと前記リセット手段によってフローティングデフュージョン部がリセットされた際の信号レベルとをそれぞれ前記転送ゲート手段がオンした状態で取り込み、その差分値に応じた信号を出力する信号処理回路を有し、前記転送ゲート手段がオンした状態で前記出力信号線に出力される電気信号を前記周辺回路部に設けられた信号処理回路で取り込み、この取り込んだ信号から撮像信号を生成することを特徴とする。
【0012】
また、本発明は、半導体基板に複数の画素よりなる撮像領域部と、前記撮像領域部を制御する周辺回路部とを設けて構成され、前記撮像領域部の各画素が、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子と、前記光電変換素子によって生成された信号電荷をフローティングデフュージョン部に転送する転送ゲート手段と、前記フローティングデフュージョン部の電圧に応じた電気信号を出力信号線に出力する増幅手段と、前記フローティングデフュージョン部の電圧をリセットするリセット手段とを有して構成された固体撮像装置の駆動方法において、前記周辺回路部は、前記光電変換素子によって生成された信号電荷を前記転送ゲート手段によってフローティングデフュージョン部に転送した際の信号レベルと前記リセット手段によってフローティングデフュージョン部がリセットされた際の信号レベルとをそれぞれ前記転送ゲート手段がオンした状態で取り込み、その差分値に応じた信号を出力する信号処理回路を有し、前記転送ゲート手段がオンした状態で前記出力信号線に出力される電気信号を前記周辺回路部に設けられた信号処理回路で取り込み、この取り込んだ信号から撮像信号を生成することを特徴とする。
【0013】
本発明の固体撮像装置及びその駆動方法では、転送ゲート手段がオンした状態で出力信号線に出力される電気信号を周辺回路部に設けられた信号処理回路で取り込み、この取り込んだ信号から撮像信号を生成するようにした。
したがって、転送ゲート手段とフローティングデフュージョン部との容量結合を使ってフローティングデフュージョン部の電圧を上げることができ、その分、画素内の低電圧化を図ることができる。
また、フローティングデフュージョン部と転送ゲート手段のチャネルと光電変換素子とを信号電荷の受け皿として使えるので、取り扱い電子数を増やすことができ、ダイナミックレンジを拡大できる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による固体撮像装置及びその駆動方法の実施の形態例について説明する。
本実施の形態例は、CMOSセンサ型固体撮像装置を低電圧で広ダイナミックレンジに駆動する方法を提供するものであり、CMOSセンサの各画素信号を読み出す際に、各画素の転送ゲート手段をオンしたまま画素信号の出力信号線の電圧を読み出すことにより、容量結合の分だけ低電圧化を実現し、かつ、取り扱い電荷量を増やすことで、飽和不足を解決し、ダイナミックレンジを拡大するようにしたものである。
【0015】
図1は、本実施の形態によるMOSセンサ型の固体撮像装置の全体構成例を示す概略平面図である。
この固体撮像装置は、半導体チップ110上に形成された撮像画素部112、V選択手段114、H選択手段116、タイミングジェネレータ(TG)118、CDS部120、定電流部122、水平信号線124、出力部126等を含んでいる。
【0016】
撮像画素部112には、上述した撮像領域を構成するものであり、多数の画素が2次元マトリクス状に配列され、各画素には、図10に示したものと同様に、フォトダイオードPD、FD部、転送トランジスタTr1、リセットトランジスタTr2、増幅トランジスタTr3、及び選択トランジスタTr4等が設けられている。なお、以下の説明では、図10に示す符号を適宜援用して説明する。
また、撮像画素部112の各画素は、V選択手段114によって垂直方向に水平ライン(画素行)単位で順次選択され、タイミングジェネレータ118からの各種パルス信号によって各画素のMOSトランジスタが制御されることにより、各画素信号が垂直信号線を通して画素列毎にCDS部120に読み出される。
【0017】
CDS部120は、撮像画素部112の画素列毎に、上述した図10に示すCDS回路を設けたものであり、撮像画素部112の各画素列から読み出された画素信号に対し、CDS処理を行い、その画素信号を水平信号線124を介して出力部126に出力する。
出力部126には、CDS回路からの画素信号に対し、自動利得変換(AGC)、アナログ/デジタル(A/D)変換、増幅等の処理を行う各回路を設けたものである。
また、H選択手段116は、CDS部120からの画素信号出力を水平方向に選択して、これを水平信号線124に出力するものである。
【0018】
また、定電流部122は、上述のような撮像画素部112に対し、各画素列毎に定電流源を供給するものである。
また、タイミングジェネレータ118は、上述した撮像画素部112の各画素以外の各部にも各種のタイミング信号を供給している。
また、出力部126は、水平信号線124から送られてきたデジタル信号を半導体チップ110の外部端子に出力するものである。
なお、このような構成自体は、基本的に従来と同様のものであり、本発明は、以下に説明する駆動方法に特徴を有するものである。
【0019】
図2は、本実施の形態例による固体撮像装置における第1の動作例(第1実施例)を示すタイミングチャートであり、図3は、図2に示す第1実施例の動作時における信号電荷の遷移を示すポテンシャル図である。なお、図2と図3でタイミングを示す番号は対応しているものとする。
本例において、図2のタイミング2〜6で選択トランジスタTr4がオンしている期間は、FD部の電位に対応する電圧が垂直信号線に出力されているのは従来例と同じである。
しかし、図2では、タイミング2のリセットパルス(第1のリセットパルス)でFD部をリセットする。また、タイミング3で転送ゲートTr1をオンした状態でCDS回路のトランジスタTr6にSHSパルスを入力し、垂直信号線12の電圧(信号レベル)をCDS回路のコンデンサCsに取り込む。ここではフォトダイオードPDの光電子がFD部に転送されてポテンシャルは図3の(3)に示す状態となっている。
【0020】
ここで従来例と異なるのは、
(1)転送ゲートTr1にHighレベルのゲート信号が入っているので、転送ゲートTr1のチャネル下も電圧の高い状態になっていることと、
(2)FD部に光電子が存在するが、転送ゲートTr1とFD部との容量結合によって、リセット電圧(ここではおよそVdd)よりも高い電圧から光電子が溜まっている、
ことである。
本例では、特に後者が重要である。これによって画素の駆動電圧が低電圧化できる。この転送ゲートTr1とFD部の容量結合分は、電源電圧2.5Vに対して、およそ0.5V程度であり、低電圧化に重要な役割を果たすことになる。
【0021】
次に、図2に戻って説明を続けると、上述したタイミング3の後で転送パルスを立ち下げた後、タイミング4でFD部を第2のリセットパルスによってリセットし、再び転送パルスを立上げ、タイミング5で、トランジスタTr7にSHRパルスを入力し、垂直信号線12の電圧(リセットレベル)をCDS回路のコンデンサCrに入力する。
この時点でのポテンシャルは、図3の(5)に示すような状態となる。
ここでは転送ゲートTr1とFD部との容量結合によって、FD部はリセット電圧(およそVdd)よりも高い電圧になっている。この分が上述のように低電圧化に寄与する。
この後、CDS回路の差動アンプ14は上記信号レベルとリセットレベルの差に比例する信号を出力し、次いで、転送ゲートTr1、選択ゲートTr4を閉じて画素の動作が終了する。
【0022】
なお、撮像画素部112において、各画素10は行列状に配列されており、この走査で1行分の画素が全て同時に駆動され、1行分の画素信号がCDS回路を配列したCDS部に同時に読み出されて、保持される。その後、光電子蓄積期間に入る。
そして、図2では省略しているが、この期間にH選択手段116を動作させて、CDS回路の出力を順番に水平信号線116に導いて出力する。
この後、V選択手段114で次の行を選択し、同様の動作を行えば、次の行の信号が読み出さる。そして、このV選択手段114で順次走査することによって、全ての行の信号を読み出すことができる。
このようにして低電圧、広ダイナミックレンジの固体撮像装置を実現することができる。
【0023】
次に、第2の動作例(第2実施例)について説明する。
この第2実施例は、フォトダイオードPDのポテンシャル井戸が深かったり、容量が大きくて光電子をFD部で受けきれない場合に対応することを目的としたものである。
図4は、この第2実施例における動作を示すタイミングチャートであり、図5は、図4に示す第2実施例の動作時における信号電荷の遷移を示すポテンシャル図である。なお、図4と図5でタイミングを示す番号は対応しているものとする。まず、選択トランジスタTr4をオンした後、リセットパルス(第1のリセットパルス)を入力してから転送ゲートTr1をオンし、タイミング3でSHSパルスにより垂直信号線12の電圧(信号レベル)をコンデンサCsに取り込むことは第1実施例と同じである。
このとき、FD部で光電子が受けきれないと、図5の(3)に示すように転送ゲートTr1のチャネルやフォトダイオードPDにまで光電子が存在する。この状態で信号を出すので、従来の転送ゲートTr1をオフしてフォトダイオードPDとFD部を分離する場合と異なり、全光電子の信号を読み出すことができる。
【0024】
図6は、フォトダイオードにおける受光光量と出力信号量との関係を示す説明図である。
図示のように、光量が小さい場合はFD部で光電子を受けきれるので、光量−出力曲線の傾きが比較的大きい。
また、光量が増えると、FD部と転送ゲートTr1のチャネルで受けるようになるので、傾きがなだらかになる。そして、光量がさらに増えると、フォトダイオードPDにも光電子が残るようになるので、さらに傾きがなだらかになる。
このように、光電子をFD部で受けきれない場合でも、暗いところは感度を高くし、明るいところは感度を落とすことにより、取り扱い光電子数を多くした出力が可能である。
次に、リセットゲートTr2もオン(活性化)すると、FD部とフォトダイオードPDが両方リセットされる。特にFD部はおよそVddの電圧にリセットされる。それからタイミング4で転送ゲートTr1をオフすると、容量結合でFD部の電圧が下がろうとするが、リセットゲートTr2がオン(活性化)しているので、FD部の電位はやはりおよそVddに保たれる。この順番が図2で示した第1実施例との相違であり、順番が逆であるとフォトダイオードPDに残った光電子がリセットされないことになる。
【0025】
それからリセットゲートTr2をオフ(不活性化)して、次に転送ゲートTr1をオンすると、タイミング5では第1実施例と同じ状態に復帰する。このときの垂直信号線12の電圧(リセットレベル)をSHRパルスによりコンデンサCrに取り込んで処理し、転送ゲートTr1と選択トランジスタTr4をオフするのは第1実施例と同様である。
これにより、フォトダイオードPDの飽和電子数が多くてFD部で受けきれない場合でも、暗いところは感度が高く、明るいところは感度が落ち、取り扱い光電子数を多くした出力が可能である。また、転送ゲートTr1とFD部の容量結合を用いた低電圧化の効果も第1実施例と同じなのは明らかである。
もちろん、フォトダイオードPDの飽和光電子数が少なく、FD部で全て受けきれる場合に、この動作を行っても何ら問題は無いものである。
【0026】
次に、第3の動作例(第3実施例)について説明する。
この第3実施例は、ダイナミックレンジをさらに拡大することが可能な駆動方法を提供するものである。
図7は、この第3実施例における動作を示すタイミングチャートである。また、この第3実施例におけるポテンシャル図は図5と共通であるので、これを援用して説明する。なお、図7と図5でタイミングを示す番号は対応しているものとする。
この第3実施例は、上記第2実施例の動作に対して、図4に示した選択トランジスタTr4のオン直後のリセットパルスが無いことが異なる。
光量が大きい場合には、タイミング0の光電子蓄積期間中にフォトダイオードPDからFD部に電子が溢れ、FD部にも光電子が溜まっているが、タイミング3では、これをリセットすることなく、フォトダイオードPDから転送された光電子が加算された状態になっている(図5参照)。
【0027】
この後の動作は第2実施例と同じである。したがって、この第3実施例では、第2実施例と同じ効果を保持したまま、取り扱い電荷量がフォトダイオードPDの飽和量ではなく、フォトダイオードPDの飽和量とFD部の飽和量の和まで増える。
ただし、この第3実施例では、タイミング0の期間にFD部に溜まっていた暗電荷(光に関係なく発生する雑音成分)を一緒に読み出してしまうことになるため、ノイズ的には不利である。
そこで、固体撮像装置の用途に応じて、低ノイズ化が可能な第2実施例の駆動方法と、ダイナミックレンジの拡大が可能な第3実施例の駆動方法を適宜選択して採用することが好ましい。
【0028】
次に、第4の動作例(第4実施例)について説明する。
この第4実施例は、ダイナミックレンジを拡大しつつ、動作時間を節約する駆動方法を提供するものである。
図8は、この第4実施例における動作を示すタイミングチャートであり、図9は、図8に示す第4実施例の動作時における信号電荷の遷移を示すポテンシャル図である。なお、図8と図9でタイミングを示す番号は対応しているものとする。
この第4実施例において、選択トランジスタTr4のオン直後のリセットパルスが無いことは、上記第3実施例と同様である。
次に、タイミング2で転送ゲートTr1をオンし、タイミング3でSHSパルスを入力して信号レベルをコンデンサCsに取り込む。そして、タイミング4でリセットし、タイミング5でSHRパルスを入力してリセットレベルをコンデンサCrに取り込む。
この場合のタイミング3とタイミング5のポテンシャルは、図9の(3)(5)に示すような状態となる。
【0029】
また、FD部をリセットするときも、転送ゲートTr1をオンしているので、タイミング5のFD部のリセット電圧は、これまでの結合容量による上昇効果は無く、この場合、およそVddになっている。
また、タイミング3ではFD部に光電子が転送されているが、上述した図5の(3)のように、その電圧から光電子が溜まる。したがって、低電圧化の効果は無い。
しかし、取り扱い電荷量がフォトダイオードPDの飽和量とFD部の飽和量の和となり、ダイナミックレンジが広がることは第3実施例と同じてあり、ダイナミックレンジを拡大する効果は得ることができる。
そして、この第4実施例では、駆動パルスが簡単であるので、動作時間を節約したい場合に有効である。
【0030】
以上、本実施の形態例における4つの実施例について説明してきたが、いずれも電子シャッタ機能を設けることが可能である。
また、画素のトランジスタをNMOSとしたが、これをPMOSとして電圧の極性を入れ替えても同様である。
また、光電変換素子はフォトダイオードでなくともよく、例えばフォトゲート等であっても良い。
また、駆動方法は、例えば上述の例でリセットパルスを1個としたところを、複数個のパルスで実行するなど、本発明の趣旨を変えない範囲で種々変形することが可能である。
【0031】
また、上述の例では、垂直信号線に画素から電圧が出力される構成としたが、出力信号線は水平方向の配線であってもよく、また、出力信号は電流信号であっても良い。
また、画素構造としては、上述のように4つのトランジスタで構成する方式のものに限らない。
また、次段の信号処理回路として、CDS回路を例としたが、例えばCDSの効果をもつA/D変換器等であっても良いし、単にリセットレベルと信号レベルを保持するだけの回路として、CDSについては、さらに後段に配置するような構成を採用することも可能である。このように本発明は種々の構成で実施することができる。
【0032】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の固体撮像装置によれば、転送ゲート手段がオンした状態で出力信号線に出力される電気信号を周辺回路部に設けられた信号処理回路で取り込み、この取り込んだ信号から撮像信号を生成することから、転送ゲート手段とフローティングデフュージョン部との容量結合を使ってフローティングデフュージョン部の電圧を上げることができ、その分、画素内の低電圧化を図ることができる。
また、フローティングデフュージョン部と転送ゲート手段のチャネルと光電変換素子とを信号電荷の受け皿として使えるので、取り扱い電子数を増やすことができ、ダイナミックレンジを拡大できる。
【0033】
また同様に、本発明の固体撮像装置の駆動方法によれば、転送ゲート手段がオンした状態で出力信号線に出力される電気信号を周辺回路部に設けられた信号処理回路で取り込み、この取り込んだ信号から撮像信号を生成することから、転送ゲート手段とフローティングデフュージョン部との容量結合を使ってフローティングデフュージョン部の電圧を上げることができ、その分、画素内の低電圧化を図ることができる。
また、フローティングデフュージョン部と転送ゲート手段のチャネルと光電変換素子とを信号電荷の受け皿として使えるので、取り扱い電子数を増やすことができ、ダイナミックレンジを拡大できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態によるMOSセンサ型の固体撮像装置の全体構成例を示す概略平面図である。
【図2】本発明の第1実施例における動作を示すタイミングチャートである。
【図3】図2に示す第1実施例の動作時における信号電荷の遷移を示すポテンシャル図である。
【図4】本発明の第2実施例における動作を示すタイミングチャートである。
【図5】図4に示す第2実施例の動作時における信号電荷の遷移を示すポテンシャル図である。
【図6】本発明の第2〜第4実施例におけるフォトダイオードの受光光量と出力信号量との関係を示す説明図である。
【図7】本発明の第3実施例における動作を示すタイミングチャートである。
【図8】本発明の第4実施例における動作を示すタイミングチャートである。
【図9】図8に示す第4実施例の動作時における信号電荷の遷移を示すポテンシャル図である。
【図10】従来のMOSセンサ型の固体撮像装置における出力要部の構成例を示す回路図である。
【図11】図10に示す固体撮像装置の動作例を示すタイミングチャートである。
【図12】図11に示す動作時における信号電荷の遷移を示すポテンシャル図である。
【符号の説明】
110……半導体チップ、112……撮像画素部、114……V選択手段、116……H選択手段、118……タイミングジェネレータ(TG)、120……CDS部、122……定電流部、124……水平信号線、126……出力部。
Claims (10)
- 半導体基板に複数の画素よりなる撮像領域部と、前記撮像領域部を制御する周辺回路部とを設けて構成され、
前記撮像領域部の各画素が、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子と、前記光電変換素子によって生成された信号電荷をフローティングデフュージョン部に転送する転送ゲート手段と、前記フローティングデフュージョン部の電圧に応じた電気信号を出力信号線に出力する増幅手段と、前記フローティングデフュージョン部の電圧をリセットするリセット手段とを有して構成された固体撮像装置において、
前記周辺回路部は、前記光電変換素子によって生成された信号電荷を前記転送ゲート手段によってフローティングデフュージョン部に転送した際の信号レベルと前記リセット手段によってフローティングデフュージョン部がリセットされた際の信号レベルとをそれぞれ前記転送ゲート手段がオンした状態で取り込み、その差分値に応じた信号を出力する信号処理回路を有し、
前記転送ゲート手段がオンした状態で前記出力信号線に出力される電気信号を前記周辺回路部に設けられた信号処理回路で取り込み、この取り込んだ信号から撮像信号を生成する、
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記リセット手段に第1のリセットパルスを入力した後、転送ゲート手段をオンし、その状態で出力信号線に出力される電気信号を前記信号処理回路に取り込んだ後に転送ゲート手段をオフし、次に、リセット手段に第2のリセットパルスを入力した後、転送ゲート手段をオンし、その状態で出力信号線に出力される電気信号を前記信号処理回路に取り込むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記リセット手段に第1のリセットパルスを入力した後、転送ゲート手段をオンし、その状態で出力信号線に出力される電気信号を前記信号処理回路に取り込んだ後にリセット手段を活性化し、転送ゲート手段をオフし、次に、リセット手段を不活性化した後、転送ゲート手段をオンし、その状態で出力信号線に出力される電気信号を前記信号処理回路に取り込むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記リセット手段を不活性化した後、転送ゲート手段をオンし、その状態で出力信号線に出力される電気信号を前記信号処理回路に取り込んだ後にリセット手段を活性化し、転送ゲート手段をオフし、次に、リセット手段を不活性化した後、転送ゲート手段をオンし、その状態で出力信号線に出力される電気信号を前記信号処理回路に取り込むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記転送ゲート手段をオンし、その状態で出力信号線に出力される電気信号を前記信号処理回路に取り込んだ後、リセット手段にリセットパルスに入力し、その状態で出力信号線に出力される電気信号を前記信号処理回路に取り込むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 半導体基板に複数の画素よりなる撮像領域部と、前記撮像領域部を制御する周辺回路部とを設けて構成され、
前記撮像領域部の各画素が、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子と、前記光電変換素子によって生成された信号電荷をフローティングデフュージョン部に転送する転送ゲート手段と、前記フローティングデフュージョン部の電圧に応じた電気信号を出力信号線に出力する増幅手段と、前記フローティングデフュージョン部の電圧をリセットするリセット手段とを有して構成された固体撮像装置の駆動方法において、
前記周辺回路部は、前記光電変換素子によって生成された信号電荷を前記転送ゲート手段によってフローティングデフュージョン部に転送した際の信号レベルと前記リセット手段によってフローティングデフュージョン部がリセットされた際の信号レベルとをそれぞれ前記転送ゲート手段がオンした状態で取り込み、その差分値に応じた信号を出力する信号処理回路を有し、
前記転送ゲート手段がオンした状態で前記出力信号線に出力される電気信号を前記周辺回路部に設けられた信号処理回路で取り込み、この取り込んだ信号から撮像信号を生成する、
ことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。 - 前記リセット手段に第1のリセットパルスを入力した後、転送ゲート手段をオンし、その状態で出力信号線に出力される電気信号を前記信号処理回路に取り込んだ後に転送ゲート手段をオフし、次に、リセット手段に第2のリセットパルスを入力した後、転送ゲート手段をオンし、その状態で出力信号線に出力される電気信号を前記信号処理回路に取り込むことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置の駆動方法。
- 前記リセット手段に第1のリセットパルスを入力した後、転送ゲート手段をオンし、その状態で出力信号線に出力される電気信号を前記信号処理回路に取り込んだ後にリセット手段を活性化し、転送ゲート手段をオフし、次に、リセット手段を不活性化した後、転送ゲート手段をオンし、その状態で出力信号線に出力される電気信号を前記信号処理回路に取り込むことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置の駆動方法。
- 前記リセット手段を不活性化した後、転送ゲート手段をオンし、その状態で出力信号線に出力される電気信号を前記信号処理回路に取り込んだ後にリセット手段を活性化し、転送ゲート手段をオフし、次に、リセット手段を不活性化した後、転送ゲート手段をオンし、その状態で出力信号線に出力される電気信号を前記信号処理回路に取り込むことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置の駆動方法。
- 前記転送ゲート手段をオンし、その状態で出力信号線に出力される電気信号を前記信号処理回路に取り込んだ後、リセット手段にリセットパルスに入力し、その状態で出力信号線に出力される電気信号を前記信号処理回路に取り込むことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置の駆動方法。
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