JP4036454B2 - 薄膜トランジスタ。 - Google Patents
薄膜トランジスタ。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4036454B2 JP4036454B2 JP2003154841A JP2003154841A JP4036454B2 JP 4036454 B2 JP4036454 B2 JP 4036454B2 JP 2003154841 A JP2003154841 A JP 2003154841A JP 2003154841 A JP2003154841 A JP 2003154841A JP 4036454 B2 JP4036454 B2 JP 4036454B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- carbon nanotube
- thin film
- layer
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/221—Carbon nanotubes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、金属電極とカーボンナノチューブを用いた電極領域を有する薄膜トランジスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、薄膜トランジスタの半導体成分として有機材料を用いたものが注目を浴びている。有機材料は、溶液からのスピン・コーティングまたは浸漬コーティング、熱蒸着、スクリーン印刷などの方法による処理がより簡単であるので、薄膜トランジスタ構造用の無機材料のより安価な代替物となる。
【０００３】
しかし、有機材料を用いた場合、キャリアの移動度が低いため問題も多い。そこで、様々な検討がなされている。以下、図を示して述べる。
【０００４】
特許文献１には、図１４に示すように、ソース電極１０１とドレイン電極１０２の間に半導体チャネル層として有機／無機混成材料１０３を使用した薄膜トランジスタが開示されている（特許文献１）。さらに、特許文献１には、当該薄膜トランジスタは、無機の結晶性固体と有機材料の利点を兼ね備えると記載されている。
【０００５】
特許文献２には、図１５に示すように、ソース電極１１０及びソース電気絶縁層１１１からなるソース領域と、ドレイン電極１１２及びドレイン電気絶縁層１１３からなるドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを結ぶ少なくとも有機半導体材料で構成される有機半導体層１１４からなるチャネル層と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記チャネル層の下面に沿って設けたゲート電気絶縁層１１５、前記ソース領域、前記ゲート電気絶縁層１１５及び前記ドレイン領域の同一平面となる下面に設けた半導体材料で構成されるゲート層１１６並びに前記ゲート層１１６に設けたゲート電極１１７からなるゲート領域と、を備えた薄膜トランジスタが開示されている（特許文献２）。さらに、特許文献２には、当該薄膜トランジスタは、図のような構成とすることにより、空乏層および反転層を発生しやすくし、かつ、ソース側のキャリアを高速でドレイン側に吸収させると記載されている。
【０００６】
非特許文献１には、図１６に示すように、ソース電極１２１と、ドレイン電極１２２と、ペンタセン薄膜トランジスタ層１２３と、絶縁層１２４と、ゲート層１２５と、基板１２６と、を備えた薄膜トランジスタについて開示されている（非特許文献１）。さらに、非特許文献１には、当該薄膜トランジスタは、プラスチックのような基板上に、ペンタセンのような有機材料を成膜することについて記載されている。
【０００７】
非特許文献２および特許文献３には、図１７に示すように、電流駆動スイッチング部と、当該電流駆動スイッチング部とともに集積された第２の回路部とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタについて開示されている（非特許文献２、特許文献３）。これらの文献には、トランジスタのソース電極１３１とＬＥＤの陰極１３２とに電圧が印加され、かつトランジスタのゲート電極１３３にバイアスが印加されたときには、ソース電極１３１からトランジスタの半導体層１３４を通過してドレイン電極１３５へと電流が流れること：ドレイン電極１３５はＬＥＤの陽極としても機能し、したがって、電流がドレイン電極１３５からＬＥＤの発光層１３９を通過してＬＥＤの陰極へと流れ、これにより、矢印ｈνで示されるように発光層１３９から発光が生じること：半導体層１３４とゲート電極１３３との間には酸化ケイ素の絶縁層１３６およびｎ+型シリコン１３７が配置されており、酸化ケイ素の絶縁層１３８は、発光層１３９からソース電極１３１を分け隔てていることが記載されている。
【０００８】
上述のとおり、有機材料をチャネル層に用いた薄膜トランジスタの伝導性はきわめて低く、その検討はなされているものの、依然としてその問題は解決していない。この要因として、非特許文献３には、微小な有機チャネル層と金属電極面では接触抵抗が極端に大きく、この部分で印加電圧のほとんどが吸収されるため、チャネル層には実効的な電圧がほとんど印加されていないことを報告している（非特許文献３）。従って、有機材料をチャネル層に用いた薄膜トランジスタの伝導性に関する根本的な解決が求められる。
【０００９】
【特許文献１】
特開２０００−２６０９９９号公報
【特許文献２】
特開２００３−８６８０５号公報
【特許文献３】
特表２００２−５１２４５１号公報
【非特許文献１】
Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， ｖｏｌｕｍｅ ４３， ｎｕｍｂｅｒ ３，ｐａｇｅｓ ６３−７７，２０００年３月
【非特許文献２】
ＳＣＩＥＮＣＥ ＶＯＬ．２８０，１９９８年６月１２日
【非特許文献３】
Ｋａｎｎａｎ Ｓｅｓｈａｄｒｉ ｅｔ Ａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，９９３（２００１））
【００１０】
【課題を解決するための手段】
従来技術を検討した結果、発明者は、微小な有機材料からなる層と金属電極との界面では接触抵抗が極端に大きい点を改良する必要があると考えた。接触抵抗が改良されれば、有機材料からなる層と金属電極界面との間で、印加電圧が吸収されるのを防ぐことが可能となる。
【００１１】
そこで、発明者は、電子線リソグラフィーの手法で作成した金属電極に炭素６員環構造を有する有機材料であるペンタセンの単一グレインを挟み込み、これを用いて作成した電界効果トランジスタの電流電圧特性を測定した。すると、電界効果トランジスタは、作動するものの、大きなヒステリシスが観測された（図１３）。そこで、発明者は、金属電極とペンタセンの界面を原子間力顕微鏡で観察し、金属電極とペンタセンの接触がうまくいってないこと、両者の界面で一様な接触が生じていないこと、および、界面での接触面積が極めて小さいことを見出した。
【００１２】
さらに検討したところ、発明者は、金属電極とペンタセンの界面での問題点を改良するには、金属電極に用いる材料として、小さく、薄く、かつ、安定な物質を用いること、ペンタセンとの良好な接触があること、特に、ペンタセンと化学的相互作用による界面のコンタクトを持つ材料であることが必要であることを見出した。
【００１３】
以上について、発明者が、鋭意検討した結果、本願発明を完成するに至った。
（１）少なくとも、ソース電極領域と、ドレイン電極領域と、前記ソース電極領域と前記ドレイン電極領域の間に設けられたアセン類、チオフェン類およびその誘導体から選択される材料からなるチャネル層とで構成され、前記ソース電極領域および前記ドレイン電極領域は、それぞれ、前記チャネル層の一部と接触するカーボンナノチューブと、当該カーボンナノチューブの一部と接触する金属電極とからなり、前記金属電極と、前記チャネル層は接触していないことを特徴とする薄膜トランジスタ。
（２）基板と、当該基板の上に配設される絶縁層と、当該絶縁層の上に配設されるソース電極領域と、ドレイン電極領域と、前記ソース電極領域と前記ドレイン電極領域の間に設けられたアセン類、チオフェン類およびその誘導体から選択される材料からなるチャネル層とで構成され、前記ソース電極領域および前記ドレイン電極領域は、それぞれ、前記チャネル層の一部と接触するカーボンナノチューブと、当該カーボンナノチューブの一部と接触する金属電極とからなり、前記金属電極と、前記チャネル層は接触していないことを特徴とする薄膜トランジスタ。
（３）前記金属電極は、金および／またはプラチナからなる、（１）または（２）に記載の薄膜トランジスタ。
（４）（１）〜（３）のいずれか１項において、カーボンナノチューブが、フラーレンを含むカーボンナノチューブであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
（５）（１）〜（４）のいずれか１項において、チャネル層が、ペンタセンからなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本願発明における薄膜トランジスタには、電界効果トランジスタを含む。さらに、本願発明における電界効果トランジスタは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタのことのみでなく、より一般的な金属電極−絶縁体−半導体の組合せをも含む趣旨である。
【００１５】
本願発明のカーボンナノチューブは、チャネル層と金属電極との接触を良好にし、電気伝導性を向上させるものである。具体的には、本願発明のカーボンナノチューブとは、その組成物の大半が炭素からなり、その大部分が６員環を有し、かつ、チューブ状をしたものをいう。より具体的には、本願発明のカーボンナノチューブとは、その炭素６員構造が、チャネル層の材料の炭素６員環構造の部分と界面をもって接触するもの、特に、化学的相互作用により、接触するものをいう。すなわち、カーボンナノチューブの炭素６員環が、チャネル層の材料の炭素６員環とその界面で、Π電子同士の相互作用によって接触するものをいう。
【００１６】
本願発明で採用するカーボンナノチューブは、その伝導性が、チャネル層の材料より良好なものである。すなわち、カーボンナノチューブの抵抗がチャネル層の抵抗よりも小さいものをいう。本願発明のカーボンナノチューブは、好ましくは、抵抗が、１０-5〜１０-4Ωｃｍのものである。また、カーボンナノチューブは、非常に薄く小さい構造をしているため金属電極とのなじみもよい。そのため、接触面積が小さいにも関わらず、金属電極からカーボンナノチューブを経てチャネル層までの電気の流れが、顕著に改善される。
【００１７】
本願発明のカーボンナノチューブとは、炭素６員環を含むことを最大の特徴とし、例えば、カーボンナノチューブ、フラーレンを含むカーボンナノチューブ、チューブ状のフラーレンが、あげられる。
【００１８】
本願発明のカーボンナノチューブとしては、直径が１〜５０ｎｍの中空状の直線状の炭素のみからなる物質があげられる。なお、本願発明でいうチューブとは、必ずしも筒状になったものではなく、薄膜状のものを巻いたもの等も含む趣旨である。例えば、グラファイト膜を巻いたようなものも含まれる。
【００１９】
本願発明のカーボンナノチューブは、多層ナノチューブであってもよいし、単層ナノチューブであってもよい。また、多層ナノチューブの場合、好ましくは、直径が５〜５０ｎｍ程度、長さは１〜１００μｍ程度、より好ましくは、直径が１０〜２０ｎｍ程度、長さは２〜１５μｍ程度のものを用いる。単層ナノチューブの場合、好ましくは、直径が０．６〜５ｎｍ程度、長さは１〜１００μｍ程度、より好ましくは、直径が０．６〜５ｍｍ程度、長さは２〜１５μｍ程度のものを用いる。さらに、カーボンナノチューブは、アームチェア構造であっても良いし、らせん構造であってもよい。もちろん、本願発明のカーボンナノチューブの断面は、正確な円形である必要は無く、楕円形等でもよい。
【００２０】
フラーレンを含むカーボンナノチューブとは、カーボンナノチューブであって、その外側若しくは内側にフラーレンを有しているものをいう。フラーレンとは、２０個以上の炭素原子を持ち、炭素原子のすべてが三配位であるか、かご型分子をしているものをいう。例えば、Ｃ60、Ｃ70、Ｃ76、Ｃ78、Ｃ82、Ｃ84、Ｃ92などがあげられる。また化学修飾されたフラーレンでもよい。また、フラーレンがさらに別の原子を内包していてもよい。たとえば、Ｌａ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙ、Ｓｃ、Ｓｃ２、Ｓｃ３Ｎを内包したフラーレンを用いてもよい。
【００２１】
カーボンナノチューブを用いる場合には、市販品を購入（例えば、真空治金（株）製）してもよいし、加工しても良い。加工する場合、熱フィラメントプラズマＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法や、特開２００２−２８５３３５号に記載された方法等を用いることができる。
【００２２】
カーボンナノチューブを操作する方法として光ピンセットを用いる方法がある。これは、光を収束させるとミクロンサイズの粒子が凝集する。この方法を用いてカーボンナノチューブをチャネル層に集積させる方法を用いてもよい。また、カーボンナノチューブが電場の方向に向きやすい性質を用いて、カーボンナノチューブを整列させてもよい。
【００２３】
本願発明のチャネル層には、アセン類、チオフェン類およびその誘導体から選択される材料を利用する。アセン類としては、本願発明の精神を逸脱しない限り特に定めるものではないが、例えば、ペンタセン、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ヘキサセン等を採用することができる。チオフェン類としては、本願発明の精神を逸脱しない限り特に定めるものではないが、例えば、縮合６員環芳香族環を二つもしくは三つ有した縮合環有機化合物であって、この化合物の両端部は、５員環の芳香族複素環となっているものをあげることができる。
【００２４】
本願発明の金属電極の材料は、特に定めるものではなく、本願発明の精神を逸脱しない限り広く採用できる。例えば、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タリウム（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）等を用いることができる。さらに、これらを組み合わせたものも採用することが出来る。例えば、金（Ａｕ）／チタン（Ｔｉ）の組み合わせを採用することができる。尚、ソース電極領域と、ドレイン電極領域とで、金属電極に採用する金属を異なるものとしても良い。また、本願発明でいう電極領域とは、カーボンナノチューブと金属電極から構成されるものをいう。
【００２５】
本願発明の絶縁層は、本願発明の精神を逸脱しない限り、広く採用できる。例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、フッ化カルシウムなどの無機材料、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、テフロン（登録商標）などの高分子材料、アミノプロピルエトキシシランなどの自己組織化分子膜などを用いればよい。
【００２６】
本願発明の基板は、絶縁性基板あるいは半導体性基板であれば特に定めるものではない。例えば、絶縁体基板として、たとえば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、フッ化カルシウム、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂、ポリイミド、テフロン等を用いればよい。半導体基板としては、たとえばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、インジウム燐、炭化シリコン等を用いればよい。基板表面は平坦である事が望ましい。
【００２７】
本願発明の薄膜トランジスタにはゲート電極を設けてもよく、該ゲート電極としては、特に限定されるものではなく、従来この種のトランジスタに採用されているものを広く用いることができる。例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、ポリシリコン、シリサイド、有機導電体を採用することができる。ゲート絶縁膜としては、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ等の無機絶縁膜、ポリイミド、ポリアクリロニトリル等の有機材料等を採用することができる。
【００２８】
以下、本願発明の実施形態を図面に従って説明する。図１は、本願発明の好ましい実施形態の一例であるトランジスタを示したものであって、（２）は、（１）の断面を示している。ここで１はチャネル層を、２は金属電極を、３はカーボンナノチューブを、４は絶縁層を、５は基板をそれぞれ示している。本願発明の特徴は、金属電極２とカーボンナノチューブ３によって、ドレイン電極領域およびソース電極領域をそれぞれ形成していることである。すなわち、本願発明の特徴は、金属電極とチャネル層の間にカーボンナノチューブを設け、金属電極とカーボンナノチューブによって電極領域としたことである。このため、チャネル層の材料として、有機材料を採用しても、当該チャネル層の材料と電極との接続が良好となった。これによって、伝導性を劇的に改善することが可能になった。つまり、トランジスタの動作速度が改善され、素子間の特性ばらつきが低減した。
【００２９】
図１において、チャネル層を介した２本のカーボンナノチューブの間隔Ｌ1は、好ましくは、１００ｎｍ以下０より長い間隔であり、より好ましくは、５０ｎｍ以下０より長い間隔である。
【００３０】
図１において、一の金属電極２とチャネル層１の間隔Ｌ2は、好ましくは、１〜１０μｍ、より好ましくは、２〜５μｍである。このような長さとすることにより、一定のマージンを確保することができ、後述するコンタクトの窓の形成が、より確実に行える。
【００３１】
図１において、それぞれのカーボンナノチューブの長さは、好ましくは、５〜２０μｍであり、より好ましくは、５〜１０μｍである。尚、ここでは、特に定めていないが、金属電極とカーボンナノチューブから構成される電極領域の一方がソース電極領域であり、他方が、ドレイン電極領域である。
【００３２】
図１において、金属電極間の間隔Ｌ3は、好ましくは１〜１００μｍであり、より好ましくは、５〜１０μｍである。また、トランジスタ全体の幅Ｌ4は、例えば、０．１〜３ｍｍとすることができる。もちろん、用途や目的に応じて適宜設定することも可能である。
【００３３】
図１において、チャネル層とカーボンナノチューブの接触長さは、好ましくは、１〜１０μｍ、より好ましくは、１〜５μｍである。
【００３４】
図２は、本願発明の別なる実施形態を示したものである。図中の符号は、図１と同様のものを採用している。当該実施形態の特徴は、カーボンナノチューブ３が、チャネル層の部分で、並列している点である。このように、必ずしも、ソース電極領域が有するカーボンナノチューブとドレイン電極領域が有するカーボンナノチューブとが直線状に並んでいる必要は無い。さらに、カーボンナノチューブは必ずしも直線状である必要はなく、折れ曲がりや湾曲があってもよい。
【００３５】
図３は、カーボンナノチューブを複数設けた実施形態を示したものである。図中の符号は、図１と同様のものを採用している。このように複数のカーボンナノチューブを設けることにより、電子の出入りが良好となっている。尚、本実施形態では、各電極に３本づつとしているが、これに限るものではなく、さらに、本数を増やすことも可能である。
【００３６】
チャネル層の形状は、図１〜３の（１）の方向から見た場合、四角形をしているが、これに限るものではなく、必要に応じて様々な形に設定することができる。また、カーボンナノチューブは、円筒状のものが好ましいが、これに限るものではなく、断面が楕円形状のもの等も採用することができる。さらに、必ずしも筒状である必要は無く、薄膜を巻いたもの等も含む趣旨であるのは、上述のとおりである。さらに、図１〜３では、カーボンナノチューブを、金属電極に対して垂直に設けているが、様々な角度に設定できることは言うまでもない。
【００３７】
本願発明のトランジスタは、電子機器、医療機器等に広く採用することができる。具体的には、フレキシブルディスプレイ、微小有機電子素子、ナノバイオデバイス、分子センサーの端子接続等があげられる。もちろん、これらの用途に限られる訳ではなく、本願発明の精神を逸脱しない限り、広く採用することができる。
【００３８】
【実施例１】
（１）バックゲート電極の作製
厚さ２００ｎｍの ＳｉＯ2熱酸化膜を表面および裏面に持つ、厚さ３５０μｍのハイドープｐ型Ｓｉ基板（販売元：（株）Ｅ＆Ｍ）をダイヤモンドカッターで２５ｍｍ角に切り出した。当該基板は、ホウ素ドーピングされており、低効率が０．０００９９Ωｃｍ以下であり、キャリア濃度が１０20ｃｍ-3以上である。切り出した基板表面に、フォトレジストＡＺ−１３５０Ｊ（販売元：（株）クラリアントジャパン、以下、同じ）を滴下した。そして、スピンコーター（（株）ＭＩＫＡＳＡ製）を用い、５００ｒｐｍ、５秒の初期回転、および、３０００ｒｐｍ、６０秒の定常回転の条件で回転して、基板表面上で均一にした。この基板をフッ化水素溶液（ＨＦ溶液）中に、３分間浸透させ、裏面のＳｉＯ2酸化膜を除去し、裏面にＳｉ表面を呈出させた。Ｓｉ表面が呈出されたことの確認は、テスターを用いて裏面の電気抵抗を測定することにより行った。前記確認後、直ちに、基板裏面に真空蒸着法によって、１０ｎｍ厚さのＡｌ層、１０ｎｍ厚さのＴｉ層、１００ｎｍ厚さのＡｕ層を順に堆積した。堆積終了後、基板をアセトン中に浸透させ、表面のレジストを除去した。次に、イソプロピルアルコールでリンスを行った。この工程後、基板全体を２５０℃のオーブンで１５分加熱し、裏面のＳｉとＡｌ界面のアニールを行った。この方法で作製した背面のＡｕ／Ｔｉ／Ａｌ電極をバックゲート用電極として用いた。
【００３９】
（２）引き出し電極の作製
