JP4000772B2 - 種結晶の検査方法及び単結晶の製造方法 - Google Patents
種結晶の検査方法及び単結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4000772B2 JP4000772B2 JP2000385227A JP2000385227A JP4000772B2 JP 4000772 B2 JP4000772 B2 JP 4000772B2 JP 2000385227 A JP2000385227 A JP 2000385227A JP 2000385227 A JP2000385227 A JP 2000385227A JP 4000772 B2 JP4000772 B2 JP 4000772B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- seed crystal
- wafer
- seed
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、種結晶の検査方法、及びこの種結晶を用いて結晶成長を行う単結晶の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
種結晶を使用する結晶成長方法として、チョクラルスキー法、ブリッジマン法等が良く知られている。
【0003】
チョクラルスキー法は種結晶を用いて融液から直接的に結晶を引き上げる方法であり、ブリッジマン法は砲弾型のるつぼに原料を入れて溶融し、その先端から融液を順次冷却して固化させる方法である。
【0004】
しかしながら、このようないずれの結晶成長方法によっても、育成された単結晶の品質は、使用する種結晶の品質に依るところが大きい。即ち、品質の悪い種結晶を用いて育成を行うと、肩の部分に生じる歪等によりクラック、粒界及び/又は異常成長稜が頻繁に発生し、歩留りが低下する。
【0005】
このような不都合を解決すべく、特開平6−1690号公報では、種結晶をエッチング液に浸して表面加工歪層を除去し、結晶成長を行う方法を提案している。
【0006】
また、特開平6−211595号公報では、種結晶の一部を鏡面研磨し、可視光又は偏光下で種結晶中にZ軸方向の筋状パターンがないかどうか調べて選別し、結晶成長を行う方法を提案している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上述した特開平6−1690号公報に記載の方法によると、表面の加工歪層は除去できるが、種結晶の内部に含まれる例えば粒界等の欠陥は除去できず、従って実際に結晶を成長させてみないと種結晶が良好な品質を有しているかどうかを判断することができない。
【0008】
また、特開平6−211595号公報の方法は、ランガサイト型構造を有する結晶のように可視光や偏光で調べても結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶については、全く適用できない。
【0009】
従って本発明の目的は、結晶に内在する欠陥を簡便にかつ確実に判別できる種結晶の検査方法を提供することにある。
【0010】
本発明の他の目的は、可視光や偏光で調べても結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶についても容易にかつ確実に品質を判別できる種結晶の検査方法を提供することにある。
【0011】
本発明のさらに他の目的は、単結晶製造の歩留りを向上させることができると共に結晶品質を安定化させることができる単結晶の製造方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、ランガサイト型結晶構造を有する物質、ガーネット、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムである種結晶又は種結晶を切り出す前の結晶からZ軸方向にほぼ垂直な平面のウエハを切り出し、このウエハを切り出すべく切断された側の面であるウエハの一方の面を鏡面状に仕上げた後エッチングし、エッチングした面のエッチピットに応じて種結晶の良否判別を行う種結晶の検査方法が提供される。
【0013】
成長方向であるZ軸方向にほぼ垂直な平面として結晶から切り出したウエハの一方の面を鏡面状に仕上げた後エッチングし、そのエッチングした面のエッチピットに応じて良否判別を行っているので、結晶に内在する欠陥を簡便にかつ確実に判別でき、さらに、例えばランガサイト型構造を有する結晶のように可視光や偏光で調べても結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶についても容易にかつ確実に品質を判別できる。しかも、ウエハに切り出して鏡面仕上げ処理、エッチング処理及び良否判別処理を行っているので、作業性が非常に優れている。
【0014】
さらに本発明によれば、ランガサイト型結晶構造を有する物質、ガーネット、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムである種結晶又は種結晶を切り出す前の結晶からZ軸方向にほぼ垂直な平面のウエハを切り出し、このウエハを切り出すべく切断された側の面であるウエハの一方の面を鏡面状に仕上げた後エッチングし、エッチングした面のエッチピットに応じてこの種結晶の良否判別を行い、良好な品質と判別された種結晶を用いて結晶成長を行う単結晶の製造方法が提供される。
【0015】
成長方向であるZ軸方向にほぼ垂直な平面として結晶から切り出したウエハの一方の面を鏡面状に仕上げた後エッチングし、そのエッチングした面のエッチピットに応じて良否判別し、良好な品質の種結晶を用いて結晶成長を行っているので、例えばランガサイト型構造を有する結晶のように可視光や偏光で調べても結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶についても、容易にかつ確実に種結晶の品質を判別できる。従って、欠陥の多い結晶を種結晶として使用しないようにすることによって、単結晶製造の歩留りを向上させることができる。しかも、ウエハに切り出して鏡面仕上げ処理、エッチング処理及び良否判別処理を行っているので、作業性が非常に優れている。また、良好な品質の種結晶のみを使用して結晶育成を行えるので、製造した単結晶品質を安定化させることができる。
【0016】
ウエハが、種結晶又は種結晶を切り出す前の結晶の端面から切り出されることがより好ましい。種結晶は、実際に成長に貢献するその端面の特性が重要であり、その端面に対応するウエハの切断された側の面について検査することによって、より正確に種結晶の品質を把握することが可能となる。
【0020】
エッチングした面のエッチピットの大きさ及び分布状態を観察して良否判別を行うか、又はエッチングした面のエッチピットの密度を求めて良否判別を行うことが好ましい。
【0021】
ランガサイト型結晶構造を有する物質が、La3Ta0.5Ga5.5O14、La3Ga5SiO14又はLa3Nb0.5Ga5.5O14であることが好ましい。
【0022】
種結晶が、Z軸方向に対して±10°以内の方位を有する結晶であることも好ましい。
【0024】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の一実施形態における種結晶の検査手順を概略的に示す図である。
【0025】
種結晶を切り出そうとする結晶を用意する。この結晶は、表面弾性波素子等に用いられる圧電性単結晶の一種であるランガサイト型結晶構造を有する物質、ニオブ酸リチウム若しくはタンタル酸リチウム、又は基板材料として用いられるガーネットである。このランガサイト型結晶構造を有する物質としては、La3Ta0.5Ga5.5O14、La3Ga5SiO14又はLa3Nb0.5Ga5.5O14である。
【0026】
まず、同図(A)に示すように、この種結晶を切り出そうとする結晶10の肩部とテール部とをZ軸方向に垂直な切断面11及び12で切断する。次いで、この切断した結晶の端面における切断線が同図(B)のごとくなるように、この結晶を切断し、Z軸方向が長手方向であり一辺が約5mm程度の複数の角柱形状の種結晶を切り出す。
【0027】
次いで、同図(C)に示すように、切り出した各角柱形状種結晶13の端面をその長手方向に垂直な切断面14で薄く切断することにより、同図(D)に示すようなウエハ15を得る。
【0028】
このウエハ15の切断面を鏡面研磨し、次いで、酸によってエッチングした後、光学顕微鏡でエッチピットを観察してその種結晶の品質の良否を判別する。
【0029】
この良否判別は、本実施形態ではエッチピットの大きさ及び分布状態を観察して判断している。即ち、比較的大きなエッチピットが密集又は連続して存在する場合は不良品質の種結晶であるとして結晶成長に使用しない。また、エッチピットが存在しない場合及び比較的小さなエッチピットが独立して存在している場合は良好な品質の種結晶として結晶成長用に選別する。比較的小さなエッチピットが連続して存在する場合及び比較的大きなエッチピットが独立して存在している場合は、準良好な品質と判別し、基本的に、結晶成長用に選別する。
【0030】
図2〜図9は、種々の種結晶のウエハについてエッチピットを観察した光学顕微鏡写真を表している。
【0031】
図2〜図4に示す種結晶は、比較的大きなエッチピットが密集又は連続して存在しているので不良品質と判別される。図5及び図6に示す種結晶は、比較的小さなエッチピットが連続して存在しているから準良好な品質と判別される。図7及び図8に示す種結晶は、比較的大きなエッチピットが独立して存在しているので準良好な品質と判別される。図9に示す種結晶は、比較的小さなエッチピットが独立して存在しているので良好な品質と判別される。
【0032】
エッチピットによる種結晶の品質の良否判別は、上述したようにエッチピットの大きさ及び分布状態を観察して判断する方法の他に、エッチピットの密度(EPD)を市販のウエハ欠陥解析装置等により計測するか又は観察により求め、これを閾値と比較して良否を判別する方法を用いても良い。
【0033】
切り出した全ての種結晶について同様の良否判別を行った後、良好な品質と判別された種結晶のみを用いて結晶成長を行う。
【0034】
図10は、本実施形態における単結晶成長炉の構成を概略的に示す図である。この実施形態では、チョクラルスキー法により単結晶成長を行っている。図10において、100は良好な品質であると判別された種結晶、101は育成すべき結晶原料の融液102が入った白金、イリジウム等の貴金属製のるつぼ、103は成長した結晶、104は加熱用の高周波誘導コイル、105は耐火材をそれぞれ示している。
【0035】
所定の条件下、例えば雰囲気が窒素と酸素との混合ガス中、引き上げ速度が1〜2mm/hr、結晶回転数が10〜20rpmという条件下において結晶の育成が行われる。チョクラルスキー法による結晶育成手順は周知であるため詳しい説明は省略する。
【0036】
以上説明した実施形態によれば、成長方向であるZ軸方向に垂直な平面として種結晶13の端面から薄く切断したウエハ15の切断面を鏡面研磨した後エッチングし、そのエッチングした面のエッチピットを観察又はその密度を計測して良否判別し、良好な品質の種結晶を用いて結晶成長を行っているので、例えばランガサイト型構造を有する結晶のように可視光や偏光で調べても結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶についても、容易にかつ確実に種結晶の品質を判別できる。従って、欠陥の多い結晶を種結晶として使用しないようにすることによって、単結晶製造の歩留りを向上させることができる。また、良好な品質の種結晶のみを使用して結晶育成を行えるので、製造した単結晶品質を安定化させることができる。
【0037】
図11は、本発明の他の実施形態における種結晶の検査手順を概略的に示す図である。
【0038】
種結晶を切り出そうとする結晶を用意する。この結晶は、表面弾性波素子等に用いられる圧電性単結晶の一種であるランガサイト型結晶構造を有する物質、ニオブ酸リチウム若しくはタンタル酸リチウム、又は基板材料として用いられるガーネットである。このランガサイト型結晶構造を有する物質としては、La3Ta0.5Ga5.5O14、La3Ga5SiO14又はLa3Nb0.5Ga5.5O14である。
【0039】
まず、同図(A)に示すように、この種結晶を切り出そうとする結晶110の肩部とテール部とをZ軸方向に垂直な切断面111及び112で切断する。さらに、この切断した結晶の端面をそのZ軸方向に垂直な切断面114で薄く切断することにより、同図(B)に示すようなウエハ115を得る。
【0040】
このウエハ115の切断面を鏡面研磨し、次いで、酸によってエッチングした後、光学顕微鏡でエッチピットを観察して後に個々の種結晶として切り出す各分割領域の品質の良否を判別する。
【0041】
良否判別の方法及びその変更態様は、図1の実施形態の場合と全く同様である。
【0042】
結晶110の端面(切断面112)における切断線が同図(B)のごとくなるように、この結晶を切断し、Z軸方向が長手方向であり一辺が約5mm程度の複数の角柱形状の種結晶を切り出しておく。
【0043】
ウエハ115上の全ての分割領域について同様の良否判別を行った後、良好な品質と判別された分割領域に対応する種結晶のみを用いて結晶成長を行う。
【0044】
結晶育成方法は、図1の実施形態の場合と全く同様である。
【0045】
また、本実施形態における作用効果についても図1の実施形態の場合とほぼ同様である。
【0046】
以上説明した実施形態においては、種結晶がZ軸方向の方位を有する結晶とされているが、Z軸方向に対して±10°以内の方位を有する結晶の場合にも本発明を適用することができる。
【0047】
また、以上説明した実施形態では、単結晶の育成にチョクラルスキー法を用いているが、種結晶を用いる結晶成長方法であればチョクラルスキー法以外のいかなる方法によっても本発明が実現可能であることは明らかである。
【0048】
さらに、以上説明した実施形態では、鏡面仕上げ処理、エッチング処理及び良否判別処理の作業性を容易にするため、種結晶又は種結晶を切り出す前の結晶からウエハを切り出してこれを検査しているが、本発明では、種結晶又は種結晶を切り出す前の結晶の端面を鏡面状に仕上げた後エッチングし、エッチングした面のエッチピットに応じて種結晶の良否判別を行っても良い。
【0049】
【実施例】
イリジウム製のるつぼに、La3Ta0.5Ga5.5O14(LTG)原料を充填し、高周波加熱により融解させた後、Z軸方位を有するLTGの種結晶をこれに浸し、徐々に引き上げることにより直径1インチ(約2.5cm)、長さ80mmの単結晶を成長させた。
【0050】
この単結晶の肩部とテール部とをZ軸方向に垂直な切断面で切断し、この切断した結晶からZ軸方向が長手方向であり一辺が5mmの複数の角柱形状の種結晶を切り出した。この切り出した各角柱形状種結晶の端面をその長手方向に垂直な切断面で薄く切断することにより、ウエハを得、そのウエハの切断面を鏡面研磨し、ピロリン酸で140℃、15分間エッチングした後、光学顕微鏡でエッチピットを観察してその種結晶の品質の良否を判別した。
【0051】
良否判別方法として、エッチピットの大きさ及び分布状態を観察して判断した。即ち、比較的大きなエッチピットが密集又は連続して存在する場合は不良品質の種結晶であるとした。また、エッチピットが存在しない場合及び比較的小さなエッチピットが独立して存在している場合は良好な品質の種結晶と判断した。これら、良否判別した種結晶をそれぞれ用い、チョクラルスキー法によりZ軸方向のLTG単結晶の引き上げを行った。
【0052】
引き上げは窒素と酸素との混合ガス中で行われ、引き上げ条件としては、引き上げ速度が1〜2mm/hr、結晶回転数が10〜20rpmであった。育成された結晶について、異常成長稜及びクラックを検査すると、表1の結果が得られた。なお、表1において、数値の分母は引き上げ回数、分子は異常成長稜又はクラックの発生が認められた回数をそれぞれ示している。
【0053】
【表1】
【0054】
以上の結果から、種結晶の端面を薄く切断し、切断面を鏡面研磨した後にエッチングして表面を観察し、エッチピットの大きさ及び分布状態からその種結晶の品質の良否を判別し、品質が良好な種結晶を選別して単結晶の育成を行えば、異常成長稜及びクラック等のない良好な品質の結晶を歩留り良く育成することができることが分かる。
【0055】
なお、エッチングに用いる酸は、エッチピットが観察できるものであれば良く、ピロリン酸以外に、例えば塩酸やフッ化水素酸であっても良い。
【0056】
以上述べた実施形態及び実施例は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【0057】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、成長方向であるZ軸方向にほぼ垂直な平面として結晶から切り出したウエハの一方の面を鏡面状に仕上げた後エッチングし、そのエッチングした面のエッチピットに応じて良否判別を行っているので、結晶に内在する欠陥を簡便にかつ確実に判別でき、さらに、例えばランガサイト型構造を有する結晶のように可視光や偏光で調べても結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶についても容易にかつ確実に品質を判別できる。しかも、ウエハに切り出して鏡面仕上げ処理、エッチング処理及び良否判別処理を行っているので、作業性が非常に優れている。
【0058】
また、成長方向であるZ軸方向にほぼ垂直な平面として結晶から切り出したウエハの一方の面を鏡面状に仕上げた後エッチングし、そのエッチングした面のエッチピットに応じて良否判別し、良好な品質の種結晶を用いて結晶成長を行っているので、例えばランガサイト型構造を有する結晶のように可視光や偏光で調べても結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶についても、容易にかつ確実に種結晶の品質を判別できる。しかも、ウエハに切り出して鏡面仕上げ処理、エッチング処理及び良否判別処理を行っているので、作業性が非常に優れている。欠陥の多い結晶を種結晶として使用しないようにすることによって、単結晶製造の歩留りを向上させることができる。さらに、良好な品質の種結晶のみを使用して結晶育成を行えるので、製造した単結晶品質を安定化させることができる。
【0059】
またさらに、成長方向であるZ軸方向にほぼ垂直な端面を鏡面状に仕上げた後エッチングし、そのエッチングした面のエッチピットに応じて良否判別し、良好な品質の種結晶を用いて結晶成長を行っているので、例えばランガサイト型構造を有する結晶のように可視光や偏光で調べても結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶についても、容易にかつ確実に種結晶の品質を判別できる。従って、欠陥の多い結晶を種結晶として使用しないようにすることによって、単結晶製造の歩留りを向上させることができる。また、良好な品質の種結晶のみを使用して結晶育成を行えるので、製造した単結晶品質を安定化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態における種結晶の検査手順を概略的に示す図である。
【図2】種結晶のウエハについてエッチピットを観察した光学顕微鏡写真である。
【図3】種結晶のウエハについてエッチピットを観察した光学顕微鏡写真である。
【図4】種結晶のウエハについてエッチピットを観察した光学顕微鏡写真である。
【図5】種結晶のウエハについてエッチピットを観察した光学顕微鏡写真である。
【図6】種結晶のウエハについてエッチピットを観察した光学顕微鏡写真である。
【図7】種結晶のウエハについてエッチピットを観察した光学顕微鏡写真である。
【図8】種結晶のウエハについてエッチピットを観察した光学顕微鏡写真である。
【図9】種結晶のウエハについてエッチピットを観察した光学顕微鏡写真である。
【図10】図1の実施形態における単結晶成長装置の構成を概略的に示す図である。
【図11】本発明の他の実施形態における種結晶の検査手順を概略的に示す図である。
【符号の説明】
10、110 種結晶を切り出そうとする結晶
11、12、14、111、112、114 切断面
13、100 種結晶
15、115 ウエハ
101 るつぼ
102 融液
103 成長した結晶
104 高周波誘導コイル
105 耐火材
Claims (12)
- ランガサイト型結晶構造を有する物質、ガーネット、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムである種結晶又は該種結晶を切り出す前の結晶からZ軸方向にほぼ垂直な平面のウエハを切り出し、該ウエハを切り出すべく切断された側の面である該ウエハの一方の面を鏡面状に仕上げた後エッチングし、エッチングした面のエッチピットに応じて該種結晶の良否判別を行うことを特徴とする種結晶の検査方法。
- 前記ウエハが、種結晶又は該種結晶を切り出す前の結晶の端面から切り出されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- エッチングした面のエッチピットの大きさ及び分布状態を観察して前記良否判別を行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- エッチングした面のエッチピットの密度を求めて前記良否判別を行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記ランガサイト型結晶構造を有する物質が、La3Ta0.5Ga5.5O14、La3Ga5SiO14又はLa3Nb0.5Ga5.5O14であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記種結晶が、Z軸方向に対して±10°以内の方位を有する結晶であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の方法。
- ランガサイト型結晶構造を有する物質、ガーネット、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムである種結晶又は該種結晶を切り出す前の結晶からZ軸方向にほぼ垂直な平面のウエハを切り出し、該ウエハを切り出すべく切断された側の面である該ウエハの一方の面を鏡面状に仕上げた後エッチングし、エッチングした面のエッチピットに応じて該種結晶の良否判別を行い、良好な品質と判別された種結晶を用いて結晶成長を行うことを特徴とする単結晶の製造方法。
- 前記ウエハが、種結晶又は該種結晶を切り出す前の結晶の端面から切り出されることを特徴とする請求項7に記載の製造方法。
- エッチングした面のエッチピットの大きさ及び分布状態を観察して種結晶の前記良否判別を行うことを特徴とする請求項7又は8に記載の製造方法。
- エッチングした面のエッチピットの密度を求めて種結晶の前記良否判別を行うことを特徴とする請求項7又は8に記載の製造方法。
- 前記ランガサイト型結晶構造を有する物質が、La3Ta0.5Ga5.5O14、La3Ga5SiO14又はLa3Nb0.5Ga5.5O14であることを特徴とする請求項7から10のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記種結晶が、Z軸方向に対して±10°以内の方位を有する結晶であることを特徴とする請求項7から11のいずれか1項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000385227A JP4000772B2 (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | 種結晶の検査方法及び単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000385227A JP4000772B2 (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | 種結晶の検査方法及び単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002187799A JP2002187799A (ja) | 2002-07-05 |
JP4000772B2 true JP4000772B2 (ja) | 2007-10-31 |
Family
ID=18852531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000385227A Expired - Fee Related JP4000772B2 (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | 種結晶の検査方法及び単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4000772B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101561401B (zh) * | 2009-05-23 | 2011-08-17 | 青岛大学 | 一种晶体生长表面微结构的实时观测方法 |
JP7336961B2 (ja) * | 2019-10-31 | 2023-09-01 | 信越化学工業株式会社 | 単結晶インゴットの製造方法及び単結晶ウエハの製造方法 |
CN114717639B (zh) * | 2022-06-07 | 2022-09-16 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 基于光电化学腐蚀工艺定位氧化镓晶片表面缺陷的方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4291886B2 (ja) * | 1994-12-05 | 2009-07-08 | 住友電気工業株式会社 | 低欠陥ダイヤモンド単結晶及びその合成方法 |
JP2839027B2 (ja) * | 1997-01-23 | 1998-12-16 | 住友電気工業株式会社 | Ii−vi族化合物半導体の熱処理方法 |
JPH11106295A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-20 | Tdk Corp | Nd3Ga5SiO14単結晶の製造方法 |
JP3968968B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2007-08-29 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶GaN基板の製造方法 |
-
2000
- 2000-12-19 JP JP2000385227A patent/JP4000772B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002187799A (ja) | 2002-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7837791B2 (en) | Silicon single crystal wafer for particle monitor | |
JPH08298233A (ja) | 正確に定められた深さの無欠陥層を有する較正用ウエーハの製造方法および較正用ウエーハ | |
JP5204415B2 (ja) | CZ法によるSi単結晶インゴットの製造方法 | |
KR101997561B1 (ko) | 실리콘 단결정봉의 제조방법 | |
JPH092891A (ja) | 結晶欠陥の均一なシリコン単結晶の製造方法およびその製造装置 | |
KR101032593B1 (ko) | CZ법에 의한 Si 단결정 잉곳 제조 방법 | |
TWI571541B (zh) | Silicon wafer manufacturing method | |
JP4862857B2 (ja) | シリコン単結晶ウェーハ評価用の標準サンプル、その製造方法及び標準サンプルを用いた評価方法 | |
JP2001081000A (ja) | シリコン単結晶の結晶欠陥評価方法 | |
JPH04285100A (ja) | シリコンウェーハの品質検査方法 | |
WO2019087469A1 (ja) | シリコンブロックの品質判定方法、シリコンブロックの品質判定プログラム、およびシリコン単結晶の製造方法 | |
JP4000772B2 (ja) | 種結晶の検査方法及び単結晶の製造方法 | |
JP3773477B2 (ja) | 結晶欠陥の検査方法 | |
JPH11322491A (ja) | シリコン単結晶ウエ―ハの製造方法およびシリコン単結晶ウエ―ハ | |
JPH0697251A (ja) | シリコン単結晶の品質評価方法 | |
KR20050088493A (ko) | Soi웨이퍼 및 그 제조 방법 | |
JP2991583B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP4154891B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP4066710B2 (ja) | シリコン単結晶製造方法およびシリコン単結晶製造操業用プログラムならびにシリコン単結晶製造装置 | |
JP3722638B2 (ja) | 人工水晶に発生するエッチチャンネルの抑止方法及び人工水晶の加工方法並びにこれらによる高品位人工水晶、水晶ウェハ及び水晶片 | |
JP2000053489A (ja) | パ―ティクルモニタ―用シリコン単結晶ウエ―ハの製造方法およびパ―ティクルモニタ―用シリコン単結晶ウエ―ハ | |
JP2023172356A (ja) | シリコン単結晶基板の評価方法 | |
JPH08111444A (ja) | 半導体基板用シリコンウェハの原子空孔分布評価法 | |
JP2003321297A (ja) | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ | |
JP4524983B2 (ja) | シリコンウエーハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040421 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070424 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070622 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070724 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070806 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |