JP4045785B2 - 窒化物半導体レーザダイオードとその製造方法 - Google Patents
窒化物半導体レーザダイオードとその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4045785B2 JP4045785B2 JP2001356049A JP2001356049A JP4045785B2 JP 4045785 B2 JP4045785 B2 JP 4045785B2 JP 2001356049 A JP2001356049 A JP 2001356049A JP 2001356049 A JP2001356049 A JP 2001356049A JP 4045785 B2 JP4045785 B2 JP 4045785B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- layer
- laser diode
- ridge
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化物半導体レーザダイオード、及びその製造方法に関し、特に、埋め込み層を有するリッジ形状の窒化物半導体レーザダイオードに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体発光素子である窒化物半導体レーザダイオードは、大容量の情報を記憶するDVD等のメディアや通信用の光源、又は印刷機器等への利用が期待されている。またガリウムを含有する窒化物半導体は発光波長が400nm帯の短波長領域であるため、紫外から緑色までの発光光源とすることができる。そのため、ガリウムを含有する窒化物半導体レーザダイオードとして用いた場合、従来の赤色レーザダイオードに比べて数倍の大容量メディアの再生装置、又は記憶装置として使用可能となる。さらに電界効果トランジスタ(FET)のような電子デバイスへの応用も期待されている。
【0003】
このような窒化物半導体レーザダイオードには、光導波路を形成し横方向の光閉じ込めを実現するために窒化物半導体にエッチングをすることによりリッジを備えたものがある。この窒化物半導体レーザダイオードではリッジを形成した後にリッジの両側に絶縁性の埋め込み層を形成し、リッジを構成する窒化物半導体と埋め込み層との屈折率の違いにより、横方向に光を閉じ込めている。また、縦方向の光閉じ込めは、活性層をその活性層より屈折率の低いp及びn側の領域により挟むことにより実現している。このようなレーザダイオードは実効屈折率型レーザダイオードと呼ばれている。尚、本明細書において、光を閉じ込める領域をコア領域という。また、この窒化物半導体レーザダイオードにおいては、リッジ両側の埋め込み層を絶縁体とすることで電流狭窄されている。このように構成された実効屈折率型レーザダイオードは、水平横モードがシングルでかつキンクの発生しないレーザダイオードの実現が期待できる。尚、キンクとは、電流−出力特性において電流の増加に対して出力が減少する部分のことをいう(図2において60の符号を付して示す部分)。
【0004】
従来、埋め込み層としては、例えば、SiO2やZrO2が報告されている。ZrO2からなる埋め込み層を有する窒化物半導体レーザダイオードにおいては、出力が5mW程度ではキンクが発生せず、かつ寿命特性が連続発振1万時間以上を達成した良好な窒化物半導体レーザダイオードを可能としている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ZrO2やSiO2の屈折率は窒化物半導体の屈折率に比べて低いためにコア領域と埋め込み層との屈折率差は大きくなるという問題があった。すなわち、光導波路として機能するコア領域を形成するためには、コア領域とコア領域以外との間にはある屈折率差を設ける必要はあるが、ZrO2やSiO2の屈折率は2.0〜2.1であり、コア領域との屈折率差が大き過ぎるという問題があった。このようにコア領域と埋め込み層との屈折率差が大き過ぎると水平横方向の光の閉じ込めが強くなるすぎることから、光の閉じ込めが不安定となり、光のシングルスポットが揺らぐことが原因となってキンクが発生してしまう。
また、SiO2やZrO2は熱伝導率が小さいため、コア領域内で発生した熱を効率よく外部に逃がすことができないという問題点もあった。つまり、熱伝導率が小さいと活性層を含むコア領域で生じた熱を効果的に放熱することが困難であり、出力が30mW以上の高出力時においてはキンクの発生の原因となり、また長時間の連続発振が望めないといった寿命特性上の問題も発生する。
【0006】
このキンクは、レーザ素子への注入電流を増し、光出力を増加させていくと、レーザ素子の電流−光出力特性において、発振開始後線形領域に続いて、水平横方向の光閉じ込めが不安定化することにより発生するものである。このキンクが発生すると窒化物半導体レーザダイオードからのレーザ光の出射点が移動するため、DVD、MO等の記憶媒体として使用する場合にカップリング効率が変化してしまう。そのため、レーザ光のビームが絞れないために正確にデータを読み取るのができなくなる問題が発生する。
【0007】
また、その他の埋め込み層として報告されているTi、V、Zr、Nb、Hf、Ta等の酸化物やSi、B、Al等の酸化物、又は窒化物についても前記ZrO2と同様の問題が発生するため、高出力時におけるキンクの発生、及び寿命特性における課題を解決するには至らない。
【0008】
そこで、本発明の目的は、高出力時においてもキンクの発生を防止でき、寿命特性の良好な窒化物半導体レーザダイオードを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の窒化物半導体レーザダイオードは、上記目的を達成するために、リッジを有し、そのリッジ両側に埋め込み層が形成された窒化物半導体レーザダイオードにおいて、前記埋め込み層は炭素の2重結合と3重結合とを含有する多結晶体からなるダイヤモンドライクカーボンからなることを特徴とする。
以上のように構成された本発明の窒化物半導体レーザダイオードにおいて、埋め込み層として用いたダイヤモンドライクカーボンは、その成膜条件により炭素の2重結合と3重結合との割合を変えることが可能で、これにより埋め込み層の屈折率を変更(例えば、2.0〜2.4の範囲)できる。
従って、本発明に係る窒化物半導体レーザダイオードは、埋め込み層の屈折率と窒化物半導体の屈折率との差を小さく設定することができ、高出力時にキンクの発生を防止することが可能になる。
【0010】
本発明の窒化物半導体レーザダイオードは、基板上にn側窒化物半導体層、活性層、p側窒化物半導体層とを形成したものであり、このp側窒化物半導体層は活性層上にp側キャップ層、p側ガイド層、p側クラッド層、p側コンタクト層とを有するものである場合、前記リッジは、そのリッジの両側をp側ガイド層までエッチングすることにより形成することができる。
すなわち、本発明に係る窒化物半導体レーザダイオードでは、前記リッジをそのリッジの両側にp側ガイド層が露出する程度まで深くエッチングすることにより形成してもキンクを防止することができる。
【0011】
本発明の窒化物半導体レーザダイオードにおいては、より効果的に高出力時におけるキンクの発生を防止し寿命の長い窒化物半導体レーザダイオードを提供するために、埋め込み層の屈折率は2.15以上2.3以下に設定することが好ましい。
すなわち、一般式(InxAlyGa1−x−yN(0≦X<1、0≦Y<1、0≦X+Y<1))で表される窒化物半導体の組成を変更した場合、エッチングにより形成したリッジ深さ、リッジ幅を変更した場合であっても、それに対応させて、埋め込み層の屈折率を上記に示す2.15から2.3の範囲内で変化させることで埋め込み層と窒化物半導体との屈折率差を小さくすることができる。
以上のように、埋め込み層と窒化物半導体との屈折率差を小さくすることにより、安定した光閉じ込めができるため、本発明の目的を満たすことができる。
また、ダイヤモンドライクカーボンはSiO2やZrO2に比べて熱伝導率が高く、放熱性に優れているので、高出力時の連続発振に用いる埋め込み層としては好ましい。
さらに、ダイヤモンドライクカーボンは窒化物半導体とのマッチングもよく、後のデバイス工程においても埋め込み層であるダイヤモンドライクカーボンは剥がれにくいため、歩留まりも向上させることができる。
【0012】
また、本発明に係る請求項4に記載された窒化物半導体レーザダイオードの製造方法は、リッジを有し、そのリッジの両側に埋め込み層が形成された窒化物半導体レーザダイオードの製造方法において、
前記リッジを形成した後に、前記リッジ及びその両側表面に炭素の2重結合と3重結合とを含有する多結晶体からなるダイヤモンドライクカーボンを埋め込み層として成膜する工程を有することを特徴とする。
【0013】
また、本発明に係る請求項5に記載された窒化物半導体レーザダイオードの製造方法は、前記請求項4に記載された窒化物半導体レーザダイオードの製造方法において、前記リッジはストライプ形状に形成することを特徴とする。
【0014】
さらに本発明に係る請求項6に記載された窒化物半導体レーザダイオードの製造方法は、前記請求項4に記載された窒化物半導体レーザダイオードの製造方法において、前記埋め込み層を成膜した後、リッジ上部のダイヤモンドライクカーボンを除去する工程を有することを特徴とする。
【0015】
またさらに本発明に係る請求項7に記載された窒化物半導体レーザダイオードの製造方法は、基板上にn側窒化物半導体層、活性層、p側窒化物半導体層とを形成したものであり、このp側窒化物半導体層は活性層上にp側キャップ層、p側ガイド層、p側クラッド層、p側コンタクト層とを有する前記請求項4に記載された窒化物半導体レーザダイオードの製造方法であって、
前記リッジをストライプ形状に形成する工程でそのリッジ両側を前記p側ガイド層までエッチングすることによりリッジを形成することを特徴とする。
また、本発明に係る請求項8に記載された窒化物半導体レーザダイオードの製造方法は、前記請求項4に記載された窒化物半導体レーザダイオードの製造方法において、前記埋め込み層を成膜する工程において、成膜温度を150℃以上600℃以下に設定したことを特徴とする。
さらに、本発明に係る請求項9に記載された窒化物半導体レーザダイオードの製造方法は、前記請求項4に記載された窒化物半導体レーザダイオードの製造方法において、前記埋め込み層の屈折率が2.15以上2.3以下になるように前記埋め込み層の成膜温度を設定したことを特徴とする。
【0016】
本発明における埋め込み層の材料であるダイヤモンドライクカーボンは、炭素同士の2重結合と3重結合とを有する結晶構造をしており、多結晶体である。また、電気伝導度が低く、106〜1012Ωcmであるため絶縁体となり、埋め込み層を介する電流のリークはない。さらに、熱伝導率が極めて高いというダイヤモンド固有の特性を有し、放熱性に優れている。そのため、30mW以上の高出力に連続発振をする窒化物半導体レーザダイオードにおいても、コア内で発生した熱を埋め込み層から外部に効果的に逃がすことができ発熱による素子の劣化を抑制することができるため、寿命特性の向上が期待できる。また、本発明に係る窒化物半導体レーザダイオードは、フェイスダウン構造とすることによりその窒化物半導体レーザダイオードとステムとの接合面積を広くできるため効率よく熱を逃がすことができ好ましい。
【0017】
本発明は、このダイヤモンドライクカーボンの成膜方法により特に限定されるものではなく、マイクロ波プラズマCVD法やDCプラズマCVD法などのプラズマCVD法、熱フィラメントCVD法、EACVD法、電子ビーム蒸着法、イオンビーム蒸着法、スパッタリング法、アークイオンプレーティング法、電子励起式イオンプレーティング法を用いることができる。
【0018】
以上のように、本発明はGaN等の窒化物半導体との屈折率差が小さいダイヤモンドライクカーボンからなる埋め込み層を用いることにより、高出力での連続発振時においてキンクの発生しない、安定した寿命特性を示した窒化物半導体レーザダイオードを提供することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施の形態の窒化物半導体レーザダイオードについて説明する。
本発明に係る実施の形態の半導体レーザダイオードは、リッジの側壁部からリッジの両側表面に連続して埋め込み層が形成された窒化物半導体レーザダイオードであって、前記埋め込み層として炭素の2重結合と3重結合とを含有する多結晶体であるダイヤモンドライクカーボンを用いたものであり、後述するように構成される。
ここで、ダイヤモンドライクカーボンは原料として用いるメタンやトルエンの流量や成膜温度等の成膜条件や成膜装置によって屈折率を変えることができるものであるが、本実施の形態の窒化物半導体レーザダイオードにおいては、この埋め込み層の屈折率を2.15〜2.3に設定している。
このように構成された本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子では、詳細後述するように、リッジの深さに依存することなくキンクが発生しないものとでき、かつ連続発振時に電流リークを少なくでき、しかも放熱性を良好にできる。
【0020】
実施の形態の窒化物半導体レーザダイオードは、基板上にn側窒化物半導体層、活性層、p側窒化物半導体層とを形成したものであるが、この基板としては、窒化物半導体基板と異なるサファイア等の異種基板を用いることができる。また、実施の形態において、n側窒化物半導体層は、n側コンタクト層、クラック防止層、n側クラッド層、n側ガイド層とを含むものである。さらに、このn側窒化物半導体層上に形成する活性層は単一層からなる活性層、単一量子井戸構造の活性層又は多重量子井戸構造の活性層の種々の形態のものを用いることができる。また、この活性層上に形成するp側窒化物半導体層は、活性層上にp側キャップ層、p側ガイド層、p側クラッド層、p側コンタクト層とを含むものであって、本実施の形態ではp側ガイド層までエッチングすることによりリッジを形成している。
【0021】
このように本実施の形態の前記窒化物半導体レーザダイオードは、埋め込み層として上述のダイヤモンドライクカーボンを用いたことにより、以下のような効果を有する。
【0022】
第1に本実施の形態の窒化物半導体レーザダイオードでは、高出力時においてキンクの発生をなくすことができる。この理由は、このダイヤモンドライクカーボンの屈折率は、ZnO2やSiO2に比較して、窒化物半導体の屈折率(例えばGaNは屈折率2.3)との差が大きくなり過ぎないように設定できるからである。
すなわち、ダイヤモンドライクカーボンは成膜温度等の成膜条件によって屈折率を2.0〜2.4と広範囲で変化させることができることから、窒化物半導体から成るコア領域の屈折率を考慮して安定な水平横方向の光閉じ込めができる屈折率2.15〜2.3とすることができ、窒化物半導体との屈折率差を最適な値に設定できるからである。
【0023】
すなわち、窒化物半導体レーザダイオードに限らず、レーザダイオードは横方向の光閉じ込めをする必要があるが、埋め込み層にZnO2(屈折率が2.0〜2.1)やSiO2を用いた場合には、これらと窒化物半導体との屈折率差が大きくなり過ぎる傾向がある。そのため、リッジを形成するためにp側ガイド層までエッチングし、その露出面にZnO2やSiO2を埋め込み層として形成した場合には、水平横方向の光閉じ込めが強すぎてキンクが発生してしまう。そのため、このキンクの発生をなくすには、リッジを形成するためのエッチングをp側クラッド層程度まで浅くする必要がある。
【0024】
このようなp側クラッド層の途中までエッチングすることにより形成された比較的浅いリッジでは、リッジ両側に露出したp側クラッド層上に成膜された埋め込み層と、コア領域を構成する窒化物半導体との間の距離が長くなる。言いかえると従来例では、この距離を長くすることにより、埋め込み層であるZnO2やSiO2の屈折率と窒化物半導体の屈折率との間の実際の屈折率差に比べてコア領域とその両側との間の実効的な屈折率差を小さくして、横方向の光閉じ込めを安定させ、キンクの発生を防止しているのである。
【0025】
しかしながら、エッチング深さをp側クラッド層程度と浅くすると、半導体レーザダイオードの発振動作時において、p側クラッド層の下に積層されている層(p側ガイド層、p側キャップ層、活性層)においては電流狭窄がされないようになる。そのため、p側クラッド層以下の活性層までの間におけるリーク電流(コア領域以外に流れる発振に寄与しない電流)が増加するために閾値が上昇してしまい、その結果、寿命特性を低下させてしまうという問題が発生する。この問題は、特に30mW以上の高出力時において顕著であり、従来の例では、長時間の連続発振が期待できない。
【0026】
上述したことから理解できるように、本発明では、埋め込み層にダイヤモンドライクカーボンを用いているために、高出力時での寿命特性を向上させることができる。その理由は、リッジを比較的深く形成してもキンクの発生を抑制できるので、リッジ両側の窒化物半導体をp側ガイド層までエッチングすることができるからである。すなわち、本発明における埋め込み層であるダイヤモンドライクカーボンの屈折率が2.15〜2.3であるため、窒化物半導体との屈折率差は小さい。そのため、リッジを形成するエッチング深さをp側ガイド層までエッチングしたとしても横方向の光閉じ込めが強すぎることなく、安定した光の閉じ込めが可能となる。
【0027】
そのため、リッジ形成時のエッチングを深くすることができる。このエッチング深さは、活性層までエッチングしなければ、p側キャップ層(図1におけるp型電子閉じ込め層107)までエッチングしてもよい。しかしながら、p側光ガイド層と活性層の間には形成される層は、通常、極めて薄く形成されるものであるから、好ましくはp側ガイド層までエッチングすることとする。その理由は、窒化物半導体は、エッチングによりエッチング表面が劣化することが考えられる。そのため、このエッチングによる劣化の影響が活性層に及ばない範囲とすることが好ましいからである。
【0028】
このように、本実施の形態ではp側ガイド層までエッチングすることが可能であり、p側ガイド層までエッチングすることによりコア領域以外に電流が流れることを効果的に防止できる電流狭窄が可能となる。その結果、p側ガイド層上にダイヤモンドライクカーボンを埋め込み層として形成した実施の形態の窒化物半導体レーザダイオードでは5mW程度の低出力動作時のみならず、30mW以上、さらには50mW程度の高出力動作時においてもキンクを発生させることなくかつ3000時間以上の連続発振を行なうことが可能なリッジ形状の窒化物半導体レーザダイオードを提供することができる。
【0029】
また、本発明の第2の効果として、埋め込み層にダイヤモンドライクカーボンを用いることで、リッジ幅を広げることが可能になることを挙げることができる。
その理由は、本発明に係る窒化物半導体レーザダイオードでは、リッジを従来例に比較して深く形成することができる結果、安定した横方向の光閉じ込めができるためである。すなわち、従来例では、リッジを浅く形成する必要があるために、横方向の光閉じ込めが不安定になることから、リッジ幅をある程度狭くすることにより安定した横方向の光閉じ込め確保する必要があるが、本発明では係る問題が生じないからである。
これも、コア領域を形成する窒化物半導体の屈折率(例えばGaNでは2.3)に対して屈折率差を小さくできるダイヤモンドライクカーボンを埋め込み層に用いることにより、横方向の光閉じ込めを強すぎることなくできることによるものである。そのため、リッジ幅を広げたとしても光閉じ込めが安定であるためレーザ発振時にビーム光が揺らぐことがなく、リッジ幅を1.5〜2.5μm程度に広げることを可能になる。
【0030】
すなわち、従来例の埋め込み層としてZrO2を用いたものでは、一般にリッジ幅を1.4μm程度に設定することが多いが、これは、ZrO2を埋め込み層に用いた場合は横方向の光閉じ込めがダイヤモンドライクカーボンのように安定ではないため、リッジ幅を広くすればレーザ発振時のビーム光が揺らぐため、キンクを発生させてしまうからである。このように、本実施の形態の窒化物半導体レーザダイオードでは、リッジ幅を広くすることができるので、電流通路を広げることが可能となる。その結果、狭い範囲における過剰な電流の集中を緩和させることができ、30mW以上、さらには50mW程度の高出力動作をさせた場合においても、駆動電圧の増大を抑制することができ、寿命を向上させることができる。
【0031】
上述したように、本発明に係る窒化物半導体レーザダイオードはリッジ幅を従来例より広い1.5〜2.5μmとすることができるので、高出力時における過剰な電流密度を緩和させることができ、寿命特性を向上させることができる。具体的には、リッジ幅を2.0μmとすれば30mW以上の高出力時において低閾値であってキンクを発生させることなく、3000時間以上の寿命を得ることができる。
【0032】
このダイヤモンドライクカーボンの成膜条件を以下に示す。本実施の形態では、成膜装置として、プラズマCVD等のCVD装置を用いた場合について説明する。原料にはメタン、トルエン等を使用し、成膜温度を窒化物半導体にダメージを与えない温度である600℃以下とする。しかし、成膜温度は150℃以下の低温にすると、2重結合を多く有するアモルファス状になり屈折率の低い埋め込み層となってしまう。このように埋め込み層の屈折率が低いと、窒化物半導体との屈折率差が大きくなり高出力時においてキンクが発生してしまう。また、成膜温度が600℃より高ければ、成膜時に窒化物半導体にダメージを与える恐れがある。以上より、本発明における埋め込み層は、150℃以上で600℃以下、好ましくは200℃以上500℃以下の範囲において成膜時の温度を設定する。このように、埋め込み層の成膜温度を150℃以上600℃以下とすることで埋め込み層の屈折率を2.15〜2.3とすることができる。これは、ダイヤモンドライクカーボンが炭素の2重結合と3重結合との多結晶体であるため、この2重結合と3重結合との割合によって屈折率を変えられるためである。より具体的には、成膜温度を上記に示す150℃から600℃の間で高温領域にするほど、炭素の3重結合の割合が多くなり、ダイヤモンドの屈折率である2.44に近づけることができる。また成膜温度を上記範囲内で低温領域にするほど、炭素の2重結合の割合が多くなり屈折率を下げることができる。
このように、ダイヤモンドライクカーボンは、成膜温度に対応させて屈折率を2.15〜2.3の範囲で任意に設定することができるので、窒化物半導体レーザダイオードの窒化物半導体層をGaN(屈折率2.3)だけでなく一般式InxAlyGa1−x−yN(0≦X<1、0≦Y<1、0≦X+Y<1)で示した場合にも、この組成式により表される種々の窒化物半導体の屈折率に対して容易に屈折率差を小さく維持することが可能となる。そのため、リッジ幅やエッチング深さを微妙に制御することなく、安定した光閉じ込めができる。この際、埋め込み層の膜厚は500Å〜6000Åに設定することが好ましい。
【0033】
また、埋め込み層であるダイヤモンドライクカーボンの成膜装置としては、マイクロ波プラズマCVD法やDCプラズマCVD法などのプラズマCVD装置の他に、熱フィラメントCVD法、EACVD法、電子ビーム蒸着法、イオンビーム蒸着法、スパッタリング法、アークイオンプレーティング法、電子励起式イオンプレーティング法を使用した装置を用いることができるが、その場合でも、ダイヤモンドライクカーボンの成膜条件により対応する窒化物半導体に対応させて所望の屈折率に設定することができる。
【0034】
以下、本実施の形態における半導体レーザダイオードの製造工程の一例を詳細に説明するが、本発明は、これに限定されるものでない。
本発明に使用することができる基板は、窒化物半導体層をエピタキシャル成長させることができる基板であればよく、基板の大きさや厚さ等は特に限定されない。この基板の具体例としては、C面、R面、及びA面のいずれかを主面とするサファイアやスピネルのような絶縁性基板、また炭化珪素(6H、4H、3C)、シリコン、ZnS、ZnO、GaAs、ダイヤモンド、及び窒化物半導体と格子接合する酸化物基板が挙げられる。
例えば、サファイア基板を用いる場合、サファイア基板はA面をオリフラとし、C面を成長面とすることができる。その他、R面やA面でも成長面とすることができるが、好ましくはC軸配向の窒化物半導体層を成長させることができる基板とする。また、用いる基板は、外周を面取り加工や裏面を研削加工したものであってもよい。
【0035】
次に、基板上に成長させる窒化物半導体層は、一般式としてInxAlyGa1−x−yN(0≦X<1、0≦Y<1、0≦X+Y<1)で表される種々の窒化物半導体である。また、本発明では、窒化物半導体層を有機金属化学気相成長(MOCVD)法、やハライド気相エピタキシャル成長(HVPE)法、分子線エピタキシー(MBE)法等の気相成長法を用いて成長させることができる。
【0036】
本例ではまず、前記基板上に低温で窒化物半導体AlxGa1−xN(0≦X≦1)から成る下地層を成長させる。これにより、基板と窒化物半導体との格子定数差により生じる欠陥や割れを抑制することができる。ここで言う低温とは300〜800℃の温度範囲である。さらに、第2の下地層としてAlxGa1−xN(0≦X≦1)を、有機金属化学気相成長法により、成長原料としてTMG(トリメチルガリウム)、TMA(トリメチルアルミニウム)とアンモニアを使用して成長温度1150℃以下で、表面が平坦な鏡面となるように1〜20μm程度成長させる。
【0037】
次に、第2の下地層上にELO(Epitaxial Lateral Overgrowth)法によりAlxGa1−xN(0≦X≦1)層を成長させる。ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth)法とは窒化物半導体を横方向成長させることで貫通転位を曲げて収束させることにより転位を低減させるものである。異種基板上に窒化物半導体を成長させる場合、この基板と窒化物半導体との格子定数の違いから成長界面に応力が発生する。この応力が貫通転位等を発生させることとなり、貫通転位が窒化物半導体の結晶性を低下させてしまう。そこで、このELO法では縦方向に伸びる性質を有する貫通転位を横方向に曲げることで窒化物半導体の表面の貫通転位を低減させるものである。具体的には、まず、第2の下地層上に保護膜を成膜し、この保護膜に開口部を設ける。この保護膜は、その保護膜上には窒化物半導体が成長しないような材料を選択して用いる。すなわち、保護膜の開口部には第2の下地層の表面が露出しており、この露出された第2の下地層を核として窒化物半導体を成長させることにより、保護膜上では横方向成長させる。この横方向成長する窒化物半導体においては貫通転位も横方向に伸びる。この横方向に伸びた貫通転位は保護膜上で接合して収束し、窒化ガリウム層の表面には転位は表われない。このようにすると、開口部から縦方向に伸びる貫通転位が存在するが、保護膜上に成長させた窒化物半導体において、低転位領域を形成することができる。尚、この低転位領域は保護膜上であってかつ横方向成長してきた窒化物半導体同士の接合部を除く部分に形成される。
【0038】
以上の具体例では、上述のELO法を用いたが、窒化物半導体に生じる貫通転位を減少させる方法には、前記ELO法の他に、HVPE法により厚膜成長させ、この厚膜成長時に貫通転位を収束させることで転位を低減させる方法等があり、本発明はELO法以外の方法を用いてもよい。
【0039】
このHVPE法は、例えばGaNからなる窒化物半導体を成長させる場合であれば、HClガスとGa金属とを反応させてGaClやGaCl3を形成し、さらにこのGa塩化物をアンモニアと反応することでGaNを基板上に堆積させる。
【0040】
また、HVPE法により窒化物半導体と異なる異種基板上に窒化物半導体を厚膜成長させた場合には、この厚膜の窒化物半導体基板から異種基板を除去することにより窒化物半導体のみから成る単体基板として用いることができる。厚膜の窒化物半導体(基板)から異種基板を除去する方法としては、異種基板を研磨により除去する方法、異種基板と窒化物半導体との界面にエキシマレーザ照射することにより異種基板を除去する方法等がある。このように作製した窒化物半導体基板ではサファイア基板を除去することで窒化物半導体基板の裏面にn電極が形成された裏面電極構造とすることが可能となる。
ここまでの工程で得られた基板上に窒化物半導体を成長させたもの、ELO法で成長させたもの、及びHVPE法により成長させたものを、異種基板を除去しているか否かにかかわらず、以下、窒化物半導体基板という。
【0041】
次に、前記窒化物半導体基板上に窒化物半導体素子を形成する。前記窒化物半導体基板上にn側コンタクト層としてn型不純物をドープしたAlxGa1−xN(0≦X<1)を5μm程度で成長させる。さらに、このn側コンタクト層上にクラック防止層としてn型不純物ドープInxGa1−xN(0≦X<1)を0.2μm程度で成長させる。なお、このクラック防止層は省略可能である。続いて、クラック防止層上にn側クラッド層を成長させる。このn側クラッド層としては、超格子構造であるのが好ましく、例えば、アンドープAlxGa1−xN(0≦X<1)よりなる層と、n型不純物をドープしたn型GaNよりなる層とを交互に積層して総膜厚1.2μm程度の超格子構造よりなるn側クラッド層を成長させる。続いて、アンドープGaNよりなるn側光ガイド層を0.1μm程度の膜厚で成長させる。このn側光ガイド層は、n型不純物をドープしてもよい。
【0042】
活性層
次に、例えば、障壁層としてノンドープInxGa1−xN(0≦X≦1)層、井戸層としてn型不純物ドープInxGa1−xN(0≦X≦1)層とを含む単一量子井戸構造、又は多重量子井戸構造の活性層を成長させる。多重量子井戸構造であれば、障壁層と井戸層とを同一温度で2〜5回程度で交互に積層し、最後に障壁層を形成して総膜厚を例えば、200〜500Åとする。
【0043】
次に、活性層上にp側キャップ層としてp型不純物をドープしたp型AlxGa1−xN(0≦X<1)を成長させる。このp側キャップ層は膜厚を300Å程度で成長させる。続いて、アンドープGaNよりなるp側光ガイド層を0.1μm程度の膜厚で成長させる。このp側光ガイド層は、p型不純物をドープしてもよい。次に、p側光ガイド層上にp側クラッド層を成長させる。このp側クラッド層としては、n側クラッド層と同様に超格子構造であるのが好ましく、アンドープAlxGa1−xN(0≦X<1)よりなる層と、p型不純物をドープしたp型GaNよりなる層とを交互に積層して総膜厚0.6μm程度の超格子構造よりなるp側クラッド層を成長させる。最後に、p側クラッド層の上に、p型不純物をドープしたAlxGa1−xN(0≦X≦1)からなるp側コンタクト層を成長させる。
【0044】
ここで、不純物濃度としては、特に限定する必要はないが、好ましくはn型不純物、及びp型不純物は1×1018/cm3〜1×1020/cm3とする。また、前記n型不純物としてはSi、Ge、Sn、Zr、Cd等が挙げられ、p型不純物としてはBe、Mg、Ca、Sr等が挙げられる。
【0045】
次に、窒化物半導体基板上に上述の窒化物半導体素子を構成する各層を形成した後、p電極とn電極とを同一面側に形成する場合には、n電極を形成するためにn側コンタクト層の一部をエッチングにより露出させる。次に、ストライプ状の光導波路領域を形成するためにエッチングすることによりリッジを形成する。ここで、リッジを形成するためのエッチングは異方性エッチングであるのが好ましく、例えばRIE(反応性イオンエッチング)装置等を使用する。ここで形成されるリッジ幅は本発明においては、埋め込み層としてダイヤモンドライクカーボンを用いることにより、1.5〜2.5μmと広くすることができる。また、エッチング深さとしては窒化物半導体素子内のp側ガイド層までエッチングすることが可能である。
【0046】
リッジを形成後、露出したリッジの側壁部からリッジの両側表面の窒化物半導体層上に絶縁体であるダイヤモンドライクカーボンからなる埋め込み層をCVD(化学気相堆積)法により形成する。埋め込み層の成膜条件は前に示しており、ここでは省略する。
【0047】
この埋め込み層の機能は電流狭窄、及び横方向の光閉じ込めである。コア領域内の横方向に光を閉じ込めるためには、窒化物半導体よりも屈折率の小さい材料を埋め込み層に用いる必要があるが、上述したようにキンクを発生させないようにするためには、埋め込み層の屈折率と窒化物半導体の屈折率との間の差を小さくする必要がある。
尚、縦方向の光閉じ込めは屈折率の高いコア領域と、屈折率の低いp、n側クラッド層とで屈折率差をつけることでコア内に光を閉じ込めている。
【0048】
その後、p側電極を形成するためにリッジ最上面に成膜された埋め込み層をRIEで除去する。次に、除去後、露出したp側コンタクト層の表面にNi/Auよりなるp側電極をストライプ状に形成し、p側電極を形成した後、n側コンタクト層の表面にTi/Alよりなるn側電極をリッジストライプと平行に形成する。次に取り出し電極であるパッド電極をp電極、及びn電極上に形成する。このパッド電極を形成する前に、SiO2、TiO2等から成る誘電体多層膜を共振器面(光出射端面側)に形成してもよい。この誘電体多層膜を有することにより高出力時における光出射端面の端面劣化を抑制することができる。
【0049】
さらに、ストライプ状の電極に垂直な方向で、基板側からバー状にヘキカイし、ヘキカイ面((11−00)面、六方晶系の側面に相当する面=M面)に共振器を形成する。この共振器面に誘電体多層膜を形成し、電極に平行な方向でバーを切断して窒化物半導体レーザ素子とする。この窒化物半導体レーザ素子をヒートシンクに設置し、ワイヤーボンディングし、キャップで封止することで窒化物半導体レーザダイオードとする。
【0050】
以上のようにして、実施の形態の窒化物半導体レーザダイオードを製造することができる。
【0051】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面(図1)を参照して説明する。
[実施例1]
実施例1では、図1に示すように、基板としてC面を主面、オリフラ面をA面とする2インチφで厚さ2mmのサファイア基板1を用い、MOCVD装置にセットし、温度1050℃で10分間のサーマルクリーニングを行い水分や表面の付着物を除去する。
【0052】
次に、温度を510℃にして、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとTMG(トリメチルガリウム)を用い、前記サファイア基板上にGaNより成る第1の下地層2を200オングストロームの膜厚で成長させる。
【0053】
その後、前記第1の下地層2上に、GaNからなる第2の下地層3を成長温度1050℃、膜厚20μmで成長させる。この第2の下地層3は、第1の下地層2と同様にキャリアガスには水素、原料ガスにはアンモニア、TMGを用いて成長させる。
【0054】
次に、ELO法による横方向成長を行い、貫通転位を低減させる。
すなわち、第2の下地層3を成長させた後、第2の下地層3上にSiO2よりなる保護膜を膜厚0.5μmで成膜する。さらに、この保護膜に開口部を有するストライプパターンを形成する。この開口部を有する保護膜5のストライプパターンは基板のオリフラ面に対して垂直方向に形成される。また、保護膜5のストライプ幅は14μm、開口部幅は6μmである。この開口部には第2の下地層3のGaNが露出している。この開口部より露出した 窒化物半導体を核としてGaNを横方向に成長させることにより膜厚15μmのGaN層4を形成する。このように保護膜5上に横方向成長させることにより平坦でミラー形状を有する窒化物半導体基板とでき、この窒化物半導体基板において保護膜5上の横方向成長させた領域では単位面積あたりの貫通転位が1×107個/cm2以下にできる。
【0055】
次に、窒化物半導体基板上に窒化物半導体素子を形成する。
(アンドープn型コンタクト層101)
ウェーハ(サファイア基板1上に第1の下地層からGaN層4までを形成した窒化物半導体基板)を、MOCVD装置の反応容器内にセットし、1050℃でGaN層4上に、TMG(トリメチルガリウム)、TMA(トリメチルアルミニウム)、アンモニアを用い、Al0.05Ga0.95Nよりなるアンドープn型コンタクト層101を1μmの膜厚で成長させる。この層は、GaN層4を最上層に備えた窒化物半導体基板とn型コンタクト層をはじめとする半導体素子を構成する層との間で、緩衝層としての機能を有する。
【0056】
(n型コンタクト層102)
次にアンドープn型コンタクト層101上にTMG、TMA、アンモニア、不純物ガスとしてシランガスを用い、1050℃でSiドープしたAl0.05Ga0.95Nよりなるn型コンタクト層102を4μmの膜厚で成長させる。
【0057】
(クラック防止層103)
次に、TMG、TMI(トリメチルインジウム)、アンモニアを用い、温度を900℃にしてIn0.07Ga0.93Nよりなるクラック防止層103を0.15μmの膜厚で成長させる。
【0058】
(n型クラッド層104)
次に、温度を1050℃にして、原料ガスにTMA、TMG及びアンモニアを用い、アンドープのAl0.05Ga0.95NよりなるA層を25Åの膜厚で成長させ、続いて、TMAを止め、不純物ガスとしてシランガスを用い、Siを5×1018/cm3ドープしたGaNよりなるB層を25Åの膜厚で成長させる。この操作を200回繰り返しA層とB層との積層構造とし、総膜厚1μmの多層膜(超格子構造)よりなるn型クラッド層を成長させる。
【0059】
(n型ガイド層105)
次に、シランガスを止め、同様の温度で、原料ガスにTMG及びアンモニアを用い、アンドープのGaNよりなるn型ガイド層105を0.15μmの膜厚で成長させる。このn型ガイド層105は、n型不純物をドープしてもよい。
【0060】
(活性層106)
次に、温度を900℃にし、原料ガスにTMI(トリメチルインジウム)、TMG及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてシランガスを用い、Siを5×1018/cm3ドープしたIn0.05Ga0.95Nよりなる障壁層を100Åの膜厚で成長させた後、シランガスを止め、アンドープのIn0.13Ga0.87Nよりなる井戸層を40Åの膜厚で成長させることを繰り返すことにより、障壁層/井戸層/障壁層/井戸層の順に積層し、最後に障壁層を形成としてTMI、TMG及びアンモニアを用い、アンドープのIn0.05Ga0.95Nを成長させる。活性層106は、総膜厚500Åの多重量子井戸構造(MQW)となる。
【0061】
(p型電子閉じ込め層107)
次に、活性層と同じ温度で、原料ガスにTMA、TMG及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてCp2Mg(シクロペンタジエニルマグネシウム)を用い、Mgを1×1019/cm3ドープしたAl0.3Ga0.7Nよりなるp型電子閉じ込め層107を100Åの膜厚で成長させる。
【0062】
(p型ガイド層108)
次に、Cp2Mg、TMAを止め、温度を1050℃にして、原料ガスにTMG及びアンモニアを用い、アンドープのGaNよりなるp型ガイド層108を0.15μmの膜厚で成長させる。
【0063】
(p型クラッド層109)
次に、1050℃でアンドープAl0.05Ga0.95NよりなるA層を25Åの膜厚で成長させ、続いてTMAを止め、Cp2Mgを用いて、Mgを1×1020/cm3ドープしたGaNよりなるB層を25Åの膜厚で成長させ、それを90回繰り返して総膜厚0.45μmの超格子層よりなるp型クラッド層109を成長させる。p型クラッド層は、GaNとAlGaNとを積層した超格子構造とする。p型クラッド層109を超格子構造とすることによって、クラッド層全体のAl混晶比を上げることができるので、クラッド層自体の屈折率が小さくなり、さらにバンドギャップエネルギーが大きくなるので、しきい値を低下させる上で非常に有効である。
【0064】
(p型コンタクト層110)
最後に、1050℃で、p型クラッド層109の上に、TMG、アンモニア、Cp2Mgを用い、Mgを1×1020/cm3ドープしたp型GaNよりなるp型コンタクト層110を150Åの膜厚で成長させる。
反応終了後、反応容器内において、ウェハを窒素雰囲気中、700℃でアニーリングを行い、p型層をさらに低抵抗化する。
【0065】
アニーリング後、窒化物半導体を積層させたウェハを反応容器から取り出し、最上層のp型コンタクト層の表面にSiO2よりなる保護膜を形成して、RIE(反応性イオンエッチング)法を用いSiCl4ガスによりエッチングし、n電極を形成するためにn型コンタクト層102の表面(一部)を露出させる。
【0066】
次に、SiO2保護膜をマスクとして形成し、RIEを用いCF4ガスによりエッチングすることにより、ストライプ状の導波路領域を形成するためのリッジをストライプ幅が2μmになるように形成する。このリッジはその両側をp側ガイド層までエッチングするようにして形成する。その後、プラズマCVD装置を用いてダイヤモンドライクカーボンよりなる絶縁保護膜50を、エッチングによりリッジを形成した後の露出面となるリッジの上面、リッジの側壁部、及びリッジの両側表面(リッジを形成するためのエッチングにより露出されたp型光ガイド層表面)に成膜温度200℃で0.5μmの膜厚で形成する。
【0067】
次に前記リッジ上面に成膜された埋め込み層を除去した後、p型コンタクト層110上にp型電極31をNi/Auで形成し、また、エッチングにより露出したn型コンタクト層102上にはTi/Alよりなるn型電極21を形成する。このp電極31は、リッジ上にストライプ形成されており、同じくストライプ状に形成されているn電極21と平行に形成する。
【0068】
次に、光反射端面にSiO2とTiO2よりなる誘電体多層膜を設けた後、p電極、及びn電極上にNi−Ti−Au(1000Å−1000Å−8000Å)よりなるパット電極22,32をそれぞれ形成する。
【0069】
以上のようにして得られた窒化物半導体レーザ素子をヒートシンクに設置し、それぞれのパッド電極にワイヤーボンディングをすることで窒化物半導体レーザダイオードとする。以上のようにして作製した実施例1の窒化物半導体レーザダイオードは、室温において発振波長405nmの連続発振が得られ、そのしきい値が2.8kA/cm2であった。また、本実施例1の窒化物半導体レーザダイオードにおいては、30mWの出力動作をさせた場合でもキンクの発生は観測されず、また、寿命は3000時間以上であった。
【0070】
変形例.
図3は、本発明に係る変形例の窒化物半導体レーザダイオードの断面図である。
本変形例の窒化物半導体素子は、図3に示すように、保護膜5を形成した後からアンドープn型コンタクト層101を形成するまでの工程(これらの工程により形成された部分)が実施例1とは異なり、他の部分については実施例1と同様に構成される。
すなわち、本変形例では、実施例1と同様にして第2の下地層3を成長させて開口部を有する保護膜5を形成した後、断面がT字形状である第1横成長窒化物半導体4aとその上に形成された第2横成長窒化物半導体4bとからなる、実施例1におけるGaN層4に相当する部分を以下のようにして形成している。
尚、図3において、保護膜5は示されていないが、これは後述するように、後の工程で除去されるからである。
【0071】
ここで、保護膜5は、ストライプ状にエッチングして保護膜5の間に窓部を形成するようにしてもよいし、格子状にエッチングして、島状の窓部を形成するようにしてもよい。また、この場合において、島状の窓部は多角形(三角形、四角形、六角形等)であっても、円形であっても良い。
保護膜5において形成された窓部を島状、格子状にすると、次に成長させる第1横成長窒化物半導体4aが保護膜5上を放射状に横方向成長するようになり、例えば、第1横成長窒化物半導体4aより下の支持基板部分を剥離する場合に剥離を容易にできる。
【0072】
また、保護膜を島状に残すようにして、格子状の窓部を形成すると、後で成長させる第2横成長窒化物半導体層4bの接合部を中心の1点だけにできるため、転位が集中し易い接合部の面積を最小限にすることができる。
【0073】
また、保護膜をストライプ状に形成した場合には、基板のオリフラ面をA面として、ストライプをそのオリフラ面の垂直軸に対して左右どちらかに、θ=0.1〜1°ずらして形成することが好ましく、このようにすると成長面がより平坦で良好な結晶が得られる。
【0074】
変形例では、以上のようにして保護膜5を形成した後、保護膜5の窓部から第2の下地層3を核として、第1横成長窒化物半導体4aを成長させ、第1横成長窒化物半導体4aが保護膜5上を横方向に成長する時、完全に保護膜5を覆う前に成長を止める。このようにして成長された第1横成長窒化物半導体4aの断面形状は、図3に示すように、周期配列されたT字状となる。ここで、第1横成長窒化物半導体4aの材料としては、特に限定されるものではないが、好ましくはGaNが挙げられる。また、この第1横成長窒化物半導体4aとしては、ノンドープであってもよいし、p型不純物及びn型不純物のうちの一方又は両方をドープしてもよい。
また、第1横成長窒化物半導体4aの好ましい膜厚は、保護膜5の膜厚、大きさによっても異なるが、保護膜の表面において横方向に成長した結晶性のいい部分を一定の広さ以上に形成するために、第1横成長窒化物半導体4aの膜厚は保護膜5の膜厚の少なくとも1.5倍以上、具体的には1.5〜2μmの膜厚で成長させることが好ましい。
【0075】
次に、隣接する第1横成長窒化物半導体4aの間から、保護膜5を除去して図3に示す空洞5aを形成する。この保護膜5の除去方法としては、エッチングを用いることができ、エッチング方法としては、特に限定されるものではなく、ドライエッチングまたはウェットエッチングを用いることができる。尚、この際、等方性ドライエッチングであれば、エッチングの制御を容易に行うことができる。
【0076】
このように変形例では、保護膜5を除去することにより第1横成長窒化物半導体4aの横方向に成長した結晶欠陥の少ない部分の直下に空洞が形成される。
次に、保護膜5を除去して空洞5aが形成された後、図3に示すように、第1横成長窒化物半導体4aの上面及び側面より窒化物半導体を成長させることにより、第1横成長窒化物半導体4aを覆うように第2横成長窒化物半導体4bを形成する。
このように形成された第2横成長窒化物半導体層4bでは保護膜が除去されてその部分に空洞が形成されているので、保護膜を除去しない場合にそれと第2横成長窒化物半導体層4bとの間に生じていた応力は発生しない。
【0077】
ここで、第2横成長窒化物半導体4bは、アンドープのGaN、およびSi、Ge、Sn、S等のn型不純物をドープしたGaN、またはMg等のp型不純物をドープしたGaNを用いることができ、900〜1100℃で成長される。上述した中でも、Mgをドープして第2横成長窒化物半導体4bを成長させると、第2横成長窒化物半導体層4bが横方向に伸び易くなり、第1横成長窒化物半導体4aの隙間を埋め易くなるため好ましい。他方、アンドープとすると電気的特性が安定する。また、第2横成長窒化物半導体4bは空間上を成長するため、保護膜上の成長を伴う場合には選択性が低いために用いることのできなかったAlxGa1−xN(0<x<1)を用いることもできる。
また、第2横成長窒化物半導体4bの膜厚は、GaNの場合は3〜20μm、好ましくは5〜20μmであるのが望ましく、AlxGa1−xNの場合は2〜15μmが好ましい。
【0078】
さらに、第2横成長窒化物半導体4bとして適当な多層膜を用いてもよい。多層膜の層数及び膜厚は特に限定されず、バルクを2ペア積層したものであっても、多数の薄膜を積層した超格子であっても良い。各層の膜厚は、10Å〜2μmが好ましい。第2横成長窒化物半導体4bを多層膜とすることにより、多様な機能の層、例えば、n型コンタクト層、n型クラッド層等と兼用することができる。その結果、窒化物半導体基板の総厚を薄くすることができ、基板の反りを緩和することができる。また、第2横成長窒化物半導体4bを多層膜とすることにより、転位の縦方向の進行を抑制することができる。例えば、GaN/AlxGa1−xN(0<x<1)多層膜を用いると、AlxGa1−xNは横方向成長を促進する条件で成長させることができるため、転位の貫通を抑制することができ有利である。例えば、GaNとAlxGa1−xNのペアを各々200Åの膜厚で50サイクル繰り返して超格子として成長し、第2横成長窒化物半導体4bとする。
【0079】
ここで第2横成長窒化物半導体4bは、横方向の成長により得られた結晶性のよい第1横成長窒化物半導体4aの上面及び側面より成長させるため、空洞5aの上方に成長される第2横成長窒化物半導体4bにおいては結晶欠陥がなくなり、窓部(空洞と空洞の間)の上方に位置する部分にのみ結晶欠陥が残る。
【0080】
このように、変形例では、保護膜5を除去しているので、以後の工程においてSiO2等からなる保護膜が1000℃以上の温度で分解拡散して保護膜上の窒化物半導体に入るのを防止することができる。したがって、分解したSiO2が窒化物半導体に入って結晶性を低下させたり、異常成長を引き起こすといった問題点を解決することができる。
さらに、第2横成長窒化物半導体4bを、保護膜を完全に除去した状態で第1横成長窒化物半導体4aの上面及び側面から成長させているので、空間5aにより、結晶欠陥の多い第2の下地層3からの結晶欠陥の伝播を抑えることができる。以下、実施例1と同様にして、第2横成長窒化物半導体4b上にアンドープn型コンタクト層101から上の部分を形成する。
【0081】
本変形例によれば、横方向に成長させた窒化物半導体の接合部における転位の集中が緩和されており、接合部の認識が容易で、反りも抑制されているので、半導体レーザなどの窒化物半導体素子の製造が容易となる。半導体レーザ素子を製造する場合、半導体レーザ素子の横モード制御のためのストライプ構造は、電流及び/又は光が閉じ込められる活性領域が第1横成長窒化物半導体層4aの成長起点となった領域と、第2横成長窒化物半導体層4bの接合部とを避けて、これらの間に位置するように形成することが好ましい(これらの間における欠陥密度は、1×107個/cm2以下とできる)。なぜなら、横方向成長した第1横成長窒化物半導体4aの成長起点となった領域、即ち保護膜5の窓部の領域は転位密度が高く、また、第2横成長窒化物半導体4b同士が接合する部分も従来よりも転位が大巾に抑制されているとは言え、その他の領域に比べて転位密度が高いためである。すなわち、本発明の埋め込みヘテロ型半導体レーザの場合には埋めこまれたストライプ部を、第1横成長窒化物半導体層4aの成長起点となった領域と第2横成長窒化物半導体層5bの接合部とを避けて、これらの間に位置するように形成する。尚、第2横成長窒化物半導体4b同士の接合部における転位の集中が従来よりも大巾に緩和されているため、半導体レーザ素子のストライプ構造をより接合部に近い位置に形成することが可能であり、また、レーザ素子の寿命も向上する。
【0082】
以上説明したように、本発明に係る変形例の窒化物半導体レーザダイオードは、実施例1のGaN層4よりさらに結晶欠陥の少ない第2横成長窒化物半導体層4bの上に素子構造が構成されているので、実施例1よりさらに優れた特性を実現できる。
【0083】
[実施例2]
実施例1と同様にサファイア基板1上に第1の下地層2を成長させた後、実施例1の第2の下地層3〜GaN層4に代えて、膜厚100μmのアンドープGaNよりなる第1の窒化物半導体層と膜厚50μmのアンドープGaNよりなる第2の窒化物半導体層とを形成した後、その上に実施例1と同様にして窒化物半導体素子を構成した。
ここで、アンドープGaNよりなる第1の窒化物半導体は、第1の下地層2を形成したサファイア基板1を、ハイドライド気相エピタキシャル成長装置にセットし、Gaメタルを石英ボートに用意し、ハロゲンガスにHClガスを用いることによりGaCl3を生成し、次に、Nガスであるアンモニアガスと反応させることにより形成した。この第1の窒化物半導体の成長温度は1000℃に設定し、成長速度を1mm/hourとして、膜厚100μmに成長させる。
【0084】
第1の窒化物半導体層上に形成した第2の窒化物半導体もハイドライド気相エピタキシャル成長法装置において成長させる。この時の成長条件としては、成長温度を第1の窒化物半導体と同じ温度とし、成長速度は50μm/hourに設定して膜厚が50μmになるように成長させた。このようにして得られた窒化物半導体基板は表面は平坦かつ鏡面となり、CL観察によると貫通転位密度は約1×106cm−2程度であり、低欠陥である窒化物半導体基板を提供することができる。
【0085】
以上により得られた実施例2の窒化物半導体レーザダイオードにおいて、埋め込み層である絶縁保護膜50は当然ダイヤモンドライクカーボンである。この実施例2の窒化物半導体レーザダイオードにおいても、30mW以上の光出力時においてキンクが発生しない連続発振が可能であり、3000時間以上の寿命特性が期待できる。
【0086】
【発明の効果】
以上に示すように、本発明に係る窒化物半導体レーザ素子は、ダイヤモンドライクカーボンにより埋め込み層を形成しているので、高出力条件下においてレーザ発振させた場合においてもキンクが発生しない、寿命特性の良好な窒化物半導体レーザダイオードを提供することができる。また、埋め込み層の材料であるダイヤモンドライクカーボンは熱伝導率が高く、放熱性に優れフェイスダウン構造の窒化物半導体レーザダイオードとした場合においてより有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る実施例1の窒化物半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
【図2】 半導体レーザ素子におけるキンク現象を説明するための模式図である。
【図3】 本発明に係る変形例の窒化物半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1…サファイア基板、
2…第1の下地層、
3…第2の下地層、
4…GaN層、
4a…第1横成長窒化物半導体、
4b…第2横成長窒化物半導体、
5…保護膜、
5a…空洞、
101…アンドープn型コンタクト層、
102…n型コンタクト層、
103…クラック防止層、
104…n型クラッド層、
105…n型ガイド層、
106…活性層、
107…p型電子閉じ込め層、
108…p型ガイド層、
109…p型クラッド層、
110…p型コンタクト層、
21…n型電極、
22,32…パット電極、
31…p型電極。
Claims (9)
- リッジを有し、そのリッジ両側に埋め込み層が形成された窒化物半導体レーザダイオードにおいて、
前記埋め込み層は炭素の2重結合と3重結合とを含有する多結晶体からなるダイヤモンドライクカーボンからなることを特徴とする窒化物半導体レーザダイオード。 - 前記窒化物半導体レーザダイオードは、基板上にn側窒化物半導体層、活性層、p側窒化物半導体層とを形成したものであり、このp側窒化物半導体層は活性層上にp側キャップ層、p側ガイド層、p側クラッド層、p側コンタクト層とを有するものであって、
前記リッジは、そのリッジの両側がp側ガイド層までエッチングされることにより形成されていることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体レーザダイオード。 - 前記埋め込み層の屈折率が2.15以上2.3以下に設定されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体レーザダイオード。
- リッジを有し、そのリッジの両側に埋め込み層が形成された窒化物半導体レーザダイオードの製造方法において、
前記リッジを形成した後に、前記リッジ及びその両側表面に炭素の2重結合と3重結合とを含有する多結晶体からなるダイヤモンドライクカーボンを埋め込み層として成膜する工程を有することを特徴とする窒化物半導体レーザダイオードの製造方法。 - 前記リッジはストライプ形状に形成されることを特徴とする請求項4に記載の窒化物半導体レーザダイオードの製造方法。
- 前記埋め込み層を成膜した後、リッジ上部のダイヤモンドライクカーボンを除去する工程を含むことを特徴とする請求項4に記載の窒化物半導体レーザダイオードの製造方法。
- 前記窒化物半導体レーザダイオードは、基板上にn側窒化物半導体層、活性層、p側窒化物半導体層とを形成したものであり、このp側窒化物半導体層は活性層上にp側キャップ層、p側ガイド層、p側クラッド層、p側コンタクト層とを有する窒化物半導体レーザダイオードの製造方法であって、
前記リッジをストライプ形状に形成する工程でそのリッジ両側を前記p側ガイド層までエッチングすることによりリッジを形成することを特徴とする請求項4に記載の窒化物半導体レーザダイオードの製造方法。 - 前記埋め込み層を成膜する工程において、成膜温度を150℃以上600℃以下に設定したことを特徴とする請求項4に記載の窒化物半導体レーザダイオードの製造方法。
- 前記埋め込み層の屈折率が2.15以上2.3以下になるように前記埋め込み層の成膜温度を設定したことを特徴とする請求項4に記載の窒化物半導体レーザダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001356049A JP4045785B2 (ja) | 2001-11-21 | 2001-11-21 | 窒化物半導体レーザダイオードとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001356049A JP4045785B2 (ja) | 2001-11-21 | 2001-11-21 | 窒化物半導体レーザダイオードとその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003158343A JP2003158343A (ja) | 2003-05-30 |
JP4045785B2 true JP4045785B2 (ja) | 2008-02-13 |
Family
ID=19167642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001356049A Expired - Fee Related JP4045785B2 (ja) | 2001-11-21 | 2001-11-21 | 窒化物半導体レーザダイオードとその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4045785B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005217255A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Sharp Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP5083817B2 (ja) * | 2007-11-22 | 2012-11-28 | シャープ株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2015028995A (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-12 | 株式会社リコー | 面発光レーザアレイ及びその製造方法 |
DE102014105191B4 (de) * | 2014-04-11 | 2019-09-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiter-Streifenlaser und Halbleiterbauteil |
-
2001
- 2001-11-21 JP JP2001356049A patent/JP4045785B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003158343A (ja) | 2003-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3436128B2 (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
JP3491538B2 (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
JP3791246B2 (ja) | 窒化物半導体の成長方法、及びそれを用いた窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体レーザ素子の製造方法 | |
US20040041156A1 (en) | Nitride semiconductor light emitting element and production thereof | |
JP4304750B2 (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
KR100874077B1 (ko) | 질화물 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2000040858A (ja) | 光半導体装置、その製造方法、および半導体ウェハ | |
JP2002246698A (ja) | 窒化物半導体発光素子とその製法 | |
JP3460581B2 (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
JP3446660B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP4291960B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP4873116B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法 | |
JP4165040B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP2001039800A (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
JP3604278B2 (ja) | 窒化物半導体レーザー素子 | |
JP2003124576A (ja) | 窒化物半導体基板及びその成長方法 | |
JP4211358B2 (ja) | 窒化物半導体、窒化物半導体素子及びそれらの製造方法 | |
JP2001196702A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
JP4045785B2 (ja) | 窒化物半導体レーザダイオードとその製造方法 | |
JP4304883B2 (ja) | 窒化物半導体レーザダイオード、並びにその製造方法 | |
JP4639571B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP4628651B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2008034862A (ja) | 窒化物半導体の成長方法 | |
JP2000216502A (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
JP3906739B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040909 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20051110 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20051110 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071025 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071030 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071112 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101130 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101130 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101130 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111130 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111130 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121130 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121130 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131130 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |