JP4023743B2 - 新規アクリル又はメタクリル酸エステル及びその重合体又は共重合体 - Google Patents
新規アクリル又はメタクリル酸エステル及びその重合体又は共重合体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4023743B2 JP4023743B2 JP2004100511A JP2004100511A JP4023743B2 JP 4023743 B2 JP4023743 B2 JP 4023743B2 JP 2004100511 A JP2004100511 A JP 2004100511A JP 2004100511 A JP2004100511 A JP 2004100511A JP 4023743 B2 JP4023743 B2 JP 4023743B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acrylic
- formula
- methacrylic acid
- group
- residue
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- SERHXTVXHNVDKA-UHFFFAOYSA-N CC(C)(COC1=O)C1O Chemical compound CC(C)(COC1=O)C1O SERHXTVXHNVDKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGWBYLBMKXRDLI-UHFFFAOYSA-N CC(C1)C(N)OC1=O Chemical compound CC(C1)C(N)OC1=O RGWBYLBMKXRDLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVQNGICOIZBDTJ-UHFFFAOYSA-N CC(CCO1)(C1=O)O Chemical compound CC(CCO1)(C1=O)O XVQNGICOIZBDTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFPAFTLIWBGZMF-UHFFFAOYSA-N CC(COC1=O)C1O Chemical compound CC(COC1=O)C1O GFPAFTLIWBGZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOYDEHILKLSVNN-UHFFFAOYSA-N COC(CO1)=CC1=O Chemical compound COC(CO1)=CC1=O VOYDEHILKLSVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWIBCWKHNZBDLS-UHFFFAOYSA-N OC(CCO1)C1=O Chemical compound OC(CCO1)C1=O FWIBCWKHNZBDLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Furan Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
しかしながら、近年半導体素子の微細化に対する要求はますます高まり、その光源もKrFエキシマレーザー光からより短波長のArFエキシマレーザー光(193nm)を用いるプロセスに移行しつつある。
で表わされるアクリル若しくはメタクリル酸エステルを提供することである。
で表わされる構成単位を含むアクリル若しくはメタクリル系重合体又は共重合体を提供することである。
で表わすことができる。
さらに、(a−3)モノマーとしては、例えば(イ)アクリル若しくはメタクリル酸メチル、アクリル若しくはメタクリル酸エチル、アクリル若しくはメタクリル酸プロピル、アクリル若しくはメタクリル酸イソプロピル、アクリル若しくはメタクリル酸n‐ブチル、アクリル若しくはメタクリル酸イソブチル、アクリル若しくはメタクリル酸n‐ヘキシル、アクリル若しくはメタクリル酸オクチル、アクリル若しくはメタクリル酸2‐エチルヘキシル、アクリル若しくはメタクリル酸ラウリル、アクリル若しくはメタクリル酸2‐ヒドロキシエチル、アクリル若しくはメタクリル酸2‐ヒドロキシプロピルなどのアルキルエステル、(ロ)アクリル若しくはメタクリルアミド、N‐メチロールアクリル若しくはメタクリルアミド、ジアセトンアクリルアミドなどのアミド、(ハ)アクリロニトリル、メタクリロニトリル、塩化ビニル、エチルビニルエーテルなどを挙げることができる。
で表わされるアクリル若しくはメタクリル酸エステルが用いられる。このアクリル若しくはメタクリル酸エステルのアルコール成分を形成するアルコール又はエチレン性二重結合化合物として、例えば式
この一般式(VI)で表わされるアクリル若しくはメタクリル酸エステルのうち、nが1でR6及びR7がともにメチル基であるもの、またnが1でR8が水素原子であるものがアルカリに対する親和性に特に優れ、パドル現像に好適であるので特に好ましい。
で表わされるアクリル若しくはメタクリル酸エステルも用いることができる。このアクリル若しくはメタクリル酸エステルのアルコール部分を形成するエチレン性二重結合含有化合物としては、例えば、式
で表わされるアクリル若しくはメタクリル酸エステルも用いることができる。このアクリル若しくはメタクリル酸エステルのアルコール部分を形成するエチレン性二重結合含有化合物として、例えば、式
この酸発生剤としては、これまで化学増幅型レジストの酸発生剤として知られている化合物の中から任意に選んで用いることができる。
このような化合物としては、例えば次に示すものを挙げることができる。
ビス(p‐トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1‐ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4‐ジメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタンなど。
p‐トルエンスルホン酸2‐ニトロベンジル、p‐トルエンスルホン酸2,6‐ジニトロベンジルなど。
ピロガロールトリメシレート、ピロガロールトリトシレートなど。
ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロフェスフェート、(4‐メトキシフェニル)フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(p‐tert‐ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロフェスフェート、(4‐メトキシフェニル)ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、(p‐tert‐ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートなど。
ベンゾイントシレート、α‐メチルベンゾイントシレートなど。
2‐(4‐メトキシフェニル)‐4,6‐(ビストリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐(4‐メトキシナフチル)‐4,6‐(ビストリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐[2‐(2‐フリル)エテニル]‐4,6‐(ビストリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐[2‐(5‐メチル‐2‐フリル)エテニル]‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐[2‐(3,5‐ジメトキシフェニル)エテニル]‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐[2‐(3,4‐ジメトキシフェニル)エテニル]‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐(3,4‐メチレンジオキシフェニル)‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、2,4,6‐トリス(ジブロモプロピル)‐1,3,5‐トリアジン、トリス(2,3‐ジブロモプロピル)‐1,3,5‐トリアジン、トリス(2,3‐ジブロモプロピル)イソシアヌレートなど。
α‐(メチルスルホニルオキシイミノ)‐フェニルアセトニトリル、α‐(メチルスルホニルオキシイミノ)‐4‐メトキシフェニルアセトニトリル、α‐(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)‐フェニルアセトニトリル、α‐(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)‐4‐メトキシフェニルアセトニトリル、α‐(エチルスルホニルオキシイミノ)‐4‐メトキシフェニルアセトニトリル、α‐(プロピルスルホニルオキシイミノ)‐4‐メチルフェニルアセトニトリル、α‐(メチルスルホニルオキシイミノ)‐4‐ブロモフェニルアセトニトリル、α‐(メチルスルホニルオキシイミノ)‐1‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐[1‐(又は2‐)ナフチルスルホニルオキシイミノ]‐4‐メトキシベンジルシアニド、α‐(10‐カンファースルホニルオキシイミノ)‐4‐メトキシベンジルシアニド、α‐(p‐トルエンスルホニルオキシイミノ)‐フェニルアセトニトリル、α‐フェニルスルホニルオキシイミノ‐p‐メトキシフェニルアセトニトリルなど。
式
次いで、25℃にて24時間反応させたのち、反応液をろ過した。そのろ液の溶媒を留去し、残存生成物をジエチルエーテル300ミリリットルに溶解し、10重量%水酸化ナトリウム水溶液で10回洗浄した。次いで、n‐ヘプタンを溶媒としてカラムクロマトグラフィーにより精製し、無色の液体として、上記アルコールのメタクリル酸エステル(モノマーI)を得た。
この生成物の1H−NMR(溶媒:アセトン−d6)を測定した結果、0.99、1.19、1.4〜2.7、2.80、4.55、5.50、6.00ppmにピークが認められた。
また赤外吸収スペクトルによる分析の結果、1755、1777cm-1にカルボニルに由来するピークが認められた。
実施例1で得たモノマーI 15.1g(0.0625モル、全モノマーに対し、50モル%)及び式
実施例1で得たモノマーI 15.1g(0.0625モル、全モノマーに対し、50モル%)及び式
実施例2において、前記式(X)で示されるメタクリル酸エステル11.5gの代わりに、2‐ヒドロキシ‐3‐ピナノンのメタクリル酸エステル14.8g(0.0625モル、全モノマーに対し、50モル%)を用い、溶媒をテトラヒドロフラン150gからジオキサン100gに代えた以外は、実施例2と同様にして、モノマーIと2‐ヒドロキシ‐3‐ピナノンのメタクリル酸エステルの共重合体(共重合体A−3)16.3gを得た。このものの重量平均分子量は9,200であり、分散度は2.6であった。
実施例2で得た共重合体(A−1)100重量部、ビス(p‐tert‐ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート2重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート680重量部に溶解してポジ型ホトレジスト溶液を得た。
次いで、このホトレジスト溶液をスピンナーを用いてシリコンウエーハ上に塗布し、ホットプレート上で100℃で90秒間乾燥することにより、膜厚0.5μmのレジスト層を形成した。次いで、ArF露光装置(ニコン社製)により、ArFエキシマレーザー光(193nm)を選択的に照射したのち、110℃,90秒間加熱処理し、次いで2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で65秒間パドル現像し、30秒間水洗して乾燥した。
このような操作で形成された0.30μmのラインアンドスペースが1:1に形成される露光時間を感度としてmJ/cm2(エネルギー量)単位で測定したところ、11.0mJ/cm2であった。
また、このようにして形成された0.25μmのレジストパターンの断面形状をSEM(走査型電子顕微鏡)写真により、観察したところ、基板に対して垂直な矩形のレジストパターンであった。
また、このような操作で0.20μmのレジストパターンまで解像され、パターン倒れはなかった。
次いで、テトラフルオロメタンガスをエッチングガスとして、エッチング装置OAPM−406(東京応化工業株式会社製)でドライエッチング処理し、耐ドライエッチング性を単位時間当たりの膜減り量で評価し、ポリヒドロキシスチレンを1.0とした場合、1.08であった。
参考例1において、共重合体A−1の代わりに、実施例3で得た共重合体A−2を用いた以外は、参考例1と同様にして、ポジ型ホトレジスト溶液を調製し、次いで参考例1と同様な条件でレジストパターンを形成した。
その際の参考例1と同様にして測定した感度は、6mJ/cm2であり、形成された0.25μmのレジストパターンの断面形状をSEM(走査型電子顕微鏡)写真により、観察したところ、基板に対して垂直な矩形のレジストパターンであった。
また、このような操作で0.20μmのレジストパターンまで解像され、パターン倒れはなかった。
また、参考例1と同様にして耐ドライエッチング性を調べたところ、0.95であった。
実施例4で得た共重合体(A−3)100重量部、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート2重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート680重量部に溶解してポジ型ホトレジスト溶液を得た。
次いで、このホトレジスト溶液をスピンナーを用いてシリコンウエーハ上に塗布し、ホットプレート上で100℃で90秒間乾燥することにより、膜厚0.5μmのレジスト層を形成した。次いで、ArF露光装置(ニコン社製)により、ArFエキシマレーザー光(193nm)を選択的に照射したのち、110℃,90秒間加熱処理し、次いで2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で65秒間パドル現像し、30秒間水洗して乾燥した。
このような操作で形成された0.30μmのラインアンドスペースが1:1に形成される露光時間を感度としてmJ/cm2(エネルギー量)単位で測定したところ、12mJ/cm2であった。
また、このようにして形成された0.25μmのレジストパターンの断面形状をSEM(走査型電子顕微鏡)写真により、観察したところ、基板に対して垂直な矩形のレジストパターンであった。
また、このような操作で0.18μmのレジストパターンまで解像され、パターン倒れはなかった。
次いで、テトラフルオロメタンガスをエッチングガスとして、エッチング装置OAPM−406(東京応化工業株式会社製)でドライエッチング処理し、耐ドライエッチング性を単位時間当たりの膜減り量で評価し、ポリヒドロキシスチレンを1.0とした場合、1.1であった。
Claims (9)
- 式中のR4 が、γ‐ブチロラクトン残基、δ‐バレロラクトン残基及びこれらの誘導体残基である請求項1記載のアクリル若しくはメタクリル酸エステル。
- 式中のR4がγ‐ブチロラクトン残基又は炭素数1又は2の低級アルキル基又は低級アルコキシ基をもつγ‐ブチロラクトン残基である請求項2記載のアクリル若しくはメタクリル酸エステル。
- 式中のR4 が、γ‐ブチロラクトン残基、δ‐バレロラクトン残基及びこれらの誘導体残基である請求項5記載のアクリル若しくはメタクリル系重合体又は共重合体。
- 式中のR4がγ‐ブチロラクトン残基又は炭素数1又は2の低級アルキル基又は低級アルコキシ基をもつγ‐ブチロラクトン残基である請求項5記載のアクリル若しくはメタクリル系重合体又は共重合体。
- 化3で表わされる構成単位の含有割合が20〜80モル%である請求項5ないし8のいずれかに記載のアクリル系若しくはメタクリル系共重合体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004100511A JP4023743B2 (ja) | 2004-03-30 | 2004-03-30 | 新規アクリル又はメタクリル酸エステル及びその重合体又は共重合体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004100511A JP4023743B2 (ja) | 2004-03-30 | 2004-03-30 | 新規アクリル又はメタクリル酸エステル及びその重合体又は共重合体 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17194797A Division JP3902835B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004231971A JP2004231971A (ja) | 2004-08-19 |
JP4023743B2 true JP4023743B2 (ja) | 2007-12-19 |
Family
ID=32959892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004100511A Expired - Fee Related JP4023743B2 (ja) | 2004-03-30 | 2004-03-30 | 新規アクリル又はメタクリル酸エステル及びその重合体又は共重合体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4023743B2 (ja) |
-
2004
- 2004-03-30 JP JP2004100511A patent/JP4023743B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004231971A (ja) | 2004-08-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3712218B2 (ja) | 化学増幅型ホトレジスト組成物 | |
JP3902835B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
EP2455811B1 (en) | Sulfonium salt-containing polymer, resist composition, patterning process, and sulfonium salt monomer and making method | |
EP1103856A1 (en) | Positive resist composition & process for forming resist pattern using same | |
TW201339134A (zh) | 聚合性三級酯化合物、高分子化合物、光阻材料及圖案形成方法 | |
JP4942925B2 (ja) | 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 | |
JP2004051995A (ja) | (共)重合体、レジスト組成物、およびパターン形成方法 | |
US5929271A (en) | Compounds for use in a positive-working resist composition | |
JP2006002073A (ja) | 化合物、高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP4104155B2 (ja) | 新規(メタ)アクリレート共重合体及びその製造方法 | |
JP4323250B2 (ja) | 重合体、重合体の製造方法、レジスト組成物およびパターン形成方法 | |
JP3843840B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP3865474B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP4023743B2 (ja) | 新規アクリル又はメタクリル酸エステル及びその重合体又は共重合体 | |
JP3719606B2 (ja) | 化学増幅型ホトレジスト組成物 | |
JP4289563B2 (ja) | 新規アクリル酸又はメタクリル酸エステル | |
JP4162150B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
JP3932195B2 (ja) | 2‐ヒドロキシ‐3‐ピナノンのアクリレート又はメタクリレートの共重合体 | |
JP4236423B2 (ja) | 重合体、レジスト組成物、およびパターン形成方法 | |
JP3793194B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP2006003844A (ja) | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
KR20050013780A (ko) | 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 | |
JP2003327628A (ja) | 脂環構造を有するビニルエーテルの共重合体、及びこれを含むレジスト用ベースポリマー | |
JP2005239919A (ja) | ビニルエーテル化合物、高分子化合物、フォトレジスト材料、及びパターン形成方法 | |
JP2003040943A (ja) | アルキルビニルエーテルとフラノンとの共重合体を含む感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060817 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070419 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070618 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070618 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070927 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070928 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101012 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101012 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111012 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111012 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121012 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121012 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131012 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |