JP3984501B2 - 光スイッチの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光スイッチの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在の光通信網の主流は、1本の光ファイバに多波長の信号を重ね合わせて伝送するWDM(Wavelength Division Multiplexing)である。光通信網の高度化には、WDMによる情報容量の拡大の技術と共に、その情報を的確に切替え処理する光スイッチの技術が必要不可欠である。WDM普及のために光スイッチは欠かせない重要な要素であり、その開発が急がれている。その中で、マイクロマシニング技術を用いたミラー型の光スイッチは、優れた光学特性(低損失、低クロストーク)に加えて、波長や偏波に対して無依存、小型高密度、大規模化、非閉塞型、低電力型(自己保持型)であること等で期待されている。
【0003】
これらの長所を意図した非閉塞型マトリクス光スイッチが提案されている(特願2000−221066号参照。)
図8は本発明の前提となった光スイッチの平面図であり、図9は図8に示した光スイッチの正面図である。
【0004】
基板1にマイクロマシニングの微細加工技術を用いて製作した小型のミラー部2を複数有する2列のミラーベース3が基板1に対して垂直に固定されている。ミラー部2は、1枚のミラーベース材(Si)に複数の略コの字形状の溝孔をエッチングすることによりトーションバー5で回動自在に支持されるようにミラー4を形成し、各ミラー4の周辺部に図には示されていないコイルを形成したものである。ミラー4の数は合計8枚(4枚×2)である。
【0005】
基板1上には4心の光ファイバブロックにマイクロレンズアレイを接着した光入力ポート6と光出力ポート7とがミラーベース3を挟んでアライメントされている。基板1上にはミラー部2の列に対して平行な磁場がかかるように一対の永久磁石8がアライメントされている。ミラー部2のミラー4を所定の角度に回動された状態を保持するためのラッチ機構9がミラー部2と基板1との間に設けられている。図中10はミラーベース留め具であり、11は光路である。
【0006】
この種の光スイッチは、小型ミラー及び配線が形成されたミラーベースを、基板2対して垂直に固定され、かつミラーベースと基板との配線が接続されている構造が必要である。
【0007】
通常のミラータイプの光スイッチでは、小型のミラー部は一枚の基板上に形成されている。一般に、水平に配置された基板と、この基板に垂直に固定された基板との間での配線の接続は行わず、図8に示すように平行な位置関係にある小型ミラー部を有する基板と回路基板との間の配線のボンディングですむ。この場合のボンディングとして考えられるのは、大きく分けると、ワイヤボンディングとワイヤレスボンディングとが挙げられる。
【0008】
ワイヤレスボンディングは、フリップチップ方式やTAB(Tape Automated Bonding)方式が挙げられる。また、小型ミラー部を有する基板側にコンタクトホールを形成し、回路基板を貼り合わせ、めっきで基板間を接続する方法も研究されている。
【0009】
図10(a)はワイヤボンディングの方法を示す説明図であり、図10(b)はフリップチップの方法を示す説明図である。
【0010】
ワイヤボンディングは図10(a)に示すように、小型ミラー部を有する基板11と、基板11が搭載された回路基板12とに電極パッド13、14をそれぞれ形成し、金属線15等で電極パッド13、14間を接続する方法である。
【0011】
ワイヤレスボンディングの一例としてのフリップチップ方式は図10(b)に示すように、小型ミラー部を有する基板11のボンディングパッド上に予めハンダバンプ(若しくは金バンプ)16を形成しておき、このハンダバンプ16と回路基板12のリード14aとの位置合わせをして矢印17方向に接触させた後、加熱によるハンダリフローや加圧した状態で超音波振動を用いて接続する方法である。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、一般的にミラータイプの光スイッチでは駆動される小型ミラーは一枚の基板上に形成されており、回路基板へはワイヤボンディングやワイヤレスボンディングによる配線が行われている。これに対して、特願2000−221066号に記載の光スイッチは、小型ミラーを有するミラーベースは、基準となる基板に垂直に固定された状態でミラーベースと基板との間の配線を接続した構造が必要であり、配線が面倒であり、工程が複雑となるという問題があった。
【0013】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、製造が容易な光スイッチの製造方法を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、駆動回路に接続される第1の配線パターンを有する基板上に、コイルが形成されたミラーを開口部内で回動自在に支持すると共にコイルに接続された第2の配線パターンを有するミラーベースを垂直に固定し、基板にミラーを回動させるための永久磁石を設け、基板上にミラーに外部から入力した信号光を照射する光入力ポートを固定し、基板上にミラーで反射された信号光を受光して外部へ出力する光出力ポートを固定する光スイッチの製造方法において、基板に第1の配線パターンを横切るように溝を形成し、第1の配線パターンと第2の配線パターンとが直交するようにミラーベースの一端に第2の配線パターンが形成されたミラーベースの一端を溝に挿入し、上記第1及び第2の配線パターンをシード層としてめっきを施すことにより第1の配線パターンと第2の配線パターンとを接続するものである。
【0019】
請求項2に記載の発明は、第1の配線パターンを有する基板上に、コイルが形成されたミラーを開口部内で回動自在に支持すると共に第2の配線パターンを有するミラーベースを垂直に固定し、基板にミラーを回動させるための永久磁石を設け、基板上にミラーに外部から入力した信号光を照射する光入力ポートを固定し、基板上にミラーで反射された信号光を受光して外部へ出力する光出力ポートを固定する光スイッチの製造方法において、基板にSOIウェハを用い、フォトリソグラフィ法と金属蒸着法とを用いてSOIウェハの一方のSi層側に略矩形状の溝を形成して内側をミラーベースとし、SOIウェハのミラーベースの裏側に位置するSi層を除去し、基板に第1の配線パターンを形成すると共にミラーベースに第2の配線パターンを形成し、ミラーベースの一辺と基板との間に第1の配線パターンと第2の配線パターンとを接続する第3の配線パターンを有するフレキシブル基板を貼り付け、フレキシブル基板の上にレジストパッドを設け、ミラーベースの裏面の絶縁膜を除去した後、SOI基板を裏返すと共に一定時間加熱してレジストパッドを軟化させミラーベースを自重で基板に垂直に折り曲げて冷却硬化させるものである。
【0020】
請求項3に記載の発明は、基板とミラーベースとの直交状態を保持するためミラーベース留め具で保持するのが好ましい。
【0021】
請求項4に記載の発明は、ミラーベース留め具は、基板に固定され一方の端面が傾斜した基板側切片と、一方の端面側にミラーベースに係合する切り欠きが形成され他方の端面が傾斜したミラーベース側切片と、両端面が傾斜すると共にミラーベース側切片と基板側切片との間に傾斜面がV溝を形成するように配置される少なくとも1つの中間切片と、V溝に充填され充填後収縮してミラーベース及び中間切片をV溝の開口部側に湾曲させる収縮性樹脂とで構成されているのが好ましい。
【0022】
本発明によれば、基板に形成された溝にミラーベースを垂直に挿入し、第1の配線パターンと第2の配線パターンとが直交する交差部をめっきするだけでよいので、第1の配線パターンと第2の配線パターンとの間のボンディング作業が不要となり、製造が容易となる。また、本発明によれば、第1の配線パターンと第2の配線パターンとをフレキシブル基板に形成された第3の配線パターンで接続すると共に、基板に対してミラーベースを折り曲げた状態で基板とミラーベースとの接続部を樹脂で固定するだけでよいので、第1の配線パターンと第2の配線パターンとの間のボンディング作業が不要となり、製造が容易となる。さらに、本発明によれば、基板とミラーベースとの直交状態を保持するためミラーベース留め具が、基板側切片と、ミラーベース側切片と、少なくとも1つの中間切片と、各切片間に形成されるV溝に充填された収縮性樹脂とで構成されているので、収縮性樹脂を収縮させることでミラーベース側切片がミラーベースに係合してミラーベースと基板との間の垂直性が保持される。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【0024】
図1(a)、(b)は本発明の光スイッチの製造方法の一実施の形態を示す説明図であり、図2は図1(b)の円A内の部分拡大図である。図3(a)は図2の3a−3a線断面図であり、図3(b)は図3(a)に示した光スイッチの第1の配線パターン及び第2の配線パターンにめっきを施した状態を示す図である。なお、図8及び図9に示した部材と同様の部材には共通の符号を用いた。
【0025】
図1(a)に示す基板1には駆動回路に接続される第1の配線パターン(図示せず。)が形成されており、第1の配線パターンと交差するように溝20が形成されている。
【0026】
3は、一対のトーションバー5で小型のミラー(例えば580μm×580μm)4をミラーベース3内でミラー4の中心軸(図では垂直方向の軸)のまわりに回動自在に支持すると共に、ミラー板40のミラー4の周囲に形成されたコイルに接続された第2の配線パターン(図示せず。)を有するミラーベース(例えば8mm×10mm)である。
【0027】
第1及び第2の配線パターンは、例えば40μm幅のAu/Cr(膜厚Au:100nm、Cr:20nm)により形成されたシード層からなっている。
【0028】
ミラー4はミラー板40に設けられた微細コイル(図示せず。)と、基板1と水平方向に磁場を形成する一対の永久磁石8とで回動するようになっている。
【0029】
図1(b)に示すミラーベース3は、位置を微調整できる冶具(図示せず。)を用いて基板1の溝20内に挿入される。
【0030】
図2、図3(a)に示すようにミラーベース3の端部には、基板1に形成された第1の配線パターン22と交差するように第2の配線パターン23が形成されている。
【0031】
図3(b)に示すように第1の配線パターン22及び第2の配線パターン23にめっき(例えばCuの電解めっき)24が施されて第1の配線パターン22と第2の配線パターン23とが電気的に接続されるようになっている。めっきを施す際に、めっき浴にはピロリン酸浴を用い、電源にはパルス電源を用いた。この結果、シード層の上にCuが成長し、基板1上の第1の配線パターン22とミラーベース3上の第2の配線パターン23とが接続されたのを顕微鏡で確認することができた。また、電気的に導通していることもテスターで確認することができた。しかも基板1に対してミラーベース2を垂直に精度よく固定することができた。
【0032】
図4は本発明の光スイッチの製造方法の他の実施の形態を示すフロー図であり、図5(a)〜(e)は図4に示した光スイッチの製造方法を示す工程図である。
【0033】
基板材料としてはSOIウェハ(例えば上部Si層30の厚さが約25μm、絶縁膜としてのSiO2層31の厚さが約1μm、下部Si層32の厚さが約374μm)33を用いた。
【0034】
ミラーベース34は上部Si層30からなっている(厚さ約25μm)。基板33は全ての層30〜32を合計した約400μmに相当する。
【0035】
(1)レジストパッドパターニング(ステップS1)。
【0036】
ミラーベース34を上部Si層30に形成し、ミラーベースの34裏面(図では下側)側の下部Si層はエッチングにより除去されている。ミラーベース34はSiO2層31で支持されており、この状態でミラーベース34と基板33とがパターニングされたレジストパッド35により接続されている。レジストパッド35には例えばポジレジストAZp4620(ヘキストインダストリー株式会社製)を用いた(図5(a))。
【0037】
(2)レジストプリメルト(ステップS2)。
【0038】
パターニング後、約110℃でレジストパッド35のプリメルトを行った。このプリメルトにより、レジストパッド35のエッジが丸くなる(図5(b))。
【0039】
(3)SiO2層の除去(ステップS3)。
【0040】
ミラーベース34を支持しているSiO2層31を除去する(図5(c))。
【0041】
(4)起き上げ面の裏側への配置(ステップS4)。
【0042】
基板33をミラーベース34ごと裏返す。基板33を裏返すことにより、構造体の自重をミラーベース34の起き上げの補助とした(図5(d))。
【0043】
(5)レジストパッド加熱によるミラーベースの起き上げ
基板33をミラーベース34ごと140℃〜150℃に加熱し、丸みをおびたレジストパッド35aをさらに軟化させてミラーベース34の起き上げ(図では降り下げ)を行う。表面張力に加え、自重による効果を利用してミラーベース34のようなバルク構造体の起き上げが可能となった(図5(e))。
【0044】
なお、ミラーベース34と基板33との間の垂直性を保持するためミラーベース留め具を用いて、基板上に基板側切片を固定し、ミラーベースをミラーベース側切片で押さえるようにするのが好ましい。
【0045】
図6は本発明の光スイッチに用いられるミラーベース留め具の使用状態を示す外観斜視図である。図7(a)は図6に示したミラーベース留め具の各切片間に収縮性樹脂を充填した直後の状態を示す図であり、図7(b)は図7(a)に示した収縮性樹脂が収縮し始めた状態を示す図である。
【0046】
ミラーベース留め具50は、基板1(33)に固定され一方(図6では右側)の端面が傾斜した基板側切片51と、一方(図6では上側)の端面側にミラーベース3(34)に係合する切り欠き52が形成され他方(図6では下側)の端面)が傾斜したミラーベース側切片53と、両端面が傾斜すると共にミラーベース側切片53と基板側切片51との間に傾斜面がV溝56を形成するように配置される中間切片(図では1つであるが限定されない。)54と、V溝に充填され充填後収縮してミラーベース3(34)及び中間切片54をV溝の開口部側に湾曲させる収縮性樹脂55とで構成されている。
【0047】
収縮性樹脂55には感光性ポリイミドが挙げられる。
【0048】
V溝56の広い方(開口部側)の幅をaとし、V溝56の狭い方(底部側)の幅をbとし、収縮性樹脂55の熱収縮率をεとすると、加熱することにより収縮性樹脂55の揮発性物質が蒸発して収縮性樹脂55の乾燥固化が起こり、V溝56の広い方の幅が(1−ε)となり、V溝56の狭い方の幅が(1−ε)bとなり、a>bであるので、ミラーベース留め具50が起きあがるように湾曲する。
【0049】
ここで、図5(a)に示すSOIウェハに予めミラーベース留め具50を固定しておき、図5(e)に示す加熱によるミラーベース34の起き上げ後に、さらに加熱を加えることにより、感光性ポリイミド55が収縮してミラーベース留め具50が起き上がり、ミラーベース34を垂直に保持することができる。
【0050】
なお、図5(a)〜(e)に示した基板33の第1の配線及びミラーベース34の第2の配線間の配線に関しては、基板33とミラーベース34との間の折れ曲がり部にフレキシブル基板(例えばポリイミドに第3の配線パターンを形成したフレキシブル基板)を形成し、第1の配線パターンと第2の配線パターンとを接続しておき、フレキシブル基板の上にレジストパッドを形成するのが好ましい。この場合、後で配線を接続する必要がない。
【0051】
光スイッチをこのようにしても前述と同様に基板33上にミラーベース34を垂直に保持することができると共に第1の配線パターンと第2の配線パターンとを接続することができる。
【0052】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、製造が容易な光スイッチの製造方法の提供を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)、(b)は本発明の光スイッチの製造方法の一実施の形態を示す説明図である。
【図2】図1(b)の円A内の部分拡大図である。
【図3】(a)は図2の3a−3a線断面図であり、(b)は(a)に示した光スイッチの第1の配線パターン及び第2の配線パターンにめっきを施した状態を示す図である。
【図4】本発明の光スイッチの製造方法の他の実施の形態を示すフロー図である。
【図5】(a)〜(e)は図4に示した光スイッチの製造方法を示す工程図である。
【図6】本発明の光スイッチに用いられるミラーベース留め具の使用状態を示す外観斜視図である。
【図7】(a)は図6に示したミラーベース留め具の各切片間に収縮性樹脂を充填した直後の状態を示す図であり、(b)は(a)に示した収縮性樹脂が収縮し始めた状態を示す図である。
【図8】本発明の前提となった光スイッチの平面図である。
【図9】図8に示した光スイッチの正面図である。
【図10】(a)はワイヤボンディングの方法を示す説明図であり、(b)はフリップチップの方法を示す説明図である。
【符号の説明】
1 基板
3 ミラーベース
4 ミラー
5 トーションバー
20 溝
22 第1の配線パターン
23 第2の配線パターン
40 ミラー板
Claims (4)
- 駆動回路に接続される第1の配線パターンを有する基板上に、コイルが形成されたミラーを開口部内で回動自在に支持すると共に該コイルに接続された第2の配線パターンを有するミラーベースを垂直に固定し、上記基板に上記ミラーを回動させるための永久磁石を設け、上記基板上に上記ミラーに外部から入力した信号光を照射する光入力ポートを固定し、上記基板上に上記ミラーで反射された信号光を受光して外部へ出力する光出力ポートを固定する光スイッチの製造方法において、上記基板に第1の配線パターンを横切るように溝を形成し、第1の配線パターンと第2の配線パターンとが直交するように上記ミラーベースの一端に第2の配線パターンが形成されたミラーベースの一端を上記溝に挿入し、上記第1及び第2の配線パターンをシード層としてめっきを施すことにより第1の配線パターンと第2の配線パターンとを接続することを特徴とする光スイッチの製造方法。
- 駆動回路に接続される第1の配線パターンを有する基板上に、コイルが形成されたミラーを開口部内で回動自在に支持すると共に該コイルに接続された第2の配線パターンを有するミラーベースを垂直に固定し、上記基板に上記ミラーを回動させるための永久磁石を設け、上記基板上に上記ミラーに外部から入力した信号光を照射する光入力ポートを固定し、上記基板上に上記ミラーで反射された信号光を受光して外部へ出力する光出力ポートを固定する光スイッチの製造方法において、上記基板にSOIウェハを用い、フォトリソグラフィ法と金属蒸着法とを用いて該SOIウェハの一方のSi層側に略矩形状の溝を形成して内側をミラーベースとし、上記SOIウェハの上記ミラーベースの裏側に位置するSi層を除去し、上記基板に第1の配線パターンを形成すると共に上記ミラーベースに第2の配線パターンを形成し、上記ミラーベースの一辺と上記基板との間に第1の配線パターンと第2の配線パターンとを接続する第3の配線パターンを有するフレキシブル基板を貼り付け、該フレキシブル基板の上にレジストパッドを設け、上記ミラーベースの裏面の絶縁膜を除去した後、上記SOI基板を裏返すと共に一定時間加熱して上記レジストパッドを軟化させ上記ミラーベースを自重で上記基板に垂直に折り曲げて冷却硬化させることを特徴とする光スイッチの製造方法。
- 上記基板と上記ミラーベースとの直交状態を保持するためミラーベース留め具で保持する請求項2に記載の光スイッチの製造方法。
- 上記ミラーベース留め具は、上記基板に固定され一方の端面が傾斜した基板側切片と、一方の端面側に上記ミラーベースに係合する切り欠きが形成され他方の端面が傾斜したミラーベース側切片と、両端面が傾斜すると共に該ミラーベース側切片と上記基板側切片との間に傾斜面がV溝を形成するように配置される少なくとも1つの中間切片と、上記V溝に充填され充填後収縮して上記ミラーベース及び上記中間切片を上記V溝の開口部側に湾曲させる収縮性樹脂とで構成されている請求項3に記載の光スイッチの製造方法。
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