JP4027960B2 - 成膜処理装置 - Google Patents
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Description
12 サセプタ
14 半導体ウエハ
22 反応ガス供給系
24 クリーニングガス供給系
30 ClF3 ガス供給部
32 N2 ガス供給部
48 除去装置
Claims (8)
- コールドウォール形の成膜処理装置であって、
真空可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を載置する基板設置台と、
前記基板設置台を加熱する設置台加熱手段と、
前記処理容器の壁を加熱する壁加熱手段と、
成膜処理工程において成膜用の処理ガスを前記基板設置台と対向する多孔板を介して前記処理容器内に供給する処理ガス供給手段と、
クリーニング工程においてClF3ガスを前記多孔板を介して前記処理容器内に供給するクリーニングガス供給手段と
を有し、前記クリーニング工程において前記設置台加熱手段により前記基板設置台を構成する材料の前記ClF3ガスに対する耐食温度の範囲内で前記基板設置台を第一の温度に加熱し、前記壁加熱手段により前記壁を構成する材料の前記ClF3ガスに対する耐食温度の範囲内で前記壁を第二の温度に加熱した状態で、前記クリーニングガス供給手段により前記ClF3ガスを前記処理容器内に供給し、プラズマのない雰囲気中で前記基板設置台及び前記壁に付着している皮膜を除去する成膜処理装置。 - 前記壁加熱手段は、発熱手段を前記壁に埋設して構成することを特徴とする請求項1記載の成膜処理装置。
- 前記壁の材質はアルミニウムであることを特徴とする請求項1または請求項2記載の成膜処理装置。
- 前記基板設置台の材質は窒化アルミニウムを含むことを特徴とする請求項1記載の成膜処理装置。
- 前記基板設置台の材質は石英を含むことを特徴とする請求項1記載の成膜処理装置。
- 前記基板設置台の材質は炭化シリコンを含むことを特徴とする請求項1記載の成膜処理装置。
- 前記基板設置台の材質はアルミナを含むことを特徴とする請求項1に記載の成膜処理装置。
- 前記第一の温度及び前記第二の温度は50℃〜400℃の範囲にある請求項1〜7のいずれか一項記載の成膜処理装置。
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