JP4045050B2 - 電子装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミックス等の絶縁基体と蓋体とから成る容器の内部に圧電振動子や半導体素子等の電子部品を気密に収容した電子装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
圧電振動子や半導体素子等の電子部品は、この電子部品を収容するための容器内に気密に収容されることによって製品としての電子装置となる。
【０００３】
かかる電子装置は一般に、酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面あるいは下面の略中央部に電子部品を収容するための凹部およびその凹部周辺から下面にかけて導出されたタングステンやモリブデン等の高融点金属から成る複数個のメタライズ配線層を有する絶縁基体と、蓋体とから成る容器内部に電子部品が気密に封止収容されている。
【０００４】
そして、電子部品が例えば圧電振動子の場合には、絶縁基体の凹部の底面に形成された段差部に圧電振動子の一端を導電性ポリイミド樹脂等から成る接着材を介して接着固定するとともに圧電振動子の各電極をメタライズ配線層に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体を低融点ガラスから成る封止材を介して接合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に圧電振動子を気密に収容することによって最終製品としての電子装置と成る。
【０００５】
なお、この電子装置に使用される導電性ポリイミド樹脂等から成る接着材は耐熱温度に制限があり、300 ℃以下の温度であれば接着固定が確実に行われることから、絶縁基体に蓋体を接合させる軟化溶融温度が300 ℃以下の封止材として、第１領域の上下に第２領域を配した３層構造を有しており、その第１領域および第２領域が酸化鉛50〜65重量％、酸化ホウ素２〜10重量％、フッ化鉛10〜30重量％、酸化亜鉛１〜６重量％、酸化ビスマス10〜20重量％のガラス成分と、チタン酸鉛系化合物のフィラーとから成り、第１領域のフィラー含有量は５〜25重量％、第２領域のフィラー含有量は26〜45重量％とした封止材や、酸化鉛50〜65重量％、酸化ホウ素２〜10重量％、フッ化鉛10〜30重量％、酸化亜鉛１〜６重量％、酸化ビスマス10〜20重量％のガラス成分と、チタン酸鉛系化合物のフィラーとから成り、絶縁基体および蓋体と接する領域のフィラー含有量は26〜45重量％、中央域のフィラー含有量は５〜25重量％とした封止材が提唱されている。
【０００６】
この封止材を用いた電子装置によれば、封止材の熱膨張係数は絶縁基体と蓋体の熱膨張係数に近似し、これによって封止材と絶縁基体および蓋体は強固に接合して容器の気密封止が完全となり、容器内部に収容する電子部品を長期間にわたり正常かつ安定に作動させることが可能となる。
【０００７】
また、絶縁基体と蓋体とから成る容器を最終的に気密封止する封止材の中央領域の軟化溶融温度が300 ℃以下であり低温であることから、絶縁基体と蓋体とを封止材を介して接合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器の内部に電子部品を気密に収容する際、封止材を溶融させる熱が内部に収容する電子部品に作用しても電子部品の特性に劣化を招来することはなく、その結果、電子部品を長期間にわたり正常かつ安定に作動させることが可能となる。
【０００８】
さらにまた、封止材を溶融させる熱によって、電子部品を絶縁基体の凹部の段差部へ接着固定する導電性ポリイミド樹脂等から成る接着材が劣化することもなく、これによって電子部品を絶縁基体の凹部の段差部へ接着材を介して極めて強固に接着固定することが可能となり、その結果、電子部品を常に安定に作動させることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の導電性ポリイミド樹脂等から成る接着材はその硬化後の硬度は高いが、落下の衝撃等による急激な力の作用に対しては脆いという性質を有していた。近時の電子装置においては携帯電話等の携帯端末機器用としての用途も増加し、携帯端末機器の落下の衝撃によって電子部品を絶縁基体の凹部の段差部へ接着固定する接着材の接着固定が破れ、その結果、電子部品を常にかつ安定に作動させることができなくなるという欠点を有していた。この欠点を解決するために、導電性ポリイミド樹脂等から成る接着材に較べて、その硬度は低いが弾力性を有しており落下の衝撃をより吸収するシリコン系樹脂から成る接着材を介して電子部品を絶縁基体へ接着固定することが求められてきている。
【００１０】
シリコン系樹脂から成る接着材はその耐熱温度が約280 ℃と低い温度であるのに対して、封止材を構成するガラスの軟化溶融温度は、一般に知られているように母材となるガラス成分の軟化溶融温度とガラスの強度や熱膨張係数の調整のために添加されるフィラーの添加量とによって決定され、フィラーの添加量が増加するに従って熱膨張係数は低下するが逆にガラスの軟化溶融温度は高くなる傾向にある。前記封止材はその最終的な接合にあずかる中央領域のガラスの熱膨張係数と軟化溶融温度との釣り合いを考慮してガラス成分にフィラーが５〜25重量％添加されており、この封止材の軟化溶融温度は300 ℃以下ではあるが実質的には290 〜300 ℃の軟化溶融温度となっていることから、その耐熱温度が約280 ℃と低い温度のシリコン系樹脂から成る接着材を使用できないという問題点を有していた。
【００１１】
また、近時の電子装置においては、携帯電話等の携帯端末機器用として小型化、特に薄型化の要求が求められているが、この300 ℃以下の軟化溶融温度を有する封止材は、最終的な接合にあずかる中央領域のガラスがそのガラス成分にフィラーを５〜25重量％添加されていることから、この中央領域の厚みを中央領域のガラスの流動性を発現させるために10〜100 μｍ、通常は50μｍ程度の厚みとする必要があり電子装置を薄型化することが困難となり、小型化が要求される携帯電話等の携帯端末機器に搭載できないという問題点を有していた。
【００１２】
本発明は、上記問題点に鑑み案出されたもので、その目的は電子装置に落下による衝撃が加わったとしても絶縁基体の凹部の段差部に接着固定された電子部品が安定確実に接着固定され、その結果、電子部品に特性の劣化を招来することなく長期間にわたり正常かつ安定に作動させることができ、さらに容器を小型化できる電子装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、絶縁基体と蓋体とを封止材を介して接合させ、前記絶縁基体と前記蓋体とから成る容器内部に電子部品を気密に収容した電子装置であって、前記電子部品はシリコン系樹脂から成る接着材を介して容器内部に接着固定されているとともに、前記封止材は厚みが１μｍ〜10μｍの第１領域の上下に第２領域を配した構造を有しており、第１領域は酸化鉛50〜65重量％、酸化ホウ素２〜10重量％、フッ化鉛10〜30重量％、酸化亜鉛１〜６重量％、酸化ビスマス10〜20重量％のガラス成分のみから成り、前記第２領域には前記ガラス成分に26〜45重量％のチタン酸鉛系化合物のフィラーが含有されているとともに、前記ガラス成分の軟化溶融温度は前記接着材の耐熱温度よりも低いことを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の電子装置によれば、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に電子部品をシリコン系樹脂から成る接着材を介して接着固定したことから、携帯端末機器の落下の衝撃が電子部品に加わったとしても、シリコン系樹脂から成る接着材が弾力性を有しており落下の衝撃を吸収することから、電子部品を絶縁基体へ接着固定するシリコン系樹脂から成る接着材の接着固定が破れることはなく、その結果、電子装置を常にかつ安定に作動させることができる。
【００１５】
また、本発明の電子装置によれば、絶縁基体と蓋体とから成る容器を最終的に気密封止する封止材の中央領域の軟化溶融温度が280 ℃以下であり低温であることから、絶縁基体と蓋体とを封止材を介して接合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器の内部に電子部品を気密に収容する際、封止材を溶融させる熱によって電子部品を絶縁基体の凹部の段差部へ接着固定するその耐熱温度が約280 ℃のシリコン系樹脂から成る接着材が劣化することはなく、これによって携帯端末機器の落下の衝撃が電子部品に加わったとしても電子部品を絶縁基体の凹部の段差部へ接着材を介して極めて強固に接着固定することができ、その結果、電子装置を常に安定に作動させることが可能となる。
【００１６】
さらに、本発明の電子装置によれば、封止材の絶縁基体と蓋体とに接する領域の熱膨張係数が絶縁基体と蓋体の熱膨張係数に近似し、これによって封止材と絶縁基体および蓋体とは強固に接合して容器の気密封止が完全となり、容器の内部に収容する電子部品を長期間にわたり正常かつ安定に作動させることが可能となる。
【００１７】
また同時に、本発明の電子装置によれば、絶縁基体と蓋体とから成る容器を最終的に気密封止する封止材の第１領域の厚みが１μｍ〜10μｍと薄いことから、封止材の第１領域と第２領域との熱膨張係数の差による内在応力が発生したとしてもその内在応力は小さなものと成り、絶縁基体と蓋体とを封止材を介して強固に接合させることが可能となり、容器の気密封止を完全となし容器の内部に収容する電子部品を長期間にわたり正常にかつ安定に作動させることが可能となる。
【００１８】
また同時に絶縁基体と蓋体とから成る容器を最終的に気密封止する封止材の第１領域の厚みが１μｍ〜10μｍと薄いことから電子装置の薄型化が可能となり、小型化が要求される携帯電話等の携帯端末に搭載することも可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
次に本発明を添付の図面に基づき詳細に説明する。
【００２０】
図１は本発明の電子装置の実施の形態の一例を示す断面図、図２はその要部拡大断面図であり、これらの図においては電子部品が水晶振動子等の圧電振動子であり、電子装置が圧電装置である場合の例を示している。
【００２１】
これらの図において、１は絶縁基体、２は蓋体である。この絶縁基体１と蓋体２とで圧電振動子３を収容するための容器４が構成される。
【００２２】
絶縁基体１は、その上面の略中央部に圧電振動子３を収容する空所を形成するための凹部1aが設けてあり、凹部1aの段差部には圧電振動子３が導電性シリコン樹脂５から成る接着材を介して接着固定される。
【００２３】
絶縁基体１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダ、溶剤、可塑剤、分散剤等を添加混合して泥漿物を作り、この泥漿物を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート成形法を採用しシート状に成形してセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる後、それらセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、約1600℃の高温で焼成することによって製作される。
【００２４】
また絶縁基体１には、凹部1aの段差部周辺から下面にかけてメタライズ配線層６が被着形成されており、このメタライズ配線層６の段差部周辺には圧電振動子３が導電性シリコン樹脂５を介して電気的に接続され、またメタライズ配線層６の絶縁基体１の下面に導出した部位は外部電気回路基板（不図示）の配線導体に半田等を介して電気的に接続される。
【００２５】
メタライズ配線層６はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒、可塑剤等を添加混合して得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用して絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに予め印刷塗布しておき、これをセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって絶縁基体１の凹部１ａ周辺から下面にかけて所定パターンに被着形成される。
【００２６】
なお、メタライズ配線層６はその表面にニッケル、金等の良導電性で耐蝕性およびロウ材との濡れ性が良好な金属をメッキ法により１〜20μｍの厚みに被着させておくと、メタライズ配線層６の酸化腐蝕を有効に防止することができるとともにメタライズ配線層６と外部電気回路基板の配線導体との接続を強固なものとなすことができる。従って、メタライズ配線層６の酸化腐蝕を防止し、メタライズ配線層６と外部電気回路基板の配線導体との接続を強固なものとなすには、メタライズ配線層６の表面にニッケル、金等をメッキ法により１〜20μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
【００２７】
さらに絶縁基体１はその上面に蓋体２が封止材７を介して接合され、これによって絶縁基体１と蓋体２とから成る容器４の内部に圧電振動子３が気密に収容される。
【００２８】
蓋体２は絶縁基体１に設けた凹部1aを塞ぐ作用をなし、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体、炭化珪素質焼結体、ムライト質焼結体等の電気絶縁材料や鉄−ニッケル−コバルト合金、鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、窒化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末を所定のプレス金型内に充填するとともに一定圧力で押圧して成形し、しかる後、この成形品を約1500℃の温度で焼成することによって製作される。また、鉄−ニッケル−コバルト合金から成る場合、そのインゴット（塊）に圧延加工法や打抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に形成される。
【００２９】
導電性シリコン樹脂５から成る接着材は弾力性を有しており、携帯端末機器の落下の衝撃が圧電振動子３に加わったとしてもその衝撃を吸収することから、圧電振動子３を絶縁基体１へ接着固定する導電性シリコン樹脂５から成る接着材の接着固定が破れることはなく、その結果、圧電振動子３を常にかつ安定に作動させることができる。
【００３０】
封止材７は図２に示すように第１領域7aの上下に第２領域7bを配した３層構造を有しており、第１領域7aは絶縁基体１と蓋体２とから成る容器４の気密封止の温度を低下させる作用をなす。
【００３１】
第１領域7aと第２領域7bとから成る封止材７は第２領域7bを絶縁基体１および蓋体２の各々の対向面に予め被着させておき、しかる後、絶縁基体１および蓋体２の各々に被着されている第２領域7bを第１部材7aで接合することによって絶縁基体１と蓋体２とを接合し、容器４の内部を気密に封止する。
【００３２】
封止材７を構成する第１領域7aは酸化鉛50〜65重量％、酸化ホウ素２〜10重量％、フッ化鉛10〜30重量％、酸化亜鉛１〜６重量％、酸化ビスマス10〜20重量％のガラス成分のみから成り、第２領域7bは前記ガラス成分にチタン酸鉛系化合物のフィラーが26〜45重量％含有されているとともに、前記ガラス成分の軟化溶融温度は、圧電振動子３を接着固定している前記接着材の耐熱温度よりも低い。
【００３３】
封止材７の第１領域7aと第２領域7bとは各々が同じガラス成分を有しており、ガラス成分が同じであるため、容器４を気密に封止する際、第１領域7aと第２領域7bとは極めて強固に接合することとなる。
【００３４】
封止材７のガラス成分の軟化溶融温度は280 ℃以下と低く第１領域7aが前記ガラス成分のみで形成されていることから、絶縁基体１と蓋体２とを接合させ容器４を気密に封止する際の温度を低温となすことができ、その結果、圧電振動子３が絶縁基体１の凹部１ａの段差部に耐熱温度が280 ℃以下と耐熱温度の低い導電性シリコン樹脂５から成る接着材を介して接着固定されていても、導電性シリコン樹脂５は封止材７の第１領域7aの軟化溶融温度が280 ℃以下と低いことから第１領域7aを軟化溶融させる熱によって特性が大きく劣化することはなく、これによって圧電振動子３を絶縁基体１の凹部１ａ段差部に極めて強固に接着固定しておくことが可能となり、圧電振動子３を常に安定に作動させることができる。
【００３５】
なお、封止材７のガラス成分は、酸化鉛の量が50重量％未満であるとガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封止する際の熱によって圧電振動子３の特性に劣化を招来してしまう傾向がある。他方、65重量％を超えるとガラスの耐薬品性が低下し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下してしまう傾向がある。従って、酸化鉛の量は50〜65重量％の範囲に特定される。
【００３６】
また酸化ホウ素の量は２重量％未満であるとガラスの結晶化が進んで流動性が低下し、容器４の気密封止が困難となってしまう傾向がある。他方、10重量％を超えるとガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密に封止する際の熱によって圧電振動子３の特性に劣化を招来してしまう傾向がある。従って、酸化ホウ素の量は２〜10重量％の範囲に特定される。
【００３７】
フッ化鉛の量は10重量％未満であるとガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封止する際の熱によって圧電振動子３の特性に劣化を招来してしまう傾向がある。他方、30重量％を超えるとガラスの耐薬品性が低下し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下してしまう傾向がある。従って、フッ化鉛の量は10〜30重量％の範囲に特定される。
【００３８】
酸化亜鉛の量は１重量％未満であるとガラスの耐薬品性が低下し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下してしまう傾向がある。他方、６重量％を超えるとガラスの結晶化が進んで流動性が大きく低下し、容器４の気密封止が困難となってしまう傾向がある。従って、酸化亜鉛の量は１〜６重量％の範囲に特定される。
【００３９】
酸化ビスマスの量は10重量％未満であるとガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封止する際の熱によって圧電振動子３の特性に劣化を招来してしまう傾向がある。他方、20重量％を超えるとガラスの結晶化が進んで流動性が大きく低下し、容器４の気密封止が困難となってしまう傾向がある。従って、酸化ビスマスの量は10〜20重量％の範囲に特定される。
【００４０】
さらに封止材７は第１領域7aの厚みが１μｍ未満であると第１領域7aの流動性が低下し容器４の気密封止の信頼性が低下する傾向にあり、また10μｍを超えると封止材７の第１領域7aと第２領域7bとの熱膨張係数の差により発生する内在応力が大きなものとなり、封止材７の第１領域7aと第２領域7bとの接合が脆弱となり、さらには第１領域7aと第２領域7bとの接合部にクラックが入ったりし、容器４の気密封止の信頼性が低下する傾向にある。従って、容器４の気密封止の信頼性を極めて高いものとするには封止材７の第１領域7aの厚さは１〜10μｍの範囲に限定される。
【００４１】
封止材７の第２領域7bは第１領域7aの流動性を向上させるとともに、絶縁基体１および蓋体２と強固に接合して容器４の気密封止を完全となす作用をなし、封止材７の第２領域7bには前述のガラス成分にチタン酸鉛系化合物から成るフィラーが26〜45重量％含有されている。
【００４２】
チタン酸鉛系化合物から成るフィラーは第２領域7bの熱膨張係数を調整し、絶縁基体１及び蓋体２に封止材７を強固に接合させ、容器４の気密封止の信頼性を大きく向上させるとともに第２領域7bの機械的強度を向上させる作用をなす。第２領域7bにおけるフィラーの含有量が26重量％未満であると第２領域7bの機械的強度が低下するとともに第２領域7bの熱膨張係数が絶縁基体１および蓋体２の熱膨張係数に対し大きく相違して、第２領域7bを絶縁基体１および蓋体２に強固に接合させることができなくなる傾向にある。他方、45重量％を超えると第２領域7bの熱膨張係数が第１領域7aの熱膨張係数に対して大きく相違して両部材間の接合の信頼性が低下してしまう傾向にある。従って、第２領域7bに含有されるフィラーの量は26〜45重量％の範囲に限定される。
【００４３】
また、封止材７はガラス成分とフィラーとから成り、耐湿性に優れていることから大気中に含まれる水分が封止材７を介して容器４の内部に侵入しようとしてもその水分の侵入は有効に阻止され、その結果、容器４の内部に収容する圧電振動子３の表面電極が酸化腐蝕されることは殆どなく、圧電振動子３を正常に作動させることも可能となる。
【００４４】
かくして本発明の圧電装置によれば絶縁基体１の凹部1aに設けた段差部に圧電振動子３の一端を導電性シリコン樹脂５から成る接着材を介して接着固定するとともに圧電振動子３の各電極をメタライズ配線層６に電気的に接続させ、しかる後、絶縁基体１の上面に凹部1aを覆うように蓋体２を封止材７を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体２とからなる容器４の内部に圧電振動子３を気密に収容することによって最終製品としての圧電装置が完成する。
【００４５】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば上述の例ではセラミックスから成る絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に圧電振動子を収容したが、容器内部に収容される電子部品は、圧電振動子に限らず、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品であってもよい。
【００４６】
【発明の効果】
本発明の電子装置によれば、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に電子部品をシリコン系樹脂から成る接着材を介して接着固定したことから、携帯端末機器の落下の衝撃が電子部品に加わったとしても、シリコン系樹脂から成る接着材が弾力性を有しており落下の衝撃を吸収することから、電子部品を絶縁基体へ接着固定するシリコン系樹脂から成る接着材の接着固定が破れることはなく、その結果、電子装置を常にかつ安定に作動させることができる。
【００４７】
また、本発明の電子装置によれば、絶縁基体と蓋体とから成る容器を最終的に気密封止する封止材の中央領域の軟化溶融温度が280 ℃以下であり低温であることから、絶縁基体と蓋体とを封止材を介して接合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器の内部に電子部品を気密に収容する際、封止材を溶融させる熱によって電子部品を絶縁基体の凹部の段差部へ接着固定するその耐熱温度が約280 ℃のシリコン系樹脂から成る接着材が劣化することはなく、これによって携帯端末機器の落下の衝撃が電子部品に加わったとしても電子部品を絶縁基体の凹部の段差部へ接着材を介して極めて強固に接着固定することができ、その結果、電子装置を常に安定に作動させることが可能となる。
【００４８】
さらに、本発明の電子装置によれば、封止材の絶縁基体と蓋体とに接する領域の熱膨張係数が絶縁基体と蓋体の熱膨張係数に近似し、これによって封止材と絶縁基体および蓋体とは強固に接合して容器の気密封止が完全となり、容器の内部に収容する電子部品を長期間にわたり正常かつ安定に作動させることが可能となる。
【００４９】
また同時に、本発明の電子装置によれば、絶縁基体と蓋体とから成る容器を最終的に気密封止する封止材の第１領域の厚みが１μｍ〜10μｍと薄いことから、封止材の第１領域と第２領域との熱膨張係数の差による内在応力が発生したとしてもその内在応力は小さなものと成り、絶縁基体と蓋体とを封止材を介して強固に接合させることが可能となり、容器の気密封止を完全となし容器の内部に収容する電子部品を長期間にわたり正常にかつ安定に作動させることが可能となる。
【００５０】
また同時に絶縁基体と蓋体とから成る容器を最終的に気密封止する封止材の第１領域の厚みが１μｍ〜10μｍと薄いことから電子装置の薄型化が可能となり、小型化が要求される携帯電話等の携帯端末に搭載することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子装置の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す電子装置の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１ ・・・・・・絶縁基体
２ ・・・・・・蓋体
３ ・・・・・・圧電振動子（電子部品）
４ ・・・・・・容器
５ ・・・・・・導電性シリコン樹脂
６ ・・・・・・メタライズ配線層
７ ・・・・・・封止材
7a ・・・・・・第１領域
7b ・・・・・・第２領域

Claims (1)

1. 絶縁基体と蓋体とを封止材を介して接合させ、前記絶縁基体と前記蓋体とから成る容器内部に電子部品を気密に収容した電子装置であって、前記電子部品はシリコン系樹脂から成る接着材を介して容器内部に接着固定されているとともに、前記封止材は厚みが１μｍ〜１０μｍの第１領域の上下に第２領域を配した構造を有しており、該第１領域は酸化鉛５０〜６５重量％、酸化ホウ素２〜１０重量％、フッ化鉛１０〜３０重量％、酸化亜鉛１〜６重量％、酸化ビスマス１０〜２０重量％のガラス成分のみから成り、前記第２領域には前記ガラス成分に２６〜４５重量％のチタン酸鉛系化合物のフィラーが含有されているとともに、前記ガラス成分の軟化溶融温度は前記接着材の耐熱温度よりも低いことを特徴とする電子装置。

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