JP4040798B2 - 記憶装置及びその記録再生方法 - Google Patents

記憶装置及びその記録再生方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報を磁気的に記録して再生する磁気ディスク装置、磁気テープ装置、光磁気記録装置等の記憶装置、記録再生方法及び記録方法に関し、特に、媒体上に記録する際に磁化反転間隔を拡大して再生データの信頼性を向上するようにした記憶装、記録再生方法及び記録方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、磁気ディスク装置におけるデータ記録再生系の構成は、例えば図19のようになる。図19において、データ記録再生系は、記録部210と再生部212で構成される。記録部210は、エンコーダ216、プリコーダ218、ライトドライバ222が設けられ、ヘッド/媒体224によりデータを磁気ディスク上に磁気的に記録する。
【0003】
再生部212は、プリアンプ226、可変ゲインアンプ228、ローパスフィルタ(LPF)230、サンプラ(ADコンバータ)232、イコライザ234、ビタビ検出器(最尤検出器)236、デコーダ238、ゲイン計算器240、位相計算器242、VFO244及びタップゲイン計算器246を備える。
【0004】
このような記録再生系の原理を図19に示す。記録部210に送られてきたデータは何らかの符号化、一般にはRLL符号化(Run Length Limited Code )が施され、その後にプリコーダ218を通り、符号に応じて記録媒体上に磁化反転を形成するために、ライトドライバ222により記録ヘッドに図20(A)のような矩形波状の書込み電流を流す。この書込み電流の方向で図20(B)のように媒体上の磁化方向が決まり、書込み電流の反転が磁化反転に対応する。
【0005】
このような媒体上の磁化を再ヘッドで再生した場合、一般に、ヘッド再生信号は、図20(C)の点線で示したような磁化反転位置にピークを持つような信号が現れる。しかし、近隣の磁化反転からの符号間干渉により実線のような信号となる。
【0006】
このヘッド再生信号は、プリアンプ226、可変ゲインアンプ228、ローパスフィルタ(LPF)230、サンプラ232を通り、更にイコライザ234により所望の波形に等化され、図20(D)のイコライザ出力信号の波形が得られる。
【0007】
このイコライザ出力信号の波形は、PR4(パーシャル・レスポンス・クラス4:Partial Response Class 4) の場合であり、丸印で示したノイズ無しの場合のサンプリング値(期待値)が+1,0,−1になるように等化される。サンプリング値はビタビ検出器236を通り、記録した符号が復調され、最後に符号はデコーダ238元のデータに復号される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の磁気ディスク装置におけるデータ記録再生系は次の問題がある。
【0009】
図21に従来の問題点を示したもので、図21(A)が書込み電流、図21(B)が磁化状態、図21(C)がヘッド再生信号である。まず記録密度が増してくると媒体ノイズや非線形的な現象が現れ、イコライザ234で図21(D)のような所望の波形に等化しても、元のデータに正しく復調することが困難となる。
【0010】
特に最小磁化反転間隔(RLL符号d=0の符号では符号ビット間隔)で記録された場合、NLTS(Non Linear Transition Shift) として知られた非線形ビット遷移あるいはPE(Partial Erasure) として知られた部分磁化消失などの現象が顕著に発生する。
【0011】
非線形ビット遷移NLTSに対しては現在では、WPC(Write Pre-compensation) と言われる書込補償方法により補正を行っている。一般に、非線形ビット遷移NLTSは媒体上で磁化反転が連続した場合に、後方の磁化反転位置が矢印250のように前側にシフトする現象である。そこで書込補償WPCは、本来の磁化反転の位置に形成されるように、記録電流の反転位置を矢印252のように実線の位置まで後ろにずらすものである。
【0012】
このような書込補償WPCは、最小磁化反転間隔の場合だけでなく、磁化反転の並びに応じて、書込補正量を可変できるようなものもあるが、後方の記録電流反転位置を後ろにずらして、本来の磁化反転位置に形成するという点では同じである。
【0013】
このような書込み電流よる実際の磁化状態は、図21(B)のように磁化反転位置がジグザグに形成され、これが媒体ノイズの主因とされている。部分磁化消失PEは、この磁化反転のジグザグが図示のように大きくなり、右方向の磁化が一部154で短絡し、磁化反転が形成されなかった場合に発生する非線形的な振幅低下の現象である。
【0014】
この部分磁化消失PEに対しても、書込み電流の反転位置をずらして磁化反転間隔を広げることで振幅を補償することが提案されている。従って、これらの非線形ビット遷移NLTSや非線形歪みの平均値に対する補正は、磁化反転の位置をずらす方法により補正が可能である。
【0015】
しかし、これらの非線形ビット遷移NLTSや部分磁化消失PE等の非線形な歪みは、本来、確率的な現象であり、媒体ノイズに含まれて観測されていると考えられる。この媒体ノイズは記録密度が増すに従い増加するが、一旦発生した媒体ノイズの分散に対しては、S/Nゲインの大きい再生方式を用いる以外に手段がなかった。
【0016】
また、最近では熱による経年変化で記録した信号が低下する熱緩和現象の問題も深刻になりつつあり、磁化反転間隔を広く記録することが望まれている。そこで、磁化反転の連続を無くした1−7RLL符号や2−7RLL符号も検討されているが、符号化率が悪く、帯域が広がるため、特性的な問題やクロック周波数が増加してしまう問題がある。
【0017】
本発明の目的は、非線形ビット遷移NLTSや部分磁化消失PE等の非線形現象の確率的な媒体ノイズを抑えて再生データの信頼性を向上するようにした記憶装置、記録再生方法及び記録方法を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
図1は本発明の原理説明図である。まず本発明は、図1(A)のように、情報を媒体上に磁気的に記録して再生する記憶装置であり、特定の符号列の場合のみ、媒体上での磁化反転の間隔を本来の磁化反転の間隔より拡大して記録する記録部10と、媒体の読取信号を等化した後の最尤検出で、記録時に磁化反転の間隔を本来の磁化反転の間隔よりも広げて記録したことによる振幅誤差を最尤検出の期待値に加えて最尤検出する再生部12とを備えたことを特徴とする。
【0019】
このように本発明では、特定の符号列について磁化反転間隔を拡大を拡大することにより、非線形ビット遷移NLTSや一部磁化消失PE等の非線形現象の確率的な分散量である媒体ノイズを小さく抑え、再生データの信頼性を向上できる。また磁化反転間隔が積極的に広げられるため、熱緩和等の問題も解決できる。
【0020】
更に、磁化反転間隔を広げたことに伴う再生信号の理想的な振幅(サンプル値)からのずれの発生に対しては、このずれによる振幅誤差を最尤検出の期待値に加えて最尤検出することで、劣化を抑えることができる。
【0021】
本発明による記憶装置の記録部10は、情報を媒体上に磁気的に記録する際に最小間隔で起こる磁化反転の連続を制限した符号法を使用し、この符号法の特定の符号列の場合のみ、媒体上での磁化反転の間隔が本来の磁化反転の間隔よりも広げて形成されるように記録する。
【0022】
記録部10は、情報を媒体上に磁気的に記録する際に最小間隔で起こる磁化反転の連続を2個までに制限したMTR符号(Maximum Transition Run Trellis Code)を使用し、磁化反転が2個連続するタイビットの場合のみ、1番目の磁化反転を本来よりも前方にずらし、2番目の磁化反転を本来よりも後方にずらして記録する。
【0023】
記録部10は、情報を前記媒体上に磁気的に記録する際に最小間隔で起こる磁化反転の連続を3個までに制限したMTR符号を使用し、磁化反転が2個連続するタイビットの場合は、1番目の磁化反転を本来よりも前方にずらし、2番目の磁化反転を本来よりも後方にずらして記録し、磁化反転が3個連続するトリビット(Tri-bit )の場合は、1番目の磁化反転を本来よりも前方にずらし、2番眼は本来の位置とし、3番目の磁化反転を本来よりも後方にずらして記録する。
【0024】
記録部10は、磁化反転位置を後方にずらすことにより、記録時に発生する非線形な磁化反転の前方へのずれを補正する書込補償WPC(Write Pre Compensation)を組合わせる。
【0025】
本発明で磁化反転間隔を拡大して記録したことによる誤差は、再生信号を用いてフィードバック制御を行う再生系統の部分に影響を与える。
【0026】
そこで本発明による記憶装置の再生部12は、等化前の信号と等化後の信号の差から求めた等化誤差信号に基づいて媒体の読取信号を目的とする信号波形に等化する等化器(イコライザ)34を備え、本来の磁化反転位置からずらして記録された特定の符号列を検出した際に、そのときの等化誤差信号を使用しないか、あるいは所定の重み付けにより等化誤差信号を抑圧して使用する。
【0027】
また再生部12は、基準クロックと等化済みの再生信号から抽出したクロックとの位相誤差信号に基づいてサンプル用のクロックを位相制御するPLL回路45を備え、本来の磁化反転位置からずらして記録された特定の符号列を検出した際に、そのときのを使用しないか、あるいは所定の重み付けにより位相誤差信号を抑圧して使用する。
【0028】
更に再生部12は、等化済み再生信号と目標振幅との振幅誤差信号に基づいて再生信号を目標振幅に合わせるAGC回路(ゲイン計算器)40を備え、本来の磁化反転位置からずらして記録された特定の符号列を検出した際に、そのときの振幅誤差信号を使用しないか、あるいは所定の重み付けにより振幅誤差信号を抑圧して使用する。
【0029】
本発明の記憶装置は、更に、パラメータ調整部14を設け、テストパターンの記録再生により最尤検出器36のエラーレートをモニタし、記録部10で使用する特定符号列についての磁化反転拡大量ΔTと最尤検出で期待値に加える振幅誤差ΔVの各々を、エラーレートを最小とするように調整して設定する。
【0030】
パラメータ調整部14は、最尤検出器36のメトリックを用いてSAM(Sequenced Amplitude Margin) 回路で得られるエラーレートをモニタし、記録部10で使用する特定符号列ついての磁化反転拡大量ΔTと最尤検出で期待値に加える振幅誤差ΔVの各々を、SAMのエラーレートを最小とするように調整して設定する。
【0031】
このSAMは、最尤検出で得られた2乗誤差の累積値である複数のメトリックの内、最小メトリックM1と2番目に小さメトリックM2との差Mn=(M1−M2)が通常はOより小さいとき、即ち、
Mn<0
のときエラーをカウントしているが、ストレスを加えることで0より大きな値Kとして
Mn<K
のときエラーをカウントし、ノイズに対し強制的にエラーを起し易くし、エラーレートを求める時間を短縮してパラメータ調整を高速で処理できるようにする。
【0032】
パラメータ調整部14は、記録部10の書込補償量WPC、再生部12に設けたフィルタ30のカットオフ周波数Fc とブースト量Fb 、イコライザ34のタップゲインGtap の調整を最初に行った後に、記録時の磁化反転拡大量ΔTと最尤検出での振幅誤差量ΔVを調整して設定する。
【0033】
パラメータ調整部14は、磁化反転拡大量ΔTと振幅誤差量ΔVの調整を、2ビット連続の磁化反転パターンで調整した後に、3ビット以上連続の磁化反転パターンで調整する。
【0034】
また、本発明は、情報を媒体上に磁気的に記録して再生する記録再生方法を提供するものであり、特定の符号列の場合のみ、媒体上での磁化反転の間隔を本来の磁化反転の間隔より拡大して記録する記録過程と、媒体の読取信号を等化した後の最尤検出で、記録時に磁化反転の間隔を本来の磁化反転の間隔よりも広げて記録したことによる振幅誤差を最尤検出の期待値に加えて最尤検出する再生過程とを備えたことを特徴とする。この記録再生方法の詳細は、記録再生装置の場合と同じになる。
【0035】
更に本発明は、情報を媒体上に磁気的に記録する記録方法を提供するものであり、情報を媒体上に磁気的に記録する際に、最小間隔で起こる磁化反転の連続を制限した符号法を使用し、この符号法による特定の符号列の場合のみ、媒体上での磁化反転の間隔が本来の磁化反転の間隔よりも広げて形成されるように記録することを特徴とする。この記録方法の詳細は、記録再生装置で示した記録部と同じになる。
【0036】
【発明の実施の形態】
図2は、本発明が適用されるハードディスクドライブのブロック図である。図2において、ハードディスクドライブは、SCSIコントローラ110、ドライブコントローラ112及びディスクエンクロージャ114で構成される。
【0037】
SCSIコントローラ110には、MCU116、制御記憶として使用されるフラッシュメモリ118、制御プログラムを格納したプログラムメモリ120、ハードディスクコントローラ122及びデータバッファ124が設けられる。ドライブコントローラ112には、ドライブインタフェースロジック126、DSP128、リード/ライトLSI130、サーボ復調部132及びサーボドライバ134が設けられる。
【0038】
ディスクエンクロージャ114にはヘッドIC136が設けられ、ヘッドIC136をライトヘッドとリードヘッドを備えた複合ヘッド138−1〜138−6に接続している。複合ヘッド138−1〜138−6は、磁気ディスク140−1〜140−3の各記録面に対し設けられ、VCM44による駆動でディスク媒体140−1〜140−3の任意のトラックのセクタ位置に位置決めされる。磁気ディスク140−1〜140−3はスピンドルモータ42により一定速度で回転される。
【0039】
ホストから発行されたコマンドは、ハードディスクコントローラ122を介してフラッシュメモリ118のコマンドキューに格納される。MCU116はフラッシュメモリ118のコマンドキューの先頭位置からコマンドを取り出し、例えば書込コマンドを例にとると、ハードディスクコントローラ122を使用してホストに対し書込データの転送を要求する。
【0040】
ホストから転送された書込データは、データバッファ124に格納され、MCU116がハードディスクコントローラ122を起動して、磁気ディスク140−1〜140−3側に対するデータ書込みを行う。
【0041】
同時にDSP128は、書込コマンドで与えられたセクタ位置に対するVCM144によるヘッドの位置付けを、サーボドライバ134とサーボ復調部132を介して得られたサーボ復調信号により制御する。
【0042】
データバッファ24に格納された書込データは、ハードディスクコントローラ122、ドライブインタフェースロジック126、リード/ライトLSI130のライトチャネル(記録部)、ヘッドIC136を通って、例えば複合ヘッド138−1から磁気ディスク140−1の書込コマンドで指定されたセクタ位置に書き込まれる。
【0043】
この書込データの磁気ディスクへの書込みが完了すると、MCU116はハードディスクコントローラ122を介してホストに書込正常終了を示すステータスを報告する。
【0044】
またホストから読出コマンドが発行された場合は、ハードディスクコントローラ122を介してフラッシュメモリ118のコマンドキューに格納した後にMCU116が読出コマンドを取り出し、ハードディスクコントローラ122、ドライブインタフェースロジック126、リード/ライトLSI130のリードチャネル(再生部)、ヘッドIC136を通って、例えば複合ヘッド138−1から磁気ディスク140−1の読出コマンドで指定されたセクタ位置に書き込まれるているデータを再生し、ハードディスクコントローラ122を使用してホストに対し読出データを転送する。
【0045】
図3は、本発明による最小時間反転幅の拡大記録の機能を備えた図2のリード/ライトLSIに設けたデータ記録再生系のブロック図である。
【0046】
図3において、データ記録再生系は、記録部10と再生部12で構成される。記録部10には、エンコーダ16、プリコーダ18、書込補償・反転幅拡大回路20及びライトドライバ22が設けられる。ライトドライバ22に続いて設けられたヘッド/媒体24は、記録ヘッドと磁気ディスク及び再生ヘッドで構成された磁気記録系である。
【0047】
再生部12は、プリアンプ26、可変ゲインアンプ28、ローパスフィルタ30、サンプラ32、イコライザ34、ビタビ検出器36、デコーダ38で構成される。またフィードバック制御系として、可変ゲインアンプ28に対してはAGC機能をもつゲイン計算機40が設けられ、サンプラ32に対しては位相計算機42とVFO44を備えたPLL回路(タイミングリカバリ回路)45が設けられ、更にイコライザ34に対してはタップゲイン計算機46が設けられている。
【0048】
本発明のデータ記録再生系にあっては、記録部10に設けている書込補償・反転幅拡大回路20による反転幅拡大機能により、書込データの内の特定の符号列の場合にのみ媒体上での磁化反転の間隔を本来の磁化反転の間隔より拡大して記録することを特徴とする。
【0049】
このような記録部10における特定符号列における磁化反転間隔の拡大記録に伴い、再生部12にあっては磁化反転間隔の拡大記録による再生信号が本来の磁化反転間隔による記録の再生信号に対して振幅誤差を生ずることから、ビタビ検出器36で使用するノイズを含まない理想サンプル値としての期待値に磁化反転間隔の拡大記録で発生した振幅誤差ΔVを含ませることで最尤検出を行う。
【0050】
ここで記録部10において磁化反転間隔を本来の磁化反転間隔より広げて拡大記録する特定の符号列としては、例えば最小間隔で起こる磁化反転の連続を制限したMTR符号(Maximum Transition Run Trellis Code)を対象とする。MTR符号は1996年にミネソタ大学のMoon教授によって提案されたものである(J. Moon and B. Brickner “Maximal transition run codes for data storage systrems, ”IEEE Trans, on Magnetics, vol. 32, no.5,pp.3992-3994, Sept., 1996 )。
【0051】
このMTR符号には例えば次の2つがある。
【0052】
▲1▼最小間隔で起こる磁化反転の連続を2個(ダイビット)まで制限したダイビットMTR符号。
【0053】
▲2▼最小間隔で起こる磁化反転の連続を3個(トリビット)まで制限したトリビットMTR符号。
【0054】
これらのMTR符号はパーシャルレスポンスの最尤検出におけるPR4ML、EPR4ML、EEPR4MLと組み合わせて使用される。ここでPR4MLは等化特性が(1+D)であり、ノイズ無しの場合のサンプル値が+1,0,−1となるように等化される。
【0055】
またEPR4MLは等化特性が(1+D)2 であり、ノイズ無しのサンプル値が+1,+1,−1,−1となるように等化される。更にEEPR4MLにあっては等化特性が(1+D)3 であり、ノイズ無しのサンプル値が+1,+2,0,−2,−1となるように等化される。
【0056】
図4は、本発明に適用されるダイビットMTR符号であり、最小磁化反転の連続が2個(ダイビット)となる記録を行う際のMRT符号「0110」、その書込電流、更に書込クロックを示している。
【0057】
このダイビットMTR符号「0110」にあっては、破線で示す本来の磁化反転となる書込電流の立ち下がり及び立ち下がり位置に対し
▲1▼1番目のビット1による磁化反転の位置を、破線の本来の立ち上がり位置よりも前方に拡大幅ΔTだけずらして記録し、
▲2▼2番目のビット1による磁化反転の位置を、破線の本来の立ち下がり位置よりも後方に拡大幅ΔTずらして記録する。
【0058】
図5は、ダイビットMRT符号における最小間隔で起こる磁化反転の連続が2個未満の場合のMTR符号書込電流及び書込クロックであり、例えばMTR符号「010」を例にとっており、この場合には磁化反転の位置の拡大は行わない。
【0059】
図6は、図4のダイビットMTR符号「0110」の磁化反転となるビット1が2つ連続した場合について、本発明による磁化反転の拡大記録に加え、非線形ビット遷移NLTSを補正するための書込補償WPCを組み合わせた場合のMRT符号書込電流及び書込クロックである。
【0060】
即ち磁化反転位置の拡大は、1番目のビット1について前方に拡大幅ΔTずらすと共に、2番目のビット1について後方に拡大幅ΔTずらし、これに加え非線形ビット遷移NLTSを補正するために書込補償量WPC001 だけ2番目のビット1を更に後方にずらしている。
【0061】
図7は、ダイビットMTR符号で最小磁化反転間隔が2個連続した場合の書込み電流、磁化状態及びヘッド再生信号であり、これにより本発明の原理を説明すると次のようになる。
【0062】
本発明にあっては、記録時に図7(A)のように,破線で示す2個のビット1の連続に対応した書込み電流の立ち上がりと立ち下がりの反転間隔を実線のように広めになるように前方及び後方に拡大幅ΔTだけシフトさせ、この記録電流によって図7(B)のように媒体上に記録される磁化状態の最小磁化反転間隔を記録するようにしている。
【0063】
また図7(A)にあっては、本発明による最小磁化反転間隔の拡大に加え、非線形ビット遷移NLTSによる磁化反転の前方シフトを補正するため、後方のビット1の位置を書込補償量WPCだけ後方に拡大(遅延)することを併せて行っている。
【0064】
ここで本発明の最小磁化反転間隔の拡大と、非線形ビット遷移NLTSに対する書込補償WPCとの相違点は2つある。1つ目として、書込補償WPCは書込電流の反転間隔を広げるが、形成される磁化反転間隔は本来の間隔にすることを目的としている点である。2つ目として。書込補償WPCは書込み電流の反転が連続した場合に、後方の反転位置を遅延させるものであり、前方の反転位置を操作することはなく、また時間的に前にずらすこともない。
【0065】
また、既に提案されている部分磁化消失PEの補償にあっては、磁化反転の間隔を広げて記録する点は同じであるが、PE補償が再生された信号振幅の平均値をPEがない場合の理想的な振幅に回復させるための補償であり、本発明の最小磁化反転間隔の拡大記録のように媒体ノイズのばらつきを考慮したSN比の改善までは考慮されていない。
【0066】
本発明にあっては、媒体ノイズの増加を抑えることを目的として、磁化反転間隔の拡大を積極的に行うことが大きな特徴である。このように媒体ノイズの増加を抑えるために磁化反転の間隔を拡大した場合、再生時における等化波形が理想的な振幅のサンプル値からずれを発生する。そこで本発明にあっては、図3の再生部12に設けたビタビ検出器36において、最小磁化反転間隔の拡大記録により発生した振幅誤差を理想的なサンプル値に含めることで劣化を抑える。
【0067】
図8(A)は、磁化反転が2個連続するダイビットMTR符号列「0110」の書込電流と、この書込電流による磁化反転間隔の拡大記録について再生した再生部のイコライザ出力信号である。
【0068】
図8(A)のように磁化反転間隔を本来よりも拡大して書込電流により記録した場合には、イコライザ出力信号は破線の理想的なサンプル値とはならず、実線の波形の丸印のように誤差ΔV1,ΔV2,ΔV3,ΔV4,ΔV5を持つ。
【0069】
この誤差ΔV1〜ΔV5は、磁化反転間隔の並び、即ち記録符号列によって値が変わる。本発明にあっては、このような磁化反転間隔の拡大記録によりイコライザ出力信号に生じた振幅誤差を、次のビタビ検出器36で考慮することで劣化を抑える。
【0070】
図9は、図19に示した従来の再生部212に設けているビタビ検出器236の概略ブロック図である。ビタビ検出器236は、複数の記録符号列に対し、その符号列が記録された場合のノイズ無しのイコライザ出力値(サンプル理想値)W、例えばPR4の場合にはW=+1,0,−1の3値を仮定し、実際のビタビ検出器136の入力信号y、即ち前段のイコライザからの出力信号yとの2乗誤差(y−W)2 を誤差演算器248で求める。
【0071】
次にアド・コンペア・セレクト回路(ACS回路)252で誤差を累積することでメトリックを求め、誤差量が小さい仮定符号列をパスメモリ256に保存し、パスメモリ256から最終的に最も確からしい符号列を出力する。
【0072】
このような従来の基本的なビタビ検出器236に対し本発明にあっては、図10のように、図8の磁化反転間隔の拡大記録による誤差ΔV1〜ΔV5を考慮したビタビ検出器36を使用する。
【0073】
ビタビ検出器36は予め定めた記録符号列に対しイコライザ出力値(サンプル理想値)Wを仮定するため、その記録符号列が本発明による磁化反転間隔の拡大対象となるものかどうかに応じ、イコライザ出力の仮定値Wを変える。
【0074】
即ち、磁化反転間隔の拡大による影響がない符号列に場合には、誤差演算器48で従来どおりの仮定値Wを使用して2乗誤差(y−W)2 を求める。これに対し磁化反転間隔の拡大によって誤差が発生する符号列の場合には、誤差演算器50に切り替え、イコライザ出力の仮定値Wに誤差ΔVを加えた仮定値(W+ΔV)を用いて、2乗誤差{y−(W+ΔV)}2 を求め、誤差の影響を抑える。
【0075】
図11,図12,図13及び図14は、図3のデータ記録再生系の最小磁化反転間隔の拡大記録に適用されるMTR符号の他の実施形態であり、この実施形態にあっては最小間隔で起こる磁化反転の連続を3個まで制限したトリビットMTR符号を用いている。
【0076】
図11は、トリビットMTR符号で磁化反転となるビット1が3個連続したMTR符号「0111」、書込み電流及び書込クロックである。このように磁化反転が3個連続する場合にあっては
▲1▼1番目のビット1の磁化反転を本来の位置よりも前方に拡大幅ΔTずらして記録し、
▲2▼2番目のビット1の磁化反転は行わずに本来の位置で記録し、
▲3▼3番目のビット1の磁化反転については本来の位置よりも後方に拡大幅ΔTずらして記録する。
【0077】
図12は、トリビットMTR符号において、最小磁化反転が2個連続した場合の磁化反転間隔の拡大であり、この場合には図4に示したダイビットMTR符号の場合と同様、1番目のビット1の磁化反転については本来の位置よりも前方に拡大幅ΔTずらして記録し、2番目のビット1となる磁化反転については本来の位置よりも後方に拡大幅ΔTずらして記録する。
【0078】
図13は、トリビットMTR符号で図12の磁化反転が3個連続した場合、図12の磁化反転が2個連続した場合以外のMTR符号例えば「010」の書込電流と書込クロックであり、この場合にはビット1の磁化反転の記録については磁化反転位置の変更は行わず、本来の位置のまま記録する。
【0079】
図14は、図11の3個磁化反転が連続する場合について、更に非線形ビット遷移NLTSを補正するための書込補償WPCを行った場合である。即ち、磁化反転が3個連続する場合について、書込補償WPC111 は磁化反転間隔の後方を遅延させるものであることから、2番目の磁化反転となるビット1を後方に書込補償量WPC111 ずらして記録する。
【0080】
この2番目の磁化反転のビット1の書込補償量WPC111 分の後方シフトに伴い、3番目の磁化反転のビット1についても拡大幅ΔTに加え、更に書込補償量WPC111 分だけ後方にシフトしている。
【0081】
また図12のトリビットMTR符号で磁化反転が2個連続した場合については、図6に示したダイビットMTR符号の場合と同様、2番目の磁化反転のビット1をその書込補償WPC011 分だけ後方に更にシフトすれば良い。
【0082】
図15は、図3の再生部12の可変ゲインアンプ28、サンプラ32及びイコライザ34に設けているフィードバック制御系について、磁化反転間隔の拡大記録による再生時の誤差の影響を防ぐためのブロック図である。本発明で磁化反転間隔を拡大記録した場合、再生信号には図8(B)に示したような誤差ΔV1〜ΔV5が含まれることから、このような再生信号を用いて制御を行うフィードバックループに悪影響を与える可能性がある。
【0083】
これら再生信号を用いたフィードバックループを持つ回路としては、再生信号の振幅を揃えるための可変ゲインアンプ28に対しAGCとして設けたゲイン計算機40、再生信号をサンプリングする際のクロック位相を決める位相計算機42、及びVFO44で構成されるPLL回路(タイミングリカバリ回路)45及びイコライザ34のタップゲインを決めるトレーニング用のタップゲイン計算機46があげられる。
【0084】
これらゲイン計算機40、位相計算機42及びタップゲイン計算機46は、イコライザ34の入力信号xあるいは出力信号y及びこれをレベル判定した信号を用いて、ゲイン誤差、位相誤差、等化誤差を計算し、それぞれに適合したループフィルタ、一般には積分回路を通して可変ゲインアンプ28、サンプラ32及びイコライザ34を制御する。
【0085】
更に詳細に説明すると、可変ゲインアンプ28に対するフィードバックループに設けたゲイン計算機40は、レベル決定回路58、パターン検出器60、ゲイン誤差検出器62、ループフィルタ64で構成される。パターン検出器60にはビタビ検出器36の判定信号Zが入力しており、拡大記録された記録符号列か否か検出する。
【0086】
パターン検出器60で拡大記録した記録符号列を検出すると、ゲイン誤差検出器62に出力し、そのときのゲイン誤差検出器62の出力を禁止し、前のゲイン誤差の出力状態を維持する。またパターン検出器62の拡大記録した記録符号列の検出でそのときのゲイン誤差の出力を禁止して前の値を保持する代わりに、そのときのゲイン誤差に重みを付け、算出した誤差を重み付けにより小さく抑えることによってループフィルタ64に対する検出誤差の入力を抑え、誤差による変動を抑制しても良い。
【0087】
サンプラ32のクロック位相を決めるための位相計算機42は、レベル決定回路66、パターン検出器68、位相誤差検出器70及びループフィルタ72で構成される。
【0088】
パターン検出器68でビタビ検出器36の判定信号Zとの比較で拡大記録を行った記録符号列を検出すると位相誤差検出器70に出力し、位相誤差の検出出力を停止する。このため、拡大記録を行った記録符号列の再生パターンについては、ループフィルタ72による位相誤差のフィルタ出力はVFO44に対して行われず、誤差によるクロック位相の変動を抑える。
【0089】
この場合にも位相誤差検出器70はパターン検出器68が出力を受けたときに、そのときの位相誤差に重み付けすることで誤差を抑えてループフィルタ72に出力するようにしても良い。
【0090】
更にイコライザ34のタップゲインをトレーニングにより設定するタップゲイン計算機46は、レベル決定回路74、パターン検出器76、等化誤差検出器78、ループフィルタ80を備える。
【0091】
パターン検出器76はビタビ検出器36からの判定信号Zから磁化反転間隔の拡大記録を行った記録符号列を検出すると、そのときの等化誤差検出器78の出力を停止し、ループフィルタ80によるイコライザ34のタップゲインの制御を止めることで、再生信号に含まれる誤差による影響を防ぐ。
【0092】
この場合にも、パターン検出器76の出力が得られたときに等化誤差検出器78の出力に重み付けをして磁化反転間隔の拡大による誤差の影響を抑えるようにしても良い。
【0093】
次に図3の記録部10及び再生部12に対して設けているパラメータ調整部14を説明する。パラメータ調整部14は、本発明で使用する最小磁化反転間隔の連続を2個まで制限したダイビットMTR符号、あるいは最小磁化判定間隔の連続を3個まで制限したトリビットMTR符号をテストパターンとした記録再生により、ビタビ検出器36のエラーレートをモニタし、記録部10の書込補償・反転幅拡大回路20で使用する特定符号列についての磁化反転拡大量ΔTとビタビ検出器36で理想サンプル値(期待値)に加える振幅誤差ΔVの各々をエラーレートを最小とするように調整して設定する。
【0094】
このパラメータ調整部14の機能は、工場の組立最終工程に設けている各種パラメータの調整設備や試験設備を使用しても良いし、磁気ディスク装置そのものに内蔵しても良い。
【0095】
図16は、図3のパラメータ調整部14によってビタビ検出器36のエラーレートをモニタしてエラーレートを最小とするように磁化反転幅拡大量ΔTと最尤検出の振幅誤差ΔVを調整して設定する実施形態の機能ブロック図である。
【0096】
図16において、磁化反転幅拡大量ΔT及び最尤検出の振幅誤差ΔVの調整のため、ビタビ検出器36の出力及びデコーダ38の出力に基づいてエラーレートを検出するエラー検出回路82が設けられる。エラー検出回路82で検出したエラーレートは反転幅制御回路84に与えられ、エラーレートを最小とするように書込補償・反転幅拡大回路20で使用する拡大量ΔTを調整する。
【0097】
またビタビ検出器36でノイズがないときの仮定値Wに加算する誤差ΔV算出して設定する仮定値平均化回路86が設けられる。この仮定値平均化回路86には、イコライザ34の出力信号とエンコーダ16からの記録前のデータ信号が入力され、両者の差の平均により磁化反転間隔の拡大記録による誤差ΔVを求めてビタビ検出器36に設定している。
【0098】
このような磁化反転拡大幅ΔT及び最尤検出における振幅誤差ΔVの調整に際しては、調整に先立って、まず記録部側の書込補償・反転幅拡大回路20で使用する書込補償量及び再生部のローパスフィルタ30のカットオフ周波数Fc、ブースト量Fb、イコライザ34のタップゲインGtapのパラメータの調整を行った後に実行する。
【0099】
ここで書込補償・反転幅拡大回路20に設定する書込補償量としては、図11に示した磁化反転が3個連続するビット「111」の書込補償量WPC111 、図12のように2個磁化反転が連続するビット「011」の書込補償量WPC011 、更にそれ以外のビット「101」の書込補償量WPC101 のそれぞれについて、エラーレートを最小とするように書込補償量の調整と設定を行い、再生時にはそれぞれの記録符号列に適合した書込補償量の設定を磁化反転間隔の拡大量ΔTと共に行う。
【0100】
図17は、図3のパラメータ調整部14の他の実施形態であり、この実施形態にあっては、ビタビ検出器36内で算出される2乗誤差の累積値となるメトリックを用いたSAMで算出されるエラーレートをモニタし、このエラーレートを最小とするように磁化反転拡大幅ΔT及びビタビ検出の振幅誤差ΔVを調整して設定する。
【0101】
図17において、ビタビ検出器36で計算されたメトリックを入力したSAM計算回路88が設けられる。SAM計算回路88はビタビ検出器36で算出されている最小のメトリックM1と2番目に小さいメトリックM2との差Mnを通常は0であるがストレスを加えた閾値Kと比較し、
Mn<K
でエラーカウントを行ってエラーレートをSAM出力として反転幅制御回路84に出力している。
【0102】
このように1番目と2番目に小さいメトリックの差からエラーを判定する閾値にストレスを加えることで、図16の実施形態のエラーレートの算出では時間がかかるが、このSAM計算回路88を用いたことでノイズに対するエラーを起こし易くし、短時間でエラーレートが求まることで、磁化反転間隔の拡大量ΔT及びビタビ検出器のサンプル値に加算する振幅誤差ΔVの調整に要する処理時間を短縮して高速化することができる。なお、仮定値平均化回路86は図16の実施形態と同じである。
【0103】
ここでSAMについての文献としては、例えばTim Perkins and Zachary A. Keirn, “A Window-Margin-Like Procedure for Evaluating PRML Channel Performance”, IEEE Transaction on Magnetics, Vol.21 No.2, March 1995がある。
【0104】
このビタビ検出器36で算出されたメトリックを用いてSAMをモニタする実施形態にあっても、磁化反転間隔の拡大量ΔT及びビタビ検出のサンプル値に加える振幅誤差ΔVの調整に先立ち、書込補償・反転幅拡大回路で使用する書込補償量WPC101 ,WPC011 ,WPC111 の調整、再生部のローパスフィルタ30で使用するカットオフ周波数Fcとブースト量Fbの調整、イコライザ34のタップゲインGtapの調整を予め行った後に実行する。
【0105】
図18は、図17を例にとった図3のパラメータ調整部14による調整処理のフローチャートである。
【0106】
まずステップS1で磁化反転の連続のないテストパターンを書き込んで再生し、磁化反転拡大幅ΔT=0に固定した状態でSAMを最小とするように書込補償量WPC101 を調整する。次にステップS2で振幅誤差ΔV=0としてテストパターンを読み出し、カットオフ周波数Fc,ブースト量Fb及びタップゲインGtapをSAMを最小とするように調整する。
【0107】
続いてステップS3で2ビットまでの磁化反転連続のテストパターン即ち2ビットMTR符号のテストパターンを書き込んで再生し、磁化反転拡大幅ΔT=0に固定した状態でSAMを最小とするように書込補償量WPC010 を調整する。次にステップS4で、書込補償量WPC011 を使用して振幅誤差ΔV=0としてテストパターンを読み出し、カットオフ周波数Fc,ブースト量Fb,タップゲインGtapをSAMを最小とするように調整する。
【0108】
次にステップS5で3ビットまでの磁化反転連続のテストパターン即ち3ビットMTR符号を書き込んで再生し、磁化反転拡大幅ΔT=0に固定した状態でSAMを最小とするように書込補償量WPC111 を調整する。次にステップS6で振幅誤差ΔV=0としてテストパターンを読み出し、カットオフ周波数Fc,ブースト量Fb及びタップゲインGtap をSAMを最小とするように調整する。
【0109】
このようなステップS1〜S6の書込補償量、カットオフ周波数,ブースト量及びタップゲインの調整と設定が終了したならば、ステップS7で2ビットまでの磁化反転連続のテストパターンを書き込んで再生し、SAMを最小とするように磁化反転拡大幅ΔTを調整する。
【0110】
続いてステップS8で、カットオフ周波数Fc,ブースト量Fb,タップゲインGtap をステップS4で調整した値に固定した状態でテストパターンをリードし、振幅誤差ΔVの平均値を算出して設定する。続いてステップS9で3ビットまでの磁化反転連続のテストパターンを書き込んで再生し、SAMを最小とするように磁化反転拡大幅ΔTを調整して設定する。
【0111】
最終的にステップS10で、カットオフ周波数Fc,ブースト量Fb,タップゲインGtap をステップS6で調整した値に固定したテストパターンのリードで振幅誤差ΔVの平均値を算出して設定する。
【0112】
尚、上記の実施形態にあっては、最小間隔の磁化反転が2個連続するダイビットMTR符号及び磁化反転が3個連続するトリビットMTR符号を例にとるものであったが、最小間隔で起こる磁化反転の連続数の制限は2個,3個以外に任意の数としても良い。
【0113】
また本発明はMTR符号以外に最小間隔で送る磁化反転の連続を制限した符号であれば、適宜の符号につきそのまま適用できる。また上記の実施形態は磁気ディスク装置を例にとるものであったが、同じく媒体に磁気的な記録を行っている磁気テープ装置や光磁気記録装置についても本発明の磁化反転間隔の拡大記録をそのまま適用することができる。更に本発明はその目的と利点を損なわない適宜の変形を含み、更にまた、上記の実施形態に示した数値による限定は受けない。
【0114】
【発明の効果】
以上説明してきたように本発明によれば、磁化反転間隔を拡大して記録することにより、非線形ビット遷移NLTSや部分磁気消失PE等の非線形型現象の確率的な分散量(媒体ノイズ)を小さく抑えることができる。
【0115】
このため、磁化反転間隔の拡大記録を行った媒体から読み出した再生データの信頼性を著しく向上することができる。また磁化反転間隔を積極的に拡大記録しているため、熱緩和の問題を軽減でき、その結果、記録密度を更に向上させることが可能となり、記憶装置の高性能化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理説明図
【図2】本発明が適用されるハードディスクドライブのブロック図
【図3】本発明の実施形態のブロック図
【図4】磁化反転の連続を2個まで制限したMTR符号の本発明によるダイビットの記録動作の説明図
【図5】磁化反転の連続を2個まで制限したMTR符号のダイビット以外の記録動作の説明図
【図6】図4の記録動作で更に書込補償を行った場合の記録動作の説明図
【図7】図6の記録動作を行った場合の磁化反転間隔の拡大記録の原理と作用の説明図
【図8】本発明で磁化反転間隔を拡大して記録したことによる最尤検出で発生する誤差の説明図
【図9】従来のビタビ検出器のブロック図
【図10】誤差を考慮した本発明で使用するビタビ検出器のブロック図
【図11】磁化反転の連続を3個まで制限したMTR符号の本発明によるトリビットの記録動作の説明図
【図12】磁化反転の連続を3個まで制限したMTR符号のダイビットの記録動作の説明図
【図13】磁化反転の連続を3個まで制限したMTR符号のトリビット及びダイビット以外の記録動作の説明図
【図14】図11の記録動作で更に書込補償を行った場合の記録動作の説明図
【図15】本発明で磁化反転間隔を拡大して記録したことによる再生時のフィードバックで生ずる誤差を回避する機能を備えた再生部のブロック図
【図16】再生エラーレートを最小とするように書込時の磁化反転拡大幅ΔTと最尤検出の振幅誤差ΔVを調整するパラメータ調整機能のブロック図
【図17】SAMを使用して再生エラーレートを最小とするように書込時の磁化反転拡大幅ΔTと最尤検出の振幅誤差ΔVを調整するパラメータ調整機能のブロック図
【図18】図17のパラメータ調整処理のフローチャート
【図19】従来の磁気ディクス装置におけるデータ記録再生系のブロック図
【図20】図19の従来装置による磁気的な記録再生の説明図
【図21】図20の磁気的な記録再生における従来の問題点の説明図
【符号の説明】
10:記録部(データ変調部)
12:再生部(データ復調部)
14:パラメータ調整部
16:エンコーダ
18:プリコーダ
20:書込補償・反転幅拡大回路
22:ライトドライバ
24:ヘッド/媒体
26:プリアンプ
28:可変ゲインアンプ
30:ローパスフィルタ(LPF)
32:サンプラ(ADC)
34:イコライザ(等化器)
36:ビタビ検出器(最尤検出器)
38:デコーダ
40:ゲイン計算器
42:位相計算器
44:VFO
46:タップゲイン計算器
48,50:誤差計算器
52:アド・コンペア・セレクト回路(ACS回路)
54:パスメモリ
58,66,74:レベル決定回路
60,68,76:パターン検出器
62:振幅誤差検出器
64,72,80:ループフィルタ
70:位相誤差検出器
78:等化誤差検出器
82:エラー検出回路
84:反転幅制御回路
86:仮定値平均化回路
88:SAM計算回路

Claims (2)

  1. 情報を媒体上に磁気的に記録して再生する記憶装置に於いて、
    特定の符号列の場合のみ、前記媒体上での磁化反転の間隔を本来の磁化反転の間隔より拡大して記録する記録部と、
    前記媒体の読取信号を等化した後の最尤検出で、記録時に磁化反転の間隔を本来の磁化反転の間隔よりも広げて記録したことによる振幅誤差を最尤検出の期待値に加えて最尤検出する再生部と、
    を備え、
    前記記録部は、情報を前記媒体上に磁気的に記録する際に、最小間隔で起こる磁化反転の連続を制限した符号法を使用し、該符号法の特定の符号列の場合のみ、媒体上での磁化反転の間隔が本来の磁化反転の間隔よりも広げて形成されるように記録し、
    前記記録部は、
    媒体上に磁気的に記録する際に最小間隔で起こる磁化反転の連続を2個までに制限したMTR符号を使用し、磁化反転が2個連続するダイビットの場合のみ、1番目の磁化反転を本来よりも前方にずらし、2番目の磁化反転を本来よりも後方にずらして記録する第1記録機能と、
    情報を前記媒体上に磁気的に記録する際に最小間隔で起こる磁化反転の連続を3個までに制限したMTR符号を使用し、磁化反転が2個連続するダイビットの場合は、1番目の磁化反転を本来よりも前方にずらし、2番目の磁化反転を本来よりも後方にずらして記録し、磁化反転が3個連続するトリビットの場合は、1番目の磁化反転を本来よりも前方にずらし、2番目は本来の位置とし、3番目の磁化反転を本来よりも後方にずらして記録する第2記録機能と、
    のいずれかひとつの記録機能を有することを特徴とする記憶装置。
  2. 情報を媒体上に磁気的に記録して再生する記録再生方法に於いて、
    情報を前記媒体上に磁気的に記録する際に、最小間隔で起こる磁化反転の連続を制限した符号法を使用し、該符号法による特定の符号列の場合のみ、媒体上での磁化反転の間隔が本来の磁化反転の間隔よりも広げて形成されるように記録し、
    前記媒体の読取信号を等化した後の最尤検出で、記録時に磁化反転の間隔を本来の磁化反転の間隔よりも広げて記録したことによる振幅誤差を最尤検出の期待値に加えて最尤検出して再生し、
    前記記録は、
    情報を媒体上に磁気的に記録する際に最小間隔で起こる磁化反転の連続を2個までに制限したMTR符号を使用し、磁化反転が2個連続するダイビットの場合のみ、1番目の磁化反転を本来よりも前方にずらし、2番目の磁化反転を本来よりも後方にずらして記録する第1記録と、
    情報を前記媒体上に磁気的に記録する際に最小間隔で起こる磁化反転の連続を3個までに制限したMTR符号を使用し、磁化反転が2個連続するタイビットの場合は、1番目の磁化反転を本来よりも前方にずらし、2番目の磁化反転を本来よりも後方にずらして記録し、磁化反転が3個連続するトリビットの場合は、1番目の磁化反転を本来よりも前方にずらし、2番目は本来の位置とし、3番目の磁化反転を本来よりも後方にずらして記録する第2記録と、
    のいずれかひとつの記録を有することを特徴とする記録再生方法。
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