上記（１）でバックゲート電極を作製した２５ｍｍ角の基板表面にフォトレジストＡＺ−１３５０Ｊを滴下した。そして、スピンコーター（（株）ＭＩＫＡＳＡ製）を用い、５００ｒｐｍ、５秒の初期回転、および、５０００ｒｐｍ、６０秒の定常回転の条件で回転して、基板表面上で均一にした（図４（１）側面図）。レジスト塗布後、フォトリソグラフィー用マスクおよびマスクアライナー（（株）ＭＩＫＡＳＡ製、ＭＡ−２０）を用いた紫外線リソグラフィー法によって露光した。すなわち、上記基板上に、フォトマスク（ 図４（２）上面図）を密着させ紫外線にて露光した（図４（３）側面図）。その後、基板を現像液に浸透させ、パターンを現像、フォトレジスト上にパターンを転写した（図４（４））。この工程が終了後、直ちに基板表面に５ｎｍのＴｉ層、次いで８０ｎｍのＡｕ層を蒸着した（（株）入江工研製蒸着器製）（図４（５））。蒸着終了後、基板をアセトン中に浸透させて表面のレジストを除去し（図４（６））、次いでイソプロピルアルコールでリンスを行った。この工程で作製した基板表面の金属パターンを、以下、「引き出し電極」と呼ぶ。ここで、フォトリソグラフィー用マスクには、同一の５ｍｍ角のパターンが縦４×横４の計１６個刻まれている。従って、上記の工程後の２５ｍｍ角の基板上に、５ｍｍ角の同一パターンが１６個一度に作製されているため、この２５ｍｍ角の基板を、１６枚の５ｍｍ角基板に分割した。バックゲート電極および引き出し電極が作製されたこの５ｍｍ角の基板を以下、「チップ」と呼ぶ。尚、図４中、５は基板を、１４はレジストを、１５はフォトマスクを、２は金属パターンをそれぞれ示している。また、図４（２）のフォトマスクは、概略図である。
【００４０】
（３）アドレスパターンの作製
上記（２）で作製した５ｍｍ角のチップ表面に、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）電子線レジストを滴下した。そして、上記（１）で使用したスピンコーターを用い、初期回転５００ｒｐｍ、５秒、定常回転５０００ｒｐｍ、４０秒、の条件で回転して、基板表面上で均一にした。電子線レジストを塗布後、チップを電子線リソグラフィー装置（（株）エリオニクス製、ＥＬＳ−７３００）に投入し、レジスト上に、アドレスパターンを描画した。ここで、アドレスパターンとは、数字と格子点からなる格子点パターンをいう。ここで、数字および格子点はその大きさがおよそ２００〜３００ｎｍ程度であった。アドレスパターンは引き出し電極の存在しない部分に対して描画された。描画終了後、チップを現像液に浸透させ、描画したパターンを現像した。現像後、チップ表面上に６ｎｍのＰｔ、８ｎｍのＡｕを真空蒸着法によって蒸着した。蒸着後、チップをアセトン中に浸しレジストを除去し、次いでイソプロピルアルコール中に浸してリンスを行った。
【００４１】
（４）ナノチューブの散布
多層カーボンナノチューブ（（株）真空冶金製）をジクロロエタン溶液に分散させた溶液を作成した。そして、上記（３）でアドレスパターンを作製したチップ上にこの溶液をスポイトで滴下した。滴下された溶液は、完全に乾燥する前に再びスポイトで吸い出した。溶液は、この吸出し作業によってチップ上から除去される。その後、チップをイソプロピルアルコールでリンスし、１００℃のオーブンで５分加熱した。この工程によってチップ上にカーボンナノチューブが散布された。
【００４２】
（５）ナノチューブに対するコンタクトの作製
上記（４）のカーボンナノチューブが散布されたチップを電子顕微鏡（日立製、Ｓ−５０００）で観察した（図示せず）。チップ上には、引き出し電極の無い部分にアドレスパターンが作製されていた。従って、電子顕微鏡観察を行った場合、チップ上にアドレスパターンと散布したナノチューブの両者が確認できた。ここで、観察で得られたアドレスパターンとカーボンナノチューブの相対的位置関係を記録した。これはカーボンナノチューブがチップ上でどこに位置しているのかを記録していることに相当する。カーボンナノチューブは、長さが５μｍ以上のもの、より好ましくは、５〜９０μｍのものを選ぶとよい。次いで、この記録をもとにし、カーボンナノチューブと上記（２）の引き出し電極を接続する金属配線パターン、すなわち、本願発明における金属電極を設計した。ここで設計したパターンを用い、上記（３）と同様の手法で、引き出し電極を金属を用いて作製した。ここで、金属としては、ＰｔおよびＡｕを用い、上記（３）と同様に真空蒸着法によって作製した。Ｐｔの厚みは、５ｎｍ〜１０ｎｍ、Ａｕの厚みは、３０〜５０ｎｍであった。Ｐｔ、Ａｕを用いることによって、多層カーボンナノチューブに対してオーミックコンタクトを接続することが可能となる。
【００４３】
上記で作製したカーボンナノチューブを引き出し電極に接続するように設けたチップをプロ−バー（（株）日本マイクロニクス製、７０８ｆＴ−００６）にセットし、カーボンナノチューブの電気伝導特性を測定した。プロ−バーは４本の短針を備えており、そのうちの１本をバックゲート電極と等電位の部分に落とし、２本をチップ上の引き出し電極に落した。ここで、短針はパラメータアナライザー（ＨＰ ４１５６Ａ）に接続されている。電気伝導特性を測定し、このデータを記録した。図５に、得られた素子の概略図を示す。
【００４４】
図６は、電流電圧特定を示したものである。電流電圧特性は、プロ−バー（（株）日本マイクロニクス製）を採用した（以下、同じ）。図６中、Ｉｓｄはソース−ドレイン間の電流を、Ｖｓｄはソース−ドレイン間の電圧をそれぞれ示す（以下、同じ）。当該素子は、低電圧、（２Ｖ以下）で最大数１０μＡの電流が得られ、ヒステリシスも観測されなかった。また、図７に、ゲート電極に対する電流電圧特性についての測定結果を示す。ここで、図７中、Ｖｇはゲート電極の電圧を示す（以下、同じ）。図７に示すように、電流がゲート電圧に依存しないという結果が得られた。これはカーボンナノチューブが金属的に振舞っていることを意味している。
【００４５】
（６）ナノチューブの電気的破壊
上記（５）の電気伝導特性測定の後、カーボンナノチューブに数ボルトの電圧を印加、高密度電流（０．１〜０．２ｍＡ）を流しこの電流を一定時間（３００秒以下）流し続けた。この時、カーボンナノチューブに流れる電流値が階段状に減少し、最終的に電流値が消失した。電流値が消失する原因はカーボンナノチューブの中央付近が高密度電流の保持によって切れるためである。この作業によって引き出し電極に接続されたカーボンナノチューブの中央部付近を切った。中央部が切断されたカーボンナノチューブを、上記（５）と同様に電子顕微鏡で観察すると、切断部分の長さＬは５０ｎｍ以下であることが確認できた。これらの概略図を図８および図９に示す。
【００４６】
図８は、カーボンナノチューブの電気的破壊の状態を示したものである。図９は、図８（ａ）に電圧を徐々に印加した状態を示したものである。図９中、一定の高電圧で保持すると、ナノチューブに流れる電流量が段階状に減少した。これに伴い、多層カーボンナノチューブは、一層ずつ破壊・除去されていき（図８（ｂ））、すべての層が破壊されると（ 図８（ｃ））電流が流れなくなった。図９中の下向きの矢印は、多層カーボンナノチューブが一層ずつ破壊されていく、ブレーキングポイント（ｂｒｅａｋｉｎｇ ｐｏｉｎｔ）を示している。このとき、ナノチューブの切断部分には、最終的に小さなギャップが得られた。ここで、ギャップとは、多層カーボンナノチューブが切れたことによって生じた微小な空間である。図１０に、ギャップの長さを測定した結果を示す。尚、ここでは、４９サンプルについて行った。
【００４７】
（７）有機チャネル層の形成
上記（６）の工程を経たチップ上に、上記（３）と同様の方法で電子線レジストを塗布した。塗布後、上記（６）のカーボンナノチューブ切断部分を中心とし、一辺が１〜２μｍ程度の長方形の電子線描画パターンをデザインした。また、引出し電極上にも一辺１００μｍ程度の長方形の描画パターンをデザインし、両者のパターンを上記（３）と同様の方法で電子線描画し、パターンを現像した。
現像後には、カーボンナノチューブ切断部周辺に、一辺１〜２μｍ程度の長方形の窓が作製された。同様に、引出し電極上にも一辺１００μｍ程度の長方形の窓が作製された。上述したように、カーボンナノチューブの長さは切断部の窓の大きさよりも長いため、窓はカーボンナノチューブ切断部分付近のみに空いていると考えられた。尚、カーボンナノチューブと引き出し電極を接続している金属電極上には窓はあけていない。次に、上記で得られた窓のうち、引出し電極上の窓をアルミホイルで慎重にマスキングした。マスキングされたチップは、有機物積層用の真空蒸着器（（株）ＵＬＶＡＣ製）に入れ、真空チャンバー内で真空蒸着法によって有機物質を蒸着した。ここでは、蒸着する有機物質として炭素六員環が５個直列につながった構造を持つペンタセン（販売元：Ａｌｄｒｉｃｈ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ）を用いた。ペンタセンを、窓の空いた部分を経由して切断されたカーボンナノチューブ上に蒸着し、切断面を再びつないだ。有機物蒸着後、マスキングで用いたアルミホイルを取り除き、素子とした。図１１に、本実施例の概略図を示す。ここで、１１はＳｉＯ2熱酸化膜を、１２はｐ型Ｓｉ基板を、１３は引出し電極を、１６ペンタセンを、３はナノチューブをそれぞれ示す。
【００４８】
（８）作製した素子の電気特性の測定
作製した素子の電気特性を測定するために、上記（６）と同様のプロ−バーを用いた。この時、プロ−バーの１本の針はバックゲートと等電位の部分に落とされ、残りの２本は上記（７）の引き出し電極上に形成した窓を通して引き出し電極上に落とされた。尚、窓のない部分は絶縁性の高い電子線レジストで覆われているため、針を落としても針と引き出し電極の導通が取れない。この配置で素子の電気特性を測定したところ、電気伝導が認められた。上記（６）のようにカーボンナノチューブ切断後には電気伝導が認められなかったため、この電流値はカーボンナノチューブが電極として振る舞い、有機チャネル層を流れている電流であると認められた。その結果を図に１２示す。
【００４９】
図１２の実験は、ゲート電圧が、−１０Ｖ、−５Ｖ、０Ｖ、５Ｖ、１０Ｖについて行った。ここで、ペンタセン蒸着前は、電流は全く流れなかった（ＣＮＴ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｏｎｌｙ）。これに対し、ペンタセン蒸着後は、導通が認められた。さらに、ソース−ドレイン間の電圧が低いにもかかわらず、ｎＡオーダーの電流値が流れた。加えて、ヒステリシスもほとんど観測されなかった。尚、図１２中、Ｖｓｄが０以下の場合、下から順に、−１０Ｖ、−１０Ｖ、−５Ｖ、−５Ｖ、０Ｖ、０Ｖ、５Ｖ、５Ｖ、１０Ｖ、１０ＶについてのＩｓｄである。Ｖｓｄが、０以上の場合上から順に、−１０Ｖ、−１０Ｖ、−５Ｖ、−５Ｖ、０Ｖ、０Ｖ、５Ｖ、５Ｖ、１０Ｖ、１０ＶについてのＩｓｄである。尚、図１３は、金属のみからなる電極領域のばあいの電流電圧特性を示す。図１３中、Ｖｄｓが−２０Ｖのところで、上から順に、−２０Ｖ、−２０Ｖ、−１５Ｖ、−１５Ｖ、−１０Ｖ、１０Ｖ、−５Ｖ、−５Ｖ、０Ｖ、０ＶのＩｓｄを示している。
【００５０】
【発明の効果】
このように、本願発明は、カーボンナノチューブとチャネル層と両方に炭素６員環を持つものを採用したことにより、共役として知られている隣接する多重結合した原子間の原子軌道の重なり合いによって、電荷の移動が可能になった。すなわち、金属電極と有機材料の間にカーボンナノチューブを採用することにより、電気伝導性が顕著に改善した。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の薄膜トランジスタの第一の実施形態を示す。
【図２】本願発明の薄膜トランジスタの第二の実施形態を示す。
【図３】本願発明の薄膜トランジスタの第三の実施形態を示す。
【図４】引き出し電極の作製パターンの概略図を示す。
【図５】ナノチューブを散布し、引き出し電極とナノチューブを接続した状態の素子の概略図を示す。
【図６】図５に示す素子の複数の一定電圧下での電流とゲート電圧の関係を示す。
【図７】図５に示す素子のゲート電極に対する電流電圧特性を示す。
【図８】ナノチューブの電気的破壊の概略図を示す。
【図９】図８の素子に電圧を徐々に印加した状態を示す。
【図１０】ナノチューブの切断部分のギャップの長さの分布を示す。
【図１１】本実施例の概略図を示す。
【図１２】図１１の素子の電流電圧特性を示す。
【図１３】従来の金属電極のみからなる、素子の電流電圧特性を示す。
【図１４】特許文献１に開示された薄膜トランジスタの概略図を示す。
【図１５】特許文献２に開示された薄膜トランジスタの概略図を示す。
【図１６】非特許文献１に開示された薄膜トランジスタの概略図を示す。
【図１７】非特許文献２および特許文献３に開示された薄膜トランジスタの概略図を示す。
【符号の説明】
１ チャネル層
２ 金属電極
３ カーボンナノチューブ
４ 絶縁層
５ 基板
１１ ＳｉＯ2熱酸化膜
１２ ｐ型Ｓｉ基板
１３ 引出し電極
１４ レジスト
１５ フォトマスク
１６ ペンタセン
１０１ ソース電極
１０２ ドレイン電極
１０３ チャネル層
１１０ ソース電極
１１１ ソース電気絶縁層
１１２ ドレイン電極
１１３ ドレイン電気絶縁層
１１４ 有機半導体層
１１５ ゲート電気絶縁層
１１６ ゲート層
１１７ ゲート電位
１２１ ソース電極
１２２ ドレイン電極
１２３ ペンタセン薄膜トランジスタ層
１２４ 絶縁層
１２４ ゲート層
１２６ 基板
１３１ ソース電極
１３２ ＬＥＤの陰極
１３３ トランジスタのゲート電極
１３４ トランジスタの半導体層
１３５ ドレイン電極
１３６ 酸化ケイ素の絶縁層
１３７ ｎ+型シリコン絶縁層
１３８ 酸化ケイ素の絶縁層
１３９ 発光層
【発明の属する技術分野】
本願発明は、金属電極とカーボンナノチューブを用いた電極領域を有する薄膜トランジスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、薄膜トランジスタの半導体成分として有機材料を用いたものが注目を浴びている。有機材料は、溶液からのスピン・コーティングまたは浸漬コーティング、熱蒸着、スクリーン印刷などの方法による処理がより簡単であるので、薄膜トランジスタ構造用の無機材料のより安価な代替物となる。
【０００３】
しかし、有機材料を用いた場合、キャリアの移動度が低いため問題も多い。そこで、様々な検討がなされている。以下、図を示して述べる。
【０００４】
特許文献１には、図１４に示すように、ソース電極１０１とドレイン電極１０２の間に半導体チャネル層として有機／無機混成材料１０３を使用した薄膜トランジスタが開示されている（特許文献１）。さらに、特許文献１には、当該薄膜トランジスタは、無機の結晶性固体と有機材料の利点を兼ね備えると記載されている。
【０００５】
特許文献２には、図１５に示すように、ソース電極１１０及びソース電気絶縁層１１１からなるソース領域と、ドレイン電極１１２及びドレイン電気絶縁層１１３からなるドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを結ぶ少なくとも有機半導体材料で構成される有機半導体層１１４からなるチャネル層と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記チャネル層の下面に沿って設けたゲート電気絶縁層１１５、前記ソース領域、前記ゲート電気絶縁層１１５及び前記ドレイン領域の同一平面となる下面に設けた半導体材料で構成されるゲート層１１６並びに前記ゲート層１１６に設けたゲート電極１１７からなるゲート領域と、を備えた薄膜トランジスタが開示されている（特許文献２）。さらに、特許文献２には、当該薄膜トランジスタは、図のような構成とすることにより、空乏層および反転層を発生しやすくし、かつ、ソース側のキャリアを高速でドレイン側に吸収させると記載されている。
【０００６】
非特許文献１には、図１６に示すように、ソース電極１２１と、ドレイン電極１２２と、ペンタセン薄膜トランジスタ層１２３と、絶縁層１２４と、ゲート層１２５と、基板１２６と、を備えた薄膜トランジスタについて開示されている（非特許文献１）。さらに、非特許文献１には、当該薄膜トランジスタは、プラスチックのような基板上に、ペンタセンのような有機材料を成膜することについて記載されている。
【０００７】
非特許文献２および特許文献３には、図１７に示すように、電流駆動スイッチング部と、当該電流駆動スイッチング部とともに集積された第２の回路部とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタについて開示されている（非特許文献２、特許文献３）。これらの文献には、トランジスタのソース電極１３１とＬＥＤの陰極１３２とに電圧が印加され、かつトランジスタのゲート電極１３３にバイアスが印加されたときには、ソース電極１３１からトランジスタの半導体層１３４を通過してドレイン電極１３５へと電流が流れること：ドレイン電極１３５はＬＥＤの陽極としても機能し、したがって、電流がドレイン電極１３５からＬＥＤの発光層１３９を通過してＬＥＤの陰極へと流れ、これにより、矢印ｈνで示されるように発光層１３９から発光が生じること：半導体層１３４とゲート電極１３３との間には酸化ケイ素の絶縁層１３６およびｎ+型シリコン１３７が配置されており、酸化ケイ素の絶縁層１３８は、発光層１３９からソース電極１３１を分け隔てていることが記載されている。
【０００８】
上述のとおり、有機材料をチャネル層に用いた薄膜トランジスタの伝導性はきわめて低く、その検討はなされているものの、依然としてその問題は解決していない。この要因として、非特許文献３には、微小な有機チャネル層と金属電極面では接触抵抗が極端に大きく、この部分で印加電圧のほとんどが吸収されるため、チャネル層には実効的な電圧がほとんど印加されていないことを報告している（非特許文献３）。従って、有機材料をチャネル層に用いた薄膜トランジスタの伝導性に関する根本的な解決が求められる。
【０００９】
【特許文献１】
特開２０００−２６０９９９号公報
【特許文献２】
特開２００３−８６８０５号公報
【特許文献３】
特表２００２−５１２４５１号公報
【非特許文献１】
Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， ｖｏｌｕｍｅ ４３， ｎｕｍｂｅｒ ３，ｐａｇｅｓ ６３−７７，２０００年３月
【非特許文献２】
ＳＣＩＥＮＣＥ ＶＯＬ．２８０，１９９８年６月１２日
【非特許文献３】
Ｋａｎｎａｎ Ｓｅｓｈａｄｒｉ ｅｔ Ａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，９９３（２００１））
【００１０】
【課題を解決するための手段】
従来技術を検討した結果、発明者は、微小な有機材料からなる層と金属電極との界面では接触抵抗が極端に大きい点を改良する必要があると考えた。接触抵抗が改良されれば、有機材料からなる層と金属電極界面との間で、印加電圧が吸収されるのを防ぐことが可能となる。
【００１１】
そこで、発明者は、電子線リソグラフィーの手法で作成した金属電極に炭素６員環構造を有する有機材料であるペンタセンの単一グレインを挟み込み、これを用いて作成した電界効果トランジスタの電流電圧特性を測定した。すると、電界効果トランジスタは、作動するものの、大きなヒステリシスが観測された（図１３）。そこで、発明者は、金属電極とペンタセンの界面を原子間力顕微鏡で観察し、金属電極とペンタセンの接触がうまくいってないこと、両者の界面で一様な接触が生じていないこと、および、界面での接触面積が極めて小さいことを見出した。
【００１２】
さらに検討したところ、発明者は、金属電極とペンタセンの界面での問題点を改良するには、金属電極に用いる材料として、小さく、薄く、かつ、安定な物質を用いること、ペンタセンとの良好な接触があること、特に、ペンタセンと化学的相互作用による界面のコンタクトを持つ材料であることが必要であることを見出した。
【００１３】
以上について、発明者が、鋭意検討した結果、本願発明を完成するに至った。
（１）少なくとも、ソース電極領域と、ドレイン電極領域と、前記ソース電極領域と前記ドレイン電極領域の間に設けられたアセン類、チオフェン類およびその誘導体から選択される材料からなるチャネル層とで構成され、前記ソース電極領域および前記ドレイン電極領域は、それぞれ、前記チャネル層の一部と接触するカーボンナノチューブと、当該カーボンナノチューブの一部と接触する金属電極とからなり、前記金属電極と、前記チャネル層は接触していないことを特徴とする薄膜トランジスタ。
（２）基板と、当該基板の上に配設される絶縁層と、当該絶縁層の上に配設されるソース電極領域と、ドレイン電極領域と、前記ソース電極領域と前記ドレイン電極領域の間に設けられたアセン類、チオフェン類およびその誘導体から選択される材料からなるチャネル層とで構成され、前記ソース電極領域および前記ドレイン電極領域は、それぞれ、前記チャネル層の一部と接触するカーボンナノチューブと、当該カーボンナノチューブの一部と接触する金属電極とからなり、前記金属電極と、前記チャネル層は接触していないことを特徴とする薄膜トランジスタ。
（３）前記金属電極は、金および／またはプラチナからなる、（１）または（２）に記載の薄膜トランジスタ。
（４）（１）〜（３）のいずれか１項において、カーボンナノチューブが、フラーレンを含むカーボンナノチューブであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
（５）（１）〜（４）のいずれか１項において、チャネル層が、ペンタセンからなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本願発明における薄膜トランジスタには、電界効果トランジスタを含む。さらに、本願発明における電界効果トランジスタは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタのことのみでなく、より一般的な金属電極−絶縁体−半導体の組合せをも含む趣旨である。
【００１５】
本願発明のカーボンナノチューブは、チャネル層と金属電極との接触を良好にし、電気伝導性を向上させるものである。具体的には、本願発明のカーボンナノチューブとは、その組成物の大半が炭素からなり、その大部分が６員環を有し、かつ、チューブ状をしたものをいう。より具体的には、本願発明のカーボンナノチューブとは、その炭素６員構造が、チャネル層の材料の炭素６員環構造の部分と界面をもって接触するもの、特に、化学的相互作用により、接触するものをいう。すなわち、カーボンナノチューブの炭素６員環が、チャネル層の材料の炭素６員環とその界面で、Π電子同士の相互作用によって接触するものをいう。
【００１６】
本願発明で採用するカーボンナノチューブは、その伝導性が、チャネル層の材料より良好なものである。すなわち、カーボンナノチューブの抵抗がチャネル層の抵抗よりも小さいものをいう。本願発明のカーボンナノチューブは、好ましくは、抵抗が、１０-5〜１０-4Ωｃｍのものである。また、カーボンナノチューブは、非常に薄く小さい構造をしているため金属電極とのなじみもよい。そのため、接触面積が小さいにも関わらず、金属電極からカーボンナノチューブを経てチャネル層までの電気の流れが、顕著に改善される。
【００１７】
本願発明のカーボンナノチューブとは、炭素６員環を含むことを最大の特徴とし、例えば、カーボンナノチューブ、フラーレンを含むカーボンナノチューブ、チューブ状のフラーレンが、あげられる。
【００１８】
本願発明のカーボンナノチューブとしては、直径が１〜５０ｎｍの中空状の直線状の炭素のみからなる物質があげられる。なお、本願発明でいうチューブとは、必ずしも筒状になったものではなく、薄膜状のものを巻いたもの等も含む趣旨である。例えば、グラファイト膜を巻いたようなものも含まれる。
【００１９】
本願発明のカーボンナノチューブは、多層ナノチューブであってもよいし、単層ナノチューブであってもよい。また、多層ナノチューブの場合、好ましくは、直径が５〜５０ｎｍ程度、長さは１〜１００μｍ程度、より好ましくは、直径が１０〜２０ｎｍ程度、長さは２〜１５μｍ程度のものを用いる。単層ナノチューブの場合、好ましくは、直径が０．６〜５ｎｍ程度、長さは１〜１００μｍ程度、より好ましくは、直径が０．６〜５ｍｍ程度、長さは２〜１５μｍ程度のものを用いる。さらに、カーボンナノチューブは、アームチェア構造であっても良いし、らせん構造であってもよい。もちろん、本願発明のカーボンナノチューブの断面は、正確な円形である必要は無く、楕円形等でもよい。
【００２０】
フラーレンを含むカーボンナノチューブとは、カーボンナノチューブであって、その外側若しくは内側にフラーレンを有しているものをいう。フラーレンとは、２０個以上の炭素原子を持ち、炭素原子のすべてが三配位であるか、かご型分子をしているものをいう。例えば、Ｃ60、Ｃ70、Ｃ76、Ｃ78、Ｃ82、Ｃ84、Ｃ92などがあげられる。また化学修飾されたフラーレンでもよい。また、フラーレンがさらに別の原子を内包していてもよい。たとえば、Ｌａ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙ、Ｓｃ、Ｓｃ２、Ｓｃ３Ｎを内包したフラーレンを用いてもよい。
【００２１】
カーボンナノチューブを用いる場合には、市販品を購入（例えば、真空治金（株）製）してもよいし、加工しても良い。加工する場合、熱フィラメントプラズマＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法や、特開２００２−２８５３３５号に記載された方法等を用いることができる。
【００２２】
カーボンナノチューブを操作する方法として光ピンセットを用いる方法がある。これは、光を収束させるとミクロンサイズの粒子が凝集する。この方法を用いてカーボンナノチューブをチャネル層に集積させる方法を用いてもよい。また、カーボンナノチューブが電場の方向に向きやすい性質を用いて、カーボンナノチューブを整列させてもよい。
【００２３】
本願発明のチャネル層には、アセン類、チオフェン類およびその誘導体から選択される材料を利用する。アセン類としては、本願発明の精神を逸脱しない限り特に定めるものではないが、例えば、ペンタセン、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ヘキサセン等を採用することができる。チオフェン類としては、本願発明の精神を逸脱しない限り特に定めるものではないが、例えば、縮合６員環芳香族環を二つもしくは三つ有した縮合環有機化合物であって、この化合物の両端部は、５員環の芳香族複素環となっているものをあげることができる。
【００２４】
本願発明の金属電極の材料は、特に定めるものではなく、本願発明の精神を逸脱しない限り広く採用できる。例えば、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タリウム（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）等を用いることができる。さらに、これらを組み合わせたものも採用することが出来る。例えば、金（Ａｕ）／チタン（Ｔｉ）の組み合わせを採用することができる。尚、ソース電極領域と、ドレイン電極領域とで、金属電極に採用する金属を異なるものとしても良い。また、本願発明でいう電極領域とは、カーボンナノチューブと金属電極から構成されるものをいう。
【００２５】
本願発明の絶縁層は、本願発明の精神を逸脱しない限り、広く採用できる。例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、フッ化カルシウムなどの無機材料、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、テフロン（登録商標）などの高分子材料、アミノプロピルエトキシシランなどの自己組織化分子膜などを用いればよい。
【００２６】
本願発明の基板は、絶縁性基板あるいは半導体性基板であれば特に定めるものではない。例えば、絶縁体基板として、たとえば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、フッ化カルシウム、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂、ポリイミド、テフロン等を用いればよい。半導体基板としては、たとえばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、インジウム燐、炭化シリコン等を用いればよい。基板表面は平坦である事が望ましい。
【００２７】
本願発明の薄膜トランジスタにはゲート電極を設けてもよく、該ゲート電極としては、特に限定されるものではなく、従来この種のトランジスタに採用されているものを広く用いることができる。例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、ポリシリコン、シリサイド、有機導電体を採用することができる。ゲート絶縁膜としては、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ等の無機絶縁膜、ポリイミド、ポリアクリロニトリル等の有機材料等を採用することができる。
【００２８】
以下、本願発明の実施形態を図面に従って説明する。図１は、本願発明の好ましい実施形態の一例であるトランジスタを示したものであって、（２）は、（１）の断面を示している。ここで１はチャネル層を、２は金属電極を、３はカーボンナノチューブを、４は絶縁層を、５は基板をそれぞれ示している。本願発明の特徴は、金属電極２とカーボンナノチューブ３によって、ドレイン電極領域およびソース電極領域をそれぞれ形成していることである。すなわち、本願発明の特徴は、金属電極とチャネル層の間にカーボンナノチューブを設け、金属電極とカーボンナノチューブによって電極領域としたことである。このため、チャネル層の材料として、有機材料を採用しても、当該チャネル層の材料と電極との接続が良好となった。これによって、伝導性を劇的に改善することが可能になった。つまり、トランジスタの動作速度が改善され、素子間の特性ばらつきが低減した。
【００２９】
図１において、チャネル層を介した２本のカーボンナノチューブの間隔Ｌ1は、好ましくは、１００ｎｍ以下０より長い間隔であり、より好ましくは、５０ｎｍ以下０より長い間隔である。
【００３０】
図１において、一の金属電極２とチャネル層１の間隔Ｌ2は、好ましくは、１〜１０μｍ、より好ましくは、２〜５μｍである。このような長さとすることにより、一定のマージンを確保することができ、後述するコンタクトの窓の形成が、より確実に行える。
【００３１】
図１において、それぞれのカーボンナノチューブの長さは、好ましくは、５〜２０μｍであり、より好ましくは、５〜１０μｍである。尚、ここでは、特に定めていないが、金属電極とカーボンナノチューブから構成される電極領域の一方がソース電極領域であり、他方が、ドレイン電極領域である。
【００３２】
図１において、金属電極間の間隔Ｌ3は、好ましくは１〜１００μｍであり、より好ましくは、５〜１０μｍである。また、トランジスタ全体の幅Ｌ4は、例えば、０．１〜３ｍｍとすることができる。もちろん、用途や目的に応じて適宜設定することも可能である。
【００３３】
図１において、チャネル層とカーボンナノチューブの接触長さは、好ましくは、１〜１０μｍ、より好ましくは、１〜５μｍである。
【００３４】
図２は、本願発明の別なる実施形態を示したものである。図中の符号は、図１と同様のものを採用している。当該実施形態の特徴は、カーボンナノチューブ３が、チャネル層の部分で、並列している点である。このように、必ずしも、ソース電極領域が有するカーボンナノチューブとドレイン電極領域が有するカーボンナノチューブとが直線状に並んでいる必要は無い。さらに、カーボンナノチューブは必ずしも直線状である必要はなく、折れ曲がりや湾曲があってもよい。
【００３５】
図３は、カーボンナノチューブを複数設けた実施形態を示したものである。図中の符号は、図１と同様のものを採用している。このように複数のカーボンナノチューブを設けることにより、電子の出入りが良好となっている。尚、本実施形態では、各電極に３本づつとしているが、これに限るものではなく、さらに、本数を増やすことも可能である。
【００３６】
チャネル層の形状は、図１〜３の（１）の方向から見た場合、四角形をしているが、これに限るものではなく、必要に応じて様々な形に設定することができる。また、カーボンナノチューブは、円筒状のものが好ましいが、これに限るものではなく、断面が楕円形状のもの等も採用することができる。さらに、必ずしも筒状である必要は無く、薄膜を巻いたもの等も含む趣旨であるのは、上述のとおりである。さらに、図１〜３では、カーボンナノチューブを、金属電極に対して垂直に設けているが、様々な角度に設定できることは言うまでもない。
【００３７】
本願発明のトランジスタは、電子機器、医療機器等に広く採用することができる。具体的には、フレキシブルディスプレイ、微小有機電子素子、ナノバイオデバイス、分子センサーの端子接続等があげられる。もちろん、これらの用途に限られる訳ではなく、本願発明の精神を逸脱しない限り、広く採用することができる。
【００３８】
【実施例１】
（１）バックゲート電極の作製
厚さ２００ｎｍの ＳｉＯ2熱酸化膜を表面および裏面に持つ、厚さ３５０μｍのハイドープｐ型Ｓｉ基板（販売元：（株）Ｅ＆Ｍ）をダイヤモンドカッターで２５ｍｍ角に切り出した。当該基板は、ホウ素ドーピングされており、低効率が０．０００９９Ωｃｍ以下であり、キャリア濃度が１０20ｃｍ-3以上である。切り出した基板表面に、フォトレジストＡＺ−１３５０Ｊ（販売元：（株）クラリアントジャパン、以下、同じ）を滴下した。そして、スピンコーター（（株）ＭＩＫＡＳＡ製）を用い、５００ｒｐｍ、５秒の初期回転、および、３０００ｒｐｍ、６０秒の定常回転の条件で回転して、基板表面上で均一にした。この基板をフッ化水素溶液（ＨＦ溶液）中に、３分間浸透させ、裏面のＳｉＯ2酸化膜を除去し、裏面にＳｉ表面を呈出させた。Ｓｉ表面が呈出されたことの確認は、テスターを用いて裏面の電気抵抗を測定することにより行った。前記確認後、直ちに、基板裏面に真空蒸着法によって、１０ｎｍ厚さのＡｌ層、１０ｎｍ厚さのＴｉ層、１００ｎｍ厚さのＡｕ層を順に堆積した。堆積終了後、基板をアセトン中に浸透させ、表面のレジストを除去した。次に、イソプロピルアルコールでリンスを行った。この工程後、基板全体を２５０℃のオーブンで１５分加熱し、裏面のＳｉとＡｌ界面のアニールを行った。この方法で作製した背面のＡｕ／Ｔｉ／Ａｌ電極をバックゲート用電極として用いた。
【００３９】
（２）引き出し電極の作製
上記（１）でバックゲート電極を作製した２５ｍｍ角の基板表面にフォトレジストＡＺ−１３５０Ｊを滴下した。そして、スピンコーター（（株）ＭＩＫＡＳＡ製）を用い、５００ｒｐｍ、５秒の初期回転、および、５０００ｒｐｍ、６０秒の定常回転の条件で回転して、基板表面上で均一にした（図４（１）側面図）。レジスト塗布後、フォトリソグラフィー用マスクおよびマスクアライナー（（株）ＭＩＫＡＳＡ製、ＭＡ−２０）を用いた紫外線リソグラフィー法によって露光した。すなわち、上記基板上に、フォトマスク（ 図４（２）上面図）を密着させ紫外線にて露光した（図４（３）側面図）。その後、基板を現像液に浸透させ、パターンを現像、フォトレジスト上にパターンを転写した（図４（４））。この工程が終了後、直ちに基板表面に５ｎｍのＴｉ層、次いで８０ｎｍのＡｕ層を蒸着した（（株）入江工研製蒸着器製）（図４（５））。蒸着終了後、基板をアセトン中に浸透させて表面のレジストを除去し（図４（６））、次いでイソプロピルアルコールでリンスを行った。この工程で作製した基板表面の金属パターンを、以下、「引き出し電極」と呼ぶ。ここで、フォトリソグラフィー用マスクには、同一の５ｍｍ角のパターンが縦４×横４の計１６個刻まれている。従って、上記の工程後の２５ｍｍ角の基板上に、５ｍｍ角の同一パターンが１６個一度に作製されているため、この２５ｍｍ角の基板を、１６枚の５ｍｍ角基板に分割した。バックゲート電極および引き出し電極が作製されたこの５ｍｍ角の基板を以下、「チップ」と呼ぶ。尚、図４中、５は基板を、１４はレジストを、１５はフォトマスクを、２は金属パターンをそれぞれ示している。また、図４（２）のフォトマスクは、概略図である。
【００４０】
（３）アドレスパターンの作製
上記（２）で作製した５ｍｍ角のチップ表面に、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）電子線レジストを滴下した。そして、上記（１）で使用したスピンコーターを用い、初期回転５００ｒｐｍ、５秒、定常回転５０００ｒｐｍ、４０秒、の条件で回転して、基板表面上で均一にした。電子線レジストを塗布後、チップを電子線リソグラフィー装置（（株）エリオニクス製、ＥＬＳ−７３００）に投入し、レジスト上に、アドレスパターンを描画した。ここで、アドレスパターンとは、数字と格子点からなる格子点パターンをいう。ここで、数字および格子点はその大きさがおよそ２００〜３００ｎｍ程度であった。アドレスパターンは引き出し電極の存在しない部分に対して描画された。描画終了後、チップを現像液に浸透させ、描画したパターンを現像した。現像後、チップ表面上に６ｎｍのＰｔ、８ｎｍのＡｕを真空蒸着法によって蒸着した。蒸着後、チップをアセトン中に浸しレジストを除去し、次いでイソプロピルアルコール中に浸してリンスを行った。
【００４１】
（４）ナノチューブの散布
多層カーボンナノチューブ（（株）真空冶金製）をジクロロエタン溶液に分散させた溶液を作成した。そして、上記（３）でアドレスパターンを作製したチップ上にこの溶液をスポイトで滴下した。滴下された溶液は、完全に乾燥する前に再びスポイトで吸い出した。溶液は、この吸出し作業によってチップ上から除去される。その後、チップをイソプロピルアルコールでリンスし、１００℃のオーブンで５分加熱した。この工程によってチップ上にカーボンナノチューブが散布された。
【００４２】
（５）ナノチューブに対するコンタクトの作製
上記（４）のカーボンナノチューブが散布されたチップを電子顕微鏡（日立製、Ｓ−５０００）で観察した（図示せず）。チップ上には、引き出し電極の無い部分にアドレスパターンが作製されていた。従って、電子顕微鏡観察を行った場合、チップ上にアドレスパターンと散布したナノチューブの両者が確認できた。ここで、観察で得られたアドレスパターンとカーボンナノチューブの相対的位置関係を記録した。これはカーボンナノチューブがチップ上でどこに位置しているのかを記録していることに相当する。カーボンナノチューブは、長さが５μｍ以上のもの、より好ましくは、５〜９０μｍのものを選ぶとよい。次いで、この記録をもとにし、カーボンナノチューブと上記（２）の引き出し電極を接続する金属配線パターン、すなわち、本願発明における金属電極を設計した。ここで設計したパターンを用い、上記（３）と同様の手法で、引き出し電極を金属を用いて作製した。ここで、金属としては、ＰｔおよびＡｕを用い、上記（３）と同様に真空蒸着法によって作製した。Ｐｔの厚みは、５ｎｍ〜１０ｎｍ、Ａｕの厚みは、３０〜５０ｎｍであった。Ｐｔ、Ａｕを用いることによって、多層カーボンナノチューブに対してオーミックコンタクトを接続することが可能となる。
【００４３】
上記で作製したカーボンナノチューブを引き出し電極に接続するように設けたチップをプロ−バー（（株）日本マイクロニクス製、７０８ｆＴ−００６）にセットし、カーボンナノチューブの電気伝導特性を測定した。プロ−バーは４本の短針を備えており、そのうちの１本をバックゲート電極と等電位の部分に落とし、２本をチップ上の引き出し電極に落した。ここで、短針はパラメータアナライザー（ＨＰ ４１５６Ａ）に接続されている。電気伝導特性を測定し、このデータを記録した。図５に、得られた素子の概略図を示す。
【００４４】
図６は、電流電圧特定を示したものである。電流電圧特性は、プロ−バー（（株）日本マイクロニクス製）を採用した（以下、同じ）。図６中、Ｉｓｄはソース−ドレイン間の電流を、Ｖｓｄはソース−ドレイン間の電圧をそれぞれ示す（以下、同じ）。当該素子は、低電圧、（２Ｖ以下）で最大数１０μＡの電流が得られ、ヒステリシスも観測されなかった。また、図７に、ゲート電極に対する電流電圧特性についての測定結果を示す。ここで、図７中、Ｖｇはゲート電極の電圧を示す（以下、同じ）。図７に示すように、電流がゲート電圧に依存しないという結果が得られた。これはカーボンナノチューブが金属的に振舞っていることを意味している。
【００４５】
（６）ナノチューブの電気的破壊
上記（５）の電気伝導特性測定の後、カーボンナノチューブに数ボルトの電圧を印加、高密度電流（０．１〜０．２ｍＡ）を流しこの電流を一定時間（３００秒以下）流し続けた。この時、カーボンナノチューブに流れる電流値が階段状に減少し、最終的に電流値が消失した。電流値が消失する原因はカーボンナノチューブの中央付近が高密度電流の保持によって切れるためである。この作業によって引き出し電極に接続されたカーボンナノチューブの中央部付近を切った。中央部が切断されたカーボンナノチューブを、上記（５）と同様に電子顕微鏡で観察すると、切断部分の長さＬは５０ｎｍ以下であることが確認できた。これらの概略図を図８および図９に示す。
【００４６】
図８は、カーボンナノチューブの電気的破壊の状態を示したものである。図９は、図８（ａ）に電圧を徐々に印加した状態を示したものである。図９中、一定の高電圧で保持すると、ナノチューブに流れる電流量が段階状に減少した。これに伴い、多層カーボンナノチューブは、一層ずつ破壊・除去されていき（図８（ｂ））、すべての層が破壊されると（ 図８（ｃ））電流が流れなくなった。図９中の下向きの矢印は、多層カーボンナノチューブが一層ずつ破壊されていく、ブレーキングポイント（ｂｒｅａｋｉｎｇ ｐｏｉｎｔ）を示している。このとき、ナノチューブの切断部分には、最終的に小さなギャップが得られた。ここで、ギャップとは、多層カーボンナノチューブが切れたことによって生じた微小な空間である。図１０に、ギャップの長さを測定した結果を示す。尚、ここでは、４９サンプルについて行った。
【００４７】
（７）有機チャネル層の形成
上記（６）の工程を経たチップ上に、上記（３）と同様の方法で電子線レジストを塗布した。塗布後、上記（６）のカーボンナノチューブ切断部分を中心とし、一辺が１〜２μｍ程度の長方形の電子線描画パターンをデザインした。また、引出し電極上にも一辺１００μｍ程度の長方形の描画パターンをデザインし、両者のパターンを上記（３）と同様の方法で電子線描画し、パターンを現像した。
現像後には、カーボンナノチューブ切断部周辺に、一辺１〜２μｍ程度の長方形の窓が作製された。同様に、引出し電極上にも一辺１００μｍ程度の長方形の窓が作製された。上述したように、カーボンナノチューブの長さは切断部の窓の大きさよりも長いため、窓はカーボンナノチューブ切断部分付近のみに空いていると考えられた。尚、カーボンナノチューブと引き出し電極を接続している金属電極上には窓はあけていない。次に、上記で得られた窓のうち、引出し電極上の窓をアルミホイルで慎重にマスキングした。マスキングされたチップは、有機物積層用の真空蒸着器（（株）ＵＬＶＡＣ製）に入れ、真空チャンバー内で真空蒸着法によって有機物質を蒸着した。ここでは、蒸着する有機物質として炭素六員環が５個直列につながった構造を持つペンタセン（販売元：Ａｌｄｒｉｃｈ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ）を用いた。ペンタセンを、窓の空いた部分を経由して切断されたカーボンナノチューブ上に蒸着し、切断面を再びつないだ。有機物蒸着後、マスキングで用いたアルミホイルを取り除き、素子とした。図１１に、本実施例の概略図を示す。ここで、１１はＳｉＯ2熱酸化膜を、１２はｐ型Ｓｉ基板を、１３は引出し電極を、１６ペンタセンを、３はナノチューブをそれぞれ示す。
【００４８】
（８）作製した素子の電気特性の測定
作製した素子の電気特性を測定するために、上記（６）と同様のプロ−バーを用いた。この時、プロ−バーの１本の針はバックゲートと等電位の部分に落とされ、残りの２本は上記（７）の引き出し電極上に形成した窓を通して引き出し電極上に落とされた。尚、窓のない部分は絶縁性の高い電子線レジストで覆われているため、針を落としても針と引き出し電極の導通が取れない。この配置で素子の電気特性を測定したところ、電気伝導が認められた。上記（６）のようにカーボンナノチューブ切断後には電気伝導が認められなかったため、この電流値はカーボンナノチューブが電極として振る舞い、有機チャネル層を流れている電流であると認められた。その結果を図に１２示す。
【００４９】
図１２の実験は、ゲート電圧が、−１０Ｖ、−５Ｖ、０Ｖ、５Ｖ、１０Ｖについて行った。ここで、ペンタセン蒸着前は、電流は全く流れなかった（ＣＮＴ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｏｎｌｙ）。これに対し、ペンタセン蒸着後は、導通が認められた。さらに、ソース−ドレイン間の電圧が低いにもかかわらず、ｎＡオーダーの電流値が流れた。加えて、ヒステリシスもほとんど観測されなかった。尚、図１２中、Ｖｓｄが０以下の場合、下から順に、−１０Ｖ、−１０Ｖ、−５Ｖ、−５Ｖ、０Ｖ、０Ｖ、５Ｖ、５Ｖ、１０Ｖ、１０ＶについてのＩｓｄである。Ｖｓｄが、０以上の場合上から順に、−１０Ｖ、−１０Ｖ、−５Ｖ、−５Ｖ、０Ｖ、０Ｖ、５Ｖ、５Ｖ、１０Ｖ、１０ＶについてのＩｓｄである。尚、図１３は、金属のみからなる電極領域のばあいの電流電圧特性を示す。図１３中、Ｖｄｓが−２０Ｖのところで、上から順に、−２０Ｖ、−２０Ｖ、−１５Ｖ、−１５Ｖ、−１０Ｖ、１０Ｖ、−５Ｖ、−５Ｖ、０Ｖ、０ＶのＩｓｄを示している。
【００５０】
【発明の効果】
このように、本願発明は、カーボンナノチューブとチャネル層と両方に炭素６員環を持つものを採用したことにより、共役として知られている隣接する多重結合した原子間の原子軌道の重なり合いによって、電荷の移動が可能になった。すなわち、金属電極と有機材料の間にカーボンナノチューブを採用することにより、電気伝導性が顕著に改善した。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の薄膜トランジスタの第一の実施形態を示す。
【図２】本願発明の薄膜トランジスタの第二の実施形態を示す。
【図３】本願発明の薄膜トランジスタの第三の実施形態を示す。
【図４】引き出し電極の作製パターンの概略図を示す。
【図５】ナノチューブを散布し、引き出し電極とナノチューブを接続した状態の素子の概略図を示す。
【図６】図５に示す素子の複数の一定電圧下での電流とゲート電圧の関係を示す。
【図７】図５に示す素子のゲート電極に対する電流電圧特性を示す。
【図８】ナノチューブの電気的破壊の概略図を示す。
【図９】図８の素子に電圧を徐々に印加した状態を示す。
【図１０】ナノチューブの切断部分のギャップの長さの分布を示す。
【図１１】本実施例の概略図を示す。
【図１２】図１１の素子の電流電圧特性を示す。
【図１３】従来の金属電極のみからなる、素子の電流電圧特性を示す。
【図１４】特許文献１に開示された薄膜トランジスタの概略図を示す。
【図１５】特許文献２に開示された薄膜トランジスタの概略図を示す。
【図１６】非特許文献１に開示された薄膜トランジスタの概略図を示す。
【図１７】非特許文献２および特許文献３に開示された薄膜トランジスタの概略図を示す。
【符号の説明】
１ チャネル層
２ 金属電極
３ カーボンナノチューブ
４ 絶縁層
５ 基板
１１ ＳｉＯ2熱酸化膜
１２ ｐ型Ｓｉ基板
１３ 引出し電極
１４ レジスト
１５ フォトマスク
１６ ペンタセン
１０１ ソース電極
１０２ ドレイン電極
１０３ チャネル層
１１０ ソース電極
１１１ ソース電気絶縁層
１１２ ドレイン電極
１１３ ドレイン電気絶縁層
１１４ 有機半導体層
１１５ ゲート電気絶縁層
１１６ ゲート層
１１７ ゲート電位
１２１ ソース電極
１２２ ドレイン電極
１２３ ペンタセン薄膜トランジスタ層
１２４ 絶縁層
１２４ ゲート層
１２６ 基板
１３１ ソース電極
１３２ ＬＥＤの陰極
１３３ トランジスタのゲート電極
１３４ トランジスタの半導体層
１３５ ドレイン電極
１３６ 酸化ケイ素の絶縁層
１３７ ｎ+型シリコン絶縁層
１３８ 酸化ケイ素の絶縁層
１３９ 発光層
Claims (5)
- 少なくとも、ソース電極領域と、ドレイン電極領域と、前記ソース電極領域と前記ドレイン電極領域の間に設けられたアセン類、チオフェン類およびその誘導体から選択される材料からなるチャネル層とで構成され、前記ソース電極領域および前記ドレイン電極領域は、それぞれ、前記チャネル層の一部と接触するカーボンナノチューブと、当該カーボンナノチューブの一部と接触する金属電極とからなり、前記金属電極と、前記チャネル層は接触していないことを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 基板と、当該基板の上に配設される絶縁層と、当該絶縁層の上に配設されるソース電極領域と、ドレイン電極領域と、前記ソース電極領域と前記ドレイン電極領域の間に設けられたアセン類、チオフェン類およびその誘導体から選択される材料からなるチャネル層とで構成され、前記ソース電極領域および前記ドレイン電極領域は、それぞれ、前記チャネル層の一部と接触するカーボンナノチューブと、当該カーボンナノチューブの一部と接触する金属電極とからなり、前記金属電極と、前記チャネル層は接触していないことを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 前記金属電極は、金および／またはプラチナからなる、請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ。
- 請求項１〜３のいずれか１項において、カーボンナノチューブが、フラーレンを含むカーボンナノチューブであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 請求項１〜４のいずれか１項において、チャネル層が、ペンタセンからなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003154841A JP4036454B2 (ja) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | 薄膜トランジスタ。 |
| US10/808,333 US20040245527A1 (en) | 2003-05-30 | 2004-03-25 | Terminal and thin-film transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003154841A JP4036454B2 (ja) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | 薄膜トランジスタ。 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004356530A JP2004356530A (ja) | 2004-12-16 |
| JP4036454B2 true JP4036454B2 (ja) | 2008-01-23 |
Family
ID=33487336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003154841A Expired - Fee Related JP4036454B2 (ja) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | 薄膜トランジスタ。 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040245527A1 (ja) |
| JP (1) | JP4036454B2 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101025846B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2011-03-30 | 삼성전자주식회사 | 탄소나노튜브 채널을 포함하는 반도체 장치의 트랜지스터 |
| CN100382256C (zh) * | 2004-12-23 | 2008-04-16 | 北京大学 | 基于碳纳米管的单电子晶体管制备方法 |
| JP4779172B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2011-09-28 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ドーピングされたカーボンナノチューブ及びその製造方法 |
| KR100770258B1 (ko) * | 2005-04-22 | 2007-10-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
| JP5019192B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2012-09-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US20060292716A1 (en) * | 2005-06-27 | 2006-12-28 | Lsi Logic Corporation | Use selective growth metallization to improve electrical connection between carbon nanotubes and electrodes |
| KR100756320B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2007-09-07 | 한국화학연구원 | 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및이의 제조 방법 |
| JP4810904B2 (ja) | 2005-07-20 | 2011-11-09 | ソニー株式会社 | 高周波スイッチ回路を有する高周波装置 |
| JP2007103625A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Sony Corp | 機能性デバイス及びその製造方法 |
| US7492015B2 (en) * | 2005-11-10 | 2009-02-17 | International Business Machines Corporation | Complementary carbon nanotube triple gate technology |
| US20080108214A1 (en) * | 2005-12-09 | 2008-05-08 | Intel Corporation | Threshold voltage targeting in carbon nanotube devices and structures formed thereby |
| US7863603B1 (en) | 2006-07-24 | 2011-01-04 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Cross-linked organic thin-film dielectrics |
| WO2008069060A1 (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ |
| JP2008189535A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Kochi Univ Of Technology | カーボンナノ物体の集積方法及び中空膜構造体 |
| JP5190914B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2013-04-24 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ２端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス |
| US8421129B2 (en) * | 2007-04-16 | 2013-04-16 | Nec Corporation | Semiconductor device using carbon nanotubes for a channel layer and method of manufacturing the same |
| JP5273050B2 (ja) | 2007-09-07 | 2013-08-28 | 日本電気株式会社 | スイッチング素子及びその製造方法 |
| FR2933237B1 (fr) * | 2008-06-25 | 2010-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Architecture d'interconnexions horizontales a base de nanotubes de carbone. |
| CN101997035B (zh) * | 2009-08-14 | 2012-08-29 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
| US8546246B2 (en) * | 2011-01-13 | 2013-10-01 | International Business Machines Corporation | Radiation hardened transistors based on graphene and carbon nanotubes |
| KR101903747B1 (ko) * | 2011-11-16 | 2018-10-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| US9203041B2 (en) | 2014-01-31 | 2015-12-01 | International Business Machines Corporation | Carbon nanotube transistor having extended contacts |
| US10276698B2 (en) * | 2015-10-21 | 2019-04-30 | International Business Machines Corporation | Scalable process for the formation of self aligned, planar electrodes for devices employing one or two dimensional lattice structures |
| JP6772462B2 (ja) * | 2016-01-05 | 2020-10-21 | 株式会社ニコン | 物***置決め方法及び物***置決め装置、並びに、デバイス製造方法及びデバイス製造装置 |
| JP6772472B2 (ja) * | 2016-02-03 | 2020-10-21 | 株式会社ニコン | 配置方法及び配置装置、並びに、デバイス製造方法及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4140180B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2008-08-27 | 富士ゼロックス株式会社 | トランジスタ |
| JP3991602B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2007-10-17 | 富士ゼロックス株式会社 | カーボンナノチューブ構造体の製造方法、配線部材の製造方法および配線部材 |
| US7084507B2 (en) * | 2001-05-02 | 2006-08-01 | Fujitsu Limited | Integrated circuit device and method of producing the same |
| JP2003017508A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
| JP5061414B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2012-10-31 | 東レ株式会社 | 薄膜トランジスタ素子 |
| US7252749B2 (en) * | 2001-11-30 | 2007-08-07 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Deposition method for nanostructure materials |
| EP1361619A3 (en) * | 2002-05-09 | 2007-08-15 | Konica Corporation | Organic thin-film transistor, organic thin-film transistor sheet and manufacturing method thereof |
| WO2003099709A2 (en) * | 2002-05-21 | 2003-12-04 | Eikos, Inc. | Method for patterning carbon nanotube coating and carbon nanotube wiring |
| US20050194038A1 (en) * | 2002-06-13 | 2005-09-08 | Christoph Brabec | Electrodes for optoelectronic components and the use thereof |
| US6825060B1 (en) * | 2003-04-02 | 2004-11-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Photosensitive polymeric memory elements |
| JP2005342937A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | National Printing Bureau | 印刷機用ローラ及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-05-30 JP JP2003154841A patent/JP4036454B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-25 US US10/808,333 patent/US20040245527A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004356530A (ja) | 2004-12-16 |
| US20040245527A1 (en) | 2004-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4036454B2 (ja) | 薄膜トランジスタ。 | |
| Shi et al. | Reversible writing of high-mobility and high-carrier-density doping patterns in two-dimensional van der Waals heterostructures | |
| Appenzeller et al. | Carbon nanotube electronics | |
| CN108885967B (zh) | 用于大型电子装置的电子纯单手性半导体性单壁碳纳米管 | |
| Martel et al. | Ambipolar electrical transport in semiconducting single-wall carbon nanotubes | |
| Bachtold et al. | Contacting carbon nanotubes selectively with low-ohmic contacts for four-probe electric measurements | |
| McEuen et al. | Single-walled carbon nanotube electronics | |
| US9356247B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| Schön et al. | Self-assembled monolayer organic field-effect transistors | |
| US7098151B2 (en) | Method of manufacturing carbon nanotube semiconductor device | |
| Wang et al. | Metal contact engineering and registration-free fabrication of complementary metal-oxide semiconductor integrated circuits using aligned carbon nanotubes | |
| He et al. | Metal-free silicon–molecule–nanotube testbed and memory device | |
| US9502659B2 (en) | Carbon nanotube field effect transistor | |
| Tombler et al. | Gating individual nanotubes and crosses with scanning probes | |
| Kim et al. | Fully transparent thin-film transistors based on aligned carbon nanotube arrays and indium tin oxide electrodes | |
| Semple et al. | Large-area plastic nanogap electronics enabled by adhesion lithography | |
| Shan et al. | Self-assembling silicon nanowires for device applications using the nanochannel-guided “grow-in-place” approach | |
| JP4461673B2 (ja) | 能動的電子素子および電子装置 | |
| JPWO2007094164A1 (ja) | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPWO2010053171A1 (ja) | スイッチング素子及びその製造方法 | |
| Umeta et al. | Stable Resistance Switching in Lu3N@ C80 Nanowires Promoted by the Endohedral Effect: Implications for Single-Fullerene Motion Resistance Switching | |
| Zhang et al. | Fabrication of hundreds of field effect transistors on a single carbon nanotube for basic studies and molecular devices | |
| Liu et al. | Electrical contacts to individual SWCNTs: A review | |
| JP2005191214A (ja) | 微細電子デバイスの製造方法 | |
| Li et al. | Electronically pure single-chirality semiconducting single-walled carbon nanotube for large-scale electronic devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060907 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070124 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070326 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070515 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070629 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071002 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071029 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |