JP4044769B2 - 半導体装置用基板及びその製造方法及び半導体パッケージ - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置用基板に係り、特にシリコン基板上に微細配線が形成された半導体装置用基板及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の高密度化に伴って実装端子のピッチは狭まっている。しかし、半導体装置が実装される回路基板の接続端子パッドは、半導体装置の実装端子より大きなピッチで形成されため、半導体装置そのままでは、回路基板に実装することが困難となる。
【0003】
そこで、半導体装置をインターポーザと呼ばれる基板上に搭載し、インターポーザを介して半導体装置を回路基板に実装することが行われている。すなわち、半導体装置の電極配列をインターポーザにより配列しなおしてピッチの広い実装端子を形成することにより、回路基板上の接続端子パッドのピッチに合わせている。
【0004】
上述のような半導体装置用基板(インターポーザ)は、一般的に多層構造を有し、半導体装置が搭載される面から反対側の面(実装端子が形成される面)まで貫通して延在する導電体を有する。一般的には、インターポーザは有機微細基板を使用することが多いが、より微細な配線を得るためには、シリコン基板を使用することも多い。多層構造はシリコン基板の上に絶縁層と導電層を積み重ねて形成される。絶縁層を貫通する導電体は、一般的にビルドアップ基板のビアホールのようなメッキを施したスルーホールにより容易に形成することができるが、シリコン基板は、インターポーザ単体としての強度を維持するように、比較的厚さが大きい。したがって、微細ピッチで厚み方向に貫通して延在した導電体を形成するためには特別な製造工程が必要となる。
【0005】
シリコン基板を貫通して延在する導電体を形成する一つの方法として、以下のような方法がある。
【0006】
まず、厚いシリコン基板を用意し、シリコン基板に実装端子と同じ配列で細い円柱状の穴を形成する。この円柱状の穴は、ブラインドビアと称されるようなシリコン基板の途中まで延在した穴である。このような穴の内面に絶縁膜を形成した後、電解メッキやメタルペースト埋め込み等で穴の中に金属を埋め込む。この埋め込まれた金属が、最終的にシリコン基板を貫通した導電体となり、その先端部分が回路基板に対する実装端子として機能する。
【0007】
穴に金属を埋め込んだ後に、シリコン基板の上面に配線層を形成する。シリコン基板の穴に埋め込まれた金属と配線層の上面に形成された電極パッドとはヴィアホール等で電気的に接続される。この電極パッドに半導体装置の電極が接続されることとなる。
【0008】
シリコン基板の上面に配線層が形成された後、シリコン基板の裏面を研削(バックグラインド)やエッチングすることにより、シリコン基板の穴に埋め込まれた金属の先端を露出させる。この際、シリコン基板の裏面側を穴に埋め込まれた金属の先端が削られる直前まで研削し、その後、エッチングにより選択的にシリコン基板のみ除去することにより、金属の先端をシリコン基板の裏面から突出させる。この突出部が実装端子として機能し、半導体装置用基板(インターポーザ)に搭載れた半導体装置を回路基板にフリップチップ実装することが可能となる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上述のインターポーザの製造方法では、シリコン基板に対して狭いピッチで互いに並行な多数の深い円柱状の穴を形成する必要がある。このような深い穴をシリコン基板に形成するには、例えばリアクティブイオンエッチング(ICP−RIE)のような特殊なドライエッチングを用いなければならない。リアクティブイオンエッチングは通常の当該半導体装置製造工程(インターポーザなどの実装基板)では使用することはなく、特殊で高価な装置及び処理工程を必要とする。したがって、その分半導体装置用基板(インターポーザ)の製造コストが上昇してしまう。
【0010】
また、シリコン基板中の深い穴に金属を埋め込む工程が必要であるが、深い穴に隙間や空隙なく金属を埋め込むことは難しく、例えばメッキ法により金属を充填する場合には、長い処理時間を必要とする。
【0011】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、特殊な加工工程を用いずに安価且つ容易に製造することができ、狭ピッチの微細端子を有する半導体装置用基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【0013】
請求項1記載の発明は、半導体装置用基板であって、シリコン基板と、該シリコン基板の第1の面と第2の面との間を貫通して延在し、先端が該第1及び第2の面のいずれか一方から突出した角錐形状の実装端子と、前記シリコン基板の第1の面に形成され、該実装端子に電気的に接続された導電層を含む配線層とよりなり、該実装端子と該シリコン基板との間にシリコン酸化膜よりなる絶縁膜が介在することを特徴とするものである。
【0014】
請求項1記載の発明によれば、例えば特殊な処理装置を必要としないエッチングによりシリコン基板に対して角錐形状の凹部を容易に形成することができるため、このような凹部を利用して角錐形状の実装端子を容易に製造することができる。また、実装端子の先端が角錐形状の頂点であるため、実装端子を接続する相手側に実装端子の先端を食い込ませることができ、良好な電気的接触を得ることができる。
【0016】
また、請求項記載の発明によれば、シリコン酸化膜により実装端子とシリコン基板との間を絶縁することができる。
【0017】
請求項記載の発明は、請求項1記載の半導体装置用基板であって、前記シリコン基板の第2の面は有機絶縁膜よりなる絶縁層で被覆されていることを特徴とするものである。
【0018】
請求項記載の発明によれば、実装端子とシリコン基板の第2の面との間を確実に絶縁することができる。
【0019】
請求項記載の発明は、請求項1記載の半導体装置用基板であって、前記実装端子の角錐形状は、シリコン基板の結晶面により画成される形状であることを特徴とするものである。
【0020】
請求項記載の発明によれば、シリコン基板の結晶面のエッチングレートの差により容易に四角錐形状の凹部をシリコン基板中に形成することができ、したがって、四角錐形状の実装端子を容易に形成することができる。
【0021】
請求項記載の発明は、半導体装置用基板の製造方法であって、シリコン基板の第1の面に角錐形状の凹部を形成する凹部形成工程と、該シリコン基板の第1の面と前記凹部の内面に絶縁膜を形成する絶縁工程と、実装端子となる導電層を前記凹部内に形成する端子形成工程と、前記凹部内の導電層に電気的に接続した導電層を含む配線層を前記シリコン基板の第1の面に形成する配線層形成工程と、前記シリコン基板を前記第1の面とは反対側の第2の面側から除去し、前記凹部内に形成した導電層の一部を突出した状態で露出させる除去工程とを有することを特徴とするものである。
【0022】
請求項記載の発明によれば、例えば特殊な処理装置を必要としないエッチングによりシリコン基板に対して角錐形状の凹部を容易に形成することができるため、このような凹部を利用して角錐形状の実装端子を容易に製造することができる。また、実装端子の先端が角錐形状の頂点であるため、実装端子を接続する相手側に実装端子の先端を食い込ませることができ、良好な電気的接触を得ることができる。
【0023】
請求項記載の発明は、請求項記載の半導体装置用基板の製造方法であって、前記凹部形成工程は、前記シリコン基板の所定の部位を異方性エッチングにより角錐形状に除去する工程を含むことを特徴とするものである。
【0024】
請求項記載の発明によれば、異方性エッチングを用いることにより角錐形状の凹部を容易に形成することができる。
【0025】
請求項記載の発明は、請求項記載の半導体装置用基板であって、前記除去工程は、前記シリコン基板の第2の面を研削する第1の工程と、該第1の工程の後に研削面を更にエッチングにより除去して前記実装基板の先端を突出させる第2の工程とを含むことを特徴とするものである。
【0026】
請求項記載の発明によれば、実装端子の頂部の僅か手前まで研削によりシリコン基板を除去し、その後、エッチングによりシリコン基板のみを除去して実装端子の頂部を露出させることができ、短時間で実装端子を露出させることができる。
【0027】
請求項記載の発明は、半導体パッケージであって、請求項1乃至4のうちいずれか一項記載の半導体装置用基板と、電極パッドに金属バンプが設けられた半導体素子とを有する半導体パッケージであって、前記半導体装置用基板の前記実装端子の先端は前記シリコン基板の前記第2面より突出し、前記半導体素子の金属バンプに食い込んだ状態で接続されたことを特徴とするものである。
【0028】
請求項記載の発明によれば、半導体装置用基板の実装端子と半導体との間で良好な電気的接触を達成することができる。
【0029】
請求項記載の発明は、半導体パッケージであって、請求項1乃至のうちいずれか一項記載の半導体装置用基板と、電極パッドに金属バンプが設けられた半導体素子とを有する半導体パッケージであって、前記半導体素子は、前記半導体装置用基板の前記配線層上に搭載され、前記シリコン基板の前記第2面より突出した角錐形状の前記実装端子を外部接続端子として用いたことを特徴とするものである。
【0030】
請求項記載の発明によれば、半導体パッケージの外部接続端子は角錐形状となるので、半導体パッケージを回路基板に実装する際に良好な電気的接続を得ることができる。
【0031】
請求項記載の発明は、半導体パッケージであって、請求項1乃至のうちいずれか一項記載の半導体装置用基板の第1の面側に半導体素子を搭載し、該第1の面とは反対側の第2の面側にパッケージ基板を接続し、前記半導体素子と前記パッケージ基板とを前記半導体装置用基板を介して電気的に接続したことを特徴とするものである。
【0032】
請求項記載の発明によれば、請求項1乃至のうちいずれか一項記載の半導体装置用基板は、微細構造とすることが容易であるため、パッケージ基板を微細構造としなくても、微細構造を有する半導体素子をパッケージ基板に搭載することができ、容易に半導体パッケージを形成することができる。
【0033】
図1に示すインターポーザ1は、シリコン基板2と、シリコン基板2の上面に形成された多層配線層4と、シリコン基板2の下面から突出した複数の実装端子6とよりなる。インターポーザ1の配線層4の上側に半導体素子が搭載され、半導体パッケージが形成される。シリコン基板2の下面から突出した実装端子6を介して、半導体パッケージは回路基板にフリップチップ実装される。
【0034】
実装端子6は導電層により形成されており、その外形は例えば図2に示すようなピラミッド形状のような角錐形状である。角錐形状の頂部がシリコン基板2の下面から突出している。実装端子6の形成方法については後から詳述するが、実装端子6は図3に示すようにシリコン基板2を(100)面側からエッチングして(111)面と他の面のエッチングレートの相違により得られる凹部の形状(逆ピラミッドのような角錐形状)に対応した形状である。
【0035】
シリコン基板2の上面側に形成される多層配線層4は、配線パターンとし形成される導電層8−1,8−2,8−3と、導電層間を絶縁する絶縁層10−1,10−2,10−3,10−4とを含む多層構造である。導電層8−1,8−2,8−3及び実装端子6の根元部分から延在する導電層6−1は、ビア12により接続される。これにより、最上層の導電層8−3に形成された接続パッド14は、対応する実装端子6に電気的に接続される。なお、上述の多層配線層4の多層配線構造は既存の有機微細基板の多層配線構造と同様であり、その詳細な説明は省略する。
【0036】
また、シリコン基板2の上面及び実装端子が形成される凹部の内面には、絶縁層としてシリコン酸化膜16が形成される。また、シリコン基板2の下面にも絶縁膜としてシリコン酸化膜18が形成される。なお、シリコン酸化膜の代わりに有機絶縁膜を形成してもよい。
【0037】
なお、本実施例において、シリコン基板2の厚みは例えば30μm程度であり、実装端子6を構成する導電層の厚みは5μm以上である。また、実装端子6のピッチは200μm程度(150μm)であり、実装端子6の先端がシリコン基板の裏面から突出する距離は40μm程度である。
【0038】
次に、本実施例によるインターポーザ1の製造方法について、図4及図5を参照しながら説明する。図4はインターポーザ1の製造工程を説明するための図であり、図5は図4に示す工程に対応したインターポ−ザ1の製造途中の断面図である。
【0039】
まず、シリコン酸化膜を有する厚さ650μm程度のシリコン基板2を準備し、工程1において、シリコン基板2の表面(上面)にレジスト層を形成し、レジスト層をパターン化することにより、実装端子6が内部に形成される凹部2aの形状に対応した開口を形成する。次に、工程2において、40%KOH溶液などのエッチャントを用いてシリコン基板2をエッチングし、凹部2aを形成する(図5(a)参照)。本実施例では、表面が結晶面(001)に沿ったシリコン基板2が用いられる。したがって、シリコン基板2を表面側からエッチングすると、シリコン基板の結晶面(111)と他の方位面とのエッチングレートの差(例えば(110):(111)=180:1)により、逆ピラミッド型の凹部2aが形成される。
【0040】
次に、工程3においてレジストを除去、工程4においてシリコン基板2の表面に絶縁層として酸化シリコン(SiO)膜を形成する。酸化シリコン膜は熱処理により形成されるため、シリコン基板2の表面、凹部2aの内面及びシリコン基板2の裏面を含む面全体に酸化シリコン膜が形成される。この酸化シリコン膜の形成はCVDにより行うこともできる。続いて、工程5において、シリコン基板2の表面及び凹部2aの内面に形成された酸化シリコン膜の上に、スパッタリングあるいは無電解メッキにより例えば厚さ1μm以下のシードメタル層を形成する(図5(b)参照)。シードメタル層はクロム(Cr)又はチタン(Ti)のスパッタリングで形成することが好ましい。
【0041】
次に、工程6において、シードメタル層の上にレジスト層を形成し、実装端子6及び導電層6−1が形成される形状となるようにレジスト層をパターン化する。そして、工程7において、シードメタル層上に金属よりなる導電層を形成する。本実施例では、Cu電解メッキにより銅よりなる導電層を形成する(図4(c)参照)。この導電層が実装端子6及び導電層6−1に相当し、導電層の厚みは例えば5μm程度である。導電層は凹部2aの内面に沿って形成されるため、実装端子6の外形はピラミッド状となる。
【0042】
次に、工程8においてレジストを除去し、工程9において、除去したレジストの下にあったシードメタル層をエッチングにより除去する。シードメタル層は厚みが小さいため、ライトエッチングでよい。そして、工程10において、シリコン基板2の表面側に絶縁層10−1を形成して、ビア12を形成する位置に貫通孔を形成する(図5(e)参照)。絶縁層10−1は、例えばポリイミドあるいはベンゾシクロブテン(BCB)をスピンコーティングすることにより形成する。
【0043】
次に、工程11において、絶縁層10−1上にシードメタル層をスパッタリングにより形成し、工程12においてシードメタル層上にレジスト層を形成してパターン化し、工程13において配線パターンに相当する導電層8−1を金属メッキ(銅電解メッキ)により形成する。この際、導電層8−1と導電層6−1とを電気的に接続するビア12も同時に形成する。そして工程14においてレジストを除去し、工程15においてシードメタルをエッチングする(図5(f)参照)。
【0044】
上述の工程10から工程15までを繰り返すことにより、多層配線層4を形成する(図5(g)参照)。必要な多層構造を形成した後、工程16において最上層(本実施例の場合導電層8−3に形成された接続パッド14にニッケルメッキ及び金メッキを施す。
【0045】
次に、工程17において、シリコン基板2の裏面側を砥粒や砥石を用いて研削する(バックグラインド)。この際、シリコン基板2の中に形成された実装端子6の頂部の僅かに手前まで研削を行う。そして、工程18において、プラズマガスによるドライエッチングによりシリコン基板2やシリコン酸化膜のみを選択的に除去し、実装端子6の頂部を僅かに露出させる(図5(h)参照)。この際、実装端子6の頂部に付着しているシリコン酸化膜(工程4において形成したもの)も同時に除去される。また、シリコン基板2の厚みは最終的に30μm程度となる。そして、工程19において、シリコン基板の裏面にCVDによりシリコン酸化膜18を絶縁膜として形成する。
【0046】
以上の工程では、ウェハ状のシリコン基板2に複数のインターポーザ1を一括して形成するため、最後に工程20においてシリコン基板2(インターポーザ)をダイシングして個片化することにより図1に示すインターポーザ1が完成する。
【0047】
ここで、工程19においてシリコン酸化膜18を形成せずに、図6(a)に示すように、シリコン基板2の裏面が露出した状態としておいてもよい。工程19において絶縁膜を形成する理由は、実装端子6の露出した頂部とシリコン基板の2の裏面との間で短絡しないようにするためである。しかし、実装端子とシリコン基板2との間には、絶縁層としてシリコン酸化膜16が介在しているため、シリコン基板の裏面を絶縁層で覆わなくてもある程度の絶縁性は保たれる。また、図6(b)に示すように、シリコン酸化膜18の代わりに有機絶縁膜18Aをスピンコート法などにより形成してもよい。
【0048】
次に上述のインターポーザ1を用いて半導体パッケージを形成する例について説明する。
【0049】
図7はインターポーザ1の実装端子6に対して半導体装置を実装して形成した半導体パッケージの断面図である。半導体素子20の電極端子20aにハンダボール22を形成しておき、ハンダバンプ22をインターポーザ1の実装端子6に接合する。実装端子は角錐の頂部であり、尖っているため、ハンダバンプ22を押し付けるだけでハンダバンプ22に食い込ませることができ、良好な電気的接触が得られる。なお、ハンダバンプの代わりに金バンプ等を用いてもよい。この状態でアンダーフィル材24をインターポーザ1と半導体素子20との間に充填してインターポーザ1と半導体素子20とを固定する。
【0050】
また、図8に示すように、実装端子6を半導体素子20の電極パッド20aに直接接続することとしてもよい。この場合は、電極表面のメタル(実装端子6)に柔らかな金属膜を使用し、電極パッド20aと接触させた上で、アンダーフィル等により固定する。
この場合でも、先端の尖った実装端子6の作用により、実装端子6と電極パッド20aとの間で良好な電気的な接触が得られる。
【0051】
さらに、図7及び図8に示す半導体パッケージを更にパッケージ基板30に搭載して半導体パッケージとすることもできる。図9は図7の半導体パッケージを更にパッケージ基板30に搭載して形成した半導体パッケージの断面図である。パッケージ基板30としては、ガラスセラミック基板、アルミナ基板、ビルドアップ基板、FR−4基板、BT基板などの有機基板等の様々な基板を使用することができる。また、中継基板としてのインターポーザ1がパッケージ基板30に実装された後、インターポーザ1とパッケージ基板30の間にアンダーフィル材28を充填することにより、インターポーザ1を含む半導体パッケージはパッケージ基板30に対して固定される。図9に示すように、インターポーザ1を中継基板として用いることにより、半導体素子の電極パッド数が多く、微細化された場合であっても、パッケージ基板側に微細な配線を施すことなく、中継基板側のみの対応で半導体パッケージを構成することができる。
【0052】
図10はインターポーザ1の接続パッド14側に半導体素子20をフリップチップ実装して形成した半導体パッケージの断面図である。半導体素子20の電極パッド20aとインターポーザ1の接続パッド14とは、ハンダボール26により接続される。ハンダボール26は、予め半導体素子20の電極パッド20aに設けられていてもよく、あるいはインターポーザ1の接続パッド14に設けられていてもよい。図10に示す半導体パッケージの場合、実装端子6を用いてマザーボード等の回路基板に実装されることとなる。
【0053】
図11はインターポーザ1の接続パッド14側に半導体素子20をワイヤボンディングして形成した半導体パッケージの断面図である。半導体素子20はフェイスアップの状態でインターポーザ1の多層配線層4の上に搭載され、銀ペースト32等で固定される。そして、半導体素子20の電極パッド20aとインターポーザ1の接続パッド14とは金ワイヤ34等のボンディングワイヤンにより電気的に接続される。半導体素子20及び金ワイヤ34はポティング封止樹脂36により封止されるが、トランスファモールド法による封止でもよい。なお、図10及び11は1つの素子を搭載した例を示すが、複数の素子を搭載してもよい。
【0054】
図12は図10に示す半導体パッケージを更にパッケージ基板30に搭載して形成した半導体パッケージの断面図である。図12に示す例では、インターポーザの実装端子6とパッケージ基板30の接続パッド30aとをハンダバンプ38を介して接続する。ハンダバンプ38は、予め実装端子6に設けることとしてもよく、またパッケージ基板30の接続パッド30aに設けることとしてもよい。また、ハンダバンプの代わりにAuバンプを用いてもよい。接続パッド30aに予めハンダバンプ38を設けておくことにより、実装端子6をハンダバンプに押圧して食い込ませるだけで十分な電気的接続を得ることができる。
【0055】
図13は図12に示す半導体パッケージにおいて、ハンダバンプを用いずに実装端子6をパッケージ基板30の接続パッド30aに直接接続して構成した半導体パッケージの断面図である。この場合、実装端子6の先端部分をパッケージ基板30の接続パッドを接触または食い込ませることにより、十分な電気的接続を得ることができる。
【0056】
次に、本発明の第2実施例による半導体装置用基板について図14及び図15を参照しながら説明する。図14は本発明の第2実施例によるインターポーザ40の拡大断面図である。図15は図14に示すインターポーザ40の製造途中の断面図である。図14及び図15において、図1に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【0057】
本発明の第2実施例によるインターポーザ40は、図1に示すインターポーザ1において、シリコン基板2の裏面側(実装端子6の先端が突出した側)に多層配線層4Aを形成した構成である。したがって、実装端子6は、その頂部が多層配線層4Aに対して突出した状態であり、シリコン基板2の凹部2aの内面に沿って形成された部分が、外部接続端子として機能する。
【0058】
図15に示す製造工程において、(a)〜(d)までは、図5に示す(a)〜(d)までの工程に略対応する。ただし、図15(c)において、実装端子6となる部分にのみ導電層が形成され、導電層6−1は形成されない。
【0059】
本実施例では、実装端子6をシリコン基板2上に形成した後に、図15(e)に示すように直ちにバックグラインド及びケミカルエッチングを行う。この工程は、図5(h)に示す工程と同様に行うことができる。これにより、実装端子の先端部分がシリコン基板2の裏面から突出した状態となる。次に、図15(f)に示すように、シリコン基板2の裏面に絶縁膜としてシリコン酸化膜18を形成する。シリコン酸化膜の代わりに有機絶縁膜を形成してもよい。
【0060】
続いて、図15(g)に示すように、シリコン基板の裏面にレジストを形成してパターン化したマスクを用いて導電層42を形成する。導電層42は実装端子6の先端部に接続したパターン配線として形成される。その後、図15(h)に示すように、多層配線層4Aを導電層42の上に形成して最上部に接続パッド14を形成し、図14に示すインターポーザ40が完成する。なお、図14に示す多層配線層4Aは3層構造であるが、図1に示す多層配線層4のように4層構造としてもよく、また、任意の数の層構造としてもよい。
【0061】
図16は図14に示すインターポーザの変形例であるインターポーザ40Aの断面図である。インターポーザ40Aでは、導電層42を形成せずに、多層配線層4A−1の導電層8−1と実装端子6とをビア12により接続している。
【0062】
図17は、図14に示すインターポーザ40を組み込んだ半導体パッケージの断面図である。半導体素子20はインターポーザ40を介してパッケージ基板30に搭載されている。すなわち、半導体素子20の電極パッド20aは、ハンダバンプ22によりインターポーザ40の接続パッド14に接続され、半導体素子20とインターポーザ40との間にアンダーフィル材24が充填され固定されている。また、インターポーザ40の実装端子6とパッケージ基板30の接続パッド30aとはハンダバンプ26を介して接続され、インターポーザ40とパッケージ基板30との間にアンダーフィル材28が充填されて固定されている。ハンダボールは実装端子6の角錐形状の内側に収容された状態であり、接触面積が大きく、確実な接触が得られる。
【0063】
上述の実施例では、インターポーザの基板としてシリコン基板を用い、エッチングにより四角錐形状の凹部を形成することにより、対応した四角錐形状の実装端子を形成しているが、本発明はシリコン基板に限ることなく、三角錐あるいは五角錐以上の角錐形状の凹部をエッチング等により容易に作成できる基板であれば使用することができる。また、凹部の形状は角錐形状に限ることなく、先端角度が比較的大きい円錐形状であってもよい。
【0064】
以上のように、本明細書は以下の発明を開示する。
【0065】
(付記1) シリコン基板と、
該シリコン基板の第1の面と第2の面との間を貫通して延在し、先端が該第1及び第2の面のいずれか一方から突出した角錐形状の実装端子と、
前記シリコン基板の第1の面に形成され、該実装端子に電気的に接続された導電層を含む配線層と
よりなることを特徴とする半導体装置用基板。
【0066】
(付記2) 付記1記載の半導体装置用基板であって、
前記実装端子と前記シリコン基板との間にシリコン酸化膜よりなる絶縁膜が介在することを特徴とする半導体装置用基板。
【0067】
(付記3) 付記1記載の半導体装置用基板であって、
前記シリコン基板の第2の面は有機絶縁膜よりなる絶縁層で被覆されていることを特徴とする半導体装置用基板。
【0068】
(付記4) 付記1記載の半導体装置用基板であって、
前記シリコン基板の第2の面は有機絶縁膜よりなる絶縁層で被覆されていることを特徴とする半導体装置用基板。
【0069】
(付記5) 付記1記載の半導体装置用基板であって、
前記配線層は、絶縁層と導電層とが交互に重なった多層構造を有することを特徴とする半導体装置用基板。
【0070】
(付記6) 付記1記載の半導体装置用基板であって、
前記実装端子の角錐形状は、シリコン基板の結晶面により画成される形状であることを特徴とする半導体装置用基板。
(付記7) 付記6記載の半導体装置用基板であって、
前記シリコン基板の第1及び第2の面は、実質的にシリコン結晶の(001)面に沿っていることを特徴とする半導体装置用基板。
【0071】
(付記8) 付記7記載の半導体装置用基板であって、
前記実装端子は角錐形状であることを特徴とする半導体装置用基板。
【0072】
(付記9) 付記1記載の半導体装置用基板であって、
前記実装基板の先端は前記シリコン基板の第2の面から突出することを特徴とする半導体装置用基板。
【0073】
(付記10) シリコン基板の第1の面に角錐形状の凹部を形成する凹部形成工程と、
該シリコン基板の第1の面と前記凹部の内面に絶縁膜を形成する絶縁工程と、
実装端子となる導電層を前記凹部内に形成する端子形成工程と、
前記凹部内の導電層に電気的に接続した導電層を含む配線層を前記シリコン基板の第1の面に形成する配線層形成工程と、
前記シリコン基板を前記第1の面とは反対側の第2の面側から除去し、前記凹部内に形成した導電層の一部を突出した状態で露出させる除去工程と、
を有することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
(付記11) 付記10記載の半導体装置用基板の製造方法であって、
前記凹部形成工程は、前記シリコン基板の所定の部位を異方性エッチングにより四角錐形状に除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
(付記12) 付記10記載の半導体装置用基板の製造方法であって、
前記除去工程の後に前記シリコン基板の第2の面に絶縁膜を形成する工程を更に有することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【0074】
(付記13) 付記12記載の半導体装置用基板の製造方法であって、
前記第2の面に絶縁膜を形成する工程は、シリコン酸化膜を形成する工程であることを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【0075】
(付記14) 付記12記載の半導体装置用基板の製造方法であって、
前記第2の面に絶縁膜を形成する工程は、有機絶縁膜を塗布して形成する工程であることを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【0076】
(付記15) 付記10記載の半導体装置用基板であって、
前記除去工程は、前記シリコン基板の第2の面を研削する第1の工程と、該第1の工程の後に研削面を更にエッチングにより除去して前記実装基板の先端を突出させる第2の工程とを含むことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
(付記16) 付記1乃至9のうちいずれか一項記載の半導体装置用基板と、
電極パッドに金属バンプが設けられた半導体素子と
を有する半導体パッケージであって、
前記半導体装置用基板の実装端子の先端が前記半導体素子の金属バンプに食い込んだ状態で接続されたことを特徴とする半導体パッケージ。
【0077】
(付記17) 付記1乃至9のうちいずれか一項記載の半導体装置用基板と、
電極パッドに金属バンプが設けられた半導体素子と
を有する半導体パッケージであって、
前記半導体素子は、前記半導体装置用基板の配線層上に搭載され、角錐形状の前記実装端子を外部接続端子として用いたことを特徴とする半導体パッケージ。
【0078】
(付記18) 半導体素子とパッケージ基板との間に、付記1乃至9のうちいずれか一項記載の半導体装置用基板の第1の面側に半導体素子を搭載し、該第1の面とは反対側の第2の面側にパッケージ基板を接続し、前記半導体素子と前記パッケージ基板とを前記半導体装置用基板を介して電気的に接続したことを特徴とする半導体パッケージ。
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、次に述べる種々の効果を実現することができる。
【0079】
請求項1記載の発明によれば、例えば特殊な処理装置を必要としないエッチングによりシリコン基板に対して角錐形状の凹部を容易に形成することができるため、このような凹部を利用して角錐形状の実装端子を容易に製造することができる。また、実装端子の先端が角錐形状の頂点であるため、実装端子を接続する相手側に実装端子の先端を食い込ませることができ、良好な電気的接触及び実装信頼性を得ることができる。
【0080】
また、請求項記載の発明によれば、シリコン酸化膜により実装端子とシリコン基板との間を絶縁することができる。
【0081】
請求項記載の発明によれば、実装端子とシリコン基板の第2の面との間を確実に絶縁することができる。
【0082】
請求項記載の発明によれば、シリコン基板の結晶面のエッチングレートの差により容易に四角錐形状の凹部をシリコン基板中に形成することができ、したがって、四角錐形状の実装端子を容易に形成することができる。
【0083】
請求項記載の発明によれば、例えば特殊な処理装置を必要としないエッチングによりシリコン基板に対して角錐形状の凹部を容易に形成することができるため、このような凹部を利用して角錐形状の実装端子を容易に製造することができる。また、実装端子の先端が角錐形状の頂点であるため、実装端子を接続する相手側に実装端子の先端を食い込ませることができ、良好な電気的接触及び実装信頼性を得ることができる。
【0084】
請求項記載の発明によれば、異方性エッチングを用いることにより角錐形状の凹部を容易に形成することができる。
【0085】
請求項記載の発明によれば、実装端子の頂部の僅か手前まで研削によりシリコン基板を除去し、その後、エッチングによりシリコン基板のみを除去して実装端子の頂部を露出させることができ、短時間で実装端子を露出させることができる。
【0086】
請求項記載の発明によれば、半導体装置用基板の実装端子と半導体との間で良好な電気的接触及び実装信頼性を達成することができる。
【0087】
請求項記載の発明によれば、半導体パッケージの外部接続端子は角錐形状となるので、半導体パッケージを回路基板に実装する際に良好な電気的接続及び実装信頼性を得ることができる。
【0088】
請求項記載の発明によれば、請求項1乃至のうちいずれか一項記載の半導体装置用基板は、微細構造とすることが容易であるため、パッケージ基板を微細構造としなくても、微細構造を有する半導体素子をパッケージ基板に搭載することができ、容易に半導体パッケージを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例によるインターポーザの拡大断面図である。
【図2】実装端子を頂部側から見た平面図である。
【図3】基板に形成された凹部のa)平面図及びb)断面図である。
【図4】図1に示すインターポーザの製造工程を説明するための図である。
【図5】図4に示す工程に対応したインターポーザの製造途中の断面図である。
【図6】(a)はシリコン基板の裏面に絶縁膜を設けないインターポーザの断面図であり、(b)はシリコン基板の裏面に有機絶縁膜を設けたインターポーザの断面図である。
【図7】図1に示すインターポーザの実装端子に対して半導体装置のハンダボール接続して形成した半導体パッケージの断面図である。
【図8】図1に示すインターポーザの実装端子に対して半導体装置の電極パッドを接続して形成した半導体パッケージの断面図である。
【図9】図7の半導体パッケージを更にパッケージ基板に搭載して形成した半導体パッケージの断面図である。
【図10】図1に示すインターポーザの接続パッド側に半導体素子をフリップチップ実装して形成した半導体パッケージの断面図である。
【図11】図1に示すインターポーザの接続パッド側に半導体素子をワイヤボンディングして形成した半導体パッケージの断面図である。
【図12】図10に示す半導体パッケージを更にパッケージ基板に搭載して形成した半導体パッケージの断面図である。
【図13】図12に示す半導体パッケージにおいて、ハンダバンプを用いずに実装端子をパッケージ基板の接続パッドに直接接続して構成した半導体パッケージの断面図である。
【図14】本発明の第2実施例によるインターポーザの拡大断面図である。
【図15】図14に示すインターポーザの製造途中の断面図である。
【図16】図14に示すインターポーザの変形例であるインターポーザの断面図である。
【図17】図14に示すインターポーザを組み込んだ半導体パッケージの断面図である。
【符号の説明】
1,40,40A インターポーザ
2 実装基板
4,4A,4A−1 多層配線層
6 実装端子
6−1,8−1,8−2,8−3 導電層
10−1,10−2,10−3,10−4 絶縁層
12 ビア
14 接続パッド
16,18 シリコン酸化膜
20 半導体素子
20a 電極パッド
22,26 ハンダバンプ
24,28 アンダーフィル材
30 パッケージ基板
30a 接続パッド

Claims (9)

  1. シリコン基板と、
    該シリコン基板の第1の面と第2の面との間を貫通して延在し、先端が該第1及び第2の面のいずれか一方から突出した角錐形状の実装端子と、
    前記シリコン基板の第1の面に形成され、該実装端子に電気的に接続された導電層を含む配線層とよりなり、
    該実装端子と該シリコン基板との間にシリコン酸化膜よりなる絶縁膜が介在することを特徴とする半導体装置用基板。
  2. 請求項1記載の半導体装置用基板であって、
    前記シリコン基板の第2の面は有機絶縁膜よりなる絶縁層で被覆されていることを特徴とする半導体装置用基板。
  3. 請求項1記載の半導体装置用基板であって、
    前記実装端子の角錐形状は、シリコン基板の結晶面により画成される形状であることを特徴とする半導体装置用基板。
  4. シリコン基板の第1の面に角錐形状の凹部を形成する凹部形成工程と、
    該シリコン基板の第1の面と前記凹部の内面に絶縁膜を形成する絶縁工程と、
    実装端子となる導電層を前記凹部内に形成する端子形成工程と、
    前記凹部内の導電層に電気的に接続した導電層を含む配線層を前記シリコン基板の第1の面に形成する配線層形成工程と、
    前記シリコン基板を前記第1の面とは反対側の第2の面側から除去し、前記凹部内に形成した導電層の一部を突出した状態で露出させる除去工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法
  5. 請求項4記載の半導体装置用基板の製造方法であって、
    前記凹部形成工程は、前記シリコン基板の所定の部位を異方性エッチングにより角錐形状に除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法
  6. 請求項5記載の半導体装置用基板の製造方法であって、
    前記除去工程は、前記シリコン基板の第2の面を研削する第1の工程と、該第1の工程の後に研削面を更にエッチングにより除去して前記実装基板の先端を突出させる第2の工程とを含むことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
  7. 請求項1乃至3のうちいずれか一項記載の半導体装置用基板と、
    電極パッドに金属バンプが設けられた半導体素子と
    を有する半導体パッケージであって、
    前記半導体装置用基板の前記実装端子の先端は前記シリコン基板の前記第2の面より突出し、前記半導体素子の金属バンプに食い込んだ状態で接続されたことを特徴とする半導体パッケージ
  8. 請求項1乃至のうちいずれか一項記載の半導体装置用基板と、
    電極パッドに金属バンプが設けられた半導体素子と
    を有する半導体パッケージであって、
    前記半導体素子は、前記半導体装置用基板の前記配線層上に搭載され、前記シリコン基板の前記第2の面より突出した角錐形状の前記実装端子を外部接続端子として用いたことを特徴とする半導体パッケージ。
  9. 請求項1乃至のうちいずれか一項記載の半導体装置用基板の第1の面側に半導体素子を搭載し、該第1の面とは反対側の第2の面側にパッケージ基板を接続し、前記半導体素子と前記パッケージ基板とを前記半導体装置用基板を介して電気的に接続したことを特徴とする半導体パッケージ。
